DE69938456T2

DE69938456T2 - Kaschierte platte für eine leiterplatte, mehrschichtige leiterplatte und verfahren zu deren herstellung

Info

Publication number: DE69938456T2
Application number: DE69938456T
Authority: DE
Inventors: Kinji Kudamatsu-shi SAIJO; Kazuo Kudamatsu-shi YOSHIDA; Shinji Kudamatsu-shi OHSAWA
Original assignee: Toyo Kohan Co Ltd
Current assignee: Toyo Kohan Co Ltd
Priority date: 1998-07-23
Filing date: 1999-07-22
Publication date: 2009-04-09
Anticipated expiration: 2019-07-23
Also published as: EP1111975B1; EP1111975A4; CN100596263C; CN1234262C; US20020166840A1; CN1612678A; WO2000005934A1; KR20010071675A; MY124084A; EP1111975A1; AU4798599A; US6579565B2; CN1311977A; DE69938456D1; US6730391B1; KR100615382B1; TW585813B

Description

TECHNISCHES GEBIET DER ERFINDUNG
Die Erfindung betrifft eine auf Höchstintegration von Halbleitern anwendbare mehrschichtige Leiterplatte und ein Verfahren zu ihrer Herstellung.
TECHNISCHER HINTERGRUND DER ERFINDUNG
In den letzten Jahren ist eine hochintegrierte Montageplatte in Verbindung mit Bedarf an höherer Integration, mehr Anschlußstiften und geringerem Gewicht von Halbleiterbauelementen gefordert worden. Um diese Anforderungen zu erfüllen, sind Forschungs- und Entwicklungsarbeiten durchgeführt worden, um die Schicht einer Leiterplatte zu vervielfachen und die Schaltkreisintegration zu verbessern.
Als Verfahren zum Vervielfachen der Schicht ist das sogenannte Aufbauverfahren entwickelt worden und wird weithin angewandt. Das Verfahren besteht im Laminieren einer Isolierschicht und einer Schaltkreisschicht, wobei die Verbindung zwischen diesen Schichten durch Photoätzen der Isolierschicht, Ausbilden von Kontaktlöchern und anschließendes Ausbilden einer Metallisierungsschicht auf der Oberfläche erreicht wird. In einigen Fällen wird ein Laser zum Ausbilden der Kontaktlöcher benutzt.
Die Japanische Offenlegungsschrift Nr. Hei 8-264 971 offenbart ein Herstellungsverfahren einer mehrschichtigen Leiterplatte unter Anwendung des Aufbauverfahrens. Das Herstellungsverfahren gemäß der vorliegenden Patentanmeldung wird unter Bezugnahme auf die weiter unten erwähnte 9 auf einfache Weise erläutert.
Zunächst wird die erste Harzschicht 53 im Bereich 52 gebildet, wobei auf der inneren Platte 51 mit der inneren Leiterstruktur 50 keine Struktur ausgebildet wird. Die erste Harzschicht 53 wird so ausgebildet, daß zwischen der Seitenfläche der inneren Leiterstruktur 50 und der ersten Harzschicht 53 ein vorgeschriebener Zwischenraum 54 erzeugt wird. Als Nächstes wird die zweite Harzschicht 55, die eine Isolierschicht bildet, durch Auftragen und anschließendes Härten von Harzlack erzeugt. Die zweite Harzschicht 55 füllt den Zwischenraum 54 auf und bedeckt die innere Leiterstruktur 50 und die erste Harzschicht 53. Dann wird auf der zweiten Harzschicht 55 eine Klebstoffschicht 56 gebildet und anschließend aufgerauht. Danach wird auf der Klebstoffschicht 56 durch stromlose Abscheidung eine äußere Leiterstruktur 57 gebildet.
Die oben erwähnte, durch das Aufbauverfahren erzeugte mehrschichtige Leiterplatte weist jedoch die folgenden Probleme auf, die zu lösen sind.
Wenn nämlich bei dem oben erwähnten Verfahren eine mehrschichtige Leiterplatte durch Auflaminieren einer äußeren Leiterstruktur 57 auf beide Seiten einer inneren Platte mit einer inneren Leiterstruktur 50 gefertigt wird, sind komplizierte Prozesse erforderlich, wie z. B. die Bildung der ersten Harzschicht 53, die Bildung der zweiten Harzschicht 55 durch Auftragen und anschließendes Härten von Harzlack und die weitere Bildung der Klebstoffschicht 56. Aus diesem Grund konnte bei Anwendung des Aufbauverfahrens keine Kostensenkung einer mehrschichtigen Leiterplatte erreicht werden.
