DE865489C - Verfahren zur Herstellung von Kristallkontaktvorrichtungen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Kristallkontaktvorrichtungen

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DE865489C
DE865489C DEG7122A DEG0007122A DE865489C DE 865489 C DE865489 C DE 865489C DE G7122 A DEG7122 A DE G7122A DE G0007122 A DEG0007122 A DE G0007122A DE 865489 C DE865489 C DE 865489C
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DEG7122A
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DEG7122A 1950-10-06 1951-10-03 Verfahren zur Herstellung von Kristallkontaktvorrichtungen Expired DE865489C (de)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1034271B (de) * 1954-12-24 1958-07-17 Bendix Aviat Corp Verfahren zur Herstellung einer evakuierten Halbleiter-Vorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiter-Vorrichtung
DE1084840B (de) * 1957-01-23 1960-07-07 Intermetall Verfahren zur Herstellung von kugelfoermigen Halbleiterkoerpern aus Silizium von Halbleiteranordnungen, z. B. Spitzen-Gleichrichtern oder Spitzen-Transistoren
DE1226715B (de) * 1961-02-15 1966-10-13 Philips Patentverwaltung Halbleiterbauelement mit einem flaechenhaft an Stromzufuehrungen angeloeteten Halbleiterelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1230912B (de) * 1960-06-09 1966-12-22 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE522343A (https=) * 1952-08-27
US2866929A (en) * 1955-12-01 1958-12-30 Hughes Aircraft Co Junction-type-semiconductor devices and method of making the same
US2935386A (en) * 1956-01-03 1960-05-03 Clevite Corp Method of producing small semiconductor silicon crystals
US2815474A (en) * 1957-01-25 1957-12-03 Pacific Semiconductors Inc Glass sealed semiconductor rectifier

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2419561A (en) * 1941-08-20 1947-04-29 Gen Electric Co Ltd Crystal contact of which one element is mainly silicon
NL70486C (https=) * 1945-12-29
NL143116C (https=) * 1947-11-03

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1034271B (de) * 1954-12-24 1958-07-17 Bendix Aviat Corp Verfahren zur Herstellung einer evakuierten Halbleiter-Vorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellte Halbleiter-Vorrichtung
DE1084840B (de) * 1957-01-23 1960-07-07 Intermetall Verfahren zur Herstellung von kugelfoermigen Halbleiterkoerpern aus Silizium von Halbleiteranordnungen, z. B. Spitzen-Gleichrichtern oder Spitzen-Transistoren
DE1230912B (de) * 1960-06-09 1966-12-22 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE1226715B (de) * 1961-02-15 1966-10-13 Philips Patentverwaltung Halbleiterbauelement mit einem flaechenhaft an Stromzufuehrungen angeloeteten Halbleiterelement und Verfahren zu seiner Herstellung

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