DE69921603T2

DE69921603T2 - Antireflexionsbeschichtungszusammensetzung

Info

Publication number: DE69921603T2
Application number: DE69921603T
Authority: DE
Inventors: Yusuke Ogasa-gun TAKANO; Hatsuyuki Ogasa-gun TANAKA; Kiyofumi Izumiotsu-shi TAKANO; Yutaka Hashimoto
Original assignee: Clariant Finance BVI Ltd; Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Current assignee: DIC Corp; AZ Electronic Materials Japan Co Ltd
Priority date: 1998-06-03
Filing date: 1999-05-27
Publication date: 2005-11-03
Anticipated expiration: 2019-05-28
Also published as: MY117818A; EP1026208A4; EP1026208A1; EP1026208B1; JPH11349857A; JP3673399B2; CN1272864A; TW556048B; DE69921603D1; WO1999063010A1; CN1169884C; US6309789B1; KR20010022557A; KR100594708B1

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine reflexionsvermindernde Beschichtungszubereitung und insbesondere auf eine reflexionsvermindernde Beschichtungszubereitung zur Vermeidung einer Verminderung der strukturellen Maßgenauigkeit (Veränderung der Strukturbreite) infolge der in einem Photoresistfilm auftretenden Interferenz zwischen einfallendem und von der Photoresistoberfläche reflektiertem Licht mit dem von der Trägeroberfläche reflektierten Licht bei der photolithographischen Herstellung einer Struktur auf einem Photoresistfilm sowie auf ein Verfahren zur Herstellung einer Struktur durch Verwendung der genannten reflexionsvermindernden Zubereitung.
GRUNDLAGEN DER ERFINDUNG
Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen kommen lithographische Verfahren zur Anwendung, bei denen auf einem Träger, zum Beispiel auf einem Siliciumwafer, ein Photoresistfilm gebildet, selektiv mit aktinischen Strahlen belichtet und entwickelt wird, wobei auf dem Träger eine Resiststruktur entsteht.
In den letzten Jahren hatte die Technik der Herstellung immer feinerer Strukturmuster mittels lithographischer Verfahren rasche Fortschritte zu verzeichnen, um höhere Integrationsgrade bei LSI zu erreichen. Bei der Herstellung feinerer Strukturen wurden bei einer Vielfalt von Prozessen verschiedene Vorschläge für Belichtungsgeräte, Photoresists und reflexionsvermindernde Beschichtungen gemacht. Bei den Belichtungsgeräten wurden Verfahren vorgeschlagen, bei denen eine Lichtquelle für kürzerwelliges Licht Verwendung findet, die sich bei hochfeinen Strukturen als wirksam erweisen, nämlich Verfahren auf der Basis von tiefen UV-Strahlen wie KrF-Excimerlaser (248 nm), ArF-Excimerlaser (193 nm), Röntgen- oder Elektronenstrahlen. Einige dieser Verfahren kamen in der Praxis bereits zur Anwendung. Für die lithographischen Verfahren, die mit einem so kurzwelligen Licht arbeiten, werden hochempfindliche, chemisch amplifizierte Resists vorgeschlagen, die für kurzwellige Energiestrahlen geeignet sind (Offenlegungsschrift der japanischen Patentanmeldungen Nr. 209977/90, 19847/90, 206458/91, 211258/92 und 249682/93).
Das Verfahren, bei dem eine Quelle für so kurzwelliges Licht und chemisch amplifizierte Resists eingesetzt werden, wird durch in der Luft enthaltene säurebildende und basische Substanzen sowie durch den Wassergehalt der Atmosphäre merklich beeinträchtigt. Daher entsteht das Problem, dass die Strukturprofile bei längerem Stehen positiver Resists nach der Belichtung und bis zum Trocknen T-förmig verändert werden („T top") oder ein sogenanntes post exposure delay (PED) eintritt, wobei sich die Maße der Resiststrukturen verändern, je nachdem, wie lange die Resists stehengelassen wurden.
Wird eine Lichtquelle für kurzwelliges Licht und für Licht einer einzigen Wellenlänge verwendet, kommt es gewöhnlich an den Grenzflächen zwischen Photoresist und Träger sowie zwischen Photoresist und Atmosphäre zu einer Interferenz zwischen einfallendem und reflektiertem Licht und damit zu einem weiteren Problem (stehende Wellen, Mehrfachreflexion), so dass die Belichtungsstärke der Resistschicht verändert wird, was sich auf die Resiststruktur ungünstig auswirkt.
Um diesen PED-Effekt und/oder stehende Wellen zu verhindern wurde eine Methode zur Herstellung einer reflexionsvermindernden Beschichtung auf einem Photoresistfilm (ARCOR-Methode) vorgeschlagen. Üblicherweise wird als Material zur Herstellung einer reflexionsvermindernden Beschichtung bei der ARCOR-Methode eine in einem organischen Lösungsmittel, zum Beispiel in einem Lösungsmittel auf Halogengrundlage lösliche Zubereitung vorgeschlagen. In der letzten Zeit wurde eine große Zahl von Zubereitungen vorgeschlagen, die bei diesem Verfahren vorteilhaft zur Anwendung kommen können und in Resistentwicklerlösungen (wässrig-alkalischen Lösungen) löslich sind. Aber die hier vorgeschlagenen Zubereitungen eignen sich nicht zur Verhinderung des PED-Effekts und/oder stehender Wellen. Selbst wenn sich diese Probleme lösen lassen, werden andere Probleme entstehen.
So wird zum Beispiel in der Offenlegungsschrift der japanischen Patentanmeldung Nr. 188598/93 eine Zubereitung beschrieben, die sich mit einem wässrigen Entwickler entwickeln lässt und aus einer Fluorkohlenstoffverbindung, einem wasserlöslichen Polymerbindemittel und einem Amin besteht. Wenn jedoch auf einem Resistfilm eine reflexionsvermindernde Beschichtung aus dieser Zubereitung hergestellt wird, kann auf der Oberschicht der dabei entstehenden Resiststruktur nach der Entwicklung ein nicht entwickelter Rückstand zurückbleiben (nicht aufgeschlossene Schicht). Diese Erscheinung ist vermutlich darauf zurückzuführen, dass die Oberfläche des Resistfilms im Entwickler durch die Wechselwirkung zwischen Bestandteilen der reflexionsvermindernden Beschichtung und Resistbestandteilen wie Novolakharz und Naphthochinondiazid in Anwesenheit eines quaternären Ammoniumsalzes im Entwickler unlöslich gemacht wird. Ferner ist der Brechungsindex der reflexionsvermindernden Beschichtung aus dieser Zubereitung, die sich in einem wässrigen Entwickler entwickeln lässt und aus einer Fluorkohlenstoffverbindung, einem wasserlöslichen Polymerbindemittel und einem Amin besteht, weit von einem idealen Brechungsindex entfernt.
In der Offenlegungsschrift der japanischen Patentanmeldung Nr. 51523/94 wird eine Zubereitung aus verschiedenen wasserlöslichen, fluorhaltigen Verbindungen wie N-Propyl-N-(2-hydroxyethyl)-perfluoroctansulfonamid beschrieben, deren Wasserlöslichkeit mindestens 1 Gewichtsprozent beträgt. Wird diese Verbindung mit kurzwelligem Licht bestrahlt, so ist sie wegen mangelnder Maßhaltigkeit der Strukturen kaum zur Beschichtung verschiedener Resistmaterialien und verschiedener mit einem Stepper belichteter Träger geeignet.
In der Offenlegungsschrift der japanischen Patentanmeldung Nr. 118630/94 wird eine Beschichtungszubereitung für chemisch amplifizierte Resists vorgeschlagen, die aus einer wasserlöslichen, filmbildenden Komponente und einer protonenbildenden Substanz besteht. Bei dieser Beschichtungszubereitung besteht die Schwierigkeit, dass sie das PED-Problem nicht lösen kann, weil die reflexionsverhindernde Wirkung durch ihren hohen Brechungsindex zu stark abgeschwächt wird und weil ein schwach saures Ammoniumsalz als typisches Beispiel einer protonenbildenden Substanz die durch den chemisch amplifizierten Resist gebildete und auf der Oberfläche des Resists vorliegende Säure inaktiviert.
In der Offenlegungsschrift der japanischen Patentanmeldung Nr. 148896/94 wird eine Zubereitung aus einer wasserlöslichen, filmbildenden Komponente und einem fluorhaltigen Tensid beschrieben, wobei ein Poly(vinylpyrrolidon)-Homopolymer als bevorzugtes Beispiel für die wasserlösliche, filmbildende Komponente und ein fluorhaltiges, organisches Ammoniumsalz als bevorzugtes Beispiel für das fluorhaltige Tensid erwähnt wird. In der Offenlegungsschrift der japanischen Patentanmeldung Nr. 292562/96 wird eine Zubereitung beschrieben, die ein Harz auf Poly(vinylpyrrolidon)-Basis, ein fluorhaltiges Tensid und eine wasserlösliche Fluorverbindung eines fluorierten, aliphatischen Carbonsäureamids wie 2-Chlor-2,2-difluoracetamid enthält. Diese Zubereitungen eignen sich aber nur in beschränktem Maße zum Beschichten verschiedener Resistmaterialien und verschiedener Träger, zum Beispiel mit einem Stepper belichteter Träger, so dass das Problem besteht, dass es nur eine geringe Zahl aufzutragender Resistmaterialien oder nur wenige zu beschichtende Träger gibt oder dass die reflexionsvermindernde Beschichtungszubereitung in großen Mengen auf den Träger aufgebracht werden muss. Außerdem lässt sich das PED-Problem in chemisch amplifizierten Resists mit diesen Zubereitungen nicht lösen.
Die Erfinder stellten bereits früher fest, dass mit einer Zubereitung aus Perfluoralkylsulfonsäure, Monoethanolamin, Poly(vinylpyrrolidon), einem wasserlöslichen Alkylsiloxanpolymer und Wasser (Offenlegungsschrift der japanischen Patentanmeldung Nr. 291228/97, entsprechend EP-A-O 803 776) oder mit einer Kombination aus mindestens 2 Fluorverbindungen mit unterschiedlich langen Alkylketten und einer Sulfonylamidverbindung, die eine Perfluoralkylgruppe enthält (Offenlegungsschrift der japanischen Patentanmeldung Nr. 3001/98, eine reflexionsvermindernde Beschichtungszubereitung mit niedrigem Brechungsindex und hervorragender Beschichtungsstabilität hergestellt werden kann. Bei diesen Zubereitungen entsteht jedoch das Problem, dass es auf mit einem Stepper belichteten Trägern (z. B. „Logic IC") zu streifenförmigen Beschichtungsfehlern kommt.
Im US-Patent 5,514,526 wird eine wässrige Zubereitung zur Herstellung eines reflexionsvermindernden Films auf einer Resistfläche beschrieben, die aus einer wasserlöslichen Fluorverbindung besteht, die mindestens Perfluoralkylalkohol-Ethylenoxid-Addukte, Perfluoralkylsulfonsäuren und deren Salze, Perfluoralkylsulfonamide und ein wasserlösliches Polymer wie Polyvinylpyrrolidon oder Polyacrylsäure enthält.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist demnach die Bereitstellung einer reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung, bei der die oben beschriebenen Probleme nicht auftreten, sowie ein Verfahren zur Herstellung einer Struktur mit dieser Zubereitung, also die Herstellung einer reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung und ein Verfahren zur Herstellung einer Struktur mit dieser Zubereitung, wobei diese in der Lage ist, PED-Effekt, stehende Wellen und Mehrfachreflexion zu vermeiden, und sich für die Beschichtung verschiedener Resistmaterialien und verschiedener Träger hervorragend eignet, in kleinen Mengen aufgetropft werden kann und keine Beschichtungsfehler hervorruft, auch nicht auf Trägern, die mit einem Stepper belichtetet wurden.
OFFENLEGUNG DER ERFINDUNG
Aufgrund ihrer eifrigen Bemühungen um die Lösung der obigen Probleme stellten die Erfinder fest, dass sich diese Probleme durch Verwendung einer reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung lösen lassen, die mindestens die unter (A), (B), (C), (D) und (E) aufgeführten Komponenten enthält und einen pH-Wert von 1,3 bis 3,3 hat. Auf diese Weise wurde die vorliegende Erfindung abgeschlossen.
Demnach besteht die erste Erfindung in der Bereitstellung einer reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung, die mindestens die unter (A), (B), (C), (D) und (E) aufgeführten Komponenten enthält und einen pH-Wert von 1,3 bis 3,3 hat.

(A) Perfluoralkylsulfonsäure der allgemeinen Formel C_nF_2n+1SO₃H (I)in der n eine ganze Zahl von 4 bis 8 ist,
(B) organisches Amin,
(C) wasserlösliches Polymer,
(D) Perfluoralkylsulfonamid der allgemeinen Formel C_nF_2n+1SO₂NH₂ (II)in der n eine ganze Zahl von 1 bis 8 ist, und
(E) Wasser.

Die zweite Erfindung besteht in der Bereitstellung der bei der ersten Erfindung beschriebenen reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung, wobei das organische Amin Monoethanolamin ist.
Die dritte Erfindung besteht in der Bereitstellung der bei der ersten oder zweiten Erfindung beschriebenen reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung, wobei das wasserlösliche Polymer Poly(vinylpyrrolidon) und/oder Poly(acrylsäure) ist.
Die vierte Erfindung besteht in der Bereitstellung der bei der ersten, zweiten oder dritten Erfindung beschriebenen reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung, wobei das Gewichtsverhältnis von Perfluoralkylsulfonsäure (A), organischem Amin (B), wasserlöslichem Polymer (C) und Perfluoralkylsulfonamid (D) in der Zubereitung so eingestellt ist, dass (A):(B):(D) = (2,0–7,0):(0,1–1,0):(0,01–2,0) ist, sofern der Anteil des wasserlöslichen Polymers (C)1 beträgt.
Die fünfte Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Strukturen, das aus dem Aufbringen der bei der ersten bis vierten Erfindung beschriebenen reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung auf einen Photoresistfilm und erforderlichenfalls im Erwärmen des Films besteht.
Ein allgemeines Verfahren zur Bildung einer Resiststruktur nach der ARCOR-Methode besteht zum Beispiel aus folgenden Schritten: Aufbringen einer Photoresistzubereitung auf einen Halbleiterträger, erforderlichenfalls Trocknen des gebildeten Photoresistfilms, erforderlichenfalls Aufbringen einer reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung auf den genannten Photoresistfilm, erforderlichenfalls Trocknen des genannten Photoresistfilms und der genannten reflexionsvermindernden Beschichtung nach der Belichtung, Belichten des genannten Photoresists und der reflexionsvermindernden Beschichtung durch eine Maske nach einem vorgegebenen Muster, erforderlichenfalls Trocknen nach der Belichtung (PEB) und Entwicklung des genannten Photoresists und der reflexionsvermindernden Beschichtung mit einer wässrig-alkalischen Lösung.
Zunächst wird die Perfluoralkylsulfonsäure als Komponente (A) in der erfindungsgemäßen reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung zur Herabsetzung des Brechungsindexes der reflexionsvermindernden Beschichtung verwendet.
Um mit der ARCOR-Methode ganz allgemein hervorragende reflexionsvermindernde Eigenschaften zu erzielen, müssen bestimmte Voraussetzungen erfüllt sein, wie sie zum Beispiel in den folgenden Formeln 1 und 2 dargestellt werden: Formel 1
in der n_tarc der Brechungsindex einer reflexionsvermindernden Beschichtung und n_resist der Brechungsindex eines Resists ist.
Formel 2
dtarc = x·λ/4ntarc in der d_tarc die Dicke einer reflexionsvermindernden Beschichtung, λ die Wellenlänge eines Energiestrahls und x eine ungerade, ganze Zahl ist.
Wie aus diesen Formeln hervorgeht, hängen die reflexionsvermindernden Eigenschaften von den Brechungsindices einer reflexionsvermindernden Beschichtung und eines Resists bei der Wellenlänge der verwendeten Lichtquelle und von der Dicke der reflexionsvermindernden Beschichtung ab. Innerhalb des Bereichs, in dem die obigen Bedingungen erfüllt sind, muss der Brechungsindex der reflexionsvermindernden Beschichtung niedriger sein als der Brechungsindex des Resists.
Bekanntlich lässt eine Fluoratom-haltige Verbindung auf einen niedrigen Brechungsindex schließen, was auf das große Molvolumen und den niedrigen Brechungsindex des Fluoratoms zurückzuführen ist, und ihr Brechungsindex ist beinahe proportional zum Fluorgehalt der Verbindung. Die Verbindung der obigen allgemeinen Formel C_nF_2n+1SO₃H ist als fluorhaltige Verbindung mit einem niedrigen Brechungsindex wirksam und lässt sich mit einem wässrigen Entwickler entwickeln, der bevorzugt zum Nachweis einer reflexionsvermindernden Wirkung herangezogen wird. Ohne die Perfluoralkylsulfonsäure der allgemeinen Formel C_nF_2n+1SO₃H hat die Beschichtung einen höheren Brechungsindex und bietet keinen ausreichenden Schutz gegen stehende Wellen und Mehrfachreflexion, was zu einer Beeinträchtigung der Maßgenauigkeit des Resists führt.
Nach den Beobachtungen der Erfinder verleiht die Perfluoralkylsulfonsäure (C_nF_2n+1SO₃H) der Beschichtung im Zeitverlauf je nach Kettenlänge der Perfluoralkyl (C_nF_2n+1 = R_f)-Gruppe im Molekül eine im Zeitverlauf unterschiedliche Stabilität. Wird eine langkettige R_f-Gruppe zur Erhöhung des Fluorgehalts im Molekül der Perfluoralkylsulfonsäure verwendet, kommt es mit der Zeit zum Kristallisieren der R_f-Gruppe und damit zum fatalen Problem einer Trübung und Rissbildung in der Beschichtung. Verwendet man hingegen eine kurzkettige R_f-Gruppe, steigt der Brechungsindex der damit hergestellten Beschichtung, und die angestrebte reflexionsvermindernde Wirkung kommt nicht zustande. Unter diesen Umständen ist eine Verbindung zu verwenden, bei der n als Kettenlänge der R_f-Gruppe in der Formel C_nF_2n+1SO₃H 4 bis 8 ist. Bevorzugt werden die Verbindung mit n = 7 und/oder 8 und mindestens eine unter den Verbindungen mit n = 4 bis 6 ausgewählte Verbindung gleichzeitig verwendet, mehr bevorzugt werden die Verbindung mit n = 7 und/oder 8, die Verbindung mit n = 6 und die Verbindung mit n = 4 und/oder 5 gleichzeitig verwendet. Die R_f-Gruppe kann geradkettig oder verzweigt sein. Wenn Verbindungen mit unterschiedlich langen R_f-Ketten gleichzeitig verwendet werden, kommt gewöhnlich folgendes Mischungsverhältnis zur Anwendung, das jedoch von der angestrebten reflexionsvermindernden Wirkung, den verwendeten Resistmaterialien und der Wellenlänge der Lichtquelle abhängt: (Verbindung mit n = 7 und/oder 8):(mindestens eine unter den Verbindungen mit n = 4 bis 6 ausgewählte Verbindung) = 99:1 bis 1:99, bevorzugt 80:20 bis 20:80, und (Verbindung mit n = 7 und/oder 8):(Verbindung mit n = 6):(Verbindung mit n = 4 und/oder 5) = (10 bis 95) (4 bis 80):(1 bis 70), bevorzugt (20 bis 80):(20 bis 60):(5 bis 50), mehr bevorzugt (40 bis 65):(20 bis 45):(5 bis 30), als Gewichtsverhältnis ausgedrückt.
