DE3048740A1

DE3048740A1 - Feingerasterte dickfilm-leiterbahnenanordnung und herstellverfahren dafuer

Info

Publication number: DE3048740A1
Application number: DE19803048740
Authority: DE
Inventors: Takeo Kimura; Tetsuhiro Fuji Kusunose; Kaoru Ohmura
Original assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd; Asahi Kasei Kogyo KK
Current assignee: Asahi Kasei Corp; Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1979-12-27
Filing date: 1980-12-23
Publication date: 1981-09-17
Also published as: US4392013A; NL183380C; NL8006987A; GB2066583B; GB2066583A; DE3048740C2; NL183380B

Description

3Q48740

Feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung und Herstellverfahren dafür

Dio Erfindung betrifft eine feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung mit hoher Schaltkreisdichte und hoher Zuverlässigkeit, sowie ein Verfahren zu deren Herstellung.

Eine feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung wird auf dem Gebiet sehr kleiner Spulen, Leiterbahnen mit hoher Packungsdichte und Leitungsverbindungen hoher Schaltkreisdichte, bei denen hoher Strom verwendet wird, erforderlich. Bei der Herstellung einer Spule wird üblicherweise ein Drahtwickelverfahren verwendet, wobei es jedoch schwierig ist, oine sohr kloine Spule mittels dieses Verfahrene herzustellen, oder wobei eine durch dieses Verfahren hergestellte kleine Spule mit gewickeltem Draht bezüglich der Wicklungen bzw. Windungen Schwankungen besitzt. Eine gedruckte Spule mit Kupferfolien mit 35 ykm Dicke, die geätzt ist, kann ein feines Raster nicht erreichen wegen des Seiten-

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ätzens, das sich doppelt so lang erstreckt wie die Dicke des geätzten Films, wobei höchstens ein Raster mit 2-3 Linien/mm erreichbar ist. Es ist daher schwierig, eine Spule kleiner Größe mittels dieses Verfahrens herzustellen (vgl. z.B. US-PS 3 269 861).

Eine feingerasterte Dünnfilra-Leiterbahnenanordnung kann durch Fotoätzen einer sehr dünnen Kupferfolie hergestellt werden oder zusätzlich durch das Verfahren der Fotoumformung. Wenn sie jedoch durch das übliche stromlose Plattierverfahren oder das Elektroplattier^erfahren (bzw. Galvanisieren) vordickt wird, tritt ein Kurzschluß auf aufgrund der Seitenverdickung, so daß keine feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung erzeugt vird. Wenn auch ein Dickfilm-Plattierverfahren angegeben worden ist, das Wände zum Verhindern der Seitenverdickung beim Dickplattieren verwendet, ist es jedoch nicht einfach, die Dickfilm-Wände bei der feingerasterten Leiterbahnenanordnung zu erreichen (vgl. JP-OS 53/139 175 und 53/140 577).

Jedoch ist mit fortschreitender Miniaturisierung von Motoren zur Verwendung bei Kassettenbandgeräten oder Videobandgeräten (VTR) die Entwicklung feiner oder kleiner Spulen mit feingerasterten Dickfilm-Leiterbahnenbildern mit 10-20 Linien/mm erforderIi ch.

Wenn auch feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnungen mit einer Schaltkreisdichte von 5 Linien/mm oder mehr und mit einer Filmdicke von 33 im oder mehr häufig gefordert worden ist, so konnten Produkte mit annehmbaren Eigenschaften noch nicht entwickelt werden.

Es ist Aufgabe der Erfindung, eine feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung mit hoher Schaltkreisdichte, sowie ein Verfahren zu deren Herstellung anzugeben,

Bei der Er-

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f indting kann eine feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung mit hoher Schaltkreisdichte und hoher Zuverlässigkeit, die den Kurzschluß aufgrund der Seitenverdickung der Leiterbahnen nicht aufweist, dadurch erreicht werden, daß zuerst eine Dünnfilm-Leiterbahnenanordnung mit einer Filmdicke von O,l-lOyU,m auf einem Isoliersubstrat gebildet wird und dann die Leiterbahnen durch Elektroplattieren gemäß einem Raster (Leiterbahnenbild) bei der Bedingung einer Kathoden-

2 stromdichte von nicht weniger als 5 A/dm verdickt werden.

Die Erfindung gibt eine feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung an, mit einem Isoliersubstrat, einer darauf angeordneten Dünnfilm-Leiter schicht und einer elektroplattieren Schicht mit einer Dicke von 3^,9 - 190 Am, die darauf angeordnet ist. Die Erfindung gibt weiter ein Verfahren zum Herstellen einer feingerasterten Dickfilm-Leiterbahnenanordnung an, bei dem eine gerasterte oder ungerasterte Dünnfilm-Lei terschicht mit einer Filmdicke von 0,1 - 10/U.m auf einem Isoliersubstrat gebildet wird und die Oberfläche der DünnfLIm-Leiterschicht in einem feinen Raster elektroplattiert (galvanisiert) wird mit einem Leiterwerkstoff bis zu einer Dicke von 3^i9 - 19OyUm unter der Bedingung einer Kathodenstromdichte von nicht weniger als 5 A/dm , wobei das Elektroplattieren direkt durchgeführt wird, wenn die Dünnfilm-Leiterschicht gerastert worden ist oder über einen Plattierresist (Auftragsresist), wenn die Dünnfilm-Leiterschicht nicht gerastert worden ist. Die Plattierzeit wird abhängig von der Filmdicke und der Kathodenstromdichte bestimmt.

Die Erfindung gibt eine feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung mit hoher Zuverlässigkeit und ein Verfahren zu deren Herstellung an. Die Erfindung gibt weiter eine feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung mit niedrigem Widerstand und ein Verfahren zu deren Herstellung an. Die Erfindung gibt schließlich eine Mikrospule mit hohem Wirkungs-

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grad und hoher Zuverlässigkeit und ein Verfahren zu deren Herstellung an.

