JP3093046B2 - ドレイン出力端子に関しスリューレート制御を有する絶縁ゲートエンハンスメント型電界効果トランジスタ - Google Patents
ドレイン出力端子に関しスリューレート制御を有する絶縁ゲートエンハンスメント型電界効果トランジスタInfo
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- H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
- H03K17/165—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches by feedback from the output circuit to the control circuit
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Description
メント型電界効果トランジスタを具備する電子回路に関
するものであって、更に詳細には、該電界効果トランジ
スタのドレイン出力に関し負荷電圧スリューレート制御
を有する回路に関するものである。
荷を有する多数の駆動適用において、誘導性負荷に関す
る電圧スリューレートを制限することに関心が寄せられ
ている。このことは、特に、電磁的擾乱及びその他の関
連した問題を減少させるために負荷のターンオフ時に所
望されることである。絶縁ゲートエンハンスメント型電
界効果トランジスタの構造及び電気的特性の為に、この
ことを達成することは困難であることが分かっている。
ゲート・ドレイン容量を表す局所的フィードバックは、
通常、このようなスリューレート制御が誘導性負荷と共
に試みられる場合には、不安定性及び振動を発生する原
因となる。負荷上のスリューレート電圧は、負荷の出力
電圧の最大の変化割合として定義することが可能であ
る。
ンハンスメント型電界効果トランジスタを有する回路と
結合して使用する装置を提供している。このようなトラ
ンジスタは、絶縁されたゲートと、ソースと、ドレイン
とを有している。該回路は、更に、電界効果トランジス
タのドレインと接続された誘導性負荷を有している。
荷電圧スリューレート制御を与えることを包含してい
る。その電流は一定のもの又は時間従属的なものとする
ことが可能であり、例えば、電流積分器は、電界効果ト
ランジスタのゲートとドレインとの間に接続し、その場
合に、電界効果トランジスタのゲートにおけるゲート・
ドレイン容量に起因する局所的フィードバックは電流積
分器により実効的に除去されている。
しており、該コンデンサの一端は電界効果トランジスタ
のドレインへ接続し、且つ該コンデンサの他端は定電流
源へ接続されている。所定の動作周波数範囲を有するバ
ッファ増幅器が設けられている。該バッファ増幅器は、
コンデンサの該他端と電界効果トランジスタのゲートと
の間に接続されている。
周波数範囲にわたり500Ωより小さな所定の出力イン
ピーダンスを有している。バッファ増幅器の動作周波数
範囲は、バッファ増幅器の帯域幅が関連するコンポーネ
ントを包含する誘導性負荷及び前記電界効果トランジス
タの共振周波数の少なくとも10倍であることが望まし
いことが判明した。
ント型電界効果トランジスタ12を具備する回路10が
示されている。このようなトランジスタは、典型的に、
絶縁したポリシリコンゲート14と、ソース16と、ド
レイン18とを有している。誘導性負荷20が図1に示
した如くドレイン18及び電圧源22との間に接続され
ている。以下に説明する如く、電磁的擾乱及びその他の
関連した問題を減少させるために、特にターンオフ時に
おいて負荷20上の電圧スリューレートを制限すること
が望ましいことが多々ある。既に説明した如く、このこ
とは、スリューレート制御が誘導性負荷で試みられる場
合にしばしば不安定性及び振動を発生させるトランジス
タ12のゲート・ドレイン容量により表される局所的フ
ィードバックの為に達成することが困難であることが判
明している。本発明は、電流積分器26を有する負荷電
圧スリューレート制御器を使用している。
8を有しており、その一端30aはトランジスタ12の
ドレイン18と負荷20との間に接続されている。電流
源32がコンデンサ28の他端と接続している。バッフ
ァ増幅器34がコンデンサ28の多端30bと電界効果
トランジスタ12のゲート14との間に接続されてい
る。
為にバッファ増幅器の利得を使用している。図2は、該
回路が積分器と均等であり、且つ電流源32の正または
負の電流Iinがコンデンサ28の容量Cにより直線的な
出力電圧変化に積分されることを示している。Iinが一
定であると仮定すると、 dVOUT/dt=Iin/C 図2に示した増幅器36は、図1に示した電界効果トラ
ンジスタ12の利得と共に、バッファ増幅器34の包括
的な利得−Kを表している。
周波数範囲にわたり約500Ωより小さな所定の出力イ
ンピーダンスを有している。バッファ増幅器34が、該
バッファ増幅器の帯域幅が寄生要素を具備する負荷の共
振周波数の少なくとも10倍であるような所定周波数範
囲を有しており、その結果「高速」バッファ増幅器とな
