HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung, und
insbesondere eine Halbleitervorrichtung mit einer
Mehrpegelverbindung aus einer Anzahl Verdrahtungsschichten mit
dazwischen eingefügten Isolierschichten.
Beschreibung bekannter Technik
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Die Verwendung von Mehrpegelverbindungen in einer
Halbleitervorrichtung, typischerweise in LSI-Schaltungen, ist eine
wichtige Technik zur Realisierung hochdichter
Halbleitervorrichtungen, da sie die Freiheit schafft für die
Anordnung und die Verbindungen der Elemente, die hauptsächlich
auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats gebildet sind.
Die Größen der Elemente sollten klein sein, um die
Integrationsdichte der Halbleitervorrichtung zu erhöhen, und das
Verdrahtungsmuster für ihre Verbindung auf dem Chip
benötigt ein größeres Verhältnis der Chipfläche, da das
Verhältnis der Verdrahtungsmusterfläche zur Gesamtchipfläche
recht groß wird. Da die Verminderung des
Verdrahtungsmusters aufgrund der Beschränkung der Stromfähigkeit und des
Verdrahtungswiderstandes begrenzt ist, ist eine
Mehrpegelverbindung sehr erwünscht.
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Die Vorteile der Mehrpegelverbindung sind die Realisierung
einer hohen Integrationsdichte und die Verminderung der
Chipgröße. Des weiteren bestehen andere Vorteile, wie die
Erhöhung der Verdrahtungsfreiheit und die einfache
Auslegung des Verdrahtungsmusters. Die Einstellung des
Verdrahtungswiderstandes und der Stromkapazität kann mit einem
breiten Spielraum erfolgen.
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Die Halbleitervorrichtung mit Mehrpegelverbindung hat
jedoch die Nachteile wie geringen Ertrag und geringe
Zuverlässigkeit, da der Aufbau und die Herstellungsprozesse
komplex sind und die Oberfläche der Vorrichtung nicht flach
ist. Die meisten dieser Nachteile ergeben sich aus der
Verschlechterung der Stufenabdeckung und der Verschlechterung
der Fokustiefe bei Belichtungsverfahren an unregelmäßigen
und unebenen Teilen der Vorrichtungsoberfläche und
stufenartigen Teilen von Durchgangslöchern. Aufgrunddessen ist
eine Einebnungstechnologie der Isolierschichten zwischen
den Mehrpegel-Verdrahtungsschichten und der
Vorrichtungsoberfläche unverzichtbar für die Mehrpegelverbindung in der
Halbleitervorrichtung.
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Die bekannten Einebnungstechnologien sind die folgenden:
(1) Glasflußverfahren
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Durch Verminderung der Viskosität der Isolierschicht
mittels der Behandlung bei einer Temperatur oberhalb der
Weichtemperatur der Isolierschicht wird ein Rückfluß der
Isolierschicht aufgrund des Eigengewichtes verursacht, so
daß die Oberfläche der Isolierschichten eingeebnet wird.
(2) Schleuderbeschichtungsverfahren
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Die organische Lösung, die Photoresist, Polyimdharz oder
Glaskomponenten enthält, wird dick auf die Oberfläche eines
Halbleitersubstrats schleuderbeschichtet und der
schleuderbeschichtete Film wird durch Aushärten gehärtet, um die
flache Oberfläche zu erhalten.
(3) Vorspann-Sputterverfahren
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Durch Ausnutzen der Eigenschaft, daß die
Sputter-Ätzgeschwindigkeit vom Einfallswinkel hochenergetischer
Partikel, wie Argon, abhängt, wird die unebene Oberfläche
während der Abscheidung der Isolierschicht auf der Oberfläche
eingeebnet.
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Unter den oben beschriebenen Einebnungsverfahren ist das
Schleuderbeschichtungsverfahren wünschenswert, da das
Glasflußverfahren den Behandlungsprozeß bei hoher Temperatur
erfordert und die Halbleitervorrichtung beschädigt, und das
Vorspann-Sputterverfahren hat einen langen Durchlauf und
erzeugt eine hohe Kontamination.
