JPS5956238A - スタンパ−の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術外！ｌ！ｆ　］ この発明１１．　　）Ｙ；ディスクメ上り−に利用され
るアクリル基＋Ａまたはガラス基（−ｊから成るディス
ク方法に関する。

〔発明の技術的１ｒ景とその問題点〕 一般にスタンパ−は次に述べるようにして製造されてい
る。凍ず第１図ａに示すように基板旧）にホトレジスト
を塗布しこのホトレジスト層（１２）ヲレー１戸ビーム
エイ光して現像する。この結果溝が設けらノ１．微細パ
ターンを形成された３項１図伺Ｊの原盤が出来る。この
原盤面に、Ｎｉ電着に必要な導電性を付与する目的で、
銀韓反応法を適用しＡｇ層（１３１を０．３〜１．０μ
ｍの厚さに付着させる。第１図すはこの状！、！１．＋
を示す。このＡｇ層０３の上に第１図Ｃに示すようにＩ
ＯＡ／ｄｍ”の電流密度でＮ１電着して厚さ２００〜３
００１ｔ７ｒＬのＮｉ層０４）を形成する。このように
して得られたＮｉ層（１４）を、基板（１υを分＋ｂｔ
ｔすることによっテ微細パターンスタンパ−０４）とす
る。このだめにまず１１　＃ｌＩ＋−ξターンスタンパ
ー表面からレジスト層（１２１を剥離液で除去し、第１
図（１形状とした後ＮｌｌＩ４０）（とＮ２０．の混合
エッグーンダ液で、Ａｇ層（１３）を更に除去して第１
図ｅのＮｉ層θイ）からなるスフ／パーを形成するので
ある。

しかるにこの、しうＫして作成されたスタンパ−は、導
電イづＬ　ＪＩＱ　ｋｇ）＠　（１３１とレジストＩＶ
Ｉｒｌ々との密着性が惑いことの他１．Ａｔｌ←ｉ（［
３１が軟かいだめにＮｉ電着中に剥離したり、電着液中
に存在する昂物でギズがついたりする欠点を有する。こ
の一方でＮｉ層（１イ）から成る微細パターンスタンパ
−ｔｉｔ表面のＮｉ金属が耐食性に劣るためこのスタン
パ−を用いプラス千ツク板を成型するときスタンノｇ−
が劣化する欠点を有する。このためＣｒ（クロム）１９
Ｍ（１！’ｉｌをＮｉ層表面に形成している。

〔発明の目的〕

この発明Ｕ、工程を綿実にして得られるスタンノミーの
欠点を除くため釦なされプヒもので、微１１’４１１パ
ターンの転写性および１／プリカ性に（ｑｈ、かつＦ３
現住良好で面１摩耗性と耐食性に優れだ伊文細・ξター
ンスタンパーを製造する方法を１是供するにｔ）ろ。

〔発明の概要〕

即ちこの発明は（１）基板上に形１ｊνし７たフォトレ
ジストまたは低融点金属反応膜の何れか薄膜にレーザビ
ーム露光によって微ｌＲ１１−ξターンを設けた原盤を
作成し、この原盤の表面に密着性と耐食性を兼ね備えた
金属又は合金の何れか第一薄膜層と、次にこの第一薄膜
層と整合性に優れかつ耐食性と耐摩耗性の良好な金属又
は合金の何れか第二薄膜層から成る１３電性膜を形成し
、ついでこの導電性膜面にＮｔを電着しＮｉ層を重畳し
゛Ｃ導′屯性膜と一体化したあと原盤から分離すること
により微細ノミターンの転写を再現性、耐摩耗性及び耐
食性に優れてさせるスタンパ−を得るスタンパ−の製造
方法、又はｆ２Ｊ　ｅ；Ｌ−薄膜層はＣｒ、　Ｔｉ、Ｖ
、　Ｈｆ、　Ｎｈ、　Ｚｒ、　Ｔａのいすわか−又は二
以上からなる金属又Ｖよ合金、第二薄膜層はＡｕ、　Ｐ
ｔ、　Ｐｄ、　Ａｇ、　Ｒｈのうちいずれか−又は二以
上からなる金属又は合金である前記１項に記載のスタン
・ぐ−の製造方法、又は（３）導１４を性膜の厚さｔま
、第一薄膜層が５０Ｘ〜５００Ｘ、第二薄膜層が１００
Ｘ〜２ｏｏｏｇであり肉薄膜層から成る導電性薄膜が１
５０Ｘ〜２５００Ｘ、の範囲内である前記２項に記載の
スタンパ−の製造方法、又は（４）導電性膜を蒸着によ
って形成する前記１項に記載のスタンパ−製造方法、又
は（５）基板はガラス又は合成樹脂である前記１項に記
載のスタンパ−製造方法にある。

