DE703293C - Verfahren zur Vergleichmaessigung des Frequenzabstandes der minimalen Scheitelpunkte in Resonanzkurv - Google Patents

Verfahren zur Vergleichmaessigung des Frequenzabstandes der minimalen Scheitelpunkte in Resonanzkurv

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DE703293C
DE703293C DE1935M0132386 DEM0132386D DE703293C DE 703293 C DE703293 C DE 703293C DE 1935M0132386 DE1935M0132386 DE 1935M0132386 DE M0132386 D DEM0132386 D DE M0132386D DE 703293 C DE703293 C DE 703293C
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additional
induction
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parallel resonance
resonance
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03JTUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J3/00Continuous tuning
    • H03J3/24Continuous tuning of more than one resonant circuit simultaneously, the circuits being tuned to substantially the same frequency, e.g. for single-knob tuning
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0138Electrical filters or coupling circuits
    • H03H7/0146Coupling circuits between two tubes, not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1766Parallel LC in series path

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

  • Verfahren zur Vergleichmäßigung des Frequenzabstandes der minimalen Scheitelpunkte in Resonanzkurven von elektrischen Schwingungskreissystemen Schwingungskreissysteme, in denen Parallelresonanzkreise und einer oder mehrere zusätzliche Blindwiderstände zusammengeschaltet sind, weisen in ihren Resonanzkurven neben dem maximalen Scheitelpunkt noch minimale Scheitelpunkte auf, welche' bei zweckentsprechender Ausbildung der Einzelschwingungskreise oberhalb und unterhalb eines maximalen Scheitelpunktes liegen und so den Resonanzbereich abgrenzen. Bei derartigen Schwingungskreissystemen verändert sich der Frequenzabstand der minimalen Scheitelpunkte, wenn auf verschiedene Resonanzfrequenzen abgestimmt wird. Sind die zusätzlichen Blindwiderstände kapazitiv und wird die Abstimmung durch Veränderung einer Kapazität des Parallelresonanzkreisee bewirkt, so ändert sich der Frequenzabstand der minimalen Scheitelpunkte im quadratischen Verhältnis zur Änderung der Resonanzfrequenz. Bei induktivem Blindwiderstandscharakter der zusätzlichen Blindwiderstände liegen die Verhältnisse günstiger, und es ergibt sich eine lineare Abhängigkeit dieses Frequenzabstandes von der Änderung der Resonanzfrequenz. Man kann: der Änderung des Frequenzabstandes- dadurch entgegenwirken, daß weitere Abstimmittel, z. B. zusätzliche Blindwiderstände, veränderlich gemacht werden. Zu dem zusätzlichen Aufwand kommt dann aber die Notwendigkeit hinzu, die Verstellung der Abstinunittel zu koppeln und hierfür auf einen genauen Gleichlauf zu bringen.
  • Um mit einfachen Mitteln im ersten Fall ebenfalls eine lineare Abhängigkeit des Frequenzabstandes von der Änderung der Resonanzfrequenz zu erhalten oder im zweiten Fall eine Kompensation der Änderung des Frequenzabstandes eines anderen Schwingungskreises durch eine Umkehr des Änderungssinnes zu ermöglichen, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, die Abstimmung durch Veränderung der Selbstinduktion des Parallelresonanzkreises vorzunehmen. Unter Umständen ist es vorteilhaft, die Serienschaltung eines Parallelresonanzkreises mit einem zusätzlichen Blindwiderstand zu überbrücken; wird dann bei zwei Parallelresonanzkreisen nur mix zusätzlichen Induktionen gearbeitet, so kann eine sehr angenäherte Konstanthaltung des Frequenzabstandes der minimalen Scheitelpunkte dadurch verwirklicht werden, daß die Abstimmung der Parallelresonanzkreise teils durch Veränderung der Selbstinduktion, teils durch Veränderung der Kapazität erfolgt. Bei .einer derartigen Schaltung kehrt sich der Richtungssinn der linearen Abhängigkeit des Frequenzabstandes von der Resonanzfrequenz um, je nachdem die Kreise durch Kapazitäts- oder Induktionsänderung abgestimmt werden. Eine ähnlich angenäherte Konstanz des Frequenzabstandes der minimalen Scheitelpunkte läßt sich durch Verwendung von Parallelresonanzkreisen mit veränderlicher Selbstinduktion erzielen, von denen ein Teil zusätzliche Kapazitäten, der andere Teil zusätzliche Induktionen aufweist. Bei Abstimmung durch Veränderung der Selbstinduktion kehrt sich auch dann der Richtungssinn der linearen Abhängigkeit des Frequenzabstandes von der Resonanzfrequenz um, je nachdem ob kapazitive oder induktive zusätzliche Blindwiderstände verwendet werden.
  • Die Abb. i zeigt eine Schaltung, bei der beide Parallelresonanzkreise durch Veränderung der Selbstinduktion abgestimmt werden und die zusätzlichen Blindwiderstände einmal kapazitiven, das andere Mal induktiven Charakter haben. In Abb.2 haben die zusätzlichen Blindwiderstände in beiden Fällen induktiven Charakter, während einmal die Abstimmung des Parallelresonanzkreises durch Veränderung der Selbstinduktion, das andere Mal durch Veränderung der Kapazität des Parallelresonanzkreises bewirkt wird. Die zwischen der Antenne i und der Erde 2 auftretende Hochfrequenzspannung wird über die Kapazität 3 dem Schwingungskreis zugeführt, der aus dem Parallelresonanzkreis 4, 5 mit der veränderlichen Induktion 4 und aus den zusätzlichen Blindwiderständen 6, 7 besteht. Die zusätzlichen Blindwiderstände 6, 7 haben in Abb. i kapazitiven Charakter. Von dem zusätzlichen Blindwiderstand 7 wird die Hochfrequenzspannung abgegriffen und über die Kapazität 8 der Röhre g zugeführt. Die in der Röhre verstärkte Hochfrequenz wird von dem Außenwiderstand io entnommen und über die Kapazität i i dem Schwingungskreis zugeleitet, der aus dem Parallelresonanzkreis mit der veränderlichen Induktion 12 und der Kapazität 13 sowie aus den zusätzlichen Induktionen 14, 15 besteht. Die Hochfrequenzspannung wird von der zusätzlichen Induktion 15 entnommen und über die Kapazität 16 an die Röhre 17 geführt, die sie gleichrichtet und die verstärkte Niederfrequenzspannung im Telephon 18 hörbar macht. Die spiegelbildliche Ausbildung der unsymmetrischen Resonanzkurven der Schwingungskreise 4, 5, 6, 7 und 12, 13, 14, 15 wird allein durch den Wechsel im Charakter der zusätzlichen Blindwiderstände erreicht, so daß bei beiden Schiv ingungskreisen die Spannungszuführung und -entnahme in gleicher Weise vorgenommen wird.
  • Die Abb.2 unterscheidet sich von der Abb. i dadurch, daß im Schwingungskreis 4, 5, 6. 7 die zusätzlichen Blindwiderstände 6, 7 induktiv sind, während im Schwingungskreis 12, 13, 14, 15 die Abstimmung anstatt durch die Induktion 12 durch die Kapazität 13 vorgenommen wird. Weiterhin erfolgt die Spannungszufuhr und -entnahme bei dem Schwingungskreis 12, 13, 14, 15 hier nicht über verschiedene zusätzliche Blindwiderstände, sondern gemeinsam über den gleichen zusätzlichen Blindwiderstand 14. Durch diese nach den Erkenntnissen der vorliegenden Erfindung besonders vorteilhafte Cberbrückung der Serienschaltung des Parallelresonanzkreises 12, 13 und der Induktion 15 durch die weitere zusätzliche Induktion 14 entsteht eine spiegelsymmetrische Ausbildung der Resonanzkurve verglichen mit der Resonanzkurve des Schwingungskreises 4, 5, 6, 7, obwohl sämtliche zusätzlichen Blindwiderstände 6, 7, 14, 15 induktiv ausgeführt sind. Der Parallelresonanzkreis 12, 13 kann dann durch Verstellung der Kapazität 13 abgestimmt werden. In beiden Schaltungen gleicht sich die Verschiebung des Frequenzabstandes der minimalen Scheitelpunkte zum maximalen Scheitelpunkt derart aus, daß sich der Frequenzabstand zwischen den minimalen Scheitelpunkten über den gewünschten Abstimmbereich bei geeigneter Dimensionierung nur wenig ändert.

Claims (3)

  1. PATENTANSPRÜCHE: # 1. Verfahren zur Vergleichmäßigung des Frequenzabstandes der minimalen Scheitelpunkte in Resonanzkurven von Schwingungskreissystemen, in denen Parallelresonanzkreise und einer oder mehrere zusätzliche Blindwiderstände zusammengeschaltet sind, über einen gegebene Abstimmbereich, dadurch gekennzeichnet, daß die Abstimmung bei mindestens einem Schwingungskreis allein durch Veränderung der Selbstinduktion des Parallelresonanzkreises erfolgt.
  2. 2. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß das Schwingungskreissystem aus mehreren Parallelkreisen mit veränderlicher Selbstinduktion gebildet ist, von denen ein Teil zusätzliche Kapazitäten, der andere Teil zusätzliche Induktionen aufweist.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß Kreisen, die gemäß Anspruch i betrieben werden, andere, gleich aufgebaute Kreise vor- oder nachgeschaltet sind, bei denen die Abstimmung durch Änderung der Kapazität des ParalIelresonanzkreises erfolgt.
DE1935M0132386 1935-10-19 1935-10-19 Verfahren zur Vergleichmaessigung des Frequenzabstandes der minimalen Scheitelpunkte in Resonanzkurv Expired DE703293C (de)

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DE (1) DE703293C (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE974133C (de) * 1943-06-08 1960-09-22 Georg Von Dipl-Ing Schaub Induktive Abstimmanordnung mit Kernverlagerung

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE974133C (de) * 1943-06-08 1960-09-22 Georg Von Dipl-Ing Schaub Induktive Abstimmanordnung mit Kernverlagerung

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