DE69432968T2 - Gehäuse für elektronische Bauelemente - Google Patents
Gehäuse für elektronische Bauelemente Download PDFInfo
- Publication number
- DE69432968T2 DE69432968T2 DE69432968T DE69432968T DE69432968T2 DE 69432968 T2 DE69432968 T2 DE 69432968T2 DE 69432968 T DE69432968 T DE 69432968T DE 69432968 T DE69432968 T DE 69432968T DE 69432968 T2 DE69432968 T2 DE 69432968T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- cover
- electronic component
- holding elements
- chip
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/0665—Epoxy resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12036—PN diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16151—Cap comprising an aperture, e.g. for pressure control, encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19043—Component type being a resistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
- Hintergrund der Erfindung
- Die Erfindung betrifft elektronische Bauelemente und insbesondere Gehäuse für elektronische Halbleiterbauelemente (so z. B. für integrierte Silizium-Schaltungschips und Module aus solchen Silizium-Chips), außerdem betrifft sie Verfahren zum Herstellen derartiger Gehäuse.
- Ein elektronisches Halbleiterbauelement, beispielsweise ein integrierter Silizium-Halbleiterchip oder ein Mehrfachchip-Modul aus zwei oder mehr untereinander verbundenen integrierten Silizium-Halbleiter-Schaltungschips, die auf einem gemeinsamen Verbindungssubstrat gehaltert sind, oder mindestens ein derartiger Chip, der an einem anderen derartigen Chip angebracht ist, erfordert einen elektrischen Zugang zu einer externen Schaltung über eine Mehrzahl von Eingangs-Ausgangs-(E/A) Anschlüssen oder metallischen Pads für das elektronische Bauelement. Dieser Zugang erfolgt typischerweise unter anderem über eine Schaltungsplatine, auf der das elektrische Bauelement gelagert ist, wodurch eine Anordnung gebildet wird. Die Schaltungsplatine kann die Form einer gedruckten Leiterplatte oder eines Mehrschichtlaminats (mit mehreren Metallisierungsebenen) aufweisen, wobei letzteres auch als "Lead-frame"-Platte oder dergleichen bezeichnet wird. Falls erwünscht, kann der Leadframe außerdem mechanisch gehaltert und elektrisch verbunden werden mit beispielsweise einem Lotkügelchen-Feld (ein Feld von kleinen Kügelchen), oder durch ein Einsteckstift-Gitterfeld, was man typischerweise dann als "Mutterplatine" bezeichnet, die eine viel größere Flächenerstreckung besitzt als das Lead-frame. Auf dieser Mutterplatine kann eine Reihe weiterer elektrisch verschalteter Chips oder Modulen ebenso untergebracht werden wie eine Anzahl von untereinander verbundenen, konzentrierten elektrischen Elementen wie Kondensatoren, Übertrager und Widerstände, die sich nur schwer (wenn überhaupt) zu Chips oder Modulen integrieren lassen, außerdem Stecker und Verbinder.
- Die US-A-5 241 133 zeigt eine elektronische Bauteilanordnung, bei der ein integriertes Silizium-Schaltungschip elektrisch mit einer Metallisierung verbunden ist, die sich auf einer unter dem Chip befindlichen Schaltungsplatine befindet, wobei die Verbindung über Gold-Bonddrähtchen erfolgt. Gleichzeitig befindet sich auf der Platine an einer Stelle unterhalb des Chips zur Schaffung mechanischen Halts für das Siliziumchip ein Chip-Bond-Metallisierungs-Pad, und der Chip wird mit diesem Metallisierungs-Pad durch einen leitenden Klebstoff verbunden. Die seitliche Erstreckung dieses zum Chip-Bonden dienenden Metallisierungs-Pads ist nahezu so groß wie diejenige des Chips. Ein Problem, das sich bei dem Zusammenbau der Platine mit dem Chip ergibt, rührt von der Nichtübereinstimmung der Wärmeausdehnungskoeffizienten von Platine und Chip, wodurch die Platine von dem Chip in unerwünschter Weise unter Spannung gesetzt wird. Je größer die seitlichen Abmessungen des Chips sind, desto schwerwiegender wird das Problem: Die Wärmeausdehnung ist proportional zur Länge.
- Das vorerwähnte Patent vermittelt außerdem die Lehre, dass ein metallisches Versteifungselement in Form einer Platte mit einem relativ hohen Biegemodul (von mehr als 2.000.000 psi, 1 psi = 6895 Pa) aufgebracht auf beiden Seiten mit einem Klebstoff versehen, zwischen das Metallisierungs-Pad und den Halbleiter-Chip eingefügt werden kann, um die mechanische Spannung in der Platine zu reduzieren, die durch die Fehlanpassung zwischen den vorerwähnten Wärmeausdehnungskoeffizienten hervorgerufen wird. Aber wegen der Inflexibilität des Versteifungselements selbst, die so weit reicht, dass durch sie Spannung in dem Siliziumchip vermindert wird, wird immer noch in der darunterliegenden Platine Spannung hervorgerufen. Diese Spannung ist weiterhin auch dann unerwünscht, wenn die Platine an einer Mutterplatine mit Hilfe eines Feldes von Lotkügelchen angebracht wird: Temperaturwechsel während elektrischer Arbeitsvorgänge des Chips rufen Ausdehnungs-Kontraktions-Wechsel in der Platine hervor, wodurch die Lotkügelchen einer Metallermüdung und schließlich einer Störung ausgesetzt sind.
- Das vorerwähnte Patent vermittelt außerdem die Lehre, dass die Anordnung (bestehend aus dem Silizium-Chip, das elektrisch und baulich mit der Schaltungsplatine verbunden ist) auf ihrer Oberseite mit einem im kühlen Zustand nicht nachgiebigen Vergußmaterial von einer Formmaschine eingekapselt wird, um die Anordnung zu versiegeln (einzukapseln) und den Siliziumchip gegen die Umgebungsatmosphäre abzudichten, wie es aus dem Stand der Technik bekannt ist. Allerdings kann der Wärmeausdehnungskoeffizient der Vergußmasse nicht der gleiche sein wie derjenige des Silziumchips und derjenige der (thermisch fehlangepaßten) Schaltungsplatine. Temperaturwechsel während elektrischer Arbeitsvorgänge des Chips haben daher die Neigung, unerwünschte Spannungen und Dehnungen entweder in dem Chip, in der Platine oder in beiden hervorzurufen. Insbesondere haben Wärmezyklen der Vergußmasse die Neigung, nach dem Aushärten von dem Chip oder von der Platine oder von beiden Teilen abzubrechen, wodurch das Bonddrähtchen in der Nachbarschaft bei einem solchen Bruch leicht reißt. Außerdem führen der hohe Druck und die hohe Temperatur der Vergußmasse während des Formvorgangs zu einem Wegschieben der Bondverbindungen oder zu deren Verformung, so dass sie möglicherweise einen Kurzschluß hervorrufen.
- DE-A-4242408 zeigt ein Verfahren zum Verbinden eines Halbleiterbauelements oder eines anderen Bauelements mit einem Hauptschaltungssubstrat. Jede Elektrode aus einem ersten Elektrodenfeld an der Oberseite des Hauptschaltungssubstrats wird mit einer getrennten Elektrode eines zweiten Elektrofelds verbunden, welches sich an einer Unterseite des Bauelements befindet, und zwar über ein getrenntes Feld von Verbindern. Jeder der Verbinder enthält zahlreiche leitende Partikel zwischen einer der Elektroden des ersten Feldes und einer der Elektroden des zweiten Feldes, um diese elektrisch zu verbinden. Diese Partikel werden von einer ausgehärteten fotoempfindlichen Hartschicht an Ort und Stelle gehalten. Außerdem füllt ein ausgehärtetes Harzkügelchen eine seitlich zentrierte Zone zwischen der Oberseite des Hauptschaltungssubstrats und der Unterseite des Bauelements aus. Dieses ausgehärtete Kügelchen dient zur Bereitstellung von Zugkräften zwischen dem Halbleiterbauelement und dem Hauptschaltungssubstrat, um auf diese Weise Druckkräfte zwischen jeder der Elektroden des ersten Feldes und jeder der Elektroden des zweiten Feldes über die leitenden Partikel zu schaffen.
- Die PCT-Patentanmeldung WO-A-9220096 zeigt einen Halbleiterchip, der mit externen Metallteilen durch Drähtchen verbunden ist. Der Chip ist in einem Hohlraum aufgenommen, welcher thermoplastische Wände besitzt, und der vollständig mit einer geeigneten Flüssigkeit und/oder einem Gel ausgefüllt ist. Ein paar Öffnung in den Wänden des Hohlraums ermöglicht das Einleiten der Flüssigkeit und/oder des Gels durch eine der Öffnungen bei gleichzeitigem Ausströmen von Luft aus der anderen Öffnung. Die Öffnungen werden anschließend versiegelt.
- Es besteht der Wunsch, ein Gehäuse für elektronische Bauelemente zur Verfügung zu haben, welches die auf der Fehlanpassung der Wärmeausdehnungskoeffizienten entstehenden Probleme vermeidet.
- Offenbarung der Erfindung
- Die Endung ist im Anspruch 1 angegeben. Ausführungsformen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
-
1 ist eine Querschnittansicht eines Gehäuses für ein elektronisches Bauelement gemäß einer spezifischen Ausführungsform der Erfindung; -
2 ist eine Schnittansicht eines Gehäuses für ein elektronisches Bauelement gemäß einer weiteren spezifischen Ausführungsform der Erfindung; und -
3 ist eine perspektivische Ansicht eines Gehäuses für ein elektronisches Bauelement gemäß einer weiteren spezifischen Ausführungsform der Erfindung in Betrachtung von oben. - Aus Gründen der Klarheit ist keine der Darstellungen maßstabsgerecht.
- Detaillierte Beschreibung
- Ein Gehäuse für ein elektronisches Bauelement (
1 ) enthält eine im Folgenden einfach als Platine bezeichnete Schaltungsplatine oder Leiterplatte200 , vorzugsweise in Form einer Lead-frame-Einrichtung, auf der ein elektronisches Bauelement in Form eines integrierten Siliziumhalbleiter-Schaltungschips300 mit Hilfe von beispielsweise (zu Darstellungszwecken) lokalisierter metallischer Inselschichten243 ,244 und245 gehaltert ist. Die Oberseiten dieser metallischen Inselschichten243 ,244 und245 sind mit beispielsweise lokalisierten (als Insel ausgebildeten) Schutzhalterungsschichten253 ,254 bzw.255 überzogen. Eine örtlich begrenzte Klebstoffschicht304 befindet sich in vorteilhafter Weise auf einem Teil einer und nur einer der lokalisierten, d. h. örtlich begrenzten Träger-Inselschichten, nämlich auf der am meisten zentral gelegenen Trägerschicht254 , um eine seitliche Bewegung des elektronischen Bauelements300 (speziell während des Zusammenbaus der Anordnung) zu verhindern. Diese Klebstoffschicht304 ist typischerweise ein Epoxymaterial, welches durch Erwärmung ausgehärtet wurde, nachdem das elektronische Bauelement300 an seiner richtigen Stelle auf den Insel-Trägerschichten253 ,254 und255 platziert wurde. - Bei Betrachtung von oben besitzt der Chip
300 typischerweise eine quadratische oder rechteckige Form. Es sollte gesehen werden, dass es zahlreiche weitere (typischenrweise insgesamt sechs) als die zwei Inselschichten243 und245 gemäß1 gibt, die – zusammen mit ihren zugehörigen örtlich begrenzten Trägerschichten, jedoch vorteilhafterweise ohne jegliche Klebstoffschichten – auf der Bodenfläche des Chips300 verteilt sind. Diese örtlich begrenzten Trägerschichten253 ,254 und255 dienen gemeinsam mit den darunterliegen den metallischen Inselschichten243 ,244 und245 zum Halten der Lage des Chips300 in einem gewünschten vertikalen Zwischenabstand gegenüber der Platine200 . - Der Chip
300 ist an sämtlichen freiliegenden Bereichen seiner Ober- und Unterseiten kontaktiert und gleichzeitig von einem weichen Gelmittel400 , beispielsweise einem Silikongel, eingekapselt. Der Begriff "weich" bezieht sich hier auf einen Young-Modul des Gels, der ausreichend gering ist (typischerweise weniger als 100 psi beträgt), so dass das Gel400 derart nachgiebig ist, dass es bei Temperaturwechseln des Chips300 unter Beibehaltung von dessen elektrischen Funktionsweisen von der Bodenfläche des Chips300 entlang den Oberseiten der örtlich begrenzten schützenden Trägerschichten253 und255 gleitet. - Das Gel
400 wird eingegrenzt von einer harten, vorgeformten und halbschalenförmigen Abdeckung ("Abdeckung")500 , typischerweise aus einem Kunststoff bestehen und mit einem Flansch504 entlang ihrer Kante ("Umfangbereich") ausgestattet. Der Flansch504 besitzt eine Bodenfläche, die mit Ausnahme einer Erhöhung501 flach ist, welche um den gesamten Rand umlaufen kann (aber nicht muß). Diese Abdeckung500 besitzt mindestens zwei örtliche zylindrische Öffnungen (Löcher)502 und503 , von denen die eine den Zweck hat, das weiter unten näher beschriebene Gel400 einführen zu können, und deren andere die Möglichkeit schafft, dass Umgebungsatmosphäre (Luft) entweicht, während das Gel400 eingefüllt wird, bevor es ausgehärtet wird. Danach erfolgt die Aushärtung. - Die Bodenfläche des Flansches
504 ist mit Hilfe einer schmiegsamen Epoxyklebstoffschicht401 an einer durchgehenden schützenden Umfangsmaskenschicht251 befestigt. Beispielhafte Verdrahtungsschichten241 und246 befinden sich auf der Oberseite der Platine200 . Man sieht, dass diese Verdrahtungsschichten241 ,246 stellvertretend sind für hunderte individueller Verdrahtungen, die entlang dem Umfangsbereich der Abdeckung500 verteilt sind, und von denen jede aus Kupfer besteht und von jeweils einem Bereich der schützenden Plattierungsmaskenschicht251 überzogen ist. Die Dicke diese Plattierungsmaskenschicht251 liegt typischerweise in einem Bereich von 10 bis 50 m und besteht typischerweise aus einem fotodefinierbaren Polymer oder einem anderweitig mit einem Muster zu versehenden Polymer. Die Dicke der Epoxyklebstoffschicht401 ist relativ groß: typischerweise liegt sie in einem Bereich von 450 bis 500 μm, und damit ist die durch die Epoxyschicht201 geschaffene Bindung ziemlich (in horizontaler Richtung) biegsam. - Ein paar voneinander beabstandeter freiliegender Bereiche der Verdrahtungsschicht
241 ist mit einer geeigneten Kontaktmetallisierung überzogen, beispielsweise einer Goldschicht auf einer Nickelschicht, wodurch ein Paar beabstandeter externer und interner Kontaktpads261 bzw.262 definiert wird. In ähnlicher Weise ist ein Paar voneinander beabstandeter interner und externer Kontaktpads266 und267 auf der Verdrahtungsschicht246 gebildet. Typischerweise sind all diese Kontaktpads auf der Verdrahtungsschicht241 durch stromloses Abschalten oder durch Galvanisieren von Nickel gebildet, gefolgt durch ein Aufgalvanisieren von Gold. Vorteilhafterweise werden all diese Kontaktpads unmittelbar nach der Fertigstellung der Schutzschicht251 aufgebracht. - Die Oberseite des Chips
300 besitzt beispielhaft E/A-Stellen301 und302 . Beispielhafte Bonddrähtchen311 und312 verbinden diese E/A-Stellen301 und302 mit internen Kontaktstellen (Pads)262 bzw.266 , wie es aus dem Stand der Technik bekannt ist. - Die externen und die internen Kontaktstellen
261 und262 sind elektrisch von einer Verdrahtungsschicht241 angeschlossen, wodurch die E/A-Stelle301 elektrisch mit dem externen Kontaktpad261 über den Bonddraht311 , das interne Kontaktpad362 und die Verdrahtungsschicht241 angeschlossen ist. Auf diese Weise kann das beispielhafte externe Kontaktpad261 (oder267 oder beide) als elektrischer Zugriffspunkt für den Chip300 fungieren, um entweder den Chip300 zu testen, oder um eine Anwendungsschaltung800 (oder 900 oder beide) elektrisch an den Chip300 anzuschließen. - Auf der Oberseite der Platine
200 befindet sich ein Epoxydamm (eine Epoxymaterial-Fließsperrenschicht), die sich aus einer Metallschicht242 zusammensetzt, überzogen von einer Schutzdammschicht252 . Diese Metallschicht242 wird typischerweise aus dem gleichen Material wie die Metallisierungsverdrahtung241 und246 gebildet, typischerweise gleichzeitig mit dieser. Die Schutzdammschicht252 ist typischerweise aus den gleichen Werkstoffen und gleichzeitig gebildet wie die örtlich beschränkten Schutzträgerschichten253 ,254 und255 bzw. die Schutz-Plattierungsmaskenschicht251 . Dieser Epoxydamm hat (bei Betrachtung von oben) die Form eines um den Chip300 umlaufenden Rings und hat den Zweck, den Chip vor einer Epoxykontaminierung zu schützen, die von einem möglichen EpoxymaterialFluss in die Klebstoffschicht401 hinein stammt, besonders dann, wenn das Epoxymaterial während des Bondens der Abdeckung500 heiß ist. Dieses Epoxymaterial besitzt in vorteilhafter Weise eine relativ niedrige Glasübergangstemperatur, typischerweise etwa 45°C, allerdings erfolgt dieses Bonden vorteilhafterweise dann, wenn das Epoxymaterial ausgehärtet wird, indem es auf eine Temperatur erhitzt wird, die oberhalb der Glasübergangstemperatur liegt. - Das Bonden der Abdeckung
500 erfolgt insbesondere dadurch, dass die Abdeckung500 zunächst in ein Reservoir von ungehärtetem Epoxymaterial eingetaucht wird, wodurch die gesamte Bodenfläche des Flansches504 einschließlich dessen Erhöhung501 mit dem Epoxymaterial benetzt wird, woraufhin (mit der Hilfe einer leichten nach unten gerichteten Kraft) der Flansch504 auf der Schutz-Plattierungsmaskenschicht251 platziert wird. Die Erhöhung501 dient also zum automatischen Definieren des angestrebten vertikalen Abstands der flachen Bodenfläche des Flansches504 von der Oberseite der Schutzmaskenschicht251 . - Als eine Alternative kann man die Erhöhung
501 weglassen (d. h., die gesamte Bodenfläche des Flansches504 kann flach sein), wenn ein mechanisches Verti kalausrichtwerkzeug die Abdeckung500 an einer Stelle absetzen kann, an der der angestrebte vertikale Abstand zwischen dem Flansch504 und der Schutzmaskenschicht251 durch das Werkzeug definierbar ist. In diesem Fall kann außerdem ein nicht ausgehärteter Epoxyring vorab auf die Oberseite der Schutzmaske205 aufgebracht werden, bevor das Werkzeug die Abdeckung500 in deren Endstellung bringt (d. h.: der gewünschte Abstand liegt typischerweise in dem vorerwähnten Bereich der Dicke der Epoxyklebstoffschicht401 ). In jedem Fall wird nach dem Platzieren des Flansches504 in dem Epoxymaterial dieses anschließend durch Erwärmung ausgehärtet, um eine dauerhafte schmiegsame Bindung zwischen der Abdeckung500 und der Schutzschicht251 zu bilden, unabhängig von dem Vorhandensein oder dem Fehlen der Erhöhung501 . - Zum Einbringen des Gels