っていることが望ましい。
バッファ段38が、好適には、クラスAB型の増幅器段
であることが理解される。このことは、増幅器34の出
力段上にバイアス用電流を供給する。本発明は、「高
速」単位利得バッファ増幅器34を必要とする。尚、
「高速」という用語は、増幅器34の帯域幅が、電界効
果トランジスタ12及びそれと関連するコンポーネント
及び負荷の共振周波数と比較した場合に著しく大きなも
のであることを意味している。一時近似として、このよ
うな共振周波数は次式で表される。
は負荷及び関連するコンポーネント及びトランジスタ1
2の全寄生容量である。例えば、Lが0.5乃至10m
Hの範囲内であり且つCが0.5乃至5nFの範囲内で
ある場合には、共振周波数FR は500kHz以下であ
り、且つ5メガヘルツの帯域幅を有する増幅器34が適
当である。
ピーダンスは、例えば0乃至5MHzなどの拡張した周
波数範囲にわたり妥当に小さなものでなければならな
い。図3を参照すると、電界効果トランジスタ12のゲ
ート対ドレイン容量40が示されている。典型的に、ゼ
ロバイアスの場合、即ちゲートとドレインとの間の電圧
がゼロの場合、容量40は、例えば、装置に依存して約
100乃至500pFである。同様に、ゲート対ソース
容量42は例えば50乃至500pFの範囲内である。
してのコンポーネントの表である。 コンポーネント表 コンポーネント 製造業者 モデル 値 トランジスタ 2N2222 (44a,44b) トランジスタ(46) 2N2907 抵抗(46) 2.2Kohm ダイオード(48) 2N2222 コレクタ・べース接続 ダイオード(50) 2N2907 コレクタ・べース接続 電界効果 エスジーエス SGS P358 トランジスタ(12) トムソン コンデンサ(28) 25 pF DC電圧源(22) 5 volts インダクタ(20) 1 mH,5ohm バイアス用電流源52は、例えば、40μAにセットす
ることが可能である。低電流源32は5μAに設定する
ことが可能である。この例においては、トランジスタ4
4aのベース電流がもし可能なものであると仮定する
と、電圧スリューレートは次式の如き関数である。
=0.20v/μsec. 供給電圧54は、例えば、12Vに設定することが可能
である。図3に示したバッファ増幅器を使用すると、バ
ッファ段38はクラスAB型の増幅器であり、それは該
バッファの出力段上にバイアス用電流を印加し、そのこ
とは動作期間中に低い出力インピーダンスレベルを維持
するために有益的なことである。
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
Claims (7)
- 【請求項1】 ゲートとソースとドレインとを具備する
絶縁ゲートエンハンスメント型電界効果トランジスタ手
段と、前記電界効果トランジスタのドレインと接続した
誘導性負荷手段とを有する装置において、定電流積分器
手段を有する負荷電圧スリューレート制御手段が設けら
れており、前記定電流積分器手段は前記電界効果トラン
ジスタ手段のゲートとドレインとの間に接続されてお
り、前記電界効果トランジスタのゲートにおけるゲート
・ドレイン容量に起因する局所的フィードバックが前記
定電流積分器手段により実効的に除去されていることを
特徴とする装置。 - 【請求項2】 請求項1において、前記電流積分器手段
が、一端を前記負荷と前記電界効果トランジスタ手段の
ドレインとの間に接続したコンデンサ手段と、前記コン
デンサ手段の他端と接続した電流源と、前記コンデンサ
手段の前記他端と前記電界効果トランジスタ手段のゲー
トとの間に接続されており所定の動作周波数範囲を有す
るバッファ増幅器手段とを有することを特徴とする装
置。 - 【請求項3】 請求項2において、前記電流源が定電流
源であることを特徴とする装置。 - 【請求項4】 請求項2において、前記バッファ増幅器
手段のバッファ段がNPNトランジスタを有することを
特徴とする装置。 - 【請求項5】 請求項2において、前記バッファ増幅器
手段が、前記バッファ増幅器手段の動作周波数範囲にわ
たり約500Ωより小さな所定の出力インピーダンスを
有することを特徴とする装置。 - 【請求項6】 請求項5において、前記バッファ増幅器
手段が、前記バッファ増幅器手段の帯域幅が前記電界効
果トランジスタ手段と共に前記負荷手段の共振周波数の
少なくとも10倍であるような動作周波数範囲を有する
ことを特徴とする装置。 - 【請求項7】 請求項2において、前記バッファ増幅器
手段のバッファ段がクラスAB型の増幅器段を有するこ
とを特徴とする装置。
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US6407594B1 (en) | 1993-04-09 | 2002-06-18 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Zero bias current driver control circuit |
EP0627818B1 (en) * | 1993-05-31 | 1997-09-10 | STMicroelectronics S.r.l. | Reduction of the turn-off delay of an output power transistor |
US5355029A (en) * | 1993-07-12 | 1994-10-11 | Digital Equipment Corporation | Staged CMOS output buffer |
DE4329363A1 (de) * | 1993-09-01 | 1995-03-09 | Ixys Semiconductor Gmbh | Ansteuerschaltung für MOSFET- oder IGBT-Leistungshalbleiterbauelemente |
FR2712126B1 (fr) * | 1993-11-05 | 1995-12-01 | Thomson Csf | Amplificateur de puissance du type pont en H et ses moyens de blocage et dispositif amplificateur de puissance comportant de tels amplificateurs. |
DE69428782T2 (de) * | 1994-05-25 | 2002-05-08 | St Microelectronics Srl | Anstiegszeitsteuerung und Optimierung des Leistungsverbrauchs in einer Leistungsstufe |
US6201417B1 (en) * | 1994-09-02 | 2001-03-13 | Semiconductor Components Industries, Llc. | Shaping a current sense signal by using a controlled slew rate |
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DE19619399A1 (de) * | 1996-05-14 | 1997-11-20 | Telefunken Microelectron | Schaltvorrichtung mit einem Leistungs-FET und einer induktiven Last |
DE19701377C2 (de) * | 1997-01-16 | 1999-07-29 | Sgs Thomson Microelectronics | Treiberschaltung |
US5923133A (en) * | 1997-05-30 | 1999-07-13 | Stmicroelectronics, Inc. | Adaptive slew rate adjustment for a brushless multiphase DC motor and method |
US6084378A (en) * | 1997-05-30 | 2000-07-04 | Stmicroelectronics, Inc. | Variable slew rate pulse width modulation system |
US6137329A (en) * | 1998-01-27 | 2000-10-24 | Quantum Corporation | Load voltage slew-rate controller |
US6556062B1 (en) | 1998-06-12 | 2003-04-29 | South Island Discretes Limited | Gate drive for insulated gate power semiconductors |
DE19829837A1 (de) * | 1998-07-03 | 2000-01-05 | Siemens Ag | Steuervorrichtung zum Schalten eines elektrischen Verbrauchers |
US6204728B1 (en) | 1999-01-28 | 2001-03-20 | Maxim Integrated Products, Inc. | Radio frequency amplifier with reduced intermodulation distortion |
DE60032210T2 (de) * | 1999-05-28 | 2007-09-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Pegelumsetzer mit anstiegszeitsteurungsvorrichtung |
DE10032196A1 (de) * | 2000-07-01 | 2002-01-17 | Bosch Gmbh Robert | Schutzbeschaltung für einen Mosfet-Schalter |
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