DE900340C - Verfahren zur Herstellung sehr reiner Germanium- oder Siliziumhalogenide - Google Patents

Verfahren zur Herstellung sehr reiner Germanium- oder Siliziumhalogenide

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Publication number
DE900340C
DE900340C DES18722A DES0018722A DE900340C DE 900340 C DE900340 C DE 900340C DE S18722 A DES18722 A DE S18722A DE S0018722 A DES0018722 A DE S0018722A DE 900340 C DE900340 C DE 900340C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
acid
amount
mixture
halide
purified
Prior art date
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Expired
Application number
DES18722A
Other languages
English (en)
Inventor
Georg Rosenberger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
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Application granted granted Critical
Publication of DE900340C publication Critical patent/DE900340C/de
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G17/00Compounds of germanium
    • C01G17/04Halides of germanium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen

Description

  • Verfahren zur Herstellung sehr reiner Germanium- oder Siliziumhalogenide
    Es wurde bereits vorgeschlagem@ sehr reines
    Germanium bew. Silizium, insbesondere für
    Gleichrichter, Detektoren, Transitoren od. dgl., da-
    durch zugewinnen, daß man zunächst German:ium-
    o,der Siiliiziumhalo@geniide reinigt und laus ihnen dann
    .das Germanium. bzw. Silizium :gewünschter Rein-
    iheit gewinnt. Die Erfindung befaßt sich miit ider
    Au,fig,abe, .diese
    @möglichis.t ei(nifach, ischnell
    und ihillilig durchzuführen. Das hierfür vor-
    geschlegene neue Verfahren ist jedoch nicht nur auf
    das .genannte Anwendungsgcb@iet beschränkt, obwohl
    es dort von besondrerer Wichtigkeit i:st, sondern
    kann überall dort angewandt werden, wo reine
    Silizium- oder Ger:maniu;mha-logeniide, iinsib,eson:d-ere
    ihre Tetrabromide, gewünscht werden.
    Bei :der Erfindung wird von einem verunreinigten
    Halogenid des Sif.iziums oder Germaniums -au)s-
    ggegan:gen; das gegebenenfalils schon in ürgendeiner
    Weise vorgereinigt sein kann, jedoch noch un-
    erwünschte Verunreinigungen entihält, von denen
    es getrennt werden ,soll. Der erfindungsgemäße Vor-
    schlag geht nun dahin, dem Halogenid einen Stoff,
    z. B. eine organische oder anorgan.i:sohe Säure, zu-
    zusetzen, :der :mit idem. Halogenid in. Abhängigkeit
    vom Mi;schungtsver:hä@ltni-s ein Maximum bzw. Mini-
    mum der Siede- ibzw. Konden.sat.ionskurve (ibei kon-
    stantem Druck) besitzt ;und :die Menge des zu-
    ,gesetzten Stoffes so zu bemessen, d@aß die Siedre-
    bzw. Kondenoderungstemiperaturen Über bzw. unter
    den Siedetemperaturen :des Halogenids und des "zu-
    gesetzten Stoffes liegen. Dabei :soll Idas Mengen-
    verhältni,s von Ha,logeniid und zugesetztem Stoff
    :mräglichst so gewählt wenden, daß das Gem-itsch
    azeotrop ist, weil dann die Siede- bizw. Konden-
    uationsikurven ein Maxiimuim bzw. Minimum be-
    siitzen. Dieses Gemiisch ergibt ibei Destillation ent-
    weder ein Destillat oder einen Rückstand, in idem
    erhebliche Menge n des Halogenids enthalten sind,
    während di.e Verunreinigungen entweder eurück-
    ,bieIen oder überdestililieren. Bei besonders hohlen
