DE69213675D1 - Halbleiteranordnung bestehend aus mindestens einem Leistungstransistor und zu mindest einer Steuerschaltung die auf demselben Chip zusammen mit einer dynamischen Isolierschaltung monolitisch integriert ist - Google Patents
Halbleiteranordnung bestehend aus mindestens einem Leistungstransistor und zu mindest einer Steuerschaltung die auf demselben Chip zusammen mit einer dynamischen Isolierschaltung monolitisch integriert istInfo
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
ITMI913265A IT1252623B (it) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | Dispositivo a semiconduttore comprendente almeno un transistor di potenza e almeno un circuito di comando, con circuito di isolamento dinamico,integrati in maniera monolitica nella stessa piastrina |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69213675D1 true DE69213675D1 (de) | 1996-10-17 |
DE69213675T2 DE69213675T2 (de) | 1997-02-27 |
Family
ID=11361267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69213675T Expired - Fee Related DE69213675T2 (de) | 1991-12-05 | 1992-11-27 | Halbleiteranordnung bestehend aus mindestens einem Leistungstransistor und zu mindest einer Steuerschaltung die auf demselben Chip zusammen mit einer dynamischen Isolierschaltung monolitisch integriert ist |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5475273A (de) |
EP (1) | EP0545488B1 (de) |
JP (1) | JP3257842B2 (de) |
DE (1) | DE69213675T2 (de) |
IT (1) | IT1252623B (de) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1261880B (it) * | 1992-02-17 | 1996-06-03 | St Microelectronics Srl | Dispositivo di isolamento del substrato, particolarmente per circuiti integrati |
US5631177A (en) * | 1992-12-07 | 1997-05-20 | Sgs-Thomson Microelectronics, S.R.L. | Process for manufacturing integrated circuit with power field effect transistors |
EP0703620B1 (de) * | 1994-09-21 | 2001-01-10 | STMicroelectronics S.r.l. | Schaltung zur Verhinderung der Zündung von parasitären Bauelementen in integrierten Schaltungen bestehend aus einer Leistungsstufe und einer Niederspannungssteuerschaltung |
US5627487A (en) * | 1995-06-28 | 1997-05-06 | Micron Technology, Inc. | Charge conserving driver circuit for capacitive loads |
JP3036423B2 (ja) * | 1996-02-06 | 2000-04-24 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
DE69624493T2 (de) * | 1996-12-09 | 2003-06-26 | St Microelectronics Srl | Vorrichtung und Verfahren zur Unterdrückung von parasitären Effekten in einer integrierten Schaltung mit pn-Isolationszonen |
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EP1221718A1 (de) * | 2001-01-08 | 2002-07-10 | STMicroelectronics S.r.l. | Integriertes Leistungsbauelement mit verbesserter Effizienz und reduzierten Gesamtabmessungen |
JP2002324846A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US6573562B2 (en) * | 2001-10-31 | 2003-06-03 | Motorola, Inc. | Semiconductor component and method of operation |
JP2004247400A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2006311507A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-11-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電源スイッチ回路 |
US8168466B2 (en) * | 2007-06-01 | 2012-05-01 | Semiconductor Components Industries, Llc | Schottky diode and method therefor |
DE102009049671B4 (de) * | 2009-10-16 | 2020-02-27 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Schaltung mit ESD Struktur |
FR3083919A1 (fr) * | 2018-07-13 | 2020-01-17 | Stmicroelectronics (Rousset) Sas | Puce electronique protegee |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3931634A (en) * | 1973-06-14 | 1976-01-06 | Rca Corporation | Junction-isolated monolithic integrated circuit device with means for preventing parasitic transistor action |
US4336466A (en) * | 1980-06-30 | 1982-06-22 | Inmos Corporation | Substrate bias generator |
US4426658A (en) * | 1980-12-29 | 1984-01-17 | Sprague Electric Company | IC With protection against reversed power supply |
US4496849A (en) * | 1982-02-22 | 1985-01-29 | General Motors Corporation | Power transistor protection from substrate injection |
JPS6164138A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-02 | Nec Corp | モノリシツク集積回路 |
JPS61101068A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-19 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
JPS61180472A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US4972247A (en) * | 1985-10-28 | 1990-11-20 | Silicon Systems, Inc. | High energy event protection for semiconductor devices |
US4675561A (en) * | 1985-11-15 | 1987-06-23 | Precision Monolithics, Inc. | FET output drive circuit with parasitic transistor inhibition |
IT1197279B (it) * | 1986-09-25 | 1988-11-30 | Sgs Microelettronica Spa | Dispositivo integrato per schermare l'iniezione di cariche nel substrato, in particolare in circuiti di pilotaggio di carichi induttivi e/o capacitivi |
JPH0691194B2 (ja) * | 1986-12-19 | 1994-11-14 | ロ−ム株式会社 | 半導体集積回路の寄生効果防止方法 |
US4789917A (en) * | 1987-08-31 | 1988-12-06 | National Semiconductor Corp. | MOS I/O protection using switched body circuit design |
JPH07120746B2 (ja) * | 1987-09-18 | 1995-12-20 | 富士電機株式会社 | 半導体集積回路装置 |
JP2623692B2 (ja) * | 1988-01-22 | 1997-06-25 | ソニー株式会社 | 半導体回路装置 |
FR2628890B1 (fr) * | 1988-03-16 | 1990-08-24 | Bendix Electronics Sa | Dispositif de commande de l'alimentation electrique d'une charge en circuit integre de puissance " intelligent " |
US5051612A (en) * | 1989-02-10 | 1991-09-24 | Texas Instruments Incorporated | Prevention of parasitic mechanisms in junction isolated devices |
IT1231541B (it) * | 1989-07-25 | 1991-12-17 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositivo di protezione contro gli effetti parassiti provocati da impulsi negativi di tensione di alimentazione in circuiti integrati monolitici includenti un dispositivo di potenza per il pilotaggio di un carico induttivo ed un dispositivo di controllo per detto dispositivo di potenza. |
FR2655196B1 (fr) * | 1989-11-29 | 1992-04-10 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit d'isolation dynamique de circuits integres. |
-
1991
- 1991-12-05 IT ITMI913265A patent/IT1252623B/it active IP Right Grant
-
1992
- 1992-11-27 DE DE69213675T patent/DE69213675T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-11-27 EP EP92203677A patent/EP0545488B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-12-04 JP JP32551992A patent/JP3257842B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-12-07 US US07/987,768 patent/US5475273A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT1252623B (it) | 1995-06-19 |
JP3257842B2 (ja) | 2002-02-18 |
ITMI913265A0 (it) | 1991-12-05 |
US5475273A (en) | 1995-12-12 |
DE69213675T2 (de) | 1997-02-27 |
JPH06132538A (ja) | 1994-05-13 |
EP0545488B1 (de) | 1996-09-11 |
EP0545488A1 (de) | 1993-06-09 |
ITMI913265A1 (it) | 1993-06-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |