DE69823908T2 - Einkristallziehvorrichtung - Google Patents

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    • C30CRYSTAL GROWTH
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Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Einkristallziehvorrichtung zum Herstellen eines versetzungsfreien Einkristalls aus Silizium nach dem Czochralski-Verfahren.
  • In einer Vorrichtung zum Herstellen eines Einkristalls basierend auf dem Ziehverfahren nach Czochralski (CZ) wird frisches Argon (Ar)-Gas in eine hoch druckfeste luftdichte Kammer zugeführt, wo der Druck zuvor auf etwa 1,333 × 103 Pa (10 Torr) reduziert wird und ein Polykristall in einem in einem unteren Bereich der Kammer angeordneten Quarz-Schmelztiegel durch Erwärmen geschmolzen wird. Dann wird ein Impfkristall von oben in die Oberfläche der Schmelze eingetaucht, und durch Drehen und Auf- und Abbewegen des Impfkristalls und des Quarz-Schmelztiegels, wird der Impfkristall nach oben gezogen. Infolge dessen wird ein Einkristall (der sogenannte Block, englisch: ingot) gezüchtet, der ein oberes Konusteil mit seinem hervorstehenden oberen Ende, ein zylindrisches Hauptteil und ein unteres Konusteil mit seinem unteren hervorstehenden Ende, die sich alle unterhalb des Impfkristalls befinden, umfaßt.
  • Als ein Verfahren zum Züchten wie oben beschrieben ist das Dash-Verfahren bekannt. Nach diesem Verfahren wird, um die Versetzungen, die in dem Impfkristall aufgrund des thermischen Schocks auftreten, wenn der Impfkristall unter die Oberfläche der Schmelze eingetaucht wird, auszuschalten (d. h. in Versetzungs-Freiheit umzuwandeln), die Ziehrate relativ erhöht, nachdem der Impfkristall eingetaucht worden ist, so dass ein Halsbereich gebildet wird, der einen kleineren Durchmesser als der Impfkristall aufweist, bei spielsweise 3 bis 4 mm, und dann wird das Ziehen des oberen Konusteils begonnen.
  • Des weiteren kann ein Einkristall, der einen großen Durchmesser und ein schweres Gewicht (150 bis 200 kg oder mehr) aufweist, nicht über einen Halsbereich mit einem kleinen Durchmesser aufwärts gezogen werden. Es wurde ein Verfahren vorgeschlagen, beispielsweise in JP-B-5-65477, bei dem ein Halsbereich mit einem kleinen Durchmesser nach dem Dash-Verfahren gebildet wird, und dann die Ziehrate relativ verlangsamt und ein Bereich mit einem größeren Durchmesser gebildet wird. Dann wird die Ziehrate relativ erhöht und es wird ein Bereich mit einem kleineren Durchmesser gebildet. Somit wird ein "sphärisch eingeschnürter Bereich" ausgebildet, und indem dieser eingeschnürte Bereich mit einem Greifer gegriffen wird, wird der Eingriffteil, der einen großen Durchmesser und ein schweres Gewicht aufweist, aufwärts gezogen. Des weiteren wird, beispielsweise in JP-B-7-103000 und JP-B-7-515, eine Vorrichtung zum Greifen des eingeschnürten Bereichs vom herkömmlichen Typ vorgeschlagen.
  • Als ein weiteres herkömmliches Beispiel wurden, beispielsweise in JP-A-5-270974 und JP-A-7-172981, Verfahren zum direkten Greifen eines Hauptteils mit einem "eingeschnürten Bereich" wie oben beschrieben vorgeschlagen. Auch wurde in JP-A-63-252991 und JP-A-5-270975 ein Verfahren vorgeschlagen zum Bilden eines "ring-ähnlichen eingeschnürten Bereichs", der einen größeren Durchmesser als der Hauptteil zwischen dem oberen Konusteil und dem Hauptteil anstelle des obigen "sphärisch eingeschnürten Bereichs" aufweist, und zum Greifen dieses "ring-ähnlichen eingeschnürten Bereichs".
  • Es ist jedoch eine sehr heikle Angelegenheit, den Zeitpunkt zum Greifen des obigen "eingeschnürten Bereichs" mittels eines Greifelements während des Ziehens des Einkristalls zu bestimmen. Wenn von dem Zeitpunkt zum Greifen abgewichen wird, kann sich der im Ziehvorgang befindliche Einkristall in einen Polykristall verändern. Des weiteren ist normalerweise in einer Herstellungsfabrik eine Vielzahl von Vorrichtungen zum Herstellen von Einkristallen miteinander ausgerichtet, und im Falle, dass eine geringe Anzahl von Arbeitern für den Greifvorgang zuständig ist, kann dies nicht nur zu einer schlechten Arbeitseffizienz, sondern auch zu einer Möglichkeit des Abweichens vom Zeitpunkt zum Greifen führen.
  • Der Greifer zum Greifen des "eingeschnürten Bereichs" während des Ziehvorgangs eines Einkristalls wird wiederholt benutzt, und wenn der Greifer aufgrund von Materialermüdung beschädigt wird, kann der Einkristall herunterfallen. Weil der Greifer im allgemeinen durch einen Motor angetrieben wird, wird die Greifkraft während eines Stromausfalls verringert, und der Einkristall kann herunterfallen. In dem oben beschriebenen Verfahren zum Greifen des "eingeschnürten Bereichs" kann, wenn der "eingeschnürte Bereich" beschädigt wird, der Einkristall ebenfalls herunterfallen. Wenn der Einkristall herunter fällt, können Versetzungen auftreten und der Einkristall ist nicht länger als ein Produkt geeignet. Des weiteren kann, wenn der Quarz-Schmelztiegel beschädigt wird, die Hochtemperaturschmelze im schlimmsten Falle mit dem Kühlwasser innerhalb des Schmelztiegel-Schafts, der den Quarz-Schmelztiegel dreht und auf- und abwärts bewegt, reagieren. Infolge dessen kann eine Dampfexplosion auftreten.
