DE69827292T2 - Anlage und verfahren zur herstellung eines einkristalls - Google Patents

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    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
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Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Verbesserung einer Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen, wobei die Vorrichtung zur Herstellung verschiedener Kristallmaterialien von Halbleitern, Dielektrikum, magnetischem Material und dergleichen mittels des Czochralski-Verfahrens dient.
  • Allgemeiner Stand der Technik
  • Zur Herstellung von Einkristallmaterialien, wie beispielsweise Halbleiter-Siliziumeinkristallen, sind bis heute Verfahren zum Erhalten dieser als stabförmige Einkristalle mittels des Czochralski-Verfahrens (hiernach als „CZ-Verfahren" bezeichnet) weitgehend verwendet worden.
  • Vorrichtungen zur Herstellung von Einkristallen, die für dieses CZ-Verfahren verwendet werden, beinhalten normalerweise einen Schmelztiegel zur Unterbringung einer Rohmaterialschmelze, die in einer Kammer angeordnet ist, eine Stützwelle zum Stützen des Schmelztiegels, einen Ziehmechanismus zum Ziehen eines Kristalls aus der Schmelze, einen Drehmechanismus zum Drehen des Schmelztiegels und einen Transfermechanismus zum vertikalen Bewegen des Schmelztiegels sowie Teile in einem Ofen, wie beispielsweise Heizvorrichtungen und wärmeisolierende Materialien, die in der Kammer angeordnet sind, so dass ein Einkristall hergestellt werden kann.
  • Es ist weitgehend bekannt, dass, wenn Kristallwachstum mittels dieses CZ-Verfahrens erzielt wird, zusätzlich zu jenen Bestandteilen, die ursprünglich in dem Rohmaterial enthalten waren, Bestandteile des Schmelztiegels, wie beispielsweise eines Quarzschmelztiegels zur Unterbringung des Rohmaterials für das Kristallwachstum, zum Beispiel Sauerstoff, in die daraus hervorgehenden Kristalle, gemischt werden.
  • Die Menge der Unreinheiten, die in den Kristall gemischt werden sollen, kann je nach Drehanzahl des gezogenen Kristalls, Drehanzahl des Schmelztiegels, Temperaturverteilung der Rohmaterialschmelze und dergleichen variieren. Das heißt, die Kristalldrehanzahl beeinflusst die Konvektion in der Schmelze, die Schmelztiegeldrehanzahl beeinflusst die Sauerstoffkonzentration selbst in der Schmelze und die Temperaturverteilung in der Rohmaterialschmelze beeinflusst die Konvektion in der Schmelze.
  • Da die Tiefe der Schmelze in dem Schmelztiegel allmählich abnimmt, wenn der Kristall wächst, muss zudem ausgearbeitet werden, dass die Schmelzoberfläche an einer fixierten Position auf diese Position geregelt werden sollte, um den Durchmesser des wachsenden Kristalls zu regeln, und es ist notwendig, den Schmelztiegel nach oben zu bewegen, um ein konstantes relatives örtliches Verhältnis zwischen der Schmelze und den Heizvorrichtungen zu gewährleisten wenn der Kristall wächst. Deshalb wurden viele herkömmliche Vorrichtungen zur Herstellung von Kristallen, basierend auf dem CZ-Verfahren, mit Funktionen zum Drehen einer Schmelztiegel stützenden Welle sowie vertikalem Bewegen des Schmelztiegels versehen. Insbesondere muss eine Drehantriebseinheit für die Schmelztiegel stützende Welle auch mit der Schmelztiegel stützenden Welle vertikal bewegt werden. Wie in 4 gezeigt, wurde in einer herkömmlichen Vorrichtung zum Herstellen von Einkristallen zum Beispiel die Schmelztiegeldrehantriebseinheit 26 auf einem Schieber 31 des Mechanismus 30 bereitgestellt, um den Schmelztiegel, der sich mit der Schmelztiegel stützenden Welle 4 vertikal bewegt, vertikal zu bewegen.
