DE2309106C3 - Verfahren zur optischen Informationsspeicherung und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens - Google Patents
Verfahren zur optischen Informationsspeicherung und Einrichtung zur Durchführung des VerfahrensInfo
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Description
Bereiche des Halbleitermaterials nut zur Eraefung
der Schmelztemperatur des Halbleiterma-SaIs
ausreichender Strahlleistung im ns-Be-S
ein Antriebssystem zur Verschiebung des SeUermaterials relativ zum Laserstrahl eine
Heizeir^chtung zur Vorheizung des HalbleitermaSTvor
einem Einschreibvorgang auf einer ¥emperatur knapp unterhalb Γ eine optische
Soeicherausleseeinrichtung, in der die in den knäSwTiiiid
amorphen Halbleitermatenalbereichen unterschiedlichen Reflexions- bzw^ Absorotionseigenschaften
feststellbar sind und eine locheinrichtung zur Rückumwandlung beim
EinsSen inden amorphen Zustand übcrführfer
Bereiche in den kristallinen Ausgangszustand 12 Einrichtung nach Anspruch11, dadurch
gekennzeichnet, daß die Laserstrahlenergiedichte geringer als V.nJ/μ« ist und die Verschiebegeschwindigkeit
des Speichermediums etwa Wcmls
beträgt.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur schnellen optischen Informationsspeicherung unter Verwendung
einer auf einem Substrat angeordneten dünnen kristallinen Schicht aus einem Chalkogenid-Halbleitermaterial,
das im kristallinen wie im amorphen Zustand befindliche selektive Bereiche stabil aufrechtzuerhalten gestattet, bei dem die im
kristallinen bzw. amorphen Zustand auftretenden optischen, vorzugsweise Reflexions- bzw. Absorptionseigenschaften
zur Informationsspeicherung ausgenutzt werden, indem zum Einschreiben der Speicherinformation
mittels eines Laserstrahles selektive Bereiche der Halbleiterschicht bis zur Schmelztemperatur
des Halbleiters erhitzt und dann so schnell abgekühlt werden, daß eine selektive Umwandlung
in amorphe Bereiche erzwungen wird, und bei den aus den unterschiedlichen Reflexions- bzw. Ab·
Sorptionseigenschaften der amorphen bzw. kristal linen Bereiche bei erneuter Bestrahlung der Speicher
inhalt ermittelt werden kann.
Es ist bekannt, daß verschiedene Halbleitern« terialien bei Raumtemperatur stabile Zustände so
wohl in amorpher als auch kristalliner Struktur auf
3 4
weisen. Es ist weiterhin bereits ckannt worden, daß in diesem Fall relativ teure Hochleistungslaser zum
solche Materialien von einem Zustand in den anderen Betrieb solcher Speicher erforderlich sind. Weiterhin
überführt werden können, indem man ihnen zunächst ist bei einer solchen Vorgehensweise von Nachteil,
ausreichend Wärmeenergie zur Erreichung ihres daß die um die eigentlichen bestrahlten Speicher-Schmelzpunktes
zuführt und ihnen dann erlaubt, 5 bereiche liegende Speicherfläche mit aufgeheizt wird,
sich in kontrollierter Weise abzukühlen, *o daß eine so daß keine großen Speicherdichten erzielbar sind.
