DE69735588T2 - Herstellung eines bauteils für eine halbleiterschaltung - Google Patents

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Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Schaltkreisglied bzw. Bauteil für eine auf einer Oberfläche zu montierende, aus Kunststoff geformte Art einer Halbleitervorrichtung, die ein Schaltkreisglied aufweist, das dünn durch ein Plattieren zur Verfügung gestellt ist, eine Halbleitervorrichtung, die das Schaltkreisglied verwendet, ein Verfahren zum Ausbilden des Schaltkreisglieds und ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung, insbesondere eines Schaltkreisglieds für eine aus Kunststoff geformte Art eines BGA (ball grid array) einer Halbleitervorrichtung und ein Schaltkreisglied für eine kleine Packung bzw. einen kleinen Aufbau.
  • STAND DER TECHNIK
  • In den letzten Jahren hat für Halbleitervorrichtungen eine Tendenz zu höherer Leistung und Reduktion in der Dicke und Größe einer elektronischen Einrichtung bzw. Ausrüstung in einer immer größeren Anfrage für eine höhere Integrationsdichte und höhere Funktionen resultiert, wie sie durch ASIC (application specific IC) von LSI typifiziert sind.
  • In der Halbleitervorrichtung, die eine erhöhte Integrationsdichte und Funktion aufweist, wurde die Induktanz in der Packung nicht negierbar bzw. vernachlässigbar für ein Hochgeschwindigkeitsverarbeiten bzw. -bearbeiten von Signalen. Um die Induktanz in der Packung zu reduzieren, wurde die Anzahl von verbindenden bzw. Verbindungsanschlüssen der Leistungsquelle und Erde erhöht, um die wesentliche Induktanz zu verringern.
  • Die höhere Integrationsdichte und höhere Funktion der Halbleitervorrichtung hat in einer erhöhten Gesamtzahl von externen Anschlüssen (Pins) und in einer noch ansteigenden Anforderung für einen Anstieg in der Anzahl von Anschlüssen (Pins) resultiert.
  • In einem Mehrfach-Anschluß (Pin) IC, insbesondere Halbleitervorrichtungen, wie sie durch ASIC typifiziert sind durch ein Gate Array und Standardzellen, einer Mikroprozessoreinheit und DSP (digitaler Signalprozessor), enthalten jene, die einen Leiterrahmen verwenden, oberflächenmontageartige Packungen, wie QFP (quad flat package). In QFPs wurde die Anzahl von Pins bis zu 300 Pins in praktische Verwendung gebracht.
  • In QFPs wird ein Einzelschicht-Leiterrahmen 1310, wie dies in 44b gezeigt ist, verwendet. Wie dies in 44a gezeigt ist (Querschnittsansicht) ist ein Halbleiterelement 1320 auf einer Chipkontaktstelle 1311 festgelegt ist, eine innere Leitung bzw. Zuleitung in seinem Vorderende 1312A, die einer Behandlung, wie einem Silberplattieren oder Goldplattieren unterworfen ist bzw. wird, ist bzw. wird mit einem Anschluß (einer Elektrodenkontaktstelle) 1321 des Halbleiterelements 1320 durch einen Draht 1330 verbunden, ein Kunststofformen wird unter Verwendung eines Harzes 1340 ausgeführt, ein Sperrbalkenabschnitt wird geschnitten und ein Abschnitt einer äußeren Zuleitung 1313 wird in einer Knickflügelform gebogen. In einem derartigen QFP ist die Struktur derart, daß ein äußerer Leiter bzw. eine äußere Zuleitung für eine elektrische Verbindung zu einem äußeren Schaltkreis in vier Richtungen der Packung zur Verfügung gestellt ist. Diese Struktur kann einer Anforderung für einen Anstieg in der Anzahl von Anschlüssen bzw. Kontakten (Pins) genügen. Der Einzelschicht-Leiterrahmen 1310, der hierin verwendet ist, wird allgemein durch ein Herstellen eines Metallblatts, das eine exzellente elektrische Leitfähigkeit und hohe Festigkeit besitzt, wie Kovar, 42 Legierung (425 Ni-Eisen) oder eine auf Kupfer basierende Legierung, durch ein Ätzen unter Verwendung von Photoätzen, Stanzen oder dgl. in einen Leiterrahmen hergestellt, wie es in 44b gezeigt ist.
  • Eine Nachfrage bzw. Anforderung für eine Erhöhung in einer Signalverarbeitungsgeschwindigkeit und einer Erhöhung in der Leistung bzw. Leistungsfähigkeit (Funktion) eines Halbleiterelements in den letzten Jahren erfordert jedoch einen weiteren Anstieg in der Anzahl von Anschlüssen.
  • Im Gegensatz erlaubt in einem QFP eine Reduktion im Abstand eines externen Anschlusses dem QFP, einer Anforderung für einen weiteren Anstieg in der Anzahl von Anschlüssen zu genügen. In bzw. bei der Reduktion in dem Abstand des externen Anschlusses sollte jedoch auch die Breite des externen Anschlusses per se ebenfalls reduziert werden, was in einer abgesenkten Festigkeit des externen Anschlusses resultiert. Dies stellt in ungünstiger Weise ein Problem dar, welches mit einer Positionsgenauigkeit oder Ebenheitsgenauigkeit beim Formen des Anschlusses (Ausbildung eines Knickflügels) assoziiert ist. Weiterhin wird in dem QFP der Schritt eines Montierens bzw. einer Reduktion eines Abstands schwierig, indem der Abstand des Außendrahts bzw. äußeren Leiters auf 0,4 mm, 0,3 mm oder einen kleineren. Abstand reduziert wird, was einer Realisierung von hoch bzw. weit entwickelten Plattenmontagetechniken erfordert.
  • Um Probleme einer Montageeffizienz und Montierbarkeit zu vermeiden, die in der konventionellen QFP Packung involviert sind, wurde eine Kunststoffpackungs-Halbleitervorrichtung, die BGA genannt (ball grid array) ist, welche eine Oberflächenmontageart einer Packung ist, wobei der externe Anschluß der Packung durch eine Lötkugel ersetzt ist, entwickelt.
  • BGA ist ein generischer Name für eine Oberflächenmontageart einer Halbleitervorrichtung (Kunststoffpackung), wobei der externe Anschluß durch Lötkugeln gebildet ist, welche in einer Matrixform (einer Array- bzw. Feldform) auf der rückwärtigen Oberfläche angeordnet sind.
  • Im allgemeinen wird in diesem BGA, um die Anzahl von Eingangs- bzw. Eingabe- und Ausgangs- bzw. Ausgabeanschlüssen zu erhöhen, ein Halbleiterelement auf einer Seite der doppelseitigen verdrahteten bzw. Verdrahtungsplatte festgelegt, eine externe Anschlußelektrode zum Montieren eines sphärischen Lots daran wird auf der anderen Seite zur Verfügung gestellt, und das Halbleiterelement wird elektrisch mit der äußeren Anschlußelektrode bzw. Elektrode des äußeren Anschlusses durch ein Durchgangsloch verbunden. Ein Abscheiden bzw. Anordnen von Lotkugeln in einem Feld kann den Anschlußabstandraum, verglichen mit dem Abstand in der Halbleitervorrichtung unter Verwendung des konventionellen Leiterrahmens erhöhen. Als ein Ergebnis kann das BGA einer Anforderung für eine Erhöhung in der Anzahl von Eingabe- und Ausgabeanschlüssen genügen, ohne daß es schwierig ge macht wird, den Schritt eines Montierens der Halbleitervorrichtung auszuführen.
  • BGA hat allgemein eine Struktur, wie sie in 39a gezeigt ist. 39b ist ein Diagramm, wie es von der Seite der rückwärtigen Oberfläche (Substrat) in 39a gesehen wird. 39c ist ein Diagramm, das einen Querschnitt eines Durchgangslochs 805 zeigt. Dieses BGA umfaßt: ein Substrat 802, das durch ein wärmebeständiges ebenes bzw. flaches Blatt (Harzblatt) gebildet ist, das durch ein BT Harz (ein Bismaleimid-Harz) typifiziert ist; wobei auf einer Seite des Substrats 802 eine Chipkontaktstelle 807 zum Montieren eines Halbleiterelements 801 darauf und ein Bonding- bzw. Verbindungspad bzw. eine Bondingkontaktstelle 810 für eine elektrische Verbindung von dem Halbleiterelement 801 durch einen Bonding- bzw. Verbindungsdraht 808 zur Verfügung gestellt ist; und wobei auf der anderen Seite des Substrats 802 zur Verfügung gestellt, ein externer Verbindungsanschluß 806, der durch eine Lotkugel ausgebildet ist, die in einer Gitterform oder Zickzack-Form angeordnet ist, für eine elektrische und physikalische Verbindung zwischen der externen Schaltung und der Halbleitervorrichtung vorgesehen ist, wobei der externe Verbindungsanschluß 806 und das Bondingpad 810 elektrisch miteinander durch Verdrahten 804, ein Durchtritts- bzw. Durchgangsloch 805 und ein Verdrahten 804A verbunden sind.
  • Dieses BGA hat jedoch eine derartige komplizierte Struktur, daß eine Schaltung bzw. ein Schaltkreis zum Verbinden eines Halbleiterelements, das an dem Draht montiert bzw. festgelegt ist, und einer externen Anschlußelektrode zum Montieren einer Leiterplatte nach der Ausbildung einer Halbleitervorrichtung auf beiden Seiten des Substrats 802 vorge sehen bzw. zur Verfügung gestellt sind und diese elektrisch durch ein Durchgangsloch 805 verbunden sind bzw. werden. Aus diesem Grund erzeugt ein Einfluß der thermischen Expansion des Harzes häufig ein Brechen in dem Durchgangsloch 805, was ein Problem einer Zuverlässigkeit in der Herstellung mit sich bringt.
  • Um das Herstellungsverfahren zu vereinfachen und um das Absenken der Zuverlässigkeit zu vermeiden, wurden verschiedene Vorschläge kürzlich betreffend PBGA (Kunststoff ball grid array) getätigt, wobei ein Schaltkreis unter Verwendung eines Leiterrahmens als dem Kernmaterial zusätzlich zu der Struktur zur Verfügung gestellt ist, die in 39a gezeigt ist.
  • Die PBGA Verpackung bzw. Packung, die den Zuleitungs- bzw. Leiterrahmen verwendet, hat allgemein eine Struktur, wie sie in 40a gezeigt ist, so daß ein Leiterrahmen 910 in seiner Gesamtheit auf einem isolierenden fixierenden bzw. Fixierfilm 960 festgelegt ist bzw. wird, wobei ein vorbestimmtes Loch an einem Ort entsprechend einem äußeren Anschlußabschnitt 914 eines Leiterrahmens 910 ausgebildet ist und ein Kunststofformen ausgeführt wird, oder eine Struktur, wie sie in 40b gezeigt ist, so daß ein innerer Leiter mit einem Festlegungsklebeband 960A festgelegt wird.
  • Der Leiterrahmen 910, der hierin verwendet ist bzw. wird, ist derart konstruiert, daß sowohl der externe Anschlußabschnitt 913 als auch der innere Leiter 912 eine Dicke gleich der Dicke des Leiterrahmenmaterials aufweisen. Nach der Herstellung der externen Form bzw. Gestalt durch ein Ätzen, wie dies in 41a gezeigt ist, wird ein Verbindungsabschnitt 917, welcher sich von dem Vorderende des inneren Leiters 912 erstreckt und einstÜckig bzw. integral mit dem inneren Leiter verbunden ist, um die inneren Leiter aneinander zu fixieren, zur Verfügung gestellt, und ein unterstützender Leiter 915 zum Unterstützen bzw. Abstützen des externen Anschlußabschnitts ist bzw. wird mit einem Sperrbalken (einem Rahmenabschnitt bzw. -querschnitt) 914 verbunden.
  • In dem Fall einer Halbleitervorrichtung 900, die in 40a gezeigt ist, ist bzw. wird, wie dies in 41 gezeigt ist, der Leiterrahmen (41a) in seiner Gesamtheit unter Verwendung einer fixierenden Folie bzw. eines fixierenden Films 960 (41b) festgelegt, der Verbindungsabschnitt 917 zum Verbinden von inneren Leitern aneinander festgelegt, welcher in erster Linie bzw. primär unnotwendig ist wird durch ein Drücken bzw. Pressen entfernt, um ein Leiterrahmenglied 970 herzustellen, wie dies in 41c gezeigt ist, umfassend einen Leiterrahmen 910 und eine Fixierfolie 960. Bezugszeichen 920 bezeichnet eine Öffnung. In diesem Fall ist eine Verwendung einer teuren Form notwendig für die Herstellung des Leiterrahmenglieds 970, und die Produktivität ist ebenfalls niedrig.
  • Andererseits wird in dem Fall einer Halbleitervorrichtung 900A, die in 40b gezeigt ist, ein Teil, umfassend bzw. enthaltend den inneren Leiter des Leiterrahmens statt dem gesamten Leiterrahmen mit einem Fixierklebeband 960A festgelegt, und ein Verbindungsabschnitt (nicht gezeigt) zum Verbinden von inneren Leitern aneinander wird dann entfernt, um ein Leiterrahmenglied 970A, umfassend einen Leiterrahmen 910 und ein Festlegungsklebeband 960A auszubilden bzw. vorzubereiten. Auch in diesem Fall ist eine Verwendung einer teuren Form für die Produktion des Leiterrahmenglieds 970A erforderlich, und die Produktivität ist ebenfalls niedrig.
  • Weiterhin sollte in dem Fall eines Verwendens des Leiterrahmenglieds 970, das in 41c gezeigt ist, und in dem Fall eines Verwendens des Leiterrahmenglieds 970A, wobei ein Teil des Leiterrahmens fixiert ist, (40b), in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung, wie dies in 42 gezeigt ist, der Sperrbalken (Rahmenabschnitt) 914 nach einem Kunststofformen entfernt werden, um die ab- bzw. unterstützenden Leiter 915 zu trennen, welche den externen Anschlußabschnitt unterstützt haben. In diesem Fall wird der Rahmenabschnitt geschnitten und mittels der Form entfernt, was eine Verwendung einer teuren Form erforderlich macht. Zusätzlich ist die Produktivität ebenfalls niedrig.
  • In dem BGA, der aus Kunststoff geformten Art einer Halbleitervorrichtungen unter Verwendung eines Leiterrahmens als dem Kernmaterial, kann, verglichen mit einer Halbleitervorrichtung, die einen Einzelschicht-Leiterrahmen verwendet, der in 44b gezeigt ist, wenn die Anzahl der Anschlüsse dieselbe ist, der Abstand der externen Anschlüsse für eine Verbindung mit einem externen Schaltkreis aufgeweitet werden, was es dem Halbleiter ermöglicht, mit einem Erfordernis für eine Erhöhung in der Anzahl von Eingabe- und Ausgabeanschlüssen zu genügen, ohne den Schritt eines Montierens der Halbleitervorrichtung schwierig zu machen. Eine Reduktion im Abstand des inneren Leiters ist jedoch unvermeidbar und wurde für einen weiteren Anstieg in der Anzahl von Anschlüssen erforderlich bzw. gefordert.
  • Um dem zu genügen, wurde ein Ätzverfahren vorgeschlagen, wobei der innere Leiterabschnitt in einer kleineren Dicke als das Leiterrahmenmaterial gebildet ist bzw. wird, um einen engen Abstand zu erzielen.
  • Ein Beispiel dieser Art des Ätzverfahrens wird unter Bezugnahme auf 43 beschrieben.
  • Zur Vereinfachung wird die Herstellung eines Leiterrahmens, wobei nur der innere Leiter eine kleinere Dicke als das Leiterrahmenmaterial aufweist, das aus einer Kupferlegierung gebildet ist wird beschrieben.
  • 43 ist eine Querschnittsansicht, die das Vorderende eines inneren Leiters in jedem Schritt eines Ausbildens eines inneren Leiters zeigt, der eine kleine Dicke aufweist.
  • In bezug auf den Ort, welcher einem externen Formen auf eine Dicke gleich der Dicke des Leiterrahmenmaterials unterworfen werden sollte, wird ein Resistmuster, das im wesentlichen dieselbe Form und Größe aufweist, auf beiden Seiten des Leiterrahmenmaterials ausgebildet, gefolgt durch Ätzen.
  • In 43 bezeichnet Bezugszeichen 1210 ein Leiterrahmenmaterial, Bezugszeichen 1210A einen Abschnitt kleiner Dicke, Bezugszeichen 1220A und 1220B jeweils ein Resistmuster, Bezugszeichen 1230 eine erste Öffnung, Bezugszeichen 1240 eine zweite Öffnung, Bezugszeichen 1250 einen ersten vertieften bzw. ausgenommenen Abschnitt, Bezugszeichen 1260 einen zweiten ausgenommenen Abschnitt, Bezugszeichen 1270 eine ebene bzw. flache Fläche, Bezugszeichen 1280 eine gegenüber einem Ätzen resistente Schicht (eine Füllstoffschicht) und Bezugszeichen 1290 einen inneren Leiter.
  • An dem Beginn werden beide Seiten eines Leiterrahmenmaterials, das durch einen 0,15 mm dicken Streifen gebildet ist, einem Reinigen, Entfetten oder dgl. unterworfen, ein Resist, der aus einer gemischten Lösung aus einer wäßrigen Caseinlösung unter Verwendung von Kaliumdichromat als ein empfindlich machendes Agens zusammengesetzt ist, wird auf beiden Seiten davon beschichtet, der Resist wird getrocknet und eine vorbestimmte Fläche des Resists auf beiden Seiten des Leiterrahmenmaterials unter Verwendung einer Platte, die ein vorbestimmtes Muster aufweist, wird belichtet, gefolgt durch eine Entwicklung, um entsprechend Resistmuster 1220A und 1220B mit einer ersten Öffnung 1230 und einer zweiten Öffnung 1240 auszubilden, die entsprechende vorbestimmte Formen aufweisen (43a).
  • Die erste Öffnung 1230 ist zum Attackieren bzw. Angreifen des Leiterrahmenmaterials 1210 in einer festen Form in dem nachfolgenden Ätzen durch diese Öffnung auf eine Dicke kleiner als das Leiterrahmenmaterial 1210 zur Verfügung gestellt, und die zweite Öffnung 1240 des Resists ist für ein Definieren der Form bzw. Gestalt des Vorderendes des inneren Leiters zur Verfügung gestellt.
  • Nachfolgend werden beide Seiten des Leiterrahmenmaterials 1210, wobei ein Resistmuster darauf ausgebildet ist, mit einer Eisenchloridlösung, die eine Lösungstemperatur von 50 °C und ein spezifisches Gewicht von 46 Grad Baume aufweist, bei einem Sprühdruck von 3,0 kg/cm2 geätzt, und das Ätzen wird gestoppt, wenn die Tiefe h des ersten ausgenommenen bzw. vertieften Abschnitts 1250, der in einer festen Form (einer ebenen Form) attackiert ist bzw. wird, einen vorbestimmten Wert (43b) erreicht hat.
  • Ein Verkürzen der Ätzzeit in dem zweiten Ätzen, das unten beschrieben ist, ist der Grund, warum das erste Ätzen gleichzeitig von beiden Seiten des Leiterrahmenmaterials 1210 durchgeführt wird. Ein gleichzeitiges Ätzen von beiden Seiten in dem ersten Ätzen erlaubt, daß die gesamte Ätzzeit des ersten Ätzens und des zweiten Ätzens kürzer als in dem Fall eines Ätzens einer Seite von der Seite des Resistmusters 1220B alleine ist.
  • Ein Harz, das einem Ätzen widersteht, wird dann als eine Ätzresistschicht 1280 durch ein Stempelbeschichten auf dem ersten ausgenommenen Abschnitt 1250, der attackiert ist, auf der Seite der ersten Öffnung 1230 beschichtet, um den ersten ausgenommenen Abschnitt 1250, der attackiert ist, in einer festen Form (einer ebenen bzw. flachen Form) aufzufüllen. Darüber hinaus wird die ätzbeständige Schicht 1280 auch auf das Resistmuster 1220B beschichtet (43c).
  • Es ist nicht immer erforderlich, daß die ätzbeständige Schicht 1280 auf die gesamte Oberfläche des Resistmusters 1220B beschichtet wird. Da es schwierig ist, die ätzbeständige Schicht 1280 nur auf ein Teil, beinhaltend den ersten ausgenommenen Abschnitt 1250 zu beschichten, wie dies in 43c gezeigt ist, wird die ätzbeständige Schicht 1280 jedoch auf die gesamte Oberfläche der Seite der ersten Öffnung 1230 gemeinsam mit dem ersten ausgenommenen Abschnitt 1250 beschichtet.
  • Vorzugsweise ist das Harz, das die erste einem Ätzen widerstehende bzw. ätzbeständige Schicht 1280 ausbildet, funda mental widerstandsfähig gegenüber die Ätzlösung und hat bis zu einem gewissen Ausmaß zum Zeitpunkt eines Ätzens eine Flexibilität. Es kann von einer durch UV härtbaren Art sein.
  • Wenn der erste ausgenommene Abschnitt 1250, der an der Seite mit einem Muster zum Ausbilden des inneren vorderen Leiterendes attackiert ist, das darauf ausgebildet ist, mit der ätzbeständigen Schicht 1280 verfüllt wird, kann ein Vorteil geboten werden, daß der erste ausgenommene Abschnitt 1250 nicht angegriffen bzw. attackiert wird und nicht während eines Ätzens in dem nachfolgenden Schritt groß wird, die mechanische Festigkeit gegen scharfes Ätzen kann erhöht werden, und somit kann der Sprühdruck erhöht werden (3,0 kg/cm2), was den Fortschritt des Ätzens in der Richtung der Tiefe erleichtert.
  • Danach wird das zweite Ätzen ausgeführt. In diesem Fall wird das Leiterrahmenmaterial 1210 von der Seite des zweiten ausgenommenen Abschnitts 1260 geätzt, welche gegenüber der Seite mit dem ersten ausgenommenen Abschnitt 1250 liegt, der in einer festen Form (einer ebenen Form) attackiert ist. Durch dieses Ätzen wird ein Durchgangsloch ausgebildet, um den Abschnitt kleiner Dicke des vorderen Endes des inneren Leiters 1290 zur Verfügung zu stellen (43d).
  • Die Seite, parallel zu der Leiterrahmenseite, die durch das erste Ätzen ausgebildet wurde, ist flach bzw. eben. Andererseits sind zwei Seiten bzw. Flächen, zwischen welchen diese Seite sandwichartig aufgenommen bzw. eingeschlossen ist, zu der Seite des inneren Leiters ausgenommen bzw. vertieft.
  • Das zweite Ätzen wird gefolgt durch ein Waschen, Entfernen der ätzbeständigen Schicht 1280 und Entfernen des Resistfilms (Resistmuster 1220A und 1220B), um einen Leiterrahmen auszubilden bzw. vorzubereiten, wobei ein innerer Leiter 1290 fein hergestellt wurde (43e).
  • Die ätzbeständige Schicht 1280 und die Resistschicht (Resistmuster 1220A und 1220B) werden gelöst und mit einer wäßrigen Natriumhydroxidlösung entfernt.
  • Das obige Ätzen, welches in zwei gesonderten Stufen ausgeführt wird, wird allgemein ein Zweistufenätzen genannt und ist exzellent insbesondere in der Genauigkeit.
  • Bei bzw. in der Herstellung eines Leiterrahmens, der in 43 gezeigt ist, erlauben eine Verwendung des Zweistufenätzens und ein Ausbilden bzw. Entwerfen der Form des Musters, daß die externe Form ausgebildet wird, während teilweise die Dicke des Leiterrahmenmaterials reduziert wird.
  • Das Verfahren zum Ausbilden eines dünnen Innenleiters in dem Leiterrahmen ist nicht auf das obige Ätzverfahren beschränkt.
  • Eine feine Herstellung durch das obige Verfahren, wobei der innere Leiter mit bzw. in einer kleinen Dicke ausgebildet ist bzw. wird, wird durch die Form des zweiten ausgenommenen Abschnitts 1260 und die Dicke t des vorderen Endabschnitts des Endinnenleiters beeinflußt. Beispielsweise kann, wenn die Dicke t auf 50 μm reduziert ist, eine feine bzw. genaue Herstellung in einem derartigen Ausmaß durchge führt werden, daß, wie dies in 43e gezeigt ist, wenn die Breite W1 des flachen Abschnitts 100 μm beträgt, der Abstand p des vorderen Endabschnitts des inneren Leiters bis zu 0,15 mm beträgt. Wenn die Dicke t auf etwa 30 μm reduziert ist, wobei die Breite W1 des ebenen Abschnitts etwa 70 μm ist, kann eine feine Herstellung bis zu einem derartigen Ausmaß gemacht werden, daß der Abstand p an dem Vorderende des inneren Leiters bis zu 0,12 mm beträgt. Ein noch schmälerer Abstand des vorderen Endabschnitts des inneren Leiters wird in Abhängigkeit von der Dicke t und der Breite W1 des ebenen Abschnitts möglich.
  • In dem Leiterrahmen, der durch die Schritte und dgl., wie dies in 43 gezeigt ist, hergestellt ist bzw. wird, wird der innere Leiterabschnitt bzw. Querschnitt des inneren Leiters mit einem Reduzieren der Dicke des inneren Leiters instabil, und es sollte, wie dies in 44 gezeigt ist, der Verbindungsabschnitt 917 zum Verbinden der vorderen Endabschnitte des inneren Leiters miteinander entfernt werden. Weiterhin sollte, wie dies in 42 gezeigt ist, die Sperrstange (Rahmenabschnitt) 914 geschnitten und entfernt werden. Dies bringt Probleme der Produktivität und der Kosten mit sich und zusätzlich ist es schwierig, die Positionsgenauigkeit und Qualität des inneren Leiters aufrechtzuerhalten. Daher war eine Lösung der obigen Probleme in der Technik gewünscht.
  • Andererseits wurde in der aus Kunststoff geformten Art einer Halbleitervorrichtung eine Reduktion in der Packung hauptsächlich durch eine Reduktion in der Dicke durch die Entwicklung von TSOP (thin small outline package, Packung mit dünner Außenkontur) durchgeführt. Jedoch erreichten in kleinen Packungen, wie TSOP, ein Zeichnen bzw. Ziehen des Leiters, Pin- bzw. Stiftabstand und Annehmen von mehr Stiften die Grenze.
  • Unter diesen Umständen war eine Halbleitervorrichtung, welche verglichen mit TSOP und dgl., kleiner in der Größe und billiger ist und eine bessere Montierbarkeit aufweist, und ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung, welches eine derartige Halbleitervorrichtung zur Verfügung stellen kann, in der Technik gewünscht.
  • Verschiedene CSPs (chip scale packages, Packungen in Chipgröße bzw. -maßstab), welche eine Reduktion in der Größe einer Halbleitervorrichtung realisiert haben, wurden vorgeschlagen. In diesem Fall sollten jedoch ein Harz und ein Folien- bzw. Filmsubstrat, welche noch nicht in der Technik verwendet wurden, für eine Packung bzw. ein Verpacken verwendet werden, was ein Problem der Zuverlässigkeit mit sich bringt.
  • Wie oben beschrieben, weist ein BGA, das eine doppelseitige Verdrahtungs- bzw. Leiterplatte aufweist, die in 39 gezeigt ist, eine komplizierte Konstruktion und leidet an zahlreichen Problemen, die mit der Herstellung und der Zuverlässigkeit assoziiert sind. Weiterhin weist ein BGA, das mit einem Schaltkreis unter Verwendung eines Leiterrahmens als einem Kernmaterial zur Verfügung gestellt ist, wie dies in 40 gezeigt ist, ein Problem der Produktivität auf und involviert zusätzlich ein Problem, daß es schwierig ist, die Positionsgenauigkeit des inneren Leiters und die Qualität aufrechtzuerhalten.
  • Andererseits waren eine Halbleitervorrichtung, welche verglichen mit TSOP und dgl. kleiner in der Größe ist und bil liger ist, und ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung, welche eine derartige Halbleitervorrichtung bieten bzw. zur Verfügung stellen kann, in der Technik gewünscht.
  • Aus JP 59119749 A ist eine Halbleitervorrichtung bekannt, die ein einfaches wärmeabstrahlendes bzw. -verteilendes Substrat verwendet bekannt. Die Oberfläche einer Kupferplatte wird durch ein Sprühen von Aluminiumoxid auf die Platte rauh gemacht. Als nächstes wird eine Aluminiumoxidschicht auf der Platte in einem geschmolzenen Zustand abgeschieden. Dann wird Epoxyharz über die gesamte Oberfläche der Platte gestreift und gedehnt, und ein gemeinsames hohles Loch in einer Isolationsschicht wird gefüllt.
  • Aus WO 9526047 A sind ein Halbleiterpackungs-Herstellungsverfahren und eine Halbleiterpackung bekannt, in welcher ein rostfreies Stahlblatt als ein Substrat verwendet wird.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Ein Ziel bzw. Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds bzw. Bauteils und eine Halbleitervorrichtung zur Verfügung zu stellen, welche mit einer immer mehr ansteigenden Anforderung für mehrere Anschlüsse genügen kann und vorteilhaft in der Produktivität und Qualität gegenüber dem konventionellen Leiterrahmenglied und einer Halbleitervorrichtung ist.
  • Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, welche eine kleinere Größe realisieren kann und welche bei niedrigeren Kosten verglichen mit TSOP (thin small outline package) hergestellt werden kann, und ein Schaltkreisglied bzw. Bauteil zur Verfügung zu stellen, das dafür verwendet wird.
  • Diese Ziele werden durch ein Verfahren zum Herstellen eines Bauteils bzw. Schaltkreisglieds erfüllt, wie es in Anspruch 1 definiert ist. Bevorzugte Ausbildungen der Erfindungen sind in den abhängigen Unteransprüchen beschrieben.
  • Die vorliegende Erfindung hat die folgenden Effekte oder Vorteile.
  • Das Schaltkreisglied bzw. Bauteil für eine Halbleitervorrichtung kann in einer kleinen Dicke hergestellt werden, erlaubt es einem Schaltkreis, daß er fein hergestellt wird, hat eine gute Anhaftung zwischen dem leitfähigen Substrat und dem leitenden bzw. leitfähigen Metall und kann somit das leitende bzw. leitfähige Substrat daran hindern, daß es von dem leitfähigen Metall in dem Kunststofformen bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung getrennt wird, und erlaubt nach der Herstellung einer Halbleitervorrichtung dem leitfähigen Substrat, daß es leicht von der Halbleitervorrichtung entfernt wird. Weiterhin können eine Mehrzahl von Sätzen des Leiters und des externen Anschlußabschnitts stabil unabhängig voneinander festgelegt bzw. fixiert werden.
  • Das Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds bzw. Bauteils für eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung erlaubt bzw, ermöglicht, daß der gesamte Schaltkreis ohne Deformation bzw. Verformung gehalten wird und eine Halbleitervorrichtung stabil hergestellt wird.
  • Die Halbleitervorrichtung kann zufriedenstellend einer Anforderung in Bezug auf einen Anstieg in der Anzahl von Anschlüssen genügen und hat zusätzlich eine exzellente Qualität.
  • Somit können gemäß dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung eine BGA-artige Halbleitervorrichtung und eine kleine Packung hergestellt werden, welche gegenüber konventionellen Produkten in der Produktivität und Qualität überlegen ist, und zusätzlich einem immer mehr ansteigenden Erfordernis in Bezug auf einen Anstieg in der Anzahl von Anschlüssen genügen kann.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSBILDUNGEN DER ERFINDUNG
  • 1 ist ein schematisches Diagramm, das ein Schaltkreisglied bzw. Bauteil für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel A1 zeigt, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar bzw. nützlich ist;
  • 2 ist eine Draufsicht, die ein Teil eines Schaltkreisabschnitts in einem Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung gemäß Beispiel A1 zeigt, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist;
  • 3 ist eine Querschnittsansicht eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, welche eine Variante des Beispiels A1 ist, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist;
  • 4 ist ein schematisches Diagramm, das ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel A2 zeigt, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist;
  • 5 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren der vorliegenden Erfindung für ein Herstellen eines Schaltkreisglieds bzw. Bauteils für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel A3 zeigt;
  • 6 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren der vorliegenden Erfindung zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel A4 zeigt;
  • 7 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren der vorliegenden Erfindung für ein Herstellen einer Halbleitervorrichtung von Beispiel A7 zeigt;
  • 8 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Beispiel der vorliegenden Erfindung zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung gemäß Beispiel A5 zeigt;
  • 9 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren der vorliegenden Erfindung zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel A6 gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 10 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren der vorliegenden Erfindung für ein Herstellen einer Halbleitervorrichtung von Beispiel A8 zeigt;
  • 11a ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung von Beispiel A9, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung nützlich ist, und 11b ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung von Beispiel A10, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist;
  • 12 ist eine Querschnittsansicht eines schematischen Diagramms, das ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B1 zeigt, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist;
  • 13a ist eine Draufsicht, die ein Teil eines Schaltkreisabschnitts in einem Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B1 zeigt, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, und 13b ist eine Draufsicht auf einen konventionellen Schaltkreisabschnitt;
  • 14 ist ein schematisches Diagramm, das ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B2 zeigt, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist;
  • 15 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren der vorliegenden Erfindung für ein Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B3 zeigt;
  • 16 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren der vorliegenden Erfindung zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B4 zeigt;
  • 17 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren der vorliegenden Erfindung zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung von Beispiel B7 zeigt;
  • 18 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren der vorliegenden Erfindung zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B5 zeigt;
  • 19 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren der vorliegenden Erfindung für ein Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B6 zeigt;
  • 20 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren der vorliegenden Erfindung zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung von Beispiel B8 zeigt;
  • 21 ist eine Querschnittsansicht, die eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B9 zeigt, die für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist;
  • 22 ist ein schematisches Diagramm, das ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel C1 zeigt, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist;
  • 23 ist ein schematisches Diagramm, das ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung zeigt, welche eine Variante von Beispiel C1 ist, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist;
  • 24 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren der vorliegenden Erfindung zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel C2 zeigt;
  • 25 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren der vorliegenden Erfindung zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel C3 zeigt;
  • 26 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren der vorliegenden Erfindung zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung von Beispiel C4 zeigt;
  • 27 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren der vorliegenden Erfindung zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung von Beispiel C5 zeigt;
  • 28a ist eine Querschnittsansicht, die eine Halbleitervorrichtung von Beispiel C6 zeigt, die für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, und 28b ist eine Querschnittsansicht, die eine Halbleitervorrichtung von Beispiel C7 zeigt, die für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist;
  • 29 ist ein schematisches Diagramm, das Schaltkreisglieder für eine Halbleitervorrichtung von Beispielen D1 und D2 zeigt, die für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar sind;
  • 30 ist ein schematisches Diagramm, das ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel D3 zeigt, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist;
  • 31 ist ein schematisches Diagramm, das ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung von Beispielen D4 und D5 zeigt, die für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar sind;
  • 32 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel D6 zeigt, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist;
  • 33 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel D7 zeigt, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist;
  • 34 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel D8 zeigt, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist;
  • 35 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel D9 zeigt, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist;
  • 36 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel D10 zeigt, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist;
  • 37 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung von Beispiel D11 zeigt, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist;
  • 38 ist eine Schnittansicht, die Halbleitervorrichtungen von Beispielen D12 bis D14 zeigt, die für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar sind;
  • 39 ist eine erläuternde Ansicht einer BGA Halbleitervorrichtung;
  • 40 ist eine Querschnittsansicht durch eine BGA-artige Halbleitervorrichtung, umfassend einen konventionellen Leiterrahmen als ein Kernmaterial;
  • 41 ist eine erläuternde Ansicht des konventionellen Leiterrahmenglieds;
  • 42 ist ein Diagramm, das ein Verfahren zum Herstellen einer BGA-artigen Halbleitervorrichtung zeigt, umfassend den konventionellen Leiterrahmen als ein Kernmaterial;
  • 43 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein zweistufiges Ätzen zeigt; und
  • 44 ist ein Diagramm, das einen Leiterrahmen, der eine Einzelschichtstruktur aufweist, und eine Halbleitervorrichtung zeigt, die den Leiterrahmen verwendet.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • A. Ein Schaltkreisglied bzw. Bauteil für eine Halbleitervorrichtung, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung nützlich bzw. verwendbar ist, umfaßt: ein leitfähiges bzw. leitendes Substrat; und einen Schaltkreisabschnitt und dgl., der wenigstens zweidimensional unter Verwendung eines leitenden bzw. leitfähigen Metalls durch ein Plattieren auf das leitfähige Substrat ausgebildet ist. Wenigstens ein Teil des leitfähigen Metalls, das den Schaltkreisabschnitt ausbildet bzw. darstellt, ist durch ein Plattieren auf einer Seite des leitfähigen Substrats zur Verfügung gestellt, nachdem die eine Seite des leitfähigen Substrats einer Oberflächenbehandlung, um Unregelmäßigkeiten auszubilden, und einer Ablöse- bzw. Freigabebehandlung unterworfen wurde, um eine Freigebbarkeit bzw. Ablösbarkeit zur Verfügung zu stellen.
  • In dem obigen Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung umfaßt der Schaltkreisabschnitt wenigstens einen Chipkontaktstellen-Abschnitt zum Festlegen bzw. Montieren eines Halbleiterelements darauf, eine Leitung bzw. Zuleitung für eine elektrische Verbindung mit einem Halbleiterelement, und ein externer Anschlußabschnitt bzw. Abschnitt eines externen Anschlusses für eine elektrische Verbindung mit einer externen Schaltung bzw. einem Schaltkreis, und eine Mehrzahl von Sätzen der Leitung bzw. Zuleitung und des externen Anschlußabschnitts, die einstückig bzw. integral miteinander verbunden sind, sind unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt.
  • Weiterhin wurde in dem obigen Schaltkreisglied bzw. Bauteil für eine Halbleitervorrichtung der zweidimensional ausgebildete Schaltkreisabschnitt in seiner Gesamtheit direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren oder anders lediglich des Chipkontaktstellen-Abschnitts ausgebildet, und des Abschnitts des externen Anschlusses in dem Schaltkreisabschnitt direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren mit den anderen Abschnitten in dem Schaltkreisabschnitt ausgebildet, die durch einen isolierenden Resist gebildet wurden.
  • Weiterhin ist in dem obigen Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung die Oberflächenbehandlung ein Sandstrahlen.
  • Weiterhin ist in dem obigen Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung, die Ablösebehandlung eine Behandlung zum Ausbilden eines Oxidfilms oder eines organischen Films auf der Oberfläche des leitfähigen Substrats.
  • Weiterhin können in dem obigen Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung eine Mehrzahl von Halbleiterelementen montiert bzw. angeordnet sein.
  • Weiterhin ist in dem obigen Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung das leitfähige Substrat aus einem Metall auf Eisen-Nickel-Chrom-Basis, einem Metall auf Eisen-Chrom-Basis, einem Metall auf Eisen-Nickel-Basis oder einem Metall auf Eisen-Kohlenstoff-Basis hergestellt, und das Plattieren mit leitfähigem Metall ist entweder ein Kupferplattieren oder ein Kupferplattieren unter Verwendung von Nickel als einem Substrat.
  • Ein Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zum Herstellen eines Schaltkreisglieds bzw. Bauteils für eine Halbleitervorrichtung, welche ein leitfähiges Substrat und einen Schaltkreisabschnitt umfaßt, der in seiner Gesamtheit zweidimensional direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet ist bzw. wird, ist Verfahren in Anspruch 1 definiert. Ein Verfahren, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar bzw. nützlich ist, umfaßt in der Aufeinanderfolge bzw. Sequenz wenigstens die Schritte: (A) Oberflächenbehandeln von einer Seite des leitenden bzw. leitfähigen Substrats, um Unregel mäßigkeiten zur Verfügung zu stellen; (B) Unterwerfen des leitfähigen Substrats auf seiner einen Seite, wobei Unregelmäßigkeiten darauf zur Verfügung gestellt sind bzw. werden, einer Ablöse- bzw. Entfernungsbehandlung, um eine Ablösbarkeit zu verleihen; (C) Beschichten eines Resists auf das leitfähige Substrat auf seiner einen Seite, die der Oberflächenbehandlung und der Ablösebehandlung unterworfen wurde, und Freisetzen von lediglich einem zu plattierenden Bereich mit einem leitfähigen Metall, um eine Platte herzustellen bzw. vorzubereiten; und (D) Plattieren der Platte an ihrem freigelegten Bereich mit einem leitfähigen Metall.
  • In dem obigen Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung ist das leitfähige Substrat aus einem Metall auf Eisen-Nickel-Chrom-Basis, einem Metall auf Eisen-Chrom-Basis, einem Metall auf Eisen-Nickel-Basis oder einem Metall auf Eisen-Kohlenstoff-Basis hergestellt, und das Plattieren mit leitfähigem Metall ist entweder ein Kupferplattieren oder ein Kupferplattieren unter Verwendung von Nickel als einem Substrat.
  • In einem Verfahren, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, die ein leitfähiges Substrat und einen Schaltkreisabschnitt umfaßt, der in seiner Gesamtheit zweidimensional direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet wird, umfaßt das Verfahren in der Aufeinanderfolge wenigstens die Schritte: (G) Oberflächenbehandeln von einer Seite des leitfähigen Substrats, um Unregelmäßigkeiten zur Verfügung zu stellen; (H) Unterwerfen des leitfähigen Substrats auf seiner einen Seite, wobei Unregelmäßigkeiten darauf zur Verfügung gestellt sind, einer Ablösebehandlung, um eine Ablösbarkeit zur Verfügung zu stellen; (I) Plattieren des leitfähigen Substrats auf seiner gesamten Oberfläche, die der Oberflächenbehandlung und der Ablösebehandlung unterworfen wurde, mit einem leitfähigen Metall; (J) Beschichten eines Resists auf die Oberfläche der Plattierung und Behandeln der Beschichtung, um einen Bereich abzudecken, wo ein Schaltkreisabschnitt und dgl. ausgebildet sind bzw. werden, wodurch eine Platte hergestellt wird; und (K) Durchführen eines Ätzens, um durch den mit einem leitfähigen Material plattierten Abschnitt durchzudringen, um einen Schaltkreisabschnitt und dgl. auszubilden.
  • In dem obigen Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung ist das leitfähige Substrat aus einem Metall auf Eisen-Nickel-Chrom-Basis, einem Metall auf Eisen-Chrom-Basis, einem Metall auf Eisen-Nickel-Basis oder einem Metall auf Eisen-Kohlenstoff-Basis hergestellt und die Plattierung aus einem leitfähigen Metall ist eine Kupferplattierung.
  • In dem obigen Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung wird der Schritt eines Ausbildens eines Betätigungselements bzw. Werkzeuglochs zur Registrierung vor der Vorbereitung bzw. Herstellung der Platte ausgeführt.
  • In dem obigen Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung ist der Schritt eines Ausbildens eines Werkzeuglochs ein Ätzen unter Verwendung einer Resistplatte.
  • In einem Verfahren, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, die ein leitfähiges Substrat und einen Schaltkreisabschnitt und dgl. umfaßt, der zweidimensional unter Verwendung eines leitfähigen Metalls durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat ausgebildet wird, wobei der Schaltkreisabschnitt wenigstens einen Chipkontaktstellen-Abschnitt zum Montieren eines Halbleiterelements darauf, eine Leitung bzw. Zuleitung für eine elektrische Verbindung mit einem bzw. Anschluß an ein Halbleiterelement und einen externen Anschlußabschnitt bzw. Abschnitt eines externen Anschlusses für eine elektrische Verbindung mit einer externen Schaltung, eine Mehrzahl von Sätzen der Leitung und des externen Anschlußabschnitts, die einstückig bzw. integral miteinander verbunden sind, unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt sind, wobei nur der Chipkontaktstellen-Abschnitt und der Abschnitt des externen Anschlusses in dem Schaltungsabschnitt direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet werden, wobei die anderen Abschnitte in dem Schaltkreisabschnitt durch einen isolierenden Resist ausgebildet werden, umfaßt das Verfahren in Aufeinanderfolge wenigstens die Schritte: (a) Oberflächenbehandeln von einer Seite des leitfähigen Substrats, um Unregelmäßigkeiten darauf zur Verfügung zu stellen; (b) Unterwerfen des leitfähigen Substrats auf seiner einen Seite, wobei Unregelmäßigkeiten darauf zur Verfügung gestellt werden; einer Ablösebehandlung, um eine Ablösbarkeit zur Verfügung zu stellen bzw. zu verleihen; (c) Beschichten eines ersten isolierenden Resists auf das leitfähige Substrat auf seiner Seite, die der Oberflächenbehandlung und der Ablösebehandlung unterworfen wurde, und Belichten bzw. Freilegen von nur einem den Chipkontakt stellen-Abschnitt und den externen Anschlußabschnitt ausbildenden Bereich durch ein Plattieren, um eine Platte auszubilden; (d) Unterwerfen der Platte an ihrem belichteten bzw, freigelegten Bereich einem ersten Plattieren mit einem leitenden bzw. leitfähigen Metall durch ein Elektroplattieren; (e) Beschichten eines zweiten isolierenden Resists auf die Oberfläche der ersten Plattierung und Belichten bzw. Freilegen von nur einem Bereich, wo ein Schaltkreisabschnitt durch ein Plattieren auszubilden bzw. vorzubereiten ist; und (f) Unterwerfen der Platte an ihrem freigelegten bzw. belichteten Bereich einem zweiten Plattieren mit einem leitfähigen Metall durch ein Elektroplattieren oder ein elektrofreies Plattieren.
  • In einem Verfahren, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, die ein leitfähiges Substrat und einen Schaltkreisabschnitt und dgl. umfaßt, der zweidimensional unter Verwendung eines leitfähigen Metalls durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat ausgebildet wird, wobei der Schaltkreisabschnitt wenigstens einen Chipkontaktstellen-Abschnitt zum Montieren eines Halbleiterelements darauf, eine Leitung bzw. Zuleitung für eine elektrische Verbindung mit einem bzw. Anschluß an ein Halbleiterelement und einen externen Anschlußabschnitt bzw. Abschnitt eines externen Anschlusses für eine elektrische Verbindung mit einer externen Schaltung, eine Mehrzahl von Sätzen der Leitung und des externen Anschlußabschnitts, die einstückig bzw. integral miteinander verbunden sind, unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt sind, wobei nur der Chipkontaktstellen-Abschnitt und der Abschnitt des externen Anschlusses in dem Schaltungsabschnitt direkt auf einer Seite des leitfähigen Sub strats durch ein Plattieren ausgebildet werden, wobei die anderen Abschnitte in dem Schaltkreisabschnitt durch einen isolierenden Resist ausgebildet werden, umfaßt das Verfahren in Aufeinanderfolge wenigstens die Schritte: (g) Oberflächenbehandeln von einer Seite des leitfähigen Substrats, um Unregelmäßigkeiten darauf zur Verfügung zu stellen; (h) Unterwerfen des leitfähigen Substrats auf seiner einen Seite, wobei Unregelmäßigkeiten darauf zur Verfügung gestellt sind, einer Ablöse- bzw. Freigabebehandlung, um eine Ablösbarkeit zur Verfügung zu stellen; (i) Beschichten eines ersten isolierenden Resists auf dem leitfähigen Substrat auf seiner einen Seite, die der Oberflächenbehandlung und der Freigabebehandlung unterworfen wurde, und Freilegen von nur einem den Chipkontaktstellen-Abschnitt und den externen Anschlußabschnitt ausbildenden Bereich durch ein Plattieren, um eine erste Platte auszubilden; (j) Unterwerfen der Platte an ihrem freigelegten bzw. belichteten, Bereich einem ersten Plattieren mit einem leitfähigen Metall durch ein Elektroplattieren; (k) Unterwerfen der gesamten Oberfläche auf der ersten plattierenden Seite einem zweiten Plattieren mit einem leitfähigen Metall durch ein elektrofreies Plattieren; (l) Abdecken der Plattierung, die durch ein elektrofreies Plattieren hergestellt wurde, in ihrem Bereich, wo ein Schaltkreisabschnitt ausgebildet wird, wodurch eine zweite Platte ausgebildet wird; und (m) Entfernen des Bereichs, der in dem Schritt eines Herstellens der Platte belichtet bzw. freigelegt wurde, durch ein Ätzen.
  • In dem obigen Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung ist das leitfähige Substrat aus einem Metall auf Eisen-Nickel-Chrom-Basis, einem Metall auf Eisen-Chrom-Basis, einem Metall auf Eisen- Nickel-Basis oder einem Metall auf Eisen-Kohlenstoff-Basis gefertigt bzw. hergestellt, und das Plattieren eines leitfähigen Metalls in dem Schritt des ersten Plattierens ist entweder ein Kupferplattieren oder Kupferplattieren unter Verwendung von Nickel als einem Substrat und das Plattieren eines leitfähigen Metalls in dem Schritt des zweiten Plattierens ist ein Kupferplattieren.
  • In dem obigen Verfahren ist die Oberflächenbehandlung ein Sandstrahlen.
  • Weiterhin ist in dem obigen Verfahren die Ablösebehandlung eine Behandlung zum Ausbilden eines Oxidfilms oder eines organischen Films auf der Oberfläche des leitfähigen Substrats.
  • In einem Verfahren, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, umfassend: ein leitfähiges Substrat und einen Schaltkreisabschnitt und dgl., der wenigstens zweidimensional unter Verwendung eines leitfähigen Metalls durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat ausgebildet wird, wobei der Schaltkreisabschnitt wenigstens einen Chipkontaktstellen-Abschnitt zum Festlegen eines Halbleiterelements, eine Zuleitung für eine elektrische Verbindung mit einem Halbleiterelement, und einen externen Anschlußabschnitt bzw. Abschnitt eines externen Anschlusses zum elektrischen Verbinden mit einer externen Schaltung umfaßt, wobei eine Mehrzahl von Sätzen der Leitung und des Abschnitts des externen Anschlusses, die einstückig miteinander verbunden werden, unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt werden, wird der gesamte Schaltkreisab schnitt direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet. Das Verfahren umfaßt in der Aufeinanderfolge wenigstens die Schritte: (i) Montieren bzw. Anordnen eines Halbleiterelements, wobei der Anschluß nach oben schaut bzw. gerichtet ist, auf einem Chipkontaktstellen-Abschnitt, der auf einem leitfähigen Substrat zur Verfügung gestellt wird, und Drahtbonden des Anschlusses des Halbleiterelements zu einem Leiter; (ii) Unterwerfen von einer Seite des Zuleitungs- bzw. Leiterglieds für eine Halbleitervorrichtung, einem plastischen Kunststofformen, um das Halbleiterelement, den Draht und den Schaltkreisabschnitt des Leiterglieds für eine Halbleitervorrichtung in ihrer Gesamtheit abzudecken; und (iii) Entfernen des leitfähigen Substrats in dem Leiterglied für eine Halbleitervorrichtung.
  • Das obige Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfaßt darüber hinaus nach dem Schritt eines Entfernens des Substrats, (iv) den Schritt eines Beschichtens eines Lotresists auf der Oberfläche, die durch ein Entfernen des Substrats freigelegt ist, des Schaltkreises entfernt von der Oberfläche mit dem darauf festgelegten Halbleiterelement, um nur den externen Anschlußabschnitt des Schaltkreisabschnitts freizulegen, und (v) den Schritt eines Festlegens einer Lotkugel an dem Abschnitt des externen Anschlusses, der von dem Lotresist freigelegt ist.
  • Weiterhin in einem Verfahren, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, umfassend: ein leitfähiges Substrat und einen Schaltkreisabschnitt und dgl., der wenigstens zweidimensional unter Verwendung eines leit fähigen Metalls durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat ausgebildet wird, wobei der Schaltkreisabschnitt wenigstens einen Chipkontaktstellen-Abschnitt zum Festlegen eines Halbleiterelements, eine Zuleitung für eine elektrische Verbindung mit einem Halbleiterelement, und einen externen Anschlußabschnitt bzw. Abschnitt eines externen Anschlusses zum elektrischen Verbinden mit einer externen Schaltung umfaßt, wobei eine Mehrzahl von Sätzen der Leitung und des Abschnitts des externen Anschlusses, die einstückig miteinander verbunden werden, unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt werden, nur der Chipkontaktstellen-Abschnitt und der Abschnitt des externen Anschlusses in dem Schaltkreisabschnitt direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet, wobei die anderen Abschnitte des Schaltkreisabschnitts durch einen isolierenden Resist ausgebildet wurden. Das Verfahren umfaßt in Aufeinanderfolge wenigstens die Schritte: (vi) Montieren eines Halbleiterelements, wobei der Anschluß nach oben schaut bzw. gerichtet ist, auf dem Chipkontaktstellen-Abschnitt, der auf einem leitfähigen Substrat zur Verfügung gestellt wird, und Drahtbonden des Anschlusses des Halbleiterelements mit einem Leiter; (vii) Unterwerfen von einer Seite des Leiterglieds für eine Halbleitervorrichtung, einem plastischen Kunststofformen, um das Halbleiterelement, den Draht und den Schaltkreisabschnitt des Leiterglieds für eine Halbleitervorrichtung in ihrer Gesamtheit abzudecken; und (viii) Entfernen des leitfähigen Substrats in dem Leiterglied für eine Halbleitervorrichtung.
  • Das obige Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfaßt weiterhin nach dem Schritt eines Entfernens des Substrats, (ix) den Schritt eines Festlegens einer Lot kugel an dem freigelegten Abschnitt des externen Einschlusses.
  • Das Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung kann mittels der obigen Ausbildung sicher einen Leiter bzw. eine Zuleitung und einen externen Anschlußabschnitt bzw. Abschnitt eines externen Anschlusses festlegen, und ermöglicht bzw. erlaubt, verglichen mit dem konventionellen Leiterrahmenglied, daß ein Leiter feiner hergestellt wird.
  • Spezifisch erlaubt ein Vorsehen eines Schaltkreisabschnitts oder dgl., der zweidimensional unter Verwendung eines leitfähigen Metalls durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat ausgebildet wird, daß das leitfähige Metall sicher an dem leitfähigen Substrat ohne Deformation festgelegt wird, und es kann, da das leitfähige Metall durch ein Plattieren ausgebildet ist bzw. wird, der leitfähige Metallabschnitt bzw. Abschnitt des leitenden Metalls in einer gewünschten kleinen Dicke ausgebildet werden, was es ermöglicht, daß ein Leiter und dgl. fein hergestellt werden.
  • Weiterhin ist, da wenigstens ein Teil des leitfähigen Metalls, das den Schaltkreisabschnitt und dgl. ausbildet, durch ein Plattieren auf einer Seite des leitfähigen Substrats nach einem Unterwerfen der einen Seite des leitfähigen Substrats einer Oberflächenbehandlung, um Unregelmäßigkeiten auszubilden, und einer Ablösebehandlung zur Verfügung gestellt wird, um eine Ablösbarkeit zu verleihen, die Herstellbarkeit in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung gut.
  • Beispielsweise kann, wenn der Schaltkreisabschnitt in dem Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung einen Chip kontaktstellen-Abschnitt zum Montieren bzw. Festlegen eines Halbleiterelements darauf aufweist und einen Leiter für eine elektrische Verbindung mit einem Halbleiterelement umfaßt, in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung in einer derartigen Weise, daß ein Halbleiterelement auf dem Chipkontaktstellen-Abschnitt in einem Schaltkreisabschnitt montiert bzw. festgelegt wird, der durch ein leitfähiges bzw. leitendes Metall ausgebildet ist, das auf dem leitfähigen Substrat durch ein Plattieren zur Verfügung gestellt ist, ein Drahtbonden durchgeführt wird und die Halbleiterelementseite allein geformt wird, ein Vorteil zur Verfügung gestellt werden, daß der Schaltkreisabschnitt dem Druck und dgl. widerstehen kann, der durch das formende bzw. Formharz während des plastischen Formens ausgebildet wird, das leitfähige Substrat kann sicher an dem leitfähigen Metall angehaftet werden, das durch ein Plattieren zur Verfügung gestellt ist, und zur selben Zeit kann nach dem Formen die gesamte Halbleitervorrichtung einfach von dem leitfähigen Substrat getrennt werden. Dies deshalb, da die Oberflächenbehandlung zum Ausbilden von Oberflächenunregelmäßigkeiten ermöglicht, daß das leitfähige Metall, das durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat ausgebildet wird, einen hohen Widerstand gegenüber quer wirkenden Kräften aufzuweisen, und zusätzlich die Ablösebehandlung eine gute Ablösbarkeit durch eine senkrechte Kraft zur Verfügung stellt bzw. bietet.
  • Spezifisch umfaßt der Schaltkreisabschnitt wenigstens einen Chipkontaktstellen-Abschnitt für ein Festlegen eines Halbleiterelements darauf, einen Leiter für eine elektrische Verbindung mit einem Halbleiterelement, und einen Abschnitt eines externen Anschlusses für eine elektrische Verbindung mit einer externen Schaltung, eine Mehrzahl von Sätzen des Leiters und des externen Anschlußabschnitts bzw. Abschnitts des externen Anschlusses, die einstückig miteinander verbunden sind, ist unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt, und der gesamte Schaltkreisabschnitt wurde zweidimensional direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet. Diese Ausbildung bzw. dieser Aufbau erlaubt es, daß die Durchführung eines einzigen Plattierschritts für zufriedenstellende Ergebnisse genügt, und kann das Herstellungsverfahren relativ einfach machen.
  • Weiterhin umfaßt der Schaltkreisabschnitt wenigstens einen Chipkontaktstellen-Abschnitt für ein Montieren eines Halbleiterelements darauf, einen Leiter für eine elektrische Verbindung mit einem Halbleiterelement, und einen externen Anschlußabschnitt für eine elektrische Verbindung mit einem externen Schaltkreis, eine Mehrzahl von Sätzen des Leiters bzw. der Zuleitung und des externen Anschlußabschnitts, die einstückig miteinander verbunden sind, ist unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt, und nur der Chipkontaktstellen-Abschnitt und der externe Anschlußabschnitt bzw. Abschnitt des externen Anschlusses in dem Schaltkreisabschnitt wurde direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet, wobei die anderen Abschnitte in dem Schaltkreisabschnitt durch einen isolierenden Resist ausgebildet wurden. Diese Konstitution bzw. dieser Aufbau kann das Erfordernis eliminieren, eine Platte zum Freilegen von nur einem Lötball- bzw. -kugelbereich in dem Schritt eines Vorbereitens einer externen Elektrode einer Lötkugel in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung vorzubereiten.
  • Ein Beispiel einer Ablösebehandlung, die für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, ist eine Oxidationsbehandlung, wobei die Oberfläche des leitfähigen Substrats mit einer Chromsäure oder dgl. oxidiert wird, um einen Oxidfilm auszubilden, welcher eine metallische Bindung zwischen dem leitfähigen Metall, das durch ein Plattieren zur Verfügung gestellt ist, und dem leitfähigen Substrat inhibiert. Ein Sandstrahlen ist die Oberflächenbehandlung. Weiterhin ist es in einem Verfahren, das zum Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, auch möglich, ein Bürstverfahren zu verwenden, wobei eine Mischung von abrasiven bzw. Schleifkörnern mit einer Flüssigkeit gegen das zu behandelnde Objekt kollidieren gelassen wird.
  • Wenn das Schaltkreisglied so ausgebildet ist, daß eine Mehrzahl von Halbleiterelementen montiert werden kann, kann es auch eine mehrchipartige Halbleitervorrichtung angewandt werden. Weiterhin ist es an CSP anwendbar.
  • Das leitfähige Substrat ist aus einem Metall auf Eisen-Nickel-Chrom-Basis oder einem Metall auf Eisen-Chrom-Basis hergestellt und das Plattieren des leitfähigen Metalls ist entweder ein Kupferplattieren oder ein Kupferplattieren unter Verwendung von Nickel als einem Substrat. Im Hinblick auf diesen Aufbau werden die obige Oberflächenbehandlung zum Ausbilden bzw. Erzeugen von Oberflächenunregelmäßigkeiten und die Ablösebehandlung zum Verleihen der Ablösbarkeit effizienter.
  • In dem konventionellen Leiterrahmenglied ist, das in 41c gezeigt ist, wenn ein Leiterrahmen, der durch ein feines Herstellen eines inneren Leiters vorbereitet wird, verwendet wird, ein kompliziertes Verfahren notwendig, so daß, wie dies in 41a gezeigt ist, ein Ätzen in einem derartigen Zustand durchgeführt wird, daß ein Verbindungsabschnitt 917 zum Verbinden von inneren Leitern miteinander, um diese festzulegen, ein inneres Leiterfestlegungsklebeband dann aufgebracht wird (41b) und der Verbindungsabschnitt 917 entfernt wird. Weiterhin wird, wenn das konventionelle Leiterrahmenglied, das in 41c gezeigt ist, verwendet wird, um eine Halbleitervorrichtung herzustellen bzw. zu erzeugen, wie dies in 42 gezeigt ist, ein Kunststofformen eines unterstützenden Leiters 915 zum Unterstützen eines Abschnitts 913 eines externen Anschlusses gefolgt durch eine Entfernung der Sperrstange (Rahmenabschnitt) 914 durch ein Pressen erforderlich. Dies bringt Probleme für die Produktivität und die Kosten. Im Gegensatz wird in dem Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung eine Mehrzahl von Sätzen des externen Anschlußabschnitts und des Leiters, die integral miteinander verbunden sind, unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt. Dies kann die obigen Probleme lösen.
  • Mittels der obigen Konstruktion kann das Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung das Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung ausbilden, und die Bildung eines Schaltkreisabschnitts unter Verwendung eines leitfähigen Metalls, das durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat zur Verfügung gestellt ist bzw. wird, kann einen feinen Schaltkreisabschnitt ohne ein Erzeugen einer signifikanten Deformation und mit einer exzellenten Genauigkeit realisieren.
  • Das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mittels des obigen Aufbaus kann einem Erfordernis für mehrere Anschlüsse genügen und kann zur selben Zeit sicher eine Halbleitervorrichtung produzieren, die eine gute Qualität aufweist.
  • Eine Halbleitervorrichtung, die durch das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt ist, ist eine, die unter Verwendung des Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung hergestellt ist, und verglichen mit der konventionellen Halbleitervorrichtung, die in 40 gezeigt ist, ist das Herstellungsverfahren der Halbleitervorrichtung vereinfacht, was in der Produktivität ebenso wie in den Kosten vorteilhaft ist. Weiterhin kann die Herstellung eines BGA, einer aus Kunststoff geformten Art einer Halbleitervorrichtung, welche ein Erfordernis für einen weiteren Anstieg in Anschlüssen erfüllen kann, realisiert werden. Darüber hinaus kann das Vorsehen einer Mehrchip-Halbleitervorrichtung mit einer Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen, die darauf festgelegt sind, und CSP (chip scale packages) ebenfalls realisiert werden.
  • Weiterhin ist es überflüssig zu sagen, daß anders als das konventionelle BGA, das eine gedruckte Leiterplatte verwendet, wie dies in 39 gezeigt ist, die Halbleitervorrichtung, die durch das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt ist, keinerlei kompliziertes Herstellungsverfahren erfordert und kein Problem betreffend die Feuchtigkeitsbeständigkeit mit sich bringt.
  • B. Ein weiteres Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung, die für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, umfaßt: ein leitfähiges Substrat; und einen Schaltkreisabschnitt und dgl., der wenigstens zweidimensional unter Verwendung eines leitfähigen Metalls durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat ausgebildet ist bzw. wird, wobei der Schaltkreisabschnitt wenigstens einen Leiter bzw. eine Zuleitung für eine elektrische Verbindung mit einem Halbleiterelement und einen externen Anschlußabschnitt für eine elektrische Verbindung mit einer externen Schaltung umfaßt, wobei der Schaltkreisabschnitt keinen Chipkontaktstellen-Abschnitt zum Montieren bzw. Festlegen eines Halbleiterelements darauf aufweist, wobei eine Mehrzahl von Sätzen des Leiters und des externen Anschlußabschnitts, die einstückig bzw. integral miteinander verbunden sind, unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt sind, wobei wenigstens ein Teil des leitfähigen Metalls, das den Schaltkreisabschnitt und dgl. ausbildet, durch ein Plattieren auf einer Seite des leitfähigen Substrats zur Verfügung gestellt ist, nachdem die eine Seite des leitfähigen Substrats einer Oberflächenbehandlung, um Unregelmäßigkeiten auszubilden, und einer Ablösebehandlung unterworfen wurde, um eine Ablösbarkeit zu verleihen.
  • In dem obigen Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung ist der zweidimensional ausgebildete Schaltungs- bzw. Schaltkreisabschnitt in einer Gesamtheit direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet.
  • Weiterhin wurde in dem obigen Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung lediglich der externe Anschlußabschnitt in dem Schaltkreisabschnitt direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet, wobei die anderen Abschnitte des Schaltkreisabschnitts durch einen isolierenden Resist ausgebildet wurden.
  • Weiterhin ist in dem obigen Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung die Oberflächenbehandlung ein Sandstrahlen.
  • Weiterhin ist in dem obigen Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung die Ablösebehandlung eine Behandlung zum Ausbilden eines Oxidfilms auf der Oberfläche des leitfähigen Substrats.
  • Weiterhin kann in dem obigen Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung eine Mehrzahl von Halbleiterelementen festgelegt bzw. montiert werden.
  • Weiterhin ist in dem obigen Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung das leitfähige Substrat aus einem Metall auf Eisen-Nickel-Chrom-Basis, einem Metall auf Eisen-Chrom-Basis, einem Metall auf Eisen-Nickel-Basis oder einem Metall auf Eisen-Kunststoff-Basis hergestellt und das Plattieren des leitfähigen Metalls ist entweder ein Kupferplattieren oder ein Kupferplattieren unter Verwendung von Nickel als einem Substrat.
  • In einem weiteren Verfahren, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, welche ein leitfähiges Substrat und einen Schaltkreisabschnitt umfaßt, welcher in seiner Gesamtheit zweidimensional direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet ist bzw. wird, wobei der Schaltkreisabschnitt keinen Chipkontaktstellen-Abschnitt für ein Festlegen eines Halbleiterelements darauf aufweist, umfaßt das Verfahren in der Aufeinanderfolge wenigstens die Schritte: (G) Oberflächenbehandeln von einer Seite des leitfähigen Substrats, um Unregelmäßigkeiten zur Verfügung zu stellen; (H) Unterwerfen des leitfähigen Substrats auf seiner einen Seite, wobei Unregelmäßigkeiten darauf vorgesehen bzw. zur Verfügung gestellt sind, einer Ablösebehandlung, um eine Ablösbarkeit zu verleihen; (I) Plattieren des leitfähigen Substrats auf seiner gesamten Oberfläche, die der Oberflächenbehandlung und der Ablösebehandlung unterworfen wurde, mit einem leitfähigen Metall; (J) Beschichten eines Resists auf die Oberfläche der Plattierung und Behandeln der Beschichtung, um nur einen Bereich bzw. eine Fläche abzudecken, wo ein Schaltkreisabschnitt und dgl. ausgebildet sind, wodurch eine Platte hergestellt wird; und (K) Ausführen eines Ätzens, um durch den Abschnitt, der mit einem leitfähigen Metall plattiert ist, hindurchzutreten, um einen Schaltkreisabschnitt und dgl. auszubilden.
  • In dem obigen Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung ist das leitfähige Substrat aus einem Metall auf Eisen-Nickel-Chrom-Basis, einem Metall auf Eisen-Chrom-Basis, einem Metall auf Eisen-Nickel-Basis oder einem Metall auf Eisen-Kohlenstoff-Basis hergestellt und das Plattieren des leitfähigen Metalls ist ein Kupferplattieren.
  • Weiterhin wird in dem obigen Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung der Schritt eines Ausbildens eines Werkzeuglochs zur Registrierung vor der Herstellung der Platte ausgeführt.
  • Weiterhin ist in dem obigen Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung der Schritt eines Ausbildens eines Werkzeuglochs ein Ätzen unter Verwendung einer Resistplatte.
  • In einem weiteren Verfahren, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, zur Herstellung eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, die ein leitfähiges Substrat; und einen Schaltkreisabschnitt und dgl. umfaßt, der zweidimensional unter Verwendung eines leitfähigen Metalls durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat ausgebildet wird, wobei der Schaltkreisabschnitt wenigstens einen Leiter für eine elektrische Verbindung mit einem Halbleiterelement und einen Abschnitt eines externen Anschlusses für eine elektrische Verbindung mit einem externen Schaltkreis umfaßt, wobei der Schaltkreis keinen Chipkontaktstellen-Abschnitt zum Festlegen eines Halbleiterelements darauf aufweist, wobei eine Mehrzahl von Sätzen des Leiters und des externen Anschlußabschnitts, die einstückig miteinander verbunden sind, unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt werden, wobei nur der externe Anschlußabschnitt in dem Schaltkreisabschnitt direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet wurde, wobei die anderen Abschnitte in dem Schaltkreisabschnitt durch einen isolierenden Resist ausgebildet wurden, umfaßt das Verfahren in Aufeinanderfolge wenigstens die Schritte: (a) Oberflächenbehandeln von einer Seite des leitfähigen Substrats, um Unregelmäßigkeiten darauf zur Verfügung zu stellen; (b) Unterwerfen des leitfähigen Substrats auf seiner einen Seite, wobei Unregelmäßigkeiten darauf zur Verfügung gestellt sind, einer Ablösebehandlung, um eine Ablösbarkeit zu verleihen; (c) Beschichten eines ersten isolierenden Resists auf dem leitfähigen Substrat auf seiner einen Seite, die der Oberflächenbehandlung und der Ablösebehandlung unterworfen wird, und Freiliegen bzw. Belichten von nur einem einen externen Anschlußabschnitt ausbildenden Bereich, um eine Platte herzustellen; (d) Unterwerfen der Platte auf ihrem freigelegten Bereich einem ersten Plattieren mit einem leitfähigen Metall durch ein Elektroplattieren; (e) Beschichten eines zweiten isolierenden Resists auf der Oberfläche der ersten Plattierung und Freilegen von nur einem Bereich, wo ein Schaltkreisabschnitt durch ein Plattieren ausgebildet bzw. vorbereitet wird; und (f) Unterwerfen der Platte auf ihrem freigelegten Bereich einem zweiten Plattieren mit einem leitfähigen Metall durch ein Elektroplattieren oder ein elektrofreies Plattieren.
  • Weiterhin umfaßt in einem weiteren Verfahren, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, zur Herstellung eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, die ein leitfähiges Substrat; und einen Schaltkreisabschnitt und dgl. umfaßt, der zweidimensional unter Verwendung eines leitfähigen Metalls durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat ausgebildet wird, wobei der Schaltkreisabschnitt wenigstens einen Leiter für eine elektrische Verbindung mit einem Halbleiterelement und einen Abschnitt eines externen Anschlusses für eine elektrische Verbindung mit einem externen Schaltkreis umfaßt, wobei der Schaltkreis keinen Chipkontaktstellen-Abschnitt zum Festlegen eines Halbleiterelements darauf aufweist, wobei eine Mehrzahl von Sätzen des Leiters und des externen Anschlußabschnitts, die einstückig miteinander verbunden sind, unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt werden, wobei nur der externe Anschlußabschnitt in dem Schaltkreisabschnitt direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet wurde, wobei die anderen Abschnitte in dem Schaltkreisabschnitt durch einen isolie renden Resist ausgebildet wurden, das Verfahren in Aufeinanderfolge wenigstens die Schritte: (g) Oberflächenbehandeln von einer Seite des leitfähigen Substrats, um Unregelmäßigkeiten darauf zur Verfügung zu stellen; (h) Unterwerfen des leitfähigen Substrats auf seiner einen Seite, wobei Unregelmäßigkeiten darauf zur Verfügung gestellt sind, einer Ablösebehandlung, um eine Ablösbarkeit zur Verfügung zu stellen; (i) Beschichten eines ersten isolierenden Resists auf dem leitfähigen Substrat auf seiner einen Seite, die der Oberflächenbehandlung und der Ablösebehandlung unterworfen wurde, und Freilegen bzw. Belichten von nur einem einen externen Anschlußabschnitt ausbildenden Bereich, um eine erste Platte auszubilden; (j) Unterwerfen der Platte auf ihrem freigelegten bzw. belichteten Bereich einem ersten Plattieren mit einem leitfähigen Metall durch ein Elektroplattieren; (k) Unterwerfen der gesamten Oberfläche auf der ersten Plattierseite einem zweiten Plattieren mit einem leitfähigen Metall durch ein elektrofreies Plattieren; (l) Abdecken der Plattierung, die durch ein elektrofreies Plattieren hergestellt wird, nur in ihrem Bereich, wo ein Schaltkreisabschnitt ausgebildet wird, wodurch eine zweite Platte hergestellt wird; und (m) Entfernen des Bereichs, der in dem Schritt zur Herstellung der Platte freigelegt wurde, durch ein Ätzen.
  • In dem obigen Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung ist das leitfähige Substrat aus einem Metall auf Eisen-Nickel-Chrom-Basis, einem Metall auf Eisen-Chrom-Basis, einem Metall auf Eisen-Nickel-Basis oder einem Metall auf Eisen-Kohlenstoff-Basis hergestellt und das Plattieren des leitfähigen Metalls in dem Schritt des ersten Plattierens ist entweder ein Kupferplattieren oder ein Kupferplattieren unter Verwendung von Nickel als einem Substrat und das Plattieren des leitfähigen Metalls in dem Schritt des zweiten Plattierens ist ein Kupferplattieren.
  • Weiterhin ist in dem obigen Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung die Oberflächenbehandlung ein Sandstrahlen.
  • Weiterhin ist in dem obigen Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung die Ablösebehandlung eine Behandlung zum Ausbilden eines Oxidfilms auf der Oberfläche des leitfähigen Substrats.
  • Weiterhin umfaßt in einem weiteren Verfahren, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, das ein leitfähiges Substrat und einen Schaltkreisabschnitt und dgl. umfaßt, der wenigstens zweidimensional unter Verwendung eines leitfähigen Metalls durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat ausgebildet wird, wobei der Schaltkreisabschnitt wenigstens einen Leiter für eine elektrische Verbindung mit einem Halbleiterelement und einen externen Anschlußabschnitt für eine elektrische Verbindung mit einem externen Anschluß umfaßt, wobei der Schaltkreisabschnitt keinerlei Chipkontaktstellen-Abschnitt zum Festlegen eines Halbleiterelements darauf aufweist, wobei eine Mehrzahl von Sätzen aus dem Leiter und dem externen Anschlußabschnitt, die einstückig miteinander verbunden werden, unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt werden, wobei der gesamte Schaltkreisabschnitt direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet wurde, das Verfahren in der Aufeinanderfolge wenigstens die Schritte: (i) Festlegen eines Halbleiterelements, wobei der Anschluß nach oben schaut bzw. gerichtet ist, auf einem Schaltkreisabschnitt, der auf einem leitfähigen Substrat zur Verfügung gestellt wird, und Drahtbonden des Anschlusses des Halbleiterelements an einen Leiter; (ii) Unterwerfen von einer Seite des Leiterglieds für eine Halbleitervorrichtung, einem Kunststofformen, um das Halbleiterelement, den Draht und den Schaltkreisabschnitt des Leiterglieds für eine Halbleitervorrichtung in ihrer Gesamtheit abzudecken; und (iii) Entfernen des leitfähigen Substrats in dem Leiterglied für eine Halbleitervorrichtung.
  • Das obige Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfaßt weiterhin nach dem Schritt eines Entfernens des Substrats, (iv) den Schritt eines Beschichtens eines Lotresists auf der Oberfläche, die durch ein Entfernen des Substrats freigelegt ist, des Schaltkreisabschnitts entfernt von der Oberfläche mit dem darauf festgelegten Halbleiterelement, um nur den externen Anschlußabschnitt des Schaltkreisabschnitts freizulegen, und (v) den Schritt eines Festlegens einer Lotkugel auf dem externen Anschlußabschnitt bzw. Abschnitt des externen Anschlusses, der von dem Lotresist freigelegt ist.
  • Weiterhin umfaßt in einem weiteren Verfahren, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, zur Herstellung eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, die ein leitfähiges Substrat und einen Schaltkreisabschnitt und dgl. umfaßt, der zweidimensional unter Verwendung eines leitfähigen Metalls durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat ausgebildet wird, wobei der Schaltkreisabschnitt wenigstens einen Leiter für eine elektrische Verbindung mit einem Halbleiterelement und einen Abschnitt eines externen Anschlusses für eine elektrische Verbindung mit einem externen Schaltkreis umfaßt, wobei der Schaltkreis keinen Chipkontaktstellen-Abschnitt zum Festlegen eines Halbleiterelements darauf aufweist, wobei eine Mehrzahl von Sätzen des Leiters und des externen Anschlußabschnitts, die einstückig miteinander verbunden sind, unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt werden, wobei nur der externe Anschlußabschnitt in dem Schaltkreisabschnitt direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet wurde, wobei die anderen Abschnitte in dem Schaltkreisabschnitt durch einen isolierenden Resist ausgebildet wurden, das Verfahren in Aufeinanderfolge wenigstens die Schritte: (vi) Festlegen eines Halbleiterelements, wobei der Anschluß nach oben schaut, auf einem Schaltkreisabschnitt, der auf einem leitfähigen Substrat zur Verfügung gestellt ist, und Drahtbonden des Anschlusses des Halbleiterelements mit einem Leiter; (vii) Unterwerfen von einer Seite des Leiterglieds für eine Halbleitervorrichtung einem Kunststofformen, um das Halbleiterelement, den Draht und den Schaltkreisabschnitt des Leiterglieds für eine Halbleitervorrichtung in ihrer Gesamtheit abzudecken; und (viii) Entfernen des leitfähigen Substrats in dem Leiterglied für eine Halbleitervorrichtung.
  • Das obige Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfaßt darüber hinaus vorzugsweise nach dem Schritt eines Entfernens des Substrats, (ix) den Schritt eines Festlegens einer Lotkugel auf dem freigelegten externen Anschlußabschnitt.
  • Das Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung, das durch das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt ist, kann aufgrund des obigen Aufbaus sicher einen Leiter und einen externen Anschlußabschnitt festlegen und erlaubt es, verglichen mit dem konventionellen Leiterrahmenglied, einem Leiter, daß er feiner hergestellt wird, und kann in vorteilhafter Weise einem Erfordernis für mehrere Anschlüsse genügen.
  • Spezifisch erlaubt es ein Vorsehen bzw. Bereitstellen des Schaltkreisabschnitts und dgl., der zweidimensional unter Verwendung eines leitfähigen Metalls durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat ausgebildet wird, dem leitfähigen Metall, daß es sicher auf dem leitfähigen Substrat ohne Deformation festgelegt ist bzw. wird, und da das leitfähige Metall durch ein Plattieren ausgebildet ist, kann der Abschnitt des leitfähigen Metalls in einer gewünschten kleinen Dicke ausgebildet werden, was es einem Leiter und dgl. ermöglicht, daß sie fein hergestellt werden. Weiterhin können, da kein Chipkontaktstellen-Abschnitt zur Verfügung gestellt ist, der Leiter und der externe Anschlußabschnitt in einem weiten Bereich zur Verfügung gestellt werden.
  • Weiterhin ist, da wenigstens ein Teil des leitfähigen Metalls, das den Schaltkreisabschnitt oder dgl. ausbildet bzw. darstellt, durch ein Plattieren auf einer Seite des leitfähigen Substrats zur Verfügung gestellt wird, nachdem die eine Seite des leitfähigen Substrats einer Oberflächenbehandlung, um Unregelmäßigkeiten auszubilden, und einer Ablösebehandlung unterworfen wurde, um eine Ablösbarkeit zu verleihen, die Erzeugbarkeit bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung gut.
  • Beispielsweise kann in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung in einer derartigen Weise, daß ein Halbleiterelement durch ein isolierendes Klebeband auf einem Leiter des leitfähigen Metalls montiert wird, das durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat zur Verfügung gestellt ist, ein Drahtbonden ausgeführt wird, und die Halbleiterelementseite dann alleine geformt wird, ein Vorteil zur Verfügung gestellt werden, daß der Schaltkreisabschnitt dem Druck und dgl. widerstehen kann, der durch das Formharz während des Kunststofformens ausgebildet wird, das leitfähige Substrat sicher an das leitfähige Metall angehaftet werden kann, das durch ein Plattieren zur Verfügung gestellt wurde und zur selben Zeit nach dem Formen die gesamte Halbleitervorrichtung leicht von dem leitfähigen Substrat getrennt werden kann. Dies deshalb, da die Oberflächenbehandlung zum Erzeugen von Oberflächenunregelmäßigkeiten es dem leitfähigen Metall, das durch ein Plattieren ausgebildet wurde, ermöglicht, auf dem leitfähigen Substrat so ausgebildet zu werden, daß es einen hohen Widerstand gegenüber einer quer wirkenden Kraft aufweist, und zusätzlich die Ablösebehandlung eine gute Ablösbarkeit durch eine senkrechte Kraft bietet.
  • Spezifisch umfaßt der Schaltkreisabschnitt wenigstens einen Leiter für eine elektrische Verbindung mit einem Halbleiterelement und einen externen Anschlußabschnitt für eine elektrische Verbindung mit einer externen Schaltung bzw. einem externen Schaltkreis und hat keinerlei Chipkontaktstellen-Abschnitt für ein Festlegen eines Halbleiterelements darauf, eine Mehrzahl von Sätzen des Leiters und des externen Anschlußabschnitts, die einstückig miteinander verbunden sind, ist unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt, und der gesamte Schaltkreisabschnitt wurde zweidimensional direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet. Dieser Aufbau erlaubt es, daß die Durchführung eines einzigen Plattier schritts für zufriedenstellende Ergebnisse genügt, und kann das Produktionsverfahren relativ einfach machen.
  • Weiterhin umfaßt der Schaltkreisabschnitt wenigstens einen Leiter für eine elektrische Verbindung mit einem Halbleiterelement und einen externen Anschlußabschnitt für eine elektrische Verbindung mit einem externen Schaltkreis und hat keinerlei Chipkontaktstellen-Abschnitt für ein Festlegen eines Halbleiterelements darauf, eine Mehrzahl von Sätzen des Leiters und des externen Anschlußabschnitts, die einstückig miteinander verbunden sind, ist unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt, und nur der externe Anschlußabschnitt in dem Schaltkreisabschnitt wurde direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet, wobei die anderen Abschnitte in dem Schaltkreisabschnitt durch einen isolierenden Resist ausgebildet wurden. Dieser Aufbau kann das Erfordernis zum Herstellen einer Platte eliminieren, um nur einen Lotkugelbereich in dem Schritt eines Vorbereitens einer externen Elektrode einer Lotkugel in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung freizulegen.
  • Mittels des obigen Aufbaus kann das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung herstellen und die Ausbildung eines Schaltkreisabschnitts unter Verwendung eines leitfähigen Metalls, der durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat zur Verfügung gestellt ist, kann einen feinen Schaltkreisabschnitt ohne Erzeugen einer signifikanten Deformation und mit einer exzellenten Genauigkeit zur Verfügung stellen.
  • Das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mittels des obigen Aufbaus kann einem Erfordernis für mehrere Anschlüsse genügen und zur selben Zeit kann es sicher eine Halbleitervorrichtung herstellen, die eine gute Qualität aufweist.
  • C. Noch ein weiteres Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung, die für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, umfaßt: ein leitfähiges Substrat; und einen Schaltkreisabschnitt und dgl., der wenigstens zweidimensional unter Verwendung eines leitfähigen Metalls durch ein Plattieren auf der leitfähigen Oberfläche ausgebildet ist, wobei der Schaltkreisabschnitt wenigstens einen Leiter für eine elektrische Verbindung mit einem Halbleiterelement und einen externen Anschlußabschnitt für eine elektrische Verbindung mit einer externen Schaltung umfaßt, wobei eine Mehrzahl von Sätzen des Leiters und des externen Anschlußabschnitts, die einstückig miteinander verbunden sind, unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt sind, wobei der externe Anschlußabschnitt in dem Schaltkreisabschnitt direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Elektroplattieren ausgebildet wurde, wobei der Leiter in dem Schaltkreisabschnitt auf einer isolierende Epoxyharzschicht ausgebildet wurde, wobei die isolierende Epoxyharzschicht direkt auf dem leitfähigen Substrat unter Ausschluß des den externen Anschlußabschnitt ausbildenden Bereichs durch Übertragungsformen ausgebildet wurde.
  • In dem obigen Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung wurde das leitfähige Substrat, das auf seiner Seite den Schaltkreisabschnitt aufweist, oberflächenbehandelt, um Unregelmäßigkeiten auszubilden, und das leitfähige Substrat auf seiner Seite, das einer Oberflächenbehandlung zur Aus bildung von Unregelmäßigkeiten unterworfen wurde, wurde einer Ablösebehandlung unterworfen, um eine Ablösbarkeit zu verleihen.
  • Das leitfähige Substrat kann aus einem Metall auf Eisen-Nickel-Chrom-Basis, einem Metall auf Eisen-Chrom-Basis, einem Metall auf Eisen-Nickel-Basis oder einem Metall auf Eisen-Kunststoff-Basis hergestellt sein und das Plattieren des leitfähigen Metalls kann entweder ein Kupferplattieren oder ein Kupferplattieren unter Verwendung von Nickel als einem Substrat sein.
  • Das Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung kann so ausgebildet sein, daß eine Mehrzahl von Halbleiterelementen festgelegt werden kann.
  • Der Ausdruck "nur der externe Anschlußabschnitt bzw. Abschnitt des externen Anschlusses in dem Schaltkreisabschnitt wurde direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren" ausgebildet, welcher hierin verwendet wird, bezeichnet den Fall, wo eine Seite des leitfähigen Substrats oxidiert oder mit einer dünnen Ablöseschicht von Stearinsäure oder dgl. beschichtet wurde, gefolgt durch Elektroplattieren der oxidierten oder beschichteten Seite. In gleicher Weise bezeichnet der Ausdruck "isolierende Epoxyharzschicht, die direkt auf dem leitfähigen Substrat zur Verfügung gestellt ist", wie er hierin verwendet wird, den Fall, wo eine Seite des leitfähigen Substrats oxidiert oder mit einer dünnen Ablöseschicht aus der Stearinsäure oder dgl. beschichtet wurde, gefolgt durch ein Vorsehen einer isolierenden Epoxyharzschicht, die auf der oxidierten oder beschichteten Oberfläche zur Verfügung gestellt ist.
  • In noch einem weiteren Verfahren, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung verwendbar ist, welche ein leitfähiges Substrat und einen Schaltkreisabschnitt oder dgl. umfaßt, der wenigstens zweidimensional unter Verwendung eines leitfähigen Metalls durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat ausgebildet ist, wobei das Schaltkreisglied wenigstens einen Leiter für eine elektrische Verbindung mit einem Halbleiterelement und einen externen Anschlußabschnitt für eine elektrische Verbindung mit einer externen Schaltung bzw. einem Schaltkreis umfaßt, wobei eine Mehrzahl von Sätzen aus dem Leiter und dem externen Anschlußabschnitt, die einstückig miteinander verbunden sind, unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt sind, wobei der externe Anschlußabschnitt in dem Schaltkreisabschnitt direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Elektroplattieren ausgebildet wurde, wobei der Leiter in dem Schaltkreisabschnitt auf einer isolierenden Epoxyharzschicht ausgebildet wurde, wobei die isolierende Epoxyharzschicht direkt auf dem leitfähigen Substrat unter Ausschluß des den externen Anschlußabschnitt ausbildenden Bereichs durch ein Transfer- bzw. Übertragungsformen ausgebildet wurde, umfaßt das Verfahren in Aufeinanderfolge wenigstens die Schritte: (a) Oberflächenbehandeln von einer Seite des leitfähigen Substrats, um Unregelmäßigkeiten darauf zur Verfügung zu stellen; (b) Unterwerfen des leitfähigen Substrats auf seiner einen Seite, wobei Unregelmäßigkeiten darauf zur Verfügung gestellt sind, einer Ablösebehandlung, um eine Ablösbarkeit zu verleihen; (c) Bereitstellen einer isolierenden Epoxyharzschicht durch ein Übertragungsformen auf dem leitfähigen Substrat auf seiner einen Seite, die der Oberflächenbehand lung und der Ablösebehandlung unterworfen wurde, um nur den den externen Anschlußabschnitt ausbildenden Bereich freizulegen; (d) Elektroplattieren des leitfähigen Substrats auf seinem freigelegten Bereich, der nicht mit der isolierenden Epoxyharzschicht abgedeckt bzw. beschichtet wird, mit einem leitfähigen Metall bis zu einer Plattierdicke, die etwa gleich der Dicke der isolierenden Epoxyharzschicht ist; (e) Beschichten eines isolierenden Resists auf der Oberfläche der Plattierung und Freilegen von nur einem einen Schaltkreisabschnitt ausbildenden Bereich, um eine Platte auszubilden; und (f) Verleihen von elektrischer Leitfähigkeit nur an den belichteten bzw. freigelegten Bereich, wo ein Schaltkreisabschnitt auszubilden ist, durch ein Plattieren oder Beschichten einer leitenden Farbe bzw. eines leitenden Anstrichs oder dgl., um einen Schaltkreisabschnitt auszubilden.
  • In noch einem weiteren Verfahren, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung verwendbar ist, welche ein leitfähiges Substrat und einen Schaltkreisabschnitt oder dgl. umfaßt, der wenigstens zweidimensional unter Verwendung eines leitfähigen Metalls durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat ausgebildet ist, wobei das Schaltkreisglied wenigstens einen Leiter für eine elektrische Verbindung mit einem Halbleiterelement und einen externen Anschlußabschnitt für eine elektrische Verbindung mit einer externen Schaltung bzw. einem Schaltkreis umfaßt, wobei eine Mehrzahl von Sätzen aus dem Leiter und dem externen Anschlußabschnitt, die einstückig miteinander verbunden sind, unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt sind, wobei der externe Anschlußabschnitt in dem Schaltkreisabschnitt direkt auf einer Seite des leitfähigen Sub strats durch ein Elektroplattieren ausgebildet wurde, wobei der Leiter in dem Schaltkreisabschnitt auf einer isolierenden Epoxyharzschicht ausgebildet wurde, wobei die isolierende Epoxyharzschicht direkt auf dem leitfähigen Substrat unter Ausschluß des den externen Anschlußabschnitt ausbildenden Bereichs durch ein Transfer- bzw. Übertragungsformen ausgebildet wurde, umfaßt das Verfahren in Aufeinanderfolge wenigstens die Schritte: (g) Oberflächenbehandeln einer Seite des leitfähigen Substrats, um Unregelmäßigkeiten darauf zur Verfügung zu stellen; (h) Unterwerfen des leitfähigen Substrats auf seiner einen Seite, wobei Unregelmäßigkeiten darauf zur Verfügung gestellt sind, einer Ablösebehandlung, um eine Ablösbarkeit zu verleihen; (i) Bereitstellen einer isolierenden Epoxyharzschicht durch ein Übertragungsformen auf dem leitfähigen Substrat auf seiner einen Seite, die der Oberflächenbehandlung und der Ablösebehandlung unterworfen wurde, so daß nur der externe Anschlußabschnitt ausbildende Bereich freigelegt wird; (j) Unterwerfen des leitfähigen Substrats an seinem freigelegten Bereich, der nicht mit der isolierenden Epoxyharzschicht abgedeckt wird, einem ersten Plattieren mit einem leitfähigen Metall durch ein Elektroplattieren bis zu einer Plattierdecke etwa gleich der Dicke der isolierenden Epoxyharzschicht; (k) Unterwerfen der gesamten Oberfläche der ersten Plattierung einem zweiten Plattieren entweder durch ein elektrokugelfreies Plattieren alleine oder durch ein elektrofreies Plattieren, gefolgt durch ein Elektroplattieren, wodurch ein Plattieren eines leitfähigen Metalls auf der gesamten Oberfläche der ersten Plattierung ausgebildet wird; (l) Beschichten eines isolierenden Resists auf der Oberfläche der elektrofreien Plattierung und Herstellen einer Platte in einer derartigen Weise, daß nur ein Bereich, wo ein Schaltkreisabschnitt auszubilden ist, abgedeckt wird; und (m) Ätzen der elektrofreien Plattierung unter Verwendung des Resists als eine ätzresistente Maske.
  • In dem obigen Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung wird der Schritt eines Ausbildens eines Werkzeugslochs für eine Registrierung vor der Herstellung der Platte ausgeführt.
  • In dem obigen Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung ist die Oberflächenbehandlung ein Sandstrahlen.
  • In dem obigen Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung ist die Ablösebehandlung eine Behandlung zum Ausbilden eines Oxidfilms auf der Oberfläche des leitfähigen Substrats.
  • In dem obigen Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung ist das leitfähige Substrat aus einem Metall auf Eisen-Nickel-Chrom-Basis, einem Metall auf Eisen-Chrom-Basis, einem Metall auf Eisen-Nickel-Basis oder einem Metall auf Eisen-Kohlenstoff-Basis gefertigt, und das Plattieren des leitfähigen Metalls in dem Schritt des ersten Plattierens ist entweder ein Kupferplattieren oder ein Kupferplattieren unter Verwendung von Nickel als einem Substrat und das Plattieren des leitfähigen Metalls in dem Schritt eines zweiten Plattierens ist ein Kupferplattieren.
  • Auch in diesem Fall bezeichnet der Ausdruck "nur der externe Anschlußabschnitt in dem Schaltkreisabschnitt wurde direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet", wie er hierin verwendet wird, den Fall, wo eine Seite des leitfähigen Substrats oxidiert oder mit einer dünnen Freigabeschicht von Stearinsäure oder dgl. beschichtet wurde, gefolgt durch ein Elektroplattieren der oxidierten oder beschichteten Seite. In gleicher Weise bezeichnet der Ausdruck "isolierende Epoxyharzschicht, die direkt auf dem leitfähigen Substrat zur Verfügung gestellt ist", wie er hierin verwendet wird, den Fall, wo eine Seite des leitfähigen Substrats oxidiert oder mit einer dünnen Freigabeschicht aus Stearinsäure oder dgl. beschichtet wurde, gefolgt durch ein Vorsehen einer isolierenden Epoxyharzschicht, die auf der oxidierten oder beschichteten Oberfläche zur Verfügung gestellt ist bzw. wird.
  • In noch einem weiteren Verfahren, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines Halbkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, welche ein leitfähiges Substrat und einen Schaltkreisabschnitt und dgl. umfaßt, der wenigstens zweidimensional unter Verwendung eines leitfähigen Metalls durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat ausgebildet wird, wobei der Schaltkreisabschnitt wenigstens einen Leiter für eine elektrische Verbindung mit einem Halbleiterelement und einem externen Anschlußabschnitt für eine elektrische Verbindung mit einer externen Schaltung umfaßt, wobei eine Mehrzahl von Sätzen des Leiters und des externen Anschlußabschnitts, die einstückig bzw. integral miteinander verbunden sind, unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt sind, wobei nur der externe Anschlußabschnitt in dem Schaltkreisabschnitt direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet wird, wobei die anderen Abschnitte durch eine isolierende Epoxyschicht ausgebildet werden, die durch ein Transferformen zur Verfügung gestellt sind, um faßt das Verfahren in der Aufeinanderfolge wenigstens die Schritte: (i) Festlegen bzw. Montieren eines Halbleiterelements, wobei der Anschluß nach oben schaut, auf einem Schaltkreisabschnitt, der auf einem leitfähigen Substrat zur Verfügung gestellt ist und Drahtbonden des Anschlusses des Halbleiterelements an einen Leiter; (ii) Unterwerfen von einer Seite des Leiterabschnitts für eine Halbleitervorrichtung einem Kunststofformen, um das Halbleiterelement, den Draht und den Schaltkreisabschnitt des Leiterglieds für eine Halbleitervorrichtung in ihrer Gesamtheit abzudecken und (iii) Entfernen des leitfähigen Substrats in dem Leiterglied für eine Halbleitervorrichtung.
  • Das obige Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfaßt vorzugsweise weiterhin nach dem Schritt eines Entfernens des Substrats (iv) den Schritt eines Festlegens einer Lotkugel an dem freigelegten externen Anschlußabschnitt.
  • Das noch weitere Schaltkreisglied, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, für eine Halbleitervorrichtung kann aufgrund des obigen Aufbaus und einer Tendenz zu einem weiteren Anstieg in der Anzahl von Anschlüssen genügen und ist exzellent in der Produktivität und Kosten ebenso wie in der Qualität.
  • Spezifisch wird dies durch ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung erzielt, umfassend: ein leitfähiges Substrat; einen Schaltkreisabschnitt und dgl., der wenigstens zweidimensional unter Verwendung eines leitfähigen Metalls durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat ausgebildet ist, wobei der Schaltkreisabschnitt wenigstens einen Leiter für eine elektrische Verbindung mit einem Halbleiterelement und einen externen Anschlußabschnitt für eine elektrische Verbindung mit einem externen Schaltkreis umfaßt, wobei eine Mehrzahl von Sätzen des Leiters und des externen Anschlußabschnitts, die einstückig miteinander verbunden sind, unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt sind, wobei der externe Anschlußabschnitt in dem Schaltkreisabschnitt direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Elektroplattieren ausgebildet wird, wobei der Leiter in dem Schaltkreisabschnitt auf einer isolierenden Epoxyharzschicht ausgebildet wurde, wobei die isolierende Epoxyharzschicht direkt auf dem leitfähigen Substrat unter Ausschluß des den externen Anschlußabschnitt ausbildenden Bereichs durch ein Übertragungsformen ausgebildet wurde.
  • Eine Oberflächenbehandlung für ein Erzeugen von Unregelmäßigkeiten auf dem leitfähigen Substrat in seiner Oberfläche, die ein Schaltkreisglied aufweist, und eine Ablösebehandlung zum Verleihen einer Ablösbarkeit an die Oberfläche, die Unregelmäßigkeiten aufweist, erleichtern das Trennen des leitfähigen Substrats bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung.
  • Weiterhin erlaubt, wie dies in 26 und 27 gezeigt ist, in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung eine ledigliche Trennung des leitfähigen Substrats die Herstellung einer externen Elektrode einer Lotkugel, die das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung vereinfacht.
  • Weiterhin erlaubt die Herstellung des Leiterabschnitts in dem Schaltkreisabschnitt durch ein Plattieren, daß der gesamte Schaltkreis fein gemacht wird.
  • Weiterhin kann, wenn das Schaltkreisglied so konstruiert ist, daß eine Mehrzahl von Halbleiterelementen festgelegt werden kann, es auch an eine mehrchipartige Halbleitervorrichtung angewandt werden. Weiterhin ist es an CSP anwendbar.
  • Das noch weitere Verfahren, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung kann aufgrund des obigen Aufbaus einer Tendenz zu einem weiteren Anstieg in der Anzahl von Anschlüssen genügen und ist exzellent in der Produktivität und den Kosten ebenso wie in der Qualität.
  • Spezifisch kann die Ausbildung eines Schaltkreisabschnitts unter Verwendung eines leitfähigen Metalls, das durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat zur Verfügung gestellt ist bzw. wird, einen feinen Schaltkreisabschnitt realisieren, ohne daß eine signifikante Deformation erzeugt wird, und mit einer exzellenten Genauigkeit.
  • Eine Oberflächenbehandlung zur Ausbildung von Unregelmäßigkeiten auf dem leitfähigen Substrat in seiner einen Oberfläche und eine Ablösebehandlung zum Verleihen einer Ablösbarkeit resultieren in einer verbesserten Behandelbarkeit (Trennbarkeit des leitfähigen Substrats) bei bzw. in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung.
  • Beispielsweise kann in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung in einer derartigen Weise, daß ein Halbleiterelement durch ein isolierendes Klebeband auf einem Leiter aus einem leitfähigen Metall festgelegt ist, das durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat zur Verfügung ge stellt ist, ein Drahtbonden ausgeführt wird und die Halbleiterelementseite allein dann geformt wird, ein Vorteil zur Verfügung gestellt werden, daß der Schaltkreisabschnitt dem Druck und dgl. widerstehen kann, der durch das Formharz während dem Kunststofformen ausgebildet wird, das leitfähige Substrat kann sicher an dem leitfähigen Metall angehaftet werden, das durch ein Plattieren zur Verfügung gestellt ist, und zur selben Zeit kann nach dem Formen die gesamte Halbleitervorrichtung leicht von dem leitfähigen Substrat getrennt werden. Dies deshalb, da die Oberflächenbehandlung zum Ausbilden von Oberflächenunregelmäßigkeiten ermöglicht, daß das leitfähige Metall, das durch ein Plattieren zur Verfügung gestellt ist, auf dem leitfähigen Substrat so ausgebildet wird, daß es einen hohen Widerstand gegenüber einer quer wirkenden Kraft aufweist, und zusätzlich stellt die Ablösebehandlung eine gute Ablösbarkeit durch eine senkrechte Kraft zur Verfügung.
  • Wenn der Schritt eines Vorbereitens eines Werkzeuglochs zur Registrierung vor dem Schritt eines Vorbereitens einer Platte zur Verfügung gestellt wird, kann die Plattenherstellungsgenauigkeit sichergestellt werden.
  • Ein Beispiel der Ablösebehandlung ist eine Oxidationsbehandlung, wobei die Oberfläche des leitfähigen Substrats mit einer Chromsäure oder dgl. oxidiert wird, um einen Oxidfilm auszubilden, welcher eine metallische Verbindung bzw. Bindung zwischen dem leitfähigen Metall, das durch ein Plattieren zur Verfügung gestellt wird, und dem leitfähigen Substrat inhibiert. Ein Sandstrahlen ist die Oberflächenbehandlung. Weiterhin ist es in einem Verfahren, das zum Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, auch möglich, ein Bürstverfahren zu verwenden, wobei eine Mischung aus Schleifkörnern mit einer Flüssigkeit gegen das zu behandelnde Objekt kollidieren gelassen wird.
  • Wenn das leitfähige Substrat aus einem Metall auf Eisen-Nickel-Chrom-Basis oder einem Metall auf Eisen-Chrom-Basis gefertigt bzw. hergestellt ist und das Plattieren des leitfähigen Metalls entweder ein Kupferplattieren oder ein Kupferplattieren unter Verwendung von Nickel als einem Substrat ist, wird die obige Oberflächenbehandlung zum Erzeugen von Oberflächenunregelmäßigkeiten und die Ablösebehandlung zum Verleihen der Ablösbarkeit noch effizienter bzw. wirksamer.
  • Noch ein weiteres Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung kann aufgrund des obigen Aufbaus einem Erfordernis für mehrere Anschlüsse genügen und kann zur selben Zeit sicher eine Halbleitervorrichtung herstellen, die eine gute Qualität besitzt.
  • D. Ein weiteres Schaltkreisglied, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, für eine Halbleitervorrichtung umfaßt: ein leitfähiges Substrat und einen Schaltkreisabschnitt und dgl., der wenigstens zweidimensional unter Verwendung einer leitfähigen Metallschicht ausgebildet ist, die durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat zur Verfügung gestellt wird, wobei wenigstens ein Teil des Schaltkreisabschnitts direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren zur Verfügung gestellt wird, wobei das leitfähige Substrat auf seiner einen Seite einen Schaltkreisabschnitt aufweist, der mit einem gesonderten Metallplattieren zur Verfügung gestellt wird, das zum Trennen des leitfähigen Substrats von dem Schaltkreisabschnitt in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung dient.
  • In dem obigen Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung umfaßt der Schaltkreisabschnitt wenigstens einen Leiter für eine elektrische Verbindung mit einem Halbleiterelement und einen externen Anschlußabschnitt bzw. Abschnitt eines externen Anschlusses für eine elektrische Verbindung mit einem externen Schaltkreis, eine Mehrzahl von Sätzen des Leiters und des externen Anschlußabschnitts, die einstückig miteinander verbunden sind, ist unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt und wenigstens ein Teil des Schaltkreisabschnitts wurde direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren zur Verfügung gestellt, oder der externe Anschlußabschnitt in dem Schaltkreis wurde direkt auf dem leitfähigen Substrat durch ein Plattieren ausgebildet und der Leiter in dem Schaltkreisabschnitt wurde auf einer isolierenden Schicht ausgebildet, die direkt auf dem leitfähigen Substrat unter Ausschluß des den externen Anschlußabschnitt ausbildenden Bereichs zur Verfügung gestellt ist.
  • Weiterhin umfaßt in dem obigen Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung der Schaltkreisabschnitt eine Mehrzahl von externen Anschlußabschnitten für eine elektrische Verbindung mit einem externen Schaltkreis, die unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt sind, und die externen Anschlußabschnitte wurden direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet oder die externen Anschlußabschnitte in dem Schaltkreisabschnitt wurden in einer derartigen Weise ausgebildet, daß der Querschnitt senkrecht zu der Substratfläche eine ungefähre U-Form aufweist, oder der externe Anschlußabschnitt umfaßt eine laminierte Plattierung aus Palladium, Nickel, Silber und Gold oder eine Plattierung aus einer Legierung dieser Metalle, oder das Plattieren des getrennten Metalls ist ein Metallplattieren, das aus der Gruppe, bestehend aus Kupfer, Nickel, Chrom, Zink und einer Gruppe von Legierungen dieser Metalle gewählt ist.
  • Weiterhin wurden in dem obigen Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung der Schaltkreisabschnitt und dgl. so ausgebildet, daß eine Mehrzahl von Halbleiterelementen darauf festgelegt bzw. montiert ist.
  • Weiterhin ist in dem obigen Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung das leitfähige Substrat aus einem Metall auf Eisen-Nickel-Chrom-Basis, einem Metall auf Eisen-Nickel-Basis oder einem Metall auf Eisen-Kohlenstoff-Basis gefertigt.
  • In einem weiteren Verfahren, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, zur Herstellung eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, umfassend ein leitfähiges Substrat und einen Schaltkreisabschnitt und dgl., welcher wenigstens zweidimensional unter Verwendung eines leitfähigen Metalls durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat ausgebildet ist, wobei wenigstens ein Teil des Schaltkreisabschnitts direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren zur Verfügung gestellt ist, wobei das leitfähige Substrat auf seiner einen Seite einen Schaltkreisabschnitt aufweist, der mit einer trennenden Metallplattierung zur Verfügung gestellt ist, die dazu dient, um das leitfähige Substrat von dem Schaltkreisabschnitt in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung zu trennen, umfaßt das Verfahren in Aufein anderfolge unter Verwendung eines leitfähigen Substrats, das eine trennende Metallplattierung auf einer Seite aufweist, wenigstens die Schritte: (a) Beschichten eines Resists auf eine Seite des leitfähigen Substrats und Freilegen bzw. Belichten von nur einem mit einem leitfähigen Metall zu plattierenden Bereich, um eine Platte herzustellen; und (b) Plattieren der Platte auf ihrem freigelegten Bereich mit einem leitfähigen Metall.
  • In einem weiteren Verfahren, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, umfassend ein leitfähiges Substrat und einen Schaltkreisabschnitt und dgl., der wenigstens zweidimensional unter Verwendung eines leitfähigen Metalls durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat ausgebildet ist, wobei wenigstens ein Teil des Schaltkreisabschnitts direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren zur Verfügung gestellt wird, wobei das leitfähige Substrat auf seiner einen Seite einen Schaltkreisabschnitt aufweist, der mit einer trennenden Metallplattierung versehen ist, die dazu dient, um das leitfähige Substrat von dem Schaltkreisabschnitt in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung zu trennen, umfaßt das Verfahren in Aufeinanderfolge unter Verwendung eines leitfähigen Substrats, das eine trennende Metallplattierung auf einer Seite davon aufweist, wenigstens die Schritte: (d) Bereitstellen einer isolierenden Schicht auf einer Seite des leitfähigen Substrats, um wenigstens den externen Anschlußabschnitt in dem Schaltkreisabschnitt freizulegen und einen einen Leiter bildenden Bereich abzudecken; (e) elektrofreies Plattieren des leitfähigen Substrats auf seiner gesamten Oberfläche, die mit einer isolierenden Schicht versehen ist, um eine erste leitfähige Schicht auszubilden, wodurch die gesamte Oberfläche bedeckt bzw. abgedeckt wird; (f) Bereitstellen eines Resists, um einen einen externen Anschlußabschnitt ausbildenden Bereich und einen einen Leiterabschnitt ausbildenden Bereich in dem Schaltkreisabschnitt des leitfähigen Substrats auf seiner Seite freizulegen, die mit der ersten leitfähigen Schicht versehen bzw. zur Verfügung gestellt sind; (g) Plattieren des freigelegten Bereichs, um eine zweite leitfähige Schicht auszubilden, wodurch gleichzeitig der externe Anschlußabschnitt und der Leiterabschnitt ausgebildet werden; (h) Trennen und Entfernen des Resists alleine; und (i) Entfernen der freigelegten ersten leitfähigen Schicht durch ein Ätzen.
  • In dem obigen Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung ist die erste leitfähige Schicht durch ein elektrofreies Nickelplattieren zur Verfügung gestellt und die zweite leitfähige Schicht umfaßt eine Goldschicht, eine Kupferschicht, eine Nickelschicht und eine Goldschicht, die in dieser Reihenfolge durch ein Elektroplattieren auf der ersten leitfähigen Schicht zur Verfügung gestellt sind bzw. werden.
  • In einem weiteren Verfahren, das zum Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, umfassend ein leitfähiges Substrat; und einen Schaltkreisabschnitt und dgl., der wenigstens zweidimensional unter Verwendung eines leitfähigen Metalls durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat ausgebildet ist, wobei wenigstens ein Teil des Schaltkreisabschnitts direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren zur Verfügung gestellt ist, wobei das leitfähige Substrat auf seiner einen Seite einen Schaltkreisabschnitt aufweist, der mit einer trennenden Metallplattierung zur Verfügung gestellt bzw. versehen ist, die dazu dient, um das leitfähige Substrat von dem Schaltkreisabschnitt in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung zu trennen, umfaßt das Verfahren in Aufeinanderfolge unter Verwendung eines leitfähigen Substrats, das eine trennende Metallplattierung auf einer Seite davon aufweist, wenigstens die Schritte: (k) Bereitstellen einer isolierenden Schicht auf einer Seite des leitfähigen Substrats, um wenigstens den externen Anschlußabschnitt in dem Schaltkreisabschnitt freizulegen und einen einen Leiter bildenden Bereich abzudecken; (l) Abdecken des leitfähigen Substrats auf seiner gesamten Oberfläche, das mit der isolierenden Schicht zur Verfügung gestellt ist, mit einem Resist, Unterwerfen der Oberfläche des Resists einer Wasser abstoßenden Behandlung, und Behandeln des Resists, um den den externen Anschlußabschnitt bildenden Bereich und den den Leiter bildenden Bereich in dem Schaltkreisabschnitt des leitfähigen Substrats freizulegen; (m) Bereitstellen und Aktivieren eines Katalysators und dann Bereitstellen einer ersten leitfähigen Schicht durch ein elektrofreies bzw. -loses Plattieren auf den freigelegten Bereichen; (n) Bereitstellen einer zweiten leitfähigen Schicht durch ein Elektroplattieren auf der ersten leitfähigen Schicht, um gleichzeitig einen externen Anschlußabschnitt und einen Leiterabschnitt auszubilden; und (o) Trennen und Entfernen des Resists alleine.
  • In dem obigen Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung ist bzw. wird die erste leitfähige Schicht durch ein elektrofreies Nickelplattieren zur Verfügung gestellt und die zweite leitfähige Schicht umfaßt eine Goldschicht, eine Kupferschicht, eine Nickelschicht und eine Goldschicht, die in dieser Reihenfolge durch ein Elektroplattieren auf der ersten leitfähigen Schicht zur Verfügung gestellt sind.
  • Weiterhin umfaßt in dem obigen Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung der Schaltkreisabschnitt eine Mehrzahl von externen Anschlußabschnitten für eine elektrische Verbindung zu einem externen Schaltkreis, die unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt sind, und die externen Anschlußabschnitte sind bzw. werden direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet.
  • Darüber hinaus wird in dem obigen Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds der Schritt eines Ausbildens eines Werkzeuglochs zur Registrierung zumindest vor der Vorbereitung der Platte ausgeführt.
  • In einem weiteren Verfahren, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, umfassend ein leitfähiges Substrat und einen Schaltkreisabschnitt und dgl., der wenigstens zweidimensional unter Verwendung eines leitfähigen Metalls durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat ausgebildet ist, wobei wenigstens ein Teil des Schaltkreisabschnitts direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren zur Verfügung gestellt ist bzw. wird, wobei das leitfähige Substrat auf seiner einen Seite einen Schaltkreisabschnitt aufweist, der mit einer trennenden Metallplattierung versehen ist, die dazu dient, um das leitfähige Substrat von dem Schaltkreisabschnitt in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung zu trennen, umfaßt das Verfahren in der Aufeinanderfolge wenigstens die Schritte: (A) Ausführen einer Chipkontakt-Befestigung bzw. Festlegung durch ein Montieren eines Halbleiterelements auf dem Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung an ihrem Platz unter Ausschluß einer Fläche eines externen Anschlußabschnitts; (B) Drahtverbinden bzw. -bonden des Anschlusses des Halbleiterelements mit dem Schaltkreisabschnitt, um elektrisch den Anschluß des Halbleiterelements mit dem externen Anschlußabschnitt zu verbinden; (C) Unterwerfen von einer Seite des Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung einem Kunststofformen, um das Halbleiterelement, den Draht und den Schaltkreisabschnitt in ihrer Gesamtheit abzudecken; und (D) Auflösen und Entfernen des trennenden Metallplattierabschnitts in dem leitfähigen Substrat, um das leitfähige Substrat alleine abzutrennen.
  • In dem obigen Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfaßt der Schaltkreisabschnitt in dem Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung eine Mehrzahl von externen Anschlußabschnitten zur elektrischen Verbindung mit einem externen Schaltkreis, die unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt sind, und die externen Anschlußabschnitte sind direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet.
  • Das obige Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfaßt weiterhin nach dem Schritt eines Entfernens des leitfähigen Substrats, (e) den Schritt eines Befestigens einer Lotkugel an dem freigelegten externen Anschlußabschnitt.
  • Das weitere Schaltkreisglied, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, für eine Halbleitervorrichtung kann aufgrund des obigen Aufbaus einem Erfordernis für einen weiteren Anstieg in der Anzahl von Anschlüssen genügen, ist exzellent in der Produktivität und Qualität, und kann eine Halbleitervorrichtung, welche verglichen mit TSOP und dgl., eine kleinere Größe realisieren kann, und ein Schaltkreisglied zur Verfügung stellen, das dafür verwendet wird.
  • Spezifisch wird dies durch ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung erreicht, wobei wenigstens ein Teil des Schaltkreisabschnitts direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren zur Verfügung gestellt ist bzw. wird und das leitfähige Substrat, das auf seiner einen Seite einen Schaltkreisabschnitt aufweist, mit einer trennenden Metallplattierung zur Verfügung gestellt wird, die dazu dient, um das leitfähige Substrat von dem Schaltkreisabschnitt bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung zu trennen.
  • Der Schaltkreisabschnitt kann eine Struktur für eine BGA (ball grid array) oder COL (chip on lead) Struktur aufweisen, welche wenigstens einen Leiter für eine elektrische Verbindung zu einem Halbleiterelement und einen externen Anschlußabschnitt bzw. Abschnitt eines externen Anschlusses für eine elektrische Verbindung mit einem externen Schaltkreis umfaßt, wobei eine Mehrzahl von Sätzen des Leiters und des externen Anschlußabschnitts, die einstückig bzw. integral miteinander verbunden sind, unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt sind, wobei wenigstens ein Teil des Schaltkreisabschnitts direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren zur Verfügung ge stellt ist. Alternativ kann der Schaltkreisabschnitt eine Mehrzahl von externen Anschlußabschnitten zur elektrischen Verbindung mit einem externen Schaltkreis aufweisen, die unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt sind, wobei die externen Anschlußabschnitte direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet sind bzw. werden.
  • Weiterhin kann, wie in 10 gezeigt, in dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung eine externe Elektrode eine Lotkugel durch ein einfaches Trennen und Entfernen des leitfähigen Substrats ausgebildet werden, wodurch das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung vereinfacht wird.
  • Weiterhin erlaubt, wenn der Schaltungsabschnitt für ein BGA (ball grid array) oder COL (chip on lead) ist, die Herstellung des Leiterabschnitts in der Schaltung durch ein Plattieren, daß die gesamte Schaltung bzw. der gesamte Schaltkreis fein hergestellt wird.
  • Die Konstruktion des Schaltkreisglieds in einer derartigen Weise, daß eine Mehrzahl von Halbleiterelementen montiert werden kann, ermöglicht dem Schaltkreisglied, daß es an einer mehrchipartigen Halbleitervorrichtung angewandt wird. Weiterhin ist es an CSP anwendbar.
  • In dem konventionellen Leiterrahmenglied, das in 41c gezeigt ist, ist, wenn ein Leiterrahmen, der durch ein feines Herstellen eines inneren Leiters vorbereitet ist, verwendet wird, ein kompliziertes Verfahren notwendig wie jenes, das in 41a gezeigt ist, ein Ätzen wird in einem derartigen Zustand an einem Verbindungsabschnitt 917 für ein Fixieren der inneren Leiter untereinander ausgeführt, ein inneres Leiterfixierklebeband 960 wird dann aufgebracht (41b) und der Verbindungsabschnitt 917 wird entfernt. Weiterhin ist, wenn der konventionelle Leiterrahmen, der in 41c gezeigt ist, verwendet wird, um eine Halbleitervorrichtung herzustellen, wie dies in 42 gezeigt ist, ein Kunststofformen eines unterstützenden Leiters 915 zum Ab- bzw. Unterstützen eines externen Anschlußabschnitts 913 gefolgt durch eine Entfernung des Sperrstegs (Rahmenabschnitt) 914 durch ein Pressen notwendig. Dies bringt ein Problem der Produktivität und Kosten mit sich. Im Gegensatz kann das Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung, worin das Schaltkreisglied für BGA (ball grid array) oder COL (chip on lead) ist, diese Probleme lösen, da eine Mehrzahl von Sätzen eines Leiters und eines externen Anschlußabschnitts, die einstückig bzw. integral miteinander verbunden sind, unabhängig voneinander hergestellt wird.
  • Weiterhin umfaßt das Schaltkreisglied, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, eine Halbleitervorrichtung eine Mehrzahl von externen Anschlußabschnitten zur elektrischen Verbindung mit einer externen Schaltung bzw. einem Schaltkreis, die unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt sind. Weiterhin ist der externe Anschlußabschnitt direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats durch ein Plattieren ausgebildet und kann, verglichen mit TSOP und dgl. eine kleinere Größe der Halbleitervorrichtung realisieren und kann das Ausmaß an Freiheit in dem Design eines Chips erhöhen. Weiterhin kann eine Verbesserung in der Adhäsion an dem Formharz erwartet werden, indem die externen Anschlußabschnitte in dem Schaltkreisabschnitt in einer derartigen Weise gebildet werden, daß der Querschnitt senkrecht zu der Substratfläche eine ungefähre U-Form bzw. -Gestalt aufweist.
  • Das weitere Verfahren, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, für ein Herstellen eines Schaltkreisglieds kann aufgrund der obigen Konstruktion einem Erfordernis nach einem weiteren Anstieg in der Anzahl von Anschlüssen genügen, ist exzellent in der Produktivität und Qualität, und kann eine Halbleitervorrichtung zur Verfügung stellen, welche, verglichen mit TSOP und dgl., die Herstellung einer Packung realisieren kann, die eine kleinere Größe und eine bessere Montage aufweist.
  • Spezifisch kann die Ausbildung eines Schaltkreisabschnitts unter Verwendung eines leitfähigen Metalls, das durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat zur Verfügung gestellt ist, einen feinen Schaltkreis- bzw. Schaltungsabschnitt bzw. -querschnitt ohne Erzeugen einer signifikanten Deformation und mit einer exzellenten Genauigkeit zur Verfügung stellen. Weiterhin erlaubt ein Vorsehen einer Plattierung für eine Trennung auf dem leitfähigen Substrat, daß das leitfähige Substrat relativ leicht von einer Halbleitervorrichtung in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung getrennt werden kann.
  • Wenn der Schritt eines Ausbildens eines Werkzeuglochs zur Registrierung vor dem Schritt eines Vorbereitens einer Platte zur Verfügung gestellt wird, kann die Plattenherstellungsgenauigkeit sichergestellt werden.
  • Das weitere Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung kann aufgrund der obigen Konstruktion einem Erfordernis für mehrere Anschlüsse genügen und zur selben Zeit kann es sicher eine Halbleitervorrichtung herstellen, die eine gute Qualität besitzt.
  • Zur selben Zeit kann die Herstellung einer Packung, die eine kleinere Größe als TSOP und dgl. aufweist, realisiert werden und die Freiheit in dem Chipdesign kann erhöht werden.
  • Die weitere Halbleitervorrichtung, die für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, ist eine, die unter Verwendung eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung durch ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung hergestellt ist. Dieses Verfahren ist in seiner Gesamtheit vereinfacht und ist somit vorteilhaft in der Produktivität ebenso wie in den Kosten, und kann die Produktion einer BGA-artigen oder COL-artigen aus Kunststoff geformten Halbleitervorrichtung realisieren, welche einem Erfordernis nach einem weiteren Anstieg in der Anzahl von Anschlüssen genügen kann. Zur selben Zeit kann eine Packung, die eine kleinere Größe als TSOP und dgl. aufweist, zur Verfügung gestellt werden.
  • Weiterhin kann eine Mehrfachchip-Halbleitervorrichtung mit einer Mehrzahl von Halbleiterelementen, die darauf montiert bzw. festgelegt sind, und CSP (chip scale package) zur Verfügung gestellt werden.
  • Weiterhin ist es überflüssig zu sagen, daß anders als das konventionelle BGA, das eine gedruckte Leiterplatte verwendet, wie dies in 39 gezeigt ist, die Halbleitervorrichtung, die für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar ist, keinerlei kompliziertes Herstel lungsverfahren erfordert und kein Problem in Bezug auf die Feuchtigkeitsbeständigkeit darstellt.
  • BEISPIELE
  • Beispiele, die für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar bzw. nützlich sind, eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, der Prozeß bzw. das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und eine Halbleitervorrichtung werden in größerem Detail unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben.
  • Beispiel A1
  • 1a ist eine vereinfachte Draufsicht auf ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel A1, 1b eine Querschnittsansicht entlang der Linie A1–A2 von 1a, und 1c eine vergrößerte Querschnittsansicht eines Abschnitts A3 von 1a.
  • 2a ist eine entwickelte vereinfachte Draufsicht auf einen Schaltkreisabschnitt 110 und ein leitfähiges Substrat 120 alleine in 1, wobei innere Leiter bzw. Zuleitungen und die externen Anschlußabschnitte bzw. Abschnitte eines externen Anschlusses in einer reduzierten Anzahl zum Vereinfachen des Gesamten dargestellt sind. 2b ist eine vergrößerte Ansicht von etwa einem Viertel des Schaltkreisabschnitts, der in 2a gezeigt ist. 2c ist eine vergrößerte Ansicht von etwa einem Viertel eines Leiterrahmens (eines Schaltkreisglieds), der in einer BGA-artigen Halbleitervorrichtung verwendet wird, die in 40 unten gezeigt ist. 3 ist ein Diagramm, das eine Variante von Beispiel A1 zeigt.
  • In 1, 2 und 3 bezeichnen Bezugszeichen 100, 100A und 100B jeweils ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung, Bezugszeichen 110 einen Schaltkreisabschnitt, Bezugszeichen 111 eine Chipkontaktstelle, Bezugszeichen 112 einen Leiter bzw. eine Zuleitung, Bezugszeichen 113 einen äußeren Anschlußabschnitt bzw. Abschnitt eines äußeren Anschlusses, Bezugszeichen 114 eine Sperrstange (ein Rahmenabschnitt), Bezugszeichen 115 einen unterstützenden bzw. Supportleiter, Bezugszeichen 117 einen Verbindungsabschnitt, Bezugszeichen 120 ein leitendes bzw. leitfähiges Substrat, Bezugszeichen 130 ein Betätigungselement- bzw. Werkzeugloch, Bezugszeichen 140 einen Plattierresist, Bezugszeichen 150 einen photoempfindlichen Resist und Bezugszeichen 170 eine Silberplattierung.
  • Das Schaltkreisglied 100 für eine Halbleitervorrichtung in Beispiel A1 ist ein Schaltkreisglied für eine BGA-artige aus Kunststoff geformte Art einer Halbleitervorrichtung, und umfaßt, wie dies in 1 gezeigt ist, ein leitfähiges Substrat 120, das aus rostfreiem Stahl (SUS 430) gefertigt bzw. hergestellt ist, und einen Schaltkreisabschnitt 110, umfassend ein leitendes bzw. leitfähiges Kupfermaterial, das durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat 120 zur Verfügung gestellt ist. Es hat einen photoempfindlichen Resist 150, der für die Ausbildung des Schaltkreisabschnitts 110 vorbereitet ist, einen Lotresist 140 zum Bereitstellen einer Silberplattierung 170 in einem vorbestimmten Bereich bzw. einer vorbestimmten Fläche, und ein Werkzeugloch 130 zum Sicherstellen der Positionsgenauigkeit im Verlauf der Vorbereitung bzw. Herstellung.
  • In dem Schaltkreisglied 100 für eine Halbleitervorrichtung ist in diesem Zustand ein Halbleiterelement an der Seite des Schaltkreisabschnitts 110 des leitfähigen Substrats 120 montiert bzw. festgelegt, die Seite, auf welcher das Halbleiterelement festgelegt ist, wird bzw. ist alleine unter Verwendung eines Formharzes geformt, um eine Halbleitervorrichtung auf dem leitfähigen Substrat 120 herzustellen bzw. vorzubereiten, und das leitfähige Substrat 120 wird entfernt, um eine Halbleitervorrichtung herzustellen.
  • Der Schaltkreisabschnitt 110 umfaßt eine Chipkontaktstelle 111 für ein Festlegen bzw. Montieren eines Halbleiterelements darauf, einen Leiter 112 und einen externen Anschlußabschnitt 113, der einstückig bzw. integral mit dem Leiter 112 verbunden ist, und eine Mehrzahl von Sätzen aus dem Leiter 112 und dem externen Anschlußabschnitt 113 ist unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt und in einer zweidimensionalen Form entlang der Fläche bzw. Seite des Schaltkreisabschnitts 110 angeordnet.
  • Der externe Anschlußabschnitt 113 funktioniert bzw. fungiert, um eine elektrische Verbindung mit einem externen Schaltkreis auszubilden bzw. durchzuführen, und in der Ausbildung einer BGA-artigen Halbleitervorrichtung ist eine Lotkugel in diesem Abschnitt zur Verfügung gestellt.
  • Wie dies in 1c gezeigt ist, sind Unregelmäßigkeiten durch ein Sandstrahlen auf dem leitfähigen Substrat 120, das aus 0,1 mm dicken rostfreiem Stahl (SUS 430) hergestellt ist, in seiner Seite zur Verfügung gestellt, wo der Schaltkreisabschnitt 110 auszubilden ist. Weiterhin ist ein Oxidfilm auf der Oberfläche der Unregelmäßigkeiten zur Ver fügung gestellt. In der Herstellung einer Halbleitervorrichtung kann ein Formen von nur dem Schaltkreisabschnitt 110, wobei das Halbleiterelement darauf zur Verfügung gestellt ist, erlauben, daß die Anhaftung zwischen dem leitfähigen Substrat 120 und dem Schaltkreisabschnitt 110 aufrecht erhalten wird, und erleichtert die Entfernung der gesamten Halbleitervorrichtung nach einem Formen von dem leitfähigen Substrat 120.
  • Wie dies in 1c gezeigt ist, ist der Schaltkreisabschnitt 110 ein Schaltkreisglied für eine BGA-artige Halbleitervorrichtung, die aus Kupfer hergestellt ist, das durch ein Plattieren zur Verfügung gestellt ist. In dem vorliegenden Beispiel gibt es, da der Schaltkreisabschnitt 110 auf dem leitfähigen Substrat 120 festgelegt ist, kein Erfordernis, einen Verbindungsabschnitt 117, der einstückig mit inneren Leitern verbunden ist, um die inneren Leiter aneinander festzulegen, einen abstützenden bzw. Supportleiter 115 zum Festlegen des externen Anschlußabschnitts und eine Sperrstange (Rahmen) 114 zu verwenden, welche in dem Leiterrahmen (Schaltkreisglied) notwendig war, der in 2c gezeigt ist, der in der konventionellen BGA-artigen Halbleitervorrichtung verwendet wird, die in 39 gezeigt ist.
  • In dem vorliegenden Beispiel ist die Dicke des Schaltkreisabschnitts 110 so klein wie 40 μm, und der Abstand der Leiter 112 in seinem Vorderende ist so klein wie 0,12 mm. Diese Konstruktion kann einer Tendenz zur Annahme eines mehrfachen Anschlusses von Halbleitervorrichtungen genügen.
  • Eine Variante von Beispiel A1 ist in 3 gezeigt.
  • Ein Schaltkreisglied 100A für eine Halbleitervorrichtung, die in 3a gezeigt ist, ist eine Variante 1 und ist in einem derartigen Zustand gezeigt, daß der Plattierresist 140 und der photoempfindliche Resist 150 in dem Schaltkreisglied 100 für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel 1 entfernt wurden. In diesem Zustand ist ein Halbleiterelement auf der Seite des Schaltkreises 110 des leitfähigen Substrats 120 montiert bzw. festgelegt, die Seite, auf welcher das Halbleiterelement festgelegt ist, wird alleine unter Verwendung eines Formharzes geformt, um eine Halbleitervorrichtung auf dem Halbleitersubstrat 120 vorzubereiten, und das leitfähige Substrat 120 wird entfernt, um eine Halbleitervorrichtung herzustellen.
  • Ein Schaltkreisglied 100B für eine Halbleitervorrichtung, die in 3b gezeigt ist, ist eine Variante 2, wo in dem Schaltkreisglied 100 für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel A1 kein photoempfindlicher Resist 150 zur Verfügung gestellt ist. In diesem Zustand ist ein Halbleiterelement auf der Seite des Schaltkreises 110 des leitfähigen Substrats 120 montiert, alleine die Seite, auf welchem das Halbleiterelement festgelegt ist, wird unter Verwendung eines Formharzes geformt, um eine Halbleitervorrichtung auf dem leitfähigen Substrat 120 vorzubereiten, und das leitfähige Substrat 120 wird entfernt, um eine Halbleitervorrichtung herzustellen.
  • Beispiel A2
  • 4a ist eine Draufsicht auf ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel A2, 4b ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie B1–B2 von
  • 4a, und 4c ist ein Diagramm, das eine Variante von Beispiel A2 zeigt.
  • In dem Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung des vorliegenden Beispiels ist die ebene bzw. planare Form des Schaltkreisabschnitts 210 und des leitfähigen Substrats 220 dieselbe wie oben im Zusammenhang mit dem Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel A1 beschrieben, die in 2 gezeigt ist.
  • In 4 bezeichnet Bezugszeichen 200 ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung, Bezugszeichen 210 ein Schaltkreisglied, Bezugszeichen 211 eine Chipkontaktstelle, Bezugszeichen 212 einen Leiter, Bezugszeichen 213 einen externen Anschlußabschnitt, Bezugszeichen 220 ein leitfähiges Substrat, Bezugszeichen 230 ein Werkzeugloch, Bezugszeichen 250 einen Lotresist (einen isolierenden photoempfindlichen Resist), Bezugszeichen 255 einen isolierenden photoempfindlichen Resist und Bezugszeichen 280 eine Silberplattierung.
  • Wie mit dem Schaltkreisglied, das oben in Beispiel A1 beschrieben ist, ist das Schaltkreisglied 200 für eine Halbleitervorrichtung ein Schaltkreisglied einer BGA-artigen, aus Kunststoff geformten Art einer Halbleitervorrichtung und umfaßt, wie dies in 4 gezeigt ist, ein leitfähiges Substrat 220, das aus rostfreiem Stahl (SUS 430) hergestellt ist, und ein Schaltkreisglied 210, umfassend ein leitfähiges Kupfermaterial, das durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat 220 zur Verfügung gestellt ist. Die Form des Schaltkreisabschnitts 210 ist dieselbe wie jene in Beispiel A1.
  • Beispiel A2 ist dadurch gekennzeichnet, daß ein Lotresist (ein isolierender photoempfindlicher Resist) 250, der für die Ausbildung eines externen Anschlußabschnitts 213 hergestellt ist (siehe die Verfahren, die in 8 und 9 gezeigt sind, die unten beschrieben sind), als solcher verwendet wird. Weiterhin ist die Struktur derart, daß die Herstellung einer Platte unter Verwendung eines isolierenden photoempfindlichen Resists (eines Lotresists) für eine externe Elektrode einer Lotkugel und die Ausbildung eines Lotresistfilms durch ein Siebdrucken in der Vorbereitung bzw. Herstellung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines Schaltkreisglieds 200 für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel A10 unnotwendig ist, das in 11b gezeigt ist, welches unten beschrieben ist.
  • Spezifisch ist bzw. wird der Lotresist (isolierender photoempfindlicher Resist) 250 durch ein Anordnen in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung einer externen Elektrode einer Lotkugel auf der Halbleitervorrichtungs-Ausbildungsseite und Bereitstellen eines Lotresists ausgebildet, um den Umfang des externen Anschlußabschnitts 213 abzudecken.
  • In diesem Zusammenhang sollte festgehalten werden, daß in dem Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel A1 der photoempfindliche Resist 150, der für die Herstellung einer Platte zum Plattieren des gesamten Schaltkreisabschnitts 110 als solcher verwendet ist bzw. wird, als ein Teil des Glieds verwendet ist bzw. wird.
  • Auch wird in diesem Beispiel ein leitfähiges Substrat 220, das aus 0,1 mm dicken rostfreiem Stahl (SUS 430) gefertigt ist, verwendet und, wie dies in 1c gezeigt ist, werden Unregelmäßigkeit durch ein Sandstrahlen auf dem Substrat 220 in seiner Seite erzeugt, wo der Schaltkreisabschnitt 210 auszubilden ist (ein Abschnitt B3 einer gepunkteten Linie in 4b und 4c). Weiterhin wird ein Oxidfilm auf der Oberfläche der Unregelmäßigkeiten zur Verfügung gestellt. In der Herstellung einer Halbleitervorrichtung kann ein Formen von lediglich dem Schaltkreisabschnitt 210, wobei das Halbleiterelement darauf vorgesehen ist, erlauben, daß die Anhaftung zwischen dem leitfähigen Substrat 220 und dem Schaltkreisabschnitt 210 beibehalten wird, und erleichtert die Entfernung der gesamten Halbleitervorrichtung nach einem Formen von dem leitfähigen Substrat 220.
