DE714113C - Verfahren zur Beeinflussung der Frequenz eines Piezokristalles - Google Patents

Verfahren zur Beeinflussung der Frequenz eines Piezokristalles

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DE714113C
DE714113C DEI54880D DEI0054880D DE714113C DE 714113 C DE714113 C DE 714113C DE I54880 D DEI54880 D DE I54880D DE I0054880 D DEI0054880 D DE I0054880D DE 714113 C DE714113 C DE 714113C
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piezo crystal
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H3/04Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Description

  • Verfahren zur Beeinflussung der Frequenz eines Piezokristalles Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Beeinflussung der Frequenz .eines in einer Kristallhalterung gemäß dem Hauptpatent befestigten Kristalls.
  • Die Abb. i und 2 zeigen den im Hauptpatent beschriebenen Kristallhalter. I ist einte aus Isoliermaterial bestehende Wandung, die mit einem gleichzeitig als Elektrode dienenden Metallboden ,2 versehen ist. Das Gehäuse ist von einer leitenden oder nichtleitenden Platte 4 bedeckt, in welche sein. Teil 5 eingesetzt ist. In den Teils ist die metallische Elektrode 3 eingeschraubt. Mittels der Löcher 7 und eines geeigneten Schraubschlüssels kann der Elektrodenabstand verändert werden. Der Kristall 8 ist mit einer Bohrung g versehen, in die ein in der unteren Elektrodez befestigter Bolzen io hineinragt. Die Abb. 2 zeigt die Anordnung der Abb. i in ihre Bestandteile zerlegt.
  • Es hat sich nun gezeigt, daß ein derart gelagerter Kristall trotz seiner Halterung im Schwingungsknotenpunkt dennoch eine Beeinflussung seiner Frequenz zuläßt. Dies ist sehr :oft erforderlich, da die vorher geeichten Kristalle nach ihrer Einsetzung in die Halterung meistens nicht mehr die gewünschte Frequenz liefern.
  • Es ist bereits bekannt, # zur Beeinflussung der Frequenz von piezoelektrischen Kristalloszillatoren Vertiefungen in die Oberfläche des Kristalls hineinzuschleifen. AuEerdem ist es bekannt, bei toroidförmigen Schwiigkris,tallen die Eigenfrequenz durch geeignete Wahl des Durchmessers der inneren Bohrung und der Form des Querschnittsbildes zu beeinflussen. Bei Kristallen, welche in, einem Halber nach Patent 687 455 befestigt sind, indem sie eine Bohrung in der Mitte besitzen, durch die :ein Stift geführt ist, werden gemäß der Erfindung zur Erzielung einer Frequenzerniedrigung die Kanten der Kristallbohrung bis zur Erreichung der gewünschten Frequenz durch Schleifen abgeschrägt. Hierdurch ist .es möglich, die Einflüsse, die durch die Kristallhalterung auf die Frequenz ausgeübt werden,. wieder zu kompensieren..
  • Die Abb.3 läßt den Erfindungsgedanken klarer erkennen. Der Kristall 8 ist aus, seiner Halterung herausgenommen und auf eine Platte 14 aufgelegt. Die Spitze eines kleinen zugespitzten Metallstiftes ist in das Loch c) eingeführt. Wird nun der Stift 15 7.B. zwischen den Fingern hin und her gedreht, so wird die obere Kante der Kristallbohrtr@#` abgeschliffen. Der Durchmesser des Stifi< 15 muß größer sein als der etwa i,5 min: betragende Durchmesser der Kristallbohrung. Durch diese Abschleifung der Kanten wird die Kristallfrequenz verkleinert. Der Kristall wird nun wieder in die Halterung einges.-tzt, und falls die Frequenz nun zu klein geworden ist, kann die letzte Einstellung durch Drehung der Elektrode 3, d. h. also durch Veränderung des Luftspaltes nvischen dem Kristall und der Elektro,d,e, vorgenommen werden.
  • Die erfindungsgemäße Frequenzbeeinflus.-sung kann bei Kristallen jeder beliebigen Frequenz von i oo bis, i 5 ooo kHz oder noch höher angewandt werden. Auberdtem ist es auch möglich, die Frequenzbeeinflussiung bei jedem beliebigen Kristallschnitt, z. B. dem oder Y-Schnitt und weiterhin bei sämtlichen. Formen von Kristallen, z. B. rechteckigen, scheibenförmigen usw., vorzunehmen.
  • Die doppelte Möglichkeit der Frequenz-@K,cinflussung, nämlich erstens durch Verände-@riing des Elektrodenabstand,es und zweitens durch die erfindungsgemäße Ausschleifung der Kristallbohrung, läßt eine bisher nicht erreichbare Genauigkeit in der Einstellung eines Schtringkristalls auf eine gewünschte Frequenz ztr.

Claims (1)

  1. PATHN-rANSPxrcH: Verfahren zur Beeinflussung der Frequenz eines in einer Kristallhalterung nach Patent 68; 4.55 befestigten Kristalls, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzielung einer Frequenzerniedrigu ng dis kanten der Kristallbohrung bis zur Erreichung der gewünschten Frequenz. durch Schleifen abgeschrägt werden.
DEI54880D 1935-04-27 1936-04-28 Verfahren zur Beeinflussung der Frequenz eines Piezokristalles Expired DE714113C (de)

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