400 wird dieses im ungehärteten Zustand beispielsweise durch das Loch502 eingefüllt, während überschüssige Luft durch das andere Loch503 ausgetrieben wird. Das ungehärtete Gel besitzt vorteilhafterweise eine extrem geringe Viskosität und hohe Oberflächenbenetzungsfähigkeit, so dass es rasch durch die Räume zwischen den jeweils benachbarten beispielhaften örtlich beschränkten Schutzträgerschichten243 und255 fließt. Das Einfüllen des Gels wird fortgesetzt, bis der gewünschte Pegelstand des Gels400 erreicht ist. Die geringe Viskosität des nicht ausgehärteten Gels verhindert jegliches Verschieben von Bonddrähtchen. Anschließend wird das Gel durch Erhitzung ausgehärtet. - Wegen der oben erwähnten nachgiebigen Eigenschaften sowohl des weichen Gels
400 als auch der Bindung zwischen der Abdeckung500 und der Schutzschicht251 stört die Wärmeausdehnungs-Fehlanpassung zwischen der Platine200 und der Abdeckung500 die Integrität der Bonddrähtchen311 und312 während der Temperaturwechsel nicht; denn die Platine200 kann sich frei ausdehnen oder zusammenziehen, im Wesentlichen unabhängig von der Abdeckung500 . - Die geringe Viskosität des nicht ausgehärteten Gels und dessen gute Benetzungsfähigkeit garantieren außerdem ein vollständiges Unterfüllen des elektronischen Bauelements
300 mit Gel, eingeschlossen der Fall, dass das elektronische Bauelement300 ein Mehrfachchip-Modul ist, bestehend aus zwei oder mehr integrierten Chips, die nach Flipchip-Art auf das Substrat gebondet sind, beispielsweise ein Silizium- oder Keramiksubstrat, oder der Fall, dass das elektronische Bauelement300 ein Verbundstoff ist, beispielsweise ein derartiger Chip oder ein Modul, welches nach Flipchip-Art oder anderweitig auf ein zweites derartiges Chip oder Modul gebondet ist. - Zusammengefasst: Während Temperaturwechseln beim elektrischen Betrieb des elektronischen Bauelements
300 kann die Bodenfläche des Chips300 frei entlang den Oberseiten der örtlich beschränkten Trägerschichten253 und255 gleiten, und der Chip selbst kann sich in dem Gel400 seitlich bewegen, wodurch die Temperaturwechsel des Gels bei elektrischem Betrieb des Chips300 keine unerwünschten Spannungen oder Beanspruchungen hervorrufen, weder in dem Chip300 noch in der Platine200 , wobei außerdem nicht die elektrische Unversehrtheit der als Beispiel dargestellten Bonddrähtchen311 ,312 gefährdet wird. - Die Platine
200 besitzt ein separates lokales Durchgangsloch (Öffnung), das sich von ihrer Bodenfläche zu ihrer Oberseite an einzelnen Stellen erstreckt, die sich innerhalb der seitlichen Ausdehnung jeder der beispielhaften Verdrahtungsschichten241 ,246 befinden, wie es aus dem Stand der Technik bekannt ist. Jedes der beispielhaften Platinen-Lotpads221 und224 , typischerweise aus Kupfer bestehend, befindet sich auf der Bodenfläche der Platine200 an der Stelle jeder dieser Öffnungen, wie es aus dem Stand der Technik bekannt ist. Die Seitenwand jeder dieser Öffnungen ist mit einer Seitenwandmetallisierung231 und236 überzogen, typischerweise aus Kupfer bestehend. Der Boden jeder dieser Seitenwandmetallisierungen231 und236 bildet über Lotkügelchen201 bzw.204 elektrische Kontakte zu elektrisch leitenden Mutterplatinen-Verdrahtungsschichten101 bzw.104 , die sich auf einer Oberseite einer Mutterplatine100 befinden, wie es aus dem Stand der Technik bekannt ist. Ein zweidimensionales Feld von beispielhaften Lotkügelchen202 ,203 , typischerweise in der Größenordnung von100 (oder mehr oder weniger) insgesamt, bilden eine elektrische Verbindung der beispielhaften Platinenverdrahtungsschichten222 ,223 mit beispielhaften Mutterplatinen-Verdrahtungsschichten102 bzw.103 , wie es bekannt ist. Die freiliegende Oberfläche jedes der Platinen-Lotpads221 und224 ist mit einer Lotmaskierschicht221 bzw.216 überzogen, wie es aus dem Stand der Technik bekannt ist. Die freiliegende Oberfläche jeder der Mutterplatinen-Verdrahtungsschichten101 ,102 ,103 ,104 ist mit einer getrennten Lotsperrenschicht111 ,112 ,113 bzw.114 beschichtet, wie es aus dem Stand der Technik bekannt ist. - Die Mutterplatine
100 kann z. B. aus Aramid, Epoxyglas oder glasfaserverstärktem Epoxymaterial bestehen. Die Platine200 kann aus Epoxymaterial, glasfaserverstärktem Epoxymaterial, Polyimid oder Keramik bestehen. Diese Platine200 kann in vorteilhafter Weise mit Hilfe der Lotkügelchen201 ,202 ,203 und204 an die Mutterplatine100 gelötet werden, entweder bevor oder nachdem der Flansch504 an der Erhöhung501 angebracht wurde (oder direkt an der Schutzschicht251 angebracht wurde), abhängig davon, wann das Gel400 ausgehärtet wird: Das Verlöten der Platine200 an der Mutterplatine100 geschieht in vorteilhafter Weise entweder vor dem Einführen des Gels400 oder nachdem das Gel ausgehärtet ist, wobei es in jedem Fall ratsam ist, dass die Zeitspanne zwischen Einfüllen und Aushärten des Gels minimiert wird. - Bezugnehmend auf
2 ist anstelle der zylindrischen Öffnungen502 und503 eine Halbschalenabdeckung600 mit mindestens zwei sich verjüngenden Öffnungen602 und603 vorgesehen. Die Verjüngung dieser sich verjüngenden Öffnungen602 und603 ist derart bemessen (z. B. im Durchmesser), dass die Öffnung an der Innenfläche kleiner ist als an der Außenfläche der Abdeckung600 . - Ein Beispiel: Der Innendurchmesser der Öffnungen
602 und603 entspricht etwa 1,3 mm, ihr Außendurchmesser beträgt etwa 2,0 mm. In jedem Fall ist in vorteilhafter Weise das Verhältnis der Außenfläche jeder der Öffnungen602 und603 zu deren Innenfläche etwa im Bereich von 2,0 bis 5,0. Typischerweise wird eine derartige Verjüngung dadurch erreicht, dass die zum Herstellen der Abdeckung600 mittels üblichem Spritzgussverfahren verwendete Metallform entsprechend gestaltet wird. Auf diese Weise neigen die Verjüngungen der Öffnungen602 und603 dazu, einen unerwünschten Fluss von Gel durch die Öffnungen zu unterdrücken, bevor dieses Gel400 ausgehärtet ist. Darüber hinaus erleichtern diese Verjüngungen ein im Wesentlichen lecksicheres Abdichten zwischen der Abdeckung600 und dem Bauelement (z. B. mit einer sich verjüngenden Hohlnadel), die dazu dient, das Gel in die Abdeckung600 einzuspritzen. - Es ist weiterhin von Vorteil (s.