  • Wie oben beschrieben ist der Schaltkreisabschnitt 210 ein Schaltkreisglied für eine BGA-artige Halbleitervorrichtung, die aus Kupfer gefertigt ist, das durch ein Plattieren zur Verfügung gestellt ist. Da der Schaltkreisabschnitt 210 auf dem leitfähigen Substrat 220 festgelegt ist, gibt es kein Erfordernis, einen Verbindungsabschnitt 117, der einstückig mit inneren Leitern verbunden ist, um die inneren Leiter aneinander festzulegen, einen Supportleiter 115 zum Festlegen des externen Anschlußabschnitts und eine Sperrstange (Rahmen) 114 zu verwenden, welche in dem Leiterrahmen (Schaltkreisglied) erforderlich waren, der in 2c gezeigt ist, die in der konventionellen BGA-artigen Halbleitervorrichtung verwendet wurden, die in 39 gezeigt ist. Die Dicke des Schaltkreisabschnitts 210 ist so klein wie 40 μm, und der Abstand des Leiters 212 in seinem vorderen Ende ist so klein wie 0,12 mm. Diese Konstruktion kann einer Tendenz zur Annahme eines mehrfachen Anschlusses von Halbleitervorrichtungen genügen.
  • Eine Variante von Beispiel A2 ist in 4c gezeigt.
  • Ein Schaltkreisglied 200A für eine Halbleitervorrichtung, welches eine Variante ist, die in 4c gezeigt ist, ist derart, daß in dem Schaltkreisglied 200 für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel A2, die in 4b gezeigt ist, ein isolierender photoempfindlicher Resist 255 zur Verfügung gestellt ist. Dieser isolierende photoempfindliche Resist 255 ist ein isolierender photoempfindlicher Resist, welcher für die Ausbildung eines Leiters 212 und einer Chipkontaktstelle 211 durch ein Plattieren in der Herstellung des Schaltkreisglieds 200 für eine Halbleitervorrichtung in dem Verfahren hergestellt wurde, das in 8 und 9 hergestellt ist, die unten beschrieben sind, und als solches belassen ist.
  • Die vorliegende Variante ist dieselbe wie in Beispiel A2 dahingehend, daß der Lotresist (isolierende photoempfindliche Resist) 250, der für die Ausbildung des externen Anschlußabschnitts 213 hergestellt ist, als solcher verwendet wird. Wie bei dem Schaltkreisglied in Beispiel A2 hat das Schaltkreisglied in diesem Beispiel eine derartige Struktur, daß die Herstellung einer Platte unter Verwendung eines isolierenden photoempfindlichen Resists (eines Lotresists) für eine externe Elektrode einer Lotkugel und für die Ausbildung eines Lotresistfilms durch ein Siebdrucken in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung nicht notwendig sind.
  • Beispiel A3
  • Beispiel A3 demonstriert ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds 100 für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel A1, die in 1 gezeigt ist, wobei der gesamte Schaltkreisabschnitt direkt durch ein Plattieren hergestellt wird.
  • Zu Beginn wurde ein leitfähiges Substrat 120, das aus rostfreiem Stahl (SUS 430) hergestellt war, zur Verfügung gestellt (5a). Das leitfähige Substrat wurde auf seiner Seite, wo ein Schaltkreisabschnitt auszubilden ist, durch ein Sandstrahlen oberflächenbehandelt, um Unregelmäßigkeiten auszubilden, und dann einer Ablösebehandlung unterworfen, wobei die Oberfläche mit einer Chromsäurelösung oxidiert wurde, um einen Oxidfilm auszubilden, d.h. einer Ablösebehandlung zum Erleichtern der Entfernung des leitfähigen Metalls (Kupfer), das durch ein Plattieren ausgebildet ist, oder des geformten Harzes nach einem Ausbilden einer Kunststoffpackung von dem leitfähigen Substrat (5b).
  • Nachfolgend wurde, um ein Werkzeugloch für ein Sicherstellen der Registrierung in dem leitfähigen Substrat 120 auszubilden, ein photoempfindlicher Resist 150 unter Verwendung eines Trockenfilmresists auf beiden Seiten des leitfähigen Substrats 120 (5c) aufgebracht, ein Freisetzen bzw. Belichten und Entwickeln wurden durchgeführt, um eine Platte (5d) herzustellen, und ein Durchgangsloch wurde durch ein Ätzen ausgebildet, um ein Werkzeugloch 130 (5e) herzustellen.
  • Der Trockenfilmresist umfaßt allgemein drei Schichten bzw. Lagen aus einem Filmsubstrat, um einen Resist zu unterstützen, einem Resist und einem Schutzbeschichtungsfilm. Der Schutzbeschichtungsfilm wird entfernt, der Trockenfilmresist mit der darauf freigelegten Resistoberfläche wird auf das Substrat 120 so laminiert, daß die Resistoberfläche zur Oberfläche des leitfähigen Substrats 120 schaut bzw. gerichtet ist, gefolgt durch eine Entfernung des Filmsubstrats, um den Resist auf einer Seite des leitfähigen Substrats 120 aufzubringen.
  • Nachfolgend wurde der photoempfindliche Resist 150, der auf beiden Seiten des leitfähigen Substrats 120 zur Verfügung gestellt war, entfernt und das leitfähige Substrat 120 wurde gereinigt (5f), und um einen Schaltkreisabschnitt durch ein Plattieren auf das Substrat auf seiner Seite auszubilden, die der Oberflächenbehandlung und Ablösebehandlung unterworfen wurde, wurde ein photoempfindlicher Resist 150 neuerlich auf beide Seiten des leitfähigen Substrats 120 unter Verwendung eines trockenen bzw. Trockenfilms aufgebracht (5g).
  • Der photoempfindliche Resist 150 in seinem vorbestimmten Bereich alleine auf der Seite, wo ein Schaltkreisabschnitt auszubilden ist, wurde freigelegt bzw. belichtet und entwickelt, um eine Platte (5h) herzustellen, und die von dem photoempfindlichen Resist 150 freigelegte Fläche wurde mit Kupfer plattiert, um einen Schaltkreisabschnitt 110 herzustellen (5i).
  • Das Kupferplattieren wurde unter Verwendung des konventionellen Kupferplattierbads so durchgeführt, daß die Dicke des Schaltkreisabschnitts 40 μm betrug.
  • Ein Plattierresist 140 für ein Bezeichnen eines Plattierbereichs in der Oberflächenbehandlung durch ein Edelmetallplattieren, wie Silberplattieren, die notwendig für ein Drahtbonden zum Festlegen bzw. Montieren eines Halbleiterelements und ein Drahtbonden für eine Verbindung eines Halbleiterelements mit einem Leiter 112 sind, wurden auf dem vorbestimmten Bereich ausgeführt (5j).
  • Der Plattierresist 140 wurde durch ein Siebdrucken beschichtet.
  • Der Schaltkreisabschnitt auf seinem Bereich, der von dem Plattierresist 140 freigelegt wurde, wurde mit Silber plattiert (Oberflächenbehandlung), um ein Schaltkreisglied 100 für eine Halbleitervorrichtung herzustellen (5k).
  • Bei der Herstellung des Schaltkreisglieds 100A für eine Halbleitervorrichtung, die in 3a gezeigt ist, werden der Plattierresist 140 und der photoempfindliche Resist 150 dann entfernt.
  • Beispiel A4
  • Beispiel A4 demonstriert ein Verfahren zum Herstellen des Schaltkreisglieds 100B für eine Halbleitervorrichtung der Variante 2 von Beispiel A1, die in 3b gezeigt ist, wobei der Kupferabschnitt, der durch ein Plattieren ausgebildet wurde, geätzt wird, um einen Schaltkreisabschnitt auszubilden.
  • Am Beginn wurde ein leitfähiges Substrat 120, das aus rostfreiem Stahl (SUS 430) hergestellt war, zur Verfügung gestellt (6a). Das leitfähige Substrat auf seiner Seite, wo ein Schaltkreisabschnitt auszubilden ist, wurde durch ein Sandstrahlen oberflächenbehandelt, um Unregelmäßigkeiten zu erzeugen, und dann einer Ablösebehandlung unterworfen, wobei die Oberfläche mit einer Chromsäurelösung oxidiert wurde, um einen Oxidfilm auszubilden, d.h. einer Ablösebehandlung zum Erleichtern der Entfernung des leitfähigen Metalls (Kupfer), das durch ein Plattieren ausgebildet wurde, oder des Formharzes nach einem Kunststoffverpacken von dem leitfähigen Substrat (6b).
  • Das leitfähige Substrat 120 wurde auf seiner gesamten Seite, die der Oberflächenbehandlung und Ablösebehandlung unterworfen wurde, mit Kupfer plattiert (6c).
  • Danach wurde, um ein Werkzeugloch für ein Sicherstellen der Registrierung in dem leitfähigen Substrat 120 und dem kupferplattierten Bereich 110A herzustellen, ein photoempfindlicher Resist 150 unter Verwendung eines Trockenfilmresists auf beiden Seiten des leitfähigen Substrats 120 aufgebracht (6d), eine Belichtung und Entwicklung wurden ausgeführt, um eine Platte herzustellen (6e), und ein Durchtritts- bzw. Durchgangsloch wurde durch ein Ätzen hergestellt, um ein Werkzeugloch 130 auszubilden (6f).
  • Danach wurde der photoempfindliche Resist, der auf beiden Seiten des leitenden Substrats 120 zur Verfügung gestellt war, entfernt und das leitfähige Substrat 120 wurde gereinigt (6g), und um einen Schaltkreisabschnitt durch ein Ätzen des mit Kupfer plattierten Bereichs 110A auf dem Substrat auf seiner Seite auszubilden, die der Oberflächenbehandlung und Ablösebehandlung unterworfen wurde, wurde neuerlich ein photoempfindlicher Resist 150 auf beide Seiten des leitfähigen Substrats 120 unter Verwendung eines Trockenfilms aufgebracht (6h).
  • Der photoempfindliche Resist 150 wurde in seinem vorbestimmten Bereich alleine auf der Seite, wo ein Schaltkreisabschnitt auszubilden ist, belichtet und entwickelt, um eine Platte herzustellen (6i), und der mit Kupfer plattierte bzw. kupferplattierte Bereich 110A, der von dem photoempfindlichen Resist 150 freigelegt bzw. belichtet wurde, wurde geätzt, um einen Schaltkreisabschnitt 110 herzustellen, gefolgt durch eine Entfernung des photoempfindlichen Resists 150, um einen Schaltkreisabschnitt 110 herzustellen (6j).
  • Ein Lotresist 140 zum Bezeichnen eines Plattierbereichs in der Oberflächenbehandlung durch ein Edelmetallplattieren, wie beispielsweise ein Silberplattieren, das für ein Chipbonden erforderlich ist für ein Festlegen eines Halbleiterelements auf einer Chipkontaktstelle 111 und ein Drahtbonden für eine Verbindung des Halbleiterelements mit einem Leiter 112, wurde auf einen vorbestimmten Bereich beschichtet (6k).
  • Ebenso wie bei dem Beschichten des Lotresists in Beispiel A3, wurde das Beschichten des Lotresists 140 durch ein Siebdrucken durchgeführt.
  • Der Schaltkreisabschnitt auf seinem Bereich, der von dem Lotresist 140 freigelegt war, wurde mit Silber plattiert (Oberflächenbehandlung), um ein Schaltkreisglied 100 für eine Halbleitervorrichtung herzustellen (61).
  • In der Herstellung des Schaltkreisglieds 100A für eine Halbleitervorrichtung, die in 3a gezeigt ist, wird der Lotresist 140 dann entfernt.
  • Beispiel A5
  • 8 zeigt ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel A5 zeigt.
  • Das vorliegende Beispiel demonstriert ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds 200 für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel A2, die in 4a und 4b gezeigt ist. In diesem Verfahren wird ein Lotresist (ein isolierender photoempfindlicher Resist) 250 auf ein leitfähiges Substrat beschichtet und behandelt, um eine Platte herzustellen, ein externer Anschlußabschnitt 213 und ein Teil (ein Teil in Bezug auf eine Dicke) der Chipkontaktstelle werden direkt durch ein erstes Plattieren auf einer Seite des leitfähigen Substrats 220 in seinem freigelegten Bereich ausgebildet, eine Resistplatte wird darauf ausgebildet bzw. vorbereitet, ohne den Lotresist (isolierender photoempfindlicher Resist) 250 zurückzulassen, und ein zweites Plattieren wird durchgeführt, um den gesamten Schaltkursabschnitt 210 auszubilden.
  • An dem Beginn wurde in derselben Weise, wie oben im Zusammenhang mit dem Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel A3 beschrieben, ein Halbleitersubstrat 220, das aus rostfreiem Stahl gefertigt ist (SUS 430) auf seiner Seite, wo ein Schaltkreisabschnitt auszubilden ist, durch ein Sandstrahlen oberflächenbehandelt, um Unregelmäßigkeiten auszubilden, die Oberfläche der Unregelmäßigkeiten wurden einer Ablösebehandlung unterworfen, wobei die Oberfläche mit einer Chromsäurelösung oxidiert wurde, um einen Oxidfilm auszubilden, und ein Werkzeugloch 230 zum Sicherstellen der Registrierung wurde hergestellt (8a).
  • Nachfolgend wurde, um einen externen Anschlußabschnitt 213 und eine Chipkontaktstelle 211 in einem Schaltkreisabschnitt 210 durch ein Plattieren auf der Seite herzustellen, die der Oberflächenbehandlung und Ablösebehandlung unterworfen wurden, ein photoempfindlicher Resist 250 als ein Trockenfilm auf das leitfähige Substrat 220 beschichtet (8b).
  • Der photoempfindliche Resist 250 in seinem vorbestimmten Bereich alleine auf der Seite, wo der externe Anschlußabschnitt 213 und die Chipkontaktstelle 211 in dem Schaltkreisabschnitt 210 auszubilden sind, wurde freigelegt bzw. belichtet und einer Entwicklung und dgl. unterworfen, um eine Platte herzustellen (8c). Der von dem photoempfindlichen Resist 250 freigelegte Bereich wurde mit Kupfer 260 plattiert (erstes Plattieren), und der externe Anschlußabschnitt 213 und ein Teil der Chipkontaktstelle 211 in dem Schaltkreisabschnitt 210, die in 4a und 4b gezeigt sind, wurden hergestellt (8d).
  • Wie bei dem Kupferplattieren der Beispiele A3 und A4 wurde das Kupferplattieren unter Verwendung des konventionellen Kupferplattierbads ausgeführt, und die Dicke des Schaltkreisabschnitts wurde auf 40 μm gebracht.
  • Danach wurde, um den Bereich bezeichnen, wo ein Leiter 212 und ein Teil (ein Teil in der Dickenrichtung) einer Chipkontaktstelle 211 in dem Schaltkreis 210 durch ein Elektroplattieren auszubilden sind, ein isolierender photoempfindlicher Resist 255 in einer vorbestimmten Form beschichtet (8e).
  • In diesem Fall kann der isolierende photoempfindliche Resist 255 unter Verwendung des Trockenfilms aufgebracht werden.
  • Der Bereich, der von dem photoempfindlichen Resist 255 freigelegt war, wurde mit Kupfer durch ein elektrofreies Plattieren (zweites Plattieren) plattiert, um den gesamten Schaltkreisabschnitt 210 herzustellen, der in 4a und 4b gezeigt ist (8f).
  • Danach wurde der isolierende photoempfindliche Resist 255 entfernt (8g), und ein Silberplattieren 280 wurde in einem vorbestimmten Bereich zur Verfügung gestellt, um ein Schaltkreisglied 200 für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel A2 herzustellen, das in 4b gezeigt ist (8h).
  • In der obigen Ausbildung kann nach dem Schritt von 8f ein Silberplattieren 280 in einem vorbestimmten Bereich zur Verfügung gestellt werden, um die Variante 200A von Beispiel A2 herzustellen, die in 4c gezeigt ist.
  • Beispiel A6
  • 9 zeigt ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel A6 zeigt.
  • Das vorliegende Beispiel demonstriert ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds 200 für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel A2, das in 4a und 4b gezeigt ist. In diesem Verfahren wird, ebenso wie in dem Verfahren zum Herstellen des Schaltkreisglieds für eine Halbleiter vorrichtung, die in Beispiel A5 beschrieben ist, ein externer Anschlußabschnitt 213 und ein Teil (ein Teil in Bezug auf die Dicke) einer Chipkontaktstelle direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats 220 durch ein erstes Plattieren ausgebildet. Danach wird der Lotresist (isolierender photoempfindlicher Resist) 250 ohne Entfernung belassen, und ein Plattieren wird durch ein elektrofreies Plattieren (zweites Plattieren) auf der gesamten Oberfläche ausgeführt, gefolgt durch ein Verfahrens- bzw. Prozeßätzens, um den gesamten Schaltkreisabschnitt 210 auszubilden.
  • Auch in diesem Beispiel wurde am Beginn in derselben Weise, wie oben im Zusammenhang mit dem Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel A3 beschrieben, ein leitfähiges Substrat 220, das aus rostfreiem Stahl (SUS 430) hergestellt ist, auf seiner Seite, wo ein Schaltkreisabschnitt auszubilden ist, durch ein Sandstrahlen oberflächenbehandelt, um Unregelmäßigkeiten auszubilden, die Oberfläche der Unregelmäßigkeiten wurde einer Ablösebehandlung unterworfen, wobei die Oberfläche mit einer Chromsäurelösung oxidiert wurde, um einen Oxidfilm auszubilden, und ein Werkzeugloch 230 zum Sicherstellen der Registrierung wurde ausgebildet (9a).
  • Nachfolgend wurde, um einen externen Anschlußabschnitt 213 und eine Chipkontaktstelle 211 in einem Schaltkreisabschnitt 210 durch ein Plattieren auf der Seite auszubilden, die der Oberflächenbehandlung und Ablösebehandlung unterworfen wurde, ein photoempfindlicher Resist 250 als ein Trockenfilm auf das leitfähige Substrat 220 (9b) beschichtet.
  • In derselben Weise wie in Beispiel A5 sind der photoempfindliche Resist 250 in seinem vorbestimmten Bereich alleine auf der Seite, wo der externe Anschlußabschnitt 213 und die Chipkontaktstellen 211 in dem Schaltkreisabschnitt 210 auszubilden sind, belichtet und einer Entwicklung und dgl. unterworfen, um eine Platte herzustellen (9c). Der von dem photoempfindlichen Resist 250 belichtete Bereich wurde mit Kupfer 260 (erstes Plattieren) plattiert, und der externe Anschlußabschnitt 213 und ein Teil der Chipkontaktstelle 211 in dem Schaltkreisabschnitt 210, der in 4a und 4b gezeigt ist, wurden hergestellt (9d).
  • Wie bei dem Kupferplattieren von Beispielen A3, A4 und A5 wurde das Kupferplattieren unter Verwendung des konventionellen Kupferplattierbads ausgeführt, und die Dicke des Schaltkreisabschnitts wurde auf 40 μm gebracht.
  • Der photoempfindliche Resist 250 wurde belassen, wie er ist, und ein elektrofreies Kupferplattieren (zweites Plattieren) wurde dann auf den externen Anschlußabschnitt 213 der Chipkontaktstelle 211 und dem photoempfindlichen Resist 250 in dem Schaltkreisabschnitt 210 zur Verfügung gestellt, wodurch eine Kupferplattierung 260 auf der gesamten Oberfläche (9e) ausgebildet wird.
  • Danach wurde ein Resist 257 auf die Kupferplattierung 260 beschichtet und behandelt, um eine Platte in einer vorbestimmten Form herzustellen (9f), und der belichtete Bereich wurde durch ein Ätzen von dem gesamten Schaltkreisabschnitt 210 entfernt (9g).
  • Der Resist 257 kann unter Verwendung eines Trockenfilms aufgebracht werden.
  • Danach wurde der Resist 257 entfernt (9h), und ein vorbestimmter Bereich wurde mit Silber 280 plattiert, um ein Schaltkreisglied 200 für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel A2 herzustellen, die in 4a und 4b gezeigt ist (9i).
  • Beispiel A7
  • 7 zeigt ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung von Beispiel A7 zeigt.
  • In einem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß dem vorliegenden Beispiel wird das Schaltkreisglied 100 für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel A1, das in 1 gezeigt ist, zur Verfügung gestellt, und ein Kunststofformen wird durchgeführt.
  • Am Beginn wurde das Schaltkreisglied 100 für eine Halbleitervorrichtung zur Verfügung gestellt (7a) und ein Halbleiterelement 610 wurde auf der freigelegten Chipkontaktstelle 111 so festgelegt, daß die Seite des Anschlusses 611 nach oben schaut bzw. gerichtet ist, gefolgt durch ein Drahtbonden des Anschlusses 611 an den Leiter 112 (7b).
  • Nachfolgend wurde eine Seite des leitfähigen Substrats 120, einem Kunststofformen unter Verwendung eines Formharzes 630 unterworfen, um das Halbleiterelement 610, den Draht 620 und den Schaltkreisabschnitt 110 in ihrer Gesamtheit zu überdecken, um eine Halbleitervorrichtung 600A auf einer Seite des Halbleitersubstrats 120 (7c) herzustellen bzw. vorzubereiten.
  • Das leitfähige Substrat 120, gemeinsam mit dem photoempfindlichen Resist 150, wurde dann von der Halbleitervorrichtung 600A entfernt (7d).
  • Danach wurde ein Lotresist 640 so beschichtet, um den Schaltkreisabschnitt 110, der durch die Trennung der Halbleitervorrichtung 600A freigelegt wurde, in seinem Anschlußabschnitt 113 alleine freizulegen, um eine Platte herzustellen (7e), und eine Lotkugel 660 wurde dann so zur Verfügung gestellt, um einstückig mit dem externen Anschlußabschnitt 113 verbunden zu werden (7f).
  • Wenn die Herstellung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung des Schaltkreisglieds 100A für eine Halbleitervorrichtung in der Variante 1, die in 3a gezeigt ist, oder dem Schaltkreisglied 100B für eine Halbleitervorrichtung in der Variante 2, die in 3b gezeigt ist, betrachtet bzw. erwogen wird, kann die Halbleitervorrichtung auf dieselbe Weise, wie oben im Zusammenhang mit dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung beschrieben, die in 7 gezeigt ist, hergestellt werden, mit der Ausnahme, daß das Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung per se unterschiedlich von dem Schaltkreisglied 100 für einen Halbleiter ist, der in Beispiel A1 beschrieben ist.
  • Beispiel A8
  • 10 zeigt ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung von Beispiel A8 zeigt.
  • In dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung des vorliegenden Beispiels wird ein Kunststofformen durchgeführt, indem das Schaltkreisglied 200 für eine Halbleitervorrichtung, die in Beispiel A2 beschrieben ist, verwendet wird, die in 4b gezeigt ist, oder der Variante von Beispiel A2, die in 4c gezeigt ist.
  • Die Schritte, die in 10a bis 10d gezeigt sind, sind dieselben wie jene, die oben im Zusammenhang mit dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung beschrieben sind, die in Beispiel A7 beschrieben ist. In dem vorliegenden Beispiel wird nach dem Schritt, der in 10d gezeigt ist, eine externe Elektrode einer Lötkugel, die in 10e gezeigt ist, hergestellt.
  • In den Schaltkreisgliedern für eine Halbleitervorrichtung, die in 4b und 4c gezeigt ist, ist in dem Schritt, der in 10d gezeigt ist, der externe Anschlußabschnitt 213 alleine auf einer Oberfläche freigelegt (der Oberfläche, welche in Kontakt mit der Oberfläche der Seite des leitfähigen Substrats 220 war). Daher ist, anders als in dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, die in Fig. A7 beschrieben ist, ein Plattenherstellen für diesen Zweck nicht notwendig.
  • Beispiele A9 und A10
  • Beispiel A9 einer Halbleitervorrichtung wird unter Bezugnahme auf 11a beschrieben.
  • In 11 bezeichnet Bezugszeichen 700 eine Halbleitervorrichtung, Bezugszeichen 710 einen Schaltkreisabschnitt, Bezugszeichen 711 eine Chipkontaktstelle, Bezugszeichen 712 einen Leiter, Bezugszeichen 713 einen externen Anschlußabschnitt, Bezugszeichen 720 ein Halbleiterelement, Bezugszeichen 721 einen Anschluß, Bezugszeichen 730 einen Draht, Bezugszeichen 740 ein Formharz, Bezugszeichen 750 einen Plattierresist, Bezugszeichen 751 einen Lotresist und Bezugszeichen 760 eine Lotkugel.
  • In dem vorliegenden Beispiel A7 wird eine Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, die in 1 gezeigt ist, durch ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung hergestellt, die in 7 gezeigt ist. Das Schaltkreisglied, das durch ein Plattieren hergestellt ist bzw. wird, wird unter Verwendung eines Formharzes festgelegt und weiterhin wird das Schaltkreisglied mit einem Lotresist so abgedeckt, daß der externe Anschlußabschnitt 713 alleine freigelegt bzw. belichtet wird. Aufgrund einer Verwendung des Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, welche fein hergestellt werden kann, kann diese Konstruktion zufriedenstellend einer Tendenz zur Annahme eines mehrfachen Anschlusses von Halbleitervorrichtungen genügen. Zusätzlich kann eine Verwendung des obigen Herstellungsverfahrens die Qualität sicherstellen.
  • Eine Halbleitervorrichtung, die durch ein Verwenden des Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, die in 3a gezeigt ist, gemäß dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung hergestellt ist, die in 7 gezeigt ist, ist dieselbe wie die Halbleitervorrichtung, die in 7 gezeigt ist, mit der Ausnahme, daß der Lotresist 751 nicht vorgesehen ist.
  • Ein weiteres Beispiel einer Halbleitervorrichtung, Beispiel A10, ist in 11b gezeigt. Die Halbleitervorrichtung von Beispiel A10 wurde unter Verwendung des Schaltkreisglieds 200 für eine Halbleitervorrichtung, die in 4a und 4b gezeigt ist, gemäß dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung hergestellt, die in 10 gezeigt ist. Diese Halbleitervorrichtung kann einfacher als die Halbleitervorrichtung 700 hergestellt bzw. erzeugt werden, die in 11a gezeigt ist.
  • Beispiel B1
  • 12a ist eine vereinfachte Draufsicht auf ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B1, 12b eine Querschnittsansicht entlang einer Linie A1–A2 von 12a, und 12c eine vergrößerte Querschnittsansicht eines Abschnitts A3 von 12b.
  • In 12a sind Leiter und externe Anschlußabschnitte in einer reduzierten Anzahl der Einfachheit halber dargestellt.
  • 13a ist eine Draufsicht, die einen Schaltkreisabschnitt 110 in 12 illustriert und ist eine vergrößerte Ansicht von etwa einem Viertel der Draufsicht.
  • 13b ist eine vergrößerte Ansicht von etwa einem Viertel des Leiterrahmens (Schaltkreisglieds), der in einer BGA-artigen Halbleitervorrichtung verwendet wird, die in 39 gezeigt ist, die unten beschrieben ist.
  • In 12 und 13 bezeichnen Bezugszeichen 100 ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung, Bezugszeichen 110 einen Schaltkreisabschnitt, Bezugszeichen 111 eine Chipkontaktstelle, Bezugszeichen 112 und 112A einen Leiter, Bezugszeichen 113 einen externen Anschlußabschnitt bzw. Abschnitt eines externen Anschlusses, Bezugszeichen 114 eine Sperrstange (einen Rahmenabschnitt), Bezugszeichen 115 einen unterstützenden bzw. Supportleiter, Bezugszeichen 117 einen Verbindungsabschnitt, Bezugszeichen 120 ein leitfähiges Substrat, Bezugszeichen 130 ein Werkzeugloch, und Bezugszeichen 170 eine Silberplattierung.
  • Das Schaltkreisglied 100 für eine Halbleitervorrichtung in Beispiel B1 ist ein Schaltkreisglied für eine BGA-artige, aus Kunststoff geformte Halbleitervorrichtung und umfaßt, wie dies in 12 gezeigt ist, ein leitfähiges Substrat 120, das aus rostfreiem Stahl (SUS 430) gefertigt ist, und ein Schaltkreisglied 110, umfassend ein leitfähiges Kupfermaterial, das durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat 120 zur Verfügung gestellt ist. Es hat ein Werkzeugloch 130 für ein Sicherstellen einer Positionsgenauigkeit im Verlaufe der Herstellung.
  • In dem Schaltkreisglied 100 für eine Halbleitervorrichtung in dem vorliegenden Beispiel ist in diesem Zustand ein Halbleiterelement auf der Seite des Schaltkreisabschnitts 110 des leitfähigen Substrats 120 festgelegt bzw. montiert, die Seite, auf welcher das Halbleiterelement festgelegt ist, wird alleine unter Verwendung eines Formharzes geformt, um eine Halbleitervorrichtung auf dem leitfähigen Substrat 120 herzustellen bzw. vorzubereiten, und das leit fähige Substrat 120 wird entfernt, um eine Halbleitervorrichtung zur Verfügung zu stellen.
  • In dem vorliegenden Beispiel umfaßt der Schaltkreisabschnitt 110 Leiter 112 und 112A und einen externen Anschlußabschnitt 113, der einstückig bzw. integral mit dem Leiter 112 verbunden ist.
  • Eine Mehrzahl von Sätzen des Leiters 112 und des externen Anschlußabschnitts 113 und des Leiters 112A sind unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt und in einer zweidimensionalen Form entlang der Fläche des Schaltkreisabschnitts 110 angeordnet.
  • In der Draufsicht, die in 12a gezeigt ist, ist der Leiter 112 so zur Verfügung gestellt, um sich nach außen von dem externen Anschluß 113 zu erstrecken, und der Leiter 112A ist so zur Verfügung gestellt, um sich nach innen von dem externen Anschluß zu erstrecken. Die Länge des Leiters 112A kann, falls erforderlich, auf eine geeignete reguliert werden, um die Montage des Halbleiterelements zu erleichtern, und in einigen Fällen ist das Vorsehen des Leiters 112A unnotwendig.
  • Der Silberplattierabschnitt 170 erlaubt, wenn ein Halbleiterelement an bzw. auf dem Schaltkreisabschnitt 110 festgelegt ist, daß der Anschluß (Bump bzw. Erhebung) des Halbleiterelements und des Schaltkreisabschnitts elektrisch miteinander durch ein Drahtbonden verbunden ist bzw. wird, und ist an dem externen Vorderende des Leiters 112 zur Verfügung gestellt, der außerhalb von dem externen Anschluß 113 zur Verfügung gestellt ist.
  • Der externe Anschlußabschnitt 113 funktioniert bzw. fungiert, um eine elektrische Verbindung mit einem externen Schaltkreis durchzuführen, und in der Herstellung einer BGA-artigen Halbleitervorrichtung ist bzw. wird eine Lotkugel in diesem Abschnitt zur Verfügung gestellt.
  • Wie dies in 12c gezeigt ist, sind bzw. werden Unregelmäßigkeiten durch ein Sandstrahlen auf dem leitfähigen Substrat 120, das aus 0,1 mm dickem rostfreiem Stahl (SUS 430) gefertigt ist, an seiner Seite zur Verfügung gestellt, wo der Schaltkreisabschnitt 110 auszubilden ist. Weiterhin ist ein Oxidfilm auf der Oberfläche der Unregelmäßigkeiten vorgesehen bzw. zur Verfügung gestellt. Bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung kann ein Formen von nur dem Schaltkreisabschnitt 110, wobei das Halbleiterelement darauf zur Verfügung gestellt ist, erlauben, daß die Anhaftung zwischen dem leitfähigen Substrat 120 und dem Schaltkreisabschnitt 110 beibehalten wird, und erleichtert die Entfernung der gesamten Halbleitervorrichtung nach einem Formen von dem leitfähigen Substrat 120.
  • Im Beispiel B1 ist die Dicke des Schaltkreisabschnitts 110 so klein wie 40 μm, und der Abstand des Leiters 112 in seinem vorderen Ende ist so klein wie 0,12 mm. Diese Konstruktion kann einer Tendenz zur Annahme eines mehrfachen Anschlusses von Halbleitervorrichtungen genügen.
  • Beispiel B2
  • 14a ist eine Draufsicht auf ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B2, 14b eine Querschnittsansicht entlang einer Linie B1–B2 von 14a und 14c ein Diagramm, das eine Variante des vorliegenden Beispiels zeigt.
  • In 14a sind Leitungen und externe Anschlußabschnitte in einer reduzierten Anzahl für eine Vereinfachung dargestellt.
  • In dem Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung des vorliegenden Beispiels ist die planare Form des Schaltkreisabschnitts 210 und des leitfähigen Substrats 220 dieselbe, wie sie oben im Zusammenhang mit dem Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B1 beschrieben ist, das in 13 gezeigt ist.
  • In 14 bezeichnet ein Bezugszeichen 200 ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung, Bezugszeichen 210 ein Schaltkreisglied, Bezugszeichen 212 und 212A Leiter, Bezugszeichen 213 einen externen Anschlußabschnitt, Bezugszeichen 220 ein leitfähiges Substrat, Bezugszeichen 230 ein Werkzeugloch, Bezugszeichen 250 einen Lotresist (einen isolierenden photoempfindlichen Resist), Bezugszeichen 255 einen isolierenden photoempfindlichen Resist und Bezugszeichen 280 eine Silberplattierung.
  • Wie mit bzw. bei dem Schaltkreisglied, das in Beispiel B1 beschrieben ist, ist das Schaltkreisglied 200 für eine Halbleitervorrichtung des vorliegenden Beispiels ein Schaltkreisglied einer BGA-artigen, durch Kunststoff geformten Halbleitervorrichtung, und umfaßt, wie dies in 14 gezeigt ist, ein leitfähiges Substrat 220, das aus rostfreiem Stahl (SUS 430) gefertigt ist, und ein Schaltkreisglied 210, umfassend ein leitfähiges Kupfermaterial, das durch ein Plattieren auf dem leitfähigen Substrat 220 zur Verfügung gestellt ist. Die Form des Schaltkreisabschnitts 210 ist dieselbe wie jene in Beispiel B1.