  • Bei einer derartigen herkömmlichen Vorrichtung, wie oben erwähnt, kann die Schmelzoberfläche vibriert werden. Derartige Vibration der Schmelzoberfläche kann zu Nachteilen führen, das heißt, der wachsende Einkristall kann ein Polykristall werden oder es wird sogar unmöglich, das Kristallwachstum fortzusetzen, wenn sich die Situation verschlimmert. Deshalb wurde die Ursache der Vibration untersucht, und es hat sich herausgestellt, dass die Vibration der Schmelztiegel stützenden Welle ihre Hauptursache ausmacht. Das heißt, Vibration wird durch Drehung eines Elektromotors, der die Antriebskraftquelle für die Schmelztiegeldrehung ist, erzeugt, diese Vibration wiederum vibriert den Mechanismus für vertikale Bewegung und diese Vibration wird über die Schmelztiegel stützende Welle und den Schmelztiegel auf die Schmelze übertragen.
  • SU 928 853A offenbart eine Czochralski-Kristallziehvorrichtung, die eine Vibrationsdämpfungskopplung, die zwischen der Schmelztiegelstange und der Antriebswelle verbunden ist, aufweist. Dieses Dokument des Stands der Technik spezifiziert jedoch nicht die Beschaffenheit einer derartigen Kopplung und schlägt keine anderen Mittel zur Abdämpfung von Vibration in dem Antriebsmechanismus selbst vor.
  • EP-A-0 499 471 zeigt eine Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen mittels des Czochralski-Verfahrens, wobei ein Motor zum Drehen des Schmelztiegels über ein Getriebe direkt mit der Schmelztiegel stützenden Welle verbunden ist, wobei der Motor auf einem Schieber, der sich mit dem Schmelztiegel und seiner stützenden Welle bewegt, montiert ist. Die vom Motor produzierte Vibration wird leicht auf die Schmelztiegel stützende Welle und daher auf den Schmelztiegel und seinen Inhalt übertragen.
  • Die vorliegende Erfindung wurde im Hinblick auf derartige Probleme durchgeführt, und ihr Ziel ist es, Mittel zur Absorbierung und Beseitigung der Vibration, die von der Schmelztiegeldrehantriebseinheit erzeugt wird, bereitzustellen, oder zur Verhinderung von Übertragung der Vibration auf die Schmelze oder zur Abdämpfung der Vibration.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Um das oben erwähnte Ziel zu erreichen, stellt die Erfindung eine Vorrichtung zur Herstellung von Kristallen mittels des Czochralski-Verfahrens bereit, wobei die Vorrichtung mindestens eine Stützwelle zum Stützen eines Schmelztiegels zur Unterbringung einer Rohmaterialschmelze, einen Ziehmechanismus zum Ziehen eines Kristalls aus der Schmelze, einen Drehmechanismus zum Drehen des Schmelztiegels und einen Transfermechanismus zum vertikalen Bewegen des Schmelztiegels beinhaltet;
    dadurch gekennzeichnet, dass der Drehmechanismus eine Schmelztiegeldrehantriebseinheit beinhaltet, die auf einer Unterkonstruktion unbeweglich installiert ist, wobei diese Unterkonstruktion die Einkristallherstellungsvorrichtung stützt;
    und dadurch, dass eine Riemenscheibe und ein Riemen als ein Mittel zur Übertragung von Drehung zwischen der Stützwelle und einer Abtriebswelle der Schmelztiegeldrehantriebseinheit verwendet werden.
  • Von einem anderen Aspekt aus stellt die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung von Einkristallen, basierend auf dem Czochralski-Verfahren, durch das Stützen eines Rohmaterialschmelze unterbringenden Schmelztiegels mittels einer Schmelztiegel stützenden Welle und das Drehen und vertikale Bewegen des Schmelztiegels bereit; dadurch gekennzeichnet, dass die Kristalle hergestellt werden, während an einem oberen Ende der Schmelztiegel stützenden Welle Vibration geregelt wird, so dass sie entlang einer senkrecht zur Welle liegenden Richtung 100 μm oder weniger beträgt.
