AT210474B - Transistorverstärker mit Bandbreiteregelung - Google Patents

Transistorverstärker mit Bandbreiteregelung

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Publication number
AT210474B
AT210474B AT276959A AT276959A AT210474B AT 210474 B AT210474 B AT 210474B AT 276959 A AT276959 A AT 276959A AT 276959 A AT276959 A AT 276959A AT 210474 B AT210474 B AT 210474B
Authority
AT
Austria
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filter
transistor
regulated
coupled
state
Prior art date
Application number
AT276959A
Other languages
English (en)
Inventor
Georg Ing Jobst
Original Assignee
Nikolaus Eltz Radiotechnische
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Description


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  Transistorverstärker mit   Bandbreiteregelung   
Transistorverstärker mit verstärkungsabhängiger Bandbreiteregelung sind bekannt :
In der eigenen österr. Patentschrift Nr. 198800 ist eine Schaltung angegeben, bei der die Spannungsabhängigkeit des Ausgangswiderstandes eines Transistors und die Abhängigkeit der Ein-und Ausgangs-Kapazität vom Regelzustand benützt werden, eine für   AM-Fern-bzw. Nahempfang erwünschte   Durchlasskurvenänderung zu erzielen. 



   In der österr. Patentschrift Nr. 197870 der   N. V. Philips'Gloeilampenfabrieken   ist eine weitere Schaltung angegeben, die mit Herunterregelung des Kollektorstromes zur Verstärkungsregelung arbeitet, gleichfalls   die Kapazitätsänderingen während des Regelvorganges ausnutzt   und den dieser Schaltung anhaftenden 
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 vermeidet. 



   Gegenstand der Erfindung ist ein Transistorverstärker mit   verstärkungsabhängiger     Bandbreiteregelung,   bei der auch in heruntergeregeltem Zustand (Lokalempfang) trotz Bandbreitenvergrösserung des Gesamtverstärkers eine hohe Flankensteilheit und eine lineare Verstärkung des gewünschten Frequenzbandes erhalten bleibt, wozu im Gegensatz zu obigen Patenten durch Verwendung eines Bandfilters im Kollektorkreis des geregelten Transistors die bei Herabregelung eintretende Entlastung und Verstimmung des Kollektorkreises zur automatischen Vegrösserung der Kopfbreite des zweiten   ZF-Filters   (F2) benützt wird und somit eine Regelung im gewünschten Sinne entsteht.

   Gleichzeitig wird eine entstehende   Einsattlung der   Durchlasskurve des Filters F2 durch eine Bedämpfung des Filters Fl mittels zweier Dioden unwirksam gemacht, wobei auch eine zusätzliche   Verstärkungsverminderung   sich ergibt. 



   Es wird von der zum Standard gewordenen Dimensionierung der   heutigenAM-Rllndfunkröhrenempfln-   ger ausgegangen, bei denen das 1. ZF-Filter (Fl) überkritisch bis kritisch (in Fig.   l   stark ausgezogen), das zweite ZF-Filter F2 kritisch bis unterkritisch (in Fig. 2 stark ausgezogen) gekoppelt ist, um eine Gesamt-   durchlasskurve   mit horizontalem Dach und steilen Flanken zu erhalten. 



   Der   erfindungsgemässe Transistorverstärker   mit verstärkungsabhängiger Bandbreiteregelung besitzt zwei oder mehrere Bandfilter, von denen eines (Fl) in nicht geregeltem Zustand überkritisch bis kritisch und ein zweites (F2) kritisch bis unterkritisch gekoppelt ist und ist dadurch gekennzeichnet, dass das erste Bandfilter (Fl) parallel zu jedem Abstimmkreis eine geregelte Diode besitzt, so dass in herabgeregeltem Zustand (kleiner Kollektorstrom) das Bandfilter F1 kritisch bis unterkritisch, das Bandfilter F2 überkritisch bis kritisch gekoppelt ist. 



   In der   Fig. 3   ist der Mischtransistor 1 über   dasBandfilterFl über   einen kapazitiven Spannungsteiler 2, 3 an die Basis des geregelten Transistors 4 gekoppelt. Sein Kollektor ist über ein gleichartiges aber loser gekoppeltes Bandfilter F2 mit dem Transistor 5 und dieser über ein breitbandiges Filter F3 mit dem Demodulator 6 gekoppelt. Von diesem wird in bekannter Weise die Regelspannung abgenommen und dem zu regelnden Transistor 4 zugeführt. Die beiden Abstimmkreise des ersten   ZF-Filters     (fil)   liegen am gleichen Gleichspannungspotential und werden In herabgeregeltem Zustand von zwei Dioden (7,8) bedämpft, deren Durchlasswiderstand vom jeweiligen Potential des Kollektors des geregelten Transistors 4 bestimmt wird. 