    Anforderungen wird dieses Verfalhren wiederholt.
    Schon nach ummaliger Wiederholung sind da-s
    Destillat b;zw. ider Rückstand praktiisch frei von
    Verunreinigungen. Aufs der so gerein.agten Hialo-
    genc,dm.i,schunä -kann dann ,z. B. durch Hydrolyse
    -las gewünschte Germaniumidioxyd gewonnen wer-
    .den, das durch Reduktion Idas reine Germanium
    ergibt.
    Um bei möglichst niedrigen Temperaturen ar-
    hcitren zu können, wird gemäß der weiteren Er-
    findung vorgeschlagen, solche Stoffe dem Halogenid
    beizumischen, idie mit :diesem ein Minimum der
    Siedekurve besitzen. Außerdem empfielhk -es sich,
    bei Unterdruck izu ,arbeiten; dadurch wird nicht nur
    die notwendige Destillationstemperatur herab-
    gesetzt, sondern igegebenenfadilis auch die zur Er-
    zielung ides azeotropen Mischunbsverhältni-s;seis not-
    wendige Zusatzmenge vermindert. Außerdem kann
    durch die Erniedrigung ider Siedetemperatur eine
    schärfere Trennung von idem; zu reinigenden Hado-
    genid und .den Verunreinigungen erreicht werden.
    Der Reinigungsvorgang .ist aliso. beiispielsweise
    folgender: Dien zu .reinigenden. Germanium- oder
    Siliiziumhalogenvd wird, nachdem, es z. B. durch
    Deistillation vom Überschüssigen Halogen -befreit
    und,- e@gebenenfaslls in irgendeiner beliebigen Weise,
    z. B. :durch ein organisches Lösungsmittel, vor-
    gereinigt wurde, eine mehrfache Menge einer orga-
    niisahen oder anorganischen Säure zugesetzt, die
    nach .den obigen Gesiehtspunikten auuge@väahlt -i-st.
    Bei der Destiilllation dieses Gemisches erhält mian
    -bei einer Destild.ationstemperatur, die von der ider
    reinen Säure und des Halogeni,ds aibweicht, ein
    Destillat oder einen Rückstand, in dem erhebliche
    Mengen ,des Halogenids enthalten sind. Selbst hohe
    Anforderungen an :die Reinheit werden erfüllt, wenn
    .dieses Verfahren nur einmal ausgeführt wird; bei
    besonders hohen Anforderungen. genügt .fast immer
    eine einamal.ige Wiederholung.
    Bei der Herstellung von @Gerim;aniumtetrabr-oni,d
    setzt man z. B. vorteilhaft dem Bromid die etwa.
    4- bis 5Fache Menge Essigsäure zu. Beider De,stiilaia-
    tio.n dieses Gemisches erhält man :dann bei einer
    Destillationstemiperatur, die unterhalb ider des
    Bromids und der Essigsäure liegt, ein Destillat, das.
    etwa 2,o °/o Germaniumtetrabromid enthält und
    ischon nach einmaliger Destillation ifrei von flüchtigen
    Verunreinigungen ist. Diese bleiben adis Desti,ll-a-
    tionsrückstand im Koaben !zurück. Das Destiill@at ist
    wasserklar, leicht hydrolysierbar und liefert bei der
    Hydrolyse ein intensiv weißes Germaniumdioxyd.
    Man erhält so bereits nach i- oder 2maliger Destilla-
    tion mit Es:si-gsiäure ein Germani.um,dioxyd sehr
    hoher Reinheit..
    Sehr empfehlenswert ist fauch die Verwendung
    von Es@sigsäure-Anhydri.d"das nur etwa in i- bis 2-
    @facher Menge ;dem Germaniumtetrabromiiid zugesetzt
    zu werden braucht. Der Mengenanteil ides Halo-
    genids im Destillat wird dadurch also wesentlich
    gesteigert, was ;das Verfahren vereinfacht. Wie
    bereits erwähnt, isst es besonders vorteilhaft, bei
    Unterdruck .zu arbeiten. Im obigen Ausführunigs-
    beispial ider Reinigung ,des Germaniumihaloiaciniids
    mit Esisigsäure-Anhydrid kann z. B. die Destilla-
    tionstemperatur auf unter etwa 6o° erniedrigt wer-
    den, wenn :bei Drücken unter etwa 5o mm ge-
    arbeitet wird. Bei einem; Druck von etwa, 2.o mm. Hg
    beträgt die Destillationistemiperatur nur etwa 4o0.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung von Gerananium- odier,Silüziumh;alogeni,den hohen Reinheitsgrades, ,der die Verwendung von .daraus gewonnenem Germanium oder Silizium für Gleichrichter, Transistoren od. idgl. gestattet, idadurch gekenn- zeichnet, .daß idem H2leb ni!d ein mit iihmi ein azeotropes Gemisch bildender Stoff, ins- besondere eine onggnische oder an.organiische Säure, in solcher Menge zugesetzt wird, daß die Siedetemperatur ides Gemisches über oder unter den Siedetemperaturen ides Halogenids bizw. des Zusatzstoffes liegt, und idaß Idas Gemiisch eo lange und nur @so weit erwärmt wird, daß das Halogenid mit dem Zuisalzstoff entweder als ge- reinigtes Destillat oider als igereinigter Rück- stand gewonnen wird. 2. Verfahren nach Anspruch i, gekenmLeich- net durch die Verwendung einfies solchen Zusatz- stoffes, insbesondere einer solchen Säure, daß da:s idaraus hergestellte- aveotrope Gemisch ein Minimum ,der Siedetemperatur besitzt. 3,. Verdahren ;nach Anspruch, i oder 2., ge- kennzeichnet idurch, idie Verwendung einer solchen Zusatzmenge, 4-aß etwa das -azeötrope Miischungsiverhältniis erreicht -wird. 4. Verfahren. nach einem ider Ansprüche 1,:2 oder 3, idadurch gekennzeichnet, idaß das Ge- misch bei Unterdruck destilliert wind. 5. Verfahren nach. einem ider Anisprüche. i bnis 4, dadurch gekennzeichnet, daß -denn Ger- maniumtetrahromid Essigsäure oder vonzuigs- weiise Es,siigs,äur,e-Anhydr.i,d izugesetzt wird. 6. Verfahren nach Anspruch 5, @dadurch ge- kennzeichnet, idaß dem Germaniiumtetrabr.omiid etwa die 4- bis 5fache Menge Es,sigisäure zu- gesetzt wird. 7. Verfahren nach Anspruch 5, idadurch ge- kennzeichnet, idaß ,leim -Germaniiumtetmbromiid etwa die i- 'bis 2fache Menge E:ssi;g,säure-;An- hydr.i.d zugesetzt und -aus !diesem Gemisch unter vermindertem Druck .bei etwa unter 6o°, vor- zugsweise bei etwa 4.o°, das gereinigte Tetra- b@rom;i,d-Essigsäurehydniid-iC,eanisch abdestiIiiiert wird.
DES18722A 1950-08-22 1950-08-22 Verfahren zur Herstellung sehr reiner Germanium- oder Siliziumhalogenide Expired DE900340C (de)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1054436B (de) * 1956-02-11 1959-04-09 Pechiney Prod Chimiques Sa Verfahren zur Herstellung von kompaktem Silicium hohen Reinheitsgrades
DE1088473B (de) * 1956-08-17 1960-09-08 Westinghouse Electric Corp Verfahren zur Herabsetzung der Borverunreinigungen halogenierter Silane
DE1109154B (de) * 1957-03-12 1961-06-22 Licentia Gmbh Verfahren zur Gewinnung von borbromid- bzw. borjodidfreiem Siliciumbromid bzw. -jodid

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1054436B (de) * 1956-02-11 1959-04-09 Pechiney Prod Chimiques Sa Verfahren zur Herstellung von kompaktem Silicium hohen Reinheitsgrades
DE1088473B (de) * 1956-08-17 1960-09-08 Westinghouse Electric Corp Verfahren zur Herabsetzung der Borverunreinigungen halogenierter Silane
DE1109154B (de) * 1957-03-12 1961-06-22 Licentia Gmbh Verfahren zur Gewinnung von borbromid- bzw. borjodidfreiem Siliciumbromid bzw. -jodid

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