DE900340C - Verfahren zur Herstellung sehr reiner Germanium- oder Siliziumhalogenide - Google Patents
Verfahren zur Herstellung sehr reiner Germanium- oder SiliziumhalogenideInfo
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- DE900340C DE900340C DES18722A DES0018722A DE900340C DE 900340 C DE900340 C DE 900340C DE S18722 A DES18722 A DE S18722A DE S0018722 A DES0018722 A DE S0018722A DE 900340 C DE900340 C DE 900340C
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G17/00—Compounds of germanium
- C01G17/04—Halides of germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
Description
- Verfahren zur Herstellung sehr reiner Germanium- oder Siliziumhalogenide
Es wurde bereits vorgeschlagem@ sehr reines Germanium bew. Silizium, insbesondere für Gleichrichter, Detektoren, Transitoren od. dgl., da- durch zugewinnen, daß man zunächst German:ium- o,der Siiliiziumhalo@geniide reinigt und laus ihnen dann .das Germanium. bzw. Silizium :gewünschter Rein- iheit gewinnt. Die Erfindung befaßt sich miit ider Au,fig,abe, .diese @möglichis.t ei(nifach, ischnell und ihillilig durchzuführen. Das hierfür vor- geschlegene neue Verfahren ist jedoch nicht nur auf das .genannte Anwendungsgcb@iet beschränkt, obwohl es dort von besondrerer Wichtigkeit i:st, sondern kann überall dort angewandt werden, wo reine Silizium- oder Ger:maniu;mha-logeniide, iinsib,eson:d-ere ihre Tetrabromide, gewünscht werden. Bei :der Erfindung wird von einem verunreinigten Halogenid des Sif.iziums oder Germaniums -au)s- ggegan:gen; das gegebenenfalils schon in ürgendeiner Weise vorgereinigt sein kann, jedoch noch un- erwünschte Verunreinigungen entihält, von denen es getrennt werden ,soll. Der erfindungsgemäße Vor- schlag geht nun dahin, dem Halogenid einen Stoff, z. B. eine organische oder anorgan.i:sohe Säure, zu- zusetzen, :der :mit idem. Halogenid in. Abhängigkeit vom Mi;schungtsver:hä@ltni-s ein Maximum bzw. Mini- mum der Siede- ibzw. Konden.sat.ionskurve (ibei kon- stantem Druck) besitzt ;und :die Menge des zu- ,gesetzten Stoffes so zu bemessen, d@aß die Siedre- bzw. Kondenoderungstemiperaturen Über bzw. unter den Siedetemperaturen :des Halogenids und des "zu- gesetzten Stoffes liegen. Dabei :soll Idas Mengen- verhältni,s von Ha,logeniid und zugesetztem Stoff :mräglichst so gewählt wenden, daß das Gem-itsch azeotrop ist, weil dann die Siede- bizw. Konden- uationsikurven ein Maxiimuim bzw. Minimum be- siitzen. Dieses Gemiisch ergibt ibei Destillation ent- weder ein Destillat oder einen Rückstand, in idem erhebliche Menge n des Halogenids enthalten sind, während di.e Verunreinigungen entweder eurück- ,bieIen oder überdestililieren. Bei besonders hohlen Anforderungen wird dieses Verfalhren wiederholt. Schon nach ummaliger Wiederholung sind da-s Destillat b;zw. ider Rückstand praktiisch frei von Verunreinigungen. Aufs der so gerein.agten Hialo- genc,dm.i,schunä -kann dann ,z. B. durch Hydrolyse -las gewünschte Germaniumidioxyd gewonnen wer- .den, das durch Reduktion Idas