原盤に設けられる微細パターンは、深さ０．０５〜ｏ、
ｉμｍ１幅０．２〜１．０μｍ、ピッチ間隔１．５〜２
．５１ｔｍの溝又は凹凸で成り立つものである。

〔発明の実ノイＩＩ例〕

以下図面を用いてこの発明の実施例方法について述べる
、 第２図ａに示すようにガラス塞板ｅＯ上にフォトレジス
トまたは低融点金属の反応膜を厚さ０．０５〜０．１μ
ｍ被着し、この被膜にレーザ露光法を用いて溝または凹
凸を設け、微細パターン層（２３を形成して原盤とする
。原盤の微細パターン層（２Ｚ上にＮＩを電着するため
に導電性膜を形成する。凍ず第一薄膜層（２，１として
Ｃ「又はＴｉをスパッタ蒸着寸だは電子ビーム蒸着等真
壁蒸着する。厚さは例えば５０にとする。次に＠二薄膜
ｊ＠　（２４）としてＡｕ又はｐｔを第一薄膜層と同様
に蒸着する。厚さす、シ例えば５００にとする。この結
果二層の、Ｃｒ／Ａｎ　、　Ｔｉ／Ａｕ、　Ｃｒ／Ｐｔ
又は’ｒｉ、／ｐｔ導電性膜が得られる。

次に第２図すに示すように導電性膜上に電着法により厚
さ２００〜３００１１ｍのＮｉ層（２５）を形成する。

次に原盤をとり除くために基板を除き、レジスト剥Ｅｌ
　４Ｅを用いてレジスト（２カを除去する。この結果原
盤から微＃ｌＩＩパターンが表面に転写されだＣｒ、／
Ａｕ、Ｔ　ｉ、／Ａ＋、＋　、　Ｃｒ／Ｐ　ｔ　、又は
Ｔｔ／Ｐｉ二層の導電性膜を頂くＮｉスタンパ−が第２
図ｃＫ示すように得られる。

Ｎｌ電着はＬＯＡ／ｄｍ”以上の高電流密度で操作する
高速電着によって行なわれ、Ｃｒ、’ＡＩｆ、Ｔ　ｉ／
Ａｎ、Ｃｒ／ｐｔ又はＴｉ／ｌ）ｔ、　Ｃｒ／Ａｕから
成る５５０Ｘの厚さの導電性膜Ｃ）：（）、０４）はＮ
ｉ電着層（２劉と界面で温度上昇し相互拡散して一体化
したスタンパ−を得させる。このようにして得られたス
タンパ−は、原盤からの転写性と再現性にすぐれ、耐摩
耗性と耐食性も併せてもち、従来のスタンパξ−に比較
して著しく優れている。例えば銀の導電性被膜を用いた
スタンパξ−では、原盤からスタ／・ξ−を分離する際
にこのスタンパ−に付着している銀膜をＮ口４０［■と
Ｈ，Ｏ。

のエツチングで除去するので、原盤からの転写性を低劣
にする。又スタン・ξ−の耐摩耗性と耐食性に良好にす
る必要から、ｏターン上に０．３〜１．０μｍの厚さｌ
ＩＣＣｒ電着層を形成することからパターン精度を低下
しているが、この発明ではこのような問題は全く生じな
い。