3 ), dass ein Par sich verjüngender Öffnungen702 und703 sich an einander entgegensetzten Enden einer Diagonale der oberen quadratischen Fläche eine Abdeckung700 befindet. Gleichzeitig ist es von Vorteil, dass die Hilfsflansche705 und708 sich an einer (schrägen) Seitenwand der Abdeckung700 befinden, und sich Hilfsflansche706 und707 an deren gegenüberliegender (schrägen) Seitenwand befinden. - Der Zweck der Hilfsflansche
705 ,706 ,707 und708 ist es, die Abdeckung700 schließlich korrekt bezüglich einer (nicht gezeigten) Quelle des Gelmaterials400 zu orientieren. Zu diesem Zweck besitzt ein (nicht gezeigtes) Gehäuse einen Eingang, der den Eintritt der Abdeckung700 ermöglicht, wenn, und nur wenn keiner der Hilfsflansche705 ,706 ,707 oder708 diesen Eintritt verhindert. Ein (nicht gezeigtes) Platzierungswerkzeug nimmt anschließend die Abdeckung700 aus dem Gehäuse und setzt sich schließlich an die richtige Stelle mit der richtigen Orientierung über der Platine200 ab. Hierdurch werden die Öffnung702 und703 passend mit einer örtlichen Quelle für das Gel400 ausgerichtet. Diese Quelle enthält typischerweise einen (nicht gezeigten) Spender mit einer Düse zum Ausstoßen des Gels. Beispielsweise gibt es insgesamt zehn Halbschalenabdeckungen700 , die über einem Feld von zwei mal fünf elektrischen Bauelementen300 liegen, diese wiederum jeweils über der betreffenden Platine200 . Das Platzierungswerkzeug platziert jede der zehn Abdeckungen an deren jeweiliger Stelle über den zehn zugehörigen elektronischen Bauelementen. - Wenn insbesondere die Abdeckung
700 in der Horizontalebene (xy) gemäß3 orientiert wird oder um einen Winkel von 180° in der Horizontalebene gedreht wird, (und zwar nur dann) kann die Abdeckung700 in das vorerwähnte Gehäuse eintreten. Damit fungieren die Flansche als mechanische Anschläge, um zu verhindern, dass die Abdeckung700 in das Gehäuse bei unerwünschter Orientierung eintritt. Unerwünschte Orientierungen der Abdeckung700 gegenüber dem Platzierungswerkzeug werden damit ebenso wie schließlich unerwünschte Orientierung gegenüber der lokalisierten Quelle für das Gelmaterial verhindert. Um es zu veranschaulichen: Ausgehend von einer Anfangsstellung, die sich zur Aufnahme des Gels von der örtlichen Gelquelle eignet, führt zwar eine Drehung um 180° in der Horizontalebene die Abdeckung700 wieder in eine geeignete Gelaufnahmestellung zurück, nicht hingegen eine Drehung um 90° (aufgrund der fehlenden 90°-Rotationssymmetrie der beiden Öffnungen702 und703 ). Damit gestatten die Hilfsflansche705 ,706 ,707 und708 der Abdeckung700 , in das vorerwähnte Gehäuse nur in der gewünschten Orientierung einzutreten. - Auf diese Weise kann z. B. durch ein zufallsabhängiges Schütteln der Abdeckung
700 zusammen mit den darunterliegenden Teilen die Abdeckung700 in das Gehäuse eintreten, damit die örtliche Gelquelle schließlich passend mit einer der Öffnungen202 oder203 ausgerichtet ist. - Obschon die Erfindung im Detail unter Bezugnahme auf ein spezielles Ausführungsbeispiel beschrieben wurde, sind verschiedene Modifikationen möglich, ohne vom Schutzumfang der Erfindung abzuweisen. Beispielsweise können die Lotkügelchen
201 ,202 ,203 und204 so gestaltet werden, wie es in dem US-Patent 5 346 118 (Degani 14-8-4) beschrieben ist, oder es kann sich um eine Einsteck-Stiftarray handeln, wie es aus dem Stand der Technik bekannt ist. Alternativ kann die Mutterplatine100 weggelassen werden, und die gesamte Zugriffsschaltung kann dann an oder in der Platine200 platziert werden, speziell dann, wenn letztere auf eine Mehrschicht-Metallisierungsplatine laminiert wird. - Anstatt die Trägerelemente durch Metallinseln
243 ,244 und245 , die mit örtlich begrenzten Trägerschichten253 ,254 und255 bedeckt sind, auszubilden, können diese Trägerelemente beispielsweise auch durch lediglich örtliche Polymerschichten oder durch Vertiefungszonen (und folglich mit komplementären erhabenen Zonen) gebildet werden, die (durch Prägen) in der Oberseite der Platine200 gebildet werden. Darüber hinaus kann das (zentrierte) Trägerelement, das durch örtliche Trägerschichten254 und die darunterliegende metallische Inselschicht244 gebildet wird, mit einem oder mehreren der übrigen Trägerelemente verfestigt werden, beispielsweise den Trägerelementen, die durch die örtlichen Trägerschichten253 und255 gebildet werden, gemeinsam mit ihren zugehörigen untenliegenden metallischen Inselschichten243 und245 , wodurch lediglich ein einziges Trägerelement gebildet wird, bei dem dann ein Klebstoff300 nur auf eine zentrale Zone dieses einzigen Trägerelements aufgebracht wird, damit der Chip300 frei ist, um seitlich an den Umfangszonen seines Trägerelements gleiten zu können. Außerdem kann der örtliche Klebstoff304 auf ein oder mehrere weitere Trägerelemente verteilt werden, da die Gesamtheit sämtlicher Kontaktflächen des Klebstoffs auf Trägerelemente be schränkt ist auf eine zentrale Zone des Chips300 , die im Vergleich zur Bodenfläche des Chips klein ist, vorteilhafterweise nur ein Zehntel davon beträgt. - Die Anwendungsschaltung
800 oder900 oder beide Schaltungen können eine Testschaltung enthalten, und es kann eine (nicht gezeigte) weitere Schaltung an eine oder mehrere der Mutterplatinen-Verdrahtungsschichten101 ,102 ,103 ,104 angeschlossen sein, wie es aus dem Stand der Technik bekannt ist.
