DE69827292D1 - Anlage und verfahren zur herstellung eines einkristalls - Google Patents

Anlage und verfahren zur herstellung eines einkristalls

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10119947A1 (de) * 2001-04-24 2002-10-31 Crystal Growing Systems Gmbh Verfahren zum Steuern einer Kristallziehanlage und Kristallziehanlage zu seiner Durchführung
JP3927786B2 (ja) * 2001-10-30 2007-06-13 シルトロニック・ジャパン株式会社 単結晶の製造方法
JP4061473B2 (ja) 2002-04-26 2008-03-19 日本電気株式会社 折り畳み型携帯電話機
KR101317197B1 (ko) 2011-10-24 2013-10-15 한국생산기술연구원 사파이어 성장로의 자세 제어장치
WO2014034081A1 (ja) * 2012-08-26 2014-03-06 国立大学法人名古屋大学 結晶製造装置、SiC単結晶の製造方法およびSiC単結晶
JP6537590B2 (ja) * 2015-02-18 2019-07-03 昭和電工株式会社 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法
CN115506008A (zh) * 2022-09-27 2022-12-23 西安奕斯伟材料科技有限公司 用于单晶炉的坩埚支承组件和单晶炉

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3700412A (en) * 1968-12-06 1972-10-24 Kokusai Electric Co Ltd Crystal pulling apparatus having means for maintaining liquid solid crystal interface at a constant temperature
US4784715A (en) * 1975-07-09 1988-11-15 Milton Stoll Methods and apparatus for producing coherent or monolithic elements
JPS55104996A (en) * 1979-02-02 1980-08-11 Toshiba Corp Single crystal pulling device
SU928853A1 (ru) * 1980-08-13 1997-01-20 Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности Устройство для вращения и перемещения тигля в аппарате для вытягивания кристаллов
JPS59160561U (ja) 1983-04-14 1984-10-27 東芝機械株式会社 半導体結晶引上機のルツボ回転駆動装置
GB8805478D0 (en) * 1988-03-08 1988-04-07 Secr Defence Method & apparatus for growing semi-conductor crystalline materials
JPH0772116B2 (ja) * 1991-02-15 1995-08-02 信越半導体株式会社 単結晶引上装置
KR0149287B1 (ko) * 1995-04-17 1998-10-15 심상철 실리콘 단결정 제조장치 및 그를 이용한 실리콘 단결정의 제조방법

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