reine Germanium ergibt. Um bei möglichst niedrigen Temperaturen ar- hcitren zu können, wird gemäß der weiteren Er- findung vorgeschlagen, solche Stoffe dem Halogenid beizumischen, idie mit :diesem ein Minimum der Siedekurve besitzen. Außerdem empfielhk -es sich, bei Unterdruck izu ,arbeiten; dadurch wird nicht nur die notwendige Destillationstemperatur herab- gesetzt, sondern igegebenenfadilis auch die zur Er- zielung ides azeotropen Mischunbsverhältni-s;seis not- wendige Zusatzmenge vermindert. Außerdem kann durch die Erniedrigung ider Siedetemperatur eine schärfere Trennung von idem; zu reinigenden Hado- genid und .den Verunreinigungen erreicht werden. Der Reinigungsvorgang .ist aliso. beiispielsweise folgender: Dien zu .reinigenden. Germanium- oder Siliiziumhalogenvd wird, nachdem, es z. B. durch Deistillation vom Überschüssigen Halogen -befreit und,- e@gebenenfaslls in irgendeiner beliebigen Weise, z. B. :durch ein organisches Lösungsmittel, vor- gereinigt wurde, eine mehrfache Menge einer orga- niisahen oder anorganischen Säure zugesetzt, die nach .den obigen Gesiehtspunikten auuge@väahlt -i-st. Bei der Destiilllation dieses Gemisches erhält mian -bei einer Destild.ationstemperatur, die von der ider reinen Säure und des Halogeni,ds aibweicht, ein Destillat oder einen Rückstand, in dem erhebliche Mengen ,des Halogenids enthalten sind. Selbst hohe Anforderungen an :die Reinheit werden erfüllt, wenn .dieses Verfahren nur einmal ausgeführt wird; bei besonders hohen Anforderungen. genügt .fast immer eine einamal.ige Wiederholung. Bei der Herstellung von @Gerim;aniumtetrabr-oni,d setzt man z. B. vorteilhaft dem Bromid die etwa. 4- bis 5Fache Menge Essigsäure zu. Beider De,stiilaia- tio.n dieses Gemisches erhält man :dann bei einer Destillationstemiperatur, die unterhalb ider des Bromids und der Essigsäure liegt, ein Destillat, das. etwa 2,o °/o Germaniumtetrabromid enthält und ischon nach einmaliger Destillation ifrei von flüchtigen Verunreinigungen ist. Diese bleiben adis Desti,ll-a- tionsrückstand im Koaben !zurück. Das Destiill@at ist wasserklar, leicht hydrolysierbar und liefert bei der Hydrolyse ein intensiv weißes Germaniumdioxyd. Man erhält so bereits nach i- oder 2maliger Destilla- tion mit Es:si-gsiäure ein Germani.um,dioxyd sehr hoher Reinheit.. Sehr empfehlenswert ist fauch die Verwendung von Es@sigsäure-Anhydri.d"das nur etwa in i- bis 2- @facher Menge ;dem Germaniumtetrabromiiid zugesetzt zu werden braucht. Der Mengenanteil ides Halo- genids im Destillat wird dadurch also wesentlich gesteigert, was ;das Verfahren vereinfacht. Wie bereits erwähnt, isst es besonders vorteilhaft, bei Unterdruck .zu arbeiten. Im obigen Ausführunigs- beispial ider Reinigung ,des Germaniumihaloiaciniids mit Esisigsäure-Anhydrid kann z. B. die Destilla- tionstemperatur auf unter etwa 6o° erniedrigt wer- den, wenn :bei Drücken unter etwa 5o mm ge- arbeitet wird. Bei einem; Druck von etwa, 2.o mm. Hg beträgt die Destillationistemiperatur nur etwa 4o0.
