DE69331618T2 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, wobei ein seitlich abgegrenzter Halbleiterbereich selbst-justiert in einem Halbleiterkörper erzeugt wird - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, wobei ein seitlich abgegrenzter Halbleiterbereich selbst-justiert in einem Halbleiterkörper erzeugt wird

Info

Publication number
DE69331618T2
DE69331618T2 DE69331618T DE69331618T DE69331618T2 DE 69331618 T2 DE69331618 T2 DE 69331618T2 DE 69331618 T DE69331618 T DE 69331618T DE 69331618 T DE69331618 T DE 69331618T DE 69331618 T2 DE69331618 T2 DE 69331618T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
electrode
semiconductor
region
base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69331618T
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE69331618D1 (de
Inventor
Ronald Dekker
Henricus Godefridus Rafael Maas
Armand Pruijmboom
Wilhelmus T.A. Van Den Einden
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Publication of DE69331618D1 publication Critical patent/DE69331618D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69331618T2 publication Critical patent/DE69331618T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/0107—Integrating at least one component covered by H10D12/00 or H10D30/00 with at least one component covered by H10D8/00, H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integrating IGFETs with BJTs
    • H10D84/0109—Integrating at least one component covered by H10D12/00 or H10D30/00 with at least one component covered by H10D8/00, H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integrating IGFETs with BJTs the at least one component covered by H10D12/00 or H10D30/00 being a MOS device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H10D10/01—Manufacture or treatment
    • H10D10/051—Manufacture or treatment of vertical BJTs
    • H10D10/056—Manufacture or treatment of vertical BJTs of vertical BJTs having the main current going through the whole substrate, e.g. power BJTs
    • H10D10/058—Manufacture or treatment of vertical BJTs of vertical BJTs having the main current going through the whole substrate, e.g. power BJTs having multi-emitter structures, e.g. interdigitated, multi-cellular or distributed emitters
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/01—Manufacture or treatment
    • H10D30/012—Manufacture or treatment of static induction transistors [SIT], e.g. permeable base transistors [PBT]
    • H10D64/011—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/02—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies
    • H10D84/03—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology
    • H10D84/038—Manufacture or treatment characterised by using material-based technologies using Group IV technology, e.g. silicon technology or silicon-carbide [SiC] technology using silicon technology, e.g. SiGe

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
DE69331618T 1992-10-23 1993-10-14 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, wobei ein seitlich abgegrenzter Halbleiterbereich selbst-justiert in einem Halbleiterkörper erzeugt wird Expired - Fee Related DE69331618T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP92203255 1992-10-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69331618D1 DE69331618D1 (de) 2002-04-04
DE69331618T2 true DE69331618T2 (de) 2002-10-17

Family

ID=8210990

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69331618T Expired - Fee Related DE69331618T2 (de) 1992-10-23 1993-10-14 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, wobei ein seitlich abgegrenzter Halbleiterbereich selbst-justiert in einem Halbleiterkörper erzeugt wird

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5405789A (cg-RX-API-DMAC10.html)
JP (1) JPH06204167A (cg-RX-API-DMAC10.html)
KR (1) KR100300892B1 (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE (1) DE69331618T2 (cg-RX-API-DMAC10.html)
TW (1) TW228604B (cg-RX-API-DMAC10.html)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2630292B2 (ja) * 1995-02-27 1997-07-16 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US5589413A (en) * 1995-11-27 1996-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of manufacturing self-aligned bit-line during EPROM fabrication
FI20031060L (fi) * 2001-01-18 2003-09-11 Iogen Bio Produckts Corp Ksylanaasikäsittelymenetelmiä valkaisussa
EP2787526B1 (en) 2011-12-02 2016-07-27 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor device fabrication method
CN103354208B (zh) * 2013-05-20 2016-01-06 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 一种碳化硅沟槽型jfet的制作方法
WO2016073610A1 (en) 2014-11-07 2016-05-12 Novozymes A/S Xylanase based bleach boosting

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2610140B1 (fr) * 1987-01-26 1990-04-20 Commissariat Energie Atomique Circuit integre cmos et procede de fabrication de ses zones d'isolation electrique
US5006476A (en) * 1988-09-07 1991-04-09 North American Philips Corp., Signetics Division Transistor manufacturing process using three-step base doping
US5128271A (en) * 1989-01-18 1992-07-07 International Business Machines Corporation High performance vertical bipolar transistor structure via self-aligning processing techniques

Also Published As

Publication number Publication date
KR100300892B1 (ko) 2001-11-30
KR940010243A (ko) 1994-05-24
TW228604B (cg-RX-API-DMAC10.html) 1994-08-21
US5405789A (en) 1995-04-11
DE69331618D1 (de) 2002-04-04
JPH06204167A (ja) 1994-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3326534C2 (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE69225552T2 (de) Lateraler doppel-diffundierter MOS-Transistor und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0118709B1 (de) Verfahren zum Herstellen von MOS-Transistoren mit flachen Source/Drain-Gebieten, kurzen Kanallängen und einer selbstjustierten, aus einem Metallsilizid bestehenden Kontaktierungsebene
DE2640525C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer MIS-Halbleiterschaltungsanordnung
DE3789894T2 (de) MOS-Feldeffekttransistor und dessen Herstellungsmethode.
DE19950708C2 (de) Verfahren zum Bilden von selbstjustierenden Cobaltsilicid-Schichten mit lokal unterschiedlicher Schichtdicke
DE3587231T2 (de) Verfahren zum herstellen einer dmos-halbleiteranordnung.
DE69508506T2 (de) Bipolartransistor ohne Leckstrom durch das dünne Basisgebiet und Verfahren zur Herstellung
DE2916364C2 (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE2805442A1 (de) Verfahren zum herstellen eines schottky-sperrschicht-halbleiterbauelementes
DE2618965A1 (de) Bipolares halbleiterbauelement
DE2509315A1 (de) Feldeffekt-halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE2056220A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektn sehen Anordnung, und Anordnung hergestellt nach dem Verfahren
DE69509211T2 (de) Struktur und herstellung bipolarer transistoren
DE3603470A1 (de) Verfahren zur herstellung von feldeffektbauelementen auf einem siliziumsubstrat
DE3129539A1 (de) Bipolartransistor
DE2605830A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen
DE69729927T2 (de) Bipolartransistor mit einem nicht homogenen Emitter in einer BICMOS integrierter Schaltung
DE4101130C2 (de) MOS-Feldeffekttransistor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE69016840T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines lateralen Bipolartransistors.
DE2617855A1 (de) Halbleiterbauelement mit schottky- sperrschicht
DE2365056A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleitereinrichtungen unter oertlicher oxidation einer silicium-oberflaeche
DE69427913T2 (de) Bipolarer Hochfrequenztransistor und Verfahren zur Herstellung
EP0000545B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit Selbstjustierung
DE68922231T2 (de) Bipolartransistor und Verfahren für seine Herstellung.

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee