DE69223719D1 - Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate vom Anreicherungstyp mit gesteuerter Anstiegszeit an der Drain-Ausgangselektrode - Google Patents

Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate vom Anreicherungstyp mit gesteuerter Anstiegszeit an der Drain-Ausgangselektrode

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