JPS5960702A - Ｎｉスタンパ−の製造方法 - Google Patents
Ｎｉスタンパ−の製造方法Info
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- JPS5960702A JPS5960702A JP16980582A JP16980582A JPS5960702A JP S5960702 A JPS5960702 A JP S5960702A JP 16980582 A JP16980582 A JP 16980582A JP 16980582 A JP16980582 A JP 16980582A JP S5960702 A JPS5960702 A JP S5960702A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0057—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
ψ
この発明は光ディスメモリーに利用されるアクリル基材
まだはガラス基材から成るディスク基板にトラッキング
案内溝又は再生用の凹凸を設９るために用いるニッケル
（Ｎｉ）スタンノξ−の製造方法に係り、特に原盤の微
細パターンを１００係スタンパ−に転写させるよう改良
された事を特徴としたＮｉスタンパ−の製造方法に関す
る。
まだはガラス基材から成るディスク基板にトラッキング
案内溝又は再生用の凹凸を設９るために用いるニッケル
（Ｎｉ）スタンノξ−の製造方法に係り、特に原盤の微
細パターンを１００係スタンパ−に転写させるよう改良
された事を特徴としたＮｉスタンパ−の製造方法に関す
る。
スタン／ξ−は、以下に述べるようにして形成している
。第１図に示すようにガラス基板（１υにフォトレジス
トを塗布してフォトレジスト層を設け、電子ビーム等露
光装置により露光し、現像して微細パターン側を備えた
原盤０！１９を最初に作成する。
。第１図に示すようにガラス基板（１υにフォトレジス
トを塗布してフォトレジスト層を設け、電子ビーム等露
光装置により露光し、現像して微細パターン側を備えた
原盤０！１９を最初に作成する。
次にこの原盤にテヂー哩Ｎｉ）電着に必要な導電性を付
与する目的で、銀鏡反応法によシ銀（Ａｇ）を付着させ
Ａｇ層（１３１を形成する。このＡｇ層峙の上にＮｉ電
着を行なって２５０〜３５０μｍのＮｊ層α力を作成す
る。
与する目的で、銀鏡反応法によシ銀（Ａｇ）を付着させ
Ａｇ層（１３１を形成する。このＡｇ層峙の上にＮｉ電
着を行なって２５０〜３５０μｍのＮｊ層α力を作成す
る。
このＮｉ層を原盤から分離してスタン、ｏ−とするので
ある。
ある。
原盤からスタンパ−となるＮｉ層を分離するときに、メ
タ／パー側微細パターンの溝内に、レジスト層０２とＡ
ｇ層０３とが一体となってガラス基板から剥離して、と
ｙまる。そこでこの方法では溝を露出させるために、Ｎ
ａＯＨとＨ２Ｏ２の混合液を適用している。しかしこの
液はＡｇのみならずＮｉをも触除する傾向があって、Ａ
ｇ層から転写されたＮｉ層面の微細パターンを不正にす
る。このため得られるスタンパ−は誤情報を伝えるもの
になってしまう。
タ／パー側微細パターンの溝内に、レジスト層０２とＡ
ｇ層０３とが一体となってガラス基板から剥離して、と
ｙまる。そこでこの方法では溝を露出させるために、Ｎ
ａＯＨとＨ２Ｏ２の混合液を適用している。しかしこの
液はＡｇのみならずＮｉをも触除する傾向があって、Ａ
ｇ層から転写されたＮｉ層面の微細パターンを不正にす
る。このため得られるスタンパ−は誤情報を伝えるもの
になってしまう。
又フォトレジスト層が基板から剥離し易い点からも誤情
報の発生源になりがちな欠点がある。
報の発生源になりがちな欠点がある。
この発明はこのような従来のスタンパξ−の製造方法の
欠点を改良するためになされたものでこの方法ではフォ
トレジストを用いずに原盤を形成し、この原盤に対しＡ