Claims (1)
-
PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung von Gerananium- odier,Silüziumh;alogeni,den hohen Reinheitsgrades, ,der die Verwendung von .daraus gewonnenem Germanium oder Silizium für Gleichrichter, Transistoren od. idgl. gestattet, idadurch gekenn- zeichnet, .daß idem H2leb ni!d ein mit iihmi ein azeotropes Gemisch bildender Stoff, ins- besondere eine onggnische oder an.organiische Säure, in solcher Menge zugesetzt wird, daß die Siedetemperatur ides Gemisches über oder unter den Siedetemperaturen ides Halogenids bizw. des Zusatzstoffes liegt, und idaß Idas Gemiisch eo lange und nur @so weit erwärmt wird, daß das Halogenid mit dem Zuisalzstoff entweder als ge- reinigtes Destillat oider als igereinigter Rück- stand gewonnen wird. 2. Verfahren nach Anspruch i, gekenmLeich- net durch die Verwendung einfies solchen Zusatz- stoffes, insbesondere einer solchen Säure, daß da:s idaraus hergestellte- aveotrope Gemisch ein Minimum ,der Siedetemperatur besitzt. 3,. Verdahren ;nach Anspruch, i oder 2., ge- kennzeichnet idurch, idie Verwendung einer solchen Zusatzmenge, 4-aß etwa das -azeötrope Miischungsiverhältniis erreicht -wird. 4. Verfahren. nach einem ider Ansprüche 1,:2 oder 3, idadurch gekennzeichnet, idaß das Ge- misch bei Unterdruck destilliert wind. 5. Verfahren nach. einem ider Anisprüche. i bnis 4, dadurch gekennzeichnet, daß -denn Ger- maniumtetrahromid Essigsäure oder vonzuigs- weiise Es,siigs,äur,e-Anhydr.i,d izugesetzt wird. 6. Verfahren nach Anspruch 5, @dadurch ge- kennzeichnet, idaß dem Germaniiumtetrabr.omiid etwa die 4- bis 5fache Menge Es,sigisäure zu- gesetzt wird. 7. Verfahren nach Anspruch 5, idadurch ge- kennzeichnet, idaß ,leim -Germaniiumtetmbromiid etwa die i- 'bis 2fache Menge E:ssi;g,säure-;An- hydr.i.d zugesetzt und -aus !diesem Gemisch unter vermindertem Druck .bei etwa unter 6o°, vor- zugsweise bei etwa 4.o°, das gereinigte Tetra- b@rom;i,d-Essigsäurehydniid-iC,eanisch abdestiIiiiert wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES18722A DE900340C (de) | 1950-08-22 | 1950-08-22 | Verfahren zur Herstellung sehr reiner Germanium- oder Siliziumhalogenide |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES18722A DE900340C (de) | 1950-08-22 | 1950-08-22 | Verfahren zur Herstellung sehr reiner Germanium- oder Siliziumhalogenide |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE900340C true DE900340C (de) | 1953-12-21 |
Family
ID=7475646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES18722A Expired DE900340C (de) | 1950-08-22 | 1950-08-22 | Verfahren zur Herstellung sehr reiner Germanium- oder Siliziumhalogenide |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE900340C (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1054436B (de) * | 1956-02-11 | 1959-04-09 | Pechiney Prod Chimiques Sa | Verfahren zur Herstellung von kompaktem Silicium hohen Reinheitsgrades |
DE1088473B (de) * | 1956-08-17 | 1960-09-08 | Westinghouse Electric Corp | Verfahren zur Herabsetzung der Borverunreinigungen halogenierter Silane |
DE1109154B (de) * | 1957-03-12 | 1961-06-22 | Licentia Gmbh | Verfahren zur Gewinnung von borbromid- bzw. borjodidfreiem Siliciumbromid bzw. -jodid |
-
1950
- 1950-08-22 DE DES18722A patent/DE900340C/de not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1054436B (de) * | 1956-02-11 | 1959-04-09 | Pechiney Prod Chimiques Sa | Verfahren zur Herstellung von kompaktem Silicium hohen Reinheitsgrades |
DE1088473B (de) * | 1956-08-17 | 1960-09-08 | Westinghouse Electric Corp | Verfahren zur Herabsetzung der Borverunreinigungen halogenierter Silane |
DE1109154B (de) * | 1957-03-12 | 1961-06-22 | Licentia Gmbh | Verfahren zur Gewinnung von borbromid- bzw. borjodidfreiem Siliciumbromid bzw. -jodid |
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