Rekristallisation entweder auftritt oder unterdrückt Überdies erhält man in einem solchen Fall keine für
wird. Es wurde auch bereits die Verwendung sol- den Auslesevorgang wichtige scharfe Abgrenzung
eher Materialien und deren Eigenschaften zu Infor- zwischen den diskreten Speicherstellen,
mationsspeichfrzwecken vorgeschlagen, indem man io Ein weiteres Problem resultiert aus der Wärmeverdiskrete Bereiche von dem einen in den anderen Zu- teilung, weil die zugeführte Wärme nicht nur die umstand überführt (vgl. Applied Physics Letters, gebenden Speicherbereiche, sondern auch das Sub-VoI. 18, Nr; 6, 15. März 1971, S. 254 bis 257, femer strat mit aufheizt. Da ein rascher Kühlvorgang zur US-PS 35 30 441). Erzielung des amorphen Zustandes unbedingt erfor-
mationsspeichfrzwecken vorgeschlagen, indem man io Ein weiteres Problem resultiert aus der Wärmeverdiskrete Bereiche von dem einen in den anderen Zu- teilung, weil die zugeführte Wärme nicht nur die umstand überführt (vgl. Applied Physics Letters, gebenden Speicherbereiche, sondern auch das Sub-VoI. 18, Nr; 6, 15. März 1971, S. 254 bis 257, femer strat mit aufheizt. Da ein rascher Kühlvorgang zur US-PS 35 30 441). Erzielung des amorphen Zustandes unbedingt erfor-
Ebenfalls bekannt ist, daß die Geschwindigkeit, mit 15 derlich ist, kann eine Aufheizung der Umgebung der
der ein solches Material vom amorphen in den kri- Speicherstelle und insbesondere des Substrats die
stallinen Zustand umgewandelt werden kann, durch Erzielung des amorphen Zustandes somit unmög-
die zur Ermöglichung der Kristallisation erforder- lieh machen.
liehe Zeit begrenzt ist. Eine solche Zustandsumwand- Die Aufgabe der Erfindung besteht deshalb darin,
lung kann erreicht werden, indem man einen 20 ein Verfahren sowie eine Einrichtung anzugeben, die
Energieimpuls geringer Amplitude über eine aus- bei Speichern der eingangs genannten Art eine Verreichend
lange Zeit — im allgemeinen größer 1 ms — schnellerung des Einschreibvorganges zuläßt, ohne
benutzt, um das Material langsam auf einen Punkt daß man dabei zu Hochleistungslasern greifen muß.
etwas unterhalb seiner Schmelztemperatur aufzu- Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die im
heizen, woraufhin das Material anschließend lang- as Patentanspruch 1 gekennzeichneten Maßnahmen
sam abkühlt und auskristallisiert. Auf der anderen gelöst.
Seite ist zur Zustandsänderung vom kristallinen in Solche Speicher eignen sich vorzugsweise als Festden
amorphen Zustand ein schnelles Abkühlen not- speicher, d. h., dem Einschreibvorgang kommt erwendig.
Eine solche Zustandsumwandlung kann so höhte Bedeutung zu. Dieser Einschreibvorgang bevorgenommen
werden, daß man das Material mit 30 deutet gemäß der Erfindung jedoch die bereichsweise
einem hochenergetischen Strahl beaufschlagt, so daß Umwandlung vom kristallinen in den amorphen Zues
die Schmelztemperatur erreicht, und anschließend stand, die ohnehin schneller als die umgekehrte Umeine
schnelle Abkühlung vornimmt, so daß das Ma- Wandlung vor sich geht, die aber dadurch noch beterial
in diesem amorphen Zustand »einfriert«, noch sonders verschnellert wird, daß ein gegenüber dem
bevor eine Kristallisation stattfinden kann. 35 Halbleitermaterial besser wärmeleitfähiges Substrat
Nach dem Stand der Technik, wie er aus der oben eine raschere Abkühlung bei gleichzeitig geringerer
angegebenen Literaturstelle in Applied Physics Let- seitlicher Wärmediffusion im Halbleitermaterial und
ters hervorgeht, wird zum Einschreiben der Spei- damit eine größere erreichbare Bitdichte ermöglicht,
cherinformation von einem amorphen Material aus- In vorteilhafter Weiterbildung der Erfindung ist
gegangen, das in den kristallinen Zustand umge- 40 ferner vorgesehen, daß die Einschreibzeit noch daschrieben
wird. Lediglich zum Löschen der Informa- durch weiter verkürzt werden kann, daß man vor
tion werden die kristallinen Bereiche wieder in den einem Einschreibvorgang, d. h. vor der Impulsbeaufamorpher!