Das als Komponente (B) bezeichnete organische Amin in der erfindungsgemäßen reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung ist für die Einstellung des pH-Werts der Beschichtungszubereitung auf einen optimalen Bereich und für die Bildung einer gleichförmigen Beschichtung auf verschiedenen Resists oder Trägern wichtig. Das organische Amin unterliegt keinen besonderen Einschränkungen, da es sich um eine üblicherweise verwendete und in Fachkreisen bekannte organische Aminverbindung handelt. Zu den Beispielen für organische Amine gehören Monomethylamin, Dimethylamin, Trimethylamin, Monoethylamin, Diethylamin, Triethylamin, n-Propylamin, Isopropylamin, n-Butylamin, tert.Butylamin, Di(n-butyl)amin, Ethylendiamin, Diethylendiamin, Tetraethylentriamin, Cyclohexylamin, Monoethanolamin, Diethanolamin, Triethanolamin und Propanolamin. Ferner gehören zu den organischen Aminen organische Ammoniumverbindungen wie Tetramethylammoniumhydroxid und Tetraethylammoniumhydroxid. Selbstverständlich ist die Erfindung nicht durch diese Beispiele eingeschränkt.
Im Hinblick auf die Lösung des PED-Problems, die Aufrechterhaltung eines niedrigen Brechungsindexes, die Kompatibilität mit anderen Komponenten der Zubereitung und die Stabilität der Beschichtung im Zeitverlauf sind Alkanolamine wie Monoethanolamin, Diethanolamin, Triethanolamin und Propanolamin die bevorzugten organischen Amine, wobei Monoethanolamin mehr bevorzugt wird.
Es zeigte sich, dass die Einstellung der reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung auf einen pH-Bereich von 1,3 bis 3,3 mit dem organischen Amin das PED-Problem löst, die Herstellung von Beschichtungen ermöglicht, die für Resists mit verschiedenen strukturierten Oberflächen oder aus unterschiedlichen Materialien geeignet sind und eine langfristige Stabilität der Beschichtung herbeiführt. Liegt der pH-Wert der reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung außerhalb dieses Bereichs, so lässt sich kaum eine dieser Eigenschaften erreichen.
Das als Komponente (C) bezeichnete wasserlösliche Polymer in der erfindungsgemäßen reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung führt nach einem gleichförmigen Auftrag der genannten Zubereitung auf die Oberfläche des Resistfilms zur Bildung einer im Zeitverlauf stabilen Beschichtung. Als wasserlösliches Polymer kann jedes beliebige üblicherweise verwendete und in Fachkreisen bekannte wasserlösliche Polymer zur Anwendung kommen, sofern seine Wasserlöslichkeit mindestens 0,1 Gewichtsprozent beträgt. Zu den Beispielen für solche wasserlösliche Polymere gehören Homopolymere oder Copolymere, die als Monomerbausteine hydrophile Gruppen wie Vinylalkohol, (Meth)acrylsäure, 2-Hydroxyethyl(meth)acrylat, 4-Hydroxybutyl(meth)acrylat, Glycosiloxyethyl(meth)acrylat, Vinylmethylether, Vinylpyrrolidon, Ethylenglycol und Glucose enthalten. Zu erwähnen sind ferner die in den Offenlegungsschriften der japanischen Patentanmeldungen Nr. 110199/94, 234514/95, 50129/97, 90615/97 und 17623/98 beschriebenen und als reflexionsvermindernde Beschichtungsstoffe verwendeten wasserlöslichen, fluorhaltigen Polymere. Selbstverständlich ist die Erfindung nicht durch diese Beispiele eingeschränkt.
Das als Komponente (C) bezeichnete wasserlösliche Polymer kann mit jedem beliebigen Verfahren hergestellt werden. Sein Herstellungsverfahren unterliegt keinen besonderen Einschränkungen. Der Einbau der hydrophilen Gruppe in das wasserlösliche Polymer kann mit jeder beliebigen Polymerisationsmethode erfolgen, zum Beispiel durch Blockpolymerisation, Emulsionspolymerisation, Suspensionspolymerisation oder Lösungspolymerisation der hydrophilen Gruppe entsprechend dem jeweiligen Polymerisationsmechanismus wie Radikalkettenpolymerisation, anionische und kationische Polymerisation oder alternativ durch ein Verfahren, bei dem ein von hydrophilen Gruppen freies Polymer hergestellt und dann mit einer hydrophilen Gruppe substituiert wird. Diese Methoden können auch kombiniert werden.
Im Hinblick auf ihre Eignung für die Beschichtung unterschiedlich strukturierter Resistoberflächen und verschiedener Resists, auf die Stabilität der Beschichtung im Zeitverlauf, die Maßhaltigkeit des Resists, den niedrigen Brechungsindex und die Wasserlöslichkeit nach dem Trocknen bei hohen Temperaturen (150 bis 160°C) werden Poly(vinylpyrrolidon) und/oder Poly(acrylsäure) bevorzugt als wasserlösliches Polymer verwendet.
Die massegemittelte Molekülmasse des wasserlöslichen Polymers beträgt bevorzugt 1000 bis 10000, mehr bevorzugt 2000 bis 5000. Bei einem Molekulargewicht unter 1000 ist kaum eine gleichförmige Beschichtung herzustellen, und auch die langfristige Stabilität der Beschichtung ist beeinträchtigt. Bei einem Molekulargewicht über 10000 kommt es beim Beschichten zum Fadenziehen, und die Beschichtung breitet sich auf der Resistoberfläche nur schlecht aus, so dass sich mit einer geringen Menge der Zubereitung keine gleichförmige Beschichtung herstellen lässt.
Das in der reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung als Komponente (D) bezeichnete Perfluoralkylsulfonamid der Formel C_nF_2n+1SO₂NH₂, in der n für eine ganze Zahl von 1 bis 8 steht, ist in der vorliegenden Erfindung die typischste Komponente. Durch die Verwendung dieser Verbindung in der Zubereitung eignet sich diese für die Beschichtung unterschiedlich strukturierter Resistoberflächen und verschiedener Resists. Insbesondere lässt sich mit der Zubereitung eine gleichförmige Beschichtung herstellen, wenn sie in kleinen Mengen auf den Resist aufgetropft wird. Ferner zeigt sie auch bei Trägern, die mit einem Stepper belichtetet wurden, gute Beschichtungseigenschaften.
Das Perfluoralkylsulfonamid der obigen allgemeinen Formel ist eine Verbindung mit einer sehr geringen Wasserlöslichkeit (höchstens 0,05 %). Durch Einstellung des pH-Werts der Zubereitung, welche die genannte Perfluoralkylsulfonsäure enthält, auf einen Bereich von 1,3 bis 3,3 kann die Löslichkeit dieser Verbindung in der reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung auf ca. 1,5 % erhöht werden, so dass die Herstellung einer einheitlichen Beschichtungslösung nach ihrem Zusatz möglich ist. Wird das als Komponente (D) bezeichnete Perfluoralkylsulfonamid der reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung nach Einstellung des pH-Werts auf einen Bereich von 1,3 bis 3,3 zugesetzt, gehen die dynamische und die statische Oberflächenspannung der genannten Zubereitung zurück. Gleichzeitig kommt es zu einer Verbesserung der Benetzungseigenschaften der Beschichtungslösung gegenüber der Oberfläche verschiedener Resists. Dadurch wird die Eignung der Zubereitung für die Beschichtung von Trägern, die mit einem Stepper belichtetet werden, drastisch verbessert. Es entsteht eine gleichförmige, langfristig stabile Beschichtung, auch wenn die Zubereitung in kleinen Mengen aufgetropft wird. Ferner kann die Beschichtung nach der lithographischen Aufbereitung mit der bekannten und herkömmlichen wässrigen Entwicklung leicht wieder entfernt werden.
Zur Verringerung der dynamischen und statischen Oberflächenspannung der reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung und zur deutlichen Verbesserung ihrer Benetzungseigenschaften auf Resistoberflächen durch Verwendung von Perfluoralkylsulfonamid, muss ein Perfluoralkylsulfonamid verwendet werden, bei dem n in der R_f-Kette 1 bis 8 ist. Unter diesen Verbindungen werden C₆F₁₃SO₂NH₂, C₇F₁₅SO₂NH₂ oder C₈F₁₇SO₂NH₂ (n = 6, 7 oder 8) bevorzugt. C₆F₁₃SO₂NH₂ wird besonders bevorzugt. Perfluoralkylsulfonamide können alleine oder in Kombination eingesetzt werden.
Wasser als Komponente (E) in der erfindungsgemäßen reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung unterliegt keinen besonderen Einschränkungen, sofern es sich um Wasser handelt. Allerdings ist die Verwendung von Wasser vorzuziehen, aus dem organische Verunreinigungen und Metallionen durch Destillation, Behandlung mit einem Ionenaustauscher, Filtration und verschiedene Adsorptionstechniken entfernt wurden.
Zur Verbesserung der Beschichtungseigenschaften kann zusammen mit Wasser auch ein wasserlösliches organisches Lösungsmittel verwendet werden. Das wasserlösliche organische Lösungsmittel unterliegt keinen besonderen Einschränkungen, sofern es in einer Menge von mindestens 0,1 Gewichtsprozent gelöst ist. Zu den Beispielen für organische Lösungsmittel gehören Alkohole wie Methylalkohol, Ethylalkohol und Isopropylalkohol; Ketone wie Aceton und Methylethylketon; Ester wie Methylacetat und Ethylacetat; und polare Lösungsmittel wie Dimethylformamid, Dimethylsulfoxid, Methyl-Cellosolve, Cellosolve, Butyl-Cellosolve, Cellosolveacetat, Butylcarbitol und Carbitolacetat. Hier handelt es sich lediglich um einige Beispiele für organische Lösungsmittel. Die erfindungsgemäß verwendeten organischen Lösungsmittel sind nicht auf diese Lösungsmittel beschränkt.
Wie oben beschrieben, werden die Komponenten (A), (B), (C), (D) und (E) gleichzeitig in die reflexionsvermindernde Beschichtungszubereitung eingebracht, wodurch sich eine reflexionsvermindernde Beschichtungszubereitung herstellen lässt, die eine gleichförmige Beschichtung einer Vielfalt von Trägern durch Auftropfen einer geringen Menge dieser Zubereitung und die Erzielung einer hervorragenden reflexionsvermindernden Wirkung ermöglicht und wobei der Resist eine ausgezeichnete Maßhaltigkeit aufweist. Die Komponenten (A) bis (E) werden demnach als wichtige Bestandteile in die erfindungsgemäße Zubereitung eingebaut, wobei das dieser Erfindung zugrundeliegende Problem nicht nur durch die Wirkung jeder einzelnen Komponente, sondern auch durch den synergistischen Effekt der verschiedenen Komponenten zustande kommt.
Das Mischungsverhältnis der Komponenten (A), (B), (C) und (D) unterliegt bei der vorliegenden Erfindung keinen besonderen Einschränkungen, da der pH-Wert der reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung auf den Bereich von 1,3 bis 3,3 eingestellt wird und das Mischungsverhältnis unterschiedlich sein kann und von den vorgesehenen Resistmaterialien, Belichtungsgeräten, der vorgesehenen reflexionsvermindernden Wirkung und der Oberflächenstruktur des Trägers abhängt. Das bevorzugte Mischungsverhältnis zwischen Perfluoralkylsulfonsäure (A), organischem Amin (B) und Perfluoralkylsulfonamid (D) beträgt (2,0 bis 7,0):(0,1 bis 1,0):(0,01 bis 2,0) (als Gewichtsverhältnis ausgedrückt), sofern das wasserlösliche Polymer (C) 1 ist, mehr bevorzugt ist (A):(B):(D) = (3,0 bis 5,0):(0,15 bis 0,5):(0,12 bis 1,3) (als Gewichtsverhältnis ausgedrückt), sofern (C) 1 ist.
Als Resistmaterialien, auf welche die erfindungsgemäße reflexionsvermindernde Beschichtungszubereitung aufgetragen wird, kommen alle in Fachkreisen bekannten Materialien in Betracht. Besondere Einschränkungen sind nicht zu beachten. Zu den Beispielen für Resistmaterialien gehören positiv arbeitende Photoresists auf Basis eines Novolakharzes, das in einer wässrig-alkalischen Lösung löslich ist, und auf Basis eines Naphthochinondiazid-Derivats; ein chemisch amplifizierter, positiv arbeitender Resist aus einem mit einer Schutzgruppe zur Vermeidung einer Auflösung im alkalischen Entwickler und zur Freisetzung in Anwesenheit einer Säure teilsubstituierten Polyhydroxystyrol, einem photoaktivierbaren Säurebildner, der bei der Belichtung eine Säure bildet; ein negativ arbeitender Resist, der ein Binderpolymer, zum Beispiel ein Novolakharz, und ein photoaktivierbares Vernetzungsmittel wie Bisazid enthält; ein chemisch amplifizierter, negativ arbeitender Resist mit einem in Alkali löslichen Harz, zum Beispiel Poly(hydroxystyrol) oder Novolakharz als Binderpolymer, einem Vernetzungsmittel, zum Beispiel einem Melaminderivat zur Vernetzung in Anwesenheit einer Säure und einem photoaktivierbaren Säurebildner auf Triazinbasis, der bei der Belichtung eine Säure bildet.
Das Verfahren zur Bildung einer Resiststruktur unter Verwendung der genannten reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung in einem lithographischen Schritt bei der Halbleiterherstellung wird in folgendem Beispiel beschrieben:
Zuerst wird ein Photoresist mit einer vorher festgelegten Schichtdicke auf einen Halbleiterträger aufgeschleudert. Die darauffolgenden Schritte sind vom Anwender unter Berücksichtigung gewisser Bedingungen auszuwählen. In der Regel wird der Resist auf einer Heizplatte erwärmt. Je nachdem, welcher Resist Verwendung findet und wie das Auftragegerät angeordnet ist, kann dieser Trocknungsschritt auch entfallen. Danach wird die reflexionsvermindernde Beschichtungszubereitung mit einer vorher festgelegten Schichtdicke ebenso aufgeschleudert wie vorher der Photoresist. Soll bei diesem Schritt ein wasserlösliches Beschichtungsmaterial auf einen in hohem Maße hydrophoben Resistfilm aufgeschleudert werden, kann es zu Abstoßungserscheinungen oder zu einer radialen Ungleichförmigkeit der Beschichtung auf der Resistoberfläche im Allgemeinen kommen, oder bei der Herstellung einer Struktur auf dem Träger mittels eines Steppers kann vom Ende dieses Musters her eine streifenförmige Ungleichförmigkeit der Beschichtung entstehen. Durch die Verwendung der erfindungsgemäßen reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung lassen sich solche Beschichtungsmängel jedoch vermeiden.
Beim nächsten Schritt werden der Resist und die reflexionsvermindernde Beschichtung auf dem Resist getrocknet. Je nach den Gegebenheiten kann dieser Schritt auch entfallen. Erfolgt die Trocknung erst nach Bildung der reflexionsvermindernden Beschichtung, wird die Temperatur gewöhnlich nicht höher eingestellt als die Temperatur beim Trocknen des Resists alleine.
Anschließend wird der Resist und der reflexionsvermindernde Beschichtungsfilm in einem Belichtungsgerät nach einem vorher festgelegten Muster mit Licht durch eine Maske bestrahlt. Als Belichtungsgeräte kommen g-Line- und i-Line-Geräte oder Excimerlaser-Lichtquellen in Betracht. Die geeigneten Belichtungsgeräte sind jedoch nicht auf diese Beispiele beschränkt.
Nach dem Belichtungsschritt wird gewöhnlich zur Verbesserung des Resiststrukturprofils oder bei einem chemisch amplifizierten Resist zur Förderung der Reaktion eine Trocknung auf einer Heizplatte durchgeführt. Je nachdem, welche Resistzubereitung verwendet wird, kann diese Wärmebehandlung natürlich auch entfallen. Vor allem chemisch amplifizierte Resists können durch alkalische Bestandteile der Atmosphäre, in der sich der Resist nach der Belichtung befindet, beeinträchtigt werden, so dass es in manchen Fällen nach der Entwicklung zu einer Verschlechterung des Resiststrukturprofils kommt. Die Wirkung eines zu langen Stehenlassens des Resists nach der Entwicklung (post exposure delay, PED) kann durch die genannte, auf dem Resist gebildete reflexionsvermindernde Beschichtung vermieden werden.
Resist und reflexionsvermindernde Beschichtungen werden nach der Belichtung in einem Entwicklungsschritt zur Herstellung einer Resiststruktur mit einer wässrig-alkalischen Lösung (vielfach 2,38%iges, wässriges Tetramethylammoniumhydroxid) entwickelt.
Die vorliegende Erfindung wird natürlich durch diese spezifische Beschreibung nicht eingeschränkt.
Die erfindungsgemäße reflexionsvermindernde Beschichtungszubereitung kann in kleinen Mengen auf Resists aller Art, zum Beispiel auf Mehrzweckresists und chemisch amplifizierte Resists aufgetropft werden, und die auf diese Weise entstehende Beschichtung kann die Mehrfachreflexion wie auch den PED-Effekt wirksam hemmen und dem Resist eine hervorragende Maßhaltigkeit verleihen.
Im folgenden wird die Erfindung mit Hilfe von Beispielen und Vergleichsbeispielen näher erläutert, die jedoch nicht als Einschränkung der Erfindung zu verstehen sind. Wenn nicht anders angegeben, bezieht sich die Bezeichnung „Teile" auf Gewichtsteile.
Beispiel 1
1,0 Teile Poly(vinylpyrrolidon) mit einem Gewichtsmittel von 3000, 4,0 Teile C₈F₁₇SO₃H, 0,35 Teile Monoethanolamin und 0,1 Teile C₆F₁₃SO₂NH₂ wurden unter Erwärmen auf 70°C in 94,55 Teilen reinem Wasser gleichmäßig gelöst. Die Lösung wurde auf Raumtemperatur (23°C) abgekühlt und auf ihre Einheitlichkeit geprüft. Dann wurde sie zur Herstellung einer reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung durch ein 0,05-μm-Filter filtriert. Der pH-Wert dieser reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung betrug bei 23°C 1,63. Tabelle 1 zeigt die statische und dynamische Oberflächenspannung der dabei entstandenen reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung und den Kontaktwinkel nach dem Auftropfen der genannten Zubereitung auf die Resistoberfläche.
Statische und dynamische Oberflächenspannung sowie Kontaktwinkel wurden mit den folgenden Messverfahren bestimmt:
Statische Oberflächenspannung:
Die statische Oberflächenspannung wurde bei 23°C mit einer automatischen elektronischen Gleichgewichts-Oberflächenspannungswaage ESB-IV (Kyowa Kagaku K. K.) nach der Wilhelmyschen Plattenmethode unter Verwendung einer Platinplatte bestimmt.
Dynamische Oberflächenspannung:
Die Bestimmung der dynamischen Oberflächenspannung erfolgte durch Ermittlung der Hysterese der Oberflächenspannung unter der Wirkung von 10 aufeinanderfolgenden Veränderungen der Lösungsfläche von 20 auf 80 cm² (10 sec/Zyklus) bei 23°C mit einer automatischen dynamischen Oberflächenspannungswaage DST-A1 (Kyowa Kaimen Kagaku K. K.). Insbesondere wurde die durch die 10. Veränderung eintretende Hysterese als Oberflächenenergieverlust (10^–5 mJ) festgehalten.
Kontaktwinkel:
Der bei 23°C mit einem automatischen Kontaktwinkelmesser CA-Z (Kyowa Kaimen Kagaku K. K.) unmittelbar (ca. 2 bis 3 Sekunden) nach dem Auftropfen der reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung auf die Oberfläche eines Resists ermittelte Kontaktwinkel wurde festgehalten.
Beispiele 2 bis 15
Zur Herstellung der reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitungen in den Beispielen 2 bis 15 wurde Beispiel 1 mit den in den Tabellen 1 und 2 aufgeführten Substanzen in den angegebenen Mengen (Teilen) wiederholt. Die pH-Werte der dabei entstandenen reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitungen sind den Tabellen 1 und 2 zu entnehmen.
Statische und dynamische Oberflächenspannung sowie Kontaktwinkel der reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitungen wurden bei jedem Beispiel nach dem gleichen Verfahren bestimmt wie in Beispiel 1. Die hierbei erzielten Ergebnisse sind in den Tabellen 1 und 2 zusammengestellt.
Tabelle 1
Tabelle 2
Vergleichsbeispiele 2 bis 7
Zur Herstellung der reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitungen in Beispiel 15a und in den Vergleichsbeispielen 2 bis 7 wurde Beispiel 1 mit den in Tabelle 3 aufgeführten Substanzen in den angegebenen Mengen (Teilen) wiederholt. Die pH-Werte der dabei entstandenen reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitungen sind Tabelle 3 zu entnehmen.
Statische und dynamische Oberflächenspannung sowie Kontaktwinkel der reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitungen wurden bei jedem Vergleichsbeispiel nach dem gleichen Verfahren bestimmt wie in Beispiel 1. Die hierbei erzielten Ergebnisse sind in Tabelle 3 zusammengestellt.
Tabelle 3
Beispiel 16
Nach den im folgenden beschriebenen Bestimmungsmethoden wurden Beschichtungseigenschaften, Beschichtungsstabilität, Brechungsindex und lithographische Merkmale der in den Beispielen 1 bis 15 hergestellten reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitungen ermittelt. Die Ergebnisse sind in den Tabellen 4 und 5 zusammengestellt. Der in den Tabellen angegebene Brechungsindex wurde bei 248 nm bestimmt.
Bestimmung der Beschichtungseigenschaften:
AZ^® DX1100, ein chemisch amplifizierter, positiv arbeitender Resist (Clariant (Japan) K. K.) wurde nach dem Trocknen 0,75 μm dick auf einen mit HMDS behandelten 20,34-cm(8-Inch)-Siliciumwafer aufgebracht und zur Herstellung eines Trägers für die Bestimmung 60 Sekunden lang auf einer Heizplatte bei 110°C getrocknet. Dann wurde eine Probe einer reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung mit einem Resistbeschichtungsgerät LARC-ULTIMA 1000 (Lithoteck Ltd.) auf den Träger aufgetropft. Die kleinste, zur Bildung einer gleichförmigen Beschichtung des 20,34-cm(8 Inch)-Wafers erforderliche Menge der aufgetropften Zubereitung wurde durch Vergleich ermittelt.
In einem weiteren Schritt wurde der Resist AZ^® DX1100 auf einen 15,24-cm(6 Inch)-Träger mit einer 5·10^–7m (5 000 Å) hohen Siliciumoxid-Schicht aufgebracht und dann auf die gleiche Weise getrocknet wie bei dem oben beschriebenen Experiment. Auf diesen Träger wurde mit dem Resistbeschichtungsgerät LARC-ULTIMA 1000 (Lithoteck Ltd.) eine Probe einer reflexionsvermindernden Zubereitung aufgetropft. Nach dem Aufschleudern wurde die Beschichtung unter dem Mikroskop auf ihren Zustand geprüft.
Bestimmung der Beschichtungsstabilität:
Die zur Bestimmung der Beschichtungseigenschaften hergestellte Beschichtung wurde im Reinraum aufbewahrt und im Zeitverlauf auf ihren Zustand geprüft. Die Bestimmung der Beschichtungsstabilität erfolgte nach folgenden Kriterien:

A:: Kein Problem.
B:: Feine Nadelkristalle wurden festgestellt, die die Anwendung jedoch nicht beeinträchtigen.
C:: Ausfällung feiner Kristalle, die die Anwendung jedoch nicht beeinträchtigen.
D:: Beschichtung wegen Ausfällung von Kristallen nicht verwendbar.

Bestimmung des Brechungsindexes:
Eine Probe einer reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung wurde nach dem Trocknen mit dem Resistbeschichtungsgerät LARC-ULTIMA 1000 (Lithoteck Ltd.) 4,5·10^–8m (450 Å) dick auf einen 15,24-cm(6 Inch)-Siliciumwafer aufgebracht und dann 60 Sekunden lang bei 90°C auf einer Heizplatte getrocknet. Der Brechungsindex wurde zwischen 193 nm und 930 nm mit einem Spectral Eripsometer ES5G (Sopra Ltd.) bestimmt.
Bestimmung der lithographischen Merkmale:
AZ^® DX1100, ein chemisch amplifizierter, positiv arbeitender Resist (Clariant (Japan) K. K.) wurde nach dem Trocknen 0,75 μm dick auf einen mit HMDS behandelten 15,24-cm(6-Inch)-Siliciumwafer aufgebracht und 60 Sekunden lang auf einer Heizplatte bei 110°C getrocknet. Dann wurde eine Probe einer reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung auf den Resist bis zu einer ungefähren, vorher festgelegten Filmdicke nach dem Trocknen auf Basis der obigen Formeln 1 und 2 aufgebracht, auf einer Heizplatte 60 Sekunden lang bei 90°C getrocknet, mit dem KrF-Excimerlaser-Stepper NSR-2005 EX10B (Belichtungsgerät der Nikon K. K., NA: 0,55; σ: 0,55) belichtet, 90 Sekunden lang auf der Heizplatte bei 70°C nachgetrocknet und anschließend 60 Sekunden lang unter Verwendung des organischen Alkalientwicklers AZ^®300 MIF (von Clariant (Japan) K. K. hergestellte Entwicklerlösung) einer Puddle-Entwicklung unterzogen. Nach der Entwicklung wurde das Querschnittprofil der Struktur unter dem Rasterelektronenmikroskop S-4000 (K. K. Hitachi Seisakusho) betrachtet (in der Tabelle „Resiststrukturprofil").
In einem weiteren Schritt wurde der belichtete obige Wafer nach der Belichtung bis zur Nachtrocknung 12 Stunden lang stehengelassen und dann auf die gleiche Weise entwickelt. Der stabilisierende Einfluss auf den PED-Effekt (post exposure delay) wurde nach demselben Verfahren ermittelt (in der Tabelle „Profilverschlechterung durch PED").
Zur Bestimmung des Resiststrukturprofils und der Profilverschlechterung durch PED wurden folgende Kriterien herangezogen:

A:: Kein Problem.
B:: Tendenz zur Verstärkung der dunklen Erosion (DE), was die Anwendung jedoch nicht beeinträchtigt.
C:: Tendenz zur T-förmigen Verformung des Profils, was die Anwendung jedoch nicht beeinträchtigt.
D:: Dunkle Erosion (DE) zu groß.
E:: T-förmige Verformung des Resiststrukturprofils. Resist nicht brauchbar.

Tabelle 4
Tabelle 5
Vergleichsbeispiel 8
Beschichtungseigenschaften, Beschichtungsstabilität, Brechungsindex und lithographische Merkmale der in den Vergleichsbeispielen 2 bis 7 hergestellten reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitungen wurden wie in Beispiel 16 bestimmt. Die Ergebnisse sind in Tabelle 6 zusammengestellt.
Tabelle 6
Wie aus den Tabellen 4, 5 und 6 zu ersehen ist, treten bei den reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitungen in den Vergleichsbeispielen mindestens bei einem Kriterium (Beschichtungseigenschaften, Beschichtungsstabilität, Brechungsindex und lithographische Merkmale) Probleme auf, während sich die erfindungsgemäßen Zubereitungen in allen Punkten (Beschichtungseigenschaften, Beschichtungsstabilität, Brechungsindex und lithographische Merkmale) als überlegen erweisen. Daraus geht hervor, dass sich mit der vorliegenden Erfindung eine Zubereitung bereitstellen lässt, die problemlos verwendet werden kann.
WIRKUNGEN DER ERFINDUNG
Die erfindungsgemäße reflexionsvermindernde Beschichtungszubereitung kann in kleinen Mengen auf Resists aller Art gleichförmig aufgetropft werden, zum Beispiel auf Mehrzweckresists, chemisch amplifizierte Resists usw., unabhängig vom Oberflächenprofil des Trägers, für den sie bestimmt ist. Die auf diese Weise entstehende Beschichtung ist in der Lage, Mehrfachreflexion, stehende Wellen und PED-Probleme zu verhindern und eine Resiststruktur mit ausgezeichneter Maßhaltigkeit und hervorragendem Querschnittprofil zu bilden.

Claims

Reflexionsvermindernde Beschichtungszubereitung, die mindestens die folgenden Bestandteile (A), (B), (C), (D) und (E) enthält und einen pH-Wert von 1,3 bis 3,3 hat: (F) Perfluoralkylsulfonsäure der allgemeinen Formel C_nF_2n+1SO₃H (I)in der n eine ganze Zahl von 4 bis 8 ist, (G) organisches Amin, (H) wasserlösliches Polymer, (I) Perfluoralkylsulfonamid der allgemeinen Formel C_nF_2n+1SO₂NH₂ (II)in der n eine ganze Zahl von 1 bis 8 ist, und (J) Wasser.
Reflexionsvermindernde Beschichtungszubereitung gemäß Anspruch 1, wobei das organische Amin Monoethanolamin ist.
Reflexionsvermindernde Beschichtungszubereitung gemäß Anspruch 1, wobei das wasserlösliche Polymer Poly(vinylpyrrolidon) und/oder Poly(acrylsäure) ist.
Reflexionsvermindernde Beschichtungszubereitung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Gewichtsverhältnis von Perfluoralkylsulfonsäure (A), organischem Amin (B), wasserlöslichem Polymer (C) und Perfluoralkylsulfonamid (D) in der Zubereitung so eingestellt ist, daß (A):(B):(D) 2,0–7,0:0,1–1,0:0,01–2,0 ist, sofern der Anteil des wasserlöslichem Polymers (C)1 beträgt.
Verfahren zur Herstellung einer Struktur, das aus dem Aufbringen der in einem der Ansprüche 1 bis 4 beschriebenen reflexionsvermindernden Beschichtungszubereitung auf einen Photoresistfilm und erforderlichenfalls im Erwärmen des Films besteht.