DE69736281T2 - Verfahren zur verfügungstellung eines optischen aufzeichnungsmediums vom phasenwechseltyp sowie optisches aufzeichnungsmedium vom phasenwechseltyp - Google Patents

Verfahren zur verfügungstellung eines optischen aufzeichnungsmediums vom phasenwechseltyp sowie optisches aufzeichnungsmedium vom phasenwechseltyp Download PDF

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Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein optisches Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium zum Aufzeichnen, Löschen und Lesen von Informationen durch Verwenden einem reversiblen Phasenwechsel in einer Aufzeichnungsschicht durch Bestrahlen mit einem Laserstrahl, und insbesondere betrifft sie ein optisches Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium, das in der Lage ist, Informationen mit hoher Dichte und mit ausgezeichneten Aufzeichnung- und Löscheigenschaften aufzuzeichnen.
  • Stand der Technik
  • In den letzten Jahren hat sich zusammen mit dem Fortschritt in der Halbleitertechnologie die Digitalisierung von Informationen schnell weiterentwickelt, und, einhergehend mit der Digitalisierung von Informationen, insbesondere der Digitalisierung von Bildinformationen wie statischen oder bewegten Bildern, ist die Menge der zu verarbeitenden Informationen enorm geworden. In einer derartigen Situation ist es erforderlich, die Informationen vorübergehend oder quasi-permanent zu speichern. Als Mittel zum Aufzeichnen der enormen Informationsmengen gelten optische Aufzeichnungsmedien wie optische Platten als vielversprechend, und es wurde nachdrücklich Forschung und Entwicklung betrieben, um die Kapazität zu erhöhen.
  • Insbesondere an ein sogenanntes optisches Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium, das Informationen unter Verwendung eines Materials aufzeich net und löscht, das reversible Phasenwechsel zwischen zwei Zuständen, nämlich einem kristallinen Zustand und einem amorphen Zustand ausführt, werden hohe Erwartungen als Bildaufzeichnungsmedium gestellt, da es das ausgezeichnete Merkmal aufweist, Informationen mittels eines einfachen optischen Systems aufzeichnen und löschen zu können und einfaches sogenanntes Überschreiben zu ermöglichen, bei dem das Aufzeichnen neuer Informationen während des gleichzeitigen Löschens bereits aufgezeichneter Informationen erfolgt.
  • Als Aufzeichnungsmaterial für das Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium wurden hauptsächlich Chalkogenidlegierungen wie Ge-Te-Sb-Gruppenlegierungen (siehe Japanische Offenlegungsschrift Sho 62-53886 und Japanische Offenlegungsschrift Sho 61-258787), In-Sb-Te-Legierungen (siehe Japanische Offenlegungsschrift Sho 62-241145) oder Oxidgruppenmaterialien wie Te-Ge-Sn-O verwendet. Beim Überschreiben wird ein Bereich einer Aufzeichnungsschicht, der mit einem Laserstrahl, welcher Aufzeichnungsenergie aufweist, bestrahlt wird, durch Erwärmen auf eine über dem Schmelzpunkt liegende Temperatur amorph gemacht und anschließend zur Bildung einer Aufzeichnungsmarkierung abgekühlt, während ein mit einem Löschenergie aufweisenden Laserstrahl bestrahlter Bereich der Aufzeichnungsschicht kristallisiert wird, um die Aufzeichnungsmarkierung durch Erwärmen auf eine über der Kristallisierungstemperatur liegende Temperatur zu löschen.
  • Wenn das Aufzeichnen und Löschen von Informationen unter Verwendung des zuvor beschriebenen Aufzeichnungsmaterials erfolgt, sind Schutzschichten üblicherweise unmittelbar unter und unmittelbar über der Aufzeichnungsschicht vorgesehen, um ein Oxidieren oder eine Verformung der Aufzeichnungsschicht zu verhindern. Ferner wird oft ein Aufbau verwendet, bei dem eine Reflexionsschicht durch eine Schutzschicht hindurch auf der Aufzeichnungsschicht aufgebracht ist, wobei dieser Aufbau oft als bevorzugte Schichtstruktur zum Erfassen einer Veränderung der Aufzeichnungsschicht als eine starke Veränderung des Reflexionsgrades unter Verwendung des Interferenzeffekts des Lichts verwendet wird.
  • Als Material für die Schutzschicht sind Oxide, Carbide, Nitride, Fluoride und Sulfide von Metallen oder Halbmetallen und dergleichen bekannt, und unter diesen ist ZnS dafür bekannt, dass es eine starke Haftung an der Aufzeichnungsschicht aufweist. Eine lediglich aus ZnS bestehende Schutzschicht ist jedoch hinsichtlich der Wärmebeständigkeit unzureichend, da Kristallkörner aus ZnS durch wiederholtes Aufzeichnen und Löschen beim Überschreiben grober werden. Die Japanische Offenlegungsschrift Sho 63-103453 beschreibt eine optische Scheibe, bei welcher die Wärmebeständigkeit der Schutzschicht verbessert ist, und welche hinsichtlich der durch thermische Verformung oder dergleichen der Aufzeichnungsschicht verursachte Verschlechterung der Wiederverwendbarkeit durch das Hinzufügen eines Glasbildners wie SiO2 zu ZnS verbessert ist. Ein derartiges existierendes Material für die zuvor beschriebene Schutzschicht ist üblicherweise für ein zum Aufzeichnen, Löschen und Lesen verwendetes Licht transparent.
  • Als Verfahren zum Erhöhen der Aufzeichnungsdichte im Falle einer existierenden Aufzeichnungspositionsmarkierung, die einem Aufzeichnungssignal an einer Mittelposition der Aufzeichnungsmarkierung entspricht, existiert ein Verfahren zum Erhöhen der Dichte in Richtung der Aufzeichnungsspur (lineare Dichte) und der Dichte in der zur Aufzeichnungsspur vertikalen Richtung (Spurdichte) durch Verringern der Größe der Aufzeichnungsmarkierungen, um so die voneinander beabstandeten Aufzeichnungsmarkierungen einander anzunähern.
  • Ferner kann die Markierungsrandaufzeichnung, bei der ein Aufzeichnungssignal an die Positionen des vorderen und des hinteren Endes einer Aufzeichnungsmarkierung angepasst wird, die Aufzeichnungsdichte in der Spurrichtung um ungefähr das 1,5-fache gegenüber der Markierungspositionsaufzeichnung mit einer Aufzeichnungsmarkierung der gleichen Größe erhöhen, so dass die Aufzeichnungsdichte durch Aufzeichnen der Markierungsränder anstatt der Markierungsposition vergrößert werden kann.
  • Bei einer Erhöhung der Dichte bei der Markierungspositionsaufzeichnung ist es erforderlich, die Wellenlänge einer Lichtquelle für das Aufzeichnen zu verkürzen, um die Größe der Aufzeichnungsmarkierung erheblich zu verringern, während bei der Markierungsrandaufzeichnung den Vorteil hat, die Dichte ohne wesentliche Veränderung einer Vorrichtung zu erhöhen. Beim Aufzeichnen von Informationen mittels des Markierungsrandverfahrens ist es jedoch erforderlich, eine Aufzeichnungsmarkierung genau mit einer konstanten Breite an einer vorbestimmten Position auszubilden.
  • Da der Absorptionsfaktor für den Laserstrahl im kristallinen Zustand geringer ist als der Laserstrahlabsorptionsfaktor im amorphen Zustand und darüber hinaus die Wärmeleitfähigkeit höher und die Ableitung der erzeugten Wärme im kristallinen Zustand stärker ist, wurde bei einem derartigen existierenden Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium ein Bereich auf eine im Vergleich mit einem im kristallinen Zustand befindlichen Bereich höhere Temperatur erwärmt, selbst wenn ein Laserstrahl mit einer identischen Intensität abgestrahlt wurde. Es herrschte das Phänomen, dass die Temperaturerhöhung abhängig von dem vorhergehenden Zustand, also dem kristallinen oder dem amorphen Zustand, unterschiedlich ist, selbst wenn ein Laserstrahl mit identischer Intensität abgestrahlt wird. Bei einer zuvor beschriebenen unterschiedlichen Temperaturerhöhung ergab sich das Problem, dass die Breite der zu bildenden Markierungen nicht gleichmäßig war oder die Markierungsbildungsposition gegenüber einer normalen Position versetzt war.
  • Als Mittel zur Lösung der vorgenannten Probleme ist beispielsweise in der Japanischen Offenlegungsschrift Hei 1-149238 beschrieben, dass die Lichtabsorptionsrate im kristallinen Zustand der Aufzeichnungsschicht (im folgenden als [Ac] bezeichnet) gleich oder größer als die Lichtabsorptionsrate im amorphen Zustand (im folgenden als [Aa] bezeichnet) gemacht wird. Es wird für dieses Verfahren erwähnt, dass die Dicke für jede der Schichten, welche das optische Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium bilden, korrekt gewählt werden muss. Insbesondere ist ein Beispiel für das Erhöhen des Verhältnisses (Ac/Aa) zwischen dem kristallinen Zustand und dem amorphen Zustand hinsichtlich der Lichtabsorptionsrate auf ungefähr 1,1 beschrieben, indem die Dicke einer metallenen Reflexionsschicht mehr als üblich verringert wird und die Dicke der Schutzschichten unmittelbar über und unmittelbar unter der Aufzeichnungsschicht verändert wird.
  • Das heißt, dass bei diesem Verfahren, Aa niedrig gehalten wird, indem die Dicke der Reflexionsschicht verringert wird, um das durch diese hindurchgelassene Licht zu verstärken, jedoch bringt die Erhöhung der Durchlässigkeit der Reflexionsschicht das Problem mit sich, dass die jeweiligen Leistungen Aufzeichnen, Löschen und Schreiben verschlechtert werden, da das von der Reflexionsschicht als Hintergrundfläche des optischen Phasenwechsel-Aufzeichnungsmediums zurückgeworfene Licht beim Lesen Rauschen verursacht, oder die Abkühlleistung der Aufzeichnungsschicht wird durch die verringerte Dicke der Reflexionsschicht verringert.
  • Ferner erfordert die Ge-Te-Sb-Legierung ein Verfahren zum erheblichen Erhöhen des Verhältnisses (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate im Vergleich mit einem Phasenwechselmaterial anderer Oxidgruppen. Es wird angenommen, dass dies auf die Werte der thermophysikalischen Eigenschaften zusammen mit dem Phasenwechsel der Ge-Te-Sb-Legierung zurückzuführen ist.
  • Das heißt, dass, da die Eigenschaften der Ge-Te-Sb-Legierung während des Phasenwechsels vom amorphen Zustand in den kristallinen Zustand denjenigen von Metall ähnlich werden, wird angenommen, dass die Veränderung der Wärmeleitfähigkeit im Vergleich mit anderen Materialien größer ist. Infolgedessen wird davon ausgegangen, dass bei der Bildung einer Aufzeichnungsmarkierung in einem Bereich im kristallinen Zustand ein größeres Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate erforderlich ist, da im Vergleich mit einem Bereich im amorphen Zustand eine erheblich größere Wärmemenge erforderlich ist.
  • Angesichts des Vorhergehenden wurde auf dem Gebiet der optischen Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedien dringend nach einem Verfahren zum Erhöhen des Verhältnisses (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate im amorphen Zustand und nach einer Technologie verlangt, die zur Erhöhung des Verhältnisses (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate wirksam ist.
  • Darüber hinaus weist das existierende Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium das Problem auf, dass die jeweiligen Aufzeichnungs-, Lösch- und Leseleistungen verschlechtert werden, wenn das Aufzeichnen und das Löschen einige Male wiederholt werden. Es wird davon ausgegangen, dass die durch die Anzahl der Wiederverwendungen bewirkte Verschlechterung der Leistung auf die folgenden Gründe zurückzuführen ist.
  • Da die Intensitätsverteilung eines Laserstrahls eine Gauss'sche Verteilung aufweist, sind die Erhöhungs- und Abkühltemperaturen und deren Veränderung über die Zeit zwischen dem Mittelbereich und dem Endbereich in dem mit einem Laserstrahl bestrahlten Bereich unterschiedlich, und eine Phasenseparation oder -segregation des Aufzeichnungsmaterials tritt in der gebildeten amorphen Markierung auf. Infolgedessen verstärkt sich die Phasenseparation oder -segregation durch das wiederholte Aufzeichnen und Löschen, so dass die Eigenschaften verändert werden und die Dauer der Wiederverwendbarkeit verringert wird.
  • Wenn wiederholt aufgezeichnet oder gelöscht wird, tritt ferner ein Delaminieren an der Grenzfläche zwischen der Schutzschicht und der Aufzeichnungsschicht auf, oder das Material der Aufzeichnungsschicht wird durch die in der Schutzschicht erzeugte Belastung während des Schmelzens des Materials der Aufzeichnungsschicht beim Aufzeichnen verflüssigt, was zu örtlichen Schwankungen der Filmdicke führt, die ebenfalls zu einer Verringerung der Dauer der Wiederverwendbarkeit führt.
  • WO 95/26559 A und Patent Abstracts of Japan Bd. 017, Nr. 563 (P-1628) beschreiben Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedien mit einer Aufzeichnungsschicht, die Ge, Te, Sb aufweist, und eine Schichtstruktur aus einem Substrat, einer ersten Schutzschicht, einer Aufzeichnungsschicht, einer zweiten Schutz schicht, einer Grenzschichtreflexionskontrollschicht und einer Reflexionsschicht, wobei die Grenzschichtreflexionsschicht einen von Null verschiedenen Extinktionskoeffizienten aufweist.
  • Um eine Verschlechterung der Leistung durch wiederholtes Aufzeichnen und Löschen zu verhindern, beschreibt die Japanische Offenlegungsschrift Sho 63-217542, dass eine lichtabsorbierende PbS-Schicht zwischen der Aufzeichnungsschicht und der Schutzschicht angeordnet ist, um die Temperaturverteilung zu vergleichmäßigen, und die Japanische Offenlegungsschrift Hei 7-262614 beschreibt, dass eine Schicht aus W (Wolfram) zwischen der Aufzeichnungsschicht und der Schutzschicht vorgesehen ist, um die Haftung zwischen diesen zu erhöhen.
  • Das Vorsehen der PbS-Schicht oder der W-Schicht zwischen der Aufzeichnungsschicht und der Schutzschicht hat jedoch das Problem, dass die Differenz zwischen den Reflexionsgraden, d.h. der optische Kontrast zwischen dem amorphen Zustand und dem kristallinen Zustand nicht ausreichend sichergestellt werden kann. Dieses Problem ist bisher nicht gelöst, gilt jedoch als auf einen großen Brechungsindex von W oder PbS zurückführbar.
  • Bei dem Aufbau, bei dem eine ein lichtabsorbierendes Material enthaltende Schicht zwischen der Aufzeichnungsschicht und der Schutzschicht vorgesehen ist, erfolgt kein für das Amorphwerden der Aufzeichnungsschicht erforderliches Abkühlen, aufgrund der durch die Lichtabsorption in der Lichtabsorptionsschicht verursachten Wärmeerzeugung, was zu dem Problem führt, dass kein ausreichender amorpher Zustand erreicht wird.
  • Ferner ist es aus den im folgenden unter (1)–(3) genannten Gründen zur Erhöhung der Aufzeichnungsdichte erforderlich, die in der Aufzeichnungsschicht erzeugte Wärme nach dem Durchgang eines Aufzeichnungsstrahls schnell nach außerhalb der Aufzeichnungsschicht abzuleiten.
    • (1) Wenn die in der Aufzeichnungsschicht erzeugte Wärme in der Aufzeichnungsschicht verbleibt, ist es schwierig, die Größe der Aufzeichnungsmarkierung zu verringern, da die Temperatur innerhalb einer gesamten Ebene der Aufzeichnungsschicht steigt.
    • (2) Wenn der Abstand zwischen jeder der beabstandeten Aufzeichnungsmarkierungen verringert wird, wird die Position für die Bildung der unmittelbar folgenden Markierung gegenüber der normalen Position versetzt, da die beim Bilden der unmittelbar vorangehenden Markierung erzeugte Wärme bis zu der Position für die unmittelbar nachfolgende Markierung weitergeleitet wird.
    • (3) Wenn die Wärme in der Ebene der Aufzeichnungsschicht bleibt, ist die zur erreichende Temperatur höher als an der Position des Beginns der Markierungsbildung, da Wärme von einem vorderen Teil der Markierung zu einem hinteren Markierungsbildungsteil strömt. Infolgedessen ist die Breite am hinteren Ende der Markierung vergrößert, so dass die Form der Markierung zu einer Tränenform verzerrt ist.
  • Wie zuvor beschrieben ist es für eine genaue Markierungsrandaufzeichnung in einem optischen Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium, bei dem die Lichtabsorptionsschicht zwischen der Aufzeichnungsschicht und der Schutzschicht (d.h. unmittelbar über und/oder unmittelbar unter der Aufzeichnungsschicht) angeordnet ist, erforderlich, Wärme in ausreichendem Maß von der Aufzeichnungsschicht und der Lichtabsorptionsschicht abzuleiten.
  • Im Hinblick auf das Vorhergehende ist es eine erste Aufgabe der vorliegenden Erfindung, das Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate im kristallinen Zustand in bezug auf den amorphen Zustand zu vergrößern, ohne die jeweiligen Eigenschaften des Aufzeichnens, Löschens und Lesens in einem optischen Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium zu beeinträchtigen, das eine Lichtaufzeichnungsschicht mit einer Ge-Te-Sb-Legierung aufweist. Es ist ferner eine zweite Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine präzise Markierungsrandaufzeichnung mit hoher Aufzeichnungsdichte in einem optischen Phasenwechsel- Aufzeichnungsmedium zu ermöglichen, das eine unmittelbar über und/oder unmittelbar unter der Aufzeichnungsschicht angeordnete Lichtabsorptionsschicht aufweist.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Diese Aufgaben werden mit der Erfindung gelöst.
  • Die vorliegende Erfindung ist in den Ansprüchen 1, 2 und 3 definiert.
  • Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zum Bereitstellen eines Phasenwechsel-Aufzeichnungsmediums mit einer Aufzeichnungsschicht, die eine mindestens Ge, Sb und Te enthaltende Legierung aufweist, in welcher ein Phasenwechsel zwischen einem kristallinen Zustand und einem amorphen Zustand entsprechend der Intensität eines bestrahlenden Laserstrahls reversibel auftritt, und einem Substrat zum Stützen der Aufzeichnungsschicht, und zum Aufzeichnen, Löschen und Lesen von Informationen durch Bestrahlen mit einem Laserstrahl, wobei das Intensitätsverhältnis einer Reflexionswelle zu einer Einfallswelle an der Grenzfläche der Aufzeichnungsschicht auf der Laserstrahleinfallsseite in dem Fall, dass sich die Aufzeichnungsschicht in einem kristallinen Zustand und in einem amorphen Zustand befindet (Rra: der Fall, dass sich die Aufzeichnungsschicht in einem amorphen Zustand befindet, Rrc: der Fall, dass sich die Aufzeichnungsschicht in einem kristallinen Zustand befindet), gleichzeitig die folgende Gleichung (1), die Gleichung (2) und die Gleichung (3) erfüllt: Rra – Rrc ≥ –0,2 (1) Rra – 0,9 × Rrc ≥ 0,05 (2) Rra + Rrc ≥ 0,18 (3).
  • Das Verfahren basiert auf einem neuartigen Konzept für den Aufbau eines Mediums, das dem Reflexionsphänomen an der Grenzfläche Rechnung trägt, wobei dessen Funktion im folgenden erläutert wird.
  • Die Lichtabsorptionsrate in einer Substanz kann basierend auf einem Lichtabsorptionskoeffizienten α berechnet werden, welcher durch die folgende Gleichung (14) bestimmt wird: α = 4π × k/λ (14),wobei k ein Extinktionskoeffizient einer Substanz und λ eine Lichtwellenlänge ist (das Vorstehende ist aus Optical Physical Property Handbook (Asakura Shoten), Seite 7 zitiert).
  • Die Werte für den Extinktionskoeffizienten kc im kristallinen Zustand und den Extinktionskoeffizienten ka im amorphen Zustand bei einer Wellenlänge von 680 nm in dem Material der die Ge-Te-Sb-Legierung aufweisenden Aufzeichnungsschicht sind die folgenden: kc = 4,33, ka = 1,64 (15)
  • Dementsprechend muss unter Berücksichtigung der Gleichung (14) die Lichtabsorptionsrate Ac im kristallinen Zustand höher sein als Aa im amorphen Zustand, jedoch ist das Ergebnis bei dem existierenden Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium gegenteilig.
  • Der Grund hierfür wird im folgenden erläutert.
  • Der Reflexionsgrad (Energiereflexionsgrad) R an der Grenzfläche, an der zwei verschiedene Schichten einander benachbart sind, kann unter Verwendung der folgenden Gleichung (16) berechnet werden.
    Figure 00100001
    wobei n1 ein Brechungsindex eines transparenten Mediums "1" auf der Laserstrahleinfallsseite ist, n2 ein Brechungsindex eines Mediums "2" ist, das eine dem Medium "1" benachbarte Schicht ist, und k2 ein Extinktionskoeffizient des Mediums "2" ist (das Vorhergehende ist aus "Applied Optics" (geschrieben von Masao Tsuruta, veröffentlicht bei Baifukan, (S. 44)) zitiert).
  • Durch Anwenden der obigen Gleichung (16) und Berechnen des Reflexionsgrades eines von der Schutzschicht her einfallenden und an der Grenzfläche zwischen einer Schutzschicht (ZnS-SiO2, n1 = 2,12, k1 = 0,0) und einer Aufzeichnungsschicht (Ge-Te-Sb-Legierung, n2 = 4,3, k2 = 1,64 im amorphen Zustand und n2 = 4,4, k2 = 4,33 im kristallinen Zustand), wie in existierenden optischen Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium verwendet, reflektierten Laserstrahls, beträgt der Reflexionsgrad Ra bei im amorphen Zustand befindlicher Aufzeichnungsschicht 16,9% und der Reflexionsgrad Rc bei im kristallinen Zustand befindlicher Aufzeichnungsschicht beträgt 39,1%.
  • Wie zuvor beschrieben ist bei dem existierenden Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium aufgrund des Verhältnisses des Reflexionsgrades (Ra < Rc) zwischen dem amorphen Zustand und dem kristallinen Zustand an der Grenzfläche der Aufzeichnungsschicht auf der Laserstrahleinfallsseite die Lichtabsorptionsrate Aa im amorphen Zustand höher als die Lichtabsorptionsrate Ac im kristallinen Zustand. Während der auf die Grenzfläche der Aufzeichnungsschicht einfallende Laserstrahl an der Grenzfläche reflektiert wird, da der Reflexionsgrad derselben im kristallinen Zustand höher ist, ist der Anteil des in des auf die Aufzeichnungsschicht einfallenden und von dieser im kristallinen Zustand absorbierten Laserstrahls gegenüber dem amorphen Zustand verringert. Es kann daher gefolgert werden, dass das Verhältnis zischen der im amorphen Zustand und im kristallinen Zustand absorbierten Lichtmenge dem sich aus der Gleichung (14) ergebenden Verhältnis entgegensteht.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, das Reflexionsphänomen an der Grenzfläche zu verbessern und ein hohes Verhältnis Ac/As zu erreichen sowie den optischen Kontrast (Differenz ΔR = |Rc – Ra| in bezug auf den Mediumreflexionsgrad (Rc) bei in kristallinem Zustand befindlicher Aufzeichnungsschicht und den Mediumreflexionsgrad (Ra) bei in amorphem Zu stand befindlicher Aufzeichnungsschicht), so dass das Grenzschichtreflexionsintensitätsverhältnis der Aufzeichnungsschicht in kristallinem Zustand (Intensitätsverhältnis der Reflexionswelle zu der Einfallswelle an der Grenzschicht der Aufzeichnungsschicht auf der Laserstrahleinfallsseite) Rrc und das Grenzschichtreflexionsintensitätsverhältnis der Aufzeichnungsschicht in amorphem Zustand Rra gleichzeitig die Gleichung (1), die Gleichung (2) und die Gleichung (3) erfüllen.
  • Als konkretes Beispiel für das erfindungsgemäße Verfahren kann ferner angeführt werden, dass eine Grenzflächenreflexionskontrollschicht, die aus einem Material mit einem Brechungsindex n und einem Extinktionskoeffizienten k besteht, welche gleichzeitig die folgenden Gleichungen (4), (5) und (6) erfüllen, vorgesehen ist, wobei die Grenzflächenreflexionskontrollschicht an der Grenzfläche der Aufzeichnungsschicht auf der Laserstrahleinfallsseite angeordnet ist: k ≥ 0,22n + 0,14 (4) k ≤ 0,88n – 0,19 (5) n ≤ 2,8 (6).
  • Die vorliegende Erfindung schafft ferner ein durch das Verfahren erhaltenes optisches Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium, nämlich ein Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium mit einer Aufzeichnungsschicht, die eine mindestens Ge, Sb und Te enthaltende Legierung aufweist, in welcher ein Phasenwechsel zwischen einem kristallinen Zustand und einem amorphen Zustand entsprechend der Intensität eines Laserstrahls reversibel auftritt, und einem Substrat zum Stützen der Aufzeichnungsschicht, und wobei das Medium zum Aufzeichnen, Löschen und Lesen von Informationen durch Bestrahlen mit einem Laserstrahl geeignet ist, wobei eine Grenzflächenreflexionskontrollschicht vorgesehen ist, die aus einem Material mit einem Brechungsindex n und einem Extinktionskoeffizienten k besteht, welche gleichzeitig die folgenden Gleichungen (4), (5) und (6) erfüllen, wobei die Grenzflächenreflexionskontrollschicht an der Grenzfläche der Aufzeichnungsschicht auf der Laserstrahleinfallsseite angeordnet ist.
  • Ferner werden bei einem anderen konkreten Beispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens unmittelbar unter und unmittelbar über der Aufzeichnungsschicht Grenzflächenreflexionskontrollschichten angeordnet, wobei eine auf der Laserstrahleinfallsseite der Aufzeichnungsschicht angeordnete erste Grenzflächenreflexionskontrollschicht aus einem Material mit dem Brechungsindex ni1 und einem Extinktionskoeffizienten ki1 gebildet ist, welche gleichzeitig die folgenden Gleichungen (7), (8) und (9) erfüllen, und eine auf der der Laserstrahleinfallsseite gegenüberliegenden Seite der Aufzeichnungsschicht angeordnete zweite Grenzflächenreflexionskontrollschicht aus einem Material mit dem Brechungsindex ni2 und einem Extinktionskoeffizienten ki2 gebildet ist, welche gleichzeitig die folgenden Gleichungen (10), (11) und (12) erfüllen: ki1 ≥ 0,15 ni1 (7) ki1 ≤ 0,6 ni1 (8) ni1 ≤ 3,0 (9) ki2 ≥ 0,35 ni2 (10) ki2 ≤ 1,06 ni2 + 0,25 (11) ki2 ≥ ni2 – 3,8 (12).
  • Ferner schafft die vorliegende Erfindung ein durch das Verfahren erhaltenes optisches Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium, nämlich ein Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium mit einer Aufzeichnungsschicht, die eine mindestens Ge, Sb und Te enthaltende Legierung aufweist, in welcher ein Phasenwechsel zwischen einem kristallinen Zustand und einem amorphen Zustand entsprechend der Intensität eines Laserstrahls reversibel auftritt, und einem Substrat zum Stützen der Aufzeichnungsschicht, und wobei das Medium zum Aufzeichnen, Löschen und Lesen von Informationen durch Bestrahlen mit einem Laserstrahl geeignet ist, wobei unmittelbar unter und unmittelbar über der Aufzeichnungsschicht angeordnete Grenzflächenreflexionskontrollschichten vorgesehen sind, wobei eine auf der Laserstrahleinfallsseite der Aufzeichnungs schicht angeordnete erste Grenzflächenreflexionskontrollschicht aus einem Material mit dem Brechungsindex ni1 und einem Extinktionskoeffizienten ki1 gebildet ist, welche gleichzeitig die folgenden Gleichungen (7), (8) und (9) erfüllen, und eine auf der der Laserstrahleinfallsseite gegenüberliegenden Seite der Aufzeichnungsschicht angeordnete zweite Grenzflächenreflexionskontrollschicht aus einem Material mit dem Brechungsindex ni2 und einem Extinktionskoeffizienten ki2 gebildet ist, welche gleichzeitig die folgenden Gleichungen (10), (11) und (12) erfüllen.
  • Bei dem optischen Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium ist es möglich, das zuvor beschriebene Phänomen der Grenzflächenreflexion zu verbessern, wodurch basierend auf dem erfindungsgemäßen Verfahren ein großes Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate erreicht und der optische Kontrast verstärkt wird, indem die Grenzflächenreflexionskontrollschichten unmittelbar unterhalb und unmittelbar oberhalb der Aufzeichnungsschicht angeordnet werden und der Brechungsindex sowie der Extinktionskoeffizient jeder der Grenzflächenreflexionskontrollschichten spezifiziert wird.