Zustand zurückversetzt. Bei einer sol- schlagung durch den Laserstrahl, das Speichermechen
Verfahrensweise ist die bei diesen Speicher- dium auf eine Temperatur etwas unterhalb der Kriarten
maßgebliche Schreibgeschwindigkeit sehr stark 45 stallisationstemperatur Te vorheizt, so daß zur Zubegrenzt,
da das Aufheizen und insbesondere das Standsänderung lediglich eine Temperaturanhebung
Abkühlen des Materials so langsam erfolgen muß, von etwa Tg auf die Schmelztemperatur erfolgen
daß eine gute Kristallisation stattfinden kann. Bei muß.
der weiter zum Stand der Technik genannten Weitere Merkmale und vorteilhafte Ausgestaltun-US-PS
35 30 441 ist zwar keiner der beiden Zustände 5» gen der Erfindung sind in den Unteransprüchen geals
Ausgangszustand zwingend vorgeschrieben, es kennzeichnet. Die Erfindung wird im folgenden an
kommt jedoch zum Ausdruck, daß für den Schreib- Hand eines Ausführungsbeispie.les unter Zuhilfevorgang,
d. h. für die Umwandlung vom kristallinen nähme der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt
Ausgangszustand in den amorphen Zustand, Be- Fig. 1 eine schemaüsche Blockdarstellung eines Strahlungszeiten im μ-Sekundenbereich erforderlich 55 Speichersystems mit sehr schneller Einschreibfahigsind. Obwohl bekannt ist, daß die Umwandlung vom keit, in dem die Vorrichtungen zum Vorl eizen, Lekristallinen in den amorphen Zustand etwas schneller sen und zum Teil- als auch Gesamtlöschen angedeuvor sich gehen kann als die umgekehrte Umwandlung tet sind,
Ausgangszustand in den amorphen Zustand, Be- Fig. 1 eine schemaüsche Blockdarstellung eines Strahlungszeiten im μ-Sekundenbereich erforderlich 55 Speichersystems mit sehr schneller Einschreibfahigsind. Obwohl bekannt ist, daß die Umwandlung vom keit, in dem die Vorrichtungen zum Vorl eizen, Lekristallinen in den amorphen Zustand etwas schneller sen und zum Teil- als auch Gesamtlöschen angedeuvor sich gehen kann als die umgekehrte Umwandlung tet sind,
weil die für die Rekristallisation erforderliche Zeit Fig. 2a bis 2d Darstellungen der für den Über-
nicht benötigt wird, sind die bisher erreichbaren Ge- 6<>
gang vom kristallinen in den amorphen Zustand und
schwindigkeiten jedoch noch um Größenordnungen umgekehrt benötigten Zeiten mit verschiedenen
langsamer, als man eigentlich anstrebt. Eine Auf- Energiedichten und Impulszeite" als Parameter;
gäbe der Erfindung besteht deshalb darin, die Schreib- dabei zeigen im einzelnen:
geschwindigkeiten bzw.-zeiten bei solchen Speichern Fig. 2a den Temperatur-Zeit-Verlauf zur Um-
auf den Nanosekunden-Bereich zu reduzieren. Eine 65 Wandlung eines Materials vom amorphen in den kri-
einfache Verschnellerung des Schmelzprozesses stallinen Zustand und umgekehrt, bei der in be-
durch Beaufschlagung des Halbleitermaterials mit er- kannter Weise eine relativ geringe Energiedichte ver-
höhter Energie löst jedoch dieses Problem nicht, da wendet wird,
5 6
F i g. 2 b die Umwandlung eines Materials vom kri- extrem kurze Impulse im Bereich kleiner 10 ns er-
stallinen in den amorphen Zustand unter Benutzung zeugt. Das Lasersystem kann ein Nd-YAG, Argon-
eines schnellen gepulsten und fokussierten Lasers, oder GaAs-Laser sein, der kontinuierlich in einem
um eine hohe Energiedichte zu erhalten, bestimmten Mode strahlt und selektiv über eine
Fig. 2c den Umwandlungsvorgang vom kristal- 5 schnelle Pockels-Zelle 12 oder einen optischen Molinen
in den amorphen Zustand, bei dem das Ma- dulator außerhalb der Lasereinrichtung gepulst wird,
terial auf annähernd Tg vorgeheizt ist, Der total reflektierende Spiegel 14 überträgt die
Fig. 2d verdeutlicht ein Problem, daß bei einer Impulsmuster, die mittels der Linse 16 auf das Spei-
Vorheizung des Materials auf etwa seine Schmelz- chermaterial derart fokussiert werden, daß ein Be-
temperatur auftreten kann, 10 Strahlungsbereich kleiner als 3 μ im Durchmesser ent-
Fig. 3 die Temperaturverteilung in verschiedenen steht. Die Linse 16 muß von hoher Qualität sein, um
Entfernungen vom fokussierten Laserstrahl als Funk- die Laserenergie auf einen sehr kleinen Bereich
tion der Zeit unter Verwendung eines wärmeablei- fokussieren zu können, wodurch die hohe Energie-
tenden Substrats, dichte erreicht wird, die zum Aufheizen des Ma-
F i g. 4 eine Darstellung der Temperaturvertei- 15 terials auf seinen Schmelzpunkt mit Nanosekunden-
lungen in verschiedenen Tiefen unterhalb der be- geschwindigkeiten erforderlich ist. Die sehr präzise
strahlten Oberfläche in Abhängigkeit von der Zeit, Fokussierung ist weiterhin nötig, um zu gewährlei-
F i g. 5 die Temperatur-Zeit-Abhängigkeiten für sten, daß diskrete Belichtungsstellen entstehen, wenn
verschiedene Entfernungsbereiche vom Mittelpunkt das Speichermaterial entlang dem Strahl bewegt wird,
eines Laserstrahls mit einer Weite von etwa 7 μ ao F i g. 4 zeigt das Temperaturprofil, das mit einem gut
(d. h. / = /„e-1) für eine Einfallsleistung von 1W, fokussierten Strahl und einem wärmeableitenden
ein Te80Ge15As6-Material und einem Quarzsubstrat Substrat vom Mittelpunkt der Strahlauftrittsstelle
und nacn außen erhalten wird. Das derart aufgebrachte
Fig. 6 eine zu Fig. 5 entsprechende Darstellung und formierte Material wird unmittelbar anschließend
für verschiedene Tiefen unterhalb der bestrahlten »5 zur Fehlererkennung oder zur Auswertung in einem
Oberfläche. Rechner über einen optischen Impulsdetektor 18 ge-
In Fig. 1 besteht das Speichermaterial aus einer lesen. Über einen zweiten Laser20 kann ein Lichtdünnen Schicht 2 aus Chalkogenid-Halbleiterma- strahl zum Impulsdetektor 18 übertragen werden, interialien,
welche Schicht auf ein dünnes leitfähiges dem die Drehspiegel 22 und 30 in die mit b bezeich-Substrat
aufgebracht ist, das vorzugsweise zur Ermög- 30 neten Stellungen gedreht werden. Der Laserstrahl
lichung eines Lesevorgangs durch das Substrat hin- wird dann vom Spiegel 22 zu den Spiegeln 24 und 26
durch transparent ist. Das Speichermaterial ist über reflektiert und über die Linse 28 auf den Speicherden
Antrieb 6 bewegbar. Die Zusammensetzung des film fokussiert. Da die optischen Reflexions- und Ab-Halbleitermaterials
kann verschieden gewählt wer- Sorptionscharakteristiken im kristallinen Zustand den. Es enthält im allgemeinen Halbleitermaterialien 35 gegenüber dem amorphen Zustand sehr stark unteraus
der VI. und/oder IV. Gruppe (Sauerstoff, schiedlich sind, ist der vom Speicherfilm absorbierte
Schwefel, Selen, Tellur, Silizium, Germanium, Zinn), Strahlanteil in kristallinen Bereichen sehr stark unterweiche
Chalkogenid-Legierungen bilden. Es können schiedlich gegenüber den amorphen Bereichen. Dieauch
Elemente der V. Gruppe Legierungsbestand- ses Licht wird vom Spiegel 30, der in der fc-Stellung
teile bilden sowie zwei, drei oder mehrere Elemente 40 ist, zum optischen Impulsdetektor 18 reflektiert. Da
die Legierungsmischung darstellen. Eine geeignete sich auch andere physikalische Eigenschaften in Ab-Materialzusammenstellung,
die bei Raumbedingung hängigkeit vom kristallinen und amorphen Zustand sowohl im amorphen als auch kristallinen Zustand re- des Speichermaterials ändern, können auch andere
lativ stabil ist, ist TeGeAs. Vorrichtungen zur Erkennung dieser Unterschiede
Das Substrat, auf das das Halbleitermaterial nie- 45 statt eines optischen Impulsdetektors 18 eingesetzt
dergeschlagen wird, kann ein Band, eine Platte, eine werden.