いま厚さ１０馴で直径３５０朋からなるＣｒ層を被着さ
せたガラス基板０１）の表面にスピンコード法により厚
さ０．０７μ扉のポジ型レジストを塗布したフォトレジ
スト原盤を作成する。このようにして得たフォトレジス
ト原盤にレーザ露光して感光させたのち、現像液でエツ
チングするフォトレジストプロセス法によって深さ０．
０７μｍ１幅０．５μｍでピッチ２．０μｍの溝をつけ
た微細・ξターン層（２′；！Ｉを設ける。

次に微細パターン層（肋の上にＮｉ電着するために必要
な導電性を付与する目的で、７（空電を２Ｘ１０　’Ｔ
ｏｒｒＫして電子ビーム蒸着法によりＣｒを最初に２Ｖ
Ｓ　ｅ　Ｃの蒸着速度で５０Ｘの厚さに蒸着し第一薄膜
層（ハ）を形成したのち、連続してＡ１１を１０スＡｅ
ｃ蒸着速度で厚さ５００　ｌ蒸着して厚さ２５０　Ｋの
第二薄膜層シミを形成する。このＣｒ／Ａｕから成る′
４電性膜は、ピンホールがなく、微細・ξターン層（２
カによ＜　ＩＩ＆ｉ応する層であって密着性に優れるも
のである。このＣｒ／Ａｕ層は、第二薄膜層、っ′まり
Ａｕ層表面に七ロテープを貼りつけて引きはがすように
してもＣｒ／Ａ１１層はその間で剥がされることはな（
ｖｉ７着性が良いことが認められる。

次に微細・ξターンのＣｒ、、＜Ａｕ導電性膜が形成さ
れト たフォトレジス久原盤にＮ：を電着する。電着浴組成は
スルフアミノ酸ニッケル浴を基本にした次の通りのもの
である。

スルファミン酸ニッケル　　　　６００　ｇ／ｌ硫　　
　　　酸　　　　　　　　　３０　ｇ／ｌ臭化ニッケル
　　　　　　　５　、ｑ／ｌビット防止剤　　　　　　
　１　ｍｌ、／／ｐＨ４，０±０，２ 浴　　　　　温　　　　　　　５０℃〜５５℃フォトレ
ジスト原盤をこの電着浴槽内の回転陰極支持体に取ｐ付
け、陽極にはデポラライズニツケルを使用し、回転１衾
極と陽極間に電着浴中の液をポンプによって噴射する。

まずイニシー）・ル′１は着として２〜４　Ａ／ｄｍｔ
の電流密度で５μｍの厚さに電着したのち、連続して１
０　Ａ／ａｍ”に電流密度を上げて〃′ ２５０μｍの厚さになるまで電着して、引斃之り電着層
Ｑ４を得る。浴温は始動時５０℃として終了時は５５℃
まで上昇する。

このようにして碍られたＮｉ電着層（２４）をガラス基
板から分離し、更にレジスト（２カを１）：５スト剥離
液で除去する。

このようにしてフォトレジスト原盤の微細パターンが転
写された表面を持つＣｒ／Ａｕ導電性膜（２，１）。

９４）とＮｉ電Ｎ層（ハ）から成るスタンパξ−が作成
される。

このスタンパ−の表面の硬さはマイクロビッカース硬度
４００以上であり、従来のスタンパ−に比較して硬く、
耐摩耗性の点で優れている。このことは前述のようにＣ
ｒ、／ＡｕとＮｉが電着中に相互拡散して生成したＣｒ
／Ａｕ−Ｎ１合金が存在することによる。

電着中陰極側では発熱するから拡散することシま当然で
ある。又Ｃｒ電着層を表面に形成したＭ１図ｆのスタン
７ξ−と、この例の、Ｃｒ／Ａｕ導電性被膜を形成され
たスタンパ−とについて塩水噴霧試験を施し耐食性を比
較して第４図に示す。第４図で曲線Ｉはこの発明のＣｒ
／Ａｕ付スタンノ々−の、曲ｉｌ　ＩＩは従来のスタン
パ−の結果を示す。この発明のスタンパ−の耐食性工は
、従来のスタンパ−の曲線■に比Ｉｌｉりし著しく向上
していることが認められる。

