DE69023586T2

DE69023586T2 - Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsmediums von hoher Dichte.

Info

Publication number: DE69023586T2
Application number: DE69023586T
Authority: DE
Inventors: Toshiyuki Kashiwagi
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1989-09-20
Filing date: 1990-09-20
Publication date: 1996-07-04
Anticipated expiration: 2010-09-21
Also published as: EP0418897A2; DE69023586D1; US5238786A; JPH03108141A; JP2754785B2; ATE130457T1; EP0418897A3; EP0418897B1

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen optischer Platten mit hoher Dichte, und spezieller betrifft sie eine Masterherstellungstechnik für eine optische Platte mit hoher Aufzeichnungsdichte.
Im allgemeinen ist es bei der Masterherstellung einer optischen Platte zum Ausbilden von Vertiefungen in dieser üblich, eine Technik zu verwenden, bei der eine Schicht photoempfindlichen Materials (Photoresist), die auf einem Glassubstrat vorhanden ist, selektiv Laserlicht in Übereinstimmung mit Aufzeichnungsinformation ausgesetzt wird und, nach einem Entwicklungsschritt, die belichteten Bereiche der Schicht entfernt werden.
Bei einer solchen Technik ist die Form einer Vertiefung durch den Fleckdurchmesser des auf die Resistfläche gestrahlten Laserlichts, die Verteilung der Laserlichtintensität und die Photoempfindlichkeitseigenschaften des Resistmaterials bestimmt. Im allgemeinen ist eine so erzeugte Vertiefung im Querschnitt auf solche Weise trapezförmig, daß sie an der Bodenfläche des Resists (Glassubstratfläche) schmal und an der entgegengesetzten Fläche des Resists (Oberfläche der Resistschicht) breit ist.
Eine derartige Trapezform rührt davon her, daß die Intensitätsverteilung des Laserlichts durch eine normale, hügelähnliche Kurve repräsentiert ist, und die Aufweitung am Fuß einer solchen Intensitätsverteilungskurve ist der Grund für die Erhöhung der Vertiefungsbreite. Die Vertiefungsbreite entspricht im wesentlichen dem Laserlichtdurchmesser und ist durch die Aperturzahl NA einer Objektivlinse und die Wellenlänge λ des Laserlichts bestimmt. Die Vertiefungsbreite ist durch den Ausdruck 0,82 x λ/NA gegeben. Daher ist der Fleckdurchmesser selbst dann, wenn die kürzeste Wellenlänge (λ = 442 nm) unter dem derzeit bei der Masterherstellung verfügbaren Laserlicht verwendet wird und das Licht mit der höchsten Aperturzahl NA (= 0,9) kollimiert wird, lediglich auf 0,4 µm minimiert. Im Fall einer optischen Platte ist der Fleckdurchmesser des abspielenden Laserlichts nicht so klein und beträgt in der Praxis ungefähr 1,2 µm, so daß das tatsächliche Aufzeichnen mit Vertiefungen mit einer Breite von 0,5 bis 0,6 µm ausgeführt wird.
Mit dem jüngsten technischen Fortschritt wurde jedoch ein kompakter und leichter Laser (λ = 532 nm) entwickelt. Wenn ein optisches System mit einem derartig kurzwelligen Laser praktisch verwendbar gemacht wird, erfordert dies eine Aufzeichnungstechnik in der Größenordnung von 1/4 µm auf der Aufzeichnungsseite, was den Nachteil zur Folge hat, daß der derzeitige Herstellprozeß für optische Platten nicht mit den Forderungen fertig werden kann.
Applied Optics, Vol. 21, No. 11, S. 1892-1893 offenbart das Schreiben dichter Kennzeichnungen von 0,1 µm in einem Photoresist, was beträchtlich kleiner als die Wellenlänge des Belichtungsstrahls (z.B. 0,325 µm) ist. Der Radius eines entwickelten Resistmusters reicht gerade aus, das Substrat zu erreichen, und er hängt vom Kontrast, d.h. der Nichtlinearität des Photoresists ab.
Jordan Isailovic, Videodisc 1985, Kapitel 2.3.1.2 veranschaulicht typische trapezförmige Signalelementformen in Photoresist. Die typische Lochgröße beträgt 0,4 µm und die Kanten sind um 0,1 µm verzerrt.
EP-A-168763 beschreibt ausdrücklich ein Verfahren zum Herstellen einer optischen Platte mit hoher Aufzeichnungsdichte gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1.

AUFGABE UND ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes Herstellverfahren für eine optische Platte hoher Dichte zu schaffen, mit dem Mikrovertiefungen hergestellt werden können, die kleiner als der durch das optische System bestimmte Fleckdurchmesser sind, um dadurch eine weitere Verbesserung der Aufzeichnungsdichte zu erzielen.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zum Herstellen einer optischen Platte hoher Aufzeichnungsdichte mit den folgenden Schritten gelöst: Herstellen eines Substrats; Herstellen einer Schicht aus photoempfindlichem Material auf dem Substrat; selektives Belichten der Schicht aus photoempfindlichen Material mit fokussiertem Laserlicht, das aufzuzeichnende Information repräsentiert, mit vorgegebener Leistung zum Ausbilden belichteter Bereiche; Entfernen der belichteten Bereiche, um die Oberfläche des Substrats freizulegen; Ätzen des Substrats unter Verwendung der verbliebenen Schicht aus photoempfindlichem Material als Ätzmaske; wobei die belichteten Bereiche an der Oberseite der Schicht aus dem photoempfindlichen Material eine größere Breite aufweisen als es der Breite an der Bodenseite dieser Schicht aus photoempfindlichem Material entspricht; und die Breite an der Bodenseite der Schicht aus photoempfindlichem Material während der Belichtung dieser Schicht aus photoempfindlichem Material in einem Echtzeitmodus unter Einstellung der Laserlichtleistung einstellbar ist, wobei die Intensitätsverteilungscharakteristik des Laserlichts verwendet wird.
Auf dem Substrat kann vor dem Herstellen der Schicht aus dem photoempfindlichen Material eine erste Schicht aus Chrom, die gegen Laserlicht nicht empfindlich ist, ausgebildet werden.

KURZE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG

Fig. 1(a) bis 1(j) sind vergrößerte Teilschnitte, die jeweils Schritte beim Herstellen einer optischen Platte hoher Dichte durch das erfindungsgemäße Verfahren veranschaulichen, wobei Fig. 1(a) den Schritt des Herstellens einer ersten Schicht und einer zweiten Schicht zeigt; Fig. 1(b) den Schritt des Belichtens der zweiten Schicht zeigt; Fig. 1(c) den Schritt des Entwickelns der zweiten Schicht zeigt; Fig. 1(d) den Schritt des Ätzens der ersten Schicht zeigt; Fig. 1(e) den Schritt des Herstellens einer Metallmasterplatte zeigt; Fig. 1(f) den Schritt des Herstellens einer Mutterplatte zeigt; Fig. 1(g) den Schritt des Herstellens eines Stempels zeigt; Fig. 1(h) den Schritt des Herstellens einer Trägerplatte zeigt; Fig. 1(i) den Schritt des Herstellens eines Metallfilms zeigt und Fig. 1(j) den Schritt des Herstellens eines Schutzfilms zeigt;
Fig. 2(a) veranschaulicht die typische Intensitätsverteilungscharakteristik von Laserlicht; Fig. 2(b) veranschaulicht die typische Form einer Öffnung, wie sie in der Resistschicht durch Belichtung und Entwicklung ausgebildet wird;
Fig. 3(a) ist ein vergrößerter Teilschnitt durch ein Substrat im Belichtungszustand bei Änderungen der Laserlicht- Ausgangsleistung und Fig. 3(b) ist ein vergrößerter Teilschnitt durch das nach der Belichtung mit Laserlicht entwickelte Substrat.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE

Gemäß dem zum Lösen der oben angegebenen Aufgabe erdachten Herstellverfahren für optische Platten mit hoher Aufzeichnungsdichte wird eine Platte dadurch hergestellt, daß zunächst auf einem Substrat eine gegen Laserlicht unempfindliche erste Schicht und eine gegen Laserlicht empfindliche zweite Schicht ausgebildet werden; dann wird die zweite Schicht entsprechend Aufzeichnungsinformation auf solche Weise selektiv belichtet und entwickelt, daß die Breite jeder Öffnung an ihrer Endfläche auf der Eintrittsseite des Laserlichts größer als die Breite der Öffnung an der Grenze zwischen der ersten und zweiten Schicht wird; und danach erfolgt ein Ätzen der ersten Schicht, während die zweite Schicht als Maske verwendet wird.
Normalerweise ist Laserlicht hγ so verteilt, wie es in Fig. 2(a) dargestellt ist, wenn solches Laserlicht hγ kollimiert und auf eine Resistschicht 2 auf einem Glassubstrat 1 gestrahlt wird. In diesem Fall ist die Intensitätsverteilung des Laserlichts hγ hügelförmig, wie durch eine strichpunktierte Linie wiedergegeben. Der Bereich, der unter diesen Bedingungen belichtet wird, um entwickelt werden zu können, ist in Fig. 2(a) mit einer gestrichelten Linie umschlossen, wobei die Form desselben mit der Intensitätsverteilung des Laserlichts hγ übereinstimmt.
Daher ist dann, wenn eine derartige Resistschicht 2 entwickelt wird, eine im belichteten Bereich ausgebildete Öffnung 2a im Schnitt trapezförmig, wie in Fig. 2(b) veranschaulicht, wodurch die Öffnungsbreite w&sub2;&sub1; an der Endfläche auf der Einfallsseite des Laserlichts größer wird als die Öffnungsbreite w&sub2;&sub2; an der Grenze zwischen der Resistschicht 2 und dem Glassubstrat 1.
Demgemäß kann eine gewünschte Belichtung entsprechend der Laserlicht-Ausgangsleistung dadurch ausgeführt werden, daß die Laserlicht-Ausgangsleistung mit einer solchen Intensitätsverteilungscharakteristik geändert wird.
Genauer gesagt, wird, wie es in Fig. 3(a) veranschaulicht ist, das auf eine Resistschicht 4 auf einem Glassubstrat 3 gestrahlte Laserlicht hγ auf solche Weise auf hγ1, hγ2, hγ3 und hγ4 geändert, daß die Ausgangsleistung desselben nach rechts in der Zeichnung allmählich kleiner wird.
Jede der Laserlicht-Ausgangsleistungen hγ1, hγ2, hγ3, hγ4 wird so aufgestrahlt, daß sich ein Fleckdurchmesser von 0,4 µm auf der Oberfläche der Resistschicht 4 ergibt.
Anschließend ist, wenn die belichtete Resistschicht 4 entwickelt wurde, wie in Fig. 3(b) dargestellt, eine Öffnung 4a, die in demjenigen Schichtbereich ausgebildet ist, der mit der höchsten Ausgangsleistung belichtet wurde, so geformt, daß die Öffnungsbreite wa1 an der Endfläche auf der Seite des Einfalls des Laserlichts hγ1 im wesentlichen gleich groß (0,4 µm) ist wie die Öffnungsbreite wa2 an der Grenze benachbart zum Glassubstrat 3. Indessen sind, was die Öffnungen 4b und 4c betrifft, die in den zwei mittleren Bereichen in Fig. 3(b) ausgebildet sind und die den allmählich kleineren Laserlicht-Ausgangsleistungen hγ2 und hγ3 ausgesetzt wurden, die jeweiligen Öffnungsbreiten wb1 und wc1 an den Endflächen auf der Einfallsseite der Laserlicht- Ausgangsleistungen hγ2 und hγ3 kleiner als die Öffnungsbreiten wb2 und wc2 an der Grenze angrenzend an das Glassubstrat 3. Wenn z.B. jede der Öffnungsbreiten wb1 und wc1 an den Endflächen auf der Einfallsseite der Laserlicht-Ausgangsleistungen hγ2 und hγ3 den Wert 4 µm hat, sind die Öffnungsbreiten wb2 und wc2 an der Grenze angrenzend an das Glassubstrat 3 0,2 µm bzw. 0,1 µm. Was eine Öffnung 4d betrifft, die im Schichtbereich ausgebildet ist, der mit der geringsten Ausgangsleistung belichtet wurde, erreicht der durch das Laserlicht hγ4 erhaltene, belichtete, entwickelbare Bereich nicht das Glassubstrat 3, so daß die Öffnungsbreite wd1 an der Endfläche auf der Einfallsseite des Laserlichts hγ4 0,4 µm ist, die Öffnung 4d jedoch nicht zum Glassubstrat 3 hin offen ist.
Die Erfindung verwendet die Eigenschaft, daß dann, wenn der Fleckdurchmesser des Laserlichts an der Oberfläche der Resistschicht konstant gehalten wird, wie oben beschrieben, jede Öffnung mit anderer Form ausgebildet werden kann, abhängig von der Laserlicht-Ausgangsleistung, wobei der Belichtungsschritt gesteuert durch die Laserlicht-Ausgangsleistung auf solche Weise ausgeführt wird, daß die Breite jeder Öffnung, wie sie bei Entwicklung der zweiten Schicht ausgebildet wird, an ihrer Endfläche auf der Einfallsseite des Laserlichts größer ist als die Breite an der Grenze zwischen der ersten und zweiten Schicht.
Genauer gesagt, wird, wenn gemäß der Erfindung eine Vertiefung unter Verwendung eines Substrats hergestellt wird, auf dem eine erste Schicht, die gegen Laserlicht unempfindlich ist, und eine zweite Schicht, die gegen Laserlicht empfindlich ist, der Reihe nach aufgebracht sind, die zweite Schicht anfangs selektiv gemäß der Aufzeichnungsinformation so belichtet, daß die Breite der Öffnung an ihrer Endfläche auf der Einfallsseite des Laserlichts größer ist als die Öffnungsbreite an der Grenze zwischen der ersten und zweiten Schicht. Danach wird ein Entwicklungsschritt ausgeführt.
Im Ergebnis ist in der zweiten Schicht eine Öffnung ausgebildet, deren Breite an der Endfläche auf der Einfallsseite des Laserlichts größer ist als die Breite an der Grenze zwischen der ersten und zweiten Schicht.
Anschließend wird die erste Schicht geätzt, wobei die verbliebene zweite Schicht als Maske verwendet wird.
Dann entsteht in der ersten Schicht eine der Öffnungsbreite entsprechende Vertiefung an der Grenze zwischen der Öffnung und der ersten Schicht.
Nachfolgend wird eine beispielhafte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Herstellverfahrens für eine optische Platte hoher Dichte unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
Beim Herstellen einer optischen Platte hoher Dichte wird zunächst, wie in Fig. 1(a) dargestellt, eine Chromschicht mit einer Dicke von 600 bis 900 Å (die Dicke wird durch λ/4N der Abspielwellenlänge bestimmt) als erste Schicht 6 auf einem Substrat 5 aus Glas mit polierter Oberfläche hergestellt.
Da die erste Schicht 6 dazu verwendet wird, Vertiefungen in ihr auszubilden, ist es erforderlich, daß diese erste Schicht 6 nicht gegen Laserlicht empfindlich ist, wenn in einem Folgeschritt eine zweite Schicht 7 belichtet wird. Es ist auch erforderlich, daß die erste Schicht 6 beim Entwikkeln der zweiten Schicht 7 mit einem Lösungsmittel wie Aceton, das zum Entfernen des Resists verwendet wird, nicht aufgelöst wird. Ein geeignetes Material, das solchen Erfordernissen genügt, ist z.B. Chrom. Jedoch kann ein entsprechendes Material verwendet werden, vorausgesetzt, daß es den oben genannten Erfordernissen genügen kann.
Danach wird eine Schicht aus einem positiv photoempfindlichen Resistmaterial mit einer Dicke von 500 bis 1500 Å als zweite Schicht 7 auf der ersten Schicht 6 hergestellt.
Da die zweite Schicht 7 beim Ätzen der ersten Schicht 6 als Maske dient, besteht sie aus einem ausgewählten Material, das gegen Laserlicht empfindlich ist. Ein geeignetes Material ist z.B. ein photoempfindlicher Resist.
Danach wird, wie es in Fig. 1(b) dargestellt ist, die zweite Schicht 7 selektiv entsprechend Aufzeichnungsinformation belichtet, während die Ausgangsleistung des Laserlichts hγ in solcher Weise eingestellt wird, daß, vor einem Entwicklungsvorgang, die Breite w&sub1; einer Öffnung 7a an der Endfläche derselben auf der Einfallsseite des Laserlichts größer wird als die Breite w&sub2; an der Grenze angrenzend an die erste Schicht 6.
Das Laserlicht hγ wird bei diesem Ausführungsbeispiel so eingestellt, daß sein Fleckdurchmesser auf der Oberfläche der zweiten Schicht 7 0,4 µm wird.
Anschließend wird das auf der zweiten Schicht 7 ausgebildete latente Bild entwickelt und die belichteten Bereiche werden entfernt.
Im Ergebnis ist eine Öffnung 7a mit trapezförmigem Querschnitt in dem mit dem Laserlicht hγ belichteten Bereich auf solche Weise ausgebildet, daß die Öffnungsbreite w&sub1; an der Endfläche auf der Einfallsseite des Laserlichts größer als die Öffnungsbreite w&sub2; an der Grenze angrenzend an die erste Schicht 6 ist.
Bei diesem Ausführungsbeispiel war die Breite w&sub2; der Öffnung 7a an der Grenze angrenzend an die erste Schicht 6 kleiner als 0,4 mm.
In einem nächsten Schritt wird die erste Schicht 6 geätzt, wobei die nach der Entwicklung verbliebene zweite Schicht 7b als Maske dient.
Demgemäß ist an der der Öffnung 7a in der zweiten Schicht 7 entsprechenden Position, wie in Fig. 1(d) dargestellt, eine Öffnung 6a oder eine Vertiefung mit einer Breite w&sub3; ausgebildet, die kleiner als die Breite w&sub2; der Öffnung 7a an der Grenze angrenzend an die erste Schicht 6 ausgebildet ist, d.h. die Breite w&sub2; der Öffnung 7a an der Grenze zwischen der zweiten Schicht 7 und der ersten Schicht 6.
Anschließend wird die als Maske verbliebene zweite Schicht 7b entfernt, so daß zwischen den restlichen Bereichen 6b der ersten Schicht auf dem Substrat 5 eine Öffnung 6a ausgebildet ist, die eine Breite w&sub3; aufweist, die kleiner ist als die Breite w&sub2; der Öffnung 7a an der Grenze zwischen der zweiten Schicht 7 und der ersten Schicht 6.
Bei diesem Ausführungsbeispiel war die Breite w&sub3; der Öffnung 6a an ihrer Endfläche auf der Seite der zweiten Schicht 7 kleiner als 0,4 mm.
Danach wird eine gewünschte optische Platte durch die bekannte Technik unter Erzeugung einer Masterplatte, eines Stempels usw. hergestellt.
Z.B. wird, wie es in Fig. 1(e) dargestellt ist, das Substrat 5 mit Silber plattiert, um eine Metalischicht 8 zum Erleichtern der Abtrennung einer unten angegebenen Plattierungsschicht 9 herzustellen, und ferner wird stromloses Plattieren ausgeführt, um die Schicht 9 herzustellen.
Anschließend wird, wie es in Fig. 1(f) dargestellt ist, die Plattierungsschicht 9 vom Substrat 5 abgetrennt, um eine Metallmaske 10 herzustellen. Bei diesem Schritt wird gleichzeitig auch die oben genannte Metallschicht 8 abgetrennt.
Im Ergebnis werden die im Substrat 5 ausgebildeten Vertiefungen in die Metallmasterplatte 10 kopiert, so daß auf der Metallmasterplatte 10 Vorsprünge 10a an den Vertiefungen entsprechenden Positionen ausgebildet sind.
Danach wird, wie es in Fig. 1(f) dargestellt ist, eine Mutterplatte 11 unter Verwendung einer derartigen Metallmasterplatte 10 hergestellt.
Im Ergebnis werden die auf der Metallmasterplatte 10 ausgebildeten Vorsprünge 10a auf die Mutterplatte 11 kopiert, wodurch Aussparungen 11a an den Vorsprüngen 10a entsprechenden Positionen erzeugt werden.
In einem nächsten Schritt wird, wie es in Fig. 1(g) veranschaulicht ist, ein Stempel 12 unter Verwendung einer solchen Mutterplatte 11 hergestellt.
Demgemäß werden die in der Mutterplatte 11 ausgebildeten Aussparungen 11a auf den Stempel 12 kopiert, wodurch an diesem Vorsprünge 12a an den den Aussparungen 11a entsprechenden Positionen ausgebildet sind.
Dann wird, wie es in Fig. 1(h) dargestellt ist, eine Trägerplatte 13 dadurch hergestellt, daß der Stempel 12 auf einen Träger aus Acrylharz, Polycarbonatharz oder dergleichen gedrückt wird.
Im Ergebnis eines solchen Schritts werden in der Trägerplatte 13 an den den am Stempel 12 ausgebildeten Vorsprüngen 12a entsprechenden Positionen Aussparungen 13a als Vertiefungen ausgebildet.
In einem nächsten Schritt wird, wie es in Fig. 1(i) dargestellt ist, ein Metallfilm 14 aus Aluminium oder dergleichen als Reflexionsfilm auf der Trägerplatte 13 einschließlich der Vertiefungen ausgebildet.
Schließlich wird, wie es in Fig. 1(j) dargestellt ist, ein Schutzfilm 15 aus Harz oder dergleichen auf dem Metallfilm 14 ausgebildet, um dadurch eine gewünschte optische Platte hoher Dichte fertigzustellen.
So ist bei diesem Ausführungsbeispiel eine Chromschicht zwischen das Substrat und die Resistschicht eingefügt, und die Laserlicht-Ausgangsleistung wird so eingestellt, daß die Breite jeder Öffnung, wie sie bei einem Entwicklungsvorgang der Resistschicht ausgebildet wird, an der Endfläche derselben auf der Einfallsseite des Laserlichts größer ist als die Breite an der Grenze angrenzend an die Chromschicht. Auf diese Weise wird die Resistschicht selektiv belichtet und entwickelt und die Chromschicht wird unter Verwendung der verbliebenen Resistschicht als Maske geätzt. Daher wird es möglich, gewünschte Vertiefungen zu erhalten, die jeweils eine Breite aufweisen, die noch kleiner ist als der Fleckdurchmesser des Laserlichts, wie er durch das optische System bestimmt wird.
Demgemäß beseitigt die Erfindung den komplizierten Ablauf, wie er beim herkömmlichen Verfahren bisher erforderlich war, wenn die Vertiefungsbreite dadurch bestimmt wurde, daß die Einstellung des optischen Systems geändert wurde, und es wird auch der andere Vorteil erzielt, daß jede Unsymmetrie oder Verformung einer Vertiefung vermieden ist, wie sie von einer fehlerhaften Einstellung des optischen Systems herrühren kann.
Außerdem kann mit dem erfindungsgemäßen Verfahren die Vertiefungsbreite in einem Echtzeitmodus während der Belichtung leicht durch geeignete Einstellung der Laserlicht-Ausgangsleistung verändert werden, wobei die Intensitätsverteilungscharakteristik des Laserlichts verwendet wird.
Beim vorstehend angegebenen Verfahren ist die Chromschicht zwischen dem Substrat und der Schicht aus dem phtotempfindlichen Resistmaterial vorhanden, jedoch kann die Schicht aus photoempfindlichem Resistmaterial direkt auf dem Glassubstrat ausgebildet werden und die Glasfläche kann unter Verwendung der entwickelten und belichteten Schicht aus Resistmaterial als Ätzmaske geätzt werden.
Wie es aus der vorstehenden Beschreibung ersichtlich ist, verwendet das erfindungsgemäße Verfahren beim Herstellen einer Vertiefung ein Substrat, auf dem eine gegen Laserlicht nicht empfindliche Schicht und eine andere, gegen Laserlicht empfindliche Schicht aufeinanderfolgend abgeschieden werden, wobei selektive Belichtung und Entwicklung unter Verwendung der Intensitätsverteilungschrakteristik von Laserlicht und der Ausgangsleistungsabhängigkeit derselben ausgeführt werden und dann die nicht gegen Laserlicht empfindliche Schicht geätzt wird, wobei die empfindliche Schicht als Maske verwendet wird. Daher kann eine gewünschte Vertiefung mit extrem kleiner Breite hergestellt werden, die kleiner ist als der durch das optische System bestimmte Fleckdurchmesser.
Daraus folgt, daß bei einer durch das erfindungsgemäße Verfahren hergestellten optischen Platte die Vertiefungsbreite verringert werden kann, um demgemäß hohe Aufzeichnungsdichte zu realisieren.
Ferner wird durch das erfindungsgemäße Verfahren die Vertiefungsbreite nicht durch das optische System bestimmt, so daß es möglich ist, das Erfordernis jedes komplizierten Vorgangs zu vermeiden, wie er bisher erforderlich war, um die Einstellung des optischen Systems zu ändern, und es ist auch möglich, jede Unsymmetrie oder Verformung einer Vertiefung zu verhindern, wie sie andernfalls durch fehlerhafte Einstellung des optischen Systems auftreten kann.
Außerdem gewährleistet das erfindungsgemäße Verfahren einen anderen Vorteil dahingehend, daß die Vertiefungsbreite durch einen vereinfachten Vorgang des Einstellens der Laserlicht- Ausgangsleistung einstellbar ist, und eine derartige Änderung der Vertiefungsbreite kann in einem Echtzeitmodus während der Belichtung ausgeführt werden.

Claims

1. Verfahren zum Herstellen einer optischen Platte mit hoher Aufzeichnungsdichte, mit den folgenden Schritten:

a) Herstellen eines Substrats (3);

b) Herstellen einer Schicht (4) aus photoempfindlichem Material auf dem Substrat;

c) selektives Belichten der Schicht aus photoempfindlichen Material mit fokussiertem Laserlicht, das aufzuzeichnende Information repräsentiert, mit vorgegebener Leistung zum Ausbilden belichteter Bereiche, die an der Oberseite der Schicht aus dem photoempfindlichen Material eine größere Breite aufweisen als es der Breite an der Bodenseite dieser Schicht aus photoempfindlichem Material entspricht;

d) Entfernen der belichteten Bereiche, um die Oberfläche des Substrats freizulegen;

e) Ätzen des Substrats unter Verwendung der verbliebenen Schicht aus photoempfindlichem Material als Ätzmaske; dadurch gekennzeichnet, daß die Breite an der Bodenseite der Schicht aus photoempfindlichem Material während der Belichtung dieser Schicht aus photoempfindlichem Material in einem Echtzeitmodus unter Einstellung der Laserlichtleistung (hγ) einstellbar ist, wobei die Intensitätsverteilungscharakteristik des Laserlichts verwendet wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1 zum Herstellen einer optischen Platte mit hoher Aufzeichnungsdichte, mit dem folgenden Schritt: Herstellen eines Substrats, wobei eine erste Schicht (6) die nicht gegen Laserlicht empfindlich ist, auf dem Substrat (5) hergestellt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem die erste Schicht aus Chrom hergestellt wird.