Trommel oder eine andere für den Antrieb mit hohen Der Laser 20 kann auch zum Löschen einzelner
Geschwindigkeiten geeignete Vorrichtung sein. Für Bereiche des Aufzeichnungsmediums benutzt werden,
Platten- und Trommelanordnungen erweist sich ein wenn die Spiegel 22 und 30 in die α-Position gedreht
klares Quarzsubstrat als geeignet, während für Band- 50 werden, worauf im folgenden noch näher eingegananordnungen
Quarz oder eine extrem dünne auf gen wird. Eine Heizvorrichtung 32 dient zur Voreinen
durchsichtigen flexiblen Träger niedergeschla- heizung des aufgerollten Materials 34 auf annähernd
gene Metallschicht verwendet werden kann. In den seine Glasübergangstemperatur Tg, um die vom Laser
meisten Fallen wird eine genügende Transparenz 10 erforderliche Energieabgabe möglichst klein zu
vorhanden sein, die den Lichtdurchgang durch das 55 halten. Die Heizvorrichtung 36 kann gegebenenfalls
Substrat beim Lesen und Löschen erlaubt. Wenn zur vollständigen Löschung des Speichermaterials
jedoch kein transparentes Substrat benutzt wird, kann verwendet werden, indem die amorphen Speicherzum
Lesen auch der vom halbleitenden Material re- bereiche in den kristallinen Zustand umgewandelt
flektierende Strahl benutzt werden. Das Halbleiter- werden. Das Speichermaterial kann dann auf die
material wird auf das Substrat durch Aufdampf- 60 Rolle 38 aufgewickelt werden und dort zur Wiederoder
Sputtertechniken niedergeschlagen, worauf das verwendung oder bei nicht vollständiger Löschung
Material langsam auf eine Temperatur oberhalb der zur Archivspeicherung zur Verfügung stehen.
Temperatur Tg erhitzt, bei der das Glas in den kri- _
stallinen Zustand übergeht Bei der anschließenden Dcr Schreibvorgang
langsamen Abkühlung findet dann im wesentlichen 65 Unter Bezugnahme auf Fig. 1 kann das Speicherdie Kristallisation statt. material 2, wie oben beschrieben, zunächst in der
Temperatur Tg erhitzt, bei der das Glas in den kri- _
stallinen Zustand übergeht Bei der anschließenden Dcr Schreibvorgang
langsamen Abkühlung findet dann im wesentlichen 65 Unter Bezugnahme auf Fig. 1 kann das Speicherdie Kristallisation statt. material 2, wie oben beschrieben, zunächst in der
Dieses Speichermaterial wird unter einem vom Heizvorrichtung 32 auf annähernd seine Glasüber-
Laser 10 erzeugten Strahl 8 entlangbewegt, der gangstemperatur Tg aufgeheizt werden. Das Speicher-
material befindet sich zu Anfang im wesentlichen in Dabei bedeutet /0 die maximale Lichtintensität prc
seinem kristallinen Zustand, der so lange stabil Flächeneinheit, r den Abstand vom Strahlzentrum zi
aufrechterhalten bleibt, wie die Schmelztemperatur irgendeinem Punkt auf der Oberfläche, /■„ ist die mitt
nicht erreicht wird. Es ist festzustellen, daß ein sol- lere Gaußsche Abweichung, und α ist die optisch«
eher Vorheizschritt nicht möglich wäre, wenn sich 5 Absorptionskonstante des Halbleitermaterials,
das Material zu Anfang im amorphen Zustand be- Indem man die Schichtdicke ζ des Halbleitern«·
das Material zu Anfang im amorphen Zustand be- Indem man die Schichtdicke ζ des Halbleitern«·
fände, da beim Aufheizen auf die Glasübcrlragungs- terials so auslegt, daß α ζ größer 1 ist, werden nur die
temperatur der Kristallisationsvorgang beginnen belichteten Bereiche des Halbleitermaterials vom
j würde, wodurch das Material zur Ausbildung diskre- kristallinen in den amorphen Zustand umgewandelt,
f ter kristalliner oder amorpher Bereiche ungeeignet io da die Überschußwärme schnell vom gut leitfähigen
j würde