  • Zum Lösen der obigen Probleme ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Einkristall-Ziehvorrichtung bereit zustellen, die es ermöglicht, die Umwandlung des sich im Ziehvorgang befindlichen Einkristalls in einen Polykristall zu verhindern, wenn der sich im Ziehvorgang befindliche Einkristall durch einen Greifer gegriffen wird, und auch den Einkristall automatisch zu greifen, und weiterhin das Herunterfallen des Einkristalls während des Ziehvorgangs zu verhindern.
  • Um das obige Ziel zu erreichen, umfasst eine Vorrichtung entsprechend eines ersten Aspekts der vorliegenden Erfindung ein Kontaktelement, das mit einer oberen Oberfläche eines Bereichs mit einem größeren Durchmesser eines unter einem Impfkristall gebildeten Einkristalls in Berührung kommt und den Bereich mit dem größeren Durchmesser von oben nieder drückt, und der Einkristall wird von oben und unten durch Benutzen des Kontaktelements und des Greifers, der den unter dem Bereich mit dem größeren Durchmesser gebildeten eingeschnürten Bereich des Einkristalls greift, getragen.
  • Entsprechend wird eine Einkristallziehvorrichtung bereitgestellt, umfassend:
    Impfkristallziehmittel zum Ziehen eines Impfkristalls, während ein Impfkristallhalter zum Tragen des Impfkristalls gedreht wird;
    ein Greifelement, das zusammen mit dem Impfkristallhalter drehbar und in der vertikalen Richtung bewegbar ist und das eine Spitze aufweist, die zum Greifen eines unter einem Bereich eines Einkristalls mit größerem Durchmesser durch Ziehen unter Benutzung des Impfkristallziehmittels gebildeten eingeengten Bereichs geöffnet oder geschlossen werden kann.
  • Erfindungsgemäß umfasst die Vorrichtung ferner ein Kontaktelement, das zusammen mit dem Impfkristallhalter drehbar und in der vertikalen Richtung bewegbar ist, und die Funktion aufweist, den Bereich mit größerem Durchmesser des Einkristalls von oben niederzudrücken, nachdem die obere Oberfläche des Bereichs mit dem größeren Durchmesser des Einkristalls in Berührung kommend angeordnet ist; und Bewegmittel zum Bewegen einer Spitze des Greifelements auf die untere Oberfläche des Bereichs mit dem größeren Durchmesser zu, so dass, wenn die obere Oberfläche des zu ziehenden Einkristalls in Berührung mit dem Kontaktelement gebracht wird, eine Spitze des Greifelements geschlossen und der eingeengte Bereich durch kooperative Wirkung mit dem Kontaktelement gegriffen wird.
  • Das oben genannte Ziel und die Merkmale werden leichter verständlich aus der folgenden ausführlichen Beschreibung von bevorzugten Ausführungsformen in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen. Dabei sind:
  • 1A, 1B und 1C sind erläuternde Diagramme einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Einkristallziehvorrichtung und eines Ziehvorgangs der Vorrichtung; und
  • 2 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Vorrichtung zum Steuern des Öffnens und Schließens der Arme, die als ein Greifelement entsprechend der 1A, 1B und 1C fungieren.
  • 3A, 3B und 3C sind erläuternde Diagramme eines ersten veranschaulichenden Beispiels einer Einkristallziehvorrichtung und eines Ziehvorgangs der Vorrichtung;
  • 4A, 4B und 4C sind erläuternde Diagramme eines zweiten veranschaulichenden Beispiels der Einkristallziehvorrichtung und eines Ziehvorgangs der Vorrichtung; und
  • 5A, 5B und 5C sind erläuternde Diagramme eines dritten veranschaulichenden Beispiels der Einkristallziehvorrichtung und eines Ziehvorgangs der Vorrichtung.
  • Im folgenden wird eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • In den 1A, 1B und 1C ist ein Impfkristallhalter 2 an der Spitze eines Drahts 1 (oder ein Schaft kann benutzt werden) montiert, und ein Impfkristall 3 ist auf dem Impfkristallhalter 2 angeordnet. Der Draht 1 ist derart ausgebildet, dass er auf einer Drahtwindetrommel durch Betätigen eines Drahtwindemotors (nicht gezeigt) aufgewickelt wird, und die Drahtwindetrommel und der Drahtwindemotor sind ausgebildet, um durch einen Trommeldrehmotor (nicht gezeigt) gedreht zu werden. Nachdem der Impfkristall 3 in einer Si-Schmelze 11 in einem Quarz-Schmelztiegel 10 eingetaucht wird, wird er aufwärts gezogen, so dass unter dem Impfkristall 3 ein Halsbereich 4, ein Bereich mit einem größeren Durchmesser 5 zum Tragen, ein eingeengter Bereich 6 und ein Kristallhauptteil 7 gebildet werden.
