DE69011619T2 - Verfahren und Vorrichtung zur Einstellung der Sauerstoff-Konzentration in einem Silizium-Einkristall. - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Einstellung der Sauerstoff-Konzentration in einem Silizium-Einkristall.

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3455580B2 (ja) * 1994-06-03 2003-10-14 ワッカー・エヌエスシーイー株式会社 シリコン単結晶の引上げ装置および製造方法
DE4428743A1 (de) 1994-08-13 1996-02-22 Georg Prof Dr Mueller Verfahren und Vorrichtung zur Messung und Steuerung bzw. Regelung der Sauerstoffkonzentration in Siliciumschmelzen
DE19512181C2 (de) * 1995-03-31 2003-11-06 Hexal Pharma Gmbh Transdermales System mit Ramipril und/oder Trandolapril als ACE-Hemmer
JP3687166B2 (ja) * 1995-12-28 2005-08-24 信越半導体株式会社 単結晶引上げ装置の整流筒昇降方法、及び単結晶引上げ装置の整流筒昇降機構
JP3670504B2 (ja) * 1999-01-14 2005-07-13 東芝セラミックス株式会社 シリコン単結晶製造方法
JP5262346B2 (ja) * 2008-06-27 2013-08-14 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコン単結晶の製造方法
JP5223513B2 (ja) * 2008-07-11 2013-06-26 株式会社Ｓｕｍｃｏ 単結晶の製造方法
JP6547839B2 (ja) * 2015-11-13 2019-07-24 株式会社Sumco シリコン単結晶の製造方法
CN112705590B (zh) * 2020-12-11 2023-02-07 山东新升光电科技有限责任公司 一种蓝宝石单晶炉提拉杆矫直装置及方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2548046C3 (de) * 1975-10-27 1982-12-02 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zum Ziehen einkristalliner Siliciumstäbe
JPS6461383A (en) * 1987-08-31 1989-03-08 Nippon Steel Corp Method for pulling up single crystal rod and apparatus therefor
US4981549A (en) * 1988-02-23 1991-01-01 Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha Method and apparatus for growing silicon crystals

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