  • Das vorliegende Beispiel ist dadurch gekennzeichnet, daß ein Lotresist (ein isolierender photoempfindlicher Resist) 250, der zur Ausbildung eines externen Anschlußabschnitts 213 hergestellt ist (siehe die Verfahren, die in 18 und 19 gezeigt sind, die unten beschrieben sind) als solcher verwendet wird. Weiterhin ist die Struktur derart, daß die Herstellung einer Platte unter Verwendung eines isolierenden photoempfindlichen Resists (eines Lotresists) für eine externe Elektrode einer Lotkugel und für die Ausbildung eines Lotresistfilms durch ein Siebdrucken in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung unnotwendig sind, die ein Schaltkreisglied 200 für eine Halbleitervorrichtung verwendet, die in 14b gezeigt ist.
  • Spezifisch wird der Lotresist (isolierende photoempfindliche Resist) 250 durch ein Anordnen in bzw. bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung, einer externen Elektrode einer Lotkugel auf der Seite, welche die Halbleitervorrichtung ausbildet, und ein Bereitstellen eines Lotresists so ausgebildet, um den Umfang des externen Anschlußabschnitts 213 abzudecken.
  • In dem vorliegenden Beispiel ist bzw. wird ein leitfähiges Substrat 220 verwendet, das aus 0,1 mm dickem rostfreiem Stahl (SUS 430) gefertigt ist, und, wie dies in 12c gezeigt ist, sind bzw. werden wie bei Beispiel B1 Unregelmäßigkeiten durch ein Sandstrahlen auf dem leitfähigen Substrat 220 in bzw. an seiner Seite ausgebildet, wo der Schaltkreisabschnitt 210 auszubilden ist (Abschnitt B3 einer gepunkteten Linie in 14b und 14c). Weiterhin ist ein Oxidfilm auf der Oberfläche der Unregelmäßigkeiten zur Verfügung gestellt, und ein dünner Film aus Stearinsäure ist bzw. wird darauf als eine Ablöseschicht zur Verfügung gestellt. In der Herstellung einer Halbleitervorrichtung kann ein Formen von nur dem Schaltkreisabschnitt 210 mit dem Halbleiterelement, das darauf zur Verfügung gestellt ist, erlauben, daß die Adhäsion bzw. Anhaftung zwischen dem leitfähigen Substrat 220 und dem Schaltkreisabschnitt 210 beibehalten wird, und erleichtert die Entfernung der gesamten Halbleitervorrichtung nach einem Formen von dem leitfähigen Substrat 220.
  • Da der Schaltkreisabschnitt 210 an dem leitfähigen Substrat 220 wie in Beispiel B1 festgelegt ist, gibt es kein Erfordernis bzw. keine Notwendigkeit, einen Verbindungsabschnitt, der einstückig bzw. integral mit inneren Leitern verbunden ist, um die inneren Leiter aneinander zu fixieren, einen Supportleiter 115 zum Festlegen des externen Anschlußabschnitts und eine Sperrstange (Rahmen) zu verwenden, welche in dem Leiterrahmen (Schaltkreisglied) erforderlich war, der in der konventionellen BGA-artigen Halbleitervorrichtung verwendet wurde.
  • In dem vorliegenden Beispiel ebenso wie in Beispiel B1 ist die Dicke des Schaltkreisabschnitts 210 so klein wie 40 μm, und der Abstand des Leiters 212 in bzw. an seinem Vorderende ist so klein wie 0,12 mm. Diese Konstruktion kann einer Tendenz zur Annahme eines mehrfachen Anschlusses von Halbleitervorrichtungen genügen.
  • Eine Variante des vorliegenden Beispiels ist in 14c gezeigt.
  • Ein Schaltkreisglied 200A für eine Halbleitervorrichtung ist derart, daß in dem Schaltkreisglied 200 für eine Halbleitervorrichtung ein isolierender photoempfindlicher Resist 255 zur Verfügung gestellt ist bzw. wird. Dieser isolierende photoempfindliche Resist 255 ist ein isolierender photoempfindlicher Resist, welcher für die Ausbildung eines Leiters 212 durch ein Plattieren bei der Herstellung des Schaltkreisglieds 200 für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B2 in dem Verfahren hergestellt wurde, das in 18 und 19 gezeigt ist, die unten beschrieben sind, und als solcher belassen ist.
  • Die vorliegende Variante ist dieselbe wie Beispiel B2 dahingehend, daß der Lotresist (isolierende photoempfindliche Resist) 250, der für die Ausbildung des externen Anschlußabschnitts 213 hergestellt bzw. vorbereitet ist, als solcher verwendet wird. Wie mit bzw. bei dem Schaltkreisglied in Beispiel B2 hat das Schaltkreisglied in diesem Beispiel eine derartige Struktur, daß die Herstellung einer Platte unter Verwendung eines isolierenden photoempfindlichen Resists (eines Lotresists) für eine externe Elektrode mit Lotkugel und der Ausbildung eines Lotresistfilms durch ein Siebdrucken bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung unnotwendig sind.
  • Beispiel B3
  • Beispiel B3 demonstriert ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds 100 für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B1, das in 12 gezeigt ist, wobei der gesamte Schaltkreisabschnitt direkt durch ein Plattieren hergestellt wird.
  • An dem Beginn wurde ein leitfähiges Substrat 120, das aus rostfreiem Stahl (SUS 430) hergestellt wurde, zur Verfügung gestellt (15a). Das leitfähige Substrat wurde auf seiner Seite, wo ein Schaltkreisabschnitt auszubilden ist, durch ein Sandstrahlen oberflächenbehandelt, um Unregelmäßigkeiten zu erzeugen, und dann einer Ablösebehandlung unterworfen, wobei die Oberfläche mit einer Chromsäurelösung oxidiert wurde, um einen Oxidfilm auszubilden, d.h. einer Ablösebehandlung, um die Entfernung des leitfähigen Metalls (Kupfer), das durch Plattieren hergestellt wurde, oder des Formharzens nach einer Kunststoffverpackung von dem leitfähigen Substrat zu erleichtern (15b).
  • Danach wurde, um ein Werkzeugloch zum Sicherstellen der Registrierung in dem leitfähigen Substrat 120 herzustellen, ein photoempfindlicher Resist 150 unter Verwendung eines Trockenfilmresists auf beiden Seiten des leitfähigen Substrats 120 aufgebracht (15c), eine Belichtung und Entwicklung wurden ausgeführt, um eine Platte herzustellen (15d), und ein Durchgangsloch wurde durch ein Ätzen ausgebildet, um ein Werkzeugloch 130 herzustellen (15e).
  • Der Trockenfilmresist umfaßt allgemein drei Schichten aus einem Filmsubstrat zum Unterstützen eines Resists, eines Resist und eines Schutzbeschichtungsfilms. Der Schutzbeschichtungsfilm ist bzw. wird entfernt, der Trockenfilmresist, wobei die Resistoberfläche darauf freigelegt ist bzw. wird, wird auf das Substrat 120 so laminiert, daß die Resistoberfläche zur Oberfläche des leitfähigen Substrats 120 schaut bzw. gerichtet ist, gefolgt durch eine Entfernung des Filmsubstrats, um den Resist auf einer Seite des leitfähigen Substrats 120 aufzubringen.
  • Danach wurde der photoempfindliche Resist 150, der auf beiden Seiten des leitfähigen Substrats 120 zur Verfügung gestellt war, entfernt, und das leitfähige Substrat 120 wurde gereinigt (15f), und um einen Schaltkreisabschnitt durch ein Plattieren auf dem Substrat an seiner Seite auszubilden, die der Oberflächenbehandlung und Ablösebehandlung unterworfen wurde, wurde ein photosensitiver bzw. -empfindlicher Resist 150 neuerlich auf beiden Seiten des leitfähigen Substrats 120 unter Verwendung eines Trockenfilms (15g) aufgebracht.
  • Der photoempfindliche Resist 150 wurde in seinem vorbestimmten Bereich alleine auf der Seite, wo ein Schaltkreisabschnitt auszubilden ist, belichtet bzw. freigelegt und entwickelt, um eine Platte herzustellen (15h), und der von dem photoempfindlichen Resist 150 freigelegte bzw. belichtete Bereich wurde mit Kupfer plattiert, um einen Schaltkreisabschnitt 110 auszubilden (15i).
  • Das Kupferplattieren wurde unter Verwendung des konventionellen Kupferplattierbads so ausgeführt, daß die Dicke des Schaltkreisabschnitts 40 μm betrug.
  • Ein Plattierresist 140 zum Bezeichnen eines Plattierbereichs in der Oberflächenbehandlung durch ein Edelmetallplattieren, wie Silberplattieren, das für ein Drahtbonden zur Verbindung eines Halbleiterelements mit einem Leiter erforderlich ist, wurde auf einen vorbestimmten Bereich beschichtet (15j).
  • Der Lotresist 140 wurde durch ein Siebdrucken beschichtet.
  • Der Schaltkreisabschnitt auf seinem Bereich, der von dem Lotresist 140 freigelegt bzw. belichtet war, wurde mit Silber plattiert (Oberflächenbehandlung) (15k).
  • Danach wurde der Abschnitt des Lotresists 140 und des photoempfindlichen Resists 150 entfernt, um ein Schaltkreisglied 100 für eine Halbleitervorrichtung 100 herzustellen (151).
  • Beispiel B4
  • Beispiel B4 bezeichnet ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds 100 für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B1, das in 12 gezeigt ist, wobei der Kupferabschnitt, der durch ein Plattieren ausgebildet wurde, geätzt wurde, um einen Schaltkreisabschnitt auszubilden.
  • Am Beginn wurde ein leitfähiges Substrat 120, das aus rostfreiem Stahl gefertigt war (SUS 430) zur Verfügung gestellt (16a). Das leitfähige Substrat wurde auf seiner Seite, wo ein Schaltkreisabschnitt auszubilden ist, durch ein Sandstrahlen oberflächenbehandelt, um Unregelmäßigkeiten auszubilden, und dann einer Ablösebehandlung unterworfen, wobei die Oberfläche mit einer Chromsäurelösung oxidiert wurde, um einen Oxidfilm auszubilden, d.h. einer Ablösebehandlung, um die Entfernung des leitfähigen Metalls (Kupfer), das durch ein Plattieren ausgebildet wurde, oder des Formharzes nach einem Kunststoffverpacken von dem leitfähigen Substrat zu erleichtern (16b).
  • Das leitfähige Substrat 120, das auf seiner gesamten Seite der Oberflächenbehandlung und Ablösebehandlung unterworfen wurde, wurde mit Kupfer plattiert (16c).
  • Danach wurde, um ein Werkzeugloch herzustellen, um die Registrierung sicherzustellen, ein photoempfindlicher Resist 150 unter Verwendung eines Trockenfilmresists auf beiden Seiten des kupferplattierten leitfähigen Substrats 120 aufgebracht (16d), eine Belichtung und Entwicklung wurden ausgeführt, um eine Platte herzustellen (16e), und ein Durchgangsloch wurde durch ein Ätzen ausgebildet, um ein Werkzeugloch 130 herzustellen (16f).
  • Danach wurde der photoempfindliche Resist, der auf beiden Seiten des leitfähigen Substrats 120 zur Verfügung gestellt war, entfernt, und das leitfähige Substrat 120 wurde gereinigt (16g), und um einen Schaltkreisabschnitt durch ein Ätzen des kupferplattierten Bereichs 110A auf dem Substrat in seiner Seite auszubilden, die der Oberflächenbehandlung und Ablösebehandlung unterworfen wurde, wurde neuerlich ein photoempfindlicher Resist 150 auf beide Seiten des leitfähigen Substrats 120 unter Verwendung eines trockenen bzw. Trockenfilms (16h) aufgebracht.
  • Der photoempfindliche Resist 150 in seinem vorbestimmten Bereich alleine auf der Seite, wo ein Schaltkreisabschnitt auszubilden ist, wurde belichtet und entwickelt, um eine Platte herzustellen (16i), und der kupferplattierte Bereich 110A, der von dem photoempfindlichen Resist 150 freigelegt war, wurde geätzt, um einen Schaltkreisabschnitt 110 auszubilden, gefolgt durch eine Entfernung des photoempfindlichen Resists 150 (16j).
  • Ein Lotresist 140 zum Bezeichnen eines Plattierbereichs in der Oberflächenbehandlung durch ein Edelmetallplattieren, wie ein Silberplattieren, das für ein Drahtbonden zur Ver bindung eines Halbleiterelements mit dem Schaltkreisabschnitt 110 notwendig ist, wurde auf einen vorbestimmten Bereich beschichtet, und der Schaltkreisabschnitt in seinem von dem Lotresist 140 freigelegten Bereich wurde mit Silber plattiert (Oberflächenbehandlung) (16k).
  • Ebenso wie die Beschichtung des Lotresists in Beispiel B3 wurde die Beschichtung des Plattierresists 140 durch ein Siebdrucken durchgeführt.
  • Der Abschnitt des Plattierresists 140 wurde dann entfernt, um ein Schaltkreisglied 100 für eine Halbleitervorrichtung herzustellen (16l).
  • Beispiel B5
  • 18 zeigt ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B5 zeigt.
  • Das vorliegende Beispiel demonstriert ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds 200 für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B2, das in 14b und 14c gezeigt ist. In diesem Verfahren wird ein Lotresist (ein isolierender photoempfindlicher Resist) 250 auf ein leitfähiges Substrat beschichtet und behandelt, um eine Platte herzustellen, ein Teil (ein Teil in Bezug auf die Dicke) eines externen Anschlußabschnitts 213 ist bzw. wird direkt durch ein erstes Plattieren auf einer Seite des leitfähigen Substrats 220 in seinem freigelegten bzw. belichteten Bereich ausgebildet, eine Resistplatte ist bzw. wird darauf ohne ein Freigeben bzw. Zurücklassen des Lotresists (isolierenden photoempfindlichen Resists) 250 hergestellt, und ein zweites Plattieren wird durchgeführt, um den gesamten Schaltkreisabschnitt 210 auszubilden.
  • Am Beginn wurde in derselben Weise, wie oben im Zusammenhang mit dem Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B3 beschrieben, ein leitfreies Substrat 220, das aus rostfreiem Stahl (SUS 430) gefertigt ist, auf seiner Seite, wo ein Schaltkreisabschnitt auszubilden ist, durch ein Sandstrahlen oberflächenbehandelt, um Unregelmäßigkeiten zu erzeugen, und die Oberfläche der Unregelmäßigkeiten wurde einer Ablösebehandlung unterworfen, wobei die Oberfläche mit einer Chromsäurelösung oxidiert wurde, um einen Oxidfilm auszubilden, gefolgt durch Eintauchen in Stearinsäure, um einen dünnen Ablösefilm auszubilden. Danach wurde ein Werkzeugloch 230 zum Sicherstellen der Registrierung hergestellt (18a).
  • Der dünne Ablösefilm aus Stearinsäure (Ablöseschicht) dient dazu, um die Anhaftung zwischen dem Substrat und dem Lotresist zu steuern bzw. zu regeln.
  • Nachfolgend wurde, um einen externen bzw. äußeren Anschlußabschnitt 213 in einem Schaltkreisabschnitt 210 durch ein Plattieren auf einer Seite auszubilden, die der Oberflächenbehandlung und Ablösebehandlung unterworfen wurde, ein photoempfindlicher Resist 250 unter Verwendung eines Trockenfilms auf beiden Seiten des leitfähigen Substrats 220 aufgebracht (18b).
  • Der photoempfindliche Resist 250 wurde in seinem vorbestimmten Bereich alleine auf der Seite, wo der externe Anschlußabschnitt 213 in dem Schaltkreisabschnitt 210 auszu bilden ist, belichtet und einer Entwicklung und dgl. unterworfen, um eine Platte herzustellen (18c). Der von dem photoempfindlichen Resist 250 belichtete bzw. freigelegte Bereich wurde mit Kupfer 260 plattiert (erstes Plattieren), um ein Teil des externen Anschlußabschnitts 213 im Schaltkreisabschnitt 210 herzustellen, der in 14b und 14c gezeigt ist (18d).
  • Ebenso wie beim Kupferplattieren der Beispiele B3 und B4 wurde das Kupferplattieren unter Verwendung des konventionellen Kupferplattierbads ausgeführt, und die Dicke des Schaltkreisabschnitts wurde auf 40 μm gebracht.
  • Danach wurde, um den Bereich bezeichnen, wo ein Teil (ein Teil in der Dickenrichtung) eines Leiters in dem Schaltkreisabschnitt 210 durch ein elektrofreies Plattieren auszubilden ist, ein isolierender photoempfindlicher Resist 255 in einer vorbestimmten Form beschichtet (18e).
  • In diesem Fall kann der isolierende photoempfindliche Resist 255 unter Verwendung des obigen Trockenfilms aufgebracht werden.
  • Der von dem isolierenden photoempfindlichen Resist 255 freigelegte bzw. belichtete Bereich wurde mit Kupfer durch ein elektrofreies Plattieren (zweites Plattieren) plattiert, um einen Leiter 212 und ein Teil des externen Anschlußabschnitts 213 in dem Schaltkreisabschnitt 210 herzustellen, der in 14b und 14c gezeigt ist (18f).
  • Danach wurde der isolierende photoempfindliche Resist 255 entfernt und ein Silberplattieren 280 wurde in einem vorbestimmten Bereich zur Verfügung gestellt, um ein Schalt kreisglied 200 für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B2 herzustellen, das in 14b gezeigt ist (18g).
  • In der obigen Ausbildung kann in 18f nach dem Schritt von 18f1 ein Silberplattieren 280 in einem vorbestimmten Bereich zur Verfügung gestellt werden, um die Variante 200A von Beispiel B2 herzustellen, die in 14c gezeigt ist (18g1).
  • Beispiel B6
  • 19 zeigt ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B6 zeigt.
  • Das vorliegende Beispiel demonstriert ein Verfahren zum Herstellen des Schaltkreisglieds 200 für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B2, das in 14a und 14b gezeigt ist. In diesem Verfahren wird, wie bei dem Verfahren zum Herstellen des Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, das in Beispiel B5 beschrieben ist, ein Teil (ein Teil in Bezug auf die Dicke) eines externen Anschlußabschnitts 213 direkt auf einer Seite des leitfähigen Substrats 220 durch ein erstes Plattieren ausgebildet. Danach wird der Lotresist (isolierende photoempfindliche Resist) 250 ohne Entfernung belassen, und ein Plattieren wird durch ein elektrofreies Plattieren (zweites Plattieren) auf der gesamten Oberfläche zur Verfügung gestellt, gefolgt durch ein Prozeß- bzw. Verfahrensätzen, um den gesamten Schaltkreisabschnitt 210 herzustellen.
  • In dem vorliegenden Beispiel wurde am Beginn in derselben Weise, wie oben im Zusammenhang mit dem Verfahren zum Her stellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B3 beschrieben, ein leitfähiges Substrat 220, das aus rostfreiem Stahl (SUS 430) hergestellt ist bzw. wird, auf seiner Seite, wo ein Schaltkreisabschnitt auszubilden ist, durch ein Sandstrahlen oberflächenbehandelt, um Unregelmäßigkeiten zu erzeugen, die Oberfläche der Unregelmäßigkeiten wurde einer Ablösebehandlung unterworfen, wobei die Oberfläche mit einer Chromsäurelösung oxidiert wurde, um einen Oxidfilm auszubilden, gefolgt durch Tauchen in Stearinsäure, um einen dünnen Ablösefilm auszubilden. Danach wurde ein Werkzeugloch 230 zum Sicherstellen der Registrierung hergestellt (19a).
  • Nachfolgend wurde, um einen externen Verbinderabschnitt 213 in einem Schaltkreisabschnitt 210 durch ein Plattieren auf der Seite herzustellen, die der Oberflächenbehandlung und Ablösebehandlung unterworfen wurde, ein photoempfindlicher Resist 250 unter Verwendung eines Trockenfilms auf das leitfähige Substrat 220 aufgebracht (19b).
  • Auf dieselbe Weise wie in Beispiel B5 wurde der photoempfindliche Resist 250 in seinem vorbestimmten Bereich alleine auf der Seite, wo der externe Anschlußabschnitt 213 in dem Schaltkreisabschnitt 210 auszubilden ist, belichtet und einer Entwicklung und dgl. unterworfen, um eine Platte herzustellen (19c). Der von dem photoempfindlichen Resist 250 freigelegte Bereich wurde mit Kupfer 260 (erstes Plattieren) beschichtet, und ein Teil des externen Anschlußabschnitts 213 in dem Schaltkreisabschnitt 210, der in 14b und 14c gezeigt ist, wurde hergestellt (19d).
  • Ebenso wie das Kupferplattieren von Beispielen B3, B4 und B5 wurde das Kupferplattieren unter Verwendung des konventionellen Kupferplattierbads durchgeführt, und die Dicke des Schaltkreisabschnitts wurde auf 40 μm gebracht.
  • Der photoempfindliche Resist 250 wurde belassen, wie er ist, und ein elektrofreies Kupferplattieren (zweites Plattieren) wurde dann auf dem externen Anschlußabschnitt 213 und dem photoempfindlichen Resist 250 in dem Schaltkreisabschnitt 210 zur Verfügung gestellt, wodurch eine Kupferplattierung 260 auf der gesamten Oberfläche ausgebildet wird bzw. wurde (19e).
  • Danach wurde ein Resist 257 auf die Kupferplattierung 260 beschichtet und behandelt, um eine Platte in einer vorbestimmten Form herzustellen (19f), und der freigelegte bzw. belichtete Bereich wurde durch ein Ätzen entfernt, um den Leiter 212 und einen Teil des externen Anschlußabschnitts 213 in dem Schaltkreisabschnitt 210 herzustellen (19g).
  • Der Resist 257 kann unter Verwendung eines Trockenfilms angewandt werden.
  • Danach wurde der Resist 257 entfernt und ein vorbestimmter Bereich wurde mit Silber 280 plattiert, um ein Schaltkreisglied 200 für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B2 herzustellen, die in 14a und 14b gezeigt ist (19h).
  • Beispiel B7
  • 17 zeigt ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung von Beispiel B7 zeigt.
  • In dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung des vorliegenden Beispiels ist bzw. wird das Schaltkreisglied 100 für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel B1, die in 12 gezeigt ist, zur Verfügung gestellt und ein Kunststofformen wird ausgeführt.
  • Am Beginn wurde das Schaltkreisglied 100 für eine Halbleitervorrichtung zur Verfügung gestellt (17a), und ein Halbleiterelement 610 wurde auf dem freigelegten Leiter 112 durch eine isolierende Kleberschicht 632 so festgelegt, daß die Seite des Anschlusses 611 nach oben schaut bzw. gerichtet ist, gefolgt durch ein Drahtbonden des Anschlusses 611 an den Leiter 112 (17b).
  • Die isolierende Kleberschicht 632 kann durch ein Siebdrucken, ein Ausbringen oder dgl. hergestellt werden. Ein isolierendes druckempfindliches klebendes doppelt beschichtetes Band kann statt der isolierenden Kleberschicht 632 verwendet werden.
  • Nachfolgend wurde eine Seite des leitfähigen Substrats 120 einem Kunststofformen unter Verwendung eines Formharzes 642 unterworfen, um das Halbleiterelement 610, den Draht 620 und den Schaltkreisabschnitt 110 in ihrer Gesamtheit abzudecken, um eine Halbleitervorrichtung 600A auf einer Seite des leitfähigen Substrats 120 auszubilden (17c).
  • Das leitfähige Substrat 120 wurde dann von der Halbleitervorrichtung 600A entfernt (17d).
  • Danach wurde ein Lotresist so beschichtet, um den Schaltkreisabschnitt 110, der durch die Trennung der Halbleitervorrichtung 600A freigelegt wurde, in seinem externen Anschlußabschnitt 113 alleine freizulegen, um eine Platte herzustellen (17e), und eine Lotkugel 660 wurde so zur Verfügung gestellt, um einstückig mit dem externen Anschlußabschnitt verbunden zu sein (17f).
  • Beispiel B8
  • In dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung von Beispiel B8 wird ein Kunststofformen unter Verwendung des Schaltkreisglieds 200 für eine Halbleitervorrichtung, die in Beispiel B2 beschrieben ist, das in 14a und 14b gezeigt ist, oder des Schaltkreisglieds 200A für eine Halbleitervorrichtung ausgeführt, das in der Variante von Beispiel B2 beschrieben ist, die in 14c gezeigt ist.
  • Die Schritte, die in 20a bis 20d gezeigt sind, sind dieselben wie jene, die oben im Zusammenhang mit dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung beschrieben sind, die in Beispiel B7 beschrieben ist. In dem vorliegenden Beispiel wird nach dem Schritt, der in 20d gezeigt ist, eine externe Elektrode mit Lotkugel auf 601A hergestellt (20e).
  • In den Schaltkreisgliedern für eine Halbleitervorrichtung, die in 14a, 14b und 14c gezeigt ist, ist bzw. wird in dem Schritt, der in 20d gezeigt ist, der externe Anschlußabschnitt 213 alleine auf einer oberen Fläche belichtet bzw. freigelegt (der Oberfläche, welche in Kontakt mit der Oberfläche auf der Seite des leitfähigen Substrats 220 war). Daher ist anders als in dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, die in Beispiel B7 beschrieben ist, das Plattenherstellen für diesen Zweck nicht notwendig.
  • Beispiele B9 und B10
  • Beispiele B9 und B10 einer Halbleitervorrichtung werden unter Bezugnahme auf 21 beschrieben.
  • In 21 bezeichnen die Bezugszeichen 700 und 701 jeweils eine Halbleitervorrichtung, Bezugszeichen 710 einen Schaltkreisabschnitt, Bezugszeichen 712 und 712A jeweils einen Leiter, Bezugszeichen 713 einen externen Anschlußabschnitt, Bezugszeichen 720 ein Halbleiterelement, Bezugszeichen 721 einen Anschluß, Bezugszeichen 725 einen Draht, Bezugszeichen 732 eine isolierende Kleberschicht, Bezugszeichen 740 ein Formharz, Bezugszeichen 750 einen Lotresist, und Bezugszeichen 760 einen Lotball bzw. eine Lotkugel.
  • In dem vorliegenden Beispiel, Beispiel B9, wurde eine Halbleitervorrichtung unter Verwendung des Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, die in 12 gezeigt ist, durch ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung hergestellt, die in 17 gezeigt ist. Das Schaltkreisglied, das durch ein Plattieren hergestellt wurde, wurde unter Verwendung eines Formharzes festgelegt, und weiterhin wurde der externe Anschlußabschnitt 713 belichtet bzw. freigelegt. Aufgrund einer Verwendung eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, welche fein hergestellt werden kann, kann diese Halbleitervorrichtung zufriedenstellend einer Tendenz zu der Annahme eines mehrfachen Anschlusses einer Halbleitervorrichtung genügen. Zu sätzlich kann eine Verwendung des obigen Herstellungsverfahrens bzw. -prozesses die Qualität sicherstellen.
  • Die Halbleitervorrichtung von Beispiel B10 wurde unter Verwendung des Schaltkreisglieds 200 für eine Halbleitervorrichtung, die in 14a und 14b gezeigt ist, gemäß dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung hergestellt, das in 20 gezeigt ist. Diese Halbleitervorrichtung kann einfacher als die Halbleitervorrichtung 700 hergestellt werden, die in 21a gezeigt ist.
  • Beispiel C1
  • 22a ist eine vereinfachte Draufsicht auf ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel C1, 22b ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie A1–A2 von 22a, und 22c ist eine vergrößerte Draufsicht, die den Schaltkreisabschnitt 110 alleine zeigt (etwa ein Viertel des gesamten Schaltkreisabschnitts) in 22a und 22b.
  • In 22a sind Leiter und externe Anschlußabschnitte in einer reduzierten Anzahl zur Vereinfachung dargestellt.
  • In 22 bezeichnet Bezugszeichen 100 ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung, Bezugszeichen 110 einen Schaltkreisabschnitt, Bezugszeichen 111 eine Chipkontaktstelle, Bezugszeichen 112 und 112A einen Leiter, Bezugszeichen 113 einen ewigen Anschlußabschnitt, Bezugszeichen 120 ein leitfähiges Substrat, Bezugszeichen 130 ein Werkzeugloch, Bezugszeichen 140 eine Epoxyharzschicht, Bezugszeichen 170 eine Silberplattierung und Bezugszeichen 180 eine Freigabeschicht.
  • Das Schaltkreisglied 100 für eine Halbleitervorrichtung in Beispiel C1 ist ein Schaltkreisglied für eine BGA-artige, aus Kunststoff geformte Halbleitervorrichtung, und umfaßt, wie dies in 22 gezeigt ist: ein leitfähiges Substrat 120, das aus rostfreiem Stahl (SUS 430) gefertigt ist; und auf dem leitfähigen Substrat 120 zur Verfügung gestellt ein Schaltkreisglied 110, umfassend ein leitfähiges Kupfermaterial, das durch ein Plattieren zur Verfügung gestellt ist, und eine isolierende Epoxyharzschicht 140, die durch ein Transfer- bzw. Übertragungsformen zur Verfügung gestellt ist. Weiterhin weist es ein Werkzeugloch 130 zum Sicherstellen der Positionsgenauigkeit im Verlauf der Herstellung auf.
  • In dem Schaltkreisglied 100 für eine Halbleitervorrichtung in dem vorliegenden Beispiel ist in diesem Zustand ein Halbleiterelement auf der Seite des Schaltkreisabschnitts 110 des leitfähigen Substrats 120 festgelegt, die Seite, auf der das Halbleiterelement festgelegt ist, wird alleine unter Verwendung eines Formharzes geformt, um eine Halbleitervorrichtung auf dem leitfähigen Substrat 120 herzustellen, und das leitfähige Substrat 120 wird entfernt, um eine Halbleitervorrichtung herzustellen.
  • In dem vorliegenden Beispiel umfaßt der Schaltkreisabschnitt 110 eine Chipkontaktstelle 111, Leiter bzw. Zuleitungen 112 und 112A, und einen externen Anschlußabschnitt 113, der einstückig mit dem Leiter 112 verbunden ist.
  • Eine Mehrzahl von Sätzen aus dem Leiter 112 und dem externen Anschlußabschnitt 113 und der Leiter 112A sind unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt und in einer zweidimensionalen Form entlang der Seite bzw. Fläche des Schaltkreisabschnitts 110 ausgebildet.
  • In der Draufsicht, die in 22a gezeigt ist, ist der Leiter 112 so zur Verfügung gestellt, um sich nach außen von dem externen Anschlußabschnitt 113 zu erstrecken, und der Leiter 112A ist so zur Verfügung gestellt, um sich nach innen von dem externen Anschluß 113 zu erstrecken. In dem vorliegenden Beispiel ist, da der Leiter 112A in seinem inneren vorderen Ende elektrisch mit dem Anschluß des Halbleiterelements durch ein Drahtbonden verbunden ist, der Leiter 112, der nach innen von dem externen Anschluß 113 vorgesehen bzw. zur Verfügung gestellt ist, in einigen Fällen unnotwendig.
  • Der externe Anschlußabschnitt 113 ist für eine elektrische Verbindung mit einer externen Schaltung bzw. einem externen Schaltkreis zur Verfügung gestellt. In der Herstellung einer BGA-artigen Halbleitervorrichtung ist eine Lotkugel auf der Seite gegenüberliegend der Seite mit dem darauf festgelegten bzw. montierten Halbleiterelement zur Verfügung gestellt, und eine elektrische Verbindung mit dem externen Schaltkreis wird durch den Lotkugelabschnitt zur Verfügung gestellt.
  • Der Silberplattierabschnitt 170 erlaubt, wenn ein Halbleiterelement auf der Chipkontaktstelle 111 des Schaltkreisabschnitts 110 montiert ist, daß der Anschluß (Wulst bzw. Erhebung bzw. Bump) des Halbleiterelements und der Schaltkreis 110 elektrisch miteinander durch Drahtbonden verbunden sind bzw. werden, und ist an dem inneren vorderen Ende des Leiters 112A zur Verfügung gestellt, der sich nach innen von dem externen Anschluß 113 erstreckt.
  • Das leitfähige Substrat 120 ist aus 0,1 mm dickem rostfreiem Stahl (SUS 430) gefertigt bzw. hergestellt, und Unregelmäßigkeiten sind durch ein Sandstrahlen auf dem leitfähigen Substrat 120 an seiner Seite zur Verfügung gestellt, wo der Schaltkreisabschnitt 110 auszubilden ist. Weiterhin ist ein Oxidfilm an der Oberfläche der Unregelmäßigkeiten zur Verfügung gestellt, und eine Ablöseschicht 180 aus Stearinsäure ist bzw. wird auf dem Oxidfilm zur Verfügung gestellt. Bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung kann ein Formen von nur dem Schaltkreisabschnitt 110, wobei das Halbleiterelement darauf zur Verfügung gestellt ist, erlauben, daß die Anhaftung zwischen dem leitfähigen Substrat 120 und dem Schaltkreisabschnitt 110 aufrecht erhalten wird, und erleichtert die Entfernung der gesamten Halbleitervorrichtung nach einem Formen von dem leitfähigen Substrat 120.
  • In dem vorliegenden Beispiel ist die Dicke des Schaltkreisabschnitts 110 so klein wie 40 um, und der Abstand des Leiters 112 in seinem vorderen Ende ist so klein wie 0,12 mm. Diese Konstruktion kann einer Tendenz zur Annahme eines mehrfachen Anschlusses genügen.
  • Eine Variante des Leiterrahmenglieds 100 in dem vorliegenden Beispiel wird beschrieben.
  • 23a ist eine Draufsicht auf ein Leiterrahmenglied 200 gemäß der Variante, und 23b ist eine Querschnittsansicht, die entlang einer Linie B1–B2 von 23a genommen ist. 23c ist eine vergrößerte Draufsicht, die den Schaltkreisabschnitt 210 alleine (etwa ein Viertel des gesamten Schaltkreisabschnitts) in 23a und 23b zeigt.
  • In 23a sind Leiter und externe Anschlußabschnitte in einer reduzierten Anzahl zur Vereinfachung dargestellt.
  • In 23 bezeichnet Bezugszeichen 200 ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung, Bezugszeichen 210 einen Schaltkreisabschnitt, Bezugszeichen 212 und 212A jeweils einen Leiter, Bezugszeichen 213 einen externen Anschlußabschnitt, Bezugszeichen 220 ein leitfähiges Substrat, Bezugszeichen 230 ein Werkzeugloch, Bezugszeichen 240 eine Epoxyharzschicht, Bezugszeichen 270 eine Silberplattierung und Bezugszeichen 282 eine Freigabe- bzw. Ablöseschicht.
  • Das Leiterrahmenglied 200 gemäß der Variante ist nicht mit einer Chipkontaktstelle versehen, und ein Leiter 212, der sich nach außen von dem externen Anschluß 213 erstreckt, und ein Plattierabschnitt 270 für ein Drahtbonden sind zur Verfügung gestellt.
  • Ein Leiter 212A ist sich nach innen erstreckend von dem externen Anschluß 213 zur Verfügung gestellt, und die Länge davon kann, falls notwendig, auf eine geeignete reguliert werden, um die Montage des Halbleiterelements zu erleichtern.
  • Der Silberplattierabschnitt 270 erlaubt, wenn ein Halbleiterelement auf dem Schaltkreisabschnitt 210 festgelegt ist, daß der Anschluß (Bump) des Halbleiterelements und der Schaltkreisabschnitt elektrisch miteinander durch ein Drahtbonden verbunden sind, und ist an dem externen Vorderende des Leiters 212 zur Verfügung gestellt, der sich nach außen von dem externen Anschluß 213 erstreckt.
  • Beispiel C2
  • Beispiel C2 demonstriert ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds 100 für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel C1, das in 22 gezeigt ist, wobei der gesamte Schaltkreisabschnitt direkt durch ein Plattieren hergestellt wird.
  • Am Beginn wurde ein leitfähiges Substrat 120, hergestellt aus rostfreiem Stahl (SUS 430), zur Verfügung gestellt (24a), ein Werkzeugloch für eine Registrierung wurde in dem leitfähigen Substrat 120 (24b) ausgebildet, und das leitfähige Substrat 120 auf seiner Seite, wo ein Schaltkreisabschnitt auszubilden ist, wurde durch ein Sandstrahlen oberflächenbehandelt, um Unregelmäßigkeiten zu erzeugen (24c). Danach wurde die behandelte Oberfläche mit einer Chromsäurelösung oxidiert, um einen Oxidfilm auszubilden, und das metallische Substrat mit einem Oxidfilm darauf ausgebildet wurde in Stearinsäure getaucht, um eine Ablöseschicht (einen Ablösefilm) 180 auszubilden (24d).
  • Eine 40 μm dicke, isolierende Epoxyharzschicht 140 (MP-190M, hergestellt durch Nitto Denko Corp.) wurde durch ein Übertragungsformen so hergestellt, um den Bereich freizulegen, der als externer Anschlußabschnitt dienen soll ( 24e).
  • Das Epoxyharz 140 ist nicht nur auf dieses beschränkt, und weiterhin kann eine geeignete Dicke von 40 bis 60 μm oder dgl. gemäß dem Erfordernis gewählt werden.
  • Das leitfähige Substrat 120 in seinem freigelegten Bereich, der nicht mit der isolierenden Epoxyharzschicht 140 bedeckt ist, ist bzw. wird mit einem leitfähigen Metall elektroplattiert, um eine leitfähige Metallplattierung 110A bzw. Plattierung aus einem leitfähigen Metall auszubilden, die eine Dicke etwa gleich der Dicke der isolierenden Epoxyharzschicht aufweist, wodurch ein externer Anschlußabschnitt 113 bzw. Abschnitt eines externen Anschlusses gebildet wird (24f).
  • Ein isolierender Resist 190 wurde dann auf die plattierte Oberfläche beschichtet und behandelt, um eine Platte so herzustellen, daß der isolierende Resist 190 entfernt wurde, um nur den Bereich zu belichten bzw. freizulegen, wo ein Schaltkreisabschnitt auszubilden ist (24g).
  • Danach wurde ein elektrofreies Plattieren 110B auf nur dem freigelegten Bereich durchgeführt, wo ein Schaltkreisabschnitt auszubilden ist (24h). Weiterhin wurde ein Elektroplattieren 110A zur Verfügung gestellt (24i), und der isolierende Resist 190 wurde entfernt, um einen Schaltkreisabschnitt auszubilden (24j).
  • In dem Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung der vorliegenden Erfindung, das in Beispiel 24 gezeigt ist, ist es auch möglich, ein Verfahren zu verwenden, wobei der externe Anschlußabschnitt (Bump) und der Schaltkreisabschnitt zu einer Zeit durch elektrofreies Plattieren alleine ohne ein Ausführen des Elektroplattierens ausgebildet werden.
  • Beispiel C3
  • Das vorliegende Beispiel demonstriert ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds 200 für eine Halbleitervorrichtung der Variante, die in 23 gezeigt ist, wobei der gesamte Schaltkreisabschnitt direkt durch ein selektives Ätzen eines plattierten Bereichs hergestellt ist bzw. wird.
  • An dem Beginn wurde ein leitfähiges Substrat 220, das aus rostfreiem Stahl (SUS 430) hergestellt ist, zur Verfügung gestellt (25a), ein Werkzeugloch zur Registrierung wurde in dem leitfähigen Substrat 220 ausgebildet (25b), und das leitfähige Substrat 220 wurde auf seiner Seite, wo ein Schaltkreisabschnitt auszubilden ist, durch ein Sandstrahlen oberflächenbehandelt, um Unregelmäßigkeiten zu erzeugen (25c). Danach wurde die behandelte Oberfläche mit einer Chromsäurelösung oxidiert, um einen Oxidfilm auszubilden, und das metallische Substrat, wobei ein Oxidfilm darauf ausgebildet ist, wurde in eine Stearinsäure getaucht, um eine Ablöseschicht (einen Ablösefilm) 282 auszubilden (25d).
  • Eine 40 μm dicke isolierende Epoxyharzschicht 240 (MP-190M, hergestellt durch Nitto Denko Corp.) wurde durch ein Übertragungsformen so hergestellt, um den Bereich freizulegen, der als ein externer Anschlußabschnitt dienen soll (25e).
  • Das Epoxyharz ist nicht auf dieses alleine beschränkt, und weiterhin kann eine geeignete Dicke von 40 bis 60 μm oder dgl. gemäß dem Erfordernis gewählt werden.
  • Das leitfähige Substrat wird in seinem freigelegten Bereich, der nicht mit der isolierenden Epoxyharzschicht ab gedeckt ist, mit einem leitfähigen Metall elektroplattiert, um eine leitfähige Metallplattierung 210A auszubilden, die eine Dicke etwa gleich der Dicke der isolierenden Epoxyharzschicht 240 aufweist, wodurch ein externer Anschlußabschnitt 213 ausgebildet wird (25f).
  • Eine leitfähige Metallplattierung 210B wurde dann durch ein elektrofreies Plattieren auf der gesamten Oberfläche zur Verfügung gestellt, wobei die elektrisch leitende bzw. leitfähige Metallplattierung oder Elektroplattierung 210A darauf zur Verfügung gestellt ist (25g). Somit wurde ein Plattieren durch ein elektrofreies Plattieren alleine auf der gesamten Oberfläche ausgebildet (25h).
  • Ein Resist 290 wurde dann auf die leitfähige metallische Plattierung oder elektrofreie Plattierung 210B beschichtet und behandelt, um eine Platte in einer Schaltkreisform herzustellen (25i). Dieser Resist wurde als eine ätzresistente Maske verwendet, um die elektrofreie Plattierung 210B zu ätzen (25j), und der Resist 290 wurde dann entfernt, um einen Schaltkreisabschnitt 210 auszubilden (25k).
  • Beispiel C4
  • 26 ist ein Verfahrensdiagramm, das ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung von Beispiel C4 zeigt.
  • In dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß dem vorliegenden Beispiel wird eine Halbleitervorrichtung durch ein Kunststofformen unter Verwendung des Schaltkreisglieds 100 für eine Halbleitervorrichtung des Beispiels hergestellt, das in 22 gezeigt ist.
  • An dem Beginn wurde ein Schaltkreisglied 100 für eine Halbleitervorrichtung (26a) zur Verfügung gestellt, ein Halbleiterelement 510 wurde durch eine isolierende Kleberschicht 530 auf eine freigelegte Chipkontaktstelle 111 so festgelegt, daß die Seite des Anschlusses 511 nach oben schaut, und der Anschluß 511 wurde an dem plattierten Abschnitt 170 drahtgebondet, der an dem Vorderende des Leiters 112A zur Verfügung gestellt ist (26b).
  • Die isolierende Kleberschicht 530 kann durch ein Siebdrucken, Ausbringen oder dgl. ausgebildet werden. Ein isolierendes druckempfindliches doppelseitig beschichtetes Klebeband kann statt der isolierenden anhaftenden bzw. Kleberschicht 530 verwendet werden.
  • Nachfolgend wurde eine Seite des leitfähigen Substrats 120 einem Kunststofformen unter Verwendung eines Formharzes 540 unterworfen, um das Halbleiterelement 510, den Draht 520 und den Schaltkreisabschnitt 110 in ihrer Gesamtheit abzudecken, um eine Halbleitervorrichtung 500A auf einer Seite des leitfähigen Substrats 120 herzustellen (26c).
  • Das leitfähige Substrat 120, gemeinsam mit der Ablöseschicht, wurde dann von der Halbleitervorrichtung 500A entfernt (26d).
  • Danach wurde eine Lotkugel 560 zur Verfügung gestellt, um einstückig bzw. integral mit dem externen Anschlußabschnitt 113 in dem Schaltkreisabschnitt 110 verbunden zu werden, der durch die Trennung der Halbleitervorrichtung 500A frei gelegt wurde, wodurch eine Halbleitervorrichtung 500 hergestellt wird (26e).
  • Beispiel C5
  • In dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß dem vorliegenden Beispiel, Beispiel C5, wird eine Halbleitervorrichtung durch ein Kunststofformen unter Verwendung des Schaltkreisglieds 200 für eine Halbleitervorrichtung der Variante hergestellt, die in 23 gezeigt ist.
  • Am Beginn wurde ein Schaltkreisglied 200 für eine Halbleitervorrichtung zur Verfügung gestellt (27a), ein Halbleiterelement 610 wurde durch eine isolierende Kleberschicht 632 auf einen freigelegten Leiter 112 so festgelegt, daß die Seite des Anschlusses 611 nach oben schaut, und der Anschluß 611 wurde an dem Plattierabschnitt 170 des Leiters 212 drahtgebondet (27b).
  • Die isolierende Kleberschicht 632 kann durch ein Siebdrucken, Ausbringen oder dgl. ausgebildet werden. Ein isolierendes druckempfindliches doppelseitig beschichtetes Klebeband kann statt der isolierenden Kleberschicht 632 verwendet werden.
  • Nachfolgend wurde eine Seite des leitfähigen Substrats 220 einem Kunststofformen unter Verwendung eines Formharzes 642 unterworfen, um das Halbleiterelement 610, den Draht 620 und den Schaltkreisabschnitt in ihrer Gesamtheit abzudecken, um eine Halbleitervorrichtung 600A auf einer Seite des leitfähigen Substrats 220 herzustellen (27c).
  • Das leitfähige Substrat 220, gemeinsam mit der Ablöseschicht 282, wurde dann von der Halbleitervorrichtung 600A entfernt (27d).
  • Danach wurde eine Lotkugel 660 so zur Verfügung gestellt, um einstückig mit dem externen Anschlußabschnitt 213 in dem Schaltkreis 210 verbunden zu werden, der durch die Trennung der Halbleitervorrichtung 600A freigelegt wurde, wodurch eine Halbleitervorrichtung 600 hergestellt wurde (27e).
  • Beispiele C6 und C7
  • Eine Halbleitervorrichtung von Beispiel C6 ist in 28a gezeigt, und eine Halbleitervorrichtung von Beispiel C7 ist in 28b gezeigt.
  • In 28a bezeichnet Bezugszeichen 500 eine Halbleitervorrichtung, Bezugszeichen 110 einen Schaltkreisabschnitt, Bezugszeichen 111 eine Chipkontaktstelle, Bezugszeichen 112 und 112A jeweils einen Leiter, Bezugszeichen 113 einen externen Anschlußabschnitt, Bezugszeichen 510 ein Halbleiterelement, Bezugszeichen 511 einen Anschluß, Bezugszeichen 520 einen Draht, Bezugszeichen 530 eine isolierende Klebeschicht, Bezugszeichen 540 ein Formharz, und Bezugszeichen 560 eine Lotkugel.
  • In dem vorliegenden Beispiel, Beispiel C6, wurde eine Halbleitervorrichtung unter Verwendung des Schaltkreisglieds 100 für eine Halbleitervorrichtung, die in 22 gezeigt ist, durch das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung hergestellt, das in 26 gezeigt ist. Das Schaltkreisglied 100, das durch ein Plattieren hergestellt wurde, wurde unter Verwendung eines Formharzes 540 festgelegt, und eine Lotkugel 560 wurde als eine externe Elektrode auf dem externen Anschlußabschnitt 113 auf seiner Seite zur Verfügung gestellt, wo kein Halbleiterelement festgelegt war.
  • Aufgrund einer Verwendung des Schaltkreisglieds 100 für eine Halbleitervorrichtung, welche fein hergestellt werden kann, kann die Halbleitervorrichtung 500 des vorliegenden Beispiels zufriedenstellend einer Tendenz zur Annahme eines mehrfachen Anschlusses von Halbleitervorrichtungen genügen. Zusätzlich hat die Halbleitervorrichtung 500, da sie durch das obige Herstellungsverfahren hergestellt wurde, eine exzellente Qualität.
  • Andererseits bezeichnet in 28b Bezugszeichen 600 eine Halbleitervorrichtung, Bezugszeichen 210 einen Schaltkreisabschnitt, Bezugszeichen 212 und 212A jeweils einen Leiter, Bezugszeichen 213 einen externen Anschlußabschnitt, Bezugszeichen 610 ein Halbleiterelement, Bezugszeichen 611 einen Anschluß, Bezugszeichen 620 einen Draht, Bezugszeichen 632 eine isolierende Kleberschicht, Bezugszeichen 642 ein Formharz, und Bezugszeichen 660 eine Lotkugel.
  • Die Halbleitervorrichtung von Beispiel C7 wurde unter Verwendung des Schaltkreisglieds 200 für eine Halbleitervorrichtung, die in 23 gezeigt ist, gemäß dem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung hergestellt, das in 25 gezeigt ist.
  • Aufgrund einer Verwendung des Schaltkreisglieds 200 für eine Halbleitervorrichtung, welche fein hergestellt werden kann, kann die Halbleitervorrichtung 600 des vorliegenden Beispiels auch zufriedenstellend einer Tendenz zur Annahme eines mehrfachen Anschlusses von Halbleitervorrichtungen genügen. Zusätzlich hat die Halbleitervorrichtung 600, da sie durch das obige Herstellungsverfahren hergestellt wurde, eine exzellente Qualität.
  • Beispiele D1 und D2
  • 29a ist eine vereinfachte Draufsicht, die ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung zeigt, 29b ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie A1–A2 von 29a, und 29c und 29d sind Diagramme, die die Schnittform und die Schichtkonstruktion eines externen Anschlußabschnitts zeigen.
  • In 29a sind externe Anschlußabschnitte in einer reduzierten Anzahl zur Vereinfachung gezeigt. Bezugszeichen 100 bezeichnet ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung, Bezugszeichen 110 einen Schaltkreisabschnitt, Bezugszeichen 113 einen externen Anschlußabschnitt, Bezugszeichen 120 ein leitfähiges Substrat, Bezugszeichen 123 ein Substrat, Bezugszeichen 125 eine Metallplattierung, und 128 ein Werkzeugloch.
  • Das Schaltkreisglied 100 für eine Halbleitervorrichtung, das in 29 gezeigt ist, ist ein Schaltkreisglied für eine kleine Packung und umfaßt: ein leitendes Substrat 120, umfassend eine Metallplattierung 125 aus einer Kupferplattierung, die auf einem Substrat 123, das aus rostfreiem Stahl (SUS 430) gefertigt ist, auf seiner einen Seite zur Verfügung gestellt ist, wo ein Schaltkreisabschnitt 110 zur Verfügung gestellt ist; und einen Schaltkreisabschnitt 110, umfassend eine Mehrzahl von leitfähigen äußeren Anschlußab schnitten 113, die darauf durch ein Plattieren zur Verfügung gestellt werden bzw. sind. Weiterhin weist es ein Werkzeugloch 128 zur Registrierung in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung auf.
  • Das Schaltkreisglied 100 für eine Halbleitervorrichtung wird in einer derartigen Weise verwendet, daß ein Halbleiterelement auf einer Metallplatte 125 auf der Seite des Schaltkreisabschnitts 110 des leitfähigen Substrats 120 montiert bzw. festgelegt ist, und die Seite, auf welcher das Halbleiterelement festgelegt ist, allein einem Kunststofformen unter Verwendung eines Formharzes unterworfen wird, um eine Halbleitervorrichtung auf dem leitfähigen Substrat 120 herzustellen, und die Metallplatte 125 dann gelöst und entfernt wird, um die Halbleitervorrichtung von dem leitfähigen Substrat 120 zu trennen.
  • Der Schaltkreisabschnitt 110 des Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, die in 29 gezeigt ist, umfaßt eine Mehrzahl der externen Anschlußabschnitte 113, welche unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt sind und in einer zweidimensionalen Form entlang der Seite bzw. Fläche des leitfähigen Substrats angeordnet sind. Falls notwendig, kann der Schaltkreisabschnitt so konstruiert sein, daß eine Mehrzahl von Halbleiterelementen festgelegt werden kann.
  • Das leitfähige Substrat 120 dient dazu, um den Schaltkreisabschnitt 110 festzulegen, (d.h. eine Mehrzahl der externen Anschlußabschnitte 113), und die Metallplattierung 125 aus Kupfer oder dgl. ist auf einer Seite davon zur Verfügung gestellt. Beispiele von Substraten, die für diesen Zweck geeignet sind, umfassen bzw. enthalten ein Metall auf Eisen-Nickel-Chrom-Basis, ein Metall auf Eisen-Nickel-Basis und ein Metall auf Eisen-Kohlenstoff-Basis.
  • Der Zweck eines Bereitstellens der Metallplatte 125 ist derart, daß nachdem ein Kunststofformen durchgeführt wird, um eine Halbleitervorrichtung auf dem leitfähigen Substrat 120 herzustellen, die Metallplattierung gelöst und entfernt wird, ohne daß das leitfähige Metall gelöst wird, das den externen Anschlußabschnitt 113 ausbildet, um die Halbleitervorrichtung von dem leitfähigen Substrat 120 zu trennen.
  • Der externe Anschlußabschnitt 113 sollte nicht gelöst werden, wenn die Metallplattierung 125 auf dem leitfähigen Substrat 120 nach dem Kunststofformen gelöst wird. Weiterhin sollte der externe Anschlußabschnitt eine gute Drahtbondbarkeit aufweisen. Die Dicke der Schichten, die den externen Anschlußabschnitt ausbilden, sollte für diesen Zweck geeignet sein.
  • Der Querschnitt des externen Anschlußabschnitts 113 kann beispielsweise eine ungefähre U-Form aufweisen, wie dies in 29c gezeigt ist, oder eine ungefähr vierseitige bzw. viereckige Form, wie dies in 29d1 gezeigt ist.
  • Wie dies in 29 gezeigt ist, kann der externe Anschlußabschnitt 113 eine Schichtkonstruktion aufweisen, wobei eine Goldschicht 113A, eine erste Nickelschicht (eine elektrofreie Plattierung) 113B, eine zweite Nickelschicht (eine Elektroplattierung) 113C und eine Palladiumschicht 113D in dieser Reihenfolge auf dem leitfähigen Substrat 120 zur Verfügung gestellt sind. Alternativ kann, wie es in 29d2 gezeigt ist, der externe Anschlußabschnitt 113 eine Schichtkonstruktion aufweisen, wobei eine erste Palla diumschicht 113E, eine Nickelschicht 113F und eine zweite Palladiumschicht 113G in dieser Reihenfolge auf dem leitfähigen Substrat 120 zur Verfügung gestellt sind.
  • Eine Plattierung aus einem Metall, gewählt aus Kupfer, Nickel, Chrom, Zink, und einer Gruppe von Legierungen dieser Metalle und dgl. kann als die Metallplattierung 125 verwendet werden.
  • Die zweite Nickelschicht 113C in der in 29C1 gezeigten Konstruktion und die Nickelschicht 113F in der Konstruktion, die in 29d1 gezeigt ist, kann durch eine Bleischicht oder eine Nickel-Palladium-Legierungsschicht ersetzt werden. Weiterhin kann Silber durch Gold ersetzt werden. Die Schichtkonstruktion des externen Anschlußabschnitts 113 ist nicht auf die obige beschränkt.
  • In 29c sind die Goldschicht 113A und die erste Nickelschicht (elektrofreies Plattieren) 113B eine Unterbeschichtung für die zweite Nickelschicht 113C, um eine elektrische Leitfähigkeit zu verleihen. Die Goldschicht 113A funktioniert bzw. fungiert auch als eine ätzbeständige Schicht (eine Barriereschicht), wenn die Metallplattierung 125 des leitfähigen Substrats 120 gelöst wird.
  • Weiterhin erleichtert die Goldschicht 113A die Herstellung einer externen Elektrode aus einem Lot in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung. Die Palladiumschicht 113D verleiht eine Drahtbondbarkeit.
  • In gleicher Weise ist in 29d die erste Palladiumschicht 113E eine Unterbeschichtung für die Nickelschicht 113F, um eine elektrische Leitfähigkeit zu verleihen, und funktioniert auch als eine ätzbeständige Schicht (eine Barriereschicht), wenn die Metallplattierung 125 des leitfähigen Substrats 120 gelöst wird. Weiterhin erleichtert die erste Palladiumschicht 113E die Herstellung einer externen Elektrode aus einem Lot in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung.
  • Die zweite Palladiumschicht 113G verleiht eine Drahtbondbarkeit. Der Grund, warum die ungefähre U-Form als die Querschnittsform des externen Anschlußabschnitts 113 verwendet wird, ist jener, daß in dem Kunststofformen in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung die Anhaftung zwischen dem externen Anschlußabschnitt 113 und dem Formharz verbessert ist.
  • Assoziiert mit dem ersten Beispiel, das in 29 gezeigt ist, wird Beispiel D1 des Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, worin der Querschnitt des externen Anschlußabschnitts 113 eine ungefähre U-Form aufweist, beschrieben werden.
  • In dem Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel D1 wird von einem 0,1 mm dicken leitfähigen Substrat 120 aus rostfreiem Stahl (SUS 430) Gebrauch gemacht, das eine Metallplattierung 125 aus Kupfer darauf auf seiner einen Seite aufweist, wo ein Schaltkreisabschnitt 110 (d.h. eine Mehrzahl von externen Anschlußabschnitten 113) ausgebildet ist. Wie dies in 29c gezeigt ist, wurden eine Goldschicht 113A, eine erste Nickelschicht (ein elektrofreies Plattieren) 113B, eine zweite Nickelschicht (ein Elektroplattieren) 113C und eine Palladiumschicht 113D in entsprechenden Dicken von 50 bis 100 Å (10 Å = 1 nm), 0,1 μm, 5 μm und 0,1 μm in dieser Reihenfolge auf dem leit fähigen Substrat 120 ausgebildet. Der Querschnitt des Schaltkreisabschnitts hat eine ungefähre U-Form.
  • Das leitfähige Substrat 120 auf seiner Seite, wo ein Schaltkreisabschnitt 110 auszubilden ist, hat Unregelmäßigkeiten, die durch ein Sandstrahlen erzeugt sind, welche die Anhaftung der Metallplattierung 125 an dem leitfähigen Substrat 120 verbessern.
  • In Beispiel D1 ist die Gesamtdicke des externen Anschlußabschnitts 113 so klein wie etwa 5,2 μm, was einer Tendenz zu einem kleinen Abstand des externen Anschlußabschnitts 113 genügen kann und einer Tendenz zur Annahme eines mehrfachen Anschlusses von Halbleitervorrichtungen genügen kann.
  • Die Dicke der Metallplattierung 125 aus Kupfer war 2 μm. Sie ist jedoch nicht besonders auf diesen Wert beschränkt.
  • Die unterste Schicht des externen Anschlußabschnitts 113 ist aus einem Edelmetall gebildet. Diese Schicht funktioniert, wenn die Metallplattierung 125 gelöst ist bzw. wird, als eine ätzbeständige Schicht (eine Barriereschicht). Andererseits ist die äußerste Schicht des externen Anschlußabschnitts 113 aus einer Edelmetallplattierung gebildet, und die Oberfläche dieser Schicht kann als eine Drahtbondingoberfläche verwendet werden.
  • Assoziiert mit der ersten Vorrichtung, die in 29 gezeigt ist, wird Beispiel D2 des Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, wobei der Querschnittsabschnitt des externen Anschlußabschnitts 113 eine etwa viereckige Form hat, beschrieben werden.
  • In dem Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel D2 wird von einem 0,1 mm dicken leitfähigen Substrat 120 aus rostfreiem Stahl (SUS 430) Gebrauch gemacht, das eine Metallplattierung 125 von Kupfer darauf auf seiner einen Seite aufweist, wo ein Schaltkreisabschnitt 110 (d.h. eine Mehrzahl der externen Anschlußabschnitte 113) ausgebildet wird bzw. ist. Wie dies in 29d1 gezeigt ist, wurden eine erste Palladiumschicht 113E, eine Nickelschicht 113F und eine zweite Palladiumschicht 113G in entsprechenden Dicken von 0,1 μm, 5 μm und 0,1 μm in dieser Reihenfolge auf dem leitfähigen Substrat 120 ausgebildet. Der Querschnitt des Schaltkreisabschnitts hat eine ungefähr vierseitige bzw. viereckige Form.
  • Auch in Beispiel D2 war die Dicke der Metallplattierung 125 von Kupfer 2 μm. Sie ist jedoch nicht besonders auf diesen Wert beschränkt.
  • Beispiel D3
  • 30a ist eine vereinfachte Draufsicht, die ein zweites Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung zeigt, 30b ist eine vergrößerte Querschnittsansicht entlang einer Linie B1–B2 von 30a, und 30c1 und 30c2 sind Querschnittsansichten, die jeweils entlang von Linien B3–B4 und B5–B6 von 30b genommen sind.
  • In 30 sind Leiter und externe Anschlußabschnitte in einer reduzierten Anzahl zur Vereinfachung gezeigt. Bezugszeichen 200 bezeichnet ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung, Bezugszeichen 210 einen Schaltkreisabschnitt, Bezugszeichen 212 und 212A jeweils einen Leiter, Bezugszeichen 213 einen externen Anschlußabschnitt, Bezugs zeichen 220 ein leitfähiges Substrat, Bezugszeichen 223 ein Substrat, Bezugszeichen 225 eine Metallplattierung, Bezugszeichen 228 ein Werkzeugloch, und Bezugszeichen 272 eine Goldplattierung.
  • Das Schaltkreisglied 200 für eine Halbleitervorrichtung, die in 30 gezeigt ist, ist ein Schaltkreisglied für eine BGA-artige, aus Kunststoff geformte Halbleitervorrichtung und umfaßt: ein leitfähiges Substrat 220, umfassend eine Metallplattierung 225 aus einer Kupferplattierung, die auf einem leitfähigen Substrat 223 auf seiner einen Seite zur Verfügung gestellt ist, wo ein Schaltkreisabschnitt 210 zur Verfügung zu stellen ist; und einen Schaltkreisabschnitt 210, der darauf durch ein Plattieren zur Verfügung gestellt ist. Weiterhin weist es ein Werkzeugloch 228 zur Registrierung in der Herstellung einer Halbleitervorrichtung auf.
  • Wie mit dem Schaltkreisglied 100, das in 29 gezeigt ist, wird das Schaltkreisglied 200 für eine Halbleitervorrichtung in einer derartigen Weise verwendet, daß ein Halbleiterelement auf der Metallplattierung 225 auf der Seite des Schaltkreisabschnitts 210 des Halbleitersubstrats 220 ausgebildet ist, und die Seite, auf welcher das Halbleiterelement festgelegt ist, wird alleine einem Kunststofformen unter Verwendung eines Formharzes unterworfen, um eine Halbleitervorrichtung auf dem leitfähigen Substrat 220 herzustellen, und die Metallplattierung 225 wird dann gelöst und entfernt, um die Halbleitervorrichtung von dem leitfähigen Substrat 220 zu trennen.
  • Der Schaltkreisabschnitt 210 umfaßt Leiter 212 und 212A und einen externen Anschlußabschnitt 213, der einstückig mit den Leitern 212 und 212A verbunden ist, und eine Mehrzahl von Sätzen aus dem Leiter 212, dem externen Anschlußabschnitt 213 und dem Leiter 212A ist unabhängig voneinander zur Verfügung gestellt und zweidimensional entlang der Seite des Schaltkreisabschnitts 210 angeordnet.
  • Die Leiter 212A ist so zur Verfügung gestellt, um sich nach innen von dem externen Anschlußabschnitt 213 zu erstrecken.
  • Der Goldplattierungsabschnitt 272 erlaubt, wenn ein Halbleiterelement auf dem Schaltkreisabschnitt 210 festgelegt ist, daß der Anschluß (Bump) des Halbleiterelements und der Schaltkreisabschnitt elektrisch miteinander durch ein Drahtbonden verbunden werden, und ist an dem externen vorderen Ende des Leiters 212 zur Verfügung gestellt, der sich nach außen von dem externen Anschlußabschnitt 213 erstreckt.
  • In dem zweiten Schaltkreisglied, das in 30 gezeigt ist, sind der externe Anschlußabschnitt 213 und der Anschluß des Halbleiterelements nicht direkt drahtgebondet, und das vordere Ende des Leiters 212A wird als ein Drahtbondingbereich verwendet. Aus diesem Grund ist die Drahtbond- bzw. -verbindbarkeit für den Drahtbondingbereich alleine an dem vorderen Ende des Leiters 212A erforderlich. Beispielsweise ist bzw. wird, wie dies in 30b gezeigt ist, die Goldplattierung 270 gesondert an dem vorderen Ende des Leiters 212A zur Verfügung gestellt, und es ist, wie dies in 30c1 gezeigt ist, die Schichtkonstruktion des Schaltkreisabschnitts 210 derart ausgebildet, daß eine Goldschicht 210A', eine Nickelschicht 210B', eine Kupferschicht 210C und eine Nickelschicht 210D in dieser Reihenfolge auf einer Metallplattierung 225 zur Verfügung ge stellt sind, die auf dem leitfähigen Substrat 220 zur Verfügung gestellt ist. Alternativ kann die Goldplattierung 270, die in 30b gezeigt ist, nicht zur Verfügung gestellt sein, und die Schichtkonstruktion des gesamten Schaltkreisabschnitts 210 kann derart sein, daß, wie dies in 30d gezeigt ist, eine Goldschicht 210A', eine Nickelschicht 210B', eine Kupferschicht 210C, eine Nickelschicht 210D und eine Gold 210E in dieser Reihenfolge auf der Metallplattierung des leitfähigen Substrats 220 zur Verfügung gestellt sind.
  • Der Schaltkreisabschnitt 210 sollte nicht gelöst werden, wenn die Metallplattierung 225 auf dem leitfähigen Substrat 220 nach dem Kunststofformen gelöst bzw. aufgelöst wird.
  • Eine Edelmetallplattierung, wie eine Silberplattierung, kann statt der Goldplattierung 270 verwendet werden.
  • Ebenso wie das erste Schaltkreisglied, das in 29 gezeigt ist, ist der Zweck eines Bereitstellens der Metallplattierung 225, daß, nachdem ein Kunststofformen ausgeführt wird, um eine Halbleitervorrichtung auf dem leitfähigen Substrat 220 herzustellen, die Metallplattierung gelöst und ohne Auflösen des leitfähigen Metalls entfernt wird, das den externen Anschlußabschnitt 213 ausbildet, um die Halbleitervorrichtung von dem leitfähigen Substrat 220 zu trennen.
  • In dem zweiten Schaltkreisglied, das in 30 gezeigt ist, Beispiel D3 wird beschrieben, wobei, wie dies in 30b gezeigt ist, eine Goldplattierung 272 zur Verfügung gestellt ist, und die Schichtkonstruktion des Schaltkreisabschnitts ist, wie dies in 30c1 gezeigt ist.
  • Das Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel D3 ist ein Schaltkreisglied für BGA, und es wird von einem 0,1 mm dicken leitfähigen Substrat 220 aus rostfreiem Stahl (SUS 430) Gebrauch gemacht, das eine Metallplattierung 225 aus Kupfer darauf auf seiner einen Seite aufweist, wo ein Schaltkreisabschnitt 210 ausgebildet wird. Wie dies in 30c1 gezeigt ist, wurden eine Goldschicht 210A', eine Nickelschicht 210B', eine Kupferschicht 210C und eine Nickelschicht 210D in entsprechenden Dicken von 50 bis 100 Å, 5 μm, 15 μm und 5 μm in dieser Reihenfolge auf der Metallplattierung 225 des leitfähigen Substrats 220 ausgebildet. Die Dicke des Schaltkreisabschnitts 210, wie jene des externen Anschlußabschnitts 213 ist etwa 25 μm insgesamt und, wie dies in 30b gezeigt ist, eine Goldplattierung ist gesondert in dem Drahtbondingabschnitt an dem vorderen Ende des Leiters 212A zur Verfügung gestellt.