Es gibt ein anderes Herstellungsverfahren für eine mehrschichtige Leiterplatte, bei dem durch Bedampfen eine Metalldünnschicht gebildet wird. Bei dem Verfahren besteht jedoch das Problem, daß bei dünner Schicht (wenige μm) leicht Poren entstehen, während sich bei dicker Schicht (10 μm oder mehr) die Produktivität verschlechtert, wodurch hohe Kosten verursacht werden.
Die vorliegende Erfindung strebt die Lösung derartiger Probleme an. Ziel der vorliegenden Erfindung sind die Herstellung einer kaschierten Platte für eine Leiterplatte, die kostengünstig hergestellt werden kann und hervorragende Eigenschaften aufweist, einer mehrschichtigen Leiterplatte unter Verwendung der Platte und ein Herstellungsverfahren dafür.
OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
Die kaschierte Platte für eine Leiterplatte nach Anspruch 1 ist dadurch gekennzeichnet, daß sie durch Druckbonden einer Kupferfolie und einer Nickelfolie mit einem Reduktionsfaktor von 0,1 bis 3% hergestellt wird.
Die kaschierte Platte für eine Leiterplatte nach Anspruch 2 ist dadurch gekennzeichnet, daß sie durch Druckbonden einer Kupferfolie, von der eine Seite oder beide Seiten eine Nickelplattierungsschicht aufweisen, und einer weiteren Kupferfolie, von der eine Seite eine Nickelplattierungsschicht aufweist, mit einem Reduktionsfaktor von 0,1 bis 3% hergestellt wird.
Die kaschierte Platte für eine Leiterplatte nach Anspruch 3 ist dadurch gekennzeichnet, daß sie ein fünflagiges Blech mit Lagen aus Kupfer/Nickel/Kupfer/Nickel/Kupfer ist.
Die mehrschichtige Leiterplatte nach Anspruch 4 ist dadurch gekennzeichnet, daß sie aufweist:
einen Träger mit einer inneren Leiterschicht, die durch selektives Ätzen der kaschierten Platte für eine Leiterplatte nach Anspruch 1 oder 2 gebildet wird,
eine Isolierschicht und eine äußere Leiterschicht, die auf der Oberfläche des Trägers gebildet werden,
wobei die äußere Leiterschicht strukturiert wird, und
die innere Leiterschicht und die äußere Leiterschicht durch Einfügen eines säulenförmigen Leiters, der durch Ätzen in dem Träger ausgebildet wird, elektrisch miteinander verbunden werden.
Das Herstellungsverfahren für eine mehrschichtige Leiterplatte nach Anspruch 5 ist dadurch gekennzeichnet, daß es aufweist:
Ausbilden einer kaschierten Platte für eine Leiterplatte durch Laminieren einer Kupferfolie, die als Leiterschicht dient, und einer Nickelfolie oder Nickelplattierung, die als Ätzstoppschicht dient, und durch gleichzeitiges Druckbonden beider Folien mit dem Reduktionsfaktor von 0,1 bis 3%,
Erzeugen eines Trägers durch selektives Ätzen der mehrlagigen kaschierten Platte,
Ausbilden einer Isolierschicht und einer äußeren Leiterschicht auf der Oberfläche des Trägers,
Strukturieren der äußeren Leiterschicht, und
elektrisches Verbinden der inneren Leiterschicht und der äußeren Leiterschicht durch Einfügen eines säulenförmigen Leiters, der durch Ätzen in dem Träger ausgebildet wird.
Das Herstellungsverfahren nach Anspruch 6 ist dadurch gekennzeichnet, daß
die kaschierte Platte für die Leiterplatte durch Laminieren der Kupferfolie und der Nickelfolie oder Nickelplattierung und kaltes Druckbonden beider Folien mit dem Reduktionsfaktor von 0,1 bis 3% geformt wird, nachdem die Kontaktflächen der Kupferfolie und der Nickelfolie oder Nickelplattierung zuvor in einer Vakuumkammer aktivierungsbehandelt werden, und in diesem Fall,
die Aktivierungsbehandlung ausgeführt wird

(1) in einer Inertgasatmosphäre mit ultraniedrigem Druck von 1 × 10^–1 bis 1 × 10^–4 Torr,
(2) durch Glimmentladungs-/-ladungs-Wechselstrom von 1 bis 50 MHz zwischen einer Elektrode A, die aus der Kupferfolie bzw. der Nickelplattierung mit einer Kontaktfläche besteht, die elektrisch geerdet sind, und einer anderen Elektrode B, die isoliert gehalten wird, und
(3) durch Sputterätzen,
(4) auf die Weise, daß die Fläche der Elektrode, die dem Plasma ausgesetzt ist, das durch die Glimmentladung erzeugt wird, nicht größer als 1/3 der Fläche der Elektrode B ist.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 zeigt eine Prozeßerläuterungsansicht einer Ausführungsform des Herstellungsverfahrens der erfindungsgemäßen mehrschichtigen Leiterplatte.
2 zeigt eine Prozeßerläuterungsansicht einer Ausführungsform des Herstellungsverfahrens der erfindungsgemäßen mehrschichtigen Leiterplatte.
3 zeigt eine Prozeßerläuterungsansicht einer Ausführungsform des Herstellungsverfahrens der erfindungsgemäßen mehrschichtigen Leiterplatte.
4 zeigt eine Prozeßerläuterungsansicht einer Ausführungsform des Herstellungsverfahrens der erfindungsgemäßen mehrschichtigen Leiterplatte.
5 zeigt eine Prozeßerläuterungsansicht einer Ausführungsform des Herstellungsverfahrens der erfindungsgemäßen mehrschichtigen Leiterplatte.
6 zeigt eine Prozeßerläuterungsansicht einer Ausführungsform des Herstellungsverfahrens der erfindungsgemäßen mehrschichtigen Leiterplatte.
7 zeigt eine Prozeßerläuterungsansicht einer Ausführungsform des Herstellungsverfahrens der erfindungsgemäßen mehrschichtigen Leiterplatte.
8 zeigt eine geschnittene Vorderansicht der Fertigungseinrichtung für eine kaschierte Metallplatte.
9 zeigt eine Vorderansicht einer herkömmlichen mehrschichtigen Leiterplatte.
BESTE AUSFÜHRUNGSART DER ERFINDUNG
Nachstehend wird die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf eine in beigefügten Zeichnungen dargestellte Ausführungsform konkret erläutert.
Zunächst wird die Struktur der mehrschichtigen Leiterplatte, die eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, unter Bezugnahme auf 7 erläutert.
Wie in 7 dargestellt, wird durch Bonden einer aus einer Nickelplattierungsschicht bestehenden Ätzstoppschicht 11, 12 (Dicke: 0,5 bis 3 μm) auf beiden Seiten einer aus Kupferfolie bestehenden inneren Leiterschicht 10 (Dicke: 10 bis 100 μm) ein Trägerkern gebildet. Eine aus einer Kupferplattierungsschicht bestehende äußere Leiterschicht 15, 16 (Dicke: 10 bis 100 μm) wird auf beiden Seiten der inneren Leiterschicht 10 mit einer dazwischen eingefügten, aus Harz bestehenden Isolierschicht 13, 14 ausgebildet. Der Träger wird gebildet, indem die innere Leiterschicht 10 und die äußere Leiterschicht 15, 16 mit einem aus Kupfer bestehenden säulenförmigen Leiter 17, 18 (Dicke: 10 bis 100 μm) elektrisch verbunden werden. Außerdem wird eine mehrschichtige Leiterplatte durch Strukturieren der Oberfläche der äußeren Leiterschicht 15, 16 gebildet.
Als Nächstes wird das Fertigungsverfahren der oben erwähnten mehrschichtigen Leiterplatte erläutert.
Zunächst wird durch Ausbilden einer Nickelplattierungsschicht 20, 21, die eine Ätzstoppschicht 11, 12 bilden soll, auf beiden Seiten einer Kupferfolie 19 (Dicke: 10 bis 100 μm), die in der fertigen Leiterplatte die innere Leiterschicht bilden soll (siehe 1), eine vernickelte Kupferfolie 22 gebildet.
Die vernickelte Kupferfolie 22 wird auf eine Aufwickelrolle 23 der in 8 dargestellten Fertigungsvorrichtung für die kaschierte Leiterplatte gewickelt, während die Kupferfolie 24, die den säulenförmigen Leiter 17 bilden soll, auf eine Aufwickelrolle 25 gewickelt wird.
Die vernickelte Kupferfolie 22 und die Kupferfolie 24 werden gleichzeitig von den Aufwickelrollen 23, 25 abgewickelt, Teile davon werden auf vorstehend in der Ätzkammer 26 installierten die Elektrodenrollen 27, 28 gewickelt, und dann werden sie durch eine Ionen- bzw. Sputterätzbehandlung in der Ätzkammer 26 aktiviert.
In diesem Fall wird die Aktivierungsbehandlung ausgeführt:

(1) in einer Inertgasatmosphäre mit ultraniedrigem Druck von 1 × 10^–1 bis 1 × 10^–4 Torr,
(2) durch Glimmentladungs-/-ladungs-Wechselstrom von 1 bis 50 MHz zwischen einer Elektrode A, die aus vernickelter Kupferfolie 22 bzw. Kupferfolie 24 mit einer Kontaktfläche besteht, die elektrisch geerdet sind, und einer anderen Elektrode B, die isoliert gehalten wird, und
(3) durch Sputterätzen,
(4) auf die Weise, daß die Fläche der Elektrode, die dem Plasma ausgesetzt ist, das durch die Glimmentladung erzeugt wird, nicht größer als 1/3 der Fläche der Elektrode B ist.

Danach werden sie durch eine in einer Vakuumkammer 29 installierte Walzeinheit 30 kalt druckgebondet, dann wird die kaschierte Platte für die Leiterplatte 31 mit dreischichtiger Struktur auf die Aufwickelrolle 32 aufgenommen.
Als Nächstes wird die kaschierte Platte für die Leiterplatte 31 mit dreischichtiger Struktur wieder auf die Aufwickelrolle 23 gewickelt, während die Kupferfolie 33, die den säulenförmigen Leiter 18 bilden soll (siehe 1) auf die Aufwickelrolle 25 gewickelt wird. Die kaschierte Platte 31 und die Kupferfolie 33 werden gleichzeitig von den Aufwickelrollen 23 bzw. 25 abgewickelt, Teile davon werden auf die vorstehend in der Ätzkammer 26 installierten Elektrodenrollen 27, 28 gewickelt, und dann werden sie durch Sputterätzbehandlung in der Ätzkammer 26 aktiviert.
Auch in diesem Fall wird die Aktivierung ausgeführt:

(1) in einer Inertgasatmosphäre mit ultraniedrigem Druck von 1 × 10^–1 bis 1 × 10^–4 Torr,
(2) durch Glimmentladungs-/-ladungs-Wechselstrom von 1 bis 50 MHz zwischen einer Elektrode A, die aus der kaschierten Platte für die Leiterplatte 31 bzw. der Kupferfolie 33 mit einer Kontaktfläche besteht, die elektrisch geerdet sind, und einer anderen Elektrode B, die isoliert gehalten wird, und
(3) durch Sputterätzen,
(4) auf die Weise, daß die Fläche der Elektrode, die dem Plasma ausgesetzt ist, das durch die Glimmentladung erzeugt wird, nicht größer als 1/3 der Fläche der Elektrode B ist, und daher hat die kaschierte Platte für die Leiterplatte 34 eine fünfschichtige Struktur.

Ferner kann eine mehrschichtige kaschierte Platte durch Kupferschichten als obere und untere Schichten mit dazwischen eingefügter Nickelschicht als Zwischenschicht in der Reihenfolge Kupfer/Nickel/Kupfer/Nickel/Kupfer durch Wiederholen des Druckbondens mit der oben erwähnten Vorrichtung hergestellt werden.
Außerdem kann eine mehrschichtige kaschierte Platte durch einfaches Druckbonden hergestellt werden, indem 3 oder mehr der oben erwähnten Aufwickelrollen installiert werden, Kupferfolie und Nickelfolie auf diesen Rollen vorbereitet werden und gleichzeitig Folien von 3 oder mehr dieser Aufwickelrollen zugeführt werden.
Als Nächstes wird nach dem Zuschneiden der kaschierten Platte für die Leiterplatte 34 auf die erforderliche Größe eine mehrschichtige Leiterplatte nach den folgenden Verfahren hergestellt, die unter Bezugnahme auf 2 bis 7 erläutert werden.
Zunächst werden nach Ausbildung von Photoresistschichten 35, 36 auf den Kupferfolien 24, 33, wie in 2 dargestellt, diese Schichten belichtet und entwickelt.
Dann werden die Kupferfolien 24, 33 selektiv geätzt, so daß die Teile mit Ausnahme des säulenförmigen Leiters 17, 18 verworfen bzw. entfernt werden, wie in 3 dargestellt.
Dann wird nach Ausbildung einer Photoresistschicht 37 auf der Nickelplattierung 20 diese Schicht belichtet und entwickelt, und ferner wird Harz 38 auf die Oberfläche der Nickelplattierungt 21 aufgetragen, um eine Isolierschicht 14 zu bilden, wie in 4 dargestellt.
Das wird durch Ätzen der Nickelplattierung 20, der Kupferfolie 19 und der Nickelplattierung 21 mit Eisen(III)-chlorid oder Schwefelsäure mit Zusatz von Wasserstoffperoxid eine innere Leiterschicht 10 ausgebildet, wie in 5 dargestellt.
Dann wird Harz 39 auf die Oberfläche der inneren Leiterschicht 10 aufgetragen, um eine Isolierschicht 13 zu bilden, und die Harzoberfläche wird poliert, um eine gleichmäßige Oberfläche zu erhalten, wie in 6 dargestellt. In diesem Fall sollte das obere Ende des säulenförmigen Leiters 17 freiliegen.
Dann werden nach dem Aufrauhen der Harzoberflächen 38, 39 (siehe 6) durch stromlose oder elektrolytische Verkupferung äußere Leiterschichten 16, 15 auf den aufgerauhten Oberflächen gebildet. Und dann werden die äußeren Leiterschichten 15, 16 strukturiert. Auf diese Weise wird der Schaltkreis gebildet.
Anwendungsmöglichkeit der Erfindung
Wie oben erwähnt, wird bei der kaschierten Platte für eine Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 3 die kaschierte Platte für die Leiterplatte durch Druckbonden von Kupferfolie und Nickelfolie oder durch Druckbonden von Kupferfolie mit einer Nickelplattierungsschicht auf einer oder beiden Seiten und einer weiteren Kupferfolie oder Kupferfolie mit einer Nickelplattierungsschicht auf einer Seite im laminierten Zustand hergestellt; daher wird die Qualität der kaschierten Platte für die Leiterplatte durch Beseitigung der Porenbildung bei der Herstellung durch Aufdampfen verbessert, und die Fertigungskosten der Platte können gesenkt werden, da sie durch Druckbonden der laminierten Folien hergestellt wird. Da ferner die Ebenheit an der Bondfläche durch Kontrollieren der Spannung an der Bondfläche wegen des Druckbondens mit dem niedrigen Reduktionsfaktor von 0,1 bis 3% auf niedrigem Niveau gehalten werden kann und an der Grenzfläche keine Legierung erzeugt wird, da die Wärmebehandlung zur Wiederherstellung der Formbarkeit nicht notwendig ist, kann unter Verwendung dieser kaschierten Platte für die Leiterplatte die mehrschichtige Leiterplatte mit hervorragender selektiver Ätzbarkeit hergestellt werden.
Da bei dem Fertigungsverfahren einer mehrschichtigen Leiterplatte nach Anspruch 4 ein Träger durch selektives Ätzen der oben erwähnten kaschierten Platte für die Leiterplatte ausgebildet wird, deren Oberfläche strukturiert wird, und da die elektrische Verbindung zwischen Leiterschichten durch Einfügen eines säulenförmigen Leiters hergestellt wird, der in den Leiterschichten durch Ätzen ausgebildet wird, kann eine mehrschichtige Leiterplatte mit hochintegrierter Schaltung effektiv und wirtschaftlich hergestellt werden.
Bei dem Fertigungsverfahren einer mehrschichtigen Leiterplatte nach Anspruch 5 wird die kaschierte Platte für die Leiterplatte durch Laminieren einer Kupferfolie, die als Leiterschicht dient, und einer Nickelplattierungsschicht, die als Ätzstoppschicht dient, und durch gleichzeitiges Druckbonden beider Schichten ausgebildet, dann wird der Träger durch selektives Ätzen der mehrschichtigen kaschierten Platte hergestellt, und dann wird der Träger mit Harz beschichtet, metallisiert und strukturiert, und die elektrische Verbindung zwischen den Leiterschichten wird durch Einfügen eines säulenförmigen Leiters hergestellt, der durch Ätzen in den Leiter schichten ausgebildet wird, und auf diese Weise wird die mehrschichtige Leiterplatte hergestellt; daher kann eine mehrschichtige Leiterplatte mit hochintegrierter Schaltung effektiv und wirtschaftlich hergestellt werden.
Da bei dem Fertigungsverfahren einer mehrschichtigen Leiterplatte nach Anspruch 6 die mehrschichtige kaschierte Platte durch vorherige Aktivierungsbehandlung der Kontaktfläche der Kupferfolie und der Nickelplattierungsschicht in einer Vakuumkammer und anschließendes Laminieren der Kupferfolie und der Nickelplattierungsschicht und kaltes Druckbonden beider mit einem Reduktionsfaktor von 0,1 bis 3% ausgebildet wird, kann die Ebenheit an der Bondfläche durch Kontrollieren der Spannung an der Bondfläche auf niedrigem Niveau gehalten werden, und da die Wärmebehandlung zur Wiederherstellung der Formbarkeit nicht notwendig ist, wird keine Legierung an der Grenzfläche erzeugt; daher kann unter Verwendung dieser mehrschichtigen kaschierten Platte die mehrschichtige Leiterplatte mit hervorragender selektiver Ätzbarkeit hergestellt werden.

