JPH085664A - 半導体装置用検査板とその製造方法 - Google Patents
半導体装置用検査板とその製造方法Info
- Publication number
- JPH085664A JPH085664A JP14002794A JP14002794A JPH085664A JP H085664 A JPH085664 A JP H085664A JP 14002794 A JP14002794 A JP 14002794A JP 14002794 A JP14002794 A JP 14002794A JP H085664 A JPH085664 A JP H085664A
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- layer
- copper layer
- circuit
- etching
- copper
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＩＣウェーハの熱膨張係数とプローブの熱膨張
係数が整合した半導体装置用検査板とその製造法を提供
すること。 【構成】その熱膨張係数をＩＣウェーハと整合させるた
めインバー及び銅を主構造材とし、かつ、検査対象との
接触を可能とするため接触端子となる凸部２を表面の回
路５に有する半導体装置用検査板１と、以下に示す工程
を含むこと。 ａ．回路となる銅層６３／ニッケルあるいはニッケル合
金からなる中間層６２／凸部となる銅層６１の三層から
なる金属箔６と、接着を担う絶縁材７と銅層８１／イン
バー層８２／銅層８１からなるクラッド板８とを、回路
となる銅層６３及びクラッド板８が接着を担う絶縁材７
と接するように重ね加熱加圧して積層一体化する工程 ｂ．凸部となる銅層６１を選択的にエッチングする工程 ｃ．露出したニッケルあるいはニッケル合金からなる中
間層６２をエッチング除去する工程 ｄ．回路となる導体層５を選択的エッチングにより形成
する工程
係数が整合した半導体装置用検査板とその製造法を提供
すること。 【構成】その熱膨張係数をＩＣウェーハと整合させるた
めインバー及び銅を主構造材とし、かつ、検査対象との
接触を可能とするため接触端子となる凸部２を表面の回
路５に有する半導体装置用検査板１と、以下に示す工程
を含むこと。 ａ．回路となる銅層６３／ニッケルあるいはニッケル合
金からなる中間層６２／凸部となる銅層６１の三層から
なる金属箔６と、接着を担う絶縁材７と銅層８１／イン
バー層８２／銅層８１からなるクラッド板８とを、回路
となる銅層６３及びクラッド板８が接着を担う絶縁材７
と接するように重ね加熱加圧して積層一体化する工程 ｂ．凸部となる銅層６１を選択的にエッチングする工程 ｃ．露出したニッケルあるいはニッケル合金からなる中
間層６２をエッチング除去する工程 ｄ．回路となる導体層５を選択的エッチングにより形成
する工程
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用検査板及
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣウェーハのプローブテストに対する
最近の要求として、高低温プローブテストがある。これ
は、温度依存の不良をプローブテストの段階で摘出しよ
うとするもので、最終テスト工程における歩留り向上、
原価低減を目的とする。
最近の要求として、高低温プローブテストがある。これ
は、温度依存の不良をプローブテストの段階で摘出しよ
うとするもので、最終テスト工程における歩留り向上、
原価低減を目的とする。
【０００３】他方、デバイスの高性能・多機能化に伴う
テストポイント数の増大化、ポイントサイズの微小化並
びにプローブサイズの広大化は、テスティング精度の向
上を要求する。
テストポイント数の増大化、ポイントサイズの微小化並
びにプローブサイズの広大化は、テスティング精度の向
上を要求する。
【０００４】通常、プローブカードはガラス布エポキシ
樹脂あるいはガラス布ポリイミド樹脂印刷配線板で構成
され、タングステン等で作られたテストピンを介して検
体と接続される。しかし、テスティング精度の向上を図
るため、この接続距離は短くなる傾向にある。例えば、
テストピンを介さずテストポイントにプローブカードを
直接接続させる等の方法が採られている。
樹脂あるいはガラス布ポリイミド樹脂印刷配線板で構成
され、タングステン等で作られたテストピンを介して検
体と接続される。しかし、テスティング精度の向上を図
るため、この接続距離は短くなる傾向にある。例えば、
テストピンを介さずテストポイントにプローブカードを
直接接続させる等の方法が採られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、テストピンを
介さずテストポイントにプローブカードを直接接続させ
る方法で、高低温プローブテストを実施する場合、ＩＣ
ウェーハとプローブカードの熱膨張係数の差により位置
ずれが発生し、テストの実施が困難となる。この場合、
ＩＣウェーハの熱膨張係数は、３〜４×１０-6／Ｋ位で
あり、プローブカードの熱膨張係数は、１０〜２０×１
０-6／Ｋ位である。
介さずテストポイントにプローブカードを直接接続させ
る方法で、高低温プローブテストを実施する場合、ＩＣ
ウェーハとプローブカードの熱膨張係数の差により位置
ずれが発生し、テストの実施が困難となる。この場合、
ＩＣウェーハの熱膨張係数は、３〜４×１０-6／Ｋ位で
あり、プローブカードの熱膨張係数は、１０〜２０×１
０-6／Ｋ位である。
【０００６】本発明は、ＩＣウェーハの熱膨張係数とプ
ローブの熱膨張係数が整合した半導体装置用検査板とそ
の製造法を提供することを目的とするものである。
ローブの熱膨張係数が整合した半導体装置用検査板とそ
の製造法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置用検
査板１は、その熱膨張係数をＩＣウェーハと整合させる
ためインバー及び銅を主構造材とし、かつ、検査対象と
の接触を可能とするため接触端子となる凸部２を表面の
回路５に有することを特徴とする。この場合、接触端子
となる凸部２に、回路となる銅層６３／ニッケルあるい
はニッケル合金層６２／凸部となる銅層６１からなる複
合金属槽を用いることができる。
査板１は、その熱膨張係数をＩＣウェーハと整合させる
ためインバー及び銅を主構造材とし、かつ、検査対象と
の接触を可能とするため接触端子となる凸部２を表面の
回路５に有することを特徴とする。この場合、接触端子
となる凸部２に、回路となる銅層６３／ニッケルあるい
はニッケル合金層６２／凸部となる銅層６１からなる複
合金属槽を用いることができる。
【０００８】このような半導体装置用検査板の製造方法
は、以下に示す工程を含むことを特徴とする。 ａ．回路となる銅層６３／ニッケルあるいはニッケル合
金からなる中間層６２／凸部となる銅層６１の三層から
なる金属箔６と、接着を担う絶縁材７と銅層８１／イン
バー層８２／銅層８１からなるクラッド板８とを、回路
となる銅層６３及びクラッド板８が接着を担う絶縁材７
と接するように重ね加熱加圧して積層一体化する工程 ｂ．凸部となる銅層６１を選択的にエッチングする工程 ｃ．露出したニッケルあるいはニッケル合金からなる中
間層６２をエッチング除去する工程 ｄ．回路となる導体層５を選択的エッチングにより形成
する工程
は、以下に示す工程を含むことを特徴とする。 ａ．回路となる銅層６３／ニッケルあるいはニッケル合
金からなる中間層６２／凸部となる銅層６１の三層から
なる金属箔６と、接着を担う絶縁材７と銅層８１／イン
バー層８２／銅層８１からなるクラッド板８とを、回路
となる銅層６３及びクラッド板８が接着を担う絶縁材７
と接するように重ね加熱加圧して積層一体化する工程 ｂ．凸部となる銅層６１を選択的にエッチングする工程 ｃ．露出したニッケルあるいはニッケル合金からなる中
間層６２をエッチング除去する工程 ｄ．回路となる導体層５を選択的エッチングにより形成
する工程
【０００９】検査板１とＩＣウェーハの熱膨張係数を整
合させるためには、本発明に用いる銅層８１／インバー
層８２／銅層８１からなるクラッド板８の、銅層の厚
さ：インバー層の厚さ：銅層の厚さの比は、５：９０：
５〜１２．５：７５：１２．５の範囲でなければならな
い。しかし、総板厚は特に規定するものではない。この
ような銅層８１／インバー層８２／銅層８１からなるク
ラッド板８は、日本テキサス・インスツルメンツ株式会
社、日立電線株式会社等より入手が可能である。
合させるためには、本発明に用いる銅層８１／インバー
層８２／銅層８１からなるクラッド板８の、銅層の厚
さ：インバー層の厚さ：銅層の厚さの比は、５：９０：
５〜１２．５：７５：１２．５の範囲でなければならな
い。しかし、総板厚は特に規定するものではない。この
ような銅層８１／インバー層８２／銅層８１からなるク
ラッド板８は、日本テキサス・インスツルメンツ株式会
社、日立電線株式会社等より入手が可能である。
【００１０】表面に形成する回路導体の材質は、接着を
担う絶縁材７との接着処理が容易であり、電気伝導性に
優れる銅が好ましい。導体厚については特に規定するも
のではない。
担う絶縁材７との接着処理が容易であり、電気伝導性に
優れる銅が好ましい。導体厚については特に規定するも
のではない。
【００１１】接触端子となる凸部２は、従来から知られ
ている、電気めっきによりバンプを形成するめっきバン
プ法やボールを直接整合し、バンプを形成するボールバ
ンプ法等により形成することができる。但し、検査対象
の全端子との接触を均一に行うため、接触端子２の形成
に当たっては、その寸法精度に十分な注意を払う必要が
ある。
ている、電気めっきによりバンプを形成するめっきバン
プ法やボールを直接整合し、バンプを形成するボールバ
ンプ法等により形成することができる。但し、検査対象
の全端子との接触を均一に行うため、接触端子２の形成
に当たっては、その寸法精度に十分な注意を払う必要が
ある。
【００１２】接着を担う絶縁材７は、半導体装置試験温
度上限より高い、通常１２５℃以上のガラス転位温度
（Ｔｇ）を有することが好ましい。また、一般に樹脂材
料は熱膨張係数が大きく、１０×１０-6／Ｋ以上あるの
で、良好な電気絶縁性を現す範囲において、この層の厚
さは可能な限り薄くできることが好ましく、そのため、
液状あるいはフィルム状での入手が可能である樹脂材料
が好ましい。このような材料として、ポリイミド樹脂は
好適であり、市販のものとしては、ＡＳ−２２１０、Ａ
Ｓ−２２５０（日立化成工業株式会社製，商品名）等の
製品が入手可能である。
度上限より高い、通常１２５℃以上のガラス転位温度
（Ｔｇ）を有することが好ましい。また、一般に樹脂材
料は熱膨張係数が大きく、１０×１０-6／Ｋ以上あるの
で、良好な電気絶縁性を現す範囲において、この層の厚
さは可能な限り薄くできることが好ましく、そのため、
液状あるいはフィルム状での入手が可能である樹脂材料
が好ましい。このような材料として、ポリイミド樹脂は
好適であり、市販のものとしては、ＡＳ−２２１０、Ａ
Ｓ−２２５０（日立化成工業株式会社製，商品名）等の
製品が入手可能である。
【００１３】回路となる銅層６３／ニッケルあるいはニ
ッケル合金からなる中間層６２／凸部となる銅層６１の
三層からなる金属箔６としては、回路となる銅層６３
が、１〜１５μｍの厚さであることが好ましい。１μｍ
未満では銅層にピンホール等の欠陥が現れてくる。ま
た、１５μｍを越えるとエッチングによる回路形成性が
劣ってくる。
ッケル合金からなる中間層６２／凸部となる銅層６１の
三層からなる金属箔６としては、回路となる銅層６３
が、１〜１５μｍの厚さであることが好ましい。１μｍ
未満では銅層にピンホール等の欠陥が現れてくる。ま
た、１５μｍを越えるとエッチングによる回路形成性が
劣ってくる。
【００１４】ニッケルあるいはニッケル合金からなる中
間層６２は、０．０４〜１．５μｍの厚さであることが
好ましい。０．０４μｍ未満では中間層にピンホール等
の欠陥が現れる。また、１．５μｍを越えるとエッチン
グ除去による時間がかかり非能率的で、エッチング液の
消費量も多くなり不経済となる。
間層６２は、０．０４〜１．５μｍの厚さであることが
好ましい。０．０４μｍ未満では中間層にピンホール等
の欠陥が現れる。また、１．５μｍを越えるとエッチン
グ除去による時間がかかり非能率的で、エッチング液の
消費量も多くなり不経済となる。
【００１５】凸部となる銅層６１は、１０〜１５０μｍ
の厚さであることが好ましい。１０μｍ未満では凸部と
しての高さが不充分となり、１５０μｍを越えるとエッ
チング除去による時間がかかり非能率的で、エッチング
液の消費量も多くなり不経済となる。
の厚さであることが好ましい。１０μｍ未満では凸部と
しての高さが不充分となり、１５０μｍを越えるとエッ
チング除去による時間がかかり非能率的で、エッチング
液の消費量も多くなり不経済となる。
【００１６】銅めっきは一般の方法で行うことができ
る。凸部となる銅層のみ６１を選択的にエッチングする
方法としては、塩素イオンとアンモニウムイオンと銅イ
オンとを含む化学液（以下、アルカリエッチング液とい
う。）に接触させることによって行うことができる。こ
こで言う接触とは、その液中に浸漬することや、その液
を噴霧することを指している。
る。凸部となる銅層のみ６１を選択的にエッチングする
方法としては、塩素イオンとアンモニウムイオンと銅イ
オンとを含む化学液（以下、アルカリエッチング液とい
う。）に接触させることによって行うことができる。こ
こで言う接触とは、その液中に浸漬することや、その液
を噴霧することを指している。
【００１７】露出したニッケルあるいはニッケル合金か
らなる中間層６２のみをエッチングするには、硝酸と過
酸化水素とカルボキシル基を含む有機酸とベンゾトリア
ゾールとを含む化学液に接触することによって行うこと
ができる。
らなる中間層６２のみをエッチングするには、硝酸と過
酸化水素とカルボキシル基を含む有機酸とベンゾトリア
ゾールとを含む化学液に接触することによって行うこと
ができる。
【００１８】
【作用】熱膨張係数をＩＣウェーハと整合させることに
より、高いテスティング精度を保ちながら、高低温プロ
ーブ試験を実施することが可能となる。また、テストポ
イントとの接触を司る接触端子となる凸部は検査板の製
造工程において一括して作製できるので、従来の検査板
の製造より簡略になる。
より、高いテスティング精度を保ちながら、高低温プロ
ーブ試験を実施することが可能となる。また、テストポ
イントとの接触を司る接触端子となる凸部は検査板の製
造工程において一括して作製できるので、従来の検査板
の製造より簡略になる。
【００１９】
【実施例】以下に本発明の好ましい実施例について説明
する。回路となる銅層（厚さ５μｍ）／２％リン−ニッ
ケルからなる中間層（厚さ１８μｍ）／凸部となる銅層
（厚さ１５μｍ）からなる三層構造の金属箔と、ポリイ
ミド樹脂系接着フィルムＡＳ−２２１０（厚さ２５μ
ｍ，日立化成工業株式会社製，商品名）と、銅層（厚さ
１８．７５μｍ）／インバー層（厚さ１１２．５μｍ）
／銅層（厚さ１８．７５μｍ）からなるＣＩＣ（厚さ１
５０μｍ，日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
製，商品名）とを、回路となる銅層及びＣＩＣ（厚さ１
５０μｍ，日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
製，商品名）がＡＳ−２２１０（厚さ２５μｍ，日立化
成工業株式会社製，商品名）に接触するように重ね、圧
力２．９４ＭＰａ（３０ｋｇｆ／ｃｍ2）、温度１７７
℃、６５分の条件で積層一体化した。次に、凸部となる
形状にエッチングレジストＨ−Ｋ４５０（日立化成工業
株式会社製，商品名）を形成して、２％リン−ニッケル
からなる中間層まで凸部となる銅層を、アルカリエッチ
ング液であるＡプロセスエッチング液（ソルテックス社
製，商品名）で選択的にエッチング除去し、前記のエッ
チングレジストを剥離除去し、露出した２％リン−ニッ
ケルからなる中間層を硝酸２００ｇ／ｌ、過酸化水素水
１０ｍｌ／ｌ、りんご酸１００ｇ／ｌ、ベンゾトリアゾ
ール５ｇ／ｌを成分とするエッチング液によりエッチン
グ除去した。次いで、回路となる形状にエッチングレジ
ストＨ−Ｋ４５０（日立化成工業株式会社製，商品名）
を形成して、回路となる銅層を選択的にエッチング除去
し、前記のエッチングレジストを剥離除去し、半導体装
置用検査板を得た。この半導体装置用検査板は表面回路
の所定の位置に接触端子となる凸部を有しており、その
高さは１５μｍであった。また、熱機械分析法（ＴＭ
Ａ）による熱膨張係数の測定によると、この検査板の熱
膨張係数は４×１０-6／Ｋ程度であった。
する。回路となる銅層（厚さ５μｍ）／２％リン−ニッ
ケルからなる中間層（厚さ１８μｍ）／凸部となる銅層
（厚さ１５μｍ）からなる三層構造の金属箔と、ポリイ
ミド樹脂系接着フィルムＡＳ−２２１０（厚さ２５μ
ｍ，日立化成工業株式会社製，商品名）と、銅層（厚さ
１８．７５μｍ）／インバー層（厚さ１１２．５μｍ）
／銅層（厚さ１８．７５μｍ）からなるＣＩＣ（厚さ１
５０μｍ，日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
製，商品名）とを、回路となる銅層及びＣＩＣ（厚さ１
５０μｍ，日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
製，商品名）がＡＳ−２２１０（厚さ２５μｍ，日立化
成工業株式会社製，商品名）に接触するように重ね、圧
力２．９４ＭＰａ（３０ｋｇｆ／ｃｍ2）、温度１７７
℃、６５分の条件で積層一体化した。次に、凸部となる
形状にエッチングレジストＨ−Ｋ４５０（日立化成工業
株式会社製，商品名）を形成して、２％リン−ニッケル
からなる中間層まで凸部となる銅層を、アルカリエッチ
ング液であるＡプロセスエッチング液（ソルテックス社
製，商品名）で選択的にエッチング除去し、前記のエッ
チングレジストを剥離除去し、露出した２％リン−ニッ
ケルからなる中間層を硝酸２００ｇ／ｌ、過酸化水素水
１０ｍｌ／ｌ、りんご酸１００ｇ／ｌ、ベンゾトリアゾ
ール５ｇ／ｌを成分とするエッチング液によりエッチン
グ除去した。次いで、回路となる形状にエッチングレジ
ストＨ−Ｋ４５０（日立化成工業株式会社製，商品名）
を形成して、回路となる銅層を選択的にエッチング除去
し、前記のエッチングレジストを剥離除去し、半導体装
置用検査板を得た。この半導体装置用検査板は表面回路
の所定の位置に接触端子となる凸部を有しており、その
高さは１５μｍであった。また、熱機械分析法（ＴＭ
Ａ）による熱膨張係数の測定によると、この検査板の熱
膨張係数は４×１０-6／Ｋ程度であった。
【００２０】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によって
熱膨張係数がＩＣウェーハと整合し、かつ、接触端子と
なる凸部を有する半導体装置用検査板、及びその検査板
を簡便に効率的に製造する方法を提供することができる
ものである。
熱膨張係数がＩＣウェーハと整合し、かつ、接触端子と
なる凸部を有する半導体装置用検査板、及びその検査板
を簡便に効率的に製造する方法を提供することができる
ものである。
【図１】本発明の一実施例である検査板に検査対象を接
触させた状態を表す断面図である。
触させた状態を表す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例を説明す
るための各工程における断面図である。
るための各工程における断面図である。
１．検査板 ２．接触端子とな
る凸部 ３．検査対象 ４．端子 ５．表面回路 ６．三層からなる
金属箔 ６１．凸部となる銅層 ６２．ニッケルあるいはニッケル合金からなる中間層 ６３．回路となる銅層 ７．絶縁性接着層となる接着を担う絶縁材 ８．銅層／インバー層／銅層からなるクラッド板 ８１．銅層 ８２．インバー層
る凸部 ３．検査対象 ４．端子 ５．表面回路 ６．三層からなる
金属箔 ６１．凸部となる銅層 ６２．ニッケルあるいはニッケル合金からなる中間層 ６３．回路となる銅層 ７．絶縁性接着層となる接着を担う絶縁材 ８．銅層／インバー層／銅層からなるクラッド板 ８１．銅層 ８２．インバー層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浦崎 直之 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】回路層と接着を担う絶縁層と、銅層及びイ
ンバー層とで構成され、回路層に接触端子となる凸部を
有することを特徴とする半導体装置用検査板。 - 【請求項２】回路層に設けた接触端子となる凸部の高さ
が１０〜１５０μｍであることを特徴とする請求項１に
記載の半導体装置用検査板。 - 【請求項３】回路層に設けた接触端子となる凸部が少な
くとも、回路となる銅層／ニッケルあるいはニッケル合
金層／凸部となる銅層から構成されることを特徴とする
請求項１または２に記載の半導体装置用検査板。 - 【請求項４】以下の工程を含むことを特徴とする半導体
装置用検査板の製造方法。 ａ．回路となる銅層／ニッケルあるいはニッケル合金か
らなる中間層／凸部となる銅層の三層からなる金属箔
と、接着を担う絶縁材と、銅層／インバー層／銅層から
なるクラッド板とを、回路となる銅層並びにクラッド板
を接着を担う絶縁材と接するように重ね加熱加圧して積
層一体化する工程 ｂ．次いで、凸部となる形状にエッチングレジストを形
成して、ニッケルあるいはニッケル合金からなる中間層
まで凸部となる銅層をアルカリエッチング液で選択的に
エッチング除去し、エッチングレジストを剥離除去し、
露出したニッケルあるいはニッケル合金からなる中間層
をエッチング除去した後、必要に応じて銅めっきを行う
工程 ｃ．次いで、回路となる形状にエッチングレジストを形
成して、回路となる銅層を選択的にエッチング除去し、
エッチングレジストを剥離除去する工程
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14002794A JPH085664A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 半導体装置用検査板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14002794A JPH085664A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 半導体装置用検査板とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH085664A true JPH085664A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15259255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14002794A Pending JPH085664A (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | 半導体装置用検査板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH085664A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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