  • 30d ist eine Querschnittsansicht einer Variante von Beispiel D3, das in 30 gezeigt ist. Wie dies in 30d gezeigt ist, umfaßt ein Schaltkreisglied 210 ein leitfähiges Substrat 220, das eine Metallplattierung 225 aufweist; eine Goldschicht 210A', eine Nickelschicht 210B', eine Kupferschicht 210C, eine Nickelschicht 210D und eine Goldschicht 210E, die in entsprechenden Dicken von 50 bis 100 Å, 5 μm, 15 μm und 5 μm in dieser Reihenfolge auf der Metallplattierung 225 zur Verfügung gestellt sind; und eine etwa 50 bis 100 Å dicke Goldschicht, die auf der gesamten Oberfläche davon zur Verfügung gestellt ist. Diese Konstruktion ist unterschiedlich von jener in Beispiel D3, wobei eine Goldplattierung gesondert auf dem Leiter 212A in seinem Vorderende alleine zur Verfügung gestellt ist.
  • Beispiele D4 und D5
  • 31a ist eine vereinfachte Draufsicht, die ein drittes Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung zeigt, 31b ist eine vergrößerte Querschnittsansicht entlang einer Linie C1–C2 von 31a, und 31c ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie C3–C4 von 31b.
  • In 31a sind Leiter und externe Anschlußabschnitte in einer reduzierten Anzahl zur Vereinfachung dargestellt. Bezugszeichen 400 bezeichnet ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung, Bezugszeichen 410 einen Schaltkreisabschnitt, Bezugszeichen 411 eine Chipkontaktstelle, Bezugszeichen 412 einen Leiter, Bezugszeichen 413 einen externen Anschlußabschnitt, Bezugszeichen 420 ein leitfähiges Substrat, Bezugszeichen 423 ein Substrat, Bezugszeichen 425 eine Metallplattierung, Bezugszeichen 428 ein Werkzeugloch, und Bezugszeichen 440 eine isolierende Schicht.
  • In dem dritten Schaltkreisglied 410, das in 31 gezeigt ist, ist bzw. wird, wie dies in 31b (Querschnittsansicht) gezeigt ist, der externe Anschlußabschnitt 413 direkt auf dem leitfähigen Substrat 420 durch ein Plattieren ausgebildet, und der Leiter 412 ist bzw. wird auf der isolierenden Schicht 440 durch die isolierende Schicht 440 ausgebildet, die direkt auf dem leitfähigen Substrat 420 zur Verfügung gestellt ist, um den Bereich auszuschließen, der den externen Anschlußabschnitt ausbildet.
  • In 31 ist eine Chipkontaktstelle zur Verfügung gestellt, um ein Halbleiterelement darauf festzulegen. Falls erforderlich, kann die Konstruktion derart sein, daß keine Chipkontaktstelle zur Verfügung gestellt ist.
  • Die Schichtkonstruktion des Schaltkreisabschnitts 410 kann derart sein, daß, wie dies in 31c gezeigt ist, in dem Leiter 412 eine elektrofreie Nickelplattierung 410A, eine Goldschicht 410B, eine Kupferschicht 410C, eine Nickelschicht 410D und eine Goldschicht 410E in dieser Reihenfolge durch die isolierende Schicht 440 auf der Metallplattierung des leitfähigen Substrats 220 zur Verfügung gestellt sind.
  • Der Schaltkreisabschnitt 410 sollte derart sein, daß der externe Anschlußabschnitt 413 sich nicht auflöst, wenn, nachdem ein Kunststofformen ausgeführt ist, die Metallplattierung 425 des leitfähigen Substrats 420 gelöst wird.
  • Ebenso wie mit Beispiel D1, das in 29 gezeigt ist, und Beispiel D2, das in 30 gezeigt ist, ist der Zweck eines Bereitstellens der Metallplattierung 425 jener, daß, nachdem Kunststofformen ausgeführt wurde, um eine Halbleitervorrichtung auf dem leitfähigen Substrat 420 herzustellen, die Metallplattierung aufgelöst und entfernt wird, ohne daß das leitfähige Metall aufgelöst wird, das den externen Anschlußabschnitt 413 ausbildet, um die Halbleitervorrichtung von dem leitfähigen Substrat 420 zu trennen.
  • In der dritten Vorrichtung, die in 31 gezeigt ist, wird Beispiel D4 des Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung beschrieben.
  • Das Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel D4 ist ein Schaltkreisglied für BGA, und es wird von einem 0,1 mm dicken leitfähigen Substrat 420 aus rostfreiem Stahl (SUS 430) Gebrauch gemacht, das eine Metallplattierung 425 aus Kupfer darauf auf seiner einen Seite aufweist, wo ein Schaltkreisabschnitt 410 ausgebildet wird. Nachdem eine isolierende Schicht 440, die eine vorbestimmte Form bzw. Gestalt aufweist, auf dem leitfähigen Substrat 420 ausgebildet wurde, werden eine Goldschicht, eine Kupferschicht, eine Nickelschicht und eine Goldschicht durch ein Elektroplattieren in dieser Reihenfolge auf der elektrofreien Plattierung ausgebildet (460 in 35).
  • In dem Leiterabschnitt 412 werden, wie dies in 31c gezeigt ist, eine elektrofreie Nickelschicht 410A, eine Goldschicht 410B, eine Kupferschicht 410C, eine Nickelschicht 410D und eine Goldschicht 410E in entsprechenden Dicken von 2 μm, 5 bis 100 Å, 15 μm, 2 μm und 5 bis 100 Å. in dieser Reihenfolge durch eine isolierende Schicht 440 auf der Metallplattierung 425 des leitfähigen Substrats 420 aufgebracht. Die Dicke des Leiterabschnitts ist so groß wie etwa 20 μm. Der externe Anschlußabschnitt 413 ist durch die isolierende Schicht 440 dick ausgebildet. Die isolierende Schicht 440 ist eine Epoxyharzschicht, die eine Dicke von 40 μm aufweist.
  • In der dritten Vorrichtung, die in 31 gezeigt ist, weist Beispiel D5 des Schaltkreisglieds 400 für eine Halbleitervorrichtung, das in dem Herstellungsverfahren hergestellt ist, das in 36 gezeigt ist, dieselbe Schichtkonstruktion wie Beispiel D4 in dem Leiterabschnitt auf. Eine elektrofreie Nickelschicht 410A, eine Goldschicht 410B, eine Kupferschicht 410C, eine Nickelschicht 410D und eine Goldschicht 410E sind bzw. werden in entsprechenden Dicken von 1 μm, 5 bis 100 Å, 15 μm, 2 μm und 5 bis 100 Å zur Verfügung gestellt.
  • Beispiel D6
  • Beispiel D6–D10 zeigen Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds, das für ein Verständnis der vorliegenden Erfindung verwendbar bzw. nützlich ist. Sie zeigen keine Ablösebehandlung und bilden kein Teil der Erfindung.
  • Beispiel D6 zeigt das Verfahren zum Herstellen des Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel D1 und wird unter Bezugnahme auf 32 beschrieben.
  • Zuerst wurde ein 0,1 mm dickes leitfähiges Substrat 123 aus rostfreiem Stahl (SUS 430) zur Verfügung gestellt (32a), ein Werkzeugloch 128 zur Registrierung wurde zur Verfügung gestellt (32b), das Substrat 123 auf seiner Seite, wo ein Schaltkreisabschnitt auszubilden ist, wurde durch ein Sandstrahlen oberflächenbehandelt, um Unregelmäßigkeiten zu erzeugen (32c) und eine Metallplattierung 125, die durch eine 2 μm dicke Kupferplattierung ausgebildet wurde, wurde auf dem Substrat 123 auf der Seite ausgebildet, die den Schaltkreisabschnitt ausbildet (32d).
  • Nachfolgend wurde ein Trockenfilmresist 140 auf dem leitfähigen Substrat 120 auf seiner Seite zur Verfügung gestellt, die den Schaltkreisabschnitt ausbildet, und die gesamte Oberfläche des Trockenfilmresists 140 wurde mit einem wasserabstoßenden Mittel (FC 722, hergestellt durch Sumitomo 3M Ltd.) beschichtet, eine Belichtung wurde unter Verwendung einer Platte ausgeführt, die ein vorbestimmtes Muster aufweist und die Platte wurde einer Behandlung, wie einer Entwicklung unterworfen, um den Abschnitt freizulegen, der den externen Anschlußabschnitt (32e).
  • Der freigelegte bzw. belichtete Bereich, der den externen Anschlußabschnitt ausbildet (entsprechend einer Öffnung 141 des Resists 140), wurde plattiert (32f).
  • 32f1 und 32f2 zeigen die Querschnittsform im Verlauf des Plattierens in D0, das in 32f gezeigt ist.
  • Spezifisch wurde am Beginn eine 50 bis 100 Å dicke erste Goldschicht 113A auf einer Metallplattierung 125 durch Elektroplattieren zur Verfügung gestellt, der belichtete bzw. freigelegte, den externen Anschlußabschnitt ausbildende Bereich (entsprechend einer Öffnung 141 des Resists 140) wurde katalytisch aktiviert, und eine 0,1 μm dicke erste Nickelschicht 113B wurde elektrofrei plattiert (32f1).
  • Da der Trockenfilmresist 140 behandelt wurde, um die Oberfläche wasserabstoßend zu machen, wird die elektrofreie Nickelplattierung nicht angehaftet sein. Daher wurde, wie dies in 32f1 gezeigt ist, die erste Nickelschicht 113B in U-Form im Querschnitt ausgebildet.
  • Danach wurden eine 5 μm dicke zweite Nickelschicht und eine 0,1 μm dicke Palladiumschicht dann in dieser Reihenfolge elektroplattiert (32f2).
  • Eine zweite Nickelschicht 113C und eine Palladiumschicht 113D wurden dann aufeinanderfolgend entlang der Form der Nickelschicht 113B elektroplattiert, die in U-Form im Querschnitt zur Verfügung gestellt wurde. Daher hat das so ausgebildete Laminat eine ungefähre U-Form im Querschnitt.
  • Nachfolgend wurde der Trockenfilmresist 140 entfernt, um ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung herzustellen, die in 29 gezeigt ist, die einen externen Anschlußabschnitt 113 aufweist, wobei der Schnitt bzw. Querschnitt eine ungefähre U-Form aufweist (32g).
  • Gemäß dem vorliegenden Beispiel kann der Schritt eines Bereitstellens einer Edelmetallplattierung für ein Drahtbonden auf einer einen Draht bondenden Seite bzw. Fläche des externen Anschlußabschnitts 113 in den Schritt eines Herstellens des externen Anschlußabschnitts 113 inkorporiert bzw. aufgenommen werden.
  • Beispiel D7
  • Beispiel D7 eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung wird unter Bezugnahme auf 33 beschrieben.
  • Das vorliegende Beispiel demonstriert ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung, die in 29 gezeigt ist, wobei der externe Anschlußabschnitt eine ungefähr viereckige Querschnittsform aufweist, wie dies in 29d gezeigt ist.
  • Zuerst wurde ein leitfähiges Substrat 123, das aus einem rostfreien Stahl (SUS 430) hergestellt ist, zur Verfügung gestellt (33a), das Substrat 123 auf seiner Seite, wo ein Schaltkreisabschnitt auszubilden ist, wurde oberflächenbehandelt, um Oberflächenunregelmäßigkeiten durch ein Sandstrahlen zu erzeugen (33b), und eine Metallplattierung, die durch ein Kupferplattieren ausgebildet ist, wurde auf dem Substrat 123 auf der Seite ausgebildet, die den Schaltkreisabschnitt ausbildet (33c).
  • Nachfolgend wurde ein Trockenfilmresist 172 auf dem leitfähigen Substrat 120 auf seiner Seite zur Verfügung gestellt, die den Schaltkreisabschnitt ausbildet, eine Belichtung wurde unter Verwendung einer Platte durchgeführt, die ein vorbestimmtes Muster aufweist, und die Platte wurde einer Behandlung wie einer Entwicklung unterworfen, um den Bereich, der den externen Anschlußabschnitt ausbildet, (entsprechend einer Öffnung 171) und einen ein Werkzeugloch ausbildenden Bereich für die Registrierung (entsprechend einer Öffnung 171A) zu belichten bzw. freizulegen (33d).
  • ALPHO NCP 240, das eine Dicke von 40 μm aufweist, hergestellt durch Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., wurde als der Trockenfilmresist 172 verwendet.
  • Nur der Bereich, der den externen Anschlußabschnitt ausbildet 171A, der in der Herstellung einer Platte aus dem Trockenfilmresist 172 belichtet wurde, wurde dann mit einem Harz 192 maskiert, das in einem schwachen Alkali löslich ist, so daß dieser Bereich nicht durch ein Ätzen zum Ausbilden des Werkzeuglochs entfernt wird (33e).
  • Ein Ätzen wurde dann mit einer Eisenchloridlösung ausgeführt, um ein Werkzeugloch 128 auszubilden (33f).
  • Danach wurde das Harz 192 in dem Bereich, der den externen Anschlußabschnitt ausbildet, gelöst und durch Natriumcar bonat entfernt (33g), und der Bereich, der den externen Anschlußabschnitt ausbildet (entsprechend einer Öffnung 171) wurde plattiert (33h).
  • 33h1 und 33h2 zeigen die Querschnittsform im Verlauf eines Plattierens in EO von 33h.
  • Spezifisch wurde am Beginn eine 0,1 μm dicke erste Palladiumschicht 113E durch ein Elektroplattieren auf der Metallplatte 125 (33h1) zur Verfügung gestellt.
  • Eine 5 μm dicke Nickelschicht 113F und eine 50,1 μm dicke Palladiumschicht 113G wurden dann in dieser Reihenfolge durch ein Elektroplattieren zur Verfügung gestellt (33h2).
  • Der laminierte Schaltkreisabschnitt hatte eine ungefähr viereckige Querschnittsform, wie dies in 33h2 gezeigt ist.
  • Der Trockenfilmresist 172 wurde dann entfernt, um ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung herzustellen, die in 29 gezeigt ist (33i).
  • Beispiel D8
  • Beispiel D8 eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung wird unter Bezugnahme auf 34 beschrieben.
  • Das vorliegende Beispiel demonstriert ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds 200 für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel D2, das in 30 gezeigt ist, wobei der gesamte Schaltkreisabschnitt 210 direkt durch ein Plattieren auf einer Metallplattierung 225 eines leitfähigen Substrats 220 ausgebildet ist bzw. wird.
  • Zuvor wurde ein 0,1 mm dickes leitfähiges Substrat 223 aus rostfreiem Stahl (SUS 430) zur Verfügung gestellt (34a), ein Werkzeugloch 228 zur Registrierung wurde zur Verfügung gestellt (34b), das Substrat 223 wurde auf seiner Seite, wo der Schaltkreisabschnitt auszubilden ist, durch ein Sandstrahlen oberflächenbehandelt, um Unregelmäßigkeiten zu erzeugen (34c), und eine Metallplattierung 225, die durch eine 2 μm dicke Kupferplattierung gebildet ist, wurde auf dem Substrat 223 auf seiner den Schaltkreis ausbildenden Seite ausgebildet (34d).
  • Nachfolgend wurde ein Trockenfilmresist 245 auf dem leitfähigen Substrat 220 auf seiner Seite zur Verfügung gestellt, die den Schaltkreisabschnitt ausbildet, eine Belichtung wurde unter Verwendung einer Platte ausgeführt, die ein vorbestimmtes Muster aufweist, und die Platte wurde einer Behandlung, wie einer Entwicklung unterworfen, um den Bereich 241 freizulegen, der den Schaltkreis ausbildet (34f).
  • ALPHO NCP 240, das eine Dicke von 40 μm aufweist, hergestellt durch Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., wurde als der Trockenfilmresist 245 verwendet.
  • Danach wurde der freigelegte Bereich, der den Schaltkreisabschnitt ausbildet, (entsprechend einer Öffnung 241 eines Resists 245) plattiert (34g).
  • 34g1, 34g2 und 34g3 zeigen die Querschnittsform in dem Verlauf eines Plattierens von F0 in 34g.
  • Spezifisch wurde zuerst eine 50 bis 100 Å dicke Goldplattierung 210A auf der Metallplattierung 225 zur Verfügung gestellt (34g1), und eine 5 μm dicke erste Nickelschicht 210B, eine 15 μm dicke Kupferschicht 210C und eine 5 μm dicke zweite Nickelschicht 210D wurden darauf in dieser Reihenfolge elektroplattiert (34g2).
  • Der laminierte Schaltkreisabschnitt, der so ausgebildet wurde, hatte eine ungefähr viereckige Querschnittsform, wie dies in 34g2 gezeigt ist.
  • Der Trockenfilmresist 245 wurde dann entfernt, und das Vorderende des Leiters wurde mit Gold plattiert, um ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung herzustellen (34h).
  • In 34g kann nach dem Schritt, der in 34g2 gezeigt ist, eine 50 bis 100 Å dicke Goldschicht 210E nachfolgend auf dem gesamten Schaltkreisabschnitt elektroplattiert werden (34g3), gefolgt durch eine Entfernung des Trockenfilmresist 245, um eine Variante des Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung gemäß dem vorliegenden Beispiel, d.h. Beispiel D8 herzustellen.
  • Weiterhin kann das Herstellungsverfahren, das in 32 gezeigt ist, auch ein Schaltkreisglied zur Verfügung stellen, welches eine ebene bzw. flache Form aufweist, wie dies in 30a gezeigt ist, wobei der Querschnitt eine ungefähre U-Form aufweist, wie dies in 29c gezeigt ist.
  • Beispiel D9
  • Beispiel D9 demonstriert ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds 400 für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel D4, das in 31 gezeigt ist.
  • Zuvor wurde ein 0,1 mm dickes leitfähiges Substrat 423 aus rostfreiem Stahl (SUS 430) zur Verfügung gestellt (35a), ein Werkzeugloch 428 zur Registrierung wurde zur Verfügung gestellt, das Substrat 423 auf seiner Seite, wo ein Schaltkreisabschnitt auszubilden ist, wurde durch ein Sandstrahlen oberflächenbehandelt, um Unregelmäßigkeiten zu erzeugen (35b), und eine Metallplattierung 425, die aus einer 2 μm dicken Kupferplattierung besteht, wurde auf dem Substrat 423 auf seiner Seite ausgebildet, die den Schaltkreis ausbildet (35c).
  • Eine 40 μm dicke isolierende Schicht 440, die aus einem Epoxyharz gebildet ist, wurde durch ein Siebdrucken auf die Metallplattierung 425 des leitfähigen Substrats 420 so siebgedruckt, daß der Bereich, der den externen Anschlußabschnitt ausbildet, und der Bereich, der die Chipkontaktstelle ausbildet, belichtet bzw. freigelegt wurden (35d).
  • Eine 2 μm dicke elektrofreie Nickelplattierung 460 wurde dann auf dem leitfähigen Substrat auf seiner Seite zur Verfügung gestellt, wo die isolierende Schicht 440 ausgebildet wurde (35e).
  • Eine Platte wurde dann unter Verwendung eines Trockenfilmresists 470 auf der elektrofreien Nickelplattierung 460 so hergestellt, daß der den Schaltkreis ausbildende Bereich belichtet bzw. freigelegt wurde (35f).
  • Der Bereich, der den belichteten Schaltkreis ausbildet, wurde mit einer Goldschicht, einer Kupferschicht, einer Nickelschicht und einer Goldschicht in entsprechenden Dicken von 0,005 bis 0,01 mm, 15 μm, 2 μm und 0,005 bis 0,01 mm in dieser Reihenfolge beschichtet, um eine Elektroplattierung 470 zur Verfügung zu stellen (35g).
  • Ein Trockenfilmresist 470 wurde dann entfernt (35h).
  • Danach wurde die belichtete elektrofreie Nickelplattierung 460 durch ein Ätzen entfernt, um ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung herzustellen (35i).
  • 35i1 zeigt einen Schaltkreisabschnitt (eine durchgezogene schwarze Linie), die aus der elektrofreien Plattierung 460 und der Elektroplattierung 470 von 35i besteht, und weist im wesentlichen dieselbe Form wie 31b auf.
  • Beispiel D10
  • Beispiel D10 demonstriert ein Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel D5, die in 31 gezeigt ist, wobei die Querschnittsform ist, wie dies in 31b gezeigt ist.
  • Zuvor wurde ein 0,1 mm dickes leitfähiges Substrat 423 aus rostfreiem Stahl (SUS 430) zur Verfügung gestellt (36a), ein Werkzeugloch 428 zur Registrierung wurde zur Verfügung gestellt, das Substrat 423 auf seiner Seite, wo ein Schaltkreisabschnitt auszubilden ist, wurde durch ein Sandstrahlen oberflächenbehandelt, um Unregelmäßigkeiten zu erzeugen (36b), und eine Metallplattierung 425 bestehend aus einer 2 μm dicken Kupferplattierung wurde auf dem Substrat 423 auf der Seite ausgebildet, die den Schaltkreisabschnitt ausbildet (36c).
  • Eine 40 μm dicke isolierende Schicht 440, gebildet aus einem Epoxyharz, wurde durch ein Siebdrucken auf die Metallplattierung 425 des leitfähigen Substrats 420 so beschichtet, daß der Bereich, der den externen Anschlußabschnitt ausbildet, und der Bereich, der die Chipkontaktstelle ausbildet, belichtet bzw. freigelegt wurden (36d).
  • Das leitfähige Substrat 420 auf seiner gesamten Seite, die mit der isolierenden Schicht 440 versehen ist, die aus einem Epoxyharz gebildet ist, wurde mit einem Trockenfilmresist 470 abgedeckt, der Resist 470 wurde für die Oberfläche wasserabstoßend behandelt, und eine Platte wurde so hergestellt, daß der Bereich, der den Schaltkreisabschnitt ausbildet, belichtet wurde (36e).
  • Nach einer katalytischen Aktivierung wurde eine 1 μm dicke elektrofreie Nickelplattierung 460 auf den belichteten Bereichen ausgebildet, d.h. der Metallplattierung 425 des leitfähigen Substrats 420 und der isolierenden Schicht 440 (36f).
  • Die belichtete bzw. freigelegte elektrofreie Nickelplattierung 460 des Bereichs, der den Schaltkreisabschnitt ausbildet, wurde mit einer Goldschicht, einer Kupferschicht, einer Nickelschicht und einer Goldschicht in entsprechenden Dicken von 0,005 bis 0,01 mm, 15 μm, 2 μm und 0,005 bis 0,01 mm in dieser Reihenfolge elektroplattiert, um eine Elektroplattierung 465 zur Verfügung zu stellen (36g).
  • Der Trockenfilmresist 470 wurde dann entfernt, um ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung herzustellen (36h).
  • 36h1 zeigt einen Schaltkreisabschnitt (ein schwarzes durchgezogenes Element), das durch das elektrofreie Plattieren 460 und das Elektroplattieren 470 von 36h ausgebildet ist und hat im wesentlichen dieselbe Form wie in 31b.
  • Das Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel D9, das in 35 gezeigt ist, und das Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreisglieds für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel D10, das in 36 gezeigt ist, kann ebenfalls an eine Leiterplatte für eine Halbleitervorrichtung angewandt werden, wobei ein leitfähiges Substrat 423 alleine ohne die Metallplattierung 425 in dem leitfähigen Substrat 420 verwendet wird, und die Seite, die den Schaltkreis ausbildet, wird einer Ablösebehandlung unterworfen, um eine Ablösbarkeit zu verleihen. Der Ausdruck "Ablösebehandlung", welcher hier verwendet wird, bezieht sich nicht nur auf eine Oberflächenbehandlung zum Ausbilden von Unregelmäßigkeiten auf dem leitfähigen Substrat 423 auf seiner Seite, die den Schaltkreis ausbildet, sondern auch auf eine Ablösebehandlung, wie beispielsweise eine Ausbildung eines Oxidfilms, nach der Oberflächenbehandlung.
  • Beispiel D11
  • Beispiel D11, welches ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung eines Schaltkreisglieds 100 für eine Halbleitervorrichtung demonstriert, die in 29 gezeigt ist, wird unter Bezugnahme auf 37 beschrieben.
  • An dem Beginn wurde ein Schaltkreisglied 100 für eine Halbleitervorrichtung zur Verfügung gestellt (37a), ein Halbleiterelement 718 wurde durch ein Stempeln an der belichteten Metallplattierung 125 in einem leitfähigen Substrat 120 befestigt, so daß die Seite des Anschlusses 719 nach oben schaute, und der Anschluß 719 wurde an der oberen Oberfläche des externen Anschlußabschnitts 113 drahtgebondet (37b).
  • Nachfolgend wurde das leitfähige Substrat 120 an seiner einen Seite einem Kunststofformen unter Verwendung eines Formharzes 732 unterworfen, um das Halbleiterelement 718, den Draht 728 und den externen Anschlußabschnitt 113 in ihrer Gesamtheit abzudecken, wodurch eine Halbleitervorrichtung 700A auf einer Seite des leitfähigen Substrats 120 ausgebildet wurde (37c).
  • Die Metallplattierung 125 wurde dann aufgelöst, um die Halbleitervorrichtung 700A von dem Substrat 123 abzulösen (37d), wodurch die Halbleitervorrichtung 700A und das Substrat 123 voneinander getrennt wurden (37d1).
  • Danach wurde eine Lotkugel 745 so zur Verfügung gestellt, um einstückig mit dem belichteten bzw. freigelegten externen Anschlußabschnitt 113 in dem Schaltkreisabschnitt 110 der Halbleitervorrichtung 700A verbunden zu sein bzw. zu werden, wodurch eine Halbleitervorrichtung 700 hergestellt wird (37e).
  • Beispiele D12 bis D14
  • Beispiele D12 bis D14 von Halbleitervorrichtungen werden beschrieben.
  • Eine Halbleitervorrichtung kann unter Verwendung von irgendeinem des Schaltkreisglieds 200 für eine Halbleitervorrichtung, die in 30 gezeigt ist, und des Schaltkreisglieds 400 für eine Halbleitervorrichtung, die in 31 gezeigt ist, grundsätzlich durch das Verfahren hergestellt werden, das in 37 gezeigt ist.
  • Das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, das in 37 gezeigt ist, kann Halbleitervorrichtungen von Beispielen D12, D13 und D14 zur Verfügung stellen, die entsprechend in 38a, 38b und 38c gezeigt sind.
  • 38a zeigt eine Halbleitervorrichtung, die das Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung verwendet, die in 29 gezeigt ist, und 38b zeigt eine Halbleitervorrichtung, die das Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel D3 verwendet, das in 30 gezeigt ist.
  • 38c zeigt eine Halbleitervorrichtung, die ein Schaltkreisglied für eine Halbleitervorrichtung von Beispiel D4 oder D5 verwendet, das in 31 gezeigt ist. In diesen Halbleitervorrichtungen ist eine Lotkugel 745 zur Verfügung gestellt, um einstückig mit dem externen Anschlußabschnitt verbunden zu sein bzw. zu werden, der von dem Formharz 732 freigelegt ist.

Claims (12)

  1. Verfahren zum Herstellen eines Bauteils bzw. Schaltkreisglieds (100) für eine Halbleitervorrichtung, wobei das Schaltkreisglied (100) ein leitendes bzw. leitfähiges Substrat (120) und einen Schaltungs- bzw. Schaltkreisabschnitt (100) umfaßt, welcher ein leitendes bzw. leitfähiges Metall umfaßt, welches durch ein Plattieren auf einer Oberfläche des leitfähigen Substrats (120) ausgebildet ist, wobei der Schaltungsabschnitt (100) von dem leitfähigen Substrat während des Herstellungsprozesses der Halbleitervorrichtung gelöst bzw. entfernt wird, wobei das Verfahren die Schritte umfaßt: Bereitstellen des leitfähigen Substrats (120); Unterwerfen der Fläche des leitfähigen Substrats (120) einer Oberflächenbehandlung durch ein Sandstrahlen, um Unregelmäßigkeiten zu erzeugen; Unterwerten der derart oberflächenbehandelten Fläche des leitfähigen Substrats (120) einer Ablöse- bzw. Entfernungsbehandlung durch ein Ausbilden eines Oxidfilms oder eines organischen Films auf der oberflächenbehandelten Fläche des leitfähigen Substrats (120), um eine Ablösbarkeit zu verleihen; und Ausbilden des Schaltkreisabschnitts (100), welcher ein leitendes bzw. leitfähiges Metall umfaßt, durch ein Plattieren einer Schicht eines leitenden Metalls auf die derart oberflächenbehandelte und ablösebehandelte Fläche des leitfähigen Substrats (120) und Mustern bzw. Strukturieren der plattierten Schicht durch entweder ein Beschichten oder ein Mustern bzw. Strukturieren eines Resists bzw. Lacks (150), wodurch ein Bereich, welcher zu plattieren ist, freigelegt wird, und Plattieren der Schicht des leitenden Materials innerhalb des Bereichs, oder durch ein Plattieren des leitenden Metalls auf die gesamte Fläche des leitfähigen Substrats, Beschichten und Mustern bzw. Strukturieren eines Resists (150) auf die derart plattierte Fläche und Ätzen des freigelegten Abschnitts der leitenden Metallschicht; und Ablösen der derart gemusterten Schicht von dem leitfähigen Substrat (120).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schaltungsabschnitt (100) wenigstens ein Chipkontaktstellen-Abschnitt (111) zum Montieren eines Halbleiterelements darauf, eine Zuleitung (112) für eine elektrische Verbindung mit einem Halbleiterelement und ein Abschnitt (113) eines externen Anschlusses für eine elektrische Verbindung mit einer externen Schaltung umfaßt und eine Vielzahl von Sätzen der Zuleitung (112) und des Abschnitts (113) des externen Anschlusses, welche integral miteinander verbunden sind, unabhängig voneinander ausgebildet werden.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei nur der Chipkontaktstellen-Abschnitt (111) und der Abschnitt (113) des externen Anschlusses in dem Schaltungsabschnitt (100) an einer Seite des leitfähigen Substrats (120) und die anderen Abschnitte in dem Schaltungsabschnitt (100) durch einen isolierenden Resist (250) ausgebildet werden.
  4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, wobei eine Vielzahl von Chipkontaktstellen-Abschnitten (111) für Halbleitervorrichtungen ausgebildet wird.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das leitfähige Substrat (120) ein ausgewähltes aus der Gruppe umfaßt, bestehend aus einem Metall auf Eisen-Nickel-Chrom-Basis, einem Metall auf Eisen-Chrom-Basis, einem Metall auf Eisen-Nickel-Basis oder einem Metall auf Eisen-Kohlenstoff-Basis.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das leitende Metall Kupfer umfaßt.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt zum Ausbilden des Schaltungsabschnitts (100) durch die folgenden Schritte durchgeführt wird, umfassend: Beschichten eines Resist (250) auf das leitfähige Substrat (120); Freilegen nur eines Bereichs, welcher mit dem leitenden Metall zu plattieren ist; und Plattieren des derart freigelegten Bereichs mit dem leitenden Metall, um den Schaltungsabschnitt (100) auszubilden.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt zum Ausbilden des Schaltungsabschnitts (100) durch die folgenden Schritte durchgeführt wird, umfassend: Plattieren des leitenden Metalls auf die gesamte Fläche des leitfähigen Substrats (120); Mustern bzw. Strukturieren eines Resist auf der Fläche der derart plattierten Fläche, um einen Bereich abzudecken, wo der Schaltungsabschnitt (100) ausgebildet wird; und Ätzen des derart durch einen Resist gemusterten Abschnitts, um den Schaltungsabschnitt (100) auszubilden.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei der Schritt eines Ausbildens eines Werkzeugs- bzw. Betätigungselement-Lochs (130, 230) zum Ausrichten vor einem Plattieren durchgeführt wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei der Schritt eines Ausbildens eines Werkzeugs- bzw. Betätigungselement-Lochs (130, 230) durch ein Ätzen und Verwendung einer Resist-Plattierung durchgeführt wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt zum Ausbilden des Schaltungsabschnitts (100) durch die folgenden Schritte durchgeführt wird, umfassend: Mustern bzw. Strukturieren eines ersten isolierenden Resist, um nur einen Chipkontaktstellen-Abschnitt (211) und einen einen externen Anschlußabschnitt ausbildenden Bereich (213) freizulegen; und Plattieren des derart freigelegten Bereichs, um einen ersten plattierten Bereich auszubilden; Mustern bzw. Strukturieren eines zweiten isolierenden Resist (190), um nur einen Bereich freizulegen, wo ein Schaltungsabschnitt durch ein Plattieren vorzubereiten ist; und Plattieren des derart freigelegten Bereichs, um einen zweiten plattierten Bereich auszubilden, mit einem leitenden Metall durch ein Elektroplattieren oder ein elektro loses Plattieren.
  12. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt zum Ausbilden des Schaltungsabschnitts (100) durch die folgenden Schritte durchgeführt wird, umfassend: Mustern bzw. Strukturieren eines ersten isolierenden Resists, um nur einen Chipkontaktstellen-Abschnitt (211) und einen einen externen Anschlußabschnitt ausbildenden Bereich (213) freizulegen; und Plattieren des derart freigelegten Bereichs, um einen ersten plattierten Bereich auszubilden; Unterwerfen der gesamten Fläche auf der ersten plattierenden bzw. Plattierseite einem zweiten Plattieren (210B) mit einem leitenden Metall durch ein elektroloses Plattieren; Abdecken der Plattierung, welche durch ein elektroloses Plattieren vorbereitet wurde, in ihrem Bereich, wo ein Schaltungsabschnitt ausgebildet wird, wodurch eine zweite Platte bzw. Plattierung vorbereitet wird; und Entfernen des Bereichs, welcher in dem Schritt eines Vorbereitens der Platte bzw. Plattierung freigelegt wird, durch ein Ätzen.
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