Claims

Kaschierte Platte für eine Leiterplatte, hergestellt durch Druckbonden einer Kupferfolie und einer Nickelfolie mit einem Reduktionsfaktor von 0,1 bis 3%.
Kaschierte Platte für eine Leiterplatte, hergestellt durch Druckbonden einer Kupferfolie, von der eine Seite oder beide Seiten eine Nickelplattierungsschicht und einer weiteren Kupferfolie aufweisen, oder einer Kupferfolie, von der eine Seite eine Nickelplattierungsschicht aufweist, mit einem Reduktionsfaktor von 0,1 bis 3%.
Kaschierte Platte für eine Leiterplatte nach Anspruch 1 oder 2, wobei die kaschierte Platte ein fünflagiges Blech mit Lagen aus Kupfer/Nickel/Kupfer/Nickel/Kupfer ist.
Mehrlagige Leiterplatte, die aufweist: einen Träger mit einer inneren Leiterschicht, die durch selektives Ätzen der kaschierten Platte für eine Leiterplatte nach Anspruch 1 oder 2 gebildet wird, eine Isolierschicht und eine äußere Leiterschicht, die auf der Oberfläche des Trägers gebildet werden, wobei die äußere Leiterschicht strukturiert wird, und die innere Leiterschicht und die äußere Leiterschicht durch Einfügen eines säulenförmigen Leiters, der durch Ätzen in dem Träger ausgebildet wird, elektrisch miteinander verbunden werden.
Fertigungsverfahren für eine mehrlagige Leiterplatte, das aufweist: Ausbilden einer kaschierten Platte für eine Leiterplatte durch Laminieren einer Kupferfolie, die als Leiterschicht dient, und einer Nickelfolie oder Nickelplattierung, die als Ätzstopperschicht dient, und durch gleichzeitiges Druckbonden beider Folien mit dem Reduktionsfaktor von 0,1 bis 3%, Erzeugen eines Trägers durch selektives Ätzen der mehrlagigen kaschierten Platte, Ausbilden einer Isolierschicht und einer äußeren Leiterschicht auf der Oberfläche des Trägers, Strukturieren der äußeren Leiterschicht, und elektrisches Verbinden der inneren Leiterschicht und der äußeren Leiterschicht durch Einfügen eines säulenförmigen Leiters, der durch Ätzen in dem Träger ausgebildet wird.
Fertigungsverfahren für eine mehrlagige Leiterplatte nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß: die kaschierte Platte für die Leiterplatte durch Laminieren der Kupferfolie und der Nickelfolie oder Nickelplattierung und kaltes Druckbonden beider Folien mit dem Reduktionsfaktor von 0,1 bis 3% geformt wird, nachdem die Kontaktflächen der Kupferfolie und der Nickelfolie oder der Nickelplattierung zuvor in einer Vakuumkammer aktivierungsbehandelt werden, und in diesem Fall, die Aktivierungsbehandlung ausgeführt wird (1) in einer Inertgasatmosphäre mit ultraniedrigem Druck von 1 × 10^–1 bis 1 × 10^–4 Torr, (2) durch Glimmentladungs-/-ladungs-Wechselstrom von 1 bis 50 MHz zwischen einer Elektrode A, die aus der Kupferfolie bzw. der Nickelplattierung mit einer Kontaktfläche besteht, die elektrisch geerdet sind, und einer anderen Elektrode B, die isoliert gehalten wird, und (3) durch Sputterätzen, (4) derart, daß die Fläche der Elektrode, die dem Plasma ausgesetzt ist, das durch die Glimmentladung erzeugt wird, nicht größer als 1/3 der Fläche der Elektrode B ist.