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Bei einer Halbleitervorrichtung mit Mehrpegelverbindung,
die mittels Schleuderbeschichtungsverfahren hergestellt ist
und die in einem Artikel mit dem Titel "INTERLEVEL DIELEC-
TRIC PLANARIZATION WITH SPIN-ON GLASS FILMS" von L.B. Vines
und S.K. Gupta, Proc. IEEE 1986 V-MIC Conf., Seiten 506-515
(1986) beschrieben ist, ist die Isolierschicht ein
Mehrschichtaufbau aus einem ersten Siliziumdioxidfilm, der
mittels Plasma-Dampfabscheidung hergestellt ist, einem
Isolierfilm, der durch ein Schleuderbeschichtungsverfahren
hergestellt ist, und einem zweiten Siliziumoxidfilm, der
mittels Plasma-Dampfabscheidung hergestellt ist. Diese
Halbleitervorrichtung wird entsprechend den folgenden
Verfahren hergestellt.
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Auf einem Halbleitersubstrat, auf dem die Metallverdrahtung
hergestellt ist, wird der erste Siliziumoxidfilm mittels
Plasma-Dampfabscheidung abgeschieden. Ein
Zwischenisolierfilm
(als Schleuderbeschichtungsfilm bezeichnet) wird auf
dem ersten Siliziumoxidfilm durch Schleuderbeschichten des
organische Siloxanpolymers, gefolgt durch Aushärten,
gebildet. Des weiteren wird der zweite Siliziumoxidfilm auf dem
Schleuderbeschichtungs film mittels Plasma-Dampfabscheidung
aufgebracht. Anschließend werden Durchgangslöcher durch die
Isolierschicht aus dem ersten Siliziumoxidfilm, dem
Schleuderbeschichtungsfilm und dem zweiten Siliziumoxidfilm
eingebracht. Anschließend werden der Metallfilm für die zweite
Verdrahtungsschicht hergestellt und strukturiert, und die
elektrischen Verbindungen zwischen den beiden
Verdrahtungsschichten wird über die Durchgangslöcher vervollständigt.
Bei dieser bekannten Halbleitervorrichtung werden der erste
Siliziumoxidfilm und der zweite Siliziumoxidfilm unter
denselben Bedingungen hergestellt und sind relativ dicht.
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Für die Isolierschicht des Mehrschichtaufbaus unter
Verwendung eines Schleuderbeschichtungsfilms ist hinsichtlich der
Oberflächenebenheit ein dicker Schleuderbeschichtungsfilm
vorzuziehen. Die Tatsache jedoch, daß der Film dick ist,
kann die Wahrscheinlichkeit von Drahtunterbrechungen in den
Durchgangslöchern erhöhen. Der Grund dafür wird im
folgenden erläutert.
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Beim Herstellungsprozeß der Isolierschicht des
Mehrschichtaufbaus wird das organische Lösungsmittel im
Schleuderbeschichtungsfilm durch Aushärten nach dem
Schleuderbeschichtungsverfahren ausgetrieben, und der Film ist
gehärtet. Bei diesem Prozeß verbleibt eine geringe Menge des
organischen Lösungsmittels im ausgehärteten
Schleuderbeschichtungsfilm. Des weiteren adsorbiert der
Schleuderbeschichtungsfilm das Wasser aus der Atmosphäre, selbst
nachdem er getrocknet und durch Aushärten gehärtet ist. Dieses
residuelle organische Lösungsmittel und Wasser werden zu
Gas, wenn der Metallfilm als zweite Verdrahtungsschicht
aufgesputtert wird, da das Halbleitersubstrat unter
Unterdruck
geheizt wird. Das Ausgas, das in dieser Weise erzeugt
wird, tritt aus der Seitenwandung des
schleuderbeschichteten Films, die in den Durchgangslöchern freiliegt, aus. Der
Schleuderbeschichtungsfilm wird aufgrund dieses Ausgases
korrodiert, insbesondere aufgrund der Wasserkomponente. Da
ferner die Durchgangslöcher mit dem Abgas gefüllt sind,
wird die Adhäsion von Metallatomen, die von Target zur
Seitenwand der Durchgangslöcher fließen, während des
Bildungsprozesses des metallischen Verdrahtungsfilms durch Sputtern
verhindert, mit dem Ergebnis, daß die Stufenabdeckung des
Metalldrahtfilms in den Durchgangslöchern verschlechtert
wird. Falls die Konzentration des Ausgases vom
schleuderbeschichteten Film ansteigt, schreiten die Korrosion des
Metallfilms in den Durchgangslöchern und die Verschlechterung
der Stufenabdeckung fort. Mit anderen Worten wird die
Unterbrechung des Drahtes wahrscheinlicher, wenn der
schleuderbeschichtete Film dick ist und der Durchmesser des
Durchgangsloches klein ist. In der bekannten Isolierschicht
des Mehrschichtaufbaus ist es schwierig,
Halbleitervorrichtungen zu realisieren, deren Durchgangslöcher einen
Durchmesser von weniger als 1 Mikrometer haben.
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Der Erfinder hat entdeckt, daß Unterbrechungen in den
Durchgangslöchern ansteigen, falls die Dichte des zweiten
Siliziumoxidfilms ansteigt. Da das Ausgas, das von dem
schleuderbeschichteten Film während des Sputterprozesses
erzeugt wird, den zweiten Siliziumoxidfilm nicht
durchdringen kann, konzentriert es sich innerhalb der
Durchgangslöcher.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Eine Aufgabe der Erfindung liegt in der Schaffung einer
Halbleitervorrichtung mit Mehrpegelverbindungsaufbau, die
frei von Unterbrechungen der Verdrahtungen ist.
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Eine weitere Aufgabe der Erfindung liegt in der Schaffung
einer Halbleitervorrichtung mit einer eingeebneten
Isolierschicht, die frei von Drahtunterbrechungen in den
Durchgangslöchern aufgrund von Korrosion und Verschlechterung
der Stufenbedeckung ist.
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Die Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung ist dadurch
gekennzeichnet, daß in der Isolierschicht des
Mehrschichtaufbaus der zweite Siliziumoxidfilm, der durch
Plasma-Dampfabscheidung abgeschieden wird, als ein Film
niedrigerer Dichte gebildet wird.
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In der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung wird der
dichte Siliziumoxidfilm als der erste Isolierfilm mittels
Plasma-Dampfabscheidung auf einem Halbleitersubstrat
gebildet, auf dem die erste Verdrahtungsschicht gebildet ist.
Auf dem ersten Siliziumisolierfilm wird der
Schleuderbeschichtungsfilm mittels eines
Schleuderbeschichtungsverfahrens aufgebracht. Auf diesem Schleuderbeschichtungsfilm
wird der Siliziumoxidfilm niedrigerer Dichte als zweiter
Siliziumoxidfilm mittels Plasma-Dampfabscheidung auf dem
Schleuderbeschichtungsfilm gebildet. Auf der Isolierschicht
aus dem ersten Siliziumoxidfilm, dem
Schleuderbeschichtungsfilm und dem zweiten Siliziumoxidfilm wird die zweite
Verdrahtungsschicht abgeschieden.
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Erfindungsgemäß wird das Ausgas, das von dem
Schleuderbeschichtungsfilm während eines Heizprozesses, der wie im
Sputterprozeß der zweiten Verdrahtungsschicht erzeugt wird,
durch den zweiten Siliziumoxidfilm abgegeben.
Aufgrunddessen konzentriert sich das Ausgas nicht in den
Durchgangslöchern. Dies bedeutet, daß die Korrosion von Verdrahtungen
und die Verschlechterung der Stufenabdeckung aufgrund des
Ausgases nicht auftritt, mit dem Ergebnis, daß die
Drahtunterbrechung in dem Durchgangsloch nicht auftritt. Da des
weiteren der dichte Siliziumoxidfilm als der erste
Siliziumoxidfilm
verwendet wird, tritt eine Lücke selbst dann
nicht auf, wenn ein Metall, wie Aluminium, für die erste
Verdrahtungsschicht verwendet wird.
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Es ist wünschenswert und wirksam, daß die Konzentrationen
des ersten und des zweiten Siliziumoxidfilms nach dem
Heizprozeß, der unter der Bedingung einer Stickstoffatmosphäre
bei 900ºC durchgeführt wird, weniger bzw. mehr als 3%
betragen, da in diesem Prozentsatz der Konzentrationen die
Durchgangslöcher unter der Bedingung gebildet werden
können, daß der Durchmesser, der weniger als 1 Mikrometer
beträgt, ohne Unterbrechungen der Verdrahtungen und ohne eine
nichtebene Fläche durchgeführt werden können.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Die oben genannten und andere Aufgaben, Merkmale und
Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden detaillierten
Beschreibung der Erfindung in Verbindung mit den
beigefügten Zeichnungen deutlich. Es zeigen:
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Fig. 1(a) bis (f) Querschnittdarstellungen zur Erläuterung
des Herstellungsverfahrens des ersten bevorzugten
Ausführungsbeispiels der Erfindung,
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Fig. 2 ein Diagramm zur Erläuterung der Beziehung zwischen
dem Ertrag oder der Qualität bei der zweiten
Aluminiumverdrahtung und dem Durchmesser des
Durchgangslochs in der bekannten Mehrpegelverdrahtung und der
Erfindung, und
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Fig. 3(a) und (b) Diagramme zur Erläuterung der Infrarot-
Absorptionsspektren des ersten und des zweiten
Siliziumoxidfilms, die unter Einsatz von
Tetraethoxyorthosilikat (TEOS) gefertigt wurden, gemäß
dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der
Erfindung.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN
AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
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Bezugnehmend auf die Fig. 1(a) bis 1(f) wird eine
Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten bevorzugten
Ausführungsbeispiel der Erfindung wie folgt hergestellt. Auf einem
monokristallinen Halbleitersubstrat 101, das darin gebildete
Halbleiterelemente (nicht dargestellt) enthält, wird ein
Isolierfilm 102 ausgebildet. Der Film 102 hat 500 Nanometer
Dicke. Der Film 102 ist das Resultatprodukt eines
Glasflußprozesses eines BPSG-Films (Bor-Phosphor-Silikatglas), der
mittels eines Niederdruck-Dampfabscheidungsverfahrens unter
Verwendung des Prozeßgases aus Diboran (B&sub2;H&sub6;) und Phosphin
(PH&sub3;) hergestellt wurde. Anschließend wird der
Aluminiumfilm auf dem Film 102 durch ein Sputterverfahren
abgeschieden, bis seine Dicke 0,5 bis 1,0 Mikrometer beträgt. Nach
einem Photolithographieprozeß werden die
Aluminiumverdrahtungen 103 durch Ätzen mittels einer
Parallelplatten-Trokkenätzausstattung geätzt (Fig. 1(a)). Die Minimalbreite und
der Minimalleitungsabstand der Verdrahtung 103 betragen
jeweils 0,5 Mikrometer.
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Als nächstes wird der erste Siliziumoxidfilm 104, der etwa
500 Nanometer dick ist, mittels einer Parallelplatten-
Plasma-Dampfabscheidungsausstattung abgeschieden (Fig.
1 (b)). Dieser Film 104 wird unter Verwendung des
Prozeßgases aus Monosilangas (SiH&sub4;), Dinitromonooxidgas (N&sub2;O) und
Stickstoffgas (N&sub2;) als Verdünnungsgas für das Monosilangas
ausgebildet, die mit einer Flußrate von 70 sccm, 1300 sccm
bzw. 280 sccm einfließen. Nachdem die drei Gase geströmt
sind, wird der Gesamtgasdruck auf 0,25 Torr eingestellt,
und die Dampfabscheidung wird unter der Bedingung
durchgeführt, daß die Entladungsleistungsdichte 0,5 W/cm² mit der
Frequenz 400 kHz bei einer Substrattemperatur von 300ºC
liegt. Als nächstes wird der abgeschiedene erste
Siliziumoxidfilm 104 in Stickstoffatmosphäre bei 900ºC ausgehärtet.
Der Konzentrationsprozentsatz des resultierenden Films 104
liegt bei 0,8%, was anzeigt, daß der erste Siliziumoxid 104
recht dicht ist.
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Anschließend wird ein Schleuderbeschichtungsfilm 105 aus
einer organischen Siloxanpolymerlösung auf dem ersten
Siliziumoxidfilm durch das Schleuderbeschichtungsverfahren
hergestellt. Die Lösung wird schleuderbeschichtet und geheizt.
Bei dieser Gelegenheit kann das Lösungsmittel in der
organischen Siloxanpolymerlösung im wesentlichen freigegeben
werden, falls die Schleuderbeschichtung und das Heizen
einige Male wiederholt durchgeführt werden. Bei dieser
Ausführungsform werden das Schleuderbeschichten und das Heizen
zweimal durchgeführt. Zunächst wird die
Schleuderbeschichtung der organischen Siloxanpolymerlösung durchgeführt, und
dann wird das Heizen in der Stickstoffatmosphäre erneut bei
400ºC durchgeführt. Diese Aufbringung und das Aushärten
werden unter derselben Bedingung durchgeführt, um die
organische Siloxanpolymerschicht herzustellen, die der
Schleuderbeschichtungsfilm 105 ist (Fig. 1(c)). Die Dicke der
organischen Siloxanpolymerschicht auf dem ersten Isolierfilm
104 beträgt 200 Nanometer.
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Als nächstes wird der zweite Siliziumoxidfilm 106 mittels
des Plasma-Dampfabscheidungsverfahrens mit einer
Parallelplatten-Dampfabscheidungsausstattung abgeschieden, und er
hat eine Dicke von 400 Nanometern (Fig. 1(d)). Die
Abscheidungsbedingung für den zweiten Siliziumoxidfilm 106 ist wie
folgt.
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Flußrate des Monosilangases (SiH&sub4;): 70 SCCM
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Flußrate von Dinitromonooxidgas (N&sub2;O): 1300 SCCM
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Flußrate von Stickstoffgas (N&sub2;) als Verdünnungsgas für
Monosilangas: 280 SCCM
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Gesamtgasdruck: 0,35 Torr
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Entladungsfrequenz: 400 khz
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Entladungsleistungsdichte: 0,5 W/cm²
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Substrattemperatur: 250ºC
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Wenn der unter dieser Bedingung abgeschiedene
Siliziumdioxidfilm 106 zu Prüfzwecken in der Stickstoffatmosphäre
bei einer Temperatur von 900ºC geheizt wird, beträgt die
Konzentrationsrate des Films 106 3,5%, was anzeigt, daß die
Dichte des Films 106 geringer ist als die des ersten
Siliziumoxidfilms 104.
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Nachdem der zweite Siliziumoxidfilm 106 abgeschieden ist,
wird er für 10 Minuten in Stickstoffatmosphäre bei 400ºC
geheizt, um Methan (CH&sub4;), Kohlendioxid (CO&sub2;), Wasser (H&sub2;O)
und Methanol (CH&sub3;OH), das in dem organischen
Siloxanpolymerfilm 105 enthalten ist, vollständig freizugeben. Bei
dieser Gelegenheit wird das Verunreinigungsgas in dem
Schleuderbeschichtungsfilm 105 durch den zweiten
Siliziumoxidfilm 106 freigegeben, so daß der
Schleuderbeschichtungsfilm 105 und der zweite Siliziumoxidfilm 106 keiner
Abblätterung voneinander ausgesetzt sind und eine
Isolierschicht hoher Qualität mit dem ersten Siliziumoxidfilm 104
bilden.
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Als nächstes werden die Durchgangslöcher (Fig. 1(e)) an den
gewünschten Positionen mittels Lithographie und einem
Trokkenätzverfahren mit einer
Parallelplatten-Trockenätzausstattung hergestellt. Der Minimaldurchmesser des
Durchgangsloches beträgt 0,5 Mikrometer.
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Als nächstes wird die zweite Verdrahtungsschicht 203 wie
folgt hergestellt. Der gesputterte Aluminiumfilm wird auf
dem zweiten Siliziumoxidfilm 106 ausgebildet und ist 0,5
bis 1,0 Mikrometer dick. Dieser Film bedeckt die
Durchgangslöcher. Dann wird dieser Film mittels
Photolithographie und Trockenätzens mit der
Parallelplattentrockenätzausstattung geformt. Die Minimalbreite und der minimale
Leitungsabstand der zweiten Verdrahtungs schicht struktur
sind jeweils 0,5 Mikrometer.
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Da das durch den Sputterprozeß aus dem
schleuderbeschichteten Film 105 erzeugte Abgas nicht in den Durchgangslöchern
konzentriert ist und durch den zweiten Siliziumoxidfilm 106
freigegeben wird, werden die Aluminiumverdrahtungen in den
Durchgangslöchern nicht unterbrochen.
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Um die Nichtexistenz von Korrosion und die
Nichtverschlechterung der Stufenabdeckung der zweiten Verdrahtungsschicht
203 in den Durchgangslöchern nach dem Herstellungsprozeß zu
überprüfen, wurden die Oberfläche und der Querschnitt mit
einem optischen Mikroskop und einem
Rasterelektrodenmikroskop untersucht. Im Ergebnis tritt keine Korrosion der
zweiten Verdrahtungsschicht 205 auf, und eine gute
Stufenabdeckung wird erhalten, selbst wenn der Durchmesser des
Durchgangslochs weniger als 1 Mikrometer beträgt.
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Fig. 2 zeigt die Beziehung zwischen dem Durchmesser des
Durchgangsloches und dem Ertrag mit guter Qualität für die
Mehrpegelverdrahtungen sowohl für die bekannte Technik als
auch für die vorliegende Erfindung. Die elektrische
Leitfähigkeit zwischen der ersten Verdrahtungsschicht 103 und der
zweiten Verdrahtungsschicht 203 wird für verschiedene
Durchmesser der Durchgangslöcher gemessen, um die Beziehung
zwischen dem Durchmesser des Durchgangslochs und der
Ertragsrate mit guter Qualität zu überprüfen. Bezugnehmend
auf Fig. 2 vermindert sich der Ertrag der Verdrahtung gemäß
bekannter Technik deutlich, falls der Durchmesser des
Durchgangsloches weniger als 1,0 Mikrometer beträgt. Selbst
in dem Zustand verschlechtert sich der Ertrag gemäß der
Erfindung nicht, und keine Unterbrechungen von Verdrahtungen
tritt auf. Aufgrunddessen ist es offensichtlich, daß die
Mehrpegelisolierschicht gemäß der vorliegenden
Ausführungsform eine hervorragend flache Oberfläche aufweist und keine
Korrosion und keine Verschlechterung der Stufenabdeckung in
den Durchgangslöchern zeigt, falls ihre Durchmesser weniger
als 1,0 Mikrometer betragen. Da des weiteren die erste
Verdrahtungsschicht 103 mit dem dichten ersten
Siliziumoxidfilm 104 bedeckt ist, tritt keine Lücke nach dem Heizprozeß
auf.
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In der zweiten Ausführungsform der Erfindung können für den
ersten und den zweiten Siliziumoxidfilm 104 und 106 durch
Verwendung des Gassystems, das Tetraethoxy-Orthosilikat
(TEOS) enthält, eine bessere Ebenheit erreicht werden.
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Die Abscheidungsbedingung für den ersten Siliziumoxidfilm
ist wie folgt.
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Flußrate von Helium (He)-Gas für siedendes
TEOS (37ºC): 500 SCCM
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Flußrate von Sauerstoffgas: 500 SCCM
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Gasdruck des Sauerstoffgases: 9 Torr
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Entladungsfrequenz: 13,56 MHz
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Hochfrequenz-Leistungsdichte: 2 W/cm²
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Substrattemperatur: 355ºC
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Die Abscheidungsbedingung des zweiten Siliziumoxidfilms 106
ist mit Ausnahme der Bedingung der
Hochfrequenz-Leistungsdichte, die 1,3 W/cm beträgt, im wesentlichen die gleiche
wie beim ersten Film 104 unter Verwendung von TEOS.
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Bezugnehmend auf Fig. 3(a) ist das
Infrarot-Absorptionsspektrum des unter der obigen Bedingung abgeschiedenen
Siliziumoxidfilms im wesentlichen identisch zu dem des
Siliziumoxidfilms, der durch das Thermo-Oxidationsverfahren
abgeschieden wurde. Des weiteren ist die
Filmkonzentrationsrate dieses ersten Siliziumoxidfilms 104 nach dem Heizen in
Stickstoffatmosphäre bei 900ºC 1,28%. Dieser Wert bedeutet,
daß der dichte Film abgeschieden ist.
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Die Abscheidungsbedingung für den zweiten Siliziumoxidfilm
106 ist dieselbe wie für den ersten Film 104, mit der
Ausnahme, daß die Hochfrequenz-Leistungsdichte zu 1,3 W/cm²
geändert wurde. Bezugnehmend auf Fig. 3(b) zeigt das
Infrarot-Absorptionsspektrum des zweiten Siliziumoxidfilms 160,
daß er mehr Si-OH-Bindungen und H&sub2;O enthält als der erste
Siliziumoxidfilm 104. Dies bedeutet, daß der Film mit
niedrigerer Dichte abgeschieden ist. Die Filmkonzentrationsrate
dieses Siliziumoxidfilms nach dem Heizen in
Stickstoffatmosphäre bei 900ºC beträgt 4,76%. Der unter Verwendung dieses
ersten und zweiten Siliziumoxidfilms hergestellte
Isolierfilm hat sehr gute Ebenheitscharakteristika mit dem
Ergebnis, daß zwei und/oder mehr Verdrahtungsschichten
realisiert werden können, ohne Unterbrechungen der Verdrahtungen
in den Durchgangslöchern mit einem Durchmesser von weniger
als 1 Mikrometer.
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Obwohl die Erfindung mit Bezug auf spezielle
Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist diese Beschreibung nicht
in einem beschränkenden Sinne aufzufassen. Verschiedene
Änderungen der beschriebenen Ausführungsbeispiele sowie
andere Ausführungsformen der Erfindung sind Fachleuten mit
Bezug auf die Beschreibung der Erfindung offensichtlich. Es
soll somit so verstanden werden, daß die anhängenden
Ansprüche alle Modifikationen oder Ausführungsformen
umfassen, die in den wahren Umfang der Erfindung fallen.