  • Wenn die Schmelztiegeldrehantriebseinheit, die zum Beispiel aus einem Elektromotor und Mittel zum Geschwindigkeitswechsel und zu einer Geschwindigkeitsverringerung bestehen kann, auf der Unterkonstruktion der Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen, wie oben festgelegt, unbeweglich installiert ist, wird die durch die Schmelztiegeldrehantriebseinheit erzeugte Vibration von einem fixierten Ende, d. h. der starren Unterkonstruktion, absorbiert und abgedämpft. Daher wird die Vibration über die Schmelztiegel stützende Welle und den Schmelztiegel nicht wesentlich auf die Schmelzoberfläche übertragen. Zudem verringert die Verwendung eines Riemens und einer Riemenscheibe bei der Übertragung ferner die übertragene Vibration. Deshalb kann die Vibration der Schmelzoberfläche, die eine Ursache für die Erzeugung von Versetzungen in wachsenden Einkristallblöcken sein kann, im Wesentlichen beseitigt werden.
  • In diesem Fall bedeutet der Begriff „Unterkonstruktion" der Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen Rahmen, Betonunterkonstruktionen, Unterkonstruktionen von Arbeitshäusern und dergleichen zum Stützen der Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen. Es kann jedes Mittel sein, das die Schmelztiegeldrehantriebseinheit ohne von der Einheit vibriert zu werden, fixieren kann, und ist das nicht durch die buchstäbliche Bedeutung des Wortes eingeschränkt.
  • Vorzugsweise wird ein Kugelkeil zur Kraftübertragung zwischen der Schmelztiegel stützenden Welle und der Schmelztiegeldrehantriebseinheit verwendet.
  • Nur die Vibration, die abgedämpft wird, indem sie in die Unterkonstruktion absorbiert wird, wird auf den Kugelkeil übertragen, und deshalb wird die Vibration der Schmelzoberfläche im Wesentlichen beseitigt, ohne irgendwie die Funktion des Kugelkeils zur gleichzeitigen Übertragung von Drehung mit der vertikalen Bewegung zu beeinflussen. Deshalb können Einkristalle sicher und effektiv hergestellt werden.
  • Der Riemen und die Riemenscheibe können einen kautschukartigen elastischen Riemen und eine Riemenscheibe oder einen kautschukartigen elastischen Zahnriemen und eine Zahnriemenscheibe beinhalten.
  • Der Transfermechanismus ist vorzugsweise mit einem Schieber, der sich vertikal mit der Schmelztiegel stützenden Welle bewegt, versehen, und die Vibration des Schiebers entlang einer vertikal zur Schmelztiegel stützenden Welle liegenden Richtung wird geregelt, so dass sie vorzugsweise 200 μm oder weniger beträgt. Wenn die Vibration des Schiebers 200 μm oder weniger betragt, kann die Vibration der Schmelztiegel stutzenden Welle 100 μm oder weniger betragen. Daher kann die Vibration der Rohmaterialschmelzoberfläche, die die Ursache für die Erzeugung von Versetzungen in wachsenden Kristallen ist, im Wesentlichen beseitigt werden.
  • Ferner wird die von der Schmelztiegeldrehantriebseinheit, die eine Kraftquelle für den Drehmechanismus ist, erzeugte Vibration geregelt, so dass sie 50 μm oder weniger beträgt. Wenn die von der Schmelztiegeldrehantriebseinheit erzeugte Vibration vorzugsweise 50 μm oder weniger betragt, kann eine Amplitude der Vibration durch den Schmelztiegeltransfermechanismus verhindert werden und daher kann die Vibration der Rohmaterialschmelzoberflache, die die Ursache für die Erzeugung von Versetzungen oder dergleichen in wachsenden Kristallen ist, im Wesentlichen beseitigt werden. Der Ausdruck „Vibration von 50 μm oder weniger" und dergleichen wird hier verwendet, um zu bezeichnen, dass die gesamte Schaukelbewegung 50 μm oder weniger betragt und bedeutet nicht, dass die Amplitude der Vibration (der halbe Schaukelbereich) 50 μm oder weniger betragt.
  • Bei den herkömmlichen Mechanismen zum Drehen eines Schmelztiegels wird die Vibration der Schmelztiegel stützenden Welle auf die Schmelzoberfläche übertragen, und sie macht die Ursache für die Erzeugung von Versetzungen und dergleichen in den wachsenden Einkristallen aus. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird im Gegensatz dazu die Vibration durch das Fixieren der Schmelztiegeldrehantriebseinheit auf der Unterkonstruktion der Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen und durch Verwenden eines Riemens und einer Riemenscheibe zur Übertragung von Drehung absorbiert und abgedämpft, und dadurch wird die Vibration der Schmelzoberfläche im Wesentlichen beseitigt. Deshalb können wegen der Beseitigung der Ursache der Erzeugung von Versetzungen in wachsenden Kristallen Einkristalle sicher und effektiv hergestellt werden.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine erklärende Ansicht, die eine beispielhafte Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • 2A und 2B sind erklärende Ansichten eines beispielhaften Kugelkeils, der für den Mechanismus zum Drehen eines Schmelztiegels gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird. 2A ist eine Vorderansicht des Kugelkeils, die eine Teilschnittansicht umfasst, und 2B ist eine Schnittansicht des Kugelkeils entlang der Linie A-B.
  • 3 ist eine erklärende Ansicht, die einen beispielhaften Schmelztiegeldrehmechanismus gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • 4 ist eine erklärende Ansicht, die einen beispielhaften herkömmlichen Schmelztiegeldrehmechanismus darstellt.
  • 5 ist ein Graph, der ein Beispiel der Schwingungsform, die in einer Schmelztiegeldrehantriebseinheit erzeugt wird, darstellt.
  • 6 ist ein Grapch, der die Vibrationsstärken eines Schiebers, auf dem die in 5 gezeigte Schmelztiegeldrehantriebseinheit montiert wurde, darstellt.
  • Beste Art zur Ausführung der Erfindung
  • Hiernach werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung genauer erklärt werden, aber die vorliegende Erfindung ist nicht auf diese beschränkt.
  • Die Erfinder der vorliegenden Erfindung stellten fest, dass die Vibration, die an einer Schmelzoberfläche während der Herstellung von Einkristallen beobachtet wurde, hauptsächlich durch Vibration einer Schmelztiegel stützenden Welle erzeugt wurde.
  • Die Ursache für die Erzeugung von Vibration an der Rohmaterialschmelze umfasst, zusätzlich zur Vibration der Schmelztiegel stützenden Welle, einen Edelgasstrom, der während des Kristallwachstums in dem Ofen strömt, Drehung des wachsenden Kristalls, ein nicht ortsfestes Temperaturgefälle in der Schmelze eine nicht ortsfeste Konvektion in der Schmelze, auf Grund von Drehung des Kristalls und des Schmelztiegels und dergleichen. Diese Ursachen wirken auf eine komplexe Art und Weise, um die Rohmaterialschmelzoberfläche während des Kristallwachstums zu vibrieren. Insbesondere ist die Vibration der Schmelztiegel stützenden Welle am einflussreichsten, da sie über den Schmelze enthaltenden Schmelztiegel direkt auf die ganze Rohmaterialschmelze wirkt.
  • Deshalb untersuchten die Erfinder der vorliegenden Erfindung die Beziehung zwischen der Vibration der Schmelztiegel stützenden Welle und der Vibration der Rohmaterialschmelzoberfläche und stellten fest, dass die Vibration der Rohmaterialschmelzoberfläche, die die Ursache für die Erzeugung von Versetzungen und dergleichen in den wachsenden Kristallen ist, im Wesentlichen beseitigt werden konnte, indem die Vibration am oberen Ende der Schmelztiegel stützenden Welle geregelt wurde, so dass sie entlang einer senkrecht zur Welle liegenden Richtung 100 μm oder weniger betrug.
  • Die Vibration der Schmelztiegel stützenden Welle kann geregelt werden, so dass sie 100 μm oder weniger beträgt, zum Beispiel indem die Vibration des Schiebers des Schmelztiegeltransfermechanismus, der sich mit der Schmelztiegel stützenden Welle vertikal verschiebt, geregelt wird, so dass sie entlang einer senkrecht zur Schmelztiegel stützenden Welle liegenden Richtung 200 μm oder weniger beträgt. Viele der Vorrichtungen zum Drehen und vertikalen Bewegen des Schmelztiegels sind mit einem Schieber versehen, der sich mit der Schmelztiegel stützenden Welle vertikal bewegt. Die von der Schmelztiegeldrehantriebseinheit auf den Schieber übertragene Vibration wird während der Übertragung innerhalb der Schmelztiegel stützenden Welle absorbiert und abgedämpft und circa eine Hälfte der Vibration des Schiebers wird auf den oberen Teil der Schmelztiegel stützenden Welle übertragen. Deshalb kann die Vibration der Schmelztiegel stützenden Welle geregelt werden, so dass sie 100 μm oder weniger beträgt, indem die Vibration des Schiebers geregelt wird, so dass sie 200 μm oder weniger beträgt, und daher kann die Vibration der Rohmaterialschmelzoberfläche im Wesentlichen beseitigt werden.
  • Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben ferner festgestellt, dass die an der Schmelzoberfläche beobachtete Vibration während der Einkristallherstellung hauptsächlich durch die von der Schmelztiegeldrehantriebseinheit erzeugten Vibration verursacht wurde. Zum Beispiel wird, wie in 4 gezeigt, die von der Schmelztiegeldrehantriebseinheit 26 erzeugte Vibration normalerweise von dem Schieber 31 absorbiert und abgedämpft, wenn die Schmelztiegeldrehantriebseinheit 26 auf den Schieber 31 montiert wird, und sie wird über die Schmelztiegel stützende Welle 4 und den Schmelztiegel 2 kaum auf die Schmelzoberfläche übertragen.
  • Da der Schmelztiegeltransfermechanismus 30 jedoch vertikal bewegt werden muss, während eine Last (Gewicht des Schmelztiegels 2 und der Schmelze 3) auf dem Schieber 31 aufgenommen wird, wird er von der Schmelztiegel stützenden Welle 4, dem Schieber 31, einer Kugelumfangsspindel 32 und fixierten Wellen, wie in 4 gezeigt, ausgemacht, und er stützt den Schieber 31 mit der Kugelumfangsspindel 32 zum vertikalen Bewegen und die verschiedenen fixierten Wellen auf eine derartige Art und Weise, dass sich der Schieber 31 vertikal bewegen kann. Die fixierten Wellen und die Kugelumfangsspindel 32 sind an ihren oberen Enden und unteren Enden fixiert.
  • Wenn die von der Schmelztiegeldrehantriebseinheit 26 erzeugte Vibration stark ist, kann sie deshalb nicht abgedämpft werden, und, wenn der Schieber sich an einer speziellen Position befindet, kann die von der Schmelztiegeldrehantriebseinheit 26 erzeugte Vibration merklich verstärkt werden.
  • 5 stellt ein Beispiel der in einer Schmelztiegeldrehantriebseinheit erzeugten Schwingungsform dar. Vibrationsstärke, die auf einem Schieber durch Montieren der Schmelztiegeldrehantriebseinheit auf den Schieber an 5 Positionen, gemessen wurden, sind in 6 gezeigt. h stellt einen Abstand von der niedrigeren Grenzposition zum Schieber dar und L stellt den Vollhub dar. Aus 6 ist ersichtlich, dass die Vibration des Schiebers nicht unbedingt stärker wird, wenn die Vibration der Schmelztiegeldrehantriebseinheit selbst stärker wird und die Vibration in einem speziellen Drehbereich merklich verstärkt wird.
  • Deshalb führten die Erfinder der vorliegenden Erfindung ähnliche Messungen durch das Montieren einer Schmelztiegeldrehantriebseinheit auf den Schieber, die entworfen wurde, um eine Vibration von 50 μm oder weniger zu erzeugen, indem die Kombination des Motors und des Geschwindigkeitsverringerers in der Schmelztiegeldrehantriebseinheit geändert wurde, durch. Infolgedessen wurde keine merkliche Erhöhung der Vibration, wie die, die in 6 zu sehen ist, beobachtet.
  • Das heißt, durch das Regeln der von der Schmelztiegeldrehantriebseinheit erzeugten Vibration, so dass sie 50 μm oder weniger beträgt, kann die Amplitude der Vibration durch den Schmelztiegeltransfermechanismus beseitigt werden, und daher kann die Vibration der Rohmaterialoberfläche im Wesentlichen beseitigt werden.
  • Die Erfinder der vorliegenden Erfindung untersuchten ferner Mittel zur Beseitigung der Vibration der Schmelztiegeldrehantriebseinheit durch Absorption oder zur Verhinderung ihrer Übertragung auf die Schmelzoberfläche oder zu ihrer Abdämpfung. Als Ergebnis stellten sie fest, dass es für diesen Zweck effektiv ist, die Schmelztiegeldrehantriebseinheit auf einer starren Unterkonstruktion der Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen unbeweglich zu installieren, und führt die vorliegende Erfindung durch.
  • Ein beispielhafter Schmelztiegeldrehmechanismus der Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen gemäß der vorliegenden Erfindung wird zuerst mit Bezug auf die angehängten Zeichnungen erklärt.
  • Der Schmelztiegeldrehmechanismus der vorliegenden Erfindung ist ein Mechanismus, der zur Unterdrückung von Erzeugung von Vibration an einer Schmelzoberfläche geeignet ist, um die Erzeugung von Versetzungen in wachsenden Kristallen bei Vorrichtungen zur Herstellung von Einkristallen, basierend auf dem sogenannten Czochralski-Verfahren (CZ-Verfahren), die zum Beispiel für das Wachsen von Halbleitersiliziumkristallen vorgesehen sind, zu vermeiden. Die Grundstruktur der Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen wird mit Bezug auf 1 umrissen.
  • Die Vorrichtung 1 zur Herstellung von Einkristallen beinhaltet an ihrem Zentrum einen Quarzschmelztiegel 2, der die Siliziumschmelze 3 unterbringt und durch eine Heizvorrichtung 7 geheizt wird. Dieser Schmelztiegel 2 kann von einer Schmelztiegel stützenden Welle 4 gedreht und durch den Schieber 31, der die Schmelztiegel stützende Welle 4 stützt, vertikal bewegt werden. Andererseits weist er auch eine Struktur auf, die es einem Impfkristall 5, der an dem unteren Ende eines Drahts angebracht ist, der zum Ziehen und Drehen des Impfkristalls von einem Mechanismus 6 herunterhängt, ermöglicht, mit der Rohmaterialsiliziumschmelze 3 in dem Schmelztiegel 2 in Kontakt gebracht zu werden, und einem wachsenden Einkristall 8 es ermöglicht, während des Drehens gezogen zu werden.
  • Bei der oben erwähnten Vorrichtung 1 zur Herstellung von Einkristallen beinhaltet der Schmelztiegeldrehmechanismus 20 der vorliegenden Erfindung eine Schmelztiegeldrehantriebseinheit 26, die direkt auf einer Unterkonstruktion 10 der Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen, wie in 1 gezeigt (detaillierte Teilansicht ist in 3 gezeigt), unbeweglich installiert ist. Die Drehung einer Abtriebswelle der Schmelztiegeldrehantriebseinheit 26 wird auf eine Keilwelle 22 des Kugelkeils 21 und ferner auf die Schmelztiegel stützende Welle 4 durch eine Buchse übertragen.
  • Andererseits wandelt, wie in 1 gezeigt (detaillierte Teilansicht ist in 3 dargestellt), zum Beispiel der Mechanismus 30 zum vertikalen Bewegen des Schmelztiegels die Drehung der Abtriebswelle der Schmelztiegeltransferantriebseinheit 33, die an der Unterkonstruktion 10 fixiert ist, über eine Kugelumfangsspindel 32, in eine vertikale Bewegung des Schiebers 31 um, und bewegt die Schmelztiegel stützende Welle 4, die mit dem Schieber 31 und dem Schmelztiegel 2 direkt verbunden ist, vertikal. Die von der Antriebseinheit 33 des Schmelztiegeltransfermechanismus 30 erzeugte Vibration wird nicht wesentlich nicht auf die Schmelzoberfläche übertragen, da keine Komponenten, die den Mechanismus ausmachen, direkt mit dem Schmelztiegel 2 oder der Schmelztiegel stützenden Welle 4 verbunden sind, und er/sie wird auf der Unterkonstruktion 10 unbeweglich installiert.
  • Wie in 4 gezeigt, wird in einem herkömmlichen Schmelztiegeldrehmechanismus die Schmelztiegeldrehantriebseinheit 26 direkt mit dem Schieber 31 des Schmelztiegeltransfermechanismus 30 verbunden, um die Schmelztiegel stützende Welle 4 zu drehen. Deshalb wird die von der Einheit 26 erzeugte Vibration direkt auf die Schmelztiegel stützende Welle 4 übertragen, was die Ursache für die Vibration der Schmelzoberfläche ausmacht.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung besteht die Schmelztiegeldrehantriebseinheit 26 aus einem Elektromotor, einem Geschwindigkeitsverringerer und einen Geschwindigkeitsregulator und überträgt die Drehung der Endabtriebswelle über die Keilwelle 22 und die Buchse 23 des Kugelkeils 21 auf die Schmelztiegel stützende Welle 4. Die Hauptursache für die Erzeugung von Vibration an der Schmelzoberfläche in dem Schmelztiegel ist die von der Drehkraftquelle d. h. einem Elektromotor, erzeugte Vibration. Als das erste Mittel zur Unterdrückung dieser Vibration gemäß der vorliegenden Erfindung, ist die Schmelztiegeldrehantriebseinheit 26 zum Beispiel auf einem Basisrahmen 10, der direkt an der Unterkonstruktion der Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen fixiert ist, angebracht und fixiert, so dass insbesondere Niederfrequenzvibration von Arbeitshäusern und dergleichen über den Basisrahmen 10 absorbiert werden sollten.
  • Der Schmelztiegeldrehmechanismus 20 der vorliegenden Erfindung überträgt, wegen der Verwendung des Kugelkeils 21, die Drehung der Schmelztiegeldrehantriebseinheit 26 gleichmäßig an die Schmelztiegel stützende Welle 4, während er der vertikalen Bewegung des Schiebers 31 folgt.
  • Daher nimmt der Kugelkeil nur die Vibration auf, die durch die Absorbierung in die Unterkonstruktion abgedämpft wird, und die Vibration der Schmelzoberfläche kann im Wesentlichen vermieden werden, ohne die Funktion des Kugelkeils zum gleichzeitigen Übertragen von vertikaler Bewegung und Drehung nicht zu beeinflussen. Deshalb können Einkristalle sicher und effektiv hergestellt werden.
  • Als Kugelkeil 21 kann normalerweise eine radiale Art Kugelkeil, wie in 2 gezeigt, verwendet werden. Der Kugelkeil 21 weist halbkreisförmige Schlitze auf, die viele Stahlkugeln 24 enthalten in sowohl der Keilwelle 22 als auch der Buchse 23 entlang der Wellenrichtung, und er ermöglicht zwischen der Welle 22 und der Buchse 23 eine Drehmomentübertragung und äußerst gleichmäßige Bewegung entlang der Welle. Während die Buchse 23 in dem Beispiel, das in 2 gezeigt ist, eine Rücklaufbohrung 25 aufweist, kann eine, die ein Gerät zum Halten der Kugeln, anstatt der Rücklaufbohrung aufweist, auch verwendet werden.
  • Um die gleichmäßige Drehkraftübertragung und vertikale Bewegung des Kugelkeils 21 zu realisieren und die von der Abtriebswelle der Schmelztiegeldrehantriebseinheit 26 erzeugte Vibration zu unterdrücken, wird eine Kombination eines kautschukartigen elastischen Riemens (Flachriemen, Keilriemen) und einer Riemenscheibe, besser eine Kombination eines kautschukartigen elastischen Zahnriemens 27 und einer Zahnriemenscheibe, für die Drehübertragung zwischen den drei Wellen verwendet, d. h. der Abtriebswelle der Schmelztiegeldrehantriebseinheit 26, der Kugelkeilwelle 22 und der Schmelztiegel stützenden Welle 4.
  • Da der Riemen, Zahnriemen und dergleichen in einer derartigen Struktur hauptsächlich aus einem kautschukartigen Elastomer zusammengesetzt sind, vermindern sie Anspannung durch elastische Verformung, absorbieren oder dämpfen die von der Schmelztiegeldrehantriebseinheit 26 erzeugte Vibration, erleichtern die Vibrationslast auf dem Kugelkeil 21 und beseitigen schließlich im Wesentlichen die Übertragung von Vibration auf die Schmelzoberfläche in dem Schmelztiegel 2.
  • Modifizierungen können im Bereich der Ansprüche an den oben beschriebenen Ausführungsformen vorgenommen werden.
  • Während der Schmelztiegeldrehmechanismus gemäß der vorliegenden Erfindung zur Verhinderung der Vibration der Schmelzoberfläche in dem Schmelztiegel für eine Vorrichtung, die das CZ-Verfahren anwendet, erklärt wurde, kann die vorliegende Erfindung selbstverständlich für jene verwendet werden, die das sogenannte MCZ-Verfahren (Ziehverfahren unter Magnetfeld) anwenden.

Claims (6)

  1. Eine Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen mittels des Czochralski-Verfahrens, wobei die Vorrichtung mindestens eine Stützwelle zum Stützen eines Schmelztiegels zur Unterbringung einer Rohmaterialschmelze, einen Ziehmechanismus zum Ziehen eines Kristalls aus der Schmelze, einen Drehmechanismus zum Drehen des Schmelztiegels und einen Transfermechanismus zum vertikalen Bewegen des Schmelztiegels beinhaltet; dadurch gekennzeichnet, dass der Drehmechanismus eine Schmelztiegeldrehantriebseinheit beinhaltet, die auf einer Unterkonstruktion unbeweglich installiert ist, wobei diese Unterkonstruktion die Einkristallherstellungsvorrichtung stützt; und dadurch, dass eine Riemenscheibe und ein Riemen als ein Mittel zur Übertragung von Drehung zwischen der Stützwelle und einer Abtriebswelle der Schmelztiegeldrehantriebseinheit verwendet werden.
  2. Vorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei bei dem Drehmechanismus für den Schmelztiegel ein Kugelkeil zur Kraftübertragung zwischen der Stützwelle und der Schmelztiegeldrehantriebseinheit verwendet wird.
  3. Vorrichtung gemäß Anspruch 2, wobei die Drehung von der Abtriebswelle der Schmelztiegeldrehantriebseinheit auf eine Kugelkeilbuchse des Kugelkeils von einem ersten Antrieb mit Riemenscheibe und Riemen übertragen wird; und die Drehung von einer Kugelkeilwelle des Kugelkeils auf die Schmelztiegel stützende Welle von einem zweiten Antrieb mit Riemenscheibe und Riemen übertragen wird; wobei jeder erste und zweite Antrieb mit Riemenscheibe und Riemen einen Riemen aufweist, der ein kautschukartiger elastischer Riemen oder ein kautschukartiger elastischer Zahnriemen ist.
  4. Ein Verfahren zur Herstellung von Einkristallen, basierend auf dem Czochralski-Verfahren, durch das Stützen eines Rohmaterialschmelze unterbringenden Schmelztiegels mittels einer Schmelztiegel stützenden Welle und das Drehen und vertikale Bewegen des Schmelztiegels; dadurch gekennzeichnet, dass die Kristalle hergestellt werden, während an einem oberen Ende der Schmelztiegel stützenden Welle Vibration geregelt wird, so dass sie entlang einer senkrecht zur Welle liegenden Richtung 100 μm oder weniger beträgt.
  5. Verfahren gemäß Anspruch 4, wobei ein Transfermechanismus zum vertikalen Bewegen des Schmelztiegels einen Schieber umfasst, der sich vertikal mit der Schmelztiegel stützenden Welle bewegt, und wobei die Vibration des Schiebers geregelt wird, so dass sie entlang einer senkrecht zur Schmelztiegel stützenden Welle liegenden Richtung 200 μm oder weniger beträgt.
  6. Verfahren gemäß Anspruch 5, wobei die Schmelztiegel stützende Welle von einer Schmelztiegeldrehantriebseinheit zur Drehung angetrieben wird, und wobei die von der Schmelztiegeldrehantriebseinheit erzeugte Vibration geregelt wird, so dass sie 50 μm oder weniger beträgt.
DE69827292T 1997-08-19 1998-08-18 Anlage und verfahren zur herstellung eines einkristalls Expired - Fee Related DE69827292T2 (de)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23777297 1997-08-19
JP23777297 1997-08-19
PCT/JP1998/003649 WO1999009237A1 (fr) 1997-08-19 1998-08-18 Dispositif et procede servant a obtenir un monocristal

Publications (2)

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