DE69026871T2 - Verfahren zur Herstellung von Formkörpern für feine Präzisionsleiterbahnen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Formkörpern für feine PräzisionsleiterbahnenInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims abstract description 32
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 22
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 19
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 9
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims description 7
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 2
- -1 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 29
- 239000002585 base Substances 0.000 description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229920006149 polyester-amide block copolymer Polymers 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 5
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 4
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 4
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 3
- JUNWLZAGQLJVLR-UHFFFAOYSA-J calcium diphosphate Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O JUNWLZAGQLJVLR-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- 229940043256 calcium pyrophosphate Drugs 0.000 description 3
- 235000019821 dicalcium diphosphate Nutrition 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- XBNGYFFABRKICK-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5,6-pentafluorophenol Chemical compound OC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F XBNGYFFABRKICK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PLIKAWJENQZMHA-UHFFFAOYSA-N 4-aminophenol Chemical compound NC1=CC=C(O)C=C1 PLIKAWJENQZMHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940090248 4-hydroxybenzoic acid Drugs 0.000 description 2
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 229920001283 Polyalkylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- IZUPBVBPLAPZRR-UHFFFAOYSA-N pentachloro-phenol Natural products OC1=C(Cl)C(Cl)=C(Cl)C(Cl)=C1Cl IZUPBVBPLAPZRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- CNHDIAIOKMXOLK-UHFFFAOYSA-N toluquinol Chemical compound CC1=CC(O)=CC=C1O CNHDIAIOKMXOLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMXZDVUCXQJEHS-UHFFFAOYSA-N 2-(1-phenylethyl)benzene-1,4-diol Chemical compound C=1C(O)=CC=C(O)C=1C(C)C1=CC=CC=C1 LMXZDVUCXQJEHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAUQJMHLAFIZDU-UHFFFAOYSA-N 6-Hydroxy-2-naphthoic acid Chemical compound C1=C(O)C=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 KAUQJMHLAFIZDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000005909 Kieselgur Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000004063 acid-resistant material Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001118 alkylidene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 239000010425 asbestos Substances 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- WAKZZMMCDILMEF-UHFFFAOYSA-H barium(2+);diphosphate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[Ba+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O WAKZZMMCDILMEF-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4,4'-diol Chemical group C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=C(O)C=C1 VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001506 calcium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000389 calcium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011010 calcium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N hydroquinone methyl ether Natural products COC1=CC=C(O)C=C1 NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVALZJMUIHGIMD-UHFFFAOYSA-H magnesium phosphate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O GVALZJMUIHGIMD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000004137 magnesium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000157 magnesium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002261 magnesium phosphate Drugs 0.000 description 1
- 235000010994 magnesium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010128 melt processing Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- PCILLCXFKWDRMK-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-diol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=C(O)C2=C1 PCILLCXFKWDRMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-dicarboxylic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNZMMCVIXORAQL-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-diol Chemical compound C1=C(O)C=CC2=CC(O)=CC=C21 MNZMMCVIXORAQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000002667 nucleating agent Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052895 riebeckite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H tricalcium bis(phosphate) Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000010456 wollastonite Substances 0.000 description 1
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer metallischen Beschichtung auf der Oberfläche eines Formkörpers, der durch Formpressen einer Harz-Zusammensetzung, umfassend einen in der Schmelze verarbeitbaren Polyester, der eine anisotrop geschmolzene Phase (nachstehend als "Flüssigkristall-Polyester" bezeichnet) bilden kann und der einen Formkörper ergibt, der eine Präzisions-Mikrostruktur- Schaltung durch die substraktive Methode bilden kann, hergestellt wird. Die Erfindung bezieht sich auf Formkörper, die durch dieses Verfahren hergestellt werden.
- Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf ein Verfahren zur Herstellung eines Formkörpers, der eine Präzisions-Mikrostruktur-Schaltung durch die substraktive Methode bilden kann, worin ein Formkörper, der durch Formpressen einer Flüssigkristall-Polyesterharz-Zusammensetzung hergestellt wird, die eine ausgezeichnete Wärmebeständigkeit und Formbarkeit hat, auf wirksame Weise unter Bildung einer metallischen Beschichtung auf die Oberfläche desselben beschichtet werden kann.
- Flüssigkristall-Polyester sind steife Polymere, ungleich wohlbekannten thermoplastischen Polyestern wie Polybutylenterephthalat oder Polyethylenterephthalat. Ihre molekularen Ketten lassen sich schwer verbiegen und behalten ihre stabförmigen Formen sogar im geschmolzenen Zustand bei. Deshalb sind die Moleküle selbst in einem geschmolzenen Zustand nur zu einem geringen Grad miteinander verknäult und werden selbst durch eine geringe Scherkraft in einer Richtung orientiert. Sie sind so selbst in der flüssigen Form kristallin, d.h. sie sind Flüssigkristalle.
- Obwohl Flüssigkristall-Polyester durch ein gewöhnliches Spritzgießverfahren geformt werden können und eine ausgezeichnete Formbarkeit, Wärmebeständigkeit und Maßhaltigkeit haben, haben sie dahingehend einen Nachteil, daß sich die Oberflächenschicht eines Formkörpers, der durch Formpressen derselben hergestellt wird, abschält, wodurch ein Ausfransen aufgrund der starken Orientierung derselben verursacht wird. So wurden sie bisher noch nicht erfolgreich einem Oberflächenbearbeitungs-Verfahren wie Vakuum-Abscheidung, Ionenplattieren oder Sputtern unterzogen.
- Obwohl es als möglich erachtet werden kann, die Oberfläche eines Flüssigkristall-Polyesters durch Vorbehandlung mit einer Chemikalie anzurauhen, die zur Behandlung gewöhnlicher Harze verwendet wird, ist die Oberfläche des so hergestellten Formkörpers chemisch vollkommen inert und hat keine Affinität zu irgendeinem Lösungsmittel. So ist es unmöglich, die Oberfläche durch Entfernen der orientierten Oberflächenschicht anzurauhen. Eine andere Methode des Oberflächen-Anrauhens umfaßt die Zugabe eines anorganischen Füllstoffs zum Schwächen der starken Orientierung des Flüssigkristall-Polyesterharzes oder eines Additivs, das auf einfache Weise ausgelaugt werden kann, und Behandlung der Oberfläche mit einer starken Säure- oder Alkalilösung. Wenn jedoch eine leitende Schaltung auf der geätzten Oberfläche z.B. durch Naßplattieren gemäß dem stromlosen Plattieren gebildet wird, wird ein schwacher Oxidfilm zwischen der metallischen Beschichtung und dem Material durch Wasser, das in der Naßstufe eingebaut wird, und Verunreinigungen, die in der für die Behandlung verwendeten Lösung enthalten sind, gebildet, wodurch die Haftung der metallischen Beschichtung an das Material reduziert wird. So ist eine höhere Oberflächenrauhigkeit notwendig, um eine stärkere Haftung zu erhalten. In diesem Fall wird eine Resist-Druckfarbe zur Bildung eines Schaltungsmusters nur an einem Teil der Oberfläche aufgrund der Unebenheit der Oberfläche der Grundplatte, die vollständig mit dem Metall beschichtet ist, angelagert, und bei der Muster-anklebenden Methode mit einem trockenen Film ist die Haftung des Films an dem Formkörper gering. Da die Dicke der metallischen Beschichtung, die auf einer stark rauhen Oberfläche gebildet wird, uneben ist, ist die Bildung einer Präzisions-Mikrostruktur-Schaltung schwierig.
- Wenn eine metallische Beschichtung direkt auf einer Grundplatte, die nur in der Orientierung verbessert ist, durch Vakuumabscheidung, Sputtern oder Ionenplattieren gebildet wird, ist die Haftung der Beschichtung schlecht, obwohl eine glatte Oberfläche erhalten werden kann. So ist dieses Verfahren unpraktisch. Besonders wenn ein gewöhnliches thermoplastisches Harz einer Vakuumabscheidung, einem Sputtern oder Ionenplattieren unterzogen wird, wird ein Gas in einer zu großen Menge aus dem Rohmaterial im Vakuum gebildet, damit eine metallische Beschichtung mit ausgezeichneten Eigenschaften an dem Harz fest haften kann. Obwohl der Flüssigkristall-Polyester im wesentlichen nicht das Problem der Gasbildung hat, kann keine metallische Beschichtung aus den oben beschriebenen Gründen fest daran haften. Selbst wenn eine Präzisions- Mikrostruktur-Schaltung durch die substraktive Methode auf einer Platte gebildet werden soll, die durch Zugabe eines anorganischen Füllstoffs - der in einer Säure oder einem Alkali leicht löslich ist - zu dem Harz, Ätzen des sich ergebenden Harzes mit der Säure oder dem Alkali und Unterziehen des geätzten Harzes einem gewöhnlichen stromlosen Plattieren unter Bildung einer metallischen Beschichtung auf der gesamten Oberfläche hergestellt wird, beträgt die minimal mögliche Linienbreite 0,30 mm und die minimal mögliche Abstandsbreite 0,30 mm in einer Schaltung, die durch das konventionelle Verfahren hergestellt wird. Zusätzlich dazu ist die Haftung des Beschichtungsfilms daran auf unbrauchbare Weise reduziert, wenn die Oberflächenrauhigkeit zur Erhöhung der Feinheit der Linien verbessert wird.
- Die Begriffe "Linienbreite" und "Abstandsbreite", wie sie hierin verwendet werden, beziehen sich auf die Breite jeder Linie der Schaltung bzw. den Abstand zwischen den Linien, die zueinander benachbart vorliegen.
- Flüssigkristall-Polyester haben Eigenschaften wie einen niedrigen linearen Ausdehnungskoeffizienten, der dem linearen Wärmeausdehnungskoeffizienten eines gewöhnlichen Metalls vergleichbar ist, und eine Wärmebeständigkeit, die keine Probleme verursacht, selbst wenn dieselben in ein Lötmittelbad 10 Sekunden bei 260 ºC eingetaucht werden.
- Obwohl zum Zweck der Entwicklung eines Verfahrens zum Beschichten der Oberfläche eines Formkörpers mit einem Metall zur Verbesserung der oben beschriebenen Oberflächeneigenschaften, und zur Herstellung von Teilen, die an ein Metall mit einem Klebstoff gebunden sind, oder mit einem Metall formbeschichtet sind - wobei ein Vorteil aus diesen Eigenschaften des Flüssigkristall-Polyesters gezogen wurde - Untersuchungen durchgeführt wurden, wurde bisher kein vollständig befriedigendes Verfahren gefunden.
- Unsere frühere Patentanmeldung JP-A-6254073 bezieht sich auf einen geformten, oberflächenmetallisierten Harz-Gegenstand, der hergestellt wird durch: Spritzgießen, Extrusion oder Formpressen eines Flüssigkristall-Polymers mit einem Gehalt eines leicht ätzbaren Materials wie Kaolin, um einen Formkörper von erwünschter Gestalt zu bilden, Ätzen der Oberfläche des Formkörpers mit einer Lösung, die eine oder mehrere Komponenten von Säuren, Alkohol, Alkalien und Wasser enthält, und anschließendes Auftragen der Metall-Beschichtung auf den Formkörper durch Sputtern, Ionenplattieren oder Vakuumabscheidung.
- Die vorliegende Erfindung ergab sich aus den Untersuchungen zur Herstellung eines Formkörpers, der zur Bildung einer Präzisions-Mikrostruktur-Schaltung durch die substraktive Methode geeignet ist, um eine metallische Beschichtung zu bilden, die eng an der Oberfläche haftet, ohne die physikalischen und chemischen Eigenschaften des Flüssigkristall- Polyesters zu beeinträchtigen, und auch ohne irgendeine leicht abschälbare Oberflächen-Schicht zu bilden, wobei ein Vorteil aus den günstigen Wärmeeigenschaften des Flüssigkristall- Polyesters gezogen wurde. Die Erfinder haben gefunden, daß eine fest anhaftende metallische Beschichtung auf der Oberfläche eines Formkörpers gebildet werden kann, der aus einer Flüssigkristall-Polyester-Zusammensetzung besteht, umfassend einen Flüssigkristall-Polyester und einem diesem zugefügten anorganischen Füllstoff, wenn der Formkörper geätzt, durch Dehydratation getrocknet und durch Sputtern, Ionenplattieren oder Vakuumabscheidung oberflächenbehandelt wird. Durch das nachstehend beschriebene Verfahren kann eine bessere Präzisions-Mikrostruktur-Schaltung gemäß der substraktiven Methode erhalten werden, als die, die durch ein konventionelles Verfahren hergestellt wird. Die vorliegende Erfindung wurde auf der Basis dieses Ergebnisses vervollständigt.
- So stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines metallbeschichteten Formkörpers bereit, der eine Präzisions-Mikrostruktur-Schaltung durch die substraktive Methode bilden kann, umfassend: (A) Bereitstellen eines Grundformkörpers, der aus einer Flüssigkristall-Polyesterharz- Zusammensetzung gebildet wird, umfassend einen flüssig-kristallinen Polyester und 5 bis 80 Gew.-%, bezogen auf die gesamte Flüssigkristall-Polyesterharz-Zusammensetzung, eines anorganischen Füllstoffs, (B) Ätzen wenigstens eines Teils des Grundformkörpers und dann (C) Bilden einer metallischen Beschichtung auf der geätzten Oberfläche des Grundformkörpers durch Sputtern, Ionenplattieren oder Vakuumabscheidung, dadurch gekennzeichnet, daß die metallische Beschichtung unter erhöhten Temperatur- und reduzierten Druckbedingungen gebildet wird, um so die Härte der Oberfläche des Grundformkörpers zu reduzieren, und um Gas zu eliminieren, das aus dem Grundformkörper gebildet wird, worin der reduzierte Druck zur Bildung der metallischen Schicht im Bereich von 13,3 µPa bis 133 mPa (10&supmin;&sup7; Torr 10&supmin;³ Torr) liegt.
- Die substraktive Methode zur Bildung einer Schaltung umfaßt hierin: Beschichten oder Laminieren der gesamten Oberfläche eines Formkörpers mit einem leitfähigen Material wie einem Metall, Beschichten solcher Teile der Oberfläche - die zur Bildung eines Leitermusters, basierend auf dem Schaltungsdesign, notwendig sind - mit einem säurefesten Material, das als ein Ätzmittelresist dient, Auflösen des Metalls - in einer Ätzlösung, in der das Metall löslich ist - in den Leitermuster-freien Teilen, die nicht mit irgendeinem Ätzmittelresist beschichtet sind, und Entfernen des Ätzmittelresists durch Auflösen desselben in einer Chemikalie, um das Leitermuster freizulegen, wobei so eine Schaltung gebildet wird.
- Der in der vorliegenden Erfindung verwendete anorganische Füllstoff stellt vorzugsweise einen anorganischen Füllstoff oder mehrere anorganische Füllstoffe dar, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Elementen der Gruppe II des Periodensystems und ihren Oxiden, Sulfaten, Phosphaten, Silicaten und Carbonaten, oder der Gruppe, bestehend aus den Elementen Aluminium, Silicium, Zinn, Blei, Antimon und Bismut und deren Oxiden. Besonders bevorzugte anorganische Füllstoffe sind ein oder mehrere Füllstoff(e), ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Oxiden, Sulfaten, Phosphaten und Silicaten von Elementen der Gruppe II des Periodensystems.
- Die Oxide von Elementen der Gruppe II des Periodensystems umfassen Magnesiumoxid, Calciumoxid, Bariumoxid und Zinkoxid. Die Phosphate umfassen Magnesiumphosphat, Calciumphosphat, Bariumphosphat und Calciumpyrophosphat. Die Silicate umfassen Magnesiumsilicat, Calciumsilicat, Aluminiumsilicat, Kaolin, Talcum, Ton, Diatomeenerde und Wollastonit.
- Diese anorganischen Füllstoffe sind bei der Oberflächen-Behandlung (Ätzen) des Formkörpers mit einer Säure oder einem Alkali vor der Oberflächen-Behandlung mit dem Metall besonders bevorzugt. Unter diesen sind die Phosphate bevorzugt. Zusätzlich dazu ist(sind) auch eine oder mehrere Substanz(en) aus der Gruppe, bestehend aus Aluminium, Silicium, Zinn, Blei, Antimon und Bismut und deren Oxiden, bevorzugt. Besonders sind amphotere Metalle wie Zink, Aluminium, Zinn und Blei und deren Oxide bevorzugt.
- Die Menge des anorganischen Füllstoffs beträgt 5 bis 80 Gew.-%, vorzugsweise 20 bis 70 Gew.-%, bezogen auf die gesamte Flüssigkristall-Polyesterharz-Zusammensetzung. Wenn sie weniger als 5 Gew.-% beträgt, werden ungleichförmige Fließmarkierungen auf der Oberfläche des Formkörpers gebildet, und ein dünner Film, der auf der Oberfläche gebildet wird, läßt sich leicht von dem Formkörper abschälen, wenn ein Klebeband auf die Oberfläche aufgelegt und dann abgezogen wird. Zusätzlich dazu ist ein gleichförmiges Ätzen der Oberfläche unmöglich. Wenn die Menge andererseits 80 Gew.-% übersteigt, wird die Fluidität des Harzes reduziert, und der erhaltene Formkörper weist einen schlechten Oberflächenzustand auf und hat eine reduzierte mechanische Festigkeit.
- Der anorganische Füllstoff liegt vorzugsweise in der Form eines feines Pulvers vor. Sein durchschnittlicher Teilchendurchmesser beträgt 0,01 bis 100 µm, vorzugsweise 0,1 bis 30 µm, und am meisten bevorzugt 0,5 bis 10 µm. Wenn der durchschnittliche Teilchendurchmesser geringer als 0,01 µm ist, besteht die Tendenz zur Bildung von Klumpen auf der Oberfläche des Formkörpers aufgrund einer ungenügenden Dispergierung, und wenn er demgegenüber 100 µm übersteigt, hat der Formkörper eine schlechte Oberflächenglätte, so daß die Bildung feiner Linien für eine Präzisionsschaltung durch die substraktive Methode äußerst schwierig wird, und kein gutes Aussehen erhalten werden kann.
- Faserige anorganisch Substanzen werden auch üblicherweise als anorganischer Füllstoff verwendet. Sie können entweder einzeln oder in Kombination mit dem oben-beschriebenen fein-pulverisierten anorganischen Füllstoff verwendet werden.
- Die faserigen, anorganischen Füllstoffe umfassen Fasern von Glas, gemahlenem Glas, Kohlenstoff, Asbest, Siliciumdioxid, Siliciumdioxid/Aluminiumoxid, Aluminiumoxid, Zirconerde, Bornitrid, Siliciumnitrid, Bor, Kaliumtitanat, und Metallen wie rostfreien Stahl, Aluminium, Titan, Kupfer und Messing. Sie werden in einer Menge verwendet, die von 5 bis 60 Gew.-%, vorzugsweise 5 bis 40 Gew.-%, bezogen auf die gesamte Zusammensetzung für den Formkörper, reicht. Vorzugsweise haben sie einen Durchmesser von 1 bis 30 µm und eine Länge von 5 µm bis 1 mm, insbesondere 10 bis 100 µm.
- Die bevorzugten faserigen anorganischen Füllstoffe sind Glasfasern, gemahlene Glasfasern und Kaliumtitanatfasern. Glasfaser ist besonders bevorzugt. Wenn die Glasfaser in Kombination mit dem oben beschriebenen anorganischen Füllstoff verwendet wird, wurde unerwarteterweise gefunden, daß die Oberfläche des Formkörpers gleichmäßiger wird, und die Haftung einer metallischen Beschichtung zur Bildung einer leitfähigen Schaltung an den Formkörper weiterhin verbessert wird. Gemahlene Glasfaser, die vom Gesichtspunkt des Gleichgewichts zwischen der Oberflächenrauhigkeit und den mechanischen Eigenschaften des Materials aus zwischen den Glasfasern und dem fein pulverisierten Glas eingestuft wird, wird besonders bevorzugt.
- Vom Gesichtspunkt der Formbarkeit und den physikalischen Eigenschaften aus gesehen wird es nicht bevorzugt, daß die gesamte Menge des fein pulverisierten anorganischen Füllstoffs und der faserigen, anorganischen Substanz 85 Gew.-%, bezogen auf die Zusammensetzung, für die Bildung eines Formkörpers übersteigt.
- Beim Ätzen des Formkörpers werden eine Säure, ein Alkohol, ein Alkali oder Wasser, oder eine homogene Mischung derselben verwendet. Unter diesen wird eine wäßrige Lösung von hauptsächlich einem Alkalimetallhydroxid oder Kaliumhydroxid bevorzugt. In einer bevorzugten Ausführungsform wird das Ätzen mit einer 40 bis 50 gew.-proz. wäßrigen Hydroxid-Lösung 5 bis 30 Minuten bei 40 bis 60 ºC durchgeführt. In einer besonders bevorzugten Ausführungsform wird das Ätzen mit einer 45 gew.- proz. wäßrigen Kaliumhydroxid-Lösung etwa 10 Minuten bei 60 ºC durchgeführt. Nach der Vervollständigung des Ätzens wird der Formkörper in eine verdünnte Salzsäure- oder verdünnte Schwefelsäure-Lösung eingetaucht, um die Alkalilösung, die auf der Oberfläche desselben verbleibt, zu neutralisieren, und um den Füllstoff von der Oberfläche zu entfernen, innig mit Wasser gewaschen und mit Heißluft bei nicht weniger als 100 ºC oder unter einem reduzierten Druck oder mit einem Vakuumtrockner entwässert und getrocknet.
- Anstelle des Naßätzens ist auch ein Ätzen gebräuchlich, das unter reduziertem Druck oder im Vakuum von der anfänglichen Stufe aus durchgeführt wird, wie Plasmaätzen, Zerstäubungsätzen oder Ionenätzen.
- Bei diesen Methoden wird der Formkörper durch energetische Teilchen in einer Kammer mit reduziertem Druck physikalisch geätzt. Diese Methoden werden wie oben beschrieben gemäß der Art der Behandlung eingestuft.
- Der Ausdruck "Plasmaätzen" bezieht sich hierin auf die folgende Behandlungsmethode: Eine Plasma-Behandlungskammer einer Plasma-Behandlungs-Apparatur wird auf etwa 1,33 mPa (1 x 10&supmin;&sup5; Torr) evakuiert, eine sehr kleine Menge eines Gases wird darin eingeführt (Fließgeschwindigkeit: 50 SCCM), und die Gasatome werden z.B. durch eine Hochfrequenz (Radiowelle: 13,56 MHz)- Elektrode angeregt, um ein Plasma zu bilden. Die geformte Grundplatte wird der Plasma-Atmosphäre ausgesetzt, damit die Oberfläche derselben durch das Plasma angegriffen wird, um sie physikalisch anzurauhen. In dem Zerstäubungsätz-Verfahren wird eine sehr kleine Menge eines inerten Gases in eine Kammer mit reduziertem Druck einer Zerstäubungsätz-Vorrichtung eingeführt, es wird ein Hochfrequenzstrom oder ein Direktstrom hoher Spannung daran angelegt, um eine Entladung zu verursachen, ein so gebildetes Kation des inerten Gases wird von der Kathode angezogen oder trifft auf die Kathode auf, und die Grundplatte wird durch den Schlag - verursacht durch das Aufprallen - geätzt. Bei der Ionenätz-Methode wird die gleiche- wie oben beschriebene - Arbeitsweise in einer Ionenzerstäubungs-Apparatur wiederholt.
- Der Ausdruck " Behandlung der Oberfläche", um eine metallische Beschichtung zu bilden", wie er hierin verwendet wird, bedeutet ein trockenes Metall-Beschichtungsverfahren, das unter reduziertem Druck oder im Vakuum durchgeführt wird. Insbesondere bedeutet er ein Verfahren, worin eine metallische Beschichtung direkt auf einem Harz-Formkörper durch irgendeine Methode des Sputterns, Ionenplattierens und der Vakuumabscheidung gebildet wird.
- Der Formkörper wird vorzugsweise durch ein Formverfahren gebildet, das aus dem Spritzgießen, Strangpressen und dem Formpressen ausgewählt ist.
- Der in der vorliegenden Erfindung verwendete Flüssigkristall- Polyester ist dadurch gekennzeichnet, daß die Menge eines Gases, das aus ihm in einer Kammer unter reduziertem Druck erzeugt wird, kleiner ist als die, die aus anderen Materialien erzeugt wird. Obwohl eine dünne, metallische Beschichtung, die fest an der Harz-Oberfläche haftet, einfach durch Sputtern, Ionenplattieren oder Vakuumhaftung hergestellt werden kann, kann das so gebildete Gas von dem Harz-Formkörper durch Erwärmen eliminiert werden, und die Härte der Oberfläche bei der erhöhten Temperatur reduziert werden, um weiterhin die Haftung der Metallatome an der Harz-Oberfläche zu verbessern. Die Oberflächen-Behandlung mit dem Metall wird unter einem reduzierten Druck von 13,3 µPa bis 133 mPa (10&supmin;&sup7; Torr bis 10&supmin;³ Torr), oder falls die Behandlungsmethode es so erlaubt, mehr bevorzugt bei 13,3 µPa bis 1,33 mPa (10&supmin;&sup7; Torr bis 10&supmin;&sup5; Torr) durchgeführt.
- Obwohl die minimal mögliche Linienbreite und die minimal mögliche Abstandsbreite der konventionellen Schaltung beide 0,30 mm betrugen - wie oben beschrieben wurde - , können beide auf 0,25 mm oder weniger durch das Verfahren der vorliegenden Erfindung für die Oberflächen-Behandlung mit dem Metall reduziert werden. Weiterhin hat gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung die Schaltung eine starke Haftung, und es kann eine Präzisions-Mikrostruktur-Schaltung durch die substraktive Methode hergestellt werden.
- Der in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung verwendete Flüssigkristall-Polyester ist ein in der Schmelze verarbeitbarer Polyester. Seine molekularen Ketten sind in einem geschmolzenen Zustand regelmäßig parallel angeordnet. Ein derartig angeordneter Zustand der Moleküle wird ein Flüssigkristall oder eine nematische Phase einer flüssig kristallinen Substanz genannt. Diese Polymer-Moleküle sind üblicherweise schmal und flach und haben eine beträchtliche hohe Festigkeit entlang der Hauptachsen der Moleküle. Das Polymer hat üblicherweise kettenausdehnende Bindungen, die koaxial oder parallel sind.
- Die Eigenschaften der anisotropen, geschmolzenen Phase können durch eine gebräuchliche polarimetrische Methode unter Verwendung gekreuzter Nicols bestätigt werden. Insbesondere kann die anisotrope, geschmolzene Phase durch Beobachtung einer geschmolzenen Probe desselben, die auf einem Leitz-Heiztisch angeordnet ist, mit einem Leitz-Polarisationsmikroskop bei 40- facher Vergrößerung in einer Stickstoff-Atmosphäre bestätigt werden. Das Polymer der vorliegenden Erfindung läßt Licht selbst in einem geschmolzenen, statischen Zustand durch, wenn es zwischen gekreuzten Nicols untersucht wird, d.h. es ist optisch anisotrop.
- Die Flüssigkristall-Polymere, die in geeigneter Weise in der vorliegenden Erfindung verwendet werden, sind im wesentlichen in einem gewöhnlichen Lösungsmittel unlöslich und deshalb für die Verarbeitung in Lösung ungeeignet. Diese Polymere können jedoch auf einfache Weise durch eine übliche Methode der Verarbeitung in der Schmelze bearbeitet werden.
- In der vorliegenden Erfindung verwendete, bevorzugte Polymere, die zur Bildung einer anisotropen, geschmolzenen Phase befähigt sind, sind nicht nur aromatische Polyester und aromatische Polyesteramide, sondern auch Polyester, die teilweise einen aromatischen Polyester und ein aromatisches Polyesteramid in der gleichen molekularen Kette umfassen.
- Besonders bevorzugt sind aromatische Flüssigkristall-Polyester und aromatische Flüssigkristall-Polyesteramide, die als einen Bestandteil wenigstens eine Verbindung umfassen, die aus der Gruppe, bestehend aus aromatischen Hydroxycarbonsäuren, aromatischen Hydroxyaminen und aromatischen Diaminen, ausgewählt ist.
- Insbesondere umfassen die Polymere, die in der vorliegenden Erfindung verwendet werden:
- 1) Polyester, die hauptsächlich eine oder mehrere Verbindung(en) umfassen, die aus der Gruppe, bestehend aus aromatischen Hydroxycarbonsäuren und deren Derivaten ausgewählt ist(sind),
- 2) Polyester, die hauptsächlich umfassen:
- a) eine oder mehrere Verbindung(en), die aus der Gruppe, bestehend aus aromatischen Hydroxycarbonsäuren und deren Drivaten ausgewählt ist(sind),
- b) eine oder mehrere Verbindung(en), die aus der Gruppe, bestehend aus aromatischen Dicarbonsäuren, alicyclischen Dicarbonsäuren und deren Drivaten ausgewählt ist(sind),
- c) eine oder mehrere Verbindung(en), die aus der Gruppe, bestehend aus aromatischen Diolen, alicyclischen Diolen, aliphatischen Diolen und deren Drivaten ausgewählt ist(sind),
- 3) Polyesteramide, die hauptsächlich umfassen:
- a) eine oder mehrere Verbindung(en), die aus der Gruppe, bestehend aus aromatischen Hydroxycarbonsäuren und deren Drivaten ausgewählt ist(sind),
- b) eine oder mehrere Verbindung(en), die aus der Gruppe, bestehend aus aromatischen Hydroxyaminen, aromatischen Diaminen und deren Drivaten ausgewählt ist(sind), und
- c) eine oder mehrere Verbindung(en), die aus der Gruppe, bestehend aus aromatischen Dicarbonsäuren, alicyclischen Dicarbonsäuren und deren Drivaten ausgewählt ist(sind), und
- 4) Polyesteramide, die hauptsächlich umfassen:
- a) eine oder mehrere Verbindung(en), die aus der Gruppe, bestehend aus aromatischen Hydroxycarbonsäuren und deren Drivaten ausgewählt ist(sind),
- b) eine oder mehrere Verbindung(en), die aus der Gruppe, bestehend aus aromatischen Hydroxyaminen, aromatischen Diaminen und deren Drivaten ausgewählt ist(sind),
- c) eine oder mehrere Verbindung(en), die aus der Gruppe, bestehend aus aromatischen Dicarbonsäuren, alicyclischen Dicarbonsäuren und deren Drivaten ausgewählt ist(sind), und
- d) eine oder mehrere Verbindung(en), die aus der Gruppe, bestehend aus aromatischen Diolen, alicyclischen Diolen, aliphatischen Diolen und deren Drivaten ausgewählt ist(sind).
- Bevorzugte Beispiele der Verbindungen, die die Flüssigkristall-Polyester der vorliegenden Erfindung ausmachen, umfassen Naphthalin-Verbindungen wie 2,6-Naphthalin-dicarbonsäure, 2,6-Dihydroxynaphthalin, 1,4-Dihydroxynaphthalin und 6-Hydroxy-2-naphthoesäure; Biphenyl-Verbindungen wie 4,4'- Dihydroxybiphenyl; Verbindungen, die durch die folgenden allgemeinen Formeln (I), (II) oder (III)
- dargestellt werden, worin X eine Alkylengruppe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, eine Alkylidengruppe, -O-, -SO-, -SO&sub2;-, -S- oder -CO- darstellt, und
- Y -(CH&sub2;)n-, worin n 1 bis 4 ist, oder -O(CH&sub2;)nO-, worin n 1 bis 4 ist, darstellt;
- p-substituierte Benzol-Verbindungen wie p-Hydroxybenzoesäure, Terephthalalsäure, Hydrochinon, p-Aminophenol und p-Phenylendiamin, die jeweils einen Kern haben, der mit einern Chlor-, Brom-, Methyl-, Phenyl- oder 1-Phenethylgruppe substituiert sein kann, und m-substituierte Benzol-Verbindungen wie Isophthalsäure und Resorcin.
- Die in der vorliegenden Erfindung verwendeten Flüssigkristall- Polyester können zusätzlich zu den oben beschriebenen Bestandteilen ein Polyalkylenterephthalat umfassen, welches keine anisotrope, geschmolzene Phase in der gleichen Molekülkette bildet. Die Alkylgruppe des Polyalkylenterephthalats hat 2 bis 4 Kohlenstoffatome.
- Unter den oben erwähnten Bestandteilen wird(werden) vorzugsweise ein oder mehrere Bestandteil(e), ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus dem Naphthalin-Verbindungen, Biphenyl- Verbindungen und p-substituierten Benzol-Verbindungen vorzugsweise als der(die) unerläßliche(n) Bestandteil(e) verwendet. Unter den p-substituierten Benzol-Verbindungen sind vorzugsweise p-Hydroxybenzoesäure, Methylhydrochinon und 1-Phenylethylhydrochinon bevorzugt.
- Beispiele der Verbindungen, die esterbildende, funktionelle Gruppen als den Bestandteil und Polyester aufweisen, die eine anisotrope, geschmolzene Phase bilden können, welche vorzugsweise in der vorliegenden Erfindung verwendet werden, sind in der japanische Patentveröffentlichung Nr. 36633/1988 beschrieben.
- Die vorzugsweise in der vorliegenden Erfindung verwendeten Flüssigkristall-Polyester haben üblicherweise ein Gewichtsmittel der Molmasse von etwa 2000 bis 200 000, vorzugsweise etwa 10 000 bis 50 000, und besonders bevorzugt etwa 20 000 bis 25 000. Die bevorzugten aromatischen Polyesteramide haben eine Molmasse von etwa 5000 bis 50 000, vorzugsweise etwa 10 000 bis 30 000, z.B. 15 000 bis 17 000. Die Molmasse kann durch Gelpermeationschromatographie oder eine andere Standard- Methode bestimmt werden, worin keine Polymerlösung gebildet wird, wie durch Infrarot-Spektrometrie, worin die terminale Gruppe eines formgepreßten Films bestimmt wird. In einer anderen Methode zur Bestimmung der Molmasse wird die Molmasse durch Lösen der Probe in Pentafluorphenol durch die Lichtstreuungsmethode bestimmt.
- Eine 0,1 gew.-proz. Lösung, die durch Lösen des aromatischen Polyesters von Polyesteramid in Pentafluorphenol bei 60 ºC hergestellt wurde, hat üblicherweise eine logarithmische Viskositätszahl (I.V.) von wenigstens etwa 2,0 dl/g, z.B. etwa 2,0-10,0 dl/g.
- In der vorliegenden Erfindung können die oben erwähnten anorganischen Füllstoffe (fein pulverisierter anorganischer Füllstoff und faserige anorganische Substanz) in Kombination mit verschiedenen anorganischen Substanzen verwendet werden, um die Eigenschaften des Produkts zu verbessern. Diese anorganischen Substanzen werden vorzugsweise verwendet, um einen Formkörper zu bilden, der ausgezeichnete mechanische Eigenschaften, eine ausgezeichnete Wärmestabilität und Maßhaltigkeit (Beständigkeit gegenüber der Deformation und der Verkrümmung) hat. Die verwendeten anorganischen Substanzen können gemäß dem Zweck pulverig, körnig oder plattenförmig sein.
- Die pulverigen oder körnigen anorganisch Substanzen umfassen Ruß, Graphit, Siliciumdioxid, Quarz-Pulver, Glasperle, Glasballon, Glaspulver, Metalloxide wie Eisenoxide, Ferrit, Siliciumcarbid, Siliciumnitrid und Bornitrid.
- Die plattenförmigen anorganischen Substanzen umfassen Glimmer, Glasflocke und verschiedene Metallfolien.
- Diese anorganischen Substanzen, die in Kombination mit anorganischem Füllstoff verwendet werden, werden entweder allein oder in Kombination mit zwei oder mehreren derselben verwendet.
- Vom Gesichtspunkt der Formbarkeit und der physikalischen Eigenschaften aus gesehen, wird es bevorzugt, daß die Gesamtmenge von anorganischem Füllstoff und anorganischer Substanz, bezogen auf das Gesamtgewicht der zu formenden Zusammensetzung, 85 Gew.-% nicht übersteigt. Es ist erwünscht, den anorganischen Füllstoff und die anorganischen Substanzen in Kombination mit einem Bindemittel oder einer Oberflächen- Behandlung - falls erwünscht - zu verwenden.
- Ein anderes thermoplastisches Harz kann in die Zusammensetzung, die in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung verwendet wird, eingebaut werden, sofern der Gegenstand der vorliegenden Erfindung nicht behindert wird.
- Die hierin verwendbaren thermoplastischen Harze sind nicht besonders eingeschränkt. Sie umfassen Polyolefine wie Polyethylen und Polypropylen, Polyacetale (Homopolymere und Copolymere), Polystyrol, Polyvinylchlorid, Polyacrylester und Copolymere derselben, Polyamide, Polycarbonate, ABS, Polyphenylenoxide, Polyphenylensulfide und Fluorharze. Die thermoplastischen Harze können entweder allein oder in Form einer Mischung von zwei oder mehreren derselben verwendet werden.
- Die Harz-Zusammensetzung kann weiterhin gemäß den erwünschten Eigenschaften bekannte Additive enthalten, die üblicherweise thermoplastischen und wärmehärtbaren Harzen zugegeben werden, wie Weichmacher, Stabilisatoren (wie Antioxidationsmittel oder Ultraviolettabsorber), antistatische Reagenzien, Oberflächenbehandlungsmittel, Tenside, Flammverzögerungsmittel, Farbmittel (wie Farbstoffe oder Pigmente), Gleitmitel zur Verbesserung der Fluidität und Trennbarkeit, und Kristallisationsbeschleuniger (Keimbildungsmittel).
- Der durch das Verfahren der vorliegenden Erfindung hergestellte Formkörper ist z.B. eine Platte, die zur Bildung einer Anschlußstiftmatrix (PGA) verwendet wird, eine Platte, die einen darin eingeführten Stift hat, oder eine geformte Platte, die zur Bildung eines gedruckten Schaltkreises verwendet wird. Die Form desselben ist nicht besonders eingeschränkt und kann bequemerweise eine Platte, ein Kubus, ein Film oder ein Blatt sein.
- Wie oben beschriebenen wurde, kann gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung zur Oberflächen-Behandlung eines Flüssigkristall-Polyesterharz-Formkörpers mit einem Metall, worin die Ätzvorbehandlung durchgeführt wird, eine Präzisions- Mikrostruktur-Schaltung (mit einer Linienbreite von 0,23 mm oder weniger und einer Linienbreite von 0,25 mm oder weniger) durch die substraktive Methode hergestellt werden. Die Oberflächenschicht des Produkts läßt sich nicht leicht abschälen. Das Produkt hat eine gleichförmige, dichte Oberflächenstruktur. Die Haftung der metallischen Beschichtung an die Oberfläche ist größer als die, die ohne die Ätzbehandlung erhalten wird. Das Problem des Abschälens bei einer hohen Temperatur, das durch einen Unterschied in dem Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Harz und dem Metall verursacht wird, ist gelöst, obwohl die Vermeidung des Abschälens schwierig ist, wenn ein gewöhnliches thermoplastisches Harz verwendet wird. Das Eintauchen in ein Lötmittelbad (Zeitspanne: etwa 10 Sekunden) ist auch möglich. So kann das Verfahren der vorliegenden Erfindung in den Bereichen angewendet werden, die sich auf gedruckte Schaltungs-Formkörper beziehen.
- Die folgenden, nichteinschränkenden Beispiele erläutern weiterhin die vorliegende Erfindung.
- Die in den Beispielen verwendeten Flüssigkristall-Polyester A bis F umfassen die folgenden Struktur-Einheiten: (die Zahlen beziehen sich auf das Stoffmengenverhältnis)
- Eines der Flüssigkristall-Polyesterharze A bis F, das nachstehend beschrieben wird, wurde zusammen mit einem Füllstoff, der in den Tabellen 1 und 2 in Gew.-%, bezogen auf die gesamte Zusammensetzung, angegeben ist, durch Vermischen in der Schmelze mit einem Extruder geknetet, um Pellets zu bilden. Die Pellets wurden bei 140 ºC 3 Stunden getrocknet und mit einer Spritzpresse, die ein Formwerkzeug mit einer gesteuerten Temperatur hat, zu flachen Platten geformt, die eine Größe von 50 mm × 70 mm × 3 mm haben.
- Die so gebildeten flachen Platten (Basisplatten) wurden wie nachstehend beschrieben durch die folgenden Methoden einer Ätzvorbehandlung und dann der Oberflächen-Metallbeschichtung unterzogen:
- Die obige Platte wurde in einer Kammer mit reduziertem Druck einer Vakuumabscheidungs-Apparatur (EX 500, hergestellt von ULVAC Corporation), angeordnet, und die Kammer wurde auf 533 µPa (4 × 10&supmin;&sup6; Torr) evakuiert.
- Die Oberflächen-Temperatur des Formkörpers wurde auf einen vorherbestimmten Wert mit einer Halogenlampe eingestellt, die zum Erwärmen des Formkörpers in der Kammer angeordnet war. Metallisches Kupfer wurde mit Elektronenstrahlen verdampft, um eine dünne metallische Kupfer- Beschichtung (Dicke: 3 bis 5 µm) auf der Oberfläche jeder Platte zu bilden.Nach der Vervollständigung der Abscheidung wurde die geformte Platte abgekühlt und herausgenommen.
- Der Formkörper wurde in einer Kammer mit reduziertem Druck einer Apparatur zum Sputtern (8ES: hergestellt von Tokuda Seisakujo Ltd.) angeordnet. Nach der Evakuierung auf 400 µPa (3 × 10&supmin;&sup6; Torr) wurde darin Argongas eingeführt, und der Gleichgewichtsdruck auf 667 mPa (5 × 10&supmin;³ Torr) eingestellt. Nachdem die Plattentemperatur auf einen vorherbestimmten Wert mit einer Halogenlampe eingestellt worden war, wurde die Platte mit 10 U/min gedreht, und der auf die Platte aufgesetzte Formkörper wurde einem Sputtern mit einem metallischen Kupfer-Target, das 100 mm von dem Formkörper entfernt vorlag, unterzogen, um eine dünne, metallische Kupfer-Beschichtung zu bilden.
- Eine Kammer mit reduziertem Druck einer Ionenplattierungs-Apparatur vom Bogenentladungstyp (AIF-850 SB; hergestellt von Shinko Seiki Co. Ltd.) wurde auf 400 µPa (3 × 10&supmin;&sup6; Torr) evakuiert. Die Temperatur des Formkörpers auf der Platte, die in der Kammer angeordnet wurde, wurde auf einen vorherbestimmten Wert eingestellt, und eine dünne, metallische Kupfer-Beschichtung wurde darauf durch Ionenplattieren gebildet. Der Ionisationsstrom betrug 100 mA, und die Vakuumabscheidunggeschwindigkeit war 0,5 µm/min.
- Das Ätzen wurde durch die folgenden Methoden durchgeführt:
- Eine Kammer mit reduziertem Druck einer Plasmabehandlungs-Apparatur (PV-10 S, hergestellt von Samco International Inc.) wurde auf 133 µPa (1 × 10&supmin;&sup6; Torr) evakuiert. Sauerstoffgas wurde darin eingeführt (Fließgeschwindigkeit: 50 SCCM), um darin ein Sauerstoff-Plasma mit einer Hochfrequenz-Elektroden-Apparatur (13,56 MHz) zu bilden, und die Oberfläche der flachen Platte wurde mit dem Plasma physikalisch angerauht. Die Behandlungsbedingungen umfaßten 170 W × 10 min (der reduzierte Druck in einer Sauerstoff-Atmosphäre: 8 Pa oder 6 × 10&supmin;² Torr). Die Temperatur der Basisplatte war 35 ºC.
- Eine Kammer mit reduziertem Druck einer Apparatur zum Sputtern (8ES: hergestellt von Tokuda Seisakujo Ltd.) wurde auf 133 µPa (10&supmin;&sup6; Torr) evakuiert. Es wurde darin Argongas mit einer derartig gesteuerten Geschwindigkeit eingeführt, daß der reduzierte Druck 133 mPa (1 × 10&supmin;³ Torr) betrug. Es wurde eine negative Spannung auf eine Haltevorrichtung des Formkörpers angelegt, um eine Entladung durchzuführen. Der Formkörper auf der Basisplatte wurde mit dem Plasmakation 10 Minuten geätzt. Die Temperatur der Basisplatte betrug 30 ºC.
- Es wurde eine Ionenplattierungsapparatur verwendet. Vor dem Durchführen des Ionenplattierens wurde eine Kammer mit reduziertem Druck derselben auf etwa 133 µPa (10&supmin;&sup6; Torr) evakuiert. Es wurde Argongas in die Kammer mit reduziertem Druck eingeführt. Es wurde eine Direktstrom- Spannung (1,3 kV) zwischen der Basisplatte, an die der Formkörper fixiert wurde, und einer gegenüberliegenden Elektrode angelegt, so daß die Plattenseite negativ ist, um das Ionenätzen durch ein Ionen-Bombardement mit Argongas durchzuführen.
- Diese Behandlung wurde 10 Minuten unter den Bedingungen durchgeführt, die einen Grad des Vakuums der Argongas- Atmosphäre von 133 mPa (1 × 10&supmin;³ Torr), eine Basisplatten-Temperatur von 200 ºC und einen Stromwert von 0,3 mA umfassen.
- Der Formkörper wurde entfettet, und die Oberfläche des Formkörpers wurde mit einem Alkalibad geätzt und mit Wasser gewaschen. Er wurde dann in eine verdünnte Salzsäurelösung eingetaucht, um verbleibendes Alkali zu neutralisieren, mit Wasser gewaschen und 1 Stunde bei 150 ºC getrocknet. Entfetten Ätzen Neutralisation Trocknen Waschen mit Wasser Waschen mit warmem Wasser 50 g/l Ace Clean A-220, 55 ºC, 5 min 650 bis 800 g/l Kaliumhydroxid, 60 ºC, 50 bis 30 Minuten 50 ml/l 36 proz. Salzsäure, Raumtemperatur, 2 Minuten Heißluft, 150 ºC, 1 Stunde.
- Unmittelbar nach der Oberflächen-Behandlung mit dem Metall wurde die geformte Platte mit Kupfer elektroplattiert, um eine metallische Beschichtung mit einer Dicke von 30 bis 40 µm zu bilden, da die Schälfestigkeit der Platte an sich nicht bestimmt werden konnte. Sie wurde mit einem Messer zu Streifen einer Breite von 5 mm geschnitten, und die Schälfestigkeit des Streifens wurde mit einer Federskala gemessen. Die Schälfestigkeit betrug 50 mm/min. Die Ergebnisse sind in den Tabellen 1 und 2 aufgeführt. Tabelle 1 Material Bsp.-Nr. oder Vergl.-Bsp.-Nr. Vorbehandlung des Formteils Oberflächenbehandlung mit Metall*1) Haftung der metallischen Beschichtung, (kg/cm) kritische Feinlinienbreite der Schaltung*2 [Linie/Abstand (mm)] Polymer Füllstoff Bsp. Vergl.-Bsp. gemahlene Glasfaser Calciumpyrophosphat Plasmaätzen Ionenätzen Zerstäubungsätzen Alkaliätzen Vakuumabscheidung Ionenplattierung Sputtern *1: Temperatur der Basisplatte: 40 ºC *2): Die kritische Feinlinienbreite der Schaltung wurde als ein kritischer Wert definiert, bei dem kein Defekt bei der mikroskopischen Beobachtung (20-fache Vergrößerung) der mit einem linearen Muster plattierten Produkte, die variierende Linien/Abstandsbreiten haben, festgestellt wurde. Tabelle 2 Material Bsp.-Nr. oder Vergl.-Bsp.-Nr. Vorbehandlung des Formteils Oberflächenbehandlung mit Metall*1) Haftung der metallischen Beschichtung, (kg/cm) kritische Feinlinienbreite der Schaltung*2 [Linie/Abstand (mm)] Polymer Füllstoff Bsp. Vergl.-Bsp. gemahlene Glasfaser Calciumpyrophosphat Plasmaätzen, O&sub2;-Atmosphäre Alkaliätzen Vakuumabscheidung Naßplattieren *1: Temperatur der Basisplatte: 40 ºC *2): Die kritische Feinlinienbreite der Schaltung wurde als ein kritischer Wert definiert, bei dem kein Defekt bei der mikroskopischen Beobachtung (20-fache Vergrößerung) der mit einem linearen Muster plattierten Produkte, die variierende Linien/Abstandsbreiten haben, festgestellt wurde.
Claims (7)
1. Verfahren zur Herstellung eines metallbeschichteten
Formkörpers, der eine Präzisions-Mikrostruktur-Schaltung durch die
substraktive Methode bilden kann, umfassend: (A)
Bereitstellen eines Grundformkörpers, der aus einer
Flüssigkristall-Polyesterharz-Zusammensetzung gebildet wird,
umfassend einen flüssig-kristallinen Polyester und 5 bis
80 Gew.-%, bezogen auf die gesamte Flüssigkristall-
Polyesterharz-Zusammensetzung, eines anorganischen
Füllstoffs, (B) Ätzen wenigstens eines Teils des
Grundformkörpers und dann (C) Bilden einer metallischen Beschichtung auf
der geätzten Oberfläche des Grundformkörpers durch Sputtern,
Ionenplattieren oder Vakuumabscheidung, dadurch
gekennzeichnet, daß die metallische Beschichtung unter erhöhten
Temperatur- und reduzierten Druckbedingungen gebildet wird,
um so die Härte der Oberfläche des Grundformkörpers zu
reduzieren, und um Gas zu eliminieren, das aus dem
Grundformkörper gebildet wird.
2. Verfahren zur Herstellung eines Formkörpers gemäß Anspruch
1, worin das Ätzen Plasmaätzen, Zerstäubungsätzen oder
Ionenätzen ist.
3. Verfahren zur Herstellung eines Formkörpers gemäß
irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, worin der anorganische
Füllstoff eine fein-pulverisierte anorganische Substanz mit
einem durchschnittlichen Teilchendurchmesser im Bereich von
0,01 bis 100 µm ist.
4. Verfahren zur Herstellung eines Formkörpers gemäß
irgendeinem der Ansprüche 1 oder 2, worin der anorganische
Füllstoff eine faserige Substanz mit einem Durchmesser im
Bereich von 1 bis 30 µm und einer Länge im Bereich von 5 µm
bis 1 µm ist, und dessen Menge 5 bis 60 Gew.-%, bezogen auf
die gesamte Zusammensetzung, beträgt.
5. Verfahren zur Herstellung eines Formkörpers gemäß Anspruch
4, worin die faserige anorganisch Substanz Glasfaser,
gemahlene Glasfaser oder Kaliumtitanat-Faser ist.
6. Verfahren zur Herstellung eines Formkörpers gemäß
irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, worin der Formkörper ein
Formkörper ist, der zur Bildung einer Anschlußstiftmatrix
verwendet wird, eine Leiterplatte ist, die einen darin
eingeführten Anschlußstift hat, oder eine geformte
Leiterplatte für einen gedruckten Schaltkreis ist.
7. Verfahren zur Herstellung eines Formkörpers gemäß
irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, worin der Formkörper in
der Form einer Platte, eines Würfels, eines Films oder einer
Folie vorliegt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1171368A JPH0724328B2 (ja) | 1989-07-03 | 1989-07-03 | 精密細線回路用成形品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69026871D1 DE69026871D1 (de) | 1996-06-13 |
DE69026871T2 true DE69026871T2 (de) | 1996-11-28 |
Family
ID=15921885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69026871T Expired - Fee Related DE69026871T2 (de) | 1989-07-03 | 1990-07-02 | Verfahren zur Herstellung von Formkörpern für feine Präzisionsleiterbahnen |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5209819A (de) |
EP (1) | EP0407129B1 (de) |
JP (1) | JPH0724328B2 (de) |
KR (1) | KR920007118B1 (de) |
AT (1) | ATE137906T1 (de) |
CA (1) | CA2019978A1 (de) |
DE (1) | DE69026871T2 (de) |
HK (1) | HK195396A (de) |
SG (1) | SG44525A1 (de) |
Families Citing this family (13)
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-
1990
- 1990-06-27 CA CA002019978A patent/CA2019978A1/en not_active Abandoned
- 1990-07-02 EP EP90307223A patent/EP0407129B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-02 AT AT90307223T patent/ATE137906T1/de not_active IP Right Cessation
- 1990-07-02 DE DE69026871T patent/DE69026871T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-07-02 SG SG1996001527A patent/SG44525A1/en unknown
- 1990-07-03 US US07/547,237 patent/US5209819A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-03 KR KR1019900010001A patent/KR920007118B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-10-24 HK HK195396A patent/HK195396A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69026871D1 (de) | 1996-06-13 |
ATE137906T1 (de) | 1996-05-15 |
CA2019978A1 (en) | 1991-01-03 |
JPH0335585A (ja) | 1991-02-15 |
HK195396A (en) | 1996-11-01 |
SG44525A1 (en) | 1997-12-19 |
EP0407129B1 (de) | 1996-05-08 |
EP0407129A2 (de) | 1991-01-09 |
KR910002974A (ko) | 1991-02-26 |
JPH0724328B2 (ja) | 1995-03-15 |
US5209819A (en) | 1993-05-11 |
KR920007118B1 (ko) | 1992-08-24 |
EP0407129A3 (en) | 1991-09-25 |
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8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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