  • Um den Draht herum sind zwei oder mehr Greifarme 12 zum Greifen des eingeengten Bereichs 6 unterhalb des Bereichs mit dem größeren Durchmesser 5 und ein Kontakt/Wahrnehmungsarm 13A zum Berühren und Wahrnehmen einer oberen Oberfläche des Bereichs mit dem größeren Durchmesser 5 derart angeordnet, dass diese zusammen mit dem Draht 1 gedreht werden. Die Spitze des Greifarms 12 kann zum Greifen des eingeengten Bereichs 6 geöffnet oder geschlossen, und zum Aufwärtsziehen des eingeschnürten Bereichs während des Greifens aufwärts oder abwärts bewegt werden. Der Kontakt/Wahrnehmungsarm 13A ist derart ausgebildet, dass er gleichzeitig mit dem Ziehvorgang aufwärts oder abwärts bewegt werden kann. Als ein Mechanismus zum Öffnen oder Schließen des Greifarms 12 kann ein Zahnstangengetriebe-Mechanismus (nicht gezeigt) der durch einen Motor oder ein Betätigungselement, wie beispielsweise ein Luft zylinder (nicht gezeigt), angetrieben wird, verwendet werden. Der Kontakt/Wahrnehmungsarm 13A ist mit einem Sensor 14 verbunden, der benutzt wird zum Erkennen, dass die Spitze des Arms während des Ziehens mit der oberen Oberfläche des Bereichs mit dem größeren Durchmesser 5 in Berührung gebracht worden ist. Als Sensor 14 kann ein elektrischer Widerstandssensor, ein Strommesssensor oder ein Gewichtskrafterkennungssensor benutzt werden. Der Draht 1 und die Arme 12 und 13A werden zusammen und drehbar miteinander gehalten.
  • Wie in dem schematischen Blockdiagramm der Steuereinheit in der 2 gezeigt, umfaßt der Sensor 14 Sensorelemente 14A und 14B zum Erkennen einer Bewegung der Arme 13A. Ausgangssignale der Sensorelemente 14A, 14B werden durch Verstärkungs- und Messschaltkreise 15A bzw. 15B mit vorbestimmten Schwellwerten verglichen, und man erhält ein Messsignal, das über einen ODER-Schaltkreis 16 einem Schalt-Stromkreis 17 zugeführt wird. Wenn eines der Sensorelemente 14A und 14B eine Berührung des Arms 13A mit dem Bereich mit dem größeren Durchmesser 5 erkennt, sendet der Schaltstromkreis 17 einen elektrischen Strom zu einem Motor 18. Ein Betätigungselement 19 wird betätigt und der Arm 12 wird bewegt, und der Arm wird aus dem Zustand der 1B geschlossen, wie in 1C gezeigt.
  • Wenn ein Hauptteil 7 des Einkristalls mit der oben beschriebenen Anordnung hergestellt wird, wird der Druck in einer Kammer (nicht gezeigt) auf etwa 1,333 × 103 Pa (10 Torr) verringert und frisches Argongas zugeführt. Gleichzeitig wird ein Polykristall in dem Quarz-Schmelztiegel 10, der in einem unteren Bereich der Kammer angeordnet ist, erwärmt und geschmolzen. Weiterhin wird, wie in 1A gezeigt, der Draht 1 in der Richtung des Pfeils M1 abwärts bewegt, und der Impfkristall 3 wird in die Oberflä che der Si-Schmelze 11 in dem Quarz-Schmelztiegel 10 eingetaucht. In diesem Falle warten die Arme 12 und 13A in solch geeigneten Positionen, dass deren Spitzen nicht in Berührung mit der Si-Schmelze 11 gebracht werden und die Spitzen der Greifarme 12 werden geöffnet (Pfeile M2 und M3), so dass die Spitzen während des Ziehvorgangs nicht in Berührung mit dem Bereich mit größerem Durchmesser 5 kommen.
  • Dann wird, wie in 1B gezeigt, der Impfkristall 3 in der Richtung des Pfeils M4 aufwärts gezogen, relativ schnell nachdem eine vorbestimmte Zeit abgelaufen ist, und es wird ein Halsbereich 4 mit kleinerem Durchmesser, d. h. 3 bis 4 mm, unterhalb des Impfkristalls 3 gebildet. Nachdem dann die Ziehrate relativ verlangsamt worden ist und der Bereich mit dem größeren Durchmesser 5 zum Tragen unterhalb des Halsbereichs 4 gebildet worden ist, wird die Ziehrate zur Bildung des eingeschnürten Bereichs 6 unterhalb des Bereichs mit dem größeren Durchmesser 5 relativ erhöht. Dann wird die Bildung des Kristallhauptteils 7 begonnen.
  • Wenn, wie in 1B gezeigt, der Sensor 14 erkennt, dass während des Ziehvorgangs die obere Oberfläche des Bereichs mit dem größeren Durchmesser 5 in Berührung mit der Spitze des Kontakt/Wahrnehmungsarms 13A gebracht worden ist, wird der Greifarm 12 durch das Betätigungselement 19 so angetrieben, dass seine Spitze geschlossen wird, wie durch die Pfeile M5 und M6 gezeigt. Infolge dessen treten, wie in 1C gezeigt, die Spitzen des Greifarms 12 unterhalb des Bereichs mit dem größeren Durchmesser 5 ein, und der eingeschnürte Bereich 6 wird gegriffen. In diesem Fall ist es wünschenswert, dass der Kontakt/Wahrnehmungsarm 13A nicht aufwärts bewegt wird bis das Greifen durch den Greifarm 12 abgeschlossen ist, so dass der Kristallhauptteil 7 nicht aufgrund der durch das Greifen erzeugten Schwingungen in einen Polykristall umgewandelt wird. Insbesondere hat der als ein Kontaktelement dienende Kontakt/Wahrnehmungsarm 13A, die Funktion, den Bereich mit dem größeren Durchmesser 5 von oben nieder zu drücken. Andererseits greift der Greifarm 12 den Bereich mit größerem Durchmesser 5, um den letzteren von unten aufwärts anzuheben. Dadurch wird der Bereich mit größerem Durchmesser 5 durch die Arme 12 und 13A von oben und unten eingeklemmt. Wenn das Greifen abgeschlossen ist, werden der Draht 1 und die Arme 12 und 13A aufwärts gezogen, während sie gemeinsam gedreht werden.