また転写性について走査ｍ電子顕微鏡で、この発明のス
タンパ−の表面を観察したところ、フォトレジスト原盤
の微細パターンと同じく深さ０．０５　／ｊＩＴ＋、幅
０．５μｍ１　ピッチ２．０μｍのパターンが再現性良
く転写されている。

このようにこの発明のメタ／パーは、転写性と耐摩耗性
および耐食性の点で従来のメタ／パーに比較して優れて
いる。

上述の実施例に対し、原６Ｋを次の、Ｌうに変更しＴｅ
−Ｃを厚さ０．０７μｍ蒸着する。このＴｅ−Ｃ膜面に
レーザ霧光してＪＩ７さ０．０７μｍ１幅０．５μｍ、
ピッチ２．０μｍの溝又はふぐら−まし凹凸を分布させ
た微細パターン層ｃ！２を設け、原盤とするのである。

以下前記実施例と同様にしてＣｒ／Ａｕの導１ｉｔ性被
膜Ｃ２，１、特性のスタンパ−を得させることができる
。又導電性膜の第一薄膜層（ハ）をＶ、　Ｈｆ　、Ｎｂ
　、７＋ｒ、Ｔａもしくけこれらの合金／＃またはこれ
らとＣ「、Ｔｉの合金層に変え、第二薄膜層（ｌＪ４）
をＰｄ％Ａｇ、川１もしくけこれらの合金またはこれら
とＡ、ｕ、Ｐｔの合金層に変えて組合せ導電膜を構成さ
せてもよろしい。

〔発明の効果〕

このようなこの発明によれば転写性、耐摩耗性及び耐食
性に優れたスタン／クーを製造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１　Ｆ　ａ乃至ｆは従来の、第２図はこの発明の何れ
もスタンパ−製造方法を説明するだめ工程順に示す簡略
断面図％第３図は従来方法とこの発明方法で作成したス
タン・ξ−の塩水噴＃Ｓ試験による耐食性を示す図であ
る。 代理人９ｒｌ！！土　井　上　−男

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１１基板上に形成したフォトレジスト１だは低融点金
   属反応Ｂ；、；＜の何れか薄膜にレーリ゛ビーム露光に
   よって微Ａ′ＩＩ＋パターンを設けた原盤を作成し。 この原盤の表面に密着性と耐食性を兼ね備えた金属又は
   合金の何れか第一薄膜層と、次にこの第−斬膜層と整合
   性に優ｉ１かつ耐食性と耐摩耗性の良好な金弓又νよ合
   金の何れか第二薄膜層から成る導′４１性膜を形成し、
   ついでこの導電性膜面にＮｉを電着しＮｉ層を重畳しで
   ｌ！Ｊ電性ＩＩ市と一体化したあと原盤から分離するこ
   とにより微細パターンの転写を再現性、耐摩耗性及び耐
   食性に優れてさせるスタンパ−を得ることを特徴とする
   スタンパ−の製造方法 （２）　　ｊｎ−ンＩＪＩ膜層はＣｒ、　Ｔｉ、　Ｖ、
   　Ｉｌｆ、　Ｎｂ、　Ｚｒ、Ｔａのいずれか−又は二以
   上からなる金属又は合金％第二薄ＨＩ＜：１　ｊｒ９は
   Ａｕ　、　Ｔ’　ｔ、Ｐｄ、　Ａｇ、　Ｉｔ、Ｉｔのう
   ぢいずれか−又は二以上からなる金属又は合金であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のスタンパ
   −の製造方法 （３）導電性膜の厚さは、第一薄膜層が５０Ｘ〜５００
   Ｘ１第二薄膜層が１００Ｘ〜２０００スであり両膜膜層
   から成る導電性膜ｎ−が１５０ｘ〜２５００Ｘの範囲内
   であることを特徴とする特許請求の範囲第２項ニ記載の
   スタンパ−の製造方法 （４）導電性膜を蒸着によって形成することを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項に記載のスタン／ξ−製造方法 （５）　基板ｔよガラス又は合成樹脂であることを特徴
   とする喝；　ｆ（：請求の範囲第１項に記載のメタン、
   。 −製造方法