Claims (7)
- Elektronikgehäuse, umfassend: (a) eine Schaltungsplatine (
200 ) mit einer Oberseite; (b) ein elektronisches Bauelement (300 ) mit einer Unterseite; (c) ein oder mehrere Halteelemente (243 ,251 ;244 ,254 ;245 ,255 ), die jeweils auf der Oberseite der Schaltungsplatine angeordnet sind, eine Oberseite von jedem von dem einen oder mehreren Halteelementen mit einer Schutzschicht (253 ,254 ,255 ) überzogen ist und die Unterseite des elektronischen Bauelements mechanisch trägt; (d) einen örtlich begrenzten Klebstoff (304 ), der einen Teil der Oberseite von mindestens einem der Halteelemente mit der Unterseite des elektronischen Bauelements in Berührung hält, wobei die Gesamtheit sämtlicher Kontaktbereiche klein ist im Vergleich zur Fläche der Unterseite; (e) eine von dem elektronischen Bauelement beabstandete Abdeckung (500 ) mit einer Umfangsfläche, die schmiegsam entweder mit der Schaltungsplatine oder mit einem Schutzüberzug (251 ) verbunden ist, welcher einen Teil der Oberseite des Schaltungsplatine bedeckt; und (f) ein nachgiebiges Medium (400 ), das in der Abdeckung enthalten ist und die freiliegenden Ober- und Unterseiten des elektronischen Bauelements bedeckt. - Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Klebstoff mit den Oberseiten von mindestens einem aber nicht sämtlichen Halteelementen in Berührung steht, wodurch die Oberseite des mindestens einen von den Halteelementen mit der Unterseite des elektronischen Bauelements verbunden wird, und wodurch die Oberseite von mindestens einem weiteren der Halteelemente nicht mit der Unterseite des elektronischen Bauelements verbunden wird, und wobei die Oberseiten der Halteelemente in einer Ebene liegen.
- Gehäuse nach Anspruch 1 oder 2, bei dem jedes der Halteelemente eine Metallschicht (
243 ,244 ,245 ) aufweist, deren freiliegende Oberseite mit der Schutzschicht überzogen ist. - Gehäuse nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das nachgiebige Medium (
400 ) eine Oberseite besitzt, die in einem distanzierten Abstand unterhalb der Unterseite der Abdeckung liegt. - Gehäuse nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4, bei dem die Abdeckung mindestens zwei örtlich beschränkte Öffnungen besitzt, die verjüngte Seitenwände besitzen, so dass das Verhältnis der Außenfläche zur Innenfläche jeder der Öffnungen größer als etwa 2,0 ist.
- Gehäuse nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Umfangsfläche der Abdeckung Hilfsflansche (
705 ,706 ,707 ,708 ) besitzt, und die Öffnungen an jeweiligen Stellen zueinander derart angeordnet sind, dass, wenn die Abdeckung um 90° um ihre rechtwinklig zur Oberseite der Abdeckung verlaufende Achse gedreht wird, keine der Öffnungen sich an irgendeiner der jeweiligen Stellen befindet. - Gehäuse nach Anspruch 1, 2, 3, 4, 5 oder 6, weiterhin umfassend eine Mehrzahl von Bonddrähtchen (
311 ,312 ), die an der Oberseite des elektronischen Bauelements angebracht sind.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16854393A | 1993-12-16 | 1993-12-16 | |
US168543 | 1993-12-16 | ||
US260859 | 1994-06-16 | ||
US08/260,859 US5473512A (en) | 1993-12-16 | 1994-06-16 | Electronic device package having electronic device boonded, at a localized region thereof, to circuit board |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69432968D1 DE69432968D1 (de) | 2003-08-28 |
DE69432968T2 true DE69432968T2 (de) | 2004-04-22 |
Family
ID=26864230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69432968T Expired - Lifetime DE69432968T2 (de) | 1993-12-16 | 1994-12-01 | Gehäuse für elektronische Bauelemente |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5473512A (de) |
EP (1) | EP0660383B1 (de) |
JP (1) | JP3177570B2 (de) |
DE (1) | DE69432968T2 (de) |
Families Citing this family (90)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5834339A (en) | 1996-03-07 | 1998-11-10 | Tessera, Inc. | Methods for providing void-free layers for semiconductor assemblies |
US6020219A (en) * | 1994-06-16 | 2000-02-01 | Lucent Technologies Inc. | Method of packaging fragile devices with a gel medium confined by a rim member |
US6225700B1 (en) * | 1994-12-08 | 2001-05-01 | Kyocera Corporation | Package for a semiconductor element having depressions containing solder terminals |
JPH0917919A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-01-17 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
US5818699A (en) * | 1995-07-05 | 1998-10-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multi-chip module and production method thereof |
US5640746A (en) * | 1995-08-15 | 1997-06-24 | Motorola, Inc. | Method of hermetically encapsulating a crystal oscillator using a thermoplastic shell |
TW353223B (en) * | 1995-10-10 | 1999-02-21 | Acc Microelectronics Corp | Semiconductor board providing high signal pin utilization |
US5710071A (en) * | 1995-12-04 | 1998-01-20 | Motorola, Inc. | Process for underfilling a flip-chip semiconductor device |
EP0778616A3 (de) | 1995-12-05 | 1999-03-31 | Lucent Technologies Inc. | Verfahren zum Verpacken von Anordnungen mit einem Gel, begrenzt durch ein Randelement |
US5767447A (en) | 1995-12-05 | 1998-06-16 | Lucent Technologies Inc. | Electronic device package enclosed by pliant medium laterally confined by a plastic rim member |
US6861290B1 (en) * | 1995-12-19 | 2005-03-01 | Micron Technology, Inc. | Flip-chip adaptor package for bare die |
US5719440A (en) | 1995-12-19 | 1998-02-17 | Micron Technology, Inc. | Flip chip adaptor package for bare die |
US6351389B1 (en) | 1996-05-07 | 2002-02-26 | Sun Microsystems, Inc. | Device and method for packaging an electronic device |
US6730991B1 (en) * | 1996-06-11 | 2004-05-04 | Raytheon Company | Integrated circuit chip package |
US5949654A (en) * | 1996-07-03 | 1999-09-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multi-chip module, an electronic device, and production method thereof |
US6075289A (en) * | 1996-10-24 | 2000-06-13 | Tessera, Inc. | Thermally enhanced packaged semiconductor assemblies |
US6150193A (en) * | 1996-10-31 | 2000-11-21 | Amkor Technology, Inc. | RF shielded device |
US6962829B2 (en) * | 1996-10-31 | 2005-11-08 | Amkor Technology, Inc. | Method of making near chip size integrated circuit package |
US5981314A (en) * | 1996-10-31 | 1999-11-09 | Amkor Technology, Inc. | Near chip size integrated circuit package |
US6127724A (en) * | 1996-10-31 | 2000-10-03 | Tessera, Inc. | Packaged microelectronic elements with enhanced thermal conduction |
