DE69933645T2 - Laterale dünnschicht-soi-anordnung - Google Patents

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Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Halbleiter-auf-Isolator-(SOI)-Anordnungen, im Besonderen auf laterale Dünnschicht-SOI-Anordnungen, wie zum Beispiel MOSFETs und Dioden, welche sich für Hochspannungs- und Leistungsanwendungen eignen.
  • Bei Herstellung von Hochspannungs-Leistungsanordnungen müssen in Bereichen, wie zum Beispiel Durchbruchspannung, Größe, Leitungsverlusten sowie Herstellungsvereinfachung und Zuverlässigkeit, typischerweise Abstriche und Kompromisse gemacht werden. Oftmals resultiert die Verbesserung eines Parameters, wie zum Beispiel der Durchbruchspannung, in der Verschlechterung eines anderen Parameters, wie zum Beispiel Leitungsverlusten. Idealerweise sollten sich solche Anordnungen durch hervorragende Charakteristiken in sämtlichen Bereichen bei einem Minimum an Betriebs- und Fertigungsnachteilen auszeichnen.
  • Verbesserungen gegenüber der SOI-Grundstruktur, bei welcher erhöhte Durchbruchspannungen erreicht werden, indem ein lineares Dotierungsprofil in dem Driftgebiet vorgesehen wird, sind in dem verwandten US-Patent 5 246 870 und dem US-Patent 5 412 241, beide mit der vorliegenden Anmeldung gemeinsam abgetreten, dargestellt. Bei diesen SOI-Anordnungen weist das Driftgebiet zwischen dem Kanal und dem Drain in einer lateralen MOS-Struktur verschiedene Merkmale auf, wie zum Beispiel einen reduzierten Teil und ein lineares, laterales Dotierungsprofil, wodurch sich Charakteristiken einer wesentlich erhöhten Durchbruchspannung ergeben. Zudem ist über einem Feldoxid eine obere Feldplatte einer im Wesentlichen konstanten Dicke vorgesehen, damit die zweifache, leitfähige Ladung in dem Driftgebiet untergebracht werden kann, wodurch Leitungsverluste verringert werden, ohne dabei die Durchbruchspannung zu reduzieren. Um jedoch eine hohe Durchbruchspannung aufrechtzuerhalten, muss die gesamte Menge der Ladung durch Leitung nahe der Sourceseite des Driftgebiets sehr klein gehalten werden, wodurch sich eine Engstelle für den Stromfluss ergibt und eine optimale Reduzierung von Leitungsverlusten verhindert wird.
  • Eine weitere Verbesserung gegenüber der SOI-Grundstruktur ist in US-Patent 5 648 671, ebenfalls mit der vorliegenden Anmeldung gemeinsam abgetreten, dargestellt. Dieses Patent zeigt eine laterale Dünnschicht-SOI-Anordnung mit einem sich linear ändernden Feldoxidbereich und einem linearen Dotierungsprofil, wobei es sich um Merkmale handelt, die dazu dienen, Leitungsverluste zu reduzieren, ohne dabei die Durchbruchspannung zu verringern. Eine weitere verbesserte Dünnschichtanordnung für hohe Spannungen ist in WO-Patentanmeldung WO99/34449 offenbart, welche unter die Bestimmungen von Artikel 54(3)EPÜ fällt, mit der vorliegenden Erfindung gemeinsam abgetreten und von dem Erfinder der vorliegenden Erfindung mit erfunden wurde. Diese Anmeldung offenbart eine weitere Technik zur Verbesserung solcher Anordnungen, wonach ein stufenförmiger Oxidbereich mittlerer Dicke verwendet wird, um die Stromführungsfähigkeit zu erhöhen und dabei eine hohe Durchbruchspannung aufrechtzuerhalten, und offenbart ebenfalls eine Anordnung gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1 der vorliegenden Erfindung.
  • Obgleich alle zuvor erwähnten Strukturen eine Verbesserung gegenüber SOI-Standardstrukturen bieten, haben sie noch immer den Nachteil, dass sie bei hohen Strompegeln in dem Source-Folger-Modus nicht effektiv und leistungsstark arbeiten können, wobei während des Betriebs auf einen „Source-High"-Vorspannungszustand getroffen werden kann und eine hohe Durchbruchspannung in einer Anordnung aufrechtzuerhalten ist, welche ebenfalls hohe Strompegel verarbeiten muss.
  • Infolgedessen wäre es wünschenswert, eine laterale Dünnschicht-SOI-Anordnung der oben beschriebenen Art vorzusehen, bei welcher jedoch der Betrieb, und insbesondere der Betrieb einer MOSFET-Anordnung in dem Source-Folger-Modus, verbessert wird, indem der zulässige Sättigungsstromfluss signifikant erhöht und der Einschaltwiderstand der Bauelementstruktur reduziert und dabei eine hohe Durchbruchspannung aufrechterhalten wird.
  • Der Erfindung liegt daher als Aufgabe zugrunde, eine laterale Dünnschicht-SOI-Anordnung vorzusehen, welche imstande ist, auf Grund eines Aufbaus, der in einem signifikanten Anstieg des Sättigungsstromflusses und einer Reduzierung des minimal erreichbaren, spezifischen Einschaltwiderstands der Bauelementstruktur resultiert, ohne die Durchbruchsspannungsfähigkeit der Anordnung zu beeinträchtigen, eine verbesserte Leistung, insbesondere eines MOSFETs im Source-Folger-Modus, vorzusehen. Diese Aufgaben werden gemäß der vorliegenden Erfindung durch eine laterale Dünnschicht-SOI-Anordnung mit einem Halbleitersubstrat, einer dünnen, vergrabenen Oxidisolationsschicht auf dem Substrat sowie einer, in einer dünnen Halbleiterschicht auf dem dünnen, vergrabenen Oxid vorgesehenen, lateralen Halbleiteranordnung erfüllt. Die dünne Halbleiterschicht weist einen ersten Bereich eines ersten Leitfähigkeitstyps, einen zweiten Bereich eines, zu dem ersten entgegengesetzten, zweiten Leitfähigkeitstyps, welcher von dem ersten Bereich durch einen lateralen Driftbereich des zweiten Leitfähigkeitstyps beabstandet ist, eine obere Oxidisolationsschicht über der dünnen Halbleiterschicht sowie eine leitende Platte auf der oberen Oxidisolationsschicht auf. Gemäß der vorliegenden Erfindung werden die oben erörterten Aufgaben erreicht, indem die obere Oxidisolationsschicht mit einem Schichtteil in Angrenzung an den ersten Bereich versehen wird, welcher, in einer Richtung von dem ersten Bereich zu dem zweiten Bereich, über eine Distanz, die um mindestens einen Faktor Fünf größer als eine maximale Dicke der oberen Oxidisolationsschicht ist, im Wesentlichen kontinuierlich an Dicke zunimmt, und der laterale Driftbereich mit einem Bereichsteil in Angrenzung an den ersten Bereich versehen wird, welcher in einer Richtung von dem ersten Bereich zu dem zweiten Bereich und über die gleiche Distanz ebenfalls im Wesentlichen kontinuierlich an Dicke abnimmt, wobei das Dotierungsniveau des lateralen Driftbereichs in einer Richtung von dem ersten Bereich zu dem zweiten Bereich um einen Faktor von mindestens 40 linear zunimmt. Eine solche Konfiguration sieht einen wesentlich dickeren Halbleiterschichtbereich in Angrenzung an den ersten Bereich und ebenfalls eine wesentlich dünnere, obere Oxidisolationsschicht in diesem Bereich vor. Zudem verhindert eine solche Bauelementkonfiguration scharfe Ecken und steile Schrägen in der Oxid- und Halbleiterfilmschicht in diesem Bereich. Diese Merkmale resultieren in Kombination in den oben erörterten Leistungsvorteilen, welche im Source-Folger-Betrieb von MOSFET-Anordnungen von besonderer Bedeutung sind.
  • In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist die SOI-Anordnung durch eine MOSFET-Anordnung dargestellt, während in einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung die Anordnung eine Diode sein kann, wobei die Merkmale der Erfindung in Folge eines reduzierten Durchlassspannungsabfalls bei einem bestimmten Strom eine verbesserte Leistung vorsehen (wodurch Leitungsverluste verringert werden) und ebenfalls die Diodendurchbruchspannung erhöhen können.
  • In weiteren bevorzugten Ausführungsbeispielen der Erfindung können die oben beschriebenen Zunahmen und Abnahmen der Dicke entweder linear oder nicht linear, wie zum Beispiel gemäß einer Quadratwurzelfunktion, stattfinden.
  • Somit bieten SOI-Anordnungen gemäß der Erfindung insofern eine signifikante Verbesserung, als die hohe Strom- und hohe Spannungsbelastbarkeit wesentlich verbessert werden, und dass insbesondere der Source-Folger-Betrieb von MOSFET-Anordnungen eine wesentliche Verbesserung erfährt.
  • Diese und weitere Aspekte der vorliegenden Erfindung gehen aus den nachfolgend beschriebenen Ausführungsbeispielen hervor und werden in diesen erläutert. Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im Folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
  • 1 – einen vereinfachten Querriss einer lateralen SOI-MOSFET-Anordnung;
  • 2 – einen vereinfachten Querriss eines Teils einer lateralen MOSFET-Anordnung der Erfindung; sowie
  • 3 – einen vereinfachten Querriss einer lateralen SOI-Diodenanordnung der Erfindung.
  • Halbleiterbereiche vom gleichen Leitfähigkeitstyp sind in der Zeichnung im Allgemeinen in der gleichen Richtung schraffiert. Es sei erwähnt, dass die Figuren nicht maßstabsgetreu dargestellt sind.
  • Eine laterale Dünnschicht-SOI-MOSFET-Struktur 10 ist in vereinfachtem Querschnitt in 1 dargestellt. Diese Struktur weist ein Halbleitersubstrat 100, typischerweise aus n-leitendem Siliciummaterial, mit einer Dotierungskonzentration von 108–1020 At/cm3 auf, auf welchem eine dünne, vergrabene Oxidisolationsschicht 102, typischerweise eine Siliciumoxidschicht mit einer Dicke zwischen etwa 0,1 Mikrometer und 5,0 Mikrometer, vorgesehen ist. In der dargestellten Anordnung kann die Isolationsschicht 102 vorteilhafterweise eine Dicke im Bereich von 2–3 Mikrometer aufweisen.
  • Eine dünne Halbleiterschicht 104 ist auf der Isolationsschicht 102 vorgesehen und weist eine Dicke im Bereich von etwa 0,1–2,0 Mikrometer auf, wobei eine laterale Halbleiteranordnung, in diesem Fall ein MOSFET, in der dünnen Halbleiterschicht 104 vorgesehen ist. In dem in 1 dargestellten Ausführungsbeispiel weist die dünne Halbleiterschicht 104 einen ersten Bereich 106, in diesem Fall vom p-Leitfähigkeitstyp und mit einem Dotierungsniveau von etwa 1017 At/cm3, auf, welcher als Kanalbereich der Anordnung dient. Ein Drain der Anordnung wird durch einen zweiten Bereich 108, in diesem Fall vom n-Leitfähigkeitstyp und mit einem Dotierungsniveau von etwa 1018 At/cm3, gebildet. Der zweite Bereich 108 ist von dem ersten Bereich 106 durch einen lateralen Halbleiter- Driftbereich 110, hier vom n-Leitfähigkeitstyp und in diesem Beispiel mit einem im Wesentlichen linearen, lateralen Dotierungsprofil, mit einer Ladungskonzentration von etwa 1,0 × 1012 At/cm2 auf seiner linken (Kanal) Seite und einer Ladungskonzentration von etwa 2,0 × 103 At/cm2 auf seiner rechten (Drain) Seite, beabstandet.
  • Bei der Anordnung der vorliegenden Erfindung steigt das Dotierungsniveau des lateralen Driftbereichs um einen Faktor von mindestens 40 linear an.
  • Bei dem MOSFET von 1 weist die dünne Halbleiterschicht 104 zusätzlich einen dritten Bereich 116 vom n-Leitfähigkeitstyp auf, welcher neben dem ersten Bereich 106 auf einer, von dem lateralen Driftbereich 110 entfernten Seite angeordnet ist. Dieser dritte Bereich, der den Sourcebereich von MOSFET-Transistor 10 bildet, kann ein Dotierungsniveau aufweisen, welches im Wesentlichen diesem des zweiten Bereichs 108 (der den Drainbereich der MOSFET-Anordnung bildet), in diesem Beispiel etwa 1018 At/cm3, entspricht. Darüber hinaus erstreckt sich eine leitende Feldplatte 114 auf der oberen Oxidisolationsschicht 112 über den Kanalbereich 106 und parallel zu diesem, um eine Gateelektrode der MOSFET-Anordnung zu bilden. Der Teil der leitenden Feldplatte 114, welcher sich über den Kanalbereich 106 und parallel zu diesem erstreckt, ist in 1 durch die Bezugsziffer 114a gekennzeichnet und von der Halbleiterschicht 104 durch einen dünnen Teil 112a der oberen Oxidisolationsschicht 112, welcher ein Gateoxid bildet und eine konstante Dicke aufweist, in diesem Fall etwa 0,1 Mikrometer oder weniger, isoliert.
  • Die obere Oxidisolationsschicht 112 ist über der dünnen Halbleiterschicht 104 vorgesehen und weist über einem Teil des lateralen Driftbereichs 110 einen im Wesentlichen konisch zulaufenden Teil 112b auf, welcher im Anschluss an den ersten Bereich 106 bis zu dem zweiten Bereich 108 an Dicke zunimmt. In dem vorliegenden Beispiel variiert die Dicke der oberen Oxidisolationsschicht 112 von einem Minimum von etwa 0,05 Mikrometer in dem Bereich 112a in Angrenzung an den ersten Bereich 106 bis zu etwa 2 Mikrometer (in Abhängigkeit der Dicke von Schicht 104) in dem Bereich 112c in Angrenzung an den zweiten Bereich 108.
  • Vorteilhafterweise kann die maximale Dicke der oberen Oxidisolationsschicht 112 in dem Bereich 112c im Wesentlichen identisch mit der Dicke der dünnen, vergrabenen Oxidisolationsschicht 102 vorgesehen werden.
  • Bei der Anordnung von 1 (und direkt im Gegensatz zu der Struktur in US-Patent 5 648 671) nimmt der Teil der oberen Oxidisolationsschicht 112b in Angrenzung an den ersten Bereich 106 in einer Richtung von dem ersten Bereich zu dem zweiten Be reich 108 im Wesentlichen kontinuierlich an Dicke zu, indem seine Ober- und Unterseite über eine Distanz, die um mindestens einen Faktor Fünf größer als die maximale Dicke der oberen Oxidisolationsschicht ist, außen konisch zulaufen. Ebenso weist der laterale Driftbereich 110 als unmittelbares Ergebnis der sich verjüngenden Unterseite der oberen Oxidisolationsschicht 112 in dem Bereich 112b einen entsprechenden Bereichsteil 110a in Angrenzung an den ersten Bereich 106 auf, welcher in der Richtung von dem ersten Bereich zu dem zweiten Bereich eine entsprechende, im Wesentlichen kontinuierliche Abnahme der Dicke aufweist. Diese Verjüngung von sowohl der oberen Oxidisolationsschicht als auch des lateralen Driftbereichs erfolgt über eine Distanz, welche um mindestens einen Faktor Fünf größer als die maximale Dicke der dünnen Halbleiterschicht 104 ist. Obgleich es auf der Hand liegt, dass innerhalb des Anwendungsbereichs der vorliegenden Erfindung ein großer Bereich dimensionaler Werte in Erwägung gezogen wird, kann die dünne Halbleiterschicht 104 bei einer maximalen Dicke von etwa 2,0 Mikrometer des oberen Oxidisolationsschichtteils 112c eine maximale Dicke von etwa 1,5 Mikrometer aufweisen; in diesem Fall weist der laterale Driftbereich 110 eine Mindestdicke von etwa 0,45 Mikrometer auf seiner rechten Seite auf.
  • Die auf der Oberseite der oberen Oxidisolationsschicht 112 angeordnete, leitende Feldplatte 114 kann aus Polysilicium, Polysilicium und Metall oder anderen geeigneten, leitfähigen Materialien vorgesehen werden.
  • Elektrische Anschlüsse an die leitende Feldplatte 114 sowie die verschiedenen Halbleiterbereiche und das Substrat 100 werden auf konventionelle Weise, die Personen mit durchschnittlichem Fachwissen bekannt ist und infolgedessen hier nicht dargestellt oder näher beschrieben wird, vorgesehen.
  • Es liegt in dem ins Auge gefassten Anwendungsbereich der vorliegenden Erfindung, dass die Variation der Dicke der oberen Oxidisolationsschicht 112 und des lateralen Driftbereichs 110 auf unterschiedliche Weise, jedoch im Wesentlichen kontinuierlich, variieren kann. Somit nimmt diese Variation der Dicke bei der in 1 dargestellten Anordnung die Form einer im Wesentlichen linearen Variation an, wohingegen in dem vereinfachten Teilquerriss von 2 eine Anordnung 12 dargestellt ist, welche im Allgemeinen der in 1 dargestellten Anordnung gleicht, mit der Ausnahme, dass die Variation der Dicke bei den durch 110a und 112b gekennzeichneten Teilen als eine im Wesentlichen nicht lineare Variation, wie zum Beispiel eine Quadratwurzelfunktion, dargestellt ist. Die genaue Art und Weise der auszuwählenden Variation der Dicke ist, was für Personen mit durchschnittlichem Fachwissen auf der Hand liegt, eine Funktion der einzelnen, zu erreichenden Bauelementparameter.
  • Eine weitere Darstellung der Erfindung in Form einer lateralen Dünnschicht-SOI-Diodenstruktur 14 wird in dem vereinfachten Teilquerschnitt in 3 gezeigt. Diese Diodenstruktur gleicht den zuvor beschriebenen Strukturen, insbesondere 1, mit der Ausnahme, dass der Sourcebereich 116 eliminiert wurde und die leitende Feldplatte 114 einen Teil 114b aufweist, welcher den ersten Bereich 106, der in diesem Ausführungsbeispiel als Anode der Diodenanordnung dient, kontaktiert. Die Kathode der Anordnung wird durch den zweiten Bereich 108 gebildet; ansonsten gleicht die Anordnung der in 1 dargestellten und wird folglich nicht näher beschrieben. Wie bei den zuvor beschriebenen MOSFETs können die Variationen der Dicke der oberen Oxidisolationsschicht und des lateralen Driftbereichs entweder lineare (wie dargestellt) oder nicht lineare Variationen sein.
  • Anordnungen gemäß der vorliegenden Erfindung, wie zum Beispiel die in den 1-3 dargestellten, können unter Anwendung konventioneller Verfahrenstechniken, die Personen mit durchschnittlichem Fachwissen bekannt sind, vorgesehen werden. Somit kann zum Beispiel das lineare Dotierungsprofil in Bereich 110 unter Anwendung eines Verfahrens, wie zum Beispiel des in US-Patent 5 300 448 offenbarten, vorgesehen werden, während die konisch zulaufende, obere Oxidisolationsschicht 112 und der Driftbereich 110 unter Anwendung von LOCOS-Techniken, wie zum Beispiel den in WO 99/34449 beschriebenen, ausgebildet werden können.
  • Anordnungen gemäß der vorliegenden Erfindung bieten die Vorteile einer signifikanten Erhöhung des zulässigen Sättigungsstromflusses sowie einer Reduzierung des Einschaltwiderstands der Bauelementstruktur bei gleichzeitiger Verbesserung der Fähigkeit, eine hohe Durchbruchspannung aufrechtzuerhalten. Dieses wird erreicht, indem ein wesentlich dickerer Halbleiterschichtbereich in Angrenzung an den ersten Bereich und ebenfalls eine wesentlich dünnere, obere Oxidisolationsschicht in diesem Bereich vorgesehen wird. Darüber hinaus werden scharfe Ecken und steile Schrägen in diesem Bereich verhindert, indem die Halbleiterschicht und die obere Oxidisolationsschicht über eine im Wesentlichen laterale Distanz und im Wesentlichen kontinuierlich verjüngt werden, womit die Durchbruchspannung erhöht wird. Diese Merkmale resultieren in Kombination in einer wesentlich verbesserten Bauelementstruktur, welche sich durch die oben erörterten Leistungsvorteile auszeichnet.
  • Obgleich die vorliegende Erfindung insbesondere unter Bezugnahme auf mehrere Bauelementstrukturen dargestellt und beschrieben wurde, liegt es für Fachkundige auf der Hand, dass verschiedene Änderungen in Form und Detail vorgenommen werden können, ohne bei von dem Anwendungsbereich der Erfindung, wie in den beigefügten Ansprüchen definiert, abzuweichen.

Claims (8)

  1. Laterale Dünnschicht-Silicium-auf-Isolator-(SOI)-Anordnung (10) mit einem Halbleitersubstrat (100), einer dünnen, vergrabenen Oxidisolationsschicht (102) auf dem Substrat sowie einer, in einer dünnen Halbleiterschicht (104) auf dem dünnen, vergrabenen Oxid vorgesehenen, lateralen Halbleiteranordnung (10, 12, 14), wobei die dünne Halbleiterschicht einen ersten Bereich (106) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einen zweiten Bereich (108) eines, zu dem ersten entgegengesetzten, zweiten Leitfähigkeitstyps, welcher von dem ersten Bereich durch einen lateralen Driftbereich (110) des zweiten Leitfähigkeitstyps beabstandet ist, eine obere Oxidisolationsschicht (112) über der dünnen Halbleiterschicht sowie eine leitende Feldplatte (114) auf der oberen Oxidisolationsschicht aufweist, wobei die obere Oxidisolationsschicht einen Schichtteil (112b) in Angrenzung an den ersten Bereich aufweist, welcher in einer Richtung vom dem ersten Bereich zu dem zweiten Bereich über eine Distanz, die um mindestens einen Faktor Fünf größer als die maximale Dicke der dünnen Halbleiterschicht ist, im Wesentlichen kontinuierlich an Dicke zunimmt, und der laterale Driftbereich einen Bereichsteil (110a) in Angrenzung an den ersten Bereich aufweist, welcher in einer Richtung von dem ersten Bereich zu dem zweiten Bereich über die Distanz im Wesentlichen kontinuierlich an Dicke abnimmt, wobei das Dotierungsniveau des lateralen Driftbereichs in einer Richtung von dem ersten Bereich zu dem zweiten Bereich linear zunimmt, dadurch gekennzeichnet, dass das Dotierungsniveau um einen Faktor von mindestens 40 linear zunimmt.
  2. Laterale Dünnschicht-Silicium-auf-Isolator-(SOI) Anordnung nach Anspruch 1, wobei die Anordnung eine Diode (12) aufweist, die Feldplatte mit dem ersten Bereich verbunden ist, welcher eine erste Elektrode der Diode bildet, und der zweite Bereich eine zweite Elektrode der Diode bildet.
  3. Laterale Dünnschicht-Silicium-auf-Isolator-(SOI) Anordnung nach Anspruch 2, wobei die maximale Dicke der oberen Oxidisolationsschicht im Wesentlichen der Dicke der dünnen, vergrabenen Oxidisolationsschicht entspricht.
  4. Laterale Dünnschicht-Silicium-auf-Isolator-(SOI) Anordnung nach Anspruch 1, wobei die Anordnung einen MOSFET (10, 12) aufweist, die dünne Halbleiterschicht weiterhin einen dritten Bereich (116) des zweiten Leitfähigkeitstyps neben dem ersten Bereich auf einer, von dem lateralen Driftbereich entfernten Seite desselben aufweist, die leitende Feldplatte sich über den ersten Bereich erstreckt und von diesem isoliert ist, um eine Gateelektrode (114a) des MOSFETs zu bilden, und der dritte und zweite Bereich einen Source-(116) und einen Drain-(108) Bereich des MOSFETs bilden.
  5. Laterale Dünnschicht-Silicium-auf-Isolator-(SOI) Anordnung nach Anspruch 4, wobei die maximale Dicke der oberen Oxidisolationsschicht im Wesentlichen einer Dicke der dünnen, vergrabenen Oxidisolationsschicht entspricht.
  6. Laterale Dünnschicht-Silicium-auf-Isolator-(SOI) Anordnung nach Anspruch 1, wobei der Schichtteil der oberen Oxidisolationsschicht im Wesentlichen linear an Dicke zunimmt und der Bereichsteil des lateralen Driftbereichs im Wesentlichen linear an Dicke abnimmt.
  7. Laterale Dünnschicht-Silicium-auf-Isolator-(SOI) Anordnung nach Anspruch 1, wobei der Schichtteil der oberen Oxidisolationsschicht im Wesentlichen nichtlinear an Dicke zunimmt und der Bereichsteil des lateralen Driftbereichs im Wesentlichen nicht-linear an Dicke abnimmt.
  8. Laterale Dünnschicht-Silicium-auf-Isolator-(SOI) Anordnung nach Anspruch 7, wobei die nicht-lineare Weise eine Quadratwurzelfunktion aufweist.
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