Gemäß der Erfindung wird beim Herstellen einer feingerasterten Dickfilm-Leiterbahnenanordnung eine Dünnfilm-Leiterschient mit einer Filmdicke von 0,1 - 10 Jt m auf einem Isoliersubstrat gebildet und wird dann der Leiterwerkstoff auf der Dünnfilm-Leiterschicht bis zu einer Dicke von 34,9 unter der Bedingung einer Kathodenstromdichte von nicht weniger

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als 5 A/dm elektroplattiert (galvanisiert). Beim Rastern der Leiterbahnen wird ein F?lmdicken/Leiterbahnenabstand-Verhältnis von nicht weniger als 1,4 gewählt, um ein Verdicken in Breitenrichtung der Leiterbahnen bei dem Elektroplattieren zu vermeiden. Die sich ergebende Leiterbahnenanordnung besitzt eine Schaltkreisdichte von nicht weniger als 5 Linien/mm und eine Filmdicke von 35 - 200 M. m. Sie ist zweckmäßig für hochdichte gedruckte Schaltungen und für Miniaturspulen.

Die Erfindung wird anhand der in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigen

Fig. IA-IE die Herstellschritte der feingerasterten Dickfilm-Leiterbahnenanordnung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung,

Fig.2E-2E die Herstellschritte gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung,

Fig.3A-3E die Herstellschritte gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung,

Fig. 4 den Verlauf der Filmdicke gegenüber der Leiterbahnenbreite bei dem Elektroplattierverfahren,

Fig. 5 in Aufsicht die Anwendung der Erfindung bei einer spulenförmigen Leiterbahnenschaltung.

Mit Bezug auf die Fig. 1Λ-IE wird ein Verfahren zum Herstellen einer feingerasterten Dickfilm-Leiterbahnenanordnung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung allgemein erläutert·

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Wie in Fig. IA dargestellt, wird eine Dünnfilm-Leiterschicht auf einem Isoliersubstrat 1 gebildet, wobei ein Plattierresist 3 auf den Bereichen , die sich von

den Anschlußflächen des Schaltungs-Leiterbahnenbildes unterscheiden, aufgebracht wird (Fig. IB), elektroplattierte Leiterschichten 4 auf den Anschlußflächen gebildet werden (Fig. IC), der Resist entfernt wird (Fig. ID) und die Dünnfilm-Leiterschichten auf den Bereichen, die sich von den Anschlußflächen unterscheiden, weggeätzt werden (Fig. IE).

Mit Bezug auf die Fig. 2A-2E wird ein Herstellverfahren gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel derErfindung erläutert. Wie in Fig. 2A dargestellt, wird eine Dünnfilm-Leiterschicht 2 auf dem Isoliersubstrat 1 gebildet, wobei dann der Plnttierresist 3 auf den Anschlußflächen des Schaltungs-Leitorbahnenbildes aufgebracht wird (Fig. 2B), die sich von den Anschlußflächen unterscheidenden Bereiche weggeätzt werden (Fig. 2C), der Resist 3 entfernt wird (Fig. 2D) und die elektroplattierte Leiterschicht 4 auf den Anschlußflächen gebildet wird (Fig. 2E).

Mit Bezug auf die Fig. 3A-3E werden die allgemeinen Schritte eines Herstellverfahrens gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert.

Wie in Fig. JX dargestellt, wird eine aktivierte Schicht 5 zum stromlosen Plattieren auf dem Isoliersubstrat 1 gebildet, wird der Resist 3 auf den Bereichen aufgebracht, die sich von den Anschlußflächen des Schaltungs-Leiterbahnenbildes unterscheiden (Fig. 3B)» werden stromlos plattierte Dünnfilm-Leiterschichten 2 auf den Anschlußflächen gebildet (Fig. 3C), wird die elektroplattierte Leiterschicht 4 darauf gebildet (Fig. 3D) und wird danach gegebenenfalls der Resist 3 zur Vollendung entfernt (Fig. 3E).

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Bei den erläuterten jeweiligen Ausführungsbeispielen tritt, wenn die Anschlußflächen durch das stromlose Plattieren bis zu einer Soll-Dicke verdickt worden sind, z.B. 34,9 - 19OyKm, für die feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung (mit nicht weniger als 5 Linien/mm bei der Schaltkreisdichte und nicht wenige aus 35/<-«n bei der Filmdicke) eine Verdickung in Breitenrichtung in einem Ausmaß jenseits der Filmdicke auf, unabhängig von dem zu plattierenden Substrat. Als Ergebnis wird die feingerasterte Leiterbahnenanordnung nicht erreicht. Wenn das Elektroplattieren zum

Verdicken mit üblicher Stromdichte, die unter 3 A/dm liegt, verwendet wird, tritt die Verdickung in Breitenrichtung in einem Ausmaß jenseits der Filmdicke auf und wird die Dicke beim Plattieren ungleichmäßig;. Als Ergebnis wird es schwierig, die feingerasterte Leiterbahnenanordnung zu erzeugen.

Zur Überwindung dieser Schwierigkeiten haben die Erfinder aufgrund langwieriger Untersuchungen festgestellt, daß die Steuerung der Kathodenstromdichte für das Elektroplattieren ein wesentlicher Gesichtspunkt ist. Die vorzuziehende

2 Kathodenstromdichte liegt nicht unter 5A/dm und vorzugs-

o ο

weise nicht unter 6 A/dm und noch besser nicht unter 8 A/dm Wenn auch der Grund dafür nicht festgestellt werden konnte, wurde bei der erwähnten Kathodenstromdichte festgestellt, daß die Verdickung in Breitenrichtung unabhängig von dem zu plattierenden Substrat verringert wird und eine gerasterte Leiterbahnenanordnung gleichmäßiger Dicke erzeugt

2 wird. Wenn die Kathodenstromdichte 3 A/dm oder weniger ist, tritt eine Verdickung in Breitenrichtung auf und wird die Dicke des plattierten Films ungleichmäßig. Die Kathodenstromdichte kann so hoch wie möglich sein. Wenn ein Schwärzen aufgrund des Plattierens mit Gleichstrom auftritt, kann zum Plattieren ein Impulsstrom verwendet werden.

Wenn das Verhältnis der Leiterbahnendicke zum Leiterbahnennbstand 1,4 überschreitet, insbesondere 2,0 bei der obigen

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Kathodenstromdichte tritt eine Sättigung bei der Verdickung in Breitenrichtung auf und tritt das Plattieren selektiv lediglich in Dickenrichtung auf. Das heißt, es besteht eine Korrelation zwischen dem Dicken/Abstands-Verhältnis und der Seitenverdickung des Plattier ins. Fig. k zeigt charakteristische Verläufe der Filmdicke über der Leiterbahnenbreite, wobei die Kathodenstromdichte der Parameter ist. Diese Erscheinung tritt nicht auf, wenn die Kathodenstromdichte niedrig ist, sondern tritt nur auf, wenn die Kathodenstromdichte höher ist als der weiter oben erwähnte Wert.

Die Unterdrückung der Verdickung in Breitenrichtung wird vorzugsweise durch das Beseitigen einer Potentialdifferenz zwischen benachbarten Auschlufiflachen des Lei.terbahnenbildes beim Plattieren erreicht. Das Leiterbahnenbild (Muster oder Raster) kann so entworfen sein, daß die Potentialdifferenz beseitigt ist oder es kann ein Herstellverfahren verwendet wurden, das keine Potentialdifferenz auslöst. Insbesondere wird das Leiterbahnenbild vorzugsweise so entwickelt, daß jeder Abschnitt des LeLterbahnenbildes den gleichen Widerstand bezüglich der Plattierelektrode besitzt.

Wie erläutert, kann durch das Plattieren mit hoher Kathodenstromdichte und das Entwerfen des Leiterbahnenbildes derart, daß das Verhältnis der Leiterdicke zum Leiterabstand nicht kleiner als 1,4 ist, ein« feingerasterte Leiterbahnananordnung mit einer Filmdicke von nicht weniger als 35 M m und einer Schaltkreisdichte von nicht weniger als 5 Linien/mm orroicht werden, was bisher nicht erreichbar war.

Wenn die Erfindung bei einer gedruckten Schaltung verwendet wird, kann die feingerasterte Dickf i'i.m-Leiterbahnenanordnung auf lediglich einer Seite des Isoliersubstrats gebildet werden oder kann gegebenenfalls auf deren beiden Seiten ausgebildet werden. Wenn sie beiderseits des Substrats ausgebildet

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werden, muß das Isoliersubstrat gebohrt -werden und müssen Durchgangslochverbindungen, kurz Durchverbindungen, gemacht werden. Wenn mehrere Leiterbahnenbilder auf einem Isoliersubstrat zu bilden sind, ist es einfacher und vorteilhafter, die Leiterbahnenbilder auf beiden Seiten des Isoliersubstrat.* zu bilden und «ie durch Durchverbindungen miteinander zu verbinden.

Das bei derErfindung verwendete Isoliersubstrat kann Keramik, Glas, Ferrit, eine laminierte Tafel, ein Film oder ein Isolierstoff sein, der auf einer Metallplatte geschichtet ist, wobei der Film insbesondere vorzuziehen ist. Wenn die Filme in einer laminierten Anordnung verwendet werden, nimmt die Packungsdichte de" Drähte bzw. Leiter zu und besitzt die Anordnung Flexibilität. Daher kann sie in verschiedenen Räumen befestigt werden. Die Filmanordnung kann durch jeden beliebigen Film gebildet sein, wie Epoxidfilm,Polyesterfilm,Polylmidfilm, Polypärabansäurefilm od?r Triazinfllm · . Der Polyamidfilm, der Polyparabansäurei'üin und dear· Tiriazinfilm sind wegen Ihrer Flexibilität und ihrer Wärmebeständigkeit vorzuziehen. Die Dicke des Filmsubstrats ist vorzugsweise so dünn wie möglich wegen der hohen Packungsdichte, wobei jedoch ein zu dünnes Fi Ltnsubstrat die Bearbeitbarkeit beeinträchtig'.. Ein vorzuziehender Bereich liegt bei 5-50 A«.m, insbesondere bei 10 - 25 Am.

Gegebenenfalls kann zum Verbessern der Bindung bzw. Haftung des Isoliersubstrats und der Leiterschicht eine Haft- oder Klebstoffschicht auf dem Isoliersubstrat gebildet werden und kann der leitende Dünnfilm darauf aufgebracht bzw. niedergeschlagen werden. Der Klebstoff kann Polyester/Isocyanat-Harz, Phenolharz/Butyral bzw. Phenol/Butyraldehyd-Harz, Phenolharz/Nitrilkautschuk, Epoxid/Nylon oder Epoxid/Nitrilkautschuk mit hoher Wärme- und Feuchtigkeitsbeständigkeit und Haftkraft sein. Der Epoxid/Nitrilkautschuk und der Phenolharz/Nitrilkautschuk sind insbesondere vorzuziehen. Vorteilhafte Dickenbereiche

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des Klebestoffs sind 1-20Am, insbesondere 2-10 Lm aus dem Gesichtspunkt der hohen Packungsdichte und der hohen Haftkraft .

Der bei der vorliegenden Erfindung verwendete Lpxter kann jederbeliebige Leiter sein. Vorteilhafte Leit^rvrerkrstoffe sind Silber, Gold, Kupfer, Nickel und Zinn, wobei das Kupfer aus Gründen der Leitfähigkeit und der Wirtschaftlichkeit vorzuziehen ist.

Das Verfahren zum Bilden der Dünnfilm-Leiterschicht mit einer Dicke von 0,1-10Am bei der Erfindung kann das Auf dampf-Verfahren, das Aufsprüh-Verfahren, das Ionenplattierverfahren, das stromlose Plattierverfahren oder das Kupferfilm-Aufbringverfahren sein. Die Dünnfilm-Leiter schicht kann zuvor zu einem feinen Leiterbahnenbild vor dem Elektroplattieren gerastert 8<-in, oder es kann eine Fotoresist-Maske auf der ungerasterten Dünnfilm-Leiterschicht gebildet werden, wobei das feine Leiterbiihnenbild elektroplattiert wird, und wobei dann die Bereiche der Dünnfilm-Leiters_chicht, die sich von den Anschlußflächen des feinen Leiterbahnenbildes unterscheide^ durch Ätzen entfernt werden können. Die Filmdicke in diesem Fall kann 0,1 - 10 U. m sein, wobei das Seitenätzen vernachlässigbar ist, da es äußerst gering ist.

Wenn die Dicke der unterhalb liegenden Dünnfilm-Leiterschicht unter 0,litm liegt, ist ein gleichmäßiges Elektroplattieren schwierig zu erreichen,und wenn sie über 10 Am liegt, ist es schwierig, das feingerasterte Leiterbahnenbild herzustellen. Der bevorzugte Bereich ist daher 0,1 - 10Am, insbesondere 0,2 - 5Am und vorzugsweise 1-5Am.

D««r Werkstoff zum Elektroplattieren kann jeder Leitorwerkstoff wie Silber, Gold, Kupfer, Nickel oder Zinn sein. Das Kupfer ist unter dem Gesichtspunkt der Leitfähigkeit und

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Wirtschaftlichkeit vorzuziehen. Des Kupfer-Elektroplattieren kann durch Kupfercyanid-Plattieren, Kupfer/Pyrophosphorsäure-Plattieren,Kupfersulfat-Plattieren,oder'Kupfer/Borfluorid-Plattieren erfolgen. Das Pyrophosphorsäure-Plattieren und das Kupfersulfat-Plattieren sind insbesondere vorzuziehen. Das Kupfer/Pyrophosphorsäure-Plattieren ist weiter vorzuziehen. Wesentliche Faktoren beim Verhindern der Seitenverdickung durch Plattieren, wenn die feingerasterten Anschlußflächen elektroplattiert werden, sind (a) die Kathodenstromdichte, (b) das Verhältnis von Leiterdicke zu Leiterabstand und (c) die Potentialdifferenz zwischen den Anschlußflachen. Von diesen sind die Faktoren (a) und (b) wesentlich. Diese Faktoren sollten gemäß den im Folgenden erläuterten Werten gewählt werden.

Gemäß einem insbesondere vorzuziehenden Merkmal beim Herstellverfahren gemäß der Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen einer feingerasterten Dickfilm-Leiterbahnenanordnung angegeben mit (a) einem Schritt zum Aktivieren eines Isoliersubstrats für das stromlose Plattieren,(b) einem Schritt zum Aufbringen eines Resists auf den Bereichen, die sich von den Anschlußflächen unterscheiden, (c) einem Schritt zum Bilden eines Leiterbahnenbildes mit einer Dicke von 1-10 Am auf den Anschlußflächenbereichen durch stromloses Plattieren und (d) einem Schritt zum Elektroplattieren von Leiterwerkstoff auf das Dünnfilm-Leiterbahnenbild unter der Bedingung einer Katho-

2 denstroradichte von nicht weniger als 5 A/dm *

Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen eines feingerasterten Dickfilm-Leiterbahnenbildes angegeben mit (a) einem Schritt zum Bilden einer Metallschicht mit einer Dicke von 50 A bis llcm auf der Gesamtfläche des Isoliersubstrats, (b) einem Schritt zum Aufbringen eines Resists auf Bereichen! die sich von den Anschlußflächen unterscheiden, (c) einem Schritt zum Bilden einer Leiterschicht mit einer Dicke von 1-1OyUm auf

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den Anschlußflächen durch stromloses Plattieren,(d) einem Schritt zum Entfernen des Resists, («) einemSchritt «-.im Wegätzen der freigelegten Metallschicht, die sich von den Anschlußflächen unterscheidet, und(f)einem Schritt zum Elektroplattieren der Leiterschicht unter der Bedingung einer Katho-

2 denstromdichte von nicht weniger als 5 A/dm . Gemäß diesem Verfahren wird das Plattierungsaktivieren in einem trockenen Schritt durchgeführt, so daß die Gleichmäßigkeit und die Bindungskraft ' der stromlos plattierten Schicht verbessert wird.

Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen einer feingerasterten Dickfilm-Leiterbahnenanordnung angegeben mit (a) einem Schritt zum Aufbringen eines Resists auf den Bereichen eines Isoliersubstrats, die sich von den Anschlußflächen unterscheiden, (b) einem Schritt zum Bilden einer Metallschicht mit einer Dicke von 50 A bis lyU.ni auf der gesamten Oberfläche des Isoliersubstrats, (c) einem Schritt zum Entfernen des Resists und der Metallschicht auf dem Resist, (d) einem Schritt zum Bilden einer Leiterschicht auf der verbleibenden Metallschicht durch stromloses Plattieren und (e) einem Schritt zum Elektroplattieren des sich ergebenden Dünnfilm-Leiterbahnenverlaufes oder -rasters mit einer Dicke von 1-10 item mit Leiterwerkstoff unter der Bedingung einer Kathodenstromdichte von

nicht weniger von 5 A/dm . Gemäß der Erfindung kann der Atzschritt bei dem vorhergehenden Verfahren weggelassen sein.

Zur weiteren Zuverlässigkeit kann dlo Bindung bzw. Haftung der Anschlußflächen durch ein thermisches Verfahren nach dem Elektroplattieren verbessert werden, oder es kann gegebenenfalls eine Polymer-Schutzschicht gebildet werden.

Die Erfindung, wie sie bisher erläutert worden ist, kann eine feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung mit einer Schaltkreisdichte von mindestens 5 Linien/mm und einer

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Filmdicke von 35 - 200 Mm erreichen, was bisher als unmöglich erreichbar angesehen worden ist. Die Erfindung ist insbesondere vorteilhaft beim Erreichen einer Leiterbahnenanordnung mit einem Abstand von Leiterbahn zu Leiterbahn von 0,5 - 100 U m, insbesondere von 1 - 50 Am und vorzugsweise von 1-lOyU. m.

Die feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung gemäß der Erfindung ist zweckmäßig auf dem Gebiet von Miniaturspulen, von Verbindungen hoher Packungsdichte und von hochdichten Schaltungsanordnungen,bei denen eine relativ hohe Strombelastbarkeit erforderlich ist. Fig. 5 zeigt eine Anwendung der Erfindung bei einer planaren oder ebenen Spule. Gemäß Fig. 5 sind spiralförmige Leiterbahnen 6 beiderseits eines planaren Isoliersubstrats 1 mit solcher Polarität ausgebildet, daß die Stromrichtungen auf beiden Seiten gleich sind, wobei die Schaltungen bzw. Leiterbahnen auf beiden Seiten mittels Durchgangslochverbindungen 7 elektrisch miteinander verbunden sind und mit Anschlüssen 8 verbunden sind.

Die Charakteristik der Spule wird durch "Amperewindungen" bestimmt. Das heißt, die Anzahl der Windungen und die Größe des Stroms. Für die Planarspule, die das planare Substrat verwendet, sind die Loiterdichten der spiralförmigen Spule, die Ilreite des Leiters und die Filmdicke wesentliche Faktoren. Ein zylindrisches Substreit kann abhängig vom Anwendungsfall verwendet werden. Um die Miniaturspule zu erreichen, ist es notwendig, die Verdrahtungs- bzw. Leiterbahnendichte zu erhöhen, wobei unter dieser Bedingung die Breite der Leiterbahn und die Filmdicke erhöht werden muß. Durch Bilden der feingerasterten Dickfilm-Leiterbahnenanordnung der Erfindung in einem spiralförmigen Leiterbahnenbild kann eine Miniaturspule hohen Wirkungsgrades erreicht werden.

Zur besseren Erläuterung der Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im Folgenden bestimmte Ausführungsbeispiele

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näher erläutert, obwohl die Erfindung selbstverständlich nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt ist, vielmehr verschiedene Ausbildungsformen möglich sind.

Beispiel 1;

Ein Dupont-Polyimidfilm der Bezeichnung "Kapton" mit Abmessungen 5 cm χ 5 cm und einer Dicke von 25 Am wurde als Substrat verwendet. Es wurde in eine 10 %ige wässerige Lösung von Natriumhydroxid getaucht und mit einer Salzsäurelösung von Zinn (II)-Chlorid und dann mit Salzsäurelösung von Palladiumchlorid behandelt und dann getrocknet. Danach wurde der negative Fotoresist "Microresist 752" von Eastman Kodak bis zu einer trockenen Filmdicke von 5/*ni aufgebracht, vorgehärtet, mit einer Hochspannungs-Quecksiberlampe durch eine Schaltungs-Leiterbahnenbild-Maske bestrahlt, mittels Entwicklungsflüssigkeit und Spülflüssigkeit entwickelt, getrocknet und nachgehärtet zur Bildung eines Resists auf EJeroichen, die sich von den Anschlußflächen unterscheiden. Dann wurde unter Verwendung des stromlosen Kupferplattierbades "CP-7O" ,das durch Shipley Co.,USA, zubereitet wird, Kupfer stromlos auf die Anschlußflächen bis zu einer Dicke von 5Um plattiert. Der sich ergebende gerasterte Dünnfilm wurde mit Kupfer durch Elektroplattieren plattiert unter Verwendung des Pyrophosphorsäure/Kupfer-Plattierbades von Harshaw-Murata bei 55 °C, pH von 8,4 - 9,0,unter der

2 Bedingung einer Kathodenstromdichte von 14 A/dm unter Steuerung der Plattierzeit, um eine Plattierdicke von 5OyUm zu erreichen. Die sich ergebende feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung besaß eine gleichmäßige Filmdicke mit einer Schwankung von ± 5 %% nämlich einer Filmdicke von 50 ± 2,5 JU M) einem Leiter/Leiter-Abstand von 15 Am, einerLeiterbreite von 52/tm und einer Schaltkreisdichte von 15 Linien/mm, wobei die Plattierzeit I5 Minuten betrug.

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Beispiel 2:

Beiderseits eines Polyparabansäure-Films "Tradron" von Esso Chemical mit einer Abmessung von 5 cm χ 5 cm und einer Dicke von 25u m wurde ein Phenolharz/Nitrilkautschuk-Haftstoff "XA-564-4",der durch Bostik Japan Co. zubereitet wird, aufgebracht mit einer trockenen Dicke von 5Mm auf jeder Seite und auf l8o C für 30 Minuten erwärmt. Dann wurden Durchgangslöcher gestanzt und wurde das Substrat mit Salzsäurelösung von Zinn (Il)-Chlorid und mit Salzsäurelösung von Palladiumchlorid behandelt und dann getrocknet. Danach wurde der negative Fotoresist "Microresist 752" von Eastman Kodak aufgebracht bis zu einer trockenen Filmdicke von 3Aή auf jeder Seite, vorgehärtet, mit einer Hociispannungs-Quecksilberlampe durch eino Schaltungs-Leiterbahnenbild-Maske bestrahlt, durch Entwicklungsflüssigkeit und Spülflüssigkeit entwickelt, getrocknet und nachgehärtet zur Bildung des Resists auf den Bereichen, die sich von den Anschlußflächen unterscheiden. Dann wurde Kupfer stromlos auf die Anschlußflächen bis zu einer Dicke von 3/*>m plattiert unter Verwendung des Bades "MK 400" für stromloses Kupferplattieren von Muromachi Kagaku Kogyo Co. Ltd. Der sich ergebende gerasterte Dünnfilm wurde mit Kupfer elektroplattiert unter Verwendung des Pyrophosphorsäure/Kupfer-Plattierbades von Harshaw-Murata bis zu einor Dicke von 35 Am unter der Bedingung der Kathodenstromdichte von 7 A/dm . Die sich ergebende feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung mit Leiterbahnenbildern auf beiden Seiten, die durch Durchverbindungen miteinander verbunden sind, besaß eine Filmdicke mit einer Gleichmäßigkeit innerhalb einer Schwankung von Jt 5 %t einen Leiter /Leiter- Abstand von 20Am und eine Schaltungsdichte von 5 Linien/mm. Streifenförmige Leiterbahnen wurden zum Beseitigen der Potentialdifferenz verwendet.

Hei spiel 3:

Auf den Dupont-Polyimidfilm "Kapton" mit einer Abmessung von

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5 cm χ 5 cm und einer Dicke von 25A m wurde der Bostik-Phenolhars/Nitritkautschuk-Haftstoff "XA-564-4" bis zu einer Dicke von 5 h-m (trockene Filmdicke) aufgebracht, wobei dann auf l80 C für 30 Minuten erwärmt wurde. Dann wurde der negative Fotoresist "Microresist 752" von Eastman Kodak aufgebracht bis zu einer trockenen Filmdicke von 3/*^mi vorgdiärtet, mit einer Hochspannungs-Quecksilberlampe durch eine Leiterbahnenbildmaske bestrahlt,, durch Entwicklungsflüssigkeit und Spülflüssigkeit entwickelt, getrocknet und nachgehärtet zur Bildung von Resist auf den Bereichen, die sich von den Anschlußflächen unterscheiden. Dann wurde Silber bis zu e iner Dicke von 500 Ä aufgedampft und wurde der Resist durch eine Entfernungsflüssigkeit entfernt. Das aufgedampfte Silber auf dem Resist wurde simultan entfernt. Kupfer wurde stromlos auf das verbleibende aufgedampfte Silber bis zu einer Dicke von 5 Am stromlos plattiert unter Verwendung des Shipley-Bades "CP-70" für stromloses Kupferplattieren. Der sich ergebende gerasterte Dünnfilm wurde mit Kupfer bis zu einer Dicke von 60z«.m elektroplattiert unter Verwendung des Pyrophosphorsäure/Kupfer-Plattierbades von Harshaw-Murata

2 unter der Bedingung einer Kathodenstromdichte von Ik A/dm

ie sich ergebende feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung besaß gleichmäßige Filmdicke (innerhalb +4 5 9O₁ einen Leiter/Leiter-Abstand von 20 U. m und eine Schaltkreisdichte von 12 Linien/mm. Eine dreilagige (Ag-Cu-Cu) streifenförmig gerasterte Leiterbahnenanordnung wurde auf diese Weise gebildet.

Beispiel kl

Beiderseits des Polyparabansäure-Films "Tradron" von Esso Chemical mit einer Abmessung 5 cm χ 5 cm und einer Dicke von 25/tm wurde der Bostik-Phenolharz/Nitrilkautschuk-Haftstoff "XA-5(>^li-^li" bis zu einer trockenen Dicke von 5 Am auf jeder .Seite aufgebracht und auf l80 C für 30 Minuten erhitzt. Dann

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■wurden Durchgangslöcher gestanzt.

Danach wurde der negative Fotoresist "Microresist 752" von Eastman Kodak bis zu einer trockenen Pilmdicke von 3*ra auf jeder Seite aufgebracht, vorgehärtet, mit einer Hochspannungs-Quecksilberlampe durch eine Leiterbahnenbild-Maske bestrahlt_v durch Entwicklungsflüssigkeit und Spülflüssigkeit entwickelt, getrocknet und nachgehärtet zur Bildung eines Resists auf den Bereichen, die sich von den Anschlußflächen unterscheiden.

Dann wurde Kupfer auf beiden Seiten aufgedampft und wurde der Resist durch eine Entfernungsflüssigkeit entfernt. Uns auf dem Kesis~~ aufgedampfte Kupfer wurde simultan entfernt. Dann wurde Kupfer auf dem verbleibenden nufgodampfton Kupfer bis zu einer Dicke von 3/km stromlos plattiert untor Verwendung des Bades "MK 400" für stromloses Kupferplattieren von Muromachi Kagaku Kogyo Co. Ltd. Der sich ergebende gerasterte Dünnfilm wurde mit Kupfer elektroplattiert unter Verwendung des Pyrophosphorsäure/Kupfer-Plattierbades von Harshaw-Murata bis zu einer Dicke von ^Ol^m unter der Be

dingung einer Kathodenstromdichte von 10 A/dm . Die sich ergebende feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung mit Leiterbahnenbildern auf beiden Seiten, die durch Durchgangslochverbindungen miteinander verbunden sind, besaß eine Filmdicke mit Gleichförmigkeit innerhalb einer Schwankung von

£ 5 %, einen Leiter/Leiter-Abstand von 30Am und eine Schaltkreisdichte von 12 Linien/mm. Eine mehrlagige streifenförmige CU-Cu-Cu-Leiterbahnenanordnurig war gebildet worden.

Beispiel 5:

Dem Dupont-Polyimidfilm "Kapton" mit einer Abmessung von 5 cm χ 5 cm und einer Dicke von 25Am wurde der Bostik-Phenolharz/Nitrilkautschuk-Haftstoff "XA-564-4" bis zu einer Dicke von 5 Am (trockene Filmdicke) aufgebracht, Er wurde auf l80 C

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für 30 Minuten erwärmt. Dann wurde Kupfer bis zu einer Dicke von 5OO S aufgedampft und wurde der negative Fotoresist "Microresist 752" von Eastman Kodak bis zu einer trockenen Filmdicke von 5 Am aufgebracht, vorgehärtet, mit einer Hochspannungs-Quecksilberlampedurch eine Leiterbahnenbild-Maske bestrahlt", durch Entwicklungsflüssigkeit und Spülflüssigke.it entwickelt, getrocknet und nachgehärtet zur Bildung des Resists auf den Bereichen, die sich von den Anschlußflächen unterscheiden.

Dann wurde Kupfer auf den Anschlußflächen bis zu einer Dicke von 5 Am stromlos plattiert unter Verwendung des Bades "CP-70" zum stromlosen Kupferplattieren von Shipley und wurde der Resist mittels Entfernungsflüssigkeit entfernt. Das belichtete aufgedampfte Kupfer wurde weggeätzt mittels Salzsäurelösung von Eioeri~lII-ChloricL.Der sich ergebende gerasterte Dünnfilm wxirde mit Kupfer bis zu einer Dicke von 12Oi* m elektroplattiort unter Verwendung des Pyrophosphorsäure/Kupfer-Plattierbades von Harshaw-Murata unter der Bedingung einer Kathodenstrom-

dichte von Ik A/dm . Die sich ergebende ein feines Streifenmuster aufweisende Dickfilm-Leiterbahnenanordnung besaß gleichmäßige Filmdicke, einen Leiter/Leiter-Abstand von 7Um und eine Schaltkreisdichte von 8 Linien/mm.

Beispiel 6:

Beiderseits des Polyparabansäure-Films "Tradron" von Esso Chemical mit einer Abmessung von 5 cm χ 5 cm und einer Dicke von 25^/ m wurde der Bostik-Phenolharz/Nitrilkautschuk-Haf tstoff ^MXA-564-4" bis zu einer trockenen Dicke von 5 Am auf beiden Seiten aufgebracht und bei I80 ⁰C für 10 Minuten erwärmt. Dann wurden Durchgangslöcher gestanzt. Dann wurde Kupfer auf beiden Seiten bis zu einer Dicke von 0,3Am aufgedampft. Der negative Fotoresist "Microresist 752" von Eastman Kodak wurde bis zu einer trockenen Filmdicke von

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auf jeder Seite aufgebracht, vorgehärtet, mit einer HoclispannunRs-Quecksilberlampe durch eine Leiterbahnenbild-Maske bestrahlt, durch Entwicklungsflüssigkeit und Spülflüssigkeit entwickelt, getrocknet und nachgehärtet zur Bildung von Resist auf den Bereichen, die sich von den Anschlußflächen unterscheiden. Dann wurde Kupfer auf den Anschlußbereichen bis zu einer Dicke von 3M m stromlos plattiert unter Verwendung des Bades ^HMK400" für stromloses Kupferplattieren von Muromachi Kagaku Kogyo Co. Ltd. Der Resist wurde dann durch eine Entfernungsflüssigkeit entfernt und das belichtete aufgedampfte Kupfer wurde durch Salzsäurelösung von Eisen-III—Chlorid weggeätzt. Der sich ergebende gerasterte Dünnfilm wurde mit Kupfer elcktroplattiert unter Verwendung des Pyrophosphorsäure/Kupfer-Plattierbades von Harshaw-Murata bis zu einer Dicke von lOOyM-m unter der Bedingung einer Kathodenstromdichte von 10 A/dm . Die sich ergebende feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung mit Leiterbahnenbildern auf beiden Seiten, die durch Durchgangslöcher miteinander verbunden sind, besaß eine Filmdicke mit einer Gleichmäßigkeit innerhalb einer Schwankung von £. 5 ⁰A₁ einen Leiter/Leiter-Abstand von 8 A.m und eine Schaltkreisdichte von 10 Linien/mm. Eine mehrschichtige streifenförmig Leiterbahnenanordnung war gebildet. Die Anordnung ist zweckmäßig für Verdrahtungstafeln hoher Packungsdichte.

Beispiel 7'

Der Dupont-Polyimidfilm "Kapton" mit einer Abmessung von 5 cm χ 5 cm und einer Dicke von 25Mm wurde in der gleichen Weise wie bei Beispiel 1 oberflächenbehandelt, wobei stromloses Kupferplattieren mit einer Filmdicke von 5/*-m darauf gebildet wurde, ein streifenförmiges Dünnfilm-Leiterbahnenbild mit einer Filmdicke von 5/*m darauf gebildet wurde und Kupfer bis zu einer Dicke von 120// m impulsplattiert wurde unter Verwendung des Pyrophosphorsäure/Kupferplattier-Hades von Harshaw-Murata unter der Bedingung, einer Kuthoden-

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ORIGINAL INSPECTED

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stromdichte von 25 A/dm . Die sich ergebende ein feines Streifenmuster aufweisende Dickfilm-Loiterbnhnonanordnung besaß eine Pilmdicke mit einer Gleichmäßigkeit innerhalb einer Schwankung von A 5 %> einen Leiter/Leiter-Abstand von 2OMIS und eine Schaltkreisdichte von 10 Linien/mm.

Beispiel 8;

Beiderseits des Polyparabansäure-Films "Tradron" von Esso Chemical mit einer Abmessung von 5 cm. χ 5 cm und einer Dicke von 25 Am wurde der Bostik-Phenolharz/Nitrilkautschuk-Haftstoff "XA-564-4" mit einer trockenen Dicke von 5Am auf jeder Seite aufgebracht. Er wurde gebohrt und es wurde Nickel darauf aufgedampft. Die sich ergebende Dünnfilm-Leiterbahnenanordnung mit einer Filmdicke von 0,3/*m wurde mit Fotoresist mit einer Filmdicke von 5 Am maskiert mit Ausnahme der Anschlußflächen. Dann wurde Kupfer bis zu einer Dicke von 170Am impulsplattiert unter Verwendung des Pyrophosphorsäure/Kupferplatt ier-Bades von Harshaw-Murata unter der Bedingung einer

Kathodenstromdichte von 30 A/dm . Der Nickel-Dünnfilm auf den Bereichen, die sich von den Anschlußbereichen unterschieden, wurde dann weggeätzt. Die sich ergebende ein feines Streifenmuster aufweisende Leiterbahnenanordnung besaß eine Filmdicke mit einer Gleichmäßigkeit innerhalb einer Schwankung von ± 3 %i einen Leiter/Leiter-Abstand von 10 Am und eine Schaltkreisdichte von 10 Linien/mm.

Beispiel 9;

Der gleiche Vorgang wie beim Beispiel 7 wurde durchgeführt mit Ausnahme eines stromlosen Nickelplattierens und eines Elektroplattierens mittels eines Nickelsulfat-Plattierbades. Die sich ergebende feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung besaß ähnliche Charakteristiken wie diejenige bei dom Beispiel 7·

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Beispiel 10;

Der gleiche Vorgang wie bei dem Verfahren 7 wurde durchgerührt mit der Ausnahme, daß ein Zinnsulfat-Plattierbad unter der Bedingung einer Kathodenstromdichte von 15 A/dm verwendet wurde. Die sich ergebende feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung besaß ähnliche Charakteristiken wie diejenige des Beispiels 7·

Beispiel 11:

Dieses Beispiel betrifft ein Herstellverfahren, bei dem der Beseitigung einer Potentialdifferenz; zwischen Leitern bzw. Leiterbahnen Aufmerksamkeit gegeben wurde. Der Dupont-Polyimidfilm "Kapton" mit einer Filmdicke von 25A^ra wurde oberflächenbehandelt und stromlos plattiert bis zu einer Dicke von 5Am in der gleichen Weise wie bei dem Beispiel 1 zur Bildung einer Dünnfilra-Leiterbahnenanordnung mit einer Filmdicke von 5/tm. Dann wurde wie bei dem Beispiel 1 ein Resist auf den Bereichen aufgebracht, die sich von der spiralförmigen Anschlußfläche unterscheiden und wurde Kupfer in einem spiraJLförmigen Verlauf bis zu einer Dicke von 70 ,um plattiert unter Verwendung des Pyrophosphorsäure/Kupfer-Plattierbades von Harshaw-Murata

2 unter der Bedingung einer Kathodenstromdichte von 15 A/dm Dann wurde der Resist mittels einer Entfernungsflüssigkeit entfernt und wurde die Dünnfilra-Leiterschicht auf den Bereichen, die sich von der spiralförmigen Anschlußfläche unterschieden, weggeätzt mittels einer 20 Gew-%igen Ammoniumpersulfatlösung. Er wurde dann auf 150 C für 30 Minuten erwärmt. Die sich ergebende ein feines Spiralmuster aufweisende Dickfilm-Leiterbahnenanordnung besaß eine Leiterbahnenbreite von 85i* m, einen Leiter/Leiter-Abstand von 15Am, eine Leiterdicke von 65/«-m und eine gleichmäßigen Filmdicke mit einer Gleichförmigkeit innerhalb einer Schwankungsbreite von jfc 3 %·

Vergleichsbeispiel 1:

Der gleiche Vorgang wie beim Beispiel 1 wurde durchgeführt

Kathodenstromdi

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mit der Ausnahme einer Kathodenstromdichte von 1 A/dm . Es

trat Kurzschluß auf und eine feingerasterte Leiterbahnenanordnung konnte nicht erreicht werden.

Vergleichsbeispiel 2:

Der gleiche Vorgang wie bei Beispiel 1 wurde durchgeführt mit der Ausnahme einer Filmdicke bei dem stromlosenPlattieren von 2OyUm. Kurzschlüsse traten auf,und eine feingerasterte Leiterbahnenanordnung konnte nicht erreicht werden. Die kritische Filmdicke beim Beispiel 1 lag bei 13

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Claims

/ 1.JFeingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung mit auf ^^ einem Isoliersubstrat (1) angeordneten Leiterbahnen (2,4),

daß die Leiterbahnen (2,4) eine Filmdicke von 35-200 Um und eine Schaltkreisdichte von mindestens 5 Linien/mm

besitzt.

2. Feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung nach Anspruch 1,

dadurch gekennzeichnet,

daß die Leiterbahnen Dünnfilm-Leiterbahnen (12) mit einer Dicke von 0,1-10 Am und elektroplattierte bzw. galvanische Schichten (k) aufweisen.

Feing«rasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterbahnen einen Leiterbahnen-Abstand von 0,5-100 Λ besitzen.

TKLKPO-Nl

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SS 87 Oi · TELEQRAMME: BOEPATENT MÖNCHEN

4. Feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung nach einem der Ansprüche 1-3»

dadurch gekennzeichnet,

daß die Leiterbahnen ein Filmdicken/Abstands-Verhältnis von mindestens 1,4 besitzen.

5. Feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung nach einem der Ansprüche 1-4,

dadurch gekennzeichnet,

daß die Leiterbahnen spiralförmig ausgebildet sind.

6. Feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung nach einem der Ansprüche 1--5»

dadurch gekennzeichnet,

daß die Leiterbahnen aus Kupfer bestehen.

7· Feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung nach einem der Ansprüche 1-6,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Isoliersubstrat ein Polymerfilm ist.

8. Feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung nach einem der Ansprüche 1-7»
dadurch gekennzeichent,

daß die Leiterbahnen auf beiden Seiten des Isolieraubstrate ausgebildet sind.

9· Feingerasterte Dickfilm-Leiterbahnenanordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,

daß die Leiterbahnen über Durchgangslochverbindungen miteinander verbunden sind.

10. Verfahren zum Herstellen einer feingeraaterten Dickfilm-Leiterbahnenanordnung,

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dadurch gekennzeichnet,

a) daß eine Dünnfilm-Leiterschicht mit einer Filmdicke von 0,1-10 iim auf einem Isoliersubstrat gebildet wird, und

b) daß Leiterschichten auf der Diinnfilm-Leiterschicht mit einem Raster einer Schaltkreisdichte von mindestens 5 Linien/mm bis zu einer Dicke von 34,5-19Oyftni elektro-

plattiert bzw. auf galvanisiert wetden bei einer Kathoden-

2 stromdichte von mindestens 5A/dm ,

11. Verfahren zum Herstellen einer feingerasterten Dickfilm-Leiterbahnenanordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die elektroplattieren Leiterschichten mit einem Leiterbahnenabstand von 0,5 - 100 Am ausgebildet werden.

12. Verfahren zum Herstellen einer feingerasterten Dickfilm-Leiterbahnenanordnung nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß die elektroplattieren Leiterschichten mit einem Filmdicken/Abstands-Verhältnis von mindestens 1,4 gebildet werden.

13· Verfahren zum Herstellen einer feingerasterten Dickfilm-Leiterbahnenanordnung nach einem der Ansprüche 10-13, dadurch gekennzeichnet, daß die elektroplattieren Leiterschichten spiralförmig ausgebildet werden.

14. Verfahren zum Herstellen einer feingerasterten Dickfilm-Leiterbahnenanordnung nach einem der Ansprüche 10-13, dadurch gekennzeichnet, daß mit Kupfer elektroplattiert (bzw. galvanisiert) wird.

15. Verfahren zum Herstellen einer feingerasterten Dickfilm-Leiterbahnenanordnung nach einem der Ansprüche 10-14, dadurch gekennzeichnet,

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daß das Isoliersubstrat ein Polymerfilra ist.

l6. Verfahren zum Herstellen einer feingerasterten Dickfilm-Leiterbahnenanordnung nach einem der Ansprüche 10-15| dadurch gekennzeichnet,

daß die Leiterschichten beiderseits des Isoliersubstrats gebildet werden.

17· Verfahren zum Herstellen einer feingerasterten Dickfilm-Leiterbahnenanordnung nach Anspruch l6, dadurch gekennzeichne+,

daß die Leiterschichten über Durchgangslochverbindungen bzw. Durch ν erbindungen elektrisch miteinander verbunden werden.

18. Verfahren zum Herstellen einer feingerasterten Dickfilm-Leiterbahnenanordnung nach einem der Ansprüche 10-17» dadurch ge kennzeichnet,

daß bei dem Schritt (a) zum Bilden der Dünnfilm-Leiterschicht gemäß einem Soll-Bild gerastert wird.

19· Verfahren zum Herstellen einer feingerasterten Dickfilm-Leiterbahnenanordnung nach einem der Ansprüche 10-l8, dadurch gekennzeichnet,

daß bei dem Schritt (a) zum Bilden der Dünnfilm-Leiterschicht stromlos plattiert, ein Kupferfilm haftend aufgebracht _f aufgedampft, zerstäubt oder ionenimplantiert wird.

20. Verfahren zum Herstellen einer feingeraaterten Dickfilm-Leiterbahnenanordnung nach einem der Ansprüche 10-19| dadurch gekennzeichnet,

daß bei dem Schritt (a) zum Bilden der Dünnfilm-Leiterschicht Metall aufgedampft und das aufgedampfte Metall stromlos plattiert wird.

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