US5990545A (en) * | 1996-12-02 | 1999-11-23 | 3M Innovative Properties Company | Chip scale ball grid array for integrated circuit package |
JPH10163386A (ja) * | 1996-12-03 | 1998-06-19 | Toshiba Corp | 半導体装置、半導体パッケージおよび実装回路装置 |
FR2758005B1 (fr) * | 1996-12-30 | 1999-05-07 | Solaic Sa | Module a circuit integre comportant un organe de conformation |
FR2758908B1 (fr) * | 1997-01-24 | 1999-04-16 | Thomson Csf | Boitier d'encapsulation hyperfrequences bas cout |
US5814401A (en) * | 1997-02-04 | 1998-09-29 | Motorola, Inc. | Selectively filled adhesive film containing a fluxing agent |
US5798567A (en) * | 1997-08-21 | 1998-08-25 | Hewlett-Packard Company | Ball grid array integrated circuit package which employs a flip chip integrated circuit and decoupling capacitors |
US6096576A (en) | 1997-09-02 | 2000-08-01 | Silicon Light Machines | Method of producing an electrical interface to an integrated circuit device having high density I/O count |
US6629363B1 (en) * | 1998-01-22 | 2003-10-07 | International Business Machines Corporation | Process for mechanically attaching a temporary lid to a microelectronic package |
USRE43112E1 (en) | 1998-05-04 | 2012-01-17 | Round Rock Research, Llc | Stackable ball grid array package |
US6194782B1 (en) * | 1998-06-24 | 2001-02-27 | Nortel Networks Limited | Mechanically-stabilized area-array device package |
KR100418013B1 (ko) * | 1998-07-28 | 2004-02-14 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US6303986B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-10-16 | Silicon Light Machines | Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die |
JP3395164B2 (ja) * | 1998-11-05 | 2003-04-07 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 半導体装置 |
US6490166B1 (en) * | 1999-06-11 | 2002-12-03 | Intel Corporation | Integrated circuit package having a substrate vent hole |
US6444499B1 (en) * | 2000-03-30 | 2002-09-03 | Amkor Technology, Inc. | Method for fabricating a snapable multi-package array substrate, snapable multi-package array and snapable packaged electronic components |
US6351391B1 (en) * | 2000-05-15 | 2002-02-26 | International Business Machines Corporation | Signal busses on printed board structures mounting ASIC chips with signal termination resistor devices using planar signal terminating devices |
JP2002026198A (ja) * | 2000-07-04 | 2002-01-25 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
KR100522838B1 (ko) * | 2000-10-23 | 2005-10-19 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
US6707591B2 (en) | 2001-04-10 | 2004-03-16 | Silicon Light Machines | Angled illumination for a single order light modulator based projection system |
JP2003007921A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
US6782205B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-08-24 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing |
US6747781B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-06-08 | Silicon Light Machines, Inc. | Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle |
US6829092B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Blazed grating light valve |
US6496355B1 (en) * | 2001-10-04 | 2002-12-17 | Avx Corporation | Interdigitated capacitor with ball grid array (BGA) terminations |
SG104291A1 (en) * | 2001-12-08 | 2004-06-21 | Micron Technology Inc | Die package |
US6800238B1 (en) | 2002-01-15 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics |
US20030150641A1 (en) * | 2002-02-14 | 2003-08-14 | Noyan Kinayman | Multilayer package for a semiconductor device |
DE10219762A1 (de) * | 2002-05-02 | 2003-11-13 | Vacuumschmelze Gmbh & Co Kg | Vergussgehäuse für elektrische und elektronische Bauelemente, Vorrichtung daraus und Verfahren zum Herstellen |
US6767751B2 (en) | 2002-05-28 | 2004-07-27 | Silicon Light Machines, Inc. | Integrated driver process flow |
US6728023B1 (en) | 2002-05-28 | 2004-04-27 | Silicon Light Machines | Optical device arrays with optimized image resolution |
US6822797B1 (en) | 2002-05-31 | 2004-11-23 | Silicon Light Machines, Inc. | Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light |
US6829258B1 (en) | 2002-06-26 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Rapidly tunable external cavity laser |
US6714337B1 (en) | 2002-06-28 | 2004-03-30 | Silicon Light Machines | Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response |
US6813059B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Silicon Light Machines, Inc. | Reduced formation of asperities in contact micro-structures |
US6801354B1 (en) | 2002-08-20 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses |
US6712480B1 (en) | 2002-09-27 | 2004-03-30 | Silicon Light Machines | Controlled curvature of stressed micro-structures |
US6806997B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-10-19 | Silicon Light Machines, Inc. | Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction |
US6829077B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane |
JP2004311784A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Fuji Xerox Co Ltd | 光検出装置、及びその実装方法 |
US6897562B2 (en) * | 2003-04-11 | 2005-05-24 | Motorola Corporation | Electronic component and method of manufacturing same |
US20050012197A1 (en) * | 2003-07-15 | 2005-01-20 | Smith Mark A. | Fluidic MEMS device |
TWI242863B (en) * | 2003-09-15 | 2005-11-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Heat dissipating structure and semiconductor package with the heat dissipating structure |
DE10345377B4 (de) * | 2003-09-30 | 2009-07-30 | Qimonda Ag | Halbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls |
DE102004015597B4 (de) * | 2004-03-30 | 2007-12-06 | Qimonda Ag | Halbleitervorrichtung mit schützender Gehäusestruktur |
US7420809B2 (en) * | 2004-06-22 | 2008-09-02 | Lsi Corporation | Heat spreader in integrated circuit package |
US8053872B1 (en) | 2007-06-25 | 2011-11-08 | Rf Micro Devices, Inc. | Integrated shield for a no-lead semiconductor device package |
US8062930B1 (en) | 2005-08-08 | 2011-11-22 | Rf Micro Devices, Inc. | Sub-module conformal electromagnetic interference shield |
US8959762B2 (en) | 2005-08-08 | 2015-02-24 | Rf Micro Devices, Inc. | Method of manufacturing an electronic module |
US8061012B2 (en) * | 2007-06-27 | 2011-11-22 | Rf Micro Devices, Inc. | Method of manufacturing a module |
US8520402B1 (en) * | 2005-10-25 | 2013-08-27 | Xilinx, Inc. | Decoupling capacitor circuit assembly |
TWI283056B (en) * | 2005-12-29 | 2007-06-21 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Circuit board and package structure thereof |