ｇ膜を適用せずＡｕ膜を用いることで転写性に優れたス
タンパ−を得させるのである。
欠点を改良するためになされたものでこの方法ではフォ
トレジストを用いずに原盤を形成し、この原盤に対しＡ
ｇ膜を適用せずＡｕ膜を用いることで転写性に優れたス
タンパ−を得させるのである。
即ちこの発明は（１）基板上に低融点反応膜薄膜を原盤
から分離したのち、被覆層表面の低融点金属反応層を除
去することにより原盤から転写されて微細パターンを設
けられるＮｉスタンパぞ−の製造方法、又は（２）低融
点金属反応層を過硫酸アンモニウムを主剤として適用し
て除去する前記１項に記載のＮｉスタンパ−の製造方法
、又は（３）低融点金属反応層を電界研磨して除去する
前記１項に記載のＮｉスタンパ−の製造方法にある。
から分離したのち、被覆層表面の低融点金属反応層を除
去することにより原盤から転写されて微細パターンを設
けられるＮｉスタンパぞ−の製造方法、又は（２）低融
点金属反応層を過硫酸アンモニウムを主剤として適用し
て除去する前記１項に記載のＮｉスタンパ−の製造方法
、又は（３）低融点金属反応層を電界研磨して除去する
前記１項に記載のＮｉスタンパ−の製造方法にある。
このようなこの発明で低融点反応膜薄膜は、反応性スパ
ッタリングにより形成する。この薄膜に形成される微細
パターンはレーザ露光して設けられ、高さは０．０５〜
０．１μｍ幅は０．２〜１．０μｍ ）ラックピッチ並
びに信号ピッチは１．０〜２，５μｍ程度の間隔の凸パ
ターンである。原盤表面にはＡｕ膜をおく。
ッタリングにより形成する。この薄膜に形成される微細
パターンはレーザ露光して設けられ、高さは０．０５〜
０．１μｍ幅は０．２〜１．０μｍ ）ラックピッチ並
びに信号ピッチは１．０〜２，５μｍ程度の間隔の凸パ
ターンである。原盤表面にはＡｕ膜をおく。
このため原盤を剥離してスタン７ξ−を分離する際、ス
タンパ−側にとｙまってパターンを損ねる反応膜の除去
を容易にし、転写性を良好にする。
タンパ−側にとｙまってパターンを損ねる反応膜の除去
を容易にし、転写性を良好にする。
〔発明の実施例）
以下図面を用い、実施例について述べる。第２図イで、
ガラス基板（２１）面上にＴｅの低融点金属ターケーッ
トを用い２、ＡｒとＣ１■、の混合ガス中で反応性ス・
ξツタリングを行う。この結果Ｔｅ薄膜中にＣ及びＨを
含有するＴｅ−Ｃ（Ｉ反応膜薄膜が形成される。このＴ
ｅＣ−Ｈ薄膜にレーザ露光して連続スノξイラル状の凸
・ξクーンによシ溝を設け、微細・ξターン層（２乃を
おく原盤（ハ）とする。この溝は不連続に形成すること
もある。次にこの原盤の微細パターン層（２湯の上に導
電性を付方する目的でＡｕまたはＡｕ合金のＡｕ系膜休
体スパッター蒸着または電子ビーム蒸着してＮｉ電着に
必要な厚さ、２００〜１５００Ｘの被覆層（ハ）を形成
する。
ガラス基板（２１）面上にＴｅの低融点金属ターケーッ
トを用い２、ＡｒとＣ１■、の混合ガス中で反応性ス・
ξツタリングを行う。この結果Ｔｅ薄膜中にＣ及びＨを
含有するＴｅ−Ｃ（Ｉ反応膜薄膜が形成される。このＴ
ｅＣ−Ｈ薄膜にレーザ露光して連続スノξイラル状の凸
・ξクーンによシ溝を設け、微細・ξターン層（２乃を
おく原盤（ハ）とする。この溝は不連続に形成すること
もある。次にこの原盤の微細パターン層（２湯の上に導
電性を付方する目的でＡｕまたはＡｕ合金のＡｕ系膜休
体スパッター蒸着または電子ビーム蒸着してＮｉ電着に
必要な厚さ、２００〜１５００Ｘの被覆層（ハ）を形成
する。
このようにして得られた導電性膜の上にＮｉ電着法によ
り２００〜３００μｍのＮｉ層（２４）を形成する。こ
のＮｉ層Ｃ２１を原盤に）から分ＩＣして微細パターン
が転写された第２図口のメタン・ξ−が得られる。この
微細・パターンのスタン・ξ−側面ではＡｕ系膜休体ハ
）がＮｉ電着中１／（Ｎｉに拡散接合または合金化され
る。一方原盤のＴｅ−ＯＨ薄膜層の一部（２ｚ）も接着
性が良いために分離に際しＡｕ系膜休体ハ）に付着して
くるので、転写性の点からこのＴｅ−Ｃ−Ｈ薄膜層（２
２’）を除去しなければならない。
り２００〜３００μｍのＮｉ層（２４）を形成する。こ
のＮｉ層Ｃ２１を原盤に）から分ＩＣして微細パターン
が転写された第２図口のメタン・ξ−が得られる。この
微細・パターンのスタン・ξ−側面ではＡｕ系膜休体ハ
）がＮｉ電着中１／（Ｎｉに拡散接合または合金化され
る。一方原盤のＴｅ−ＯＨ薄膜層の一部（２ｚ）も接着
性が良いために分離に際しＡｕ系膜休体ハ）に付着して
くるので、転写性の点からこのＴｅ−Ｃ−Ｈ薄膜層（２
２’）を除去しなければならない。
以下このＴｅ−Ｃ−Ｈ薄膜（２２’）を除去する点につ
いて述べる。
いて述べる。
（１） ＮａＯＨを０．２〜３ｗｔ％、Ｈ，Ｐｏ、
１２Ｈ，Ｏを０．５〜５ｗｔ％、Ｎａ２８ ｉｏｎ ９
Ｈ１０を０．５〜６ｗｔ’％、非イオン活性剤を＜ ０
．５ ｗ ｔ ％ ＨｚＯを残部 とする組成の電解
液を４５〜６５℃の温度に加熱して、スタン／！！−を
陰極に白金を陽極として浸漬し、直流電源を用いて電解
してＴｅ−Ｃ−Ｈ薄膜層を除去する。電解条件が、スタ
ンパ−の電流密度２〜ＩＯＡ／ｄｍ”、処理時間３０秒
〜５分でスタンパ−側のＴｅ−Ｃ−Ｈ薄膜層は除去され
、スタンパ−の微細パターン面を清掃化することができ
る。
１２Ｈ，Ｏを０．５〜５ｗｔ％、Ｎａ２８ ｉｏｎ ９
Ｈ１０を０．５〜６ｗｔ’％、非イオン活性剤を＜ ０
．５ ｗ ｔ ％ ＨｚＯを残部 とする組成の電解
液を４５〜６５℃の温度に加熱して、スタン／！！−を
陰極に白金を陽極として浸漬し、直流電源を用いて電解
してＴｅ−Ｃ−Ｈ薄膜層を除去する。電解条件が、スタ
ンパ−の電流密度２〜ＩＯＡ／ｄｍ”、処理時間３０秒
〜５分でスタンパ−側のＴｅ−Ｃ−Ｈ薄膜層は除去され
、スタンパ−の微細パターン面を清掃化することができ
る。
（２） 前記例に従ってＴｅ−Ｃ−Ｈ薄膜層を除去す
るにあたり、予じめ０．５〜２ ％ ＨＮＯ３溶液中で
電流密度＝２〜５Ａ／ｄｍ”、処理時間：３０秒電解す
ると、Ｔｅ−Ｃ−Ｈ薄膜層の除去を更に容易にし、スタ
ンパ−の微細パターン面を転写性良好にする。
るにあたり、予じめ０．５〜２ ％ ＨＮＯ３溶液中で
電流密度＝２〜５Ａ／ｄｍ”、処理時間：３０秒電解す
ると、Ｔｅ−Ｃ−Ｈ薄膜層の除去を更に容易にし、スタ
ンパ−の微細パターン面を転写性良好にする。
（３） 過硫酸アンモニウノ・（ＮＨＪｔＳｔＯａに
１５〜４０ｗｔ％の液にアルギルベンゼンスルフすン酸
を界面活性剤として０．２〜０．５チ添加した溶液を適
用するとスタンパ−表面のＴｅ−Ｃ−Ｈ薄膜が除かれる
。この場合液温は３５℃以下とする。この温度を越えて
高くおくときには、ＡＵ系被被覆層びにＮｉ層がおかさ
れるからである。界面活性剤は、濡れを充分にして、且
つ効果ある範囲として規定の範囲添加さｈ ７）、。
１５〜４０ｗｔ％の液にアルギルベンゼンスルフすン酸
を界面活性剤として０．２〜０．５チ添加した溶液を適
用するとスタンパ−表面のＴｅ−Ｃ−Ｈ薄膜が除かれる
。この場合液温は３５℃以下とする。この温度を越えて
高くおくときには、ＡＵ系被被覆層びにＮｉ層がおかさ
れるからである。界面活性剤は、濡れを充分にして、且
つ効果ある範囲として規定の範囲添加さｈ ７）、。
このようなこの発明によれば微細パターンを設けられた
スタンパ−の・ξターン表面を損うことなく露出さ１ｔ
、その結果転写性に優れたスタ／ノξ−を提供すること
ができる。
スタンパ−の・ξターン表面を損うことなく露出さ１ｔ
、その結果転写性に優れたスタ／ノξ−を提供すること
ができる。
代理人 弁理士 井 上 −男
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１基板上に低融点反応膜薄膜を形成し、この薄膜に
凸の微細・ξターンを設けて原盤を形成し、原盤の表面
に金糸膜体から成る被覆層を形成し、この被覆層表面に
ニッケルを電着１〜でニッケル層を形成１〜、ニッケル
層と被覆層とを原盤から分離したのち、被覆層表面の低
融点金属反応層を除去することにより原盤から転写され
て微細パターンを設けられることを特徴とするＮｉスタ
ンパ−の製造方法 （２）低融点金属反応層を過硫酸アンモニウムを主許請
求の範囲第１項に記載の祖スタンパ−の製造方法 （３）低融点金属反応層を電界研磨して除去するこ術ス
タンパ−の乎わ貨装圃
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16980582A JPS5960702A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | Ｎｉスタンパ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16980582A JPS5960702A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | Ｎｉスタンパ−の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5960702A true JPS5960702A (ja) | 1984-04-06 |
Family
ID=15893217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16980582A Pending JPS5960702A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | Ｎｉスタンパ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5960702A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4664758A (en) * | 1985-10-24 | 1987-05-12 | Xerox Corporation | Electroforming process |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5665341A (en) * | 1979-10-17 | 1981-06-03 | Rca Corp | Recordinggmedium for optical recording and regeneration |
| JPS56145504A (en) * | 1980-03-10 | 1981-11-12 | Rca Corp | Method of copying spiral groove pattern |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP16980582A patent/JPS5960702A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5665341A (en) * | 1979-10-17 | 1981-06-03 | Rca Corp | Recordinggmedium for optical recording and regeneration |
| JPS56145504A (en) * | 1980-03-10 | 1981-11-12 | Rca Corp | Method of copying spiral groove pattern |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4664758A (en) * | 1985-10-24 | 1987-05-12 | Xerox Corporation | Electroforming process |
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