  • In der obigen Ausführungsform ist der Sensor 14 auf der Seite des Kontakt/Wahrnehmungsarms 13A angeordnet, während er auf der Seite des Drahts 1 (oder Schaft), die einen Impfkristall-Anhebemechanismus bilden, angeordnet werden kann, und der Arm 13A kann lediglich für die Kontaktfunktion zum Niederdrücken der oberen Oberfläche des Bereichs mit dem größeren Durchmesser 5 vorgesehen werden. Des weiteren kann ein optischer Sensor oder eine Kombination aus einer photographischen Vorrichtung und einer Bildverarbeitungsvorrichtung, d. h. kontaktlose Sensoren, benutzt werden zum Erkennen, dass die Arme 13A und der Bereich mit größerem Durchmesser 5 miteinander in Kontakt sind, und der Zeitpunkt zum Antreiben der Greifarme 12 kann in Abhängigkeit von diesem Erkennen bestimmt werden.
  • Die 3A, 3B und 3C stellen jeweils ein erstes veranschaulichendes Beispiel einer Einkristallziehvorrichtung und eines Ziehvorgangs dar.
  • In den 3A, 3B und 3C ist ein Impfkristallhalter 2 an der Spitze eines Drahts 1 (oder ein Schaft kann benutzt werden) montiert, und ein Impfkristall 3 ist auf dem Impf kristallhalter 2 angeordnet. Der Draht 1 ist derart ausgebildet, dass er auf einer Drahtwindetrommel durch Betätigen eines Drahtwindemotors (nicht gezeigt) aufgewickelt wird, und die Drahtwickeltrommel und der Drahtwindemotor sind entsprechend ausgebildet, um durch einen Trommeldrehmotor (nicht gezeigt) gedreht zu werden. Nachdem der Impfkristall 3 in eine Si-Schmelze 11 in einem Quarz-Schmelztiegel 10 eingetaucht worden ist, wird er aufwärts gezogen, so dass unterhalb des Impfkristalls 3 ein Halsbereich 4, ein Bereich mit größerem Durchmesser 5 zum Tragen, ein eingeschnürter Bereich 6, und ein Kristallhauptteil 7 gebildet werden.
  • Um den Draht herum sind zwei oder mehr Greifarme 12 angeordnet zum Greifen des einschnürten Bereichs unterhalb des Bereichs mit größerem Durchmesser 5 und ein Kontakt/Wahrnehmungsarm 13B, der mit einem Schulterbereich 7a in Berührung kommt und dies erkennt, und diese sind derart angeordnet, dass sie sich gemeinsam mit dem Draht 1 drehen. Der Schulterbereich 7a ist die obere Oberfläche des Hauptteils des Einkristalls und ist das sogenannte obere Konusteil. Die Spitze des Greifarms 12 kann zum Greifen des eingeschnürten Bereichs 6 geöffnet oder geschlossen werden und zum Aufwärtsziehen des eingeschnürten Bereich 6 während des Greifens auch aufwärts oder abwärts bewegt werden. Der Kontakt/Wahrnehmungsarm 13B kann gleichzeitig mit dem Ziehvorgang aufwärts oder abwärts bewegt werden. Als ein Mechanismus zum Öffnen oder Schließen des Greifarms 12 kann ein Zahnstangengetriebe-Mechanismus, der durch einen Motor oder ein Betätigungselement, wie beispielsweise einen Luftzylinder angetrieben wird, verwendet werden. Der Kontakt/Wahrnehmungsarm 13B ist verbunden mit einem Sensor, der benutzt wird zum Erkennen, dass die Spitze des Arms während des Ziehens in Berührung mit dem Schulterbereich 7a gebracht worden ist. Als Sensor 14 kann ein elektrischer Widerstandssensor, ein Stromerkennungssensor oder ein Gewichtskrafterkennungssensor verwendet werden. Der Draht 1 und die Arme 12 und 13B werden integral und miteinander drehbar gehalten.
  • In dem ersten veranschaulichenden Beispiel kann durch die Steuereinheit der 2 auch eine Steuerung usgeübt werden. Insbesondere wenn eines der Sensorelemente 14A und 14B den Kontakt des Arms 13B mit dem Schulterbereich 7a erkennt, führt der in 2 gezeigte Schaltstromkreis 17 dem Motor 18 elektrischen Strom zu. Infolge dessen wird das Betätigungselement 19 betätigt und der Arm 12 wird bewegt. Die Spitzen des Arms treten sofort unterhalb des Bereichs mit größerem Durchmesser 5 ein und gehen aus dem Zustand der 3B in den in 3C gezeigten geschlossenen Zustand über.
  • In dem Fall, dass der Einkristallhauptteil 7 mit der obigen Anordnung hergestellt wird, wird der Druck in einer Kammer (nicht gezeigt) auf etwa 10 Torr verringert und frisches Argongas zugeführt. Gleichzeitig wird ein Polykristall in dem Quarz-Schmelztiegel 10, der in dem unteren Bereich der Kammer angeordnet ist, erwärmt und geschmolzen. Auch wird der Draht 1 in der Richtung eines in 3A gezeigten Pfeils M1 abwärts bewegt, so dass der Impfkristall 3 in die Oberfläche der Si-Schmelze 11 in dem Quarz-Schmelztiegel 10 eingetaucht wird. In diesem Falle warten die Spitzen der Arme 12 und 13B in solch geeigneten Positionen, dass diese nicht in Berührung mit der Si-Schmelze 11 gebracht werden. Die Spitzen der Greifarme 12 werden geöffnet, so dass sie während des Ziehvorgangs nicht in Berührung mit dem Bereich mit größerem Durchmesser 5 kommen (Pfeile M7 und M8).
  • Dann wird wie in 3B gezeigt, der Impfkristall 3 in der Richtung des Pfeils M4 aufwärts gezogen, relativ schnell nachdem eine vorbestimmte Zeit abgelaufen ist, und es wird ein Halsbereich 4 mit kleinem Durchmesser, d. h. 3 bis 4 mm, unterhalb des Impfkristalls 3 gebildet. Dann wird die Ziehrate relativ verlangsamt, um unterhalb des Halsbereichs 4 einen Bereich mit größerem Durchmesser 5 zu bilden, und indem die Ziehrate relativ erhöht wird, wird unterhalb des Bereichs mit größerem Durchmesser 5 der eingeschnürte Bereich 6 gebildet. Dann wird durch gleichmäßiges Verlangsamen der Ziehrate unterhalb des eingeengten Bereichs 6 ein Schulterbereich 7a gebildet. Dann wird die Bildung eines zylindrischen Kristallhauptbereichs (Hauptteil) begonnen, indem die Ziehrate auf einem konstanten Niveau gehalten wird.
  • Wenn, wie in 3B gezeigt, der Sensor 14 erkennt, dass der Schulterbereich 7A während des Ziehvorgangs in Kontakt mit den Spitzen des Kontakt/Wahrnehmungsarms 13B gebracht wird, wird das Betätigungselement 19 zum Schließen der Spitzen des Greifarms 12 betätigt, wie durch die Pfeile M9 und M10 gezeigt. Infolge dessen treten, wie in 3C gezeigt, die Spitzen des Greifarms 12 unterhalb des Bereichs mit größerem Durchmesser 5 ein und greifen den eingeschnürten Bereich 6. In diesem Fall ist es wünschenswert, dass der Kontakt/Wahrnehmungsarm 13B nicht aufwärts bewegt wird, bis das Greifen durch die Greifarme 12 abgeschlossen ist, so dass der Kristallhauptteil 7 nicht aufgrund der durch das Greifen verursachten Schwingungen in einen Polykristall umgewandelt wird. Insbesondere hat der als ein Kontaktelement dienende Kontakt/Wahrnehmungsarm 13B die Funktion zum Niederdrücken des Schulterbereichs 7a von oben, und der Greifarm 12 greift den Bereich mit größerem Durchmesser 5 von unterhalb. Dadurch wird der Einkristall durch Kräfte, die durch die Arme 12 und 13B in umgekehrten Richtungen, d. h. aufwärts und abwärts, ausgeübt werden, gegriffen. Wenn das Greifen abgeschlossen ist, werden der Draht 1 und die Arme 12 und 13B aufwärts gezogen, während sie gemeinsam gedreht werden.
  • Wenn das Greifen abgeschlossen ist, kann der Kontakt/Wahrnehmungsarm 13B aufwärts bewegt oder die Spitzen können geöffnet werden, so dass der Arm nicht in Kontakt mit dem Schulterbereich 7a kommt. In der obigen Ausführungsform ist der Sensor 14 auf der Seite des Kontakt/Wahrnehmungsarms 13B angeordnet, während er auf der Seite des Drahts 1 (oder Schafts) angeordnet werden kann, und für den Arm 13B kann lediglich die Funktion zum Niederdrücken des Schulterbereichs 7a vorgesehen werden. Weiterhin kann ein optischer Sensor oder eine Kombination aus einer photographischen Vorrichtung und einer Bildverarbeitungsvorrichtung, d. h. ein kontaktloser Sensor, verwendet werden zum Erkennen, dass die Arme 13B und der Schulterbereich 7a miteinander in Berührung sind, und der Zeitpunkt zum Antreiben der Greifarme 12 kann bestimmt werden.
  • Die 4A, 4B und 4C stellen jeweils ein zweites veranschaulichendes Beispiel einer Einkristallziehvorrichtung und einen Ziehvorgang dar.
  • In 4 ist ein Impfkristallhalter an der Spitze eines Drahts 1 (oder ein Schaft kann benutzt werden) befestigt, und ein Impfkristall 3 ist an dem Impfkristallhalter 2 angeordnet. Der Draht 1 ist derart ausgebildet, dass er auf einer Drahtwindetrommel durch Betätigen eines Drahtwindemotors (nicht gezeigt) aufgewickelt werden kann, und die Drahtwindetrommel und der Drahtwindemotor sind ausgebildet, um durch einen Trommeldrehmotor (nicht gezeigt) gedreht zu werden. Nachdem der Impfkristall 3 in eine Si-Schmelze 11 in einem Quarz-Schmelztiegel 10 eingetaucht worden ist, wird er aufwärts gezogen, so dass unterhalb des Impfkristalls 3 ein Halsbereich 4, ein Bereich mit größerem Durchmesser 5 zum Tragen, ein eingeschnürter Bereich 6 und ein Kristallhauptteil 7 gebildet werden.
  • Um den Draht 1 herum sind zwei oder mehr eines ersten Greifarms 12 angeordnet zum Greifen des eingeschnürten Bereichs 6 unterhalb eines Bereichs mit größerem Durchmesser 5 und zwei oder mehr eines zweiten Greifarms 13C angeordnet zum Greifen eines Hauptteils 7, und diese (Greifarme) sind durch Verbindungsarme 20 miteinander verbunden. Spitzen der Greifarme 12 und 13C können durch einen Arm-Öffnungs-/Schließmotor (nicht gezeigt) zum Greifen des eingeengten Bereichs 6 und des Hauptteils 7 geöffnet oder geschlossen werden, und die Arme können aufwärts oder abwärts durch einen auf-/abwärts bewegenden Motor (nicht gezeigt) bewegt werden, zum Aufwärtsziehen des eingeschnürten Bereichs 6 und des Hauptteils 7 im greifenden Zustand, und die Arme sind auch gemeinsam mit dem Draht 1 durch einen Trommeldrehmotor drehbar angetrieben. Elektrischer Strom wird jedem dieser Motoren für Notfälle von einer nicht unterbrechbaren Spannungsquelle 22 (uninterruptive power source, UPS) zugeführt. Die UPS 22 kann elektrischen Strom, selbst während eines Spannungsausfalls, kontinuierlich zuführen und sie kann abruptes Stoppen der Drehung des Impfkristallhalters 2 oder eine Verringerung der Greifkraft der Greifarme 12 und 13C verhindern.
  • Wenn der Einkristallhauptteil 7 mit der obigen Anordnung hergestellt wird, wird der Druck in einer Kammer (nicht gezeigt) auf etwa 10 Torr verringert und frisches Argongas zugeführt. Gleichzeitig wird ein Polykristall in dem Quarz-Schmelztiegel 10, der in dem unteren Bereich der Kammer angeordnet ist, erwärmt und geschmolzen. Auch wird der Draht 1, wie in 4A gezeigt, abwärts bewegt und der Impfkristall 3 wird eingetaucht in, und angepasst mit, der Oberfläche der Si-Schmelze 11 in dem Quarz-Schmelztiegel 10. In diesem Fall warten die Arme 12 und 13C an derartigen Positionen, dass die Spitzen nicht mit der Si-Schmelze 11 in Berührung kommen. Auch werden die Spitzen der Arme 12 und 13C zum Verhindern der Berührung mit dem Bereich mit größerem Durchmesser 5 und dem Hauptteil 7 während des Ziehvorgangs geöffnet. Nachdem eine vorbestimmte Zeit abgelaufen ist, wird dann der Draht 1 in der Richtung des Pfeils M11 in 4A aufwärts gezogen, und der Impfkristall 3 wird aufwärts gezogen.
  • Dann wird, wie in 4B gezeigt, der Impfkristall 3 mit einer relativ hohen Geschwindigkeit in der Richtung des Pfeils M12 gezogen, und es wird ein Halsbereich 4 mit kleinem Durchmesser, d. h. 3 bis 4 mm, unterhalb des Impfkristalls 3 gebildet. Dann wird die Ziehrate relativ verlangsamt und unterhalb des Halsbereichs 4 ein Bereich mit größerem Durchmesser wird gebildet. Dann wird die Ziehrate relativ zum Bilden eines eingeschnürten Bereichs unterhalb des Bereichs mit größerem Durchmesser 5 erhöht. Dann wird die Bildung des Hauptteils 7 begonnen.
  • Wenn der Bereich mit größerem Durchmesser 5 und der Hauptteil 7 während des Ziehvorganges, wie in 4B gezeigt, bis zu den Positionen der Spitzen der Arme 12 und 13C werden die Spitzen der Arme 12 und 13C in den durch die Pfeile M13, M14, M15 und M16 gezeigten Richtungen, wie in 4C bewegt, aufwärts angehoben werden, d. h. die Spitzen werden in radialer Richtung in Bezug auf die Achse des Eingriffteils bewegt und geschlossen. Dadurch wird der einschnürte Bereich 6 und der Hauptteil 7 gegriffen. Wenn das Greifen abgeschlossen ist, werden der Draht 1 und die Arme 12 und 13C in die Richtung des Pfeils M17 aufwärts gezogen, während sie gemeinsam gedreht werden. Die Arme 12 und 13C können derart geöffnet oder geschlossen werden, dass die Spitzen des Arms 13C geschlossen werden, nachdem die Spitzen des Arms 12 geschlossen worden sind. D. h. die Arme 12 und 13C müssen nicht gleichzeitig geschlossen werden.
  • Im folgend wird eine Beschreibung eines dritten veranschaulichenden Beispiels einer Einkristallziehvorrichtung unter Bezugnahme auf die 5A, 5B und 5C gegeben. In dem dritten veranschaulichenden Beispiel sind der Bereich mit größerem Durchmesser 5 und der eingeschnürte Bereich zum Tragen des Einkristalls nicht wie in der dritten Ausführungsform angeordnet. Stattdessen ist unterhalb des Halsbereiches 4 ein Hauptteil 7 angeordnet, und ein erster Greifarm 26 und ein zweiter Greifarm 28 greifen den Hauptteil 7. Die Arme 26 und 28 sind miteinander durch ein Drehscharnier 24 verbunden.
  • Wenn der Einkristallhauptteil mit der obigen Anordnung hergestellt wird, wird der Draht 1, wie in 5A gezeigt, abwärts bewegt, so dass der Impfkristall 3 eingetaucht wird in und angepasst wird mit der Oberfläche der Si-Schmelze 11 in dem Quarz-Schmelztiegel 10. In diesem Falle warten die Spitzen der Arme 26 und 28 in derartigen Positionen, dass die Spitzen der Arme nicht mit der Si-Schmelze 11 in Berührung kommen, und die Spitze der Arme 26 und 28 werden geöffnet, um während des Ziehvorgangs die Berührung mit dem Hauptteil 7 zu vermeiden. Dann wird, nachdem eine vorbestimmte Zeit abgelaufen ist, der Draht 1 aus dem in 5A gezeigten Zustand in einer durch den Pfeil M11 gezeigten Richtung aufwärts gezogen, um den Impfkristall 3 aufwärts zu ziehen. Durch Aufwärtsziehen des Impfkristalls 3 in der Richtung des Pfeils M12 mit relativ hoher Ziehgeschwindigkeit, wie in 5B gezeigt, wird unterhalb des Impfkristalls 3 ein Halsbereich 4 mit kleinem Durchmesser, d. h. 3 bis 4 mm, gebildet. Dann wird durch gleichmäßiges Verlangsamen der Ziehgeschwindigkeit unterhalb des Halsbereiches 4 ein Konusteil gebildet. Durch Halten der Ziehrate auf einem konstanten Niveau wird dann die Bildung des Hauptteils 7 unterhalb des Konusteils begonnen.
  • Wenn der Hauptteil 7, wie in 5B gezeigt, während des Ziehvorgangs bis auf das Niveau der Spitzen der Arme 26 und 28 aufwärts bewegt wird, werden die Spitzen der Arme 26 und 28 in den durch die Pfeile M13, M14, M15 und M16 gezeigten Richtungen, wie in 5C gezeigt, d. h. in radialer Richtung in Bezug auf die Achse des Einkristalls, bewegt. Dadurch werden die Spitzen geschlossen und greifen den Hauptteil 7. Wenn das Greifen abgeschlossen ist, werden der Draht 1 und die Arme 26 und 28 in der durch den Pfeil M17 gezeigten Richtung aufwärts gezogen, während sie gemeinsan gedreht werden.
  • Das Öffnen und das Schließen der Arme 26 und 28 kann derart gesteuert werden, dass die Spitzen der Arme 28 geschlossen werden, nachdem die Spitzen des Arms 26 geschlossen worden sind. D. h. die Arme 26 und 28 müssen nicht gleichzeitig geschlossen werden.
  • Wie oben beschrieben umfasst die Vorrichtung entsprechend der bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Kontaktelement, das mit der oberen Oberfläche eines Bereichs mit einem größeren Durchmesser eines unterhalb eines Impfkristall gebildeten Einkristalls in Berührung kommt und diese niederdrückt, und der Einkristall wird durch das Kontaktelement und das Greifelement, das einen eingeschnürten Bereich des unterhalb des Bereichs mit größerem Durchmesser gebildeten Einkristalls greift, d. h. durch die Wirkung des Kontaktelements und des Greifele ments. Infolgedessen kann, wenn der im Ziehvorgang befindliche Einkristall durch das Greifelement gegriffen wird, dieser auf eine zuverlässige und stabile Weise gegriffen werden und es wird verhindert, dass der Einkristall sich während des Ziehvorgangs in einen Polykristall umwandelt.
  • Auch kann der Sensor erkennen, dass die obere Oberfläche des Bereichs mit größerem Durchmesser des Einkristalls während des Ziehvorgangs mit dem Kontaktelement in Berührung gekommen ist oder dass diese in einer derartigen Beziehung sind, dass sie miteinander in Berührung kommen, und das Greifen kann automatisch durch Greifen des eingeschnürten Bereiches erzielt werden. Dadurch ist es nicht notwendig, sich darum zu kümmern, wie der Zeitpunkt zum Greifen des Bereichs mit größerem Durchmesser zu bestimmen ist, und es kann ein Einkristall, der einen größeren Durchmesser und ein schweres Gewicht aufweist, auf eine sichere und zuverlässige Weise gezogen werden. Die Vorrichtung entsprechend des ersten veranschaulichenden Beispiels umfasst ein Kontaktelement, das mit einem Schulterbereich eines unterhalb eines Impfkristalls gebildeten Einkristalls in Berührung kommt und diesen niederdrückt, und der Einkristall wird durch das Kontaktelement und das Greifelement, welches einen unterhalb des Bereichs mit größerem Durchmesser gebildeten, eingeschnürten Bereiches des Einkristalls greift, gegriffen. Wenn der Einkristall während der Ziehbedingungen durch das Greifelement gegriffen wird, kann er infolgedessen auf eine zuverlässige und stabile Weise gegriffen werden, und es wird verhindert, dass der Einkristall sich während des Ziehvorganges in einen Polykristall umwandelt.
  • Auch kann der Sensor erkennen, dass der Schulterbereich des Einkristalls während des Ziehvorgangs in Berührung mit dem Kontaktelement gebracht wird oder dass diese in einer solchen Beziehung sind, dass sie miteinander in Berührung kommen, und das Greifen kann automatisch durch Greifen des eingeschnürten Bereichs erzielt werden. Daher ist es nicht notwendig, sich darum zu kümmern, wie der Zeitpunkt zum Greifen des Bereichs mit größerem Durchmesser zu bestimmen ist, und der Einkristall, der einen größeren Durchmesser und ein schweres Gewicht aufweist, kann auf eine sichere und zuverlässige Weise aufwärts gezogen werden.
  • Entsprechend dem zweiten veranschaulichenden Beispiel ist der Greifer in einer sicheren dualen Struktur ausgebildet zum Greifen des Einkristalls in verschiedenen Positionen. Infolgedessen ist es möglich, das Herunterfallen des Einkristalls zu vermeiden, selbst wenn der Greifer oder der Einkristall während des Ziehvorgangs beschädigt werden; und auch das Herunterfallen des Einkristalls während eines Stromausfalls zu vermeiden, weil der Greifeinheit des Greifers Energie von einer nicht unterbrechbaren Energiequelle (UPS) zugeführt wird. Des weiteren ist es durch einen Entwurf derart, dass dem Impfkristallziehmittel Energie durch eine UPS zugeführt wird, möglich, zu verhindern, dass der Impfkristall beschädigt wird, wenn die Drehung des Einkristalls während eines Stromausfalls abrupt beendet wird.

Claims (7)

  1. Eine Einkristall-Ziehvorrichtung umfassend: Impfkristallziehmittel (18) zum Ziehen eines Impfkristalls (3), während ein Impfkristallhalter (2) zum Tragen des Impfkristalls gedreht wird; ein Greifelement (12), das zusammen mit dem Impfkristallhalter (2) drehbar und in einer vertikalen Richtung (114) bewegbar ist und das eine Spitze aufweist, die zum Greifen eines unter einem Bereich mit größerem Durchmesser (5) durch Ziehen unter Benutzung des Impfkristallziehmittels (18) gebildeten, eingeengten Bereichs (6) eines Einkristalls geöffnet oder geschlossen werden kann; dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung ferner umfaßt ein Kontaktelement (13A), das zusammen mit dem Impfkristallhalter (2) drehbar und in der vertikalen Richtung bewegbar ist und die Funktion aufweist, den Bereich mit größerem Durchmesser (5) des Einkristalls von oben nieder zu drücken, nach dem die obere Oberfläche des unter dem Impfkristall durch Ziehen unter Benutzung des Impfkristallziehmittels gebildeten Bereichs des Einkristalls mit dem größerem Durchmesser (5) in Berührung kommend angeordnet ist; und Bewegemittel (19) zum Bewegen einer Spitze des Greifelementes (12) auf die untere Oberfläche des Bereiches mit dem größerem Durchmesser (5) zu, so dass, wenn die obere Oberfläche des zu ziehenden Einkristalls mit dem Kontaktelement (13A) in Berührung gebracht wird, eine Spitze des Greifelements (12) geschlossen und der eingeengte Bereich (6) durch kooperatives Einwirken mit dem Kontaktelement (13A) gegriffen wird.
  2. Die Einkristall-Ziehvorrichtung nach dem Anspruch 1, wobei das Kontaktelement (13A) einen Sensor 14 aufweist zum Erkennen, dass die obere Oberfläche des Bereichs mit größerem Durchmesser (5) des zu ziehenden Einkristalls in Berührung mit dem Kontaktelement (13A) gekommen ist, und das Bewegmittel (19) entsprechend eines Erkennungssignals des Sensors geregelt wird.
  3. Die Einkristall-Ziehvorrichtung nach dem Anspruch 1, wobei das Impfkristall-Ziehmittel (18) einen Sensor aufweist zum Erkennen, dass die obere Oberfläche des Bereiches mit größerem Durchmesser des zu ziehenden Einkristalls in Berührung mit dem Kontaktelement (13A) gebracht worden ist, und das Bewegmittel (19) entsprechend einem Erkennungssignal des Sensors gesteuert wird.
  4. Die Einkristall-Ziehvorrichtung nach dem Anspruch 2 oder 3, wobei der Sensor ein Sensor vom elektrischen Typ zum Erkennen eines elektrischen Widerstands oder eines elektrischen Stroms ist.
  5. Die Einkristall-Ziehvorrichtung nach dem Anspruch 2 oder 3, wobei der Sensor ein Sensor zum Erkennen einer Last des Impfkristallziehmittel (18) ist.
  6. Die Einkristall-Ziehvorrichtung nach dem Anspruch 1, weiterhin umfassend: Positionserkennungsmittel zum Erkennen, dass die obere Oberfläche des Bereichs mit größerem Durchmesser (5) des zu ziehenden Einkristalls bis zu einer vorbestimmten Position aufwärts gezogen worden ist, und Bewegemittel zum Bewegen einer Spitze des Greifelements auf die obere Oberfläche des Bereichs mit grö ßerem Durchmesser (5) zu, so dass die Spitze des Greifelements (12) geschlossen wird und der eingeengte Bereich (6) durch gegenseitiges Einwirken mit dem Kontaktelement (13A) als Reaktion auf das Erkennen durch das Positionserkennungsmittel gegriffen wird.
  7. Die Einkristall-Ziehvorrichtung nach dem Anspruch 6, wobei ferner Erkennungsmittel vorgesehen sind zum Erkennen, dass das Positionserkennungsmittel sich in einer Position befindet, um den Bereich mit größerem Durchmesser (5) in Berührung mit dem Kontaktelement (13A) zu bringen.
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