   In nicht geregeltem Zustand, also zum Empfang schwacher Signale ist das Filter Fl überkritisch bis kritisch gekoppelt, die beiden Dioden 7,8 sind nicht leitend, während das Filter F2 kritisch bis unterkritisch gekoppelt ist und vom maximalen Kollektorstrom des Transistors 4 bedämpft wird. Das Filter F3 (Fig. 4), das auch ein Einzelkreis sein kann, gibt die Möglichkeit, die Gesamtdurchlasskurve auf einen 

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 gewünschten Wert zu korrigieren. Bei starken Signalen wird infolge der Regelung des Transistors 4 sein Kollektorstrom sinken, die   Dioden 7,   8 werden leitend und bedämpfen beide Kreise des Filters Fl. Die Durchgangswiderstände der Dioden werden so eingestellt, dass in herabgeregeltem Zustand das Filter soweit bedämpft wird, dass es kritisch bis unterkritisch gekoppelt ist. 



   Im Bedarfsfall kann in bekannter Art mittels einer weiteren geregelten Diode eine zusätzliche kapazitive oder besser eine induktive Bandfilterkopplung und eine weitere Bandbreitenvergrösserung erreicht werden. Zur Erzielung steiler Flanken sollen die Filterkreise des Filters Fl durch die angeschlossenen Transistoren wenig in ihrer Gute beeinträchtigt werden. Die Ankopplung an Kollektor und Basis muss daher ge-   nügend   lose sein. Die Kapazität 3 ist zirka 5.   000 - 30.   000 pF gross für einen Transistor mit einem Basiswiderstand von zirka 2.000 Ohm bei 500   kHz.   



   Das Filter F2 ist in nicht geregeltem Zustand kritisch bis unterkritisch gekoppelt und erhält vorteil- 
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Spannungsteiler ist fester (zirka 2.   000 -10.   000 pF). 



   Bei der Regelung des Transistors 4 wird infolgeAbsinken des Kollektorstromes der Kollektorkreis weniger bedämpft und   infolge Änderung der Kollektorkapazität gegenden folgenden Basiskreis verstimmt. Das  
Resultat ist eine   Lastverminderung   des Primärkreises und eine   überkritische bis kritische Durchlasskurve   des
Filters F2. Auch bei diesem Filter ist eine   Kopplungsfaktorvergrösserung   in herabgeregeltem Zustand mittels einer geregelten Diode wie bei Filter   Fl   möglich. 



   In herabgeregeltem Zustand wird somit die Durchlasskurve des Filters Fl wie in Fig. 1 gestrichelt gezeichnet aussehen   (Durchlasskurve   eines stark bedämpfen Kreises), während die Durchlasskurve des Filters F2 wie in Fig. 2 gestrichelt gezeichnet aussehen wird. Das Gesamtresultat ist eine Bandbreitenvergrösserung in herabgeregeltem Zustand, wobei wiederum ein Filter kritisch bis überkritisch (jetzt Filter F2) und das andere Filter unterkritisch bis kritisch gekoppelt ist (jetzt Filter Fl). Durch die beiderseitige Diodendämpfung des Filters F1 wird eine wirksame Verstärkungsregelung zusätzlich erzielt, die vor der Basis des geregelten Transistors wirksam ist, womit die Möglichkeit einer Übersteuerung des geregelten Transistors weitestgehend vermieden wird. 



   In Fig. 5 sind die Filterkurven des ganzen Verstärkers in nicht geregeltem Zustande stark ausgezogen und in geregeltem Zustande strichliert gezeichnet. 



   In dem Beispiel ist der Diodenwiderstand in   Durchlassrichtung   gleich dem Resonanzwiderstand des zu   bedampfenden   Schwingungskreises gewählt. Wird der Diodenwiderstand   inDurchlassrichtung   sehr klein angenommen, ergibt sich für das Filter 1 in geregeltem Zustand eine Durchlasskurve wie für Filter 3 in Fig. 4 gezeichnet. Die Gesamtdurchlasskurve gleicht in letzterem Falle in guter Annäherung der Durchlasskurve des Filters 2 in geregeltem Zustand (Fig. 2 strichliert). 



     DieBandbreiteänderung   zwischen nicht geregeltem und geregeltem Zustand ist damit auf denFaktor2 gestiegen. 



   Die nicht   überbrücktenBasis-Masse-und   Emitter-Masse-Widerstände dienen gleichzeitig zurNeutralisierung der Kollektorbasiskapazitäten der Transistoren 4 und 5. Die Einstellung der exakten Phasenlage kann, wie in der Fig. 3 beispielsweise gezeichnet, mittels hochohmiger CR-Glieder (9, 10) zwischen Kollektor und Emitter erfolgen. 



    PATENTANSPRÜCHE :    
1.   Transistorverstärker   mit   verstärkungsabhängiger Bandbreiteregelung   und zwei oder mehreren Bandfiltern, von denen eines   (Fl)   in nicht geregeltem Zustand überkritisch bis kritisch und ein zweites (F2) kritisch bis unterkritisch gekoppelt ist,   dadurch gekennzeichnet, dassdas ersteBandfilter (Fl) parallel zu   jedem Abstimmkreis eine geregelte Diode besitzt, so dass in herabgeregeltem Zustand (kleiner Kollektor- 
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AT276959A 1959-04-13 1959-04-13 Transistorverstärker mit Bandbreiteregelung AT210474B (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1199830B (de) * 1963-12-24 1965-09-02 Telefunken Patent Transistor-Eingangsstufe eines Empfaengers

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