US7994632B2 (en) * | 2006-01-10 | 2011-08-09 | International Rectifier Corporation | Interdigitated conductive lead frame or laminate lead frame for GaN die |
TW200743190A (en) * | 2006-05-10 | 2007-11-16 | Chung-Cheng Wang | A heat spreader for electrical device |
US8178956B2 (en) * | 2007-12-13 | 2012-05-15 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system for shielding electromagnetic interference |
JP2011077108A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
DE102009047681A1 (de) * | 2009-12-08 | 2011-06-09 | Robert Bosch Gmbh | Schaltungsmodul und Verfahren zur Herstellung eines solchen Schaltungsmoduls |
US8810028B1 (en) * | 2010-06-30 | 2014-08-19 | Xilinx, Inc. | Integrated circuit packaging devices and methods |
US9137934B2 (en) | 2010-08-18 | 2015-09-15 | Rf Micro Devices, Inc. | Compartmentalized shielding of selected components |
US8835226B2 (en) | 2011-02-25 | 2014-09-16 | Rf Micro Devices, Inc. | Connection using conductive vias |
US9627230B2 (en) | 2011-02-28 | 2017-04-18 | Qorvo Us, Inc. | Methods of forming a microshield on standard QFN package |
US9226402B2 (en) * | 2012-06-11 | 2015-12-29 | Mc10, Inc. | Strain isolation structures for stretchable electronics |
US9807890B2 (en) | 2013-05-31 | 2017-10-31 | Qorvo Us, Inc. | Electronic modules having grounded electromagnetic shields |
KR20150057838A (ko) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 삼성전기주식회사 | 전자 부품 모듈 |
US9698076B1 (en) * | 2015-12-22 | 2017-07-04 | Ksr Ip Holdings Llc. | Metal slugs for double-sided cooling of power module |
US11127689B2 (en) | 2018-06-01 | 2021-09-21 | Qorvo Us, Inc. | Segmented shielding using wirebonds |
US11219144B2 (en) | 2018-06-28 | 2022-01-04 | Qorvo Us, Inc. | Electromagnetic shields for sub-modules |
FR3085576B1 (fr) | 2018-09-04 | 2021-07-16 | St Microelectronics Grenoble 2 | Couvercle pour boitier de circuit integre |
US11225409B2 (en) | 2018-09-17 | 2022-01-18 | Invensense, Inc. | Sensor with integrated heater |
US11114363B2 (en) | 2018-12-20 | 2021-09-07 | Qorvo Us, Inc. | Electronic package arrangements and related methods |
US11515282B2 (en) | 2019-05-21 | 2022-11-29 | Qorvo Us, Inc. | Electromagnetic shields with bonding wires for sub-modules |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60136231A (ja) * | 1983-12-24 | 1985-07-19 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US4884124A (en) * | 1986-08-19 | 1989-11-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin-encapsulated semiconductor device |
DE3784213T2 (de) * | 1986-10-29 | 1993-06-03 | Toshiba Kawasaki Kk | Elektronischer apparat mit einem keramischen substrat. |
DE3881382T2 (de) * | 1988-03-29 | 1994-01-20 | Agency Ind Science Techn | Halbleiterchip, verbunden mit einem Substrat. |
US5241133A (en) * | 1990-12-21 | 1993-08-31 | Motorola, Inc. | Leadless pad array chip carrier |
NO911774D0 (no) * | 1991-05-06 | 1991-05-06 | Sensonor As | Anordning ved innkapsling av et funksjonsorgan, samt fremgangsmaate for fremstilling av samme. |
DE4242408C2 (de) * | 1991-12-11 | 1998-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zum Verbinden eines Schaltkreissubstrates mit einem Halbleiterteil |
US5311059A (en) * | 1992-01-24 | 1994-05-10 | Motorola, Inc. | Backplane grounding for flip-chip integrated circuit |
US5346118A (en) * | 1993-09-28 | 1994-09-13 | At&T Bell Laboratories | Surface mount solder assembly of leadless integrated circuit packages to substrates |
-
1994
- 1994-06-16 US US08/260,859 patent/US5473512A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-12-01 EP EP94308914A patent/EP0660383B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-12-01 DE DE69432968T patent/DE69432968T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-12-15 JP JP33286094A patent/JP3177570B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07202076A (ja) | 1995-08-04 |
EP0660383B1 (de) | 2003-07-23 |
JP3177570B2 (ja) | 2001-06-18 |
DE69432968D1 (de) | 2003-08-28 |
US5473512A (en) | 1995-12-05 |
EP0660383A1 (de) | 1995-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69432968T2 (de) | Gehäuse für elektronische Bauelemente | |
DE69133468T3 (de) | Halbleiterchipanordnungen, Herstellungsmethoden und Komponenten für dieselbe | |
DE69112134T2 (de) | Modulares elektronisches Verpackungssystem. | |
DE10229692B4 (de) | Leiterplatte, Mehrchippackung und zugehöriges Herstellungsverfahren | |
DE69710248T2 (de) | Bondverfahren für integrierte Schaltung | |
DE69209772T2 (de) | Gehäuseanordnung für ein funktionales bauelement und herstellungsverfahren | |
DE69315451T2 (de) | Chipträgerpackung für gedruckte Schaltungsplatte, wobei der Chip teilweise eingekapselt ist, und deren Herstellung | |
DE102009044712B4 (de) | Halbleiter-Bauelement | |
DE69332191T2 (de) | Halbleiteranordnung mit Überchipanschlüssen | |
DE68923512T2 (de) | Gitterartige Steckerstift-Anordnung für einen paketförmigen integrierten Schaltkreis. | |
DE102004013056B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
DE10142120A1 (de) | Elektronisches Bauteil mit wenigstens zwei gestapelten Halbleiterchips sowie Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE102006032073B4 (de) | Elektrisch leitfähiger Verbund aus einem Bauelement und einer Trägerplatte | |
DE102009011975B4 (de) | Halbleiteranordnung mit einem lagestabilen überdeckten Element | |
DE102008033465A1 (de) | Halbleiterbaugruppe mit einem Gehäuse | |
DE112007003208T5 (de) | Ein Halbleitergehäuse | |
DE69004581T2 (de) | Plastikumhüllte Hybrid-Halbleiteranordnung. | |
DE69129906T2 (de) | Kontaktstiftloser chip-träger mit kontaktfeldern | |
DE19920444B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbausteins sowie Halbleiterbaustein | |
DE2528573A1 (de) | Halbleiterschaltungs-verbindungseinrichtung | |
DE102013103351A1 (de) | Elektronikmodul | |
DE10162676B4 (de) | Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip und einer Umverdrahtungsplatte und Systemträger für mehrere elektronische Bauteile sowie Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE102006024147B3 (de) | Elektronisches Modul mit Halbleiterbauteilgehäuse und einem Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE69520073T2 (de) | Verfahren zur Einkapselung eines optischen Bauelements unter Verwendung eines dafür angepassten Leiterrrahmens | |
DE10142117A1 (de) | Elektronisches Bauteil mit wenigstens zwei gestapelten Halbleiterchips sowie Verfahren zu seiner Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition |