DE3038532C2 - Aufzeichnungsträger - Google Patents

Aufzeichnungsträger

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Description

Die Erfindung betrifft einen Aufzeichnungsträger mit darin gespeicherter Information für ein mit Licht vorgegebener Wellenlänge arbeitendes, optisches Speicher-Wiedergabe-System mit einer Licht dieser Wellenlänge reflektierenden Schicht, mit einer für das Licht dieser Wellenlänge durchlässigen Schicht auf der reflektierenden Schicht und mit einer Licht dieser Wellenlänge absorbierenden Schicht auf der lichtdurchlässigen Schicht.
In der US-PS 40 97 895 wird ein sogenannter Ablöse-Aufzeichnungsträger beschrieben, der aus mit einer Schicht aus lichtabsorbierendem, organischem Material bedeckten lichtreflektierenden Material besteht. Mit Hilfe eines auf den Aufzeichnungsträger gerichteten, fokussierten, modulierten Lichtstrahls, z. B. des Lichtstrahls eines Argon-Ionen-Lasers, kann die das Licht absorbierende Schicht örtlich verdampft oder abgelöst werden, so daß eine öffnung mit darin freigelegtem lichtreflektierendem Material in der Schicht emsteht. Die Dicke der lichtabsorbierenden Schicht wird so gewählt, daß die Reflektivität des Aufzeichnungsträgers vermindert wird.
Ein verbesserter optischer Ablöse-Aufzeichnungsträger mit einer solchen Dreifachschicht wird in den DE-OS 27 57 737, 28 12 868 und 30 21 103 beschrieben. Im
ίο bekannten wird die Dicke der lichtabsorbierenden Schicht auf die Dicke der lichtdurchlässigen Schicht und die optischen Konstanten des lichtreflektierenden Materials sowie der lichtdurchlässigen und der lichtabsorbierenden Schichten im Sinne einer Verminderung der Reflektivität des Aufzeichnungsträgers abgestimmt Es wird dann ein maximaler Anteil des auf den Aufzeichnungsträger auftreffenden Lichtes eines fokussierten, modulierten Lichtstrahls in der lichtabsorbierenden Schicht absorbiert und in Wärmeenergie umgewandelt.
Durch die Wärmeenergie wird die lichtabsorbierende Schicht unter Bildung je einer öffnung bzw. eines Lochs abgelöst oder geschmolzen. In der Öffnung wird die darunterliegende, lichtreflektierende Schicht bei verbleibender lichtdurchlässiger Schicht freigelegt.
Die Reflektivität des Bereichs der Öffnung der lichtabsorbierenden Schicht ist diejenige der reflektierenden Schicht und damit wesentlich größer als die Reflektivität des umgebenden, unbelichteten Bereichs. Beim Lesen des Aufzeichnungsträgers werden die Unterschiede der Reflektivitäten optisch erfaßt und in ein für die gespeicherte Information repräsentatives elektrisches Signal umgewandelt.
Die bekannte Dreifachschicht kann aus Aluminium als lichtreflektierendem Material, einer lichtdurchlässigen Schicht aus Siliziumdioxid und einer lichtabsorbierenden Schicht aus Titan mit etwa 2 bis 12 Nanometern Dicke hergestellt werden. Ein solcher Aufzeichnungsträger besitzt gute Archiveigenschaften und beim Lesen der gespeicherten Informationen bei oberhalb des Schwellenwertes der Aufnahmeenergie liegenden Energien ein gutes Signal/Rausch-Verhalten. Die Aufnahmeempfindlichkeit ist jedoch vergleichsweise gering. Durch Ersatz des Titans in der absorbierenden Schicht durch Tellur kann die Aufnahmeempfindlichkeit zwar vergrößert werden, die Archiveigenschaften werden dadurch aber verschlechtert. Für Archivzwecke wird daher eine Titanschicht vorgezogen.
Es ist ferner wünschenswert. Kopien in möglichst großer Zahl von dem gespeicherte Informationen enthaltenden Aufzeichnungsträger herstellen zu können. Wegen der geringen Dicke der absorbierenden Schicht sind die in dieser Schicht vorgesehenen Öffnungen beim Herstellen eines Masters bzw. einer Matrize, von denen Kopien gemacht werden könnten, jedoch nur schwierig zu reproduzieren.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Aufzeichnungsträger mit Dreifachschicht-System zu schaffen, in dem die Vorteile guter Archiveigenschaften, hoher Aufnahmefähigkeit und vergleichsweise problemloser Kopierbarkeit vereinigt sind.
Für den vorgenannten Aufzeichnungsträger ist die erfindungsgemäße Lösung dadurch gekennzeichnet, daß die lichtdurchlässige Schicht dicker als etwa 10 Nanometer ist und aus einem bei mindestens 300°C unterhalb des Schmelzpunktes des Materials der lichtabsorbierenden Schicht schmelzenden, zerfallenden und/oder sublimicrenden Matcriul besieht und dull die Information als eine Folge von Öffnungen in der lichldurchlüssi-
gen und der lichtabsorbierenden Schicht oder von Blasen aus einem Hohlraum zwischen der lichtdurchlässigen und der lichtabsorbierenden Schicht unter Verwerfung der Oberfläche der lichtabsorbierenden Schicht besteht
Die Schichtdicke der lichtdurchlässigen Schicht kann zwischen etwa 10 und 500 Nanometcin, vorzugsweise zwischen 10 und 100 Nanometern, liegen.
Dadurch, daß die Schmelztemperatur der lichtdurchlässigen Schicht mehr als 3000C unter der Schmelztemperatur der iichtabsorbierenden Schicht Hegt, gelingt es erfindungsgemäß, die lichtdurchlässige Schicht indirekt durch Erhitzen der Iichtabsorbierenden Schicht bis auf bzw. über ihren Schmelz-, Zersetzungs- oder Sublimationspunkt zu erwärmen. Je nach Energieinhalt der auf das erfindungsgemäße Bauelement auftreffende Strahlung können daher entweder nur Blasen in der absorbierenden Schicht, kombinierte Löcher und Blasen in der absorbierenden und der durchlässigen Schicht oder mehr oder weniger durch beide Schichten gehende Löcher als Code der gespeicherten Information gezeichnet werden. Gute Ergebnisse werden erhalten, wenn die lichtdurchlässige Schicht aus Magnesiumfluorid oder Bleifluorid besteht. Magnesiumfluorid wird für die lichtdurchlässige Schicht vorgezogen, wenn die lichtabsorbierende Schicht aus Titan mit einer Schichtdicke von vorzugsweise etwa 2 bis 25 Nanometern besteht.
Anhand der schematischen Darstellung von Ausführungsbeispielen werden weitere Einzelheiten der Erfindung erläutert. Es zeigt
F i g. 1 einen Schnitt durch einen Aufzeichnungsträger:
F i g. 2 einen Schnitt durch einen Aufzeichnungsträger mit in der lichtdurchlässigen und der Iichtabsorbierenden Schicht vorgesehenen öffnungen;
F i g. 3 einen Schnitt durch einen Aufzeichnungsträger mit in der Iichtabsorbierenden Schicht gebildeten Blasen;
F i g. 4 ein Diagramm mit gegenübergestelltem Signal/Rausch-Spannungsverhalten des neuen und des bekannten Aufzeichnungsträgers als Funktion der auftreffenden Lichtenergie bei 42,5 Nanometer dicker Magnesiumfluorid-Schicht;
F i g. 5 ein Diagramm wie in F i g. 4 für den Fall einer 85,0 Nanometer dicken Magnesiumfluorid-Schicht;und
F i g. 6 einen Schnitt durch einen Aufzeichnungsträger gemäß Fi g. 2 mit aufgebrachten Schichten der Kopier-Masterschablone.
F i g. 1 zeigt den Querschnitt eines erfindungsgemäßen, insbesondere mit 10 bezeichneten Aufzeichnungsträgers. Zu diesem gehören ein Substrat 12 mit Oberfläche 14; eine auf der Oberfläche 14 des Substrats 12 liegende, lichtreflektierende Schicht 16 mit Oberfläche 18; eine auf der Oberfläche 18 der reflektierenden Schicht 16 liegende lichtdurchlässige Schicht 20 mit Oberfläche 22; und eine auf der Oberfläche 22 der durchlässigen Schicht 20 liegende lichtabsorbierende Schicht 24 mit Oberfläche 26.
F i g. 2 zeigt ein schematisch dargestelltes Ausführungsbeispiel eines Querschnitts eines erfindungsgemäßen Aufzeichnungsträgers, in dem die gespeicherte Information in Form von sowohl durch die lichtabsorbierende Schicht 24 als auch durch die lichtreflektierende Schicht 20 hindurchreichenden öffnungen 34 aufgezeichnet sind. Im übrigen entsprechen die Bezugszeichen denjenigen nach Fig. 1.
Normalerweise wird die Information durch Änderung der Länge der öffnungen 34 und der unbelichteten Bereiche 32 zwischen je zwei Öffnungen 34 in der Richtung einer Spur kodiert gespeichert. Die Länge der Öffnungen 34 wird durch die Länge dci Zeil bestimmt, während der der Aufzeichnungsträger dem aufzcichnenden Lichtstrahl ausgesetzt wird, sowie ebenfalls durch die Geschwindigkeit vorgegeben, mit der der Aufzeichnungsträger durch die Brennebene des aufzeichnenden Lichtstrahls bewegt wird.
In Fi g. 3 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel eines insgesamt mit 50 bezeichneten Aufzeichnungsträgers gezeigt. Die Schichten sind im wesentlichen ebensc wie in den F i g. 1 und 2 bezeichnet worden. Nach dem Aufzeichnen zeigt die Oberfläche 26 des Aufzeichnungsträgers 50 unbelichtete Bereiche 52 und belichtete Bereiehe 54, wobei letztere als Blasen 56 ausgebildet wurden.
Das Substrat 12 kann aus Glas oder Kunststoff, z. B.
Polyvinylchlorid, normalerweise in Form einer Scheibe, hergestellt werden; es läßt sich aber auch aus anderem Material, z. B. Aluminium, herstellen, das das Licht mit der aufzeichnenden Wellenlänge derart reflektiert, daß die Funktionen des Substrats 12 und der lichtreflektierenden Schicht 16 kombiniert werden. Wenn ein Substrat verwendet wird, muß es nur so stark sein, daß es den Rest des Speicheraufbaus tragen kann. Da jede Rauhigkeit der Oberfläche 14 des Substrats 12 im Maßstab des Durchmessers des fokussierten Lichtstrahls beim Lesen ein Rauschen verursacht, kann es zweckmäßig sein, eine nichtkonforme Schicht aus einem Kunststoffmaterial, z. B. einem Epoxy-Harz, vor dem Aufbringen der lichtreflektierenden Schicht 16 auf der Oberfläche 14 zu bilden. Durch eine solche Zusatzschicht wird eine mikroskopische glatte Oberfläche erzeugt und die entsprechende Rauschquelle beseitigt.
Die lichtreflektierende Schicht 16 reflektiert einen wesentlichen Teil des auffallenden Lichtes mit Aufzeichnungswellenlänge und wird in typischen Fällen aus einem Metall mit hoher Reflektivität, z. B. Aluminium oder Gold, hergestellt. Vorzugsweise soll die lichtreflektierende Schicht wenigstens 50% des auf die refiektierende Schicht auffallenden Lichts zurückwerfen. Die insbesondere etwa 30 bis 60 Nanometer dicke, reflektierende Schicht 16 kann beispielsweise mit Vakuum-Aufdampftechnik auf der Oberfläche 14 des Substrats 12 niedergeschlagen werden.
Die lichtdurchlässige Schicht ?.O wird aus einem bei der Aufnahmewellenlänge irn wesentlichen transparenten Material hergestellt, das eine mehr als 3000C niedrigere Schmelztemperatur besitzt als das Material der Iichtabsorbierenden Schicht 24. Materialien, die diese
so Bedingungen erfüllen, werden durch Wärmeleiiung von der Iichtabsorbierenden Schicht in Richtung auf die lichtdurchlässige Schicht zum Schmelzen, Sublimieren und/oder Zersetzen gebracht, bevor die lichtabsorbierende Schicht ihren Schmelzpunkt erreicht. Wenn das lichtdurchlässige Material schmilzt, wird die Struktur instabil, und Oberflächenspannung kann dazu führen, daß die durchlässige und die absorbierende Schicht beide längs der Kante des Lochs nach oben gezogen werden. Dieses Verhalten kann eine Erklärung für die Ausbildung bzw. Form des in F i g. 2 dargestellten Schnitts sein. Wenn das lichtdurchlässige Material bei bei Annäherung an die Schmelztemperatur zerfällt, sublimiert oder wenn sein Dampfdruck stark ansteigt, kann der Dri'.'-k des eingeschlossenen Gases eine Blase in der absorbierenden Schicht bilden. Auf diese Weise kann die Ausbildung des Schnitts nach F i g. 3 erklärt werden.
Bei vorgegebenem Material bestimmt die Dicke der
durchlässigen Schicht das Temperaturprofil in dieser
Schicht. Bei dünner, durchlässiger Schicht ist das Temperaturdifferential zwischen den gegenüberliegenden Flächen der Schicht kleiner, so daß ein Teil der Schicht schmilzt. Wenn dagegen die durchlässige Schicht relativ dick ist. kann die Temperatur auf der der absorbierenden Schicht gegenüberliegenden Oberfläche noch unterhalb der Schmelztemperatur bzw. sonstigen kritischen Temperatur liegen, während die Temperatur auf der an die absorbierenden Schicht angrenzenden Oberfläche bereits die zum Schmelzen, Zersetzen oder Sublimieren erforderliche Temperatur erreicht oder überschreitet. Im letztgenannten Fall ergibt sich eine Verformung der lichtabsorbierenden Schicht ohne vollständiges Zerschmelzen der durchlässigen Schicht.
Die Dicke der lichtdurchlässigen Schicht ist demgemäß ein Kompromiß zwischen dem für eine verminderte Reflektivität des Aufzeichnungsträgers erforderlichen Betrag und dem Wert, der wegen der thermischen Bedingungen zum Schmelzen oder Verdampfen usw. der lichtdurchlässigen Schicht erforderlich ist. In diesem Sinne sind Dicken der durchlässigen Schicht zwischen etwa 10 und etwa 500 Nanometern, insbesondere zwischen etwa 30 und 100 Nanometern, vorteilhaft.
Brauchbar als Material zum Herstellen der durchlässigen Schicht haben sich Magnesiumfluorid mit einem Schmelzpunkt von 1261eC und Bleifluorid mit einem Schmelzpunkt von 8550C erwiesen. Diese Schmelzpunkte liegen mehr als 300°C unterhalb der Schmelztemperatur von 1668° C des Titans. Demgegenüber schmilzt das früher verwendete Silizium-Dioxid bei einer Temperatur zwischen 1650 und 1700cC, also bei einer mit der Schmelztemperatur des Titans der lichtabsorbierenden Schicht vergleichbaren Temperatur. Magnesiumfluorid und Bleifluorid können unter Anwendung üblicher Aufdampftechniken auf die Oberfläche 18 der lichtreflektierenden Schicht 16 aufgebracht werden.
Die lichtabsorbierende Schicht 24 wird aus einem Material hergestellt, das Licht der Aufzeichnungswellenlänge absorbiert Geeignete Materialien sind Titan, Platin, Rhodium. Gold, Nickel, Chrom. Mangan oder Vanadium. Diese Materialien können in üblicher Weise aufgedampft oder durch Elektronenstrahlverdampfung niedergeschlagen werden. Die absorbierende Schicht kann zwischen etwa 2 und 25 Nanometern dick sein, vorzugsweise zwischen 2 und 12 Nanometern. Wenn einige dieser Materialien dem Einfluß der Atmosphäre ausgesetzt werden, oxidieren sie teilweise, so daß sich eine absorbierende Schicht ergibt, die dünner ist als die ursprünglich niedergeschlagene Schicht Diesem Effekt kann entgegengewirkt werden, indem die Schicht von vornherein dicker als gewünscht hergestellt wird, so daß die nachfolgende Oxidation zu einer Schichtdicke des gewünschten Wertes führt. Die erörterten und in den Ansprüchen angegebenen Dicken der absorbierenden Schicht sind die gewünschten Werte.
Die anhand der F i g. 2 und 3 erläuterten Aufzeichnungsverfahren unterscheiden sich erheblich vom Stand der Technik, da dort der Aufzeichnungsträger aus einer lichtreflektierenden Aluminiumschicht, einer lichtdurchlässigen Siliziumdioxidschicht und einer lichtabsorbierenden Titan- oder Tellurschicht besteht. Im bekannten Aufzeichnungsträger wird die jeweilige Information durch das Bilden von Öffnungen lediglich in der absorbierenden Schicht gespeichert. Die Aufzeichnungsempfindlichkeit der bekannten Träger nahm in dem Maße zu, wie die Dicken der lichtdurchlässigen und lichtreflektierenden Schichten im Sinne eines Minimierens der Reflektivität des Trägers eingestellt wurden.
Um eventuell durch aus dem Umfeld auf die Oberfläche niedergesehlagenen Staub verursaehte Signalfehler anzuschließen oder zumindest zu vermindern, kann ein etwa 0,05 bis 1 mm dicker Schutzüberzug auf die lichtabsorbierende Schicht aufgebracht werden. Auf der oberen Oberfläche der Schutzschicht liegende Staubteilchen befinden sich so weit weg von der Brennebene des optischen Systems, daß ihre Auswirkung auf das Aufzeichnen oder Lesen der Information erheblich herabgesetzt ist. Ein brauchbares Material für diesen Zweck ist Silikonharz. Ein solcher Überzug wird jedoch nicht benutzt, wenn die gespeicherte Information kopien bzw. vervielfacht werden soll.
Es wurden erfindungsgemäße Aufzeichnungsträger in Form von Scheiben durch Speichern einer Video-Information mit einer Signalbandbreite von 0 bis etwa 4,2 Megahertz untersucht, die auf einem frequenzmodulierten Träger einer Abweichung von etwa 7 bis 10 Megahertz kodiert waren. Die Qualität der unter Verwendung eines modulierten Argon-Ionen-Lasers hergestellten Aufnahmen wurde durch Messen des Signal/ Rausch-Spannungsverhältnisses der ausgelesenen Video-Information als Funktion der auf die Scheibe auffallenden Energie berechnet.
Das Signal/Rausch-Spannungsverhältnis wird bei der Wiedergabe bestimmt als das Verhältnis des Spitze-zu-Spitze-Video-Signals zum mittleren quadratischen Rauschpegel der gesamten Video-Bandbreite. Letztere wird mit dem von der Firma Tektronix Corp., Beaverton. Oregon, ertriebenen Grundgeräuschmeßgerät »Modell 1430« gemessen.
Beispiel 1
In F i g. 4 wird das Aufnahmeverhalten eines aus einer lichtreflektierenden Aluminiumschicht (Al), einer lichtdurchlässigen Magnesiumfluoridschicht (MgF2) von etwa 42,5 Nanometern Dicke und einer lichtabsorbierenden Titanschicht (Ti) von etwa 7 Nanometern Dicke dargestellt. Die Dicken sind dabei so gewählt, daß sich die minimale Reflektivität von 3% für die 48-Nanometer-Wellenlänge des Aufzeichnungslichtstrahls ergab. In F i g. 4 wird auch das Aufzeichnungsverhalten einer zum Stand der Technik gehörenden Scheibe mit einer aus Silizium-Dioxid (S1O2) bestehenden lichtdurchlässigen Schicht dargestellt, deren Reflektivität für die 48-Nanometer-Wellenlänge ebenfalls auf 3% eingestellt wurde, die unter denselben Bedingungen gemessen wurde. Die Aufnahmeschwelle lag etwa auf demselben Niveau der auftreffenden Leistung gemessen in Milliwatt (= mW). Die Scheibe mit einer aus Magnesiumfluorid (MgF2) bestehenden durchlässigen Schicht zeigt in einem Bereich der einfallenden Leistung etwas oberhalb der Schwellen-Leistung ein viel höheres Signal/Rausch-Spannungsverhältnis (SNR) in dB als die Scheibe mit Silizium-Dioxid (S1O2) als durchlässige Schicht.
Im gesamten Bereich der Aufnahmeenergien wurde eine Öffnung sowohl in den lichtdurchlässigen als auch in den lichtabsorbierenden Schichten gebildet.
Beispiel 2
Anhand von F i g. 5 wird das Aufnahmeverhalten eines Aufzeichnungsträgers mit einer aus Aluminium bestehenden, lichtreflektierenden Schicht, einer aus Magnesiumfluorid bestehenden, lichtdurchlässigen Schicht von etwa 85 Nanometern Dicke und einer aus Titan bestehenden, lichtabsorbierenden Schicht von 7 Nano-
nieten; Dicke mit dem entsprechenden Verhalten eines Silizium-Dioxid anstelle von Magnesiumfluorid als lichtdurchlässige Schicht enthaltenden Aufzeichnungsträgers bekannten Art verglichen. Die Schichtdicken und deren Verhältnis beim erfindungsgemäßen Aufzeichnungsträger waren so eingestellt, daß die Reflektivität bei der 48-Nanometer-Wellenlänge nur auf etwa 16% reduziert wurde. Unter denselben Verhältnissen betrug die Reflektivität bei der bekannten Anordnung 3%. Wie in Beispiel 1 liegt die Leistungsschwelle, bei der eine to Aufnahme erfolgt, bei beiden Trägern etwa auf demselben Niveau der auffallenden Leistung. Die eine aus Magnesiumfluorid bestehende durchlässige Schicht aufweisende Platte zeigt jedoch im gesamten Bereich der auffallenden Leistung und insbesondere gleich oberhalb der Schwelie ein höheres Signal/Rausch-Spannungsverhältnis als die Platte mit Siliziumdioxid als durchlässige Schicht.
In dem mit B an der oberen Kurve bezeichneten Bereich der auftreffenden Leistung nach F i g. 5 werden in der absorbierenden Schicht nur Blasen erzeugt. In dem mit B/P der oberen Kurve von Fig.5 angedeuteten Übergangsbereich werden Blasen mit Löchern gebildet. Jenseits des Übergangsbereichs wird die Information in Form von öffnungen in den Schichten 20 und 24 gemäß F i g. 3 aufgenommen.
In dem erfindungsgemäßen Aufzeichnungsträger werden Informationen so aufgezeichnet, daß sich an der Oberfläche des Aufzeichnungsträgers eine ausreichend große Höhenunterschiede zeigende Topographie ergibt, die zum Herstellen von Doppeln bzw. zum Vervielfältigen geeignet ist. Von der auf erfindungsgemäße Weise gespeicherten Information können daher mit Hilfe von Standardverfahren Abzüge hergestellt werden. In F i g. 6 wird der Schnitt durch einen Aufzeichnungsträger 60 gezeigt, auf dem für die Vervielfältigung erforderliche Schichten aufgebracht sind. Die Bezugszeichen der Schichten des Aufzeichnungsträgers und der Merkmale der gespeicherten Information stimmen mit denjenigen der F i g. 1 und 2 überein. Nach der Aufnahme der Information wird auf der Oberfläche 26 des Informationsträgers eine Deckschicht 62 gebildet, was durch Aufdampfen von Metallen, z. B. von Gold oder Kupfer oder durch stromloses Aufgalvanisieren eines Metalls, wie Nickel, erfolgen kann. Die hergestellte Deckschicht 62 soll eine elektrisch leitende, nadellochfreie, konforme Schicht bilden. In typischen Fällen kann diese Schicht etwa 30 bis 120 Nanometer dick sein.
Anschließend wird eine Masterschicht 64, z. B. durch Galvanisieren, auf der Deckschicht 62 erzeugt. Bevorzugt wird dabei eine Schicht aus Nickel oder Kupfer, zweckmäßig mit einer Dicke von etwa 200 bis 300 Mikrometern, so daß sich eine selbsttragende und spannungsfreie Schicht ergibt.
Die Masterschicht 64 wird anschließend zusammen mit der Deckschicht 62 von dem Aufnahmeträger getrennt, so daß eine Metall-Nachbildung bzw. ein Metall-Abdruck der gespeicherten Information entsteht, der eine zum Herstellen von Kopien der gespeicherten Informationen geeignete Topographie besitzt
Beispiel 3
Es wurden von einem Aufzeichnungsträger, der Informationen als Öffnungen oder Blasen gemäß den Beispielen 1 und 2 enthält, Abdrucke hergestellt Dabei wurden die Proben mit einer Goldschicht von etwa 80 Nanometern Dicke durch Aufdairrofen und dann mit einer Nickelschicht von etwa 250 Mikrometern Dicke durch Galvanisieren beschichtet. Die Abdrücke wurden vom Aufzeichnungsträger getrennt und mit Hilfe eines Abtast-Elektronenmikroskops untersucht Diese Prüfung zeigte, daß in jedem Fall eine getreue Nachbildung entstanden war.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Aufzeichnungsträger (10) mit darin gespeicherter Information für ein mit Licht vorgegebener Wellenlänge arbeitendes, optisches Speicher-Wiedergabe-System mit einer Licht dieser Wellenlänge reflektierenden Schicht (16). mit einer für das Licht dieser Wellenlänge durchlässigen Schicht (20) auf der lichtreflektierenden Schicht (16) und mit einer Licht dieser Wellenlänge absorbierenden Schicht (24) auf der lichtdurchlässigen Schicht (20), dadurch gekennzeichnet, daß die lichtdurchlässige Schicht (20) dicker als etwa 10 Nanometer ist und aus einem bei mindestens 300° C unterhalb des Schmelzpunkts des Materials der lichtabsorbierenden Schicht (24) schmelzenden, zerfallenden und/ oder sublimierenden Material besteht und daß die Information aus einer Folge von öffnungen (34) in der lichtdurchlässsigen und der lichtabsorbierenden Schicht (20, 24) oder von Blasen (54, 56) aus einem Hohlraum (56) zwischen der lichtdurchlässigen (20) und der lichtabsorbierenden (24) Schicht unter Verwerfung (54) der Oberfläche der lichtabsorbierenden Schicht (24) besteht.
2. Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die durchlässige Schicht (20) zwischen etwa 10 und 500 Nanometer dick ist.
3. Träger nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die durchlässige Schicht (20) zwischen etwa 30 und 100 Nanometer dick ist.
4. Träger nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die durchlässige Schicht (20) aus Magnesiumfluorid oder Bleifluorid besteht.
5. Träger nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die das Licht absorbierende Schicht (24) etwa 2 bis 25 Nanometer dick ist.
6. Träger nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die das Licht absorbierende Schicht (24) aus Titan, Platin, Rhodium, Gold, Nickel, Chrom, Mangan oder Vanadium besteht.
7. Träger nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die für das Licht durchlässige Schicht (20) aus Magnesiumfluorid und die das Licht absorbierende Schicht (24) aus Titan besteht.
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