  • Darüber hinaus ermöglicht das Anordnen der beiden Grenzflächenreflexionskontrollschichten eine Verringerung des Extinktionskoeffizienten ki1 der ersten Grenzflächenreflexionskontrollschicht in einem Maß, das die genannten Gleichungen (7), (8) und (9) gleichzeitig erfüllt werden, wodurch der Lichtabsorptionsgrad in der ersten Grenzflächenreflexionskontrollschicht reduziert und die Wärmeerzeugung in der Schicht verringert wird. Ferner kann ein größeres Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate erreicht werden und gleichzeitig kann ein Material mit einem höheren Brechungsindex für die erste Grenzflächenreflexionskontrollschicht verwendet werden.
  • (Grenzflächenreflexionskontrollschicht)
  • Die Grenzflächenreflexionskontrollschicht ist aus mindestens einem Material gebildet, das aus der Gruppe gewählt ist, welche umfasst: Oxide, Sulfide, Nitride, Carbide, und Fluoride von Metall, Halbmetall und Halbleiter, bei dem es sich um eine nicht-stöchiometrische Zusammensetzung handelt, der es an Sauerstoff, Schwefel, Stickstoff, Kohlenstoff und Fluor mangelt. Es ist besonders bevorzugt sie aus einer nicht-stöchiometrischen Zusammensetzung mit einem Schwefelmangel im Zinksulfid, einer nicht-stöchiometrischen Zusammensetzung mit einem Stickstoffmangel im Aluminiumnitrid, oder einer nicht-stöchiometrischen Zusammensetzung mit einem Kohlenstoffmangel im Siliziumkarbid zu bilden.
  • Eine nicht-stöchiometrische Zusammensetzung ist eine Zusammensetzung, die nicht den Gesetzen bestimmter Proportionen entspricht. Bei Siliziumoxid Beispielsweise wird SiOx (0 < x < 2) als Zusammensetzung zur Bildung der Grenzflächenreflexionskontrollschicht verwendet, obwohl die Zusammensetzung entsprechend des Gesetzes der konstanten Proportion SiO2 ist. Gleichermaßen wird bei Zinksulfid Zn(1–x)Sx (0 < x < 0,5) anstelle von ZnS verwendet. Ähnliches gilt für Nitrid, Carbid und Fluorid.
  • Wenn die Grenzflächenreflexionskontrollschicht aus einer derartigen nicht-stöchiometrischen Zusammensetzung gebildet ist, tritt weniger häufig eine Veränderung der Eigenschaften durch wiederholtes Aufzeichnen auf, da das Diffundieren des Materials der Aufzeichnungsschicht in die Grenzflächenreflexionskontrollschicht während des Schmelzens des Materials der Aufzeichnungsschicht beim Aufzeichnen verhindert wird. Da eine derartige nicht-stöchiometrische Zusammensetzung eine lichtabsorbierende Eigenschaft aufweist, können optische Konstanten (Brechungsindex n und Extinktionskoeffizient k) erhalten werden, die jede der zuvor beschriebenen Gleichungen erfüllen, die für die Grenzflächenreflexionskontrollschicht erforderlich sind.
  • Insbesondere da Zinksulfid, Aluminiumnitrid und Siliziumcarbid eine gute Haftung an dem Material der Aufzeichnungsschicht und eine Netzbarkeit beim Schmelzen der Aufzeichnungsschicht aufweisen, hat das optische Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium, welches diese als Material für die Grenzflächenreflexionskontrollschicht verwendet, eine besonders erhöhte Wiederverwendbarkeit zum Aufzeichnen und Löschen.
  • Besteht die Grenzflächenreflexionskontrollschicht aus einer nicht-stöchiometrischen Zusammensetzung mit einem Mangel an Schwefel in dem Zinksulfid, liegt x in Zn(1–x)Xx vorzugsweise im Bereich 0,2 ≤ x < 0,5 und, hinsichtlich der Wiederverwendbarkeit, insbesondere 0,3 ≤ x < 0,5.
  • Die Grenzflächenreflexionskontrollschicht mit der zuvor beschriebenen nicht-stöchiometrischen Zusammensetzung kann durch das folgende Verfahren hergestellt werden. Im folgenden wird ein Sputter-Verfahren als Beispiel des im industriellen Zusammenhang verbreitetsten Dünnfilmbildungsverfahrens beschrieben.
  • Als erstes Verfahren existiert ein Verfahren zum Herstellen eines Targets, das ein Metall, ein Halbmetall oder einen Halbleiter als Bestandteil einer nicht-stöchiometrischen Zusammensetzung aufweist, wobei eine Gasmischung aus einem Edelgas wie Argon und einem reaktiven Gas wie Sauerstoff, Schwefelsulfid, Stickstoff oder Methan verwendet wird, und ein reaktives Sputtern erfolgt.
  • Gemäß diesem Verfahren kann beispielsweise im Falle eines Aluminiumnitridfilms ein Film aus Al(1–x)Nx unter Verwendung eines Al-Targets und durch Sputtern unter Verwendung einer Gasmischung aus Argon und Stickstoff gebildet werden. Insbesondere kann bei diesem Verfahren eine Zusammensetzung im Bereich von 0 ≤ x ≤ 0,5 (Al-Film bei x = 0, AlN-Film bei x = 0,5) optional durch variieren des Mischungsverhältnis des Stickstoffgases in dem Argongas hergestellt werden.
  • Als zweites Verfahren existiert ein Verfahren zum Herstellen eines Targets mit einer Verbindung, deren Zusammensetzung dem Gesetz der bestimmten Proportionen einer zu bildenden Verbindung entspricht, und bei dem ein reaktives Sputtern durchgeführt wird, indem lediglich das Edelgas wie Argon oder eine Gasmischung aus einem zum Sputtern verwendeten Edelgas und einem reak tiven Gas wie Sauerstoff, Schwefelwasserstoff, Stickstoff oder Methan verwendet wird.
  • Gemäß diesem Verfahren ist es beispielsweise im Falle von Aluminiumnitrid möglich, einen normalerweise an Sauerstoff mangelnden Film zu erhalten, indem ein normales Sputtern mit einem AlN-Target durchgeführt wird, wobei nur das Argongas verwendet wird. Wenn die in dem sich ergebenden Film fehlende Menge an Stickstoff übermäßig größer als ein gewünschter Wert ist, kann ein gewünschter Al(1–x)Nx-Film durch Sputtern mit einer Gasmischung aus Argon und Stickstoff gebildet werden.
  • Als drittes Verfahren existiert ein Verfahren zur Herstellung eines Targets mit einer Mischung aus einer Verbindung, die eine Zusammensetzung gemäß dem Gesetz der bestimmten Proportionen hat, und einem Metall, Halbmetall oder Halbleiter als Bestandteil der Verbindung, wobei Sputtern erfolgt. Bei Zinksulfid beispielsweise kann durch Sputtern unter Verwendung eines ZnS enthaltenden Targets üblicherweise ein Film mit Schwefelüberschuss erhalten werden. Andererseits kann ein an Schwefel armer Zinksulfidfilm durch Verwenden eines Targets, das durch Mischen von ZnS und Zn in einem geeigneten Mischungsverhältnis und anschließendes Verfestigen gebildet ist, und durch Sputtern unter Verwendung von Argongas erhalten werden. Auch in diesem Fall kann eine Gasmischung aus einem Edelgas und einem reaktiven Gas nach Bedarf als atmosphärisches Gas für das Sputtern verwendet werden.
  • Die Zusammensetzung des erhaltenen Films kann wie im folgenden beschrieben gemessen werden. Die Erläuterung erfolgt anhand des Beispiels von ZnS.
  • Der erhaltene Film wird in einem Fluoreszenz-Röntgenstrahlmessgerät hinsichtlich des bestehenden Verhältnisses von Schwefelatomen vermessen: Y = (S/(Zn + S)) unter vorbestimmten Bedingungen. Das gegebene Verhältnis der Schwefelatome (S/(Zn + S)) wird unter den gleichen Bedingungen ebenfalls für ZnS gemessen, das als Standardwert Y0 definiert wird. X in Zn(1–x)Xx wird ba sierend auf den derart bestimmten Y und Y0 entsprechend der folgenden Gleichung (13) berechnet: X = 0,5 Y/Y0 (13)
  • Die Grenzflächenreflexionskontrollschicht ist nicht auf solche beschränkt, die aus derartigen nicht-stöchiometrischen Zusammensetzungen gebildet sind, sondern es kann jedes Material geeignet sein, vorausgesetzt, dass das Material gleichzeitig die Gleichungen (4)–(6) (wenn sie nur an der Grenzfläche der Aufzeichnungsschicht auf der Laserstrahleinfallsseite ausgebildet ist) oder gleichzeitig die Gleichungen (7)–(12) erfüllt (wenn sie sowohl unmittelbar unter und unmittelbar über der Aufzeichnungsschicht gebildet ist).
  • Die Grenzflächenreflexionskontrollschicht kann entweder ein Kohlenstofffilm oder ein gemischter Film sein, der mindestens eine Zusammensetzung aufweist, die aus der Gruppe gewählt ist, welche umfasst: Sulfid, Nitrid, Carbid und Fluorid, und einem Element mit einem hohen Schmelzpunkt. Als Element mit hohem Schmelzpunkt wird vorzugsweise ein Element verwendet, das aus der Gruppe gewählt ist, die besteht aus: W, Mo, Cr, Ta, Nb, Hf, Zr, Ti, Co, Pt, Pd, Ni, Au, Ag, Cu, C, Al, Si und Ge.
  • Besteht die Grenzflächenreflexionskontrollschicht aus Kohlenstoff, kann die zuvor beschriebene Bedingung (optische Eigenschaft) für eine Grenzflächenreflexionskontrollschicht mit einem einzelnen Material erfüllt werden und die Netzbarkeit beim Schmelzen der Aufzeichnungsschicht ist befriedigend.
  • Handelt es sich bei der Grenzflächenreflexionskontrollschicht wie zuvor beschrieben um einen gemischten Film, tritt eine Veränderung der Eigenschaften durch wiederholtes Aufzeichnen weniger oft auf, da beide Materialien, welche den gemischten Film bilden, beim Schmelzen des Materials der Aufzeichnungsschicht beim Aufzeichnen weniger in das Material der Aufzeichnungsschicht diffundieren.
  • Da Oxid, Sulfid, Nitrid, Carbid und Fluorid von Metall, Halbmetall oder Halbleitern in hohem Maße transparent ist und das Element mit dem hohen Schmelzpunkt eine starke Lichtabsorption aufweist, können die für die erfindungsgemäße Grenzflächenreflexionskontrollschicht erforderlichen optischen Konstanten, die jede der vorgenannten Gleichungen erfüllen (Brechungsindex n und Extinktionskoeffizient k), durch Auswahl des Gehalts des Elements mit dem hohen Schmelzpunkt erhalten werden.
  • Handelt es sich bei der Grenzflächenreflexionskontrollschicht um den gemischten Film, wie zuvor beschrieben, wird als Verbindung zur Bildung des gemischten Films besonders bevorzugt eine Mischung aus einem Oxid, Nitrid, Carbid und Fluorid eines Metalls, Halbmetalls oder Halbleiters, und Zinksulfid verwendet. Da dies die Haftung an der Aufzeichnungsschicht erhöht und die Netzbarkeit beim Schmelzen der Aufzeichnungsschicht gut ist, kann die Wiederverwendbarkeit für das Aufzeichnen und Löschen erhöht werden.
  • Die Dicke der Grenzflächenreflexionskontrollschicht beträgt vorzugsweise zwischen 5 nm und 150 nm. Ist sie geringer als 5 nm, ist es schwierig, einen gleichmäßigen durchgehenden Film zu bilden. Übersteigt sie 100 nm, wird die Lichtabsorptionsmenge in der Grenzflächenreflexionskontrollschicht selbst übermäßig, wodurch die Aufzeichnungsempfindlichkeit herabgesetzt oder der optische Kontrast verringert wird.
  • Bei dem erfindungsgemäßen optischen Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium ist vorzugsweise eine Schutzschicht mit einem dielektrischen Material zwischen einer nahe der Grenzfläche der Aufzeichnungsschicht auf der Laserstrahleinfallsseite angeordneten Grenzflächenreflexionskontrollschicht und einem Substrat vorgesehen.
  • Wenn die unmittelbar unter der Aufzeichnungsschicht anzuordnende Grenzflächenreflexionskontrollschicht direkt auf dem Substrat angeordnet wird, wird angenommen, dass das Substrat aufgrund der mit der Lichtabsorption in der Aufzeichnungsschicht und der Grenzflächenreflexionskontrollschicht einherge henden Wärmeentwicklung verformt wird. Ist zwischen der Grenzflächenreflexionskontrollschicht und dem Substrat eine Schutzschicht vorgesehen, die ein dielektrisches Material mit geringer Wärmeleitfähigkeit und Wärmediffundierbarkeit aufweist, ist es möglich, da die Schutzschicht als Wärmeisolierschicht wirkt, das Verformen des Substrats wie zuvor beschrieben zuverlässig zu verhindern und die Löscheigenschaften und die Wiederverwendbarkeit zu verbessern.
  • (Wärmeableitungsschicht)
  • Bei dem erfindungsgemäßen optischen Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium ist es ferner bevorzugt, zwischen der Grenzflächenreflexionskontrollschicht, welche der Grenzfläche der Aufzeichnungsschicht auf der Laserstrahleinfallsseite benachbart ist (Lichtabsorptionsschicht mit einem Brechungsindex und einem Extinktionskoeffizienten, welche die zuvor beschriebenen Bedingungen erfüllen) und einem Substrat eine Wärmeableitungsschicht anzuordnen, die Aluminiumnitrid, Bornitrid, Siliziumnitrid, Titannitrid, Kohlenstoff, Siliziumkarbid, Titankarbid, Tantalkarbid, Wolframkarbid, Aluminiumoxid, Magnesiumoxid, Zirkoniumborid, MoSi2, Metall, Halbmetall oder Halbleiter aufweist. Beispiele für das hier verwendete Metall, Halbmetall und Halleiter können beispielsweise umfassen: Au, Ag, Cu, Al, Pd, Ni, Co, Pt, Ti, Ta, Nb, V, Cr, Mo, W, Si und Ge.
  • Wenn eine derartige Wärmeableitungsschicht angeordnet ist, wird in der Aufzeichnungsschicht erzeugte Wärme wirksam an die Wärmeableitungsschicht abgeleitet.
  • 1 ist eine schematische Darstellung der Wärmeströmung in einem optischen Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium gemäß der vorliegenden Erfindung, wobei als Beispiel eine Schichtstruktur gewählt ist, die einem Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen optischen Phasenwechsel-Aufzeichnungsmediums entspricht.
  • Ein Teil der in einer Aufzeichnungsschicht 4 erzeugten Wärme wird durch eine obere Schutzschicht 5 hindurch zu einer Reflexionsschicht 6 geleitet, jedoch wird darüber hinaus ein Teil der Wärme auch durch eine Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3 und eine untere Schutzschicht 2 zu einer Wärmeableitungsschicht 7 geleitet. Da die Wärmeableitungsschicht 7 und die Reflexionsschicht 6 eine hohe Wärmeleitfähigkeit haben, wird die meiste der in der Aufzeichnungsschicht 4 erzeugten Wärme an diese Schichten geleitet und abgeleitet, und infolgedessen ist die auf der Ebene der Aufzeichnungsschicht 4 herrschende Wärme verringert. Da ferner die in Zusammenhang mit der Lichtabsorption in der Grenzflächenreflexionskontrollschicht erzeugte Wärme ebenfalls an die Wärmableitungsschicht 7 geleitet und abgeleitet wird, kann eine Kühlrate erreicht werden, die für das Abkühlen bei der amorphen Bildung erforderlich ist.
  • Bei einem optischen Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium mit einer bekannten Schichtstruktur, wie in 2 dargestellt, wird hingegen nur die Reflexionsschicht 6 als Bereich zum Ableiten von in der Aufzeichnungsschicht 4 erzeugter Wärme verwendet und die abgeleitete Wärmemenge kann geringfügig erhöht werden, indem das die Reflexionsschicht 6 bildende Material, die Dicke der Reflexionsschicht 6, und die Dicke der Schutzschichten 2 und 5 entsprechend gewählt werden, jedoch läßt sich keine ausreichende Wirkung erzielen.
  • Da wie zuvor beschrieben die Ausbreitung der Temperaturverteilung in der Filmebene der Aufzeichnungsschicht durch Anordnen der Wärmeableitungsschicht unterdrückt wird, kann nicht nur eine kleine Aufzeichnungsmarkierung gebildet werden, sondern auch die Wirkung der beim Bilden der unmittelbar vorhergehenden Markierung erzeugten Wärme auf die Bildung der unmittelbar folgenden Markierung kann verringert werden, so dass der Abstand zwischen den Aufzeichnungsmarkierungen verringert werden kann. Ferner kann die Temperaturverteilung vom Anfangspunkt zum Endpunkt der Markierungsbildung vereinheitlicht werden, um ebenfalls die Verzerrung der Form der Markierung zu verringern.
  • Da in der Aufzeichnungsschicht erzeugte Wärme wirksam in der Wärmeableitungsschicht abgeleitet wird, kann das Verformen oder Verzerren aufgrund von Wärmedehnung oder Wärmeschrumpfung der Schutzschicht oder der Aufzeichnungsschicht und der Grenzflächenreflexionskontrollschicht sowie der Schutzschicht und der Reflexionsschicht verringert werden, um die Wiederverwendbarkeit beim Überschreiben zu verbessern.
  • Wenn eine Wärmeableitungsschicht unmittelbar unter der Grenzflächenreflexionskontrollschicht angeordnet wird, die unmittelbar unter der Aufzeichnungsschicht angeordnet ist, kann, da in einem mit einem Aufzeichnungsstrahl bestrahlten Bereich der Aufzeichnungsschicht erzeugte Wärme unmittelbar in die Wärmeableitungsschicht abgeleitet wird, eine Temperaturerhöhung in der Aufzeichnungsschicht manchmal übermäßig unterdrückt werden, so dass viel Energie für das Aufzeichnen erforderlich ist.
  • Wenn hingegen eine Schutzschicht, welche ein dielektrisches Material enthält, zwischen der Wärmeableitungsschicht und der Grenzflächenreflexionskontrollschicht unmittelbar unter der Aufzeichnungsschicht angeordnet ist, ist es möglich, die Übertragungsrate der Ableitung der in der Aufzeichnungsschicht erzeugten Wärme in die Wärmeableitungsschicht zu regeln, indem das Material und die Dicke der Schutzschicht entsprechend gewählt werden. Durch eine derartige Regelung der thermischen Eigenschaften ist es möglich, eine Aufzeichnungsempfindlichkeit, eine Temperaturverteilung und dergleichen entsprechend den Arbeitsbedingungen zu erhalten und so die Aufzeichnungsempfindlichkeit und Wiederverwendbarkeit kompatibel zu machen.
  • (Anderer Schichtaufbau)
  • Bei der tatsächlichen Ausübung der Erfindung können zahlreiche verschiedene, im folgenden beschriebene Ausführungsbeispiele verwendet werden.
  • Erstens: Falls die Grenzflächenreflexionskontrollschicht nur an der Grenzschicht der Aufzeichnungsschicht auf der Laserstrahleinfallsseite (unmittelbar unterhalb der Aufzeichnungsschicht) angeordnet ist, ist es zunächst bevorzugt, eine Schutzschicht mit einer dielektrischen Schicht unmittelbar über der Aufzeichnungsschicht und eine Reflexionsschicht mit einem Metallmaterial oder einem Halbleitermaterial darüber vorzusehen. Dies kann sowohl einen starken optischen Kontrast, als auch eine hohe Wiederverwendbarkeit gewährleisten.
  • Die Schutzschicht ist in diesem Fall vorzugsweise aus einem Mischung aus einem Sulfid eines Metalls oder eines Halbmetalls und einem Oxid, Nitrid, Carbid oder Fluorid eines Metalls oder eines Halbmetalls gebildet, wobei die Bildung aus einer Mischung aus Zinksulfid und einem Siliziumoxid besonders bevorzugt ist.
  • Zweitens: Wenn Grenzflächenreflexionskontrollschichten sowohl unmittelbar über, als auch unmittelbar unter der Aufzeichnungsschicht angeordnet sind, ist es bevorzugt, eine Reflexionsschicht aus einem Metallmaterial oder einem Halbleitermaterial auf einer Grenzflächenreflexionskontrollschicht anzuordnen, welche unmittelbar über der Aufzeichnungsschicht angeordnet ist. Gemäß dem Vorgenannten lässt sich ein starker optischer Kontrast gewährleisten. Des weiteren kann in diesem Fall eine hohe Wiederverwendbarkeit gewährleistet werden, indem eine Schicht, die ein dielektrisches Material aufweist, zwischen der unmittelbar über der Aufzeichnungsschicht angeordneten Grenzflächenreflexionskontrollschicht und der Reflexionsschicht vorgesehen wird.
  • Als Material zur Bildung der Reflexionsschicht wird die Verwendung einer Al als Hauptkomponente aufweisenden Legierung, einer Legierung mit einem einzelnen Element aus W und Mo, mindestens einem aus der Gruppe A (Ge, Si) und mindestens einem aus der Gruppe B (Al, Au, Ag, Ti, V) ausgewählten Material, oder einer Legierung, die mindestens ein aus der Gruppe C (W, Mo) und mindestens ein aus der Gruppe D (V, Nb, Ti) ausgewähltes Element umfasst, bevorzugt, da ein größeres Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate erhalten werden kann.
  • Wie zuvor beschrieben ist es möglich, wenn die Reflexionsschicht auf der Aufzeichnungsschicht angeordnet ist, einen starken optischen Kontrast zu erhalten, selbst wenn die Dicke der Aufzeichnungsschicht reduziert ist, da die Aufzeichnungsschicht durchdringendes Licht von der Reflexionsschicht reflektiert wird und Reflexionslicht den einfallenden Laserstrahl stört. Wenn die Dicke der Aufzeichnungsschicht reduziert werden kann, können zufriedenstellende Eigenschaften hinsichtlich der Aufzeichnungseigenschaften, der Wiederverwendbarkeit und der erhöhten Dichte durch die nachfolgenden Effekte erreicht werden.
    • (1) Da die thermische Kapazität verringert ist, kann die zum Erwärmen erforderliche Energie verringert werden, so dass die Aufzeichnungsdichte erhöht wird. Da ferner die Kühlrate erheblich höher sein kann, kann die amorphe Aufzeichnungsmarkierung leicht gebildet werden.
    • (2) Da die Temperaturverteilung in Richtung der Filmdicke und innerhalb der Filmebene flach ist und eine Segregation oder Phasenseparation des Materials der Aufzeichnungsschicht unterdrückt wird, kann die Wiederverwendbarkeit verbessert werden.
    • (3) Da die Leitung der in der Aufzeichnungsschicht erzeugten Wärme in einer Ebene des Films unterdrückt wird, ist es möglich, die Größe der Aufzeichnungsmarkierung zu verringern. Da es möglich ist, die beabstandeten Markierungen näher aneinander zu bringen, ist ferner ein Vorteil hinsichtlich einer hohen Aufzeichnungsdichte erreicht.
  • Wenn jedoch die Reflexionsschicht unmittelbar über der Aufzeichnungsschicht angeordnet ist, kann angenommen werden, dass während des Aufzeichnens das Material der Reflexionsschicht in die Aufzeichnungsschicht diffundiert oder das Material der Aufzeichnungsschicht in die Reflexionsschicht diffundiert, um so die Aufzeichnungs- und Löscheigenschaften durch wiederholtes Aufzeichnen zu verändern, wobei ein derartiges Phänomen jedoch vermieden werden kann, indem eine Schutzschicht mit einem dielektrischen Material zwischen der Aufzeichnungsschicht und der Reflexionsschicht angeordnet wird.
  • Bei einer derartigen Struktur ist es möglich, die Leitungsrate der Ableitung der in der Aufzeichnungsschicht erzeugten Wärme zu regeln, indem das Material und die Filmdicke der Schutzschicht entsprechend gewählt werden. Mit einer derartigen Regelung der thermischen Eigenschaften ist es möglich, eine Aufzeichnungsempfindlichkeit, eine Temperaturverteilung und dergleichen entsprechend den Arbeitsbedingungen zu erhalten.
  • Wenn eine Grenzflächenreflexionskontrollschicht ebenfalls unmittelbar über der Aufzeichnungsschicht (zweite Grenzflächenreflexionskontrollschicht) angeordnet ist, ist es ebenfalls möglich, die Grenzflächenreflexionskontrollschicht mit der Funktion der Schutzschicht zu versehen. Ferner kann eine Reflexionsschicht auf der zweiten Grenzflächenreflexionskontrollschicht durch eine Schutzschicht mit einem dielektrischen Material vorgesehen sein, wodurch die zweite Grenzflächenreflexionskontrollschicht ausschließlich einen optischen Effekt hat, während die Schutzschicht die zuvor beschriebene Regelung der thermischen Eigenschaft wahrnimmt.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine erläuternde Ansicht, die schematisch eine Wärmeströmung in einem erfindungsgemäßen optischen Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium darstellt. 2 ist eine Querschnittsdarstellung eines Schichtaufbaus eines bekannten optischen Phasenwechsel-Aufzeichnungsmediums. 3 ist eine schematische Querschnittsdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen optischen Phasenwechsel-Aufzeichnungsmediums.
  • 4 ist eine Kurve zur Darstellung einer Kontur für ein Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate in einer Korrelation zwischen einem Grenzflächenreflexionsintensitätsverhältnis Rra im amorphen Zustand und einem Grenzflächenreflexionsintensitätsverhältnis Rrc im kristallinen Zustand einer Aufzeich nungsschicht. 5 ist ein Konturdiagramm des optischen Kontrasts ΔR in einer Korrelation zwischen einem Grenzflächenintensitätsverhältnis Rra im amorphen Zustand und einem Grenzflächenintensitätsverhältnis Rrc im kristallinen Zustand einer Aufzeichnungsschicht.
  • 6 ist ein Konturdiagramm für (Rra – Rrc) in einer Korrelation zwischen einem Extinktionskoeffizienten k und einem Brechungsindex n einer Grenzflächenreflexionskontrollschicht. 7 ist ein Konturdiagramm für (Rra – 0.9 Rrc) in einer Korrelation zwischen einem Extinktionskoeffizienten k und einem Brechungsindex n einer Grenzflächenreflexionskontrollschicht.
  • 8 ist ein Konturdiagramm für (Rra + Rrc) in einer Korrelation zwischen einem Extinktionskoeffizienten k und einem Brechungsindex n einer Grenzflächenreflexionskontrollschicht. 9 ist ein Konturdiagramm für ein Verhältnis (Ac/Aa) des Lichtabsorptionsfaktors in einer Korrelation zwischen einem Extinktionskoeffizienten k und einem Brechungsindex n einer Grenzflächenreflexionskontrollschicht. 10 ist ein Konturdiagramm für den optischen Kontrast ΔR in einer Korrelation zwischen einem Extinktionskoeffizienten k und einem Brechungsindex n einer Grenzflächenreflexionskontrollschicht.
  • 11 ist ein schematischer Querschnitt zur Darstellung eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen optischen Phasenwechsel-Aufzeichnungsmediums.
  • 12 ist ein Konturdiagramm für ein Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate in einer Korrelation zwischen einem Extinktionskoeffizienten ki1 und einem Brechungsindex ni1 einer ersten Grenzflächenreflexionskontrollschicht.
  • 13 ist ein Konturdiagramm für den optischen Kontrast ΔR in einer Korrelation zwischen einem Extinktionskoeffizienten ki1 und einem Brechungsindex ni1 einer ersten Grenzflächenreflexionskontrollschicht.
  • 14 ist ein Konturdiagramm für ein Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate in einer Korrelation zwischen einem Extinktionskoeffizienten ki2 und ei nem Brechungsindex ni2 einer zweiten Grenzflächenreflexionskontrollschicht.
  • 15 ist ein Konturdiagramm für den optischen Kontrast ΔR in einer Korrelation zwischen einem Extinktionskoeffizienten ki2 und einem Brechungsindex ni2 einer zweiten Grenzflächenreflexionskontrollschicht.
  • 16 ist ein schematischer Querschnitt zur Darstellung eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen optischen Phasenwechsel-Aufzeichnungsmediums.
  • 17 ist ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Signalintensität eines Ausleselichts und der Aufzeichnungsfrequenz, gemessen in dem Beispiel 6. 18 ist eine schematische Darstellung eines Verfahrens zum Erhalten eines binarisierten Signal aus einem wiedergegebenen Signal, welche zeigt: (a) eine Aufzeichnungsmarkierung, (b) ein Auslesesignal, (c) ein binarisiertes Signal für eine Vorderflanke, (d) ein binarisiertes Signal für eine Hinterflanke und (e) ein binarisiertes Signal für beide Flanken. 19 ist ein Wellenformdiagramm eines Auslesesignals für jedes Muster, wobei (a) eine Wellenform für ein Muster ist, (b) eine Wellenform für ein Muster nach einem Vergleichbeispiel ist, (c) eine Wellenform für ein Muster in einem Vergleichsbeispiel ist, wobei bei dieser Wellenform die lineare Geschwindigkeit bei der Aufzeichnung höher als bei (b) ist.
  • 20 ist ein schematischer Querschnitt zur Darstellung eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen optischen Phasenwechsel-Aufzeichnungsmediums.
  • Beste Art der Ausführung der Erfindung
  • Ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird im folgenden unter Bezugnahme auf die Zeichnungen konkret beschrieben.
  • 3 ist eine schematische Querschnittsdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen optischen Phasenwechsel-Aufzeichnungs mediums, bei dem eine erste Schutzschicht 2, eine Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3, eine Aufzeichnungsschicht 4, die eine Legierung aus mindestens Ge, Sb, Te aufweist, eine zweite Schutzschicht 5 und eine Reflexionsschicht 6 in der genannten Reihenfolge auf einem Substrat 1 angeordnet sind.
  • Die Dicke jeder der Schichten ist derart optimiert, dass verschiedene Eigenschaften des Aufzeichnungsmediums, wie beispielsweise der optische Kontrast ΔR eines Aufzeichnungsmediums (Differenz zwischen Mediumreflexionsgrad bei im kristallinen Zustand befindlicher Aufzeichnungsschicht und dem Mediumreflexionsgrad bei im amorphen Zustand befindlicher Aufzeichnungsschicht), oder ein Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate und die Wiederverwendbarkeit erfüllt werden. Da der Reflexionsgrad des Aufzeichnungsmediums periodisch durch Ändern der Dicke der ersten Schutzschicht 2 verändert werden kann, weist die erste Schutzschicht 2 eine Dicke auf, die hinsichtlich ΔR und Ac/Aa vorteilhaft ist.
  • Ferner kann die Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3 ihre Wirkung bei einer Dicke von ungefähr 5 nm bis ungefähr 10 nm entfalten, die als durchgehender Film ausgebildet sein kann, und sie kann bis zu ungefähr 100 nm aufweisen, wenn die Festigkeit des Films selbst erforderlich ist. Die Dicke der Aufzeichnungsschicht 4 liegt vorzugsweise zwischen 10 nm und 50 nm, wobei es außerhalb dieses Bereichs schwierig ist, die Wiederverwendbarkeit und ein großes Verhältnis AC/Aa miteinander kompatibel zu machen. Die Dicke der zweiten Schutzschicht 5 beträgt vorzugsweise 50 nm oder weniger, wodurch vorteilhafte Kühlbedingungen für die Wiederverwendbarkeit geschaffen werden können, und gleichermaßen beträgt die Dicke der Reflexionsschicht 6 vorzugsweise 50 nm oder mehr, wodurch die Kühlrate erhöht werden kann.
  • Der mehrlagige Film wurde optisch entworfen, indem die optische Konstante und die Filmdicke für jede der Schichten wie in Tabelle 1 gezeigt festgelegt wurden (wobei der Brechungsindex n und der Extinktionskoeffzient k der Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3 variiert wurden), und eine Kontur für ein Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate und eine Kontur für einen opti schen Kontrast ΔR in einer Korrelation zwischen einem Grenzflächenreflexionsintensitätsverhältnis im amorphen Zustand der Aufzeichnungsschicht 4 (Intensitätsverhältnis einer Reflexionswelle zu einer von der Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3 her kommenden Einfallswelle an der Grenzfläche der Aufzeichnungsschicht 4 zu der Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3) Rra und einem Grenzflächenreflexionsintensitätsverhältnis Rrc im kristallinen Zustand der Aufzeichnungsschicht wurden erstellt. 4 ist ein Konturdiagramm für das Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate, und 5 ist ein Konturdiagramm des optischen Kontrasts ΔR.
  • Wie aus der 4 ersichtlich, kann das Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate auf 1,2 oder mehr erhöht werden, wenn Rra und Rrc die Gleichung (1) der vorliegenden Erfindung erfüllen (d.h. Rra – Rrc ≥ 0,2).
  • Ferner kann, wie aus 5 ersichtlich, ein ausreichender optischer Kontrast ΔR von 20% oder mehr erreicht werden, indem Rra und Rrc die Gleichung (2) und die Gleichung (3) der vorliegenden Erfindung erfüllen (d.h. Rra – 0,9 × Rrc ≤ 0,65 und Rra + Rrc ≥ 0,18). Der optische Kontrast kann außerhalb des Bereichs der Gleichung (2) nicht mehr erreicht werden und der durchschnittliche Reflexionsgrad des Aufzeichnungsmediums fällt aus dem Bereich der Gleichung (3), wodurch keine ausreichende Signalintensität erreicht werden kann, was nicht bevorzugt wird.
  • 6 ist ein Konturdiagramm für (Rra – Rrc) in einer Korrelation zwischen einem Extinktionskoeffizienten k und einem Brechungsindex n der Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3 bei einem Aufbau basierend auf der Tabelle 1; 7 ist ebenfalls ein Konturdiagramm für (Rra – 0,9 Rrc), und 8 ist ebenfalls ein Konturdiagramm für (Rra + Rrc). 9 ist ein Konturdiagramm für ein Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate in einer Korrelation zwischen einem Extinktionskoeffizienten k und einem Brechungsindex n einer Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3, und 10 ist ein Konturdiagramm für einen optischen Kontrast ΔR.
  • Wie sich aus den 9 und 10 ergibt, kann das Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate auf 1,2 und mehr erhöht werden, und ein ausreichender optischer Kontrast ΔR von 20% oder mehr kann erhalten werden, indem der Extinktionskoeffizient k und der Brechungsindex n der Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3 derart gewählt werden, dass sie gleichzeitig die Gleichungen (4)–(6) der vorliegenden Erfindung erfüllen (d.h. k ≥ 0,22 × n + 01,4, k ≤ 0,88 × n – 0,19, n ≤ 2,8).
  • 11 ist eine schematische Querschnittsdarstellung eines anderen Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Phasenwechsel-Aufzeichnungsmediums, bei dem eine Schutzschicht 2, eine erste Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3a, eine Aufzeichnungsschicht 4, die eine Legierung aus mindestens Ge, Sb, Te aufweist, eine zweite Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3b und eine Reflexionsschicht 6 in der genannten Reihenfolge auf einem Substrat 1 angeordnet sind.
  • Die Dicke jeder der Schichten ist derart optimiert, dass verschiedene Eigenschaften des Aufzeichnungsmediums, wie beispielsweise der optische Kontrast ΔR eines Aufzeichnungsmediums oder ein Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate und die Wiederverwendbarkeit eines Aufzeichnungsmediums erfüllt werden. Da der Reflexionsgrad des Aufzeichnungsmediums periodisch durch Ändern der Dicke der Schutzschicht 2 verändert werden kann, weist die Schutzschicht 2 eine Dicke auf, die hinsichtlich ΔR und Ac/Aa vorteilhaft ist.
  • Ferner kann die Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3 ihre Wirkung bei einer Dicke von ungefähr 5 nm bis ungefähr 10 nm entfalten, die als durchgehender Film ausgebildet sein kann, und sie kann bis zu ungefähr 100 nm aufweisen, wenn die Festigkeit des Films selbst erforderlich ist. Die Dicke der Aufzeichnungsschicht 4 liegt vorzugsweise zwischen 10 nm und 50 nm, wobei es außerhalb dieses Bereichs schwierig ist, die Wiederverwendbarkeit und ein großes Verhältnis AC/Aa miteinander kompatibel zu machen. Die zweite Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3b kann ihre Wirkung bei einer Dicke von ungefähr 5 nm bis ungefähr 10 nm entfalten, wobei sie wie die erste Grenzflächen reflexionskontrollschicht 3a als durchgehender Film vorliegen kann, und die Dicke ist entsprechend den erforderlichen thermischen Eigenschaften gewählt. Die Dicke der Reflexionsschicht 6 beträgt vorzugsweise 50 nm oder mehr, wodurch die Kühlrate erhöht werden kann.
  • Der mehrlagige Film wurde optisch entworfen, indem die optische Konstante und die Filmdicke für jede der Schichten wie in Tabelle 2 gezeigt festgelegt wurden (wobei der Brechungsindex n und der Extinktionskoeffizient k der ersten Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3a variiert wurden), und eine Kontur für ein Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate und eine Kontur für einen optischen Kontrast ΔR in einer Korrelation zwischen dem Extinktionskoeffizienten ki1 und dem Brechungsindex ni1 der ersten Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3a erstellt wurden. 12 ist ein Konturdiagramm für ein Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate, und 13 ist ein Konturdiagramm für einen optischen Kontrast ΔR.
  • Wie aus der 12 und der 13 ersichtlich, kann das Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate auf 1,2 oder mehr erhöht werden und ein ausreichender optischer Kontrast ΔR von 20% oder mehr kann erreicht werden, indem bewirkt wird, dass der Extinktionskoeffizient ki1 und der Brechungsindex ni1 der ersten Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3a gleichzeitig die Gleichungen (7)–(9) der vorliegenden Erfindung erfüllen (d.h., ki1 ≥ 0,15 × ni1, ki1 ≤ 0,6 × ni1, und ni1 ≤ 3,0).
  • Ferner wurde experimentell festgestellt, dass die Eigenschaftsveränderungen aufgrund wiederholten Aufzeichnens in einem Bereich von ki1 ≤ 0,22 × ni1 + 0,14 verringert werden können, was in 12 Ac/Aa ≤ 1,4 ergibt. Es wird angenommen, dass aufgrund der Tatsache, dass die Lichtabsorptionsmenge in der ersten Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3a durch das Verringern des Extinktionskoeffizienten ki1 der Schicht reduziert ist, die Menge an erzeugter Wärme in der Schicht und die thermische Beanspruchung des Films gering gehalten werden können.
  • Ein mehrlagiger Film wurde optisch entworfen, indem die optische Konstante und die Filmdicke für jede der Schichten wie in Tabelle 3 gezeigt festgelegt wurden (wobei der Brechungsindex und der Extinktionskoeffizient der zweiten Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3b variiert wurden), und es wurden eine Kontur für das Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate und eine Kontur für den optischen Kontrast ΔR in der Korrelation zwischen dem Extinktionskoeffizienten ki2 und dem Brechungsindex ni2 der zweiten Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3b erstellt.
  • 14 ist ein Konturdiagramm für das Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate und 15 ist ein Konturdiagramm für den optischen Kontrast ΔR.
  • Wie aus der 14 und der 15 ersichtlich, kann das Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate auf 1,2 oder mehr erhöht werden und ein ausreichender optischer Kontrast ΔR von 20% oder mehr kann erreicht werden, indem bewirkt wird, dass der Extinktionskoeffizient ki2 und der Brechungsindex ni2 der zweiten Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3b gleichzeitig die Gleichungen (10)–(12) der vorliegenden Erfindung erfüllen (d.h., ki1 ≥ 0,35, ki2 ≤ 1,06 × ni2 + 0,25, und ki2 ≥ ni2 – 3,0).
  • Anschließend werden der Reflexionsgrad an der Grenzfläche der Aufzeichnungsschicht 4 mit der ersten Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3a und der Reflexionsgrad an der Grenzfläche derselben mit der zweiten Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3b für die im amorphen Zustand bzw. im kristallinen Zustand befindliche Aufzeichnungsschicht 4 berechnet.
  • Der Reflexionsgrad (Energiereflexionsgrad) an der Grenzfläche, an der zwei verschiedene Schichten aneinander grenzen, ist für den Fall, dass das Medium auf der Laserstrahleinfallsseite kein transparentes Medium ist, nicht durch die Gleichung (16) wiedergegeben, sondern durch die folgende Gleichung (17), wobei der Extinktionskoeffizient des Mediums (1) auf der Laserstrahleinfallsseite als k1 angenommen wird:
  • Figure 00330001
  • Der Reflexionsgrad Ra an der Grenzfläche der im amorphen Zustand befindlichen Aufzeichnungsschicht 4 mit der ersten Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3a beträgt 8,9%, wenn er nach der Gleichung (17) berechnet wird, wobei der Brechungsindex ni1 und der Extinktionskoeffizient ki1 der ersten Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3a mit ni1 = 2,5 und ki1 = 0,5 gewählt sind, welche gleichzeitig die Gleichungen (7), (8) und (9) erfüllen. In diesem Fall ist das Medium "1" die erste Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3a, während es sich bei dem Medium "2" um eine Aufzeichnungsschicht im amorphen Zustand handelt.
  • Gleichermaßen beträgt der Reflexionsgrad der im kristallinen Zustand befindlichen Aufzeichnungsschicht 4 an der Grenzfläche mit der ersten Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3a 25,8%, wenn er gemäß der Gleichung (17) berechnet wird. In diesem Fall handelt es sich bei dem Medium "1" um die erste Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3a, während das Medium "2" die im kristallinen Zustand befindliche Aufzeichnungsschicht 4 ist. Die Differenz zwischen den Reflexionsgraden an der Grenzfläche der Aufzeichnungsschicht 4 mit der ersten Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3a (Rc – Ra =) 16,9% zwischen der im kristallinen Zustand und der im amorphen Zustand befindlichen Aufzeichnungsschicht 4, wobei der Wert geringer ist als der Wert bei nicht vorhandener erster Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3a (39,1 – 16,9 = 22,2%).
  • Der Reflexionsgrad Ra an der Grenzfläche der im amorphen Zustand befindlichen Aufzeichnungsschicht 4 mit der zweiten Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3b beträgt 5,3%, wenn er nach der Gleichung (17) berechnet wird, wobei der Brechungsindex ni2 und der Extinktionskoeffizient ki2 der zweiten Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3b mit ni2 = 2,7 und ki2 = 1,0 gewählt sind, welche gleichzeitig die Gleichungen (10), (11) und (12) erfüllen. In diesem Fall ist das Medium "1" die Aufzeichnungsschicht 4 im amorphen Zustand, während es sich bei dem Medium "2" um die zweite Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3b handelt.
  • Gleichermaßen beträgt der Reflexionsgrad der im kristallinen Zustand befindlichen Aufzeichnungsschicht 4 an der Grenzfläche mit der zweiten Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3b 17,7%, wenn er gemäß der Gleichung (17) berechnet wird. In diesem Fall handelt es sich bei dem Medium "1" um die im kristallinen Zustand befindliche Aufzeichnungsschicht 4, während das Medium "2" die zweite Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3b ist. Die Differenz zwischen den Reflexionsgraden an der Grenzfläche der Aufzeichnungsschicht 4 mit der zweiten Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3b (Rc – Ra =) ist kleiner als 12,4% zwischen der im kristallinen Zustand und der im amorphen Zustand befindlichen Aufzeichnungsschicht 4.
  • Durch Begrenzen des Brechungsindex und des Extinktionskoeffizienten jeder der Grenzflächenreflexionskontrollschichten 3a und 3b auf den erfindungsgemäßen Bereich ist es möglich, die Differenz (Rc – Ra) des Reflexionsgrads an der Grenzfläche der Aufzeichnungsschicht 4 mit jeder der Grenzflächenreflexionskontrollschichten 3a und 3b zwischen dem kristallinen Zustand und dem amorphen Zustand zu verringern, um so das Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate in der Aufzeichnungsschicht 4 zu erhöhen.
  • Konkrete Beispiele werden im folgenden angegeben.
  • (Beispiel 1)
  • Ein optisches Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium mit der Schichtstruktur gemäß 3 wurde wie folgt hergestellt.
  • Zunächst wurde ein Substrat 1 aus einem zirkularen transparenten Harzmaterial mit einem Durchmesser von 3,5 Inch und einer Dicke von 0,6 mm sowie einem Mittelloch verwendet, das zuvor mit um 1,0 μm voneinander beabstandeten Rillen versehen wurde, und eine erste Schutzschicht 2 von 70 nm wurde aus einem Target, das ZnS-SiO2 (SiO2 : 20 mol%) enthielt, auf dem transparenten Substrat 1 durch ein RF-Sputterverfahren gebildet. Anschließend wurde eine Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3 von 5 nm, die AlNx enthielt, unter Verwendung eines aus Al bestehenden Targets mittels eines Gleichstrom-Sputterverfahrens in einer gemischten Atmosphäre aus Stickstoff und Argon gebildet. Die erhaltene Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3 hatte einen Brechungsindex von 2,7 und einen Extinktionskoeffizienten von 1,0, wodurch die erfindungsgemäßen Gleichungen (4), (5) und (6) gleichzeitig erfüllt wurden.
  • Anschließend wurde eine Aufzeichnungsschicht 4 von 25 nm aus einem eine Ge-Te-Sb-Legierung aufweisenden Target durch ein Gleichstrom-Sputterverfahren gebildet, auf welcher eine zweite Schutzschicht 5 von 5 bis 10 nm mittels des gleichen Verfahrens gebildet wurde wie die erste Schutzschicht 2. Ferner wurde darauf eine Reflexionsschicht 6 von 150 nm, die eine AlTiCr-Legierung aufwies, geformt. Schließlich wurde auf der Reflexionsschicht 6 ein UV-härtbares Harz durch ein Schleuderbeschichtungsverfahren aufgebracht.
  • Andererseits wurde als Vergleichsbeispiel ein in 2 dargestelltes Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium mit einer Schichtstruktur hergestellt, welche ein Substrat 1, eine erste Schutzschicht 2, eine Aufzeichnungsschicht 4, eine zweite Schutzschicht 5 und eine Reflexionsschicht 6 beinhaltete. Das Verfahren zur Herstellung des Substrats 1 und jeder der Schichten war identisch mit dem zuvor beschriebenen, und sie wurden aus dem gleichen Material mit der gleichen Dicke hergestellt, wobei ein UV-härtbares Harz mittels des gleichen Verfahrens auf der Reflexionsschicht 6 ausgebildet wurde.
  • Jedes Muster des derart erhaltenen Aufzeichnungsmediums wurde einer Antriebsvorrichtung ausgesetzt, die mit 3600 U/min gedreht wurde, und ein Modulationssignal 1-7 eines Laserstrahls mit einer Wellenlänge von 680 nm wurde an einer Position 39 mm in radialer Richtung von der Mitte entfernt aufgezeichnet. Das Aufzeichnen erfolgte nach einem Markierungsrandverfahren.
  • Beim Aufzeichnen von 2Tw Signalen (Aufzeichnungsfrequenz: 12,3 MHz) und Überschreiben mit 7Tw Signalen (Aufzeichnungsfrequenz: 3,5 MHz) wurde der Jitter (Abweichung in Richtung der Zeitachse) durch einen Jitter-Analysierer analysiert, um eine Standardabweichung σ zu erhalten.
  • Für jedes Muster zeigt die Tabelle 4 den erhaltenen Jitter-Wert (Standardabweichung σ) und das Verhältnis (σ/Tw) zwischen Jitter-Wert und Tw (Fensterbreite). Beträgt das Verhältnis (σ/Tw) ungefähr 15% oder weniger, gilt das ausgelesene Signal als für die praktische Verwendung zufriedenstellend.
  • Wie aus der Tabelle 4 ersichtlich, kann bei dem erfindungsgemäßen Beispiel mit der Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3 σ/Tw = 8,58% und ein qualitativ hochwertiges Auslesesignal erhalten werden. Bei dem Vergleichsbeispiel ohne die Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3 hingegen ist der Jitter-Wert hoch und σ/Tw = 12,5%. Zwar beträgt der Wert nicht mehr als 15%, jedoch überschreitet er unweigerlich 15% aufgrund der Fluktuation der Laserenergie, der Neigung der Scheibe durch Verwerfung, der Gleichförmigkeit der Medien und dergleichen, und es ist kein qualitativ hochwertiges Auslesesignal zu erreichen.
  • (Beispiel 2)
  • Ein optisches Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium mit der in 11 dargestellten Schichtstruktur wurde wie im folgenden beschrieben hergestellt.
  • Zuerst wurde eine erste Schutzschicht 2 von 70 nm aus einem ZnS-SiO2 (SiO2: 20 mol%) aufweisenden Target auf dem gleichen transparenten Substrat 1 wie in Beispiel 1 durch ein RF-Sputterverfahren gebildet. Anschließend wurde eine erste Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3a aus AlNx von 5 nm unter Verwendung eines aus Al bestehenden Targets mittels eines Gleichstrom-Sputterverfahrens in einer gemischten Atmosphäre aus Stickstoff und Argon gebildet. Die erhaltene erste Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3a hatte einen Brechungsindex von 2,7 und einen Extinktionskoeffizienten von 1,0, wo durch die Gleichungen (7), (8) und (9) der vorliegenden Erfindung gleichzeitig erfüllt wurden.
  • Anschließend wurde eine Aufzeichnungsschicht 4 von 25 nm aus einem eine Ge-Te-Sb-Legierung aufweisenden Target durch ein Gleichstrom-Sputterverfahren gebildet, auf welcher eine zweite Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3b aus AlNx von 10 nm unter Verwendung des gleichen Verfahrens wie für die erste Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3b gebildet. Die erhaltene zweite Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3b hatte einen Brechungsindex von 2,7 und einen Extinktionskoeffizienten von 1,0, wodurch die Gleichungen (10), (11) und (12) der vorliegenden Erfindung gleichzeitig erfüllt wurden. Ferner wurde darauf eine Reflexionsschicht 6 von 150 nm, die eine AlTiCr-Legierung aufwies, geformt. Schließlich wurde auf der Reflexionsschicht 6 ein UV-härtbares Harz durch ein Schleuderbeschichtungsverfahren aufgebracht.
  • Andererseits wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 als Vergleichsbeispiel ein in 2 dargestelltes Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium mit einer Schichtstruktur hergestellt, welche ein Substrat 1, eine erste Schutzschicht 2, eine Aufzeichnungsschicht 4, eine zweite Schutzschicht 5 und eine Reflexionsschicht 6 beinhaltete.
  • Jedes der Muster des derart erhaltenen Aufzeichnungsmediums wurde mittels des gleichen Verfahrens wie in Beispiel 1 überschrieben und der Jitter wurde gemessen, um eine Standardabweichung σ zu erhalten. Die Tabelle 5 zeigt für jedes der Muster den erhaltenen Jitter-Wert (Standardabweichung σ) und das Verhältnis (σ/Tw) des Jitter-Werts zu Tw (Fensterbreite).
  • Wie aus der Tabelle 5 ersichtlich, kann bei dem erfindungsgemäßen Beispiel mit den beiden Grenzflächenreflexionskontrollschichten 3a, 3b σ/Tw = 7,79% und ein qualitativ hochwertiges Auslesesignal erhalten werden. Bei dem Vergleichsbeispiel ohne die Grenzflächenreflexionskontrollschicht hingegen ist der Jitter-Wert hoch und σ/Tw = 12,5%. Zwar beträgt der Wert nicht mehr als 15%, jedoch überschreitet er unweigerlich 15% aufgrund der Fluktuation der Laserenergie, der Neigung der Scheibe durch Verwerfung, der Gleichförmigkeit der Medien und dergleichen, und es ist kein qualitativ hochwertiges Auslesesignal zu erreichen.
  • (Beispiel 3)
  • Ein optisches Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium mit einer Schichtstruktur nach 11 wurde wie in Beispiel 2 aufgebaut, mit der Ausnahme, dass als erste Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3a eine Schicht aus AlNx von 5 nm Dicke mit einem Brechungsindex von 2,5 und einem Extinktionskoeffizienten von 0,5 gebildet wurde, wodurch die Gleichungen (7), (8) und (9) der vorliegenden Erfindung gleichzeitig erfüllt wurden.
  • Die derart erhaltenen Muster wurden unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1 überschrieben, der Jitter-Wert nach dem ersten Überschreiben (Standardabweichung σ) und das Verhältnis (σ/Tw) des Jitter-Werts zu Tw (Fensterbreite) wurden auf die selbe Weise wie zuvor beschrieben gemessen, wobei das Messergebnis in Tabelle 6 dargestellt ist.
  • Ferner ist in der Tabelle 6 jeder der Werte nach 10000 Wiederholungen des Überschreibens unter den selben Bedingungen dargestellt.
  • Wie aus der Tabelle 6 ersichtlich, betrug (σ/Tw) nach dem ersten Überschreiben auch bei diesem Beispiel 8,92% und ein qualitativ hochwertiges Auslesesignal konnte erhalte werden, und σ/Tw = 10,3% nach 10000 Zyklen wiederholten Überschreibens, was eine Verringerung um ungefähr 5% gegenüber 15% bedeutete. Somit betrug der Wert weniger als 15%, obwohl in gewissem Maße eine Fluktuation der Laserenergie, eine Neigung der Scheibe durch Verwertung, eine Gleichförmigkeit der Medien und dergleichen gegeben war, so dass dennoch ein qualitativ hochwertiges Auslesesignal gewahrt blieb.
  • (Beispiel 4)
  • Ein optisches Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium mit einem Schichtaufbau gemäß 11 wurde wie folgt aufgebaut.
  • Zuerst wurde eine ZnS und SiO2 aufweisende Schutzschicht 2 mit einer Dicke von 70 nm durch ein RF-Sputterverfahren (Hochfrequenz-Sputterverfahren) auf einer gerillten Fläche eines Polycarbonatsubstrats 1 mit einem Durchmesser von 120 mm und einer Dicke von 0,6 mm sowie einem Mittelloch ausgebildet, wobei um 1,5 μm beabstandete Rillen (Rillenbreite = 0,75 μm, Rillentiefe = 75 nm) auf einer Fläche ausgebildet waren. Als Target diente ein Sinterprodukt, das durch Mischen und Sintern eines ZnS-Pulvers und eines SiO2-Pulvers in einem Molar-Verhältnis von ZnS : SiO2 = 80 : 20 gebildet wurde.
  • Anschließend wurde eine erste Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3a mit einer Dicke von 10 nm, die Zn(1–x)Sx und SiOx aufwies, auf der ersten Schutzschicht 2 durch ein RF-Sputterverfahren gebildet. Als Target diente ein Sinterprodukt, das durch Mischen und Sintern eines ZnS-Pulvers, eines SiO2-Pulvers und eines Zn-Pulvers in einem Molar-Verhältnis von ZnS : SiO2 : Zn = 72 : 18 : 10 gebildet wurde.
  • Anschließend wurde eine Aufzeichnungsschicht 4, die eine Sb22Te54Ge22-Legierung aufwies, mit einer Dicke von 25 nm auf der ersten Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3a durch ein Gleichstrom-Sputterverfahren ausgebildet. Ferner wurde eine zweite Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3b, die Zn(1–x)Sx und SiO2 aufwies, mit einer Dicke von 20 nm auf der Aufzeichnungsschicht 4 unter Verwendung des selben Targets auf die gleiche Weise wie die erste Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3a ausgebildet.
  • Schließlich wurde eine Reflexionsschicht 6 von 100 nm mit einer Al-Legierung auf der zweiten Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3b durch ein Gleichstrom-Sputtervertahren ausgebildet und ein UV-härtbares Harz wurde in einer Dicke von 10 μm mittels eines Schleuderbeschichtungsverfahrens aufgebracht und danach ausgehärtet.
  • Der Wert x für Zn(1–x)Sx, welches die erste Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3a und die zweite Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3b bildete, wurde wie folgt bestimmt.
  • Die in den Beispielen verwendete Fluoreszenz-Röntgenstrahl-Messvorrichtung war wie folgt beschaffen. Die Messbedingungen sind in der Tabelle 7 dargestellt.
  • (Messvorrichtung)
    • Typ: PW 2400 von Philips Co.
    • Ventil: Rhodium
    • Maskendurchmesser: 20 mm
  • In den zu messenden Mustern wurde ein existierendes Verhältnis von Schwefelatomen: Y = (S/(ZnS + S)) basierend auf der Analyse durch die Fluoreszenz-Röntgenstrahl-Messvorrichtung gemessen, und auch der aus einem durch Sintern von ZnS-Pulver hergestellten Target gebildete Film wurde hinsichtlich des bestehenden Verhältnisses von Schwefelatomen (S/(ZnS + S)) auf die gleiche Weise vermessen, was als Standardwert Y definiert wurde, und es erfolgte eine Berechnung nach der zuvor beschriebenen Gleichung (13). X = 0,5 Y/Y0 (13)
  • Die derart erhaltenen Messwerte für x sowohl in der ersten Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3a, als auch in der zweiten Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3b betrugen 0,4.
  • Ferner betrugen der Brechungsindex n und der Extinktionskoeffizient k bei einer Wellenlänge von 680 nm für die erste Grenzflächenreflexionskontroll schicht 3a und die zweite Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3b 2,3 bzw. 1,1. Das auf die gleiche Weise erhaltene Messergebnis für den Brechungsindex n und den Extinktionskoeffizienten k der Schutzschicht 2 betrug n = 2,1 und k = 0.
  • Die derart erhaltenen Scheibenmuster wurden durch Bestrahlen mit einem Halbleiterlaserstrahl mit einer Wellenlänge von 830 nm initialisiert, wodurch die Aufzeichnungsschicht auf der gesamten Oberfläche der Scheibe kristallisiert wurde. Anschließend wurde unter Verwendung eines optischen Kopfs mit einer Objektivlinse, deren numerische Apertur 0,6 betrug, und einer Wellenlänge eines Halbleiterlasers von 680 nm bei einer linearen Geschwindigkeit von 6 m/sek ein Überschreiben ausgeführt. Als Aufzeichnungssignal diente ein Signal mit zufälligem Muster, das durch Modulieren eines Halbleiterlaserstrahls durch ein 8-16-Modulationssystem gebildet wurde, so dass die kürzeste Markierungslänge 0,615 μm betrug.
  • Nach dem Überschreiben erfolgte ein Lesen mit einer Leseenergie von 1,0 mW. Aus dem Auslesesignal wurde ein Jitter am hinteren Ende der Aufzeichnungsmarkierung durch einen Jitter-Analysierer gemessen, um eine Standardabweichung σ für den Jitter zu erhalten. Ferner wurde das Verhältnis (σ/Tw) des ermittelten Jitters (Standardabweichung σ) zu der Fensterbreite Tw für die Signalerkennung berechnet.
  • Das Jitter-Verhältnis (σ/Tw) nach 100-maligem Überschreiben betrug ungefähr 8%, wobei es sich um einen akzeptablen Wert handelte. Wenn die gleiche Messung nach 100000-maligem Überschreiben durchgeführt wurde, betrug die Jitter-Zunahme 1% oder weniger und es wurde keine nennenswerte Verschlechterung festgestellt.
  • Andererseits wurde als Vergleichsbeispiel ein Muster mit der in 2 dargestellten Schichtstruktur hergestellt. Das heißt, es wurde das gleiche Muster wie oben hergestellt, mit der Ausnahme, dass die Dicke der Schutzschicht 2 auf 80 nm geändert, die erste Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3a nicht gebildet und anstelle der zweiten Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3b eine Schutzschicht 5 aus dem gleichen Material gebildet wurde wie die Schutzschicht 2.
  • Das Überschreiben dieses Musters unter den gleichen Bedingungen zur Untersuchung des Jitter-Verhältnisses (W/Tw) ergab 15% nach 100-maligem Überschreiben und 20% nach 100000-maligem Überschreiben.
  • (Beispiel 5)
  • Ein optisches Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium mit einem Schichtaufbau gemäß 3 wurde wie folgt aufgebaut.
  • Zuerst wurde eine ZnS und SiO2 aufweisende Schutzschicht 2 mit einer Dicke von 70 nm durch ein RF-Sputterverfahren auf einer gerillten Fläche eines wie in Beispiel 4 verwendeten Polycarbonatsubstrats 1 ausgebildet. Als Target diente ein Sinterprodukt, das durch Mischen und Sintern eines ZnS-Pulvers und eines SiO2-Pulvers in einem Molar-Verhältnis von ZnS : SiO2 = 80 : 20 gebildet wurde.
  • Anschließend wurde eine Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3 mit einer Dicke von 10 nm, die Zn(1–x)Sx und SiO2 aufwies, auf der ersten Schutzschicht 2 durch ein RF-Sputterverfahren gebildet. Als Target diente ein Sinterprodukt, das durch Mischen und Sintern eines ZnS-Pulvers, eines SiO2-Pulvers und eines Zn-Pulvers in einem Molar-Verhältnis von ZnS : SiO2 : Zn = 72 : 18 : 10 gebildet wurde.
  • Anschließend wurde eine Aufzeichnungsschicht 4, die eine Sb22Te54Ge22-Legierung aufwies, mit einer Dicke von 25 nm auf der Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3 durch ein Gleichstrom-Sputterverfahren ausgebildet. Ferner wurde eine Schutzschicht 5, die Zn(1–x)Sx und SiO2 aufwies, mit einer Dicke von 20 nm auf der Aufzeichnungsschicht 4 unter Verwendung des selben Targets auf die gleiche Weise wie die Schutzschicht 2 ausgebildet.
  • Schließlich wurde eine Reflexionsschicht 6 von 100 nm mit einer Al-Legierung auf der Schutzschicht 5 durch ein Gleichstrom-Sputterverfahren ausgebildet und ein UV-härtbares Harz wurde in einer Dicke von 10 μm mittels eines Schleuderbeschichtungsverfahrens aufgebracht und danach ausgehärtet.
  • Als Ergebnis der mittels des gleichen Verfahrens wie in Beispiel 4 erfolgten Messung der Aufzeichnungseigenschaften des erhaltenen Musters ergab sich ein Jitter-Verhältnis (σ/Tw) nach 100-maligem Überschreiben von ungefähr 8,45%, wobei es sich um einen akzeptablen Wert handelte, wobei die Jitter-Zunahme nach 100000-maligem Überschreiben 1% oder weniger betrug und keine nennenswerte Verschlechterung festgestellt wurde.
  • (Beispiel 6)
  • Ein optisches Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium mit einer Schichtstruktur nach 16 wurde wie folgt hergestellt.
  • Zuerst wurde eine Aluminiumnitrid enthaltende Wärmeableitungsschicht 7 mit einer Dicke von 50 nm auf einem Substrat 1 aus einem Polycarbonatharz (Dicke 0,6 mm, Durchmesser 90 mm, mit Rillen) durch Sputtern unter Verwendung eines Aluminium aufweisenden Targets in einem atmosphärischen Gas gebildet, das eine Gasmischung aus einem Ar-Gas und einem Stickstoffgas enthielt. Ein Kohlenstofffilm wurde mit 10 nm als Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3 auf der Wärmeableitungsschicht 7 durch Sputtern aufgebracht, wobei als Target ein diamantartiger Kohlenstoff verwendet wurde.
  • Auf der Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3 wurden eine Aufzeichnungsschicht 4, die Sb-Te-Ge aufwies, mit einer Dicke von 25 nm, eine obere Schutzschicht 5, die einen gemischten Film aus ZnS und SiO2 aufwies, mit einer Dicke von 20 nm, und eine Al aufweisende Reflexionsschicht 6 mit einer Dicke von 100 nm nacheinander durch Sputtern aufgebracht. Ferner wurde auf der Reflexionsschicht 6 ein UV-härtbares Harz aufgebracht und zur Bildung einer Schutzbeschichtung gehärtet.
  • Zum Vergleich wurde das gleiche optische Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium wie zuvor beschrieben hergestellt, mit der Ausnahme, dass eine Schutzschicht, die einen gemischten Film aus ZnS und SiO2 aufwies, mit einer Dicke von 100 nm anstelle der Aluminiumnitrid aufweisenden Wärmeableitungsschicht 7 ausgebildet wurde.
  • Jedes Muster des solcherart hergestellten Informationsaufzeichnungsmediums wurde mit einem Ar-Ionenlaserstrahl von der Seite des Substrats unter Drehung bestrahlt, wodurch die gesamte Fläche der Aufzeichnungsschicht 4 in einen kristallisierten Zustand versetzt wurde. Anschließend erfolgte eine Drehung mit einer Drehzahl von 1800 U/min und ein Halbleiterlaserstrahl mit einer Wellenlänge von 680 nm wurde durch eine Objektivlinse (an einer radialen Position von 30 mm) auf die Aufzeichnungsschicht fokussiert, wodurch Signale mit einer identischen Energie bei jeder der Frequenzen von 0,2 bis 10 MHz mittels eines Markierungsrandverfahrens aufgezeichnet wurden. Die lineare Geschwindigkeit betrug etwa 5,6 m/s. Ferner wurde jedes der aufgezeichneten Signale mit einer identischen Energie gelesen, um die Signalintensität zu messen.
  • 17 ist ein Diagramm zur Darstellung der Beziehung zwischen der Signalintensität und der Aufzeichnungsfrequenz des Leselichts für jedes Muster. Wie aus der Figur ersichtlich, beginnt mit einem Anstieg der Aufzeichnungsfrequenz auf ungefähr 2 MHz oder mehr die Signalintensität in der Struktur des Vergleichsbeispiels zu sinken, während die Frequenz, bei der die Signalintensität zu sinken beginnt, bei der Struktur des Beispiels, das eine Aluminiumnitrid aufweisende Wärmeableitungsschicht aufweist, ungefähr 2,5 MHz beträgt.
  • Die Signalintensität sinkt mit steigender Frequenz, da der Abstand zwischen den gebildeten Aufzeichnungsmarkierungen in etwa dem selben Umfang geringer wird wie der Durchmesser des Laserstrahls, wodurch die räumliche Auflösung verschlechtert wird. Die Auflösung ist je nach Aufzeichnungsmedium verschieden, selbst wenn eine Aufzeichnung mit identischer Frequenz erfolgt, da die Größe der Markierungen in Abhängigkeit von dem Aufzeichnungsmedium verschieden ist. Es kann somit gesagt werden, dass bei einem Aufzeichnungsmedium mit hoher Auflösung bei identischer Frequenz eine kleinere Markierung gebildet wird, die der durch die Aufzeichnungsfrequenz bestimmten Markierungslänge ähnlich ist.
  • Da in dem Beispiel die Frequenz, welche die gleiche Auflösung bieten kann, wie das Vergleichsbeispiel bei 2 MHZ, 2,5 MHz beträgt, kann aus den Ergebnissen der 17 heraus festgestellt werden, dass die Dichte in dem Beispiel um ungefähr 1,25 Mal (= 2,5/2) gegenüber dem Vergleichsbeispiel erhöht ist.
  • Anschließend wurde das wie zuvor beschrieben aufgezeichnete Signal mit einer Frequenz von 0,5 MHz (Markierungslänge ungefähr 5,6 μm) ausgelesen und aus dem in 18(b) dargestellten ausgelesenen Signal wurde ein binarisiertes Signal gebildet, welches die Vorderflanke und die Hinterflanke der Aufzeichnungsmarkierung wiedergab. 18(c) zeigt ein binarisiertes Signal für die Vorderflanke und 18(d) zeigt ein binarisiertes Signal für die Hinterflanke.
  • Ein Impulsintervall wurde anhand der binarisierten Signale gemessen und der Standardabweichungswert der Verteilung, d.h. ein Jitter, wurde gemessen. Der Zeitintervallanalysierer TA320, hergestellt von Yokokawa Denki, wurde zum Messen des Jitters verwendet. Der Jitter ist proportional zu der Schwankung der Längen- und der Positionsverschiebung der Aufzeichnungsmarkierung gemäß der zuvor beschriebenen Definition.
  • Das Messergebnis ist in der Tabelle 8 dargestellt.
  • Ferner wurde eine Wellenform des Auslesesignals für jedes der Muster beobachtet. Die Ergebnisse sind in 19 dargestellt. Hier ist (a) eine Wellenform für das Muster gemäß dem Beispiel und (b) ist eine Wellenform für das Muster des Vergleichsbeispiels. Ferner ist (c) eine Wellenform für das Auslesesignal, das auf die gleiche Weise ausgelesen wurde, mit der Ausnahme, dass die line are Geschwindigkeit des Musters nach dem Vergleichsbeispiel auf 15 m/s verändert wurde.
  • Wie aus der Tabelle 8 ersichtlich, hat der Jitter für die Hinterflanke im wesentlichen den gleichen Wert bei beiden Mustern, jedoch ist der Jitter für die Vorderflanke in dem Beispiel um etwa ½ geringer als bei dem Vergleichsbeispiel. Der Jitter für die Vorderflanke ist durch Vorsehen der Aluminiumnitrid aufweisenden Wärmeableitungsschicht verringert.
  • Dies ist darin begründet, dass sich bei der Bildung einer langen Markierung eine tränenförmige Markierung durch die Akkumulation von Wärme in der Aufzeichnungsschicht bildet, wenn die in der Aufzeichnungsschicht erzeugte Wärme nach dem Durchgang des Aufzeichnungsstrahls wie zuvor beschrieben nicht schnell nach außerhalb der Aufzeichnungsschicht abgeleitet wird, während dies durch das Vorsehen der Wärmeableitungsschicht verhindert werden kann. Dies ist ebenfalls aus dem Ergebnis der Beobachtung der Wellenform des Auslesesignals ersichtlich.
  • Das heißt, dass, wie in 19 dargestellt, die Wellenform des in (b) dargestellten Vergleichsbeispiels aufgrund der Tränenform der Aufzeichnungsmarke eine asymmetrische Form hat, während die unter (a) dargestellte Wellenform des Beispiels eine symmetrische Form hat. Wenn die auf der Differenz der linearen Geschwindigkeit beruhende Wellenformdifferenz zwischen der linearen Geschwindigkeit 5,6 m/s (b) und der linearen Geschwindigkeit 15 m/s (c) in bezug auf das Muster des Vergleichsbeispiels verglichen wird, ist ersichtlich, dass die Wellenform sich mit zunehmender linearer Geschwindigkeit einer linearen Form annähert.
  • Anschließend wurde das wie beschrieben aufgezeichnete Signal (Markierungslänge = ungefähr 0,56 μm) bei einer Frequenz von 5,0 MHz gelesen und ein in 18(e) dargestelltes binarisiertes Signal, das beiden Rändern der Aufzeichnungsmarkierung entsprach, wurde erhalten und der Jitter auf die selbe Weise wie zuvor beschrieben auf der Basis desselben gemessen. Das Ergebnis der Messung ist ebenfalls in der Tabelle 8 gezeigt.
  • Wie aus dem Ergebnis ersichtlich, wurde der Jitter in dem Beispiel im Vergleich zu dem Jitter des Vergleichsbeispiels um etwa ½ verringert.
  • Die Aufzeichnungsmarkierung des aufgezeichneten Signals weist eine kürzere Markierungslänge und einen geringeren Abstand zwischen den Abstandsmarkierungen im Vergleich zu einer Frequenz von 0,5 MHz. Bei dem Vergleichsbeispiel jedoch wird, da die Wärme nicht wie zuvor beschrieben schnell von der Aufzeichnungsschicht abgeleitet wird, die beim Bilden der unmittelbar vorhergehenden Markierung erzeugte Wärme auf die Position zur Bildung der nachfolgenden Markierung übertragen, so dass die Position zur Bildung der unmittelbar nachfolgenden Markierung gegenüber der normalen Position nach vorn verschoben wird. Das heißt, die Länge des Spalts (Abstand zwischen dem hinteren Ende der vorangehenden Markierung und dem vorderen Ende der nachfolgenden Markierung) ist verringert. Ferner ist die Markierungslänge aufgrund der Wärmeansammlung in der Aufzeichnungsschicht größer als die vorbestimmte Länge. Somit wurde der Jitter in dem Vergleichsbeispiel erhöht.
  • Da bei dem Beispiel eine Abweichung der Position zur Bildung der Markierung verhindert wird und, wie festgestellt, eine kleine Markierung durch Vorsehen der Wärmeableitungsschicht gebildet wurde, war der Jitter verringert.
  • Aus dem Vorhergehenden ergibt sich, dass, da die Wärmeableitungsschicht 7 zwischen der Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3 und dem Substrat 1 in dem optischen Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium mit dem Schichtaufbau von 16 vorgesehen ist, verhindert werden kann, dass die Aufzeichnungsmarkierung tränenförmig gebildet wird, und es kann im Vergleich mit einer Schichtstruktur, bei der eine Schutzstruktur mit dielektrischem Material anstelle der Wärmediffusionsschicht 7 vorgesehen ist, eine kleine Aufzeichnungsmarkierung mit einen kleinen Spalt zwischen den jeweiligen Aufzeichnungs markierungen gebildet werden, so dass durch das Markierungsrandaufzeichnen ein genaues Aufzeichnen mit hoher Dichte durchgeführt werden kann.
  • (Beispiel 7)
  • Ein optisches Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium mit dem Schichtaufbau gemäß 20 wurde wie folgt aufgebaut.
  • Zunächst wurde eine Wärmeableitungsschicht 7 mit Aluminiumnitrid mit einer Dicke von 50 nm auf dem gleichen Substrat 1 wie in dem Beispiel durch Sputtern unter Verwendung eines Aluminium aufweisenden Targets in einem atmosphärischen Gas gebildet, das eine Mischung aus Ar-Gas und Stickstoffgas umfasste. Eine untere Schutzschicht 2, die einen Film aus einer Mischung von ZnS und SiO2 aufwies, wurde mit einer Dicke von 100 nm auf der Wärmeanleitungsschicht 7 durch Sputtern gebildet und ein Kohlenstofffilm wurde als Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3 mit einer Dicke von 5 nm auf der unteren Schutzschicht 2 ebenfalls durch Sputtern ausgebildet.
  • Auf der Grenzflächenreflexionskontrollschicht 3 wurden eine Aufzeichnungsschicht 4, die eine Sb-Te-Ge-Legierung aufwies, mit einer Dicke von 25 nm, eine obere Schutzschicht 5, die einen Film aus einer Mischung aus ZnS und SiO2 aufwies, mit einer Dicke von 20 nm und eine Al aufweisende Reflexionsschicht 6 mit einer Dicke von 100 nm nacheinander jeweils durch Sputtern ausgebildet. Ferner wurde auf der Reflexionsschicht 6 ein UV-härtbares Harz aufgebracht und gehärtet, um eine Schutzbeschichtung zu bilden.
  • Ferner wurde ebenfalls ein optisches Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium mit der gleichen Schichtstruktur, ausgenommen der Wärmeableitungsschicht 7, aufgebaut, indem Bornitrid, Siliziumnitrid, Titannitrid, Kohlenstoff, Siliziumkarbid, Titankarbid, Tantalkarbid, Wolframkarbid, Aluminiumoxid, Zirkoniumborid bzw. MoSi2 anstelle von Aluminiumnitrid als die Wärmeableitungsschicht 7 durch Sputtern mit der gleichen Dicke aufgebracht wurden.
  • Jedes der derart hergestellten Muster wurde durch einen Ar-Laser auf die selbe Weise wie in Beispiel 6 beschrieben initialisiert. Nach dem Aufzeichnen eines Signals mit beliebigem Muster eine 1-7 RLL Modulationssystems wurde anschließend beim Messen des Jitters des Auslesesignals festgestellt, dass das Verhältnis (σ/Tw) des Jitters (σ) zur Fensterbreite (Tw) bei sämtlichen Mustern 10% oder weniger betrug, so dass ein gutes Auslesesignal erhalten wurde.
  • Nach dem 100000-maligen Überschreiben mit dem gleichen Signal betrug bei der auf die gleiche Weise erfolgenden Messung des Jitters das Verhältnis (σ/Tw) des Jitters (σ) zur Fensterbreite (Tw) bei allen Mustern 15% oder weniger. Es wurde festgestellt, dass die Positionsabweichung zur Bildung der Aufzeichnungsmarkierung und die Abweichung von der vorbestimmten Form selbst bei mehrfach wiederholtem Überschreiben gering blieb und relativ gute Leseeigenschaften erreicht werden konnten.
  • Bei dem optischen Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium mit dieser Schichtstruktur konnte durch das Markierungsrandaufzeichnen ein genaues Aufzeichnen mit hoher Dichte durchgeführt werden.
  • Tabelle 1
    Figure 00490001
  • Tabelle 2
    Figure 00500001
  • Tabelle 3
    Figure 00500002
  • Tabelle 4
    Figure 00510001
  • Tabelle 5
    Figure 00510002
  • Tabelle 6
    Figure 00510003
  • Tabelle 7
    Figure 00510004
  • Tabelle 8
    Figure 00520001
  • Industrielle Anwendbarkeit
  • Wie zuvor beschrieben, ist es nach dem Verfahren für den Aufbau eines erfindungsgemäßen optischen Phasenwechsel-Aufzeichnungsmediums möglich, das Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate im kristallinen Zustand relativ zu der Lichtabsorptionsrate im amorphen Zustand der Aufzeichnungsschicht au 1,2 und mehr zu erhöhen und den optischen Kontrast auf 20% oder mehr zu erhöhen, indem die Differenz zwischen dem Grenzflächenreflexionsintensitätsverhältnis auf der Strahleinfallsseite der Lichtaufzeichnungsschicht im amorphen und im kristallinen Zustand auf einen vorbestimmten Bereich definiert wird. Das mittels dieses Verfahrens entwickelte optische Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium kann ein hinsichtlich des Aufzeichnens durch Überschreiben qualitativ hochwertiges Auslesesignal ergeben.
  • Da das erfindungsgemäße Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium das Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate im kristallinen Zustand in bezug auf die Lichtabsorptionsrate im amorphen Zustand der Aufzeichnungsschicht auf 1,2 oder mehr vergrößern und den optischen Kontrast auf 20% oder mehr erhöhen kann, indem die Grenzflächenreflexionskontrollschicht, die einen Brechungsindex und einen Extinktionskoeffizienten innerhalb eines vorbestimmten Bereichs aufweist, gemäß dem zuvor beschriebenen Aufbauverfahren zumindest unmittelbar unter der Aufzeichnungsschicht vorgesehen wird, kann ein qualitativ hochwertiges Lesesignal beim Aufzeichnen durch Überschreiben erreicht werden.
  • Ferner kann ein größeres Verhältnis (Ac/Aa) der Lichtabsorptionsrate erhalten werden und gleichzeitig kann die unmittelbar unter der Aufzeichnungsschicht befindliche Grenzflächenreflexionskontrollschicht (erste Grenzflächenreflexionskontrollschicht) aus einem Material mit einem höheren Brechungsindex gebildet werden, indem die gleiche Grenzflächenreflexionskontrollschicht auch unmittelbar über der Aufzeichnungsschicht vorgesehen wird (zweite Grenzflächenreflexionskontrollschicht).
  • Ferner wird bei dem erfindungsgemäßen Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium in der Aufzeichnungsschicht erzeugte Wärme schnell abgeleitet, indem eine Wärmeableitungsschicht mit einem spezifischen Material hoher thermischer Leitfähigkeit zwischen der an der Grenzfläche der Aufzeichnungsschicht auf der Laserstrahleinfallsseite liegenden Grenzflächenreflexionskontrollschicht und dem Substrat angeordnet wird. Dies kann die Abweichung der Position für die Bildung einer Markierung von einer Normalposition verhindern und verursacht auch beim Aufzeichnen mit hoher Dichte eine Markierung mit geringer Verzerrung. Das optische Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium kann daher insbesondere ein qualitativ hochwertiges Lesesignal liefern, hat eine hohe Widerverwendbarkeitsrate und ist für ein Aufzeichnen mit hoher Dichte beim Überschreiben geeignet.

Claims (7)

  1. Verfahren zum Bereitstellen eines Phasenwechsel-Aufzeichnungsmediums mit einer Aufzeichnungsschicht (4), die eine mindestens Ge, Sb und Te enthaltende Legierung aufweist, in welcher ein Phasenwechsel zwischen einem kristallinen Zustand und einem amorphen Zustand entsprechend der Intensität eines bestrahlenden Laserstrahls reversibel auftritt, und einem Substrat (1) zum Stützen der Aufzeichnungsschicht (4), und zum Aufzeichnen, Löschen und Lesen von Informationen durch Bestrahlen mit einem Laserstrahl, dadurch gekennzeichnet, dass das Intensitätsverhältnis einer Reflexionswelle zu einer Einfallswelle an der Grenzfläche der Aufzeichnungsschicht (4) auf der Laserstrahleinfallsseite in dem Fall, dass sich die Aufzeichnungsschicht (4) in einem kristallinen Zustand und in einem amorphen Zustand befindet (Rra: der Fall, dass sich die Aufzeichnungsschicht in einem amorphen Zustand befindet, Rrc: der Fall, dass sich die Aufzeichnungsschicht in einem kristallinen Zustand befindet), gleichzeitig die folgende Gleichung (1), die Gleichung (2) und die Gleichung (3) erfüllt: Rra – Rrc ≥ –0,2 (1) Rra – 0,9 × Rrc≥ 0,05 (2) Rra + Rrc ≥ 0,18 (3)so dass das Verhältnis Ac/Aa der Lichtabsorptionsrate zwischen dem kristallinen Zustand und dem amorphen Zustand gleich 1, 2 oder größer ist, und der optische Kontrast ΔR = |Rc – Ra| gleich 20% oder größer ist, wobei Rc den mittleren Reflexionsgrad angibt, bei welchem die Auf zeichnungsschicht den kristallinen Zustand innehat, und Ra den mittleren Reflexionsgrad angibt, bei dem die Aufzeichnungsschicht den amorphen Zustand innehat.
  2. Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium mit einer Aufzeichnungsschicht (4), die eine mindestens Ge, Sb und Te enthaltende Legierung aufweist, in welcher ein Phasenwechsel zwischen einem kristallinen Zustand und einem amorphen Zustand entsprechend der Intensität eines Laserstrahls reversibel auftritt, und einem Substrat (1) zum Stützen der Aufzeichnungsschicht (4), und wobei das Medium zum Aufzeichnen, Löschen und Lesen von Informationen durch Bestrahlen mit einem Laserstrahl geeignet ist, gekennzeichnet durch eine Grenzflächenreflexionskontrollschicht (3), die aus einem Material mit einem Brechungsindex n und einem Extinktionskoeffizienten k besteht, welche gleichzeitig die folgenden Gleichungen (4), (5) und (6) erfüllen, wobei die Grenzflächenreflexionskontrollschicht an der Grenzfläche der Aufzeichnungsschicht (4) auf der Laserstrahleinfallsseite angeordnet ist: k ≥ 0,22n + 0,14 (4) k ≤ 0,88n – 0,19 (5) n ≤ 2,8 (6),so dass das Verhältnis Ac/Aa der Lichtabsorptionsrate zwischen dem kristallinen Zustand und dem amorphen Zustand gleich 1,2 oder größer ist und der optische Kontrast ΔR = |Rc – Ra| gleich 20% oder größer ist, wobei Rc den mittleren Reflexionsgrad angibt, bei welchem die Aufzeichnungsschicht den kristallinen Zustand innehat, und Ra den mittleren Reflexionsgrad angibt, bei dem die Aufzeichnungsschicht den amorphen Zustand innehat.
  3. Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium mit einer Aufzeichnungsschicht (4), die eine mindestens Ge, Sb und Te enthaltende Legierung aufweist, in welcher ein Phasenwechsel zwischen einem kristallinen Zustand und einem amorphen Zustand entsprechend der Intensität eines Laserstrahls reversibel auftritt, und einem Substrat (1) zum Stützen der Aufzeichnungsschicht (4), und wobei das Medium zum Aufzeichnen, Löschen und Lesen von Informationen durch Bestrahlen mit einem Laserstrahl geeignet ist, gekennzeichnet durch unmittelbar unter und unmittelbar über der Aufzeichnungsschicht (4) angeordnete Grenzflächenreflexionskontrollschichten (3a, 3b), wobei eine auf der Laserstrahleinfallsseite der Aufzeichnungsschicht (4) angeordnete erste Grenzflächenreflexionskontrollschicht (3a) aus einem Material mit dem Brechungsindex ni1 und einem Extinktionskoeffizienten ki1 gebildet ist, welche gleichzeitig die folgenden Gleichungen (7), (8) und (9) erfüllen, und eine auf der der Laserstrahleinfallsseite gegenüberliegenden Seite der Aufzeichnungsschicht (4) angeordnete zweite Grenzflächenreflexionskontrollschicht (3b) aus einem Material mit dem Brechungsindex ni2 und einem Extinktionskoeffizienten ki2 gebildet ist, welche gleichzeitig die folgenden Gleichungen (10), (11) und (12) erfüllen: ki1 ≥ 0,15 ni1 (7) ki1 ≤ 0,6 ni1 (8) ni1 ≤ 3,0 (9) ki2 ≥ 0,35 ni2 (10) ki2 ≤ 1,06 ni2 + 0,25 (11) ki2 ≥ ni2 – 3,8 (12) so dass das Verhältnis Ac/Aa der Lichtabsorptionsrate zwischen dem kristallinen Zustand und dem amorphen Zustand gleich 1,2 oder größer ist und der optische Kontrast ΔR = |Rc – Ra| gleich 20% oder größer ist, wobei Rc den mittleren Reflexionsgrad angibt, bei welchem die Aufzeichnungsschicht den kristallinen Zustand innehat, und Ra den mittleren Reflexionsgrad angibt, bei dem die Aufzeichnungsschicht den amorphen Zustand innehat.
  4. Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 2 oder 3, bei dem die Grenzflächenreflexionskontrollschicht (3, 3a, 3b) aus mindestens einem Material gebildet ist, das aus der Gruppe gewählt ist, welche umfasst: Oxid, Sulfid, Nitrid, Carbid, und Fluoride von Metall, Halbmetall und Halbleiter, bei dem es sich um eine nicht-stöchiometrische Zusammensetzung handelt, der es an Sauerstoff, Schwefel, Stickstoff, Kohlenstoff und Fluor mangelt.
  5. Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 2 oder 3, bei dem die Grenzflächenreflexionskontrollschicht (3, 3a, 3b) eine nicht-stöchiometrische Zusammensetzung mit einem Schwefelmangel im Zinksulfid, eine nicht-stöchiometrische Zusammensetzung mit einem Stickstoffmangel im Aluminiumnitrid, oder eine nicht-stöchiometrische Zusammensetzung mit einem Kohlenstoffmangel im Siliziumkarbid aufweist.
  6. Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 2 bis 5, bei dem eine ein dielektrisches Material aufweisende Schutzschicht (2) zwischen der Grenzflächenreflexionskontrollschicht (3, 3a), welche der Grenzfläche der Aufzeichnungsschicht (4) auf der Laserstrahleinfallsseite benachbart angeordnet ist, und dem Substrat (1) angeordnet ist.
  7. Phasenwechsel-Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 2 bis 6, bei dem eine Wärmeableitungsschicht, die aus einem Material be steht, welches aus der Gruppe gewählt ist, die Aluminiumnitrid, Bornitrid, Siliziumnitrid, Titannitrid, Kohlenstoff, Siliziumcarbid, Titancarbid, Tantalcarbid, Wolframcarbid, Aluminiumoxid, Magnesiumoxid, Zirconiumborid, MoSi2, Metall, Halbmetall und Halbleiter umfasst, zwischen der Grenzflächenreflexionskontrollschicht (3), welche der Grenzfläche der Aufzeichnungsschicht (4) auf der Laserstrahleinfallsseite benachbart angeordnet ist, und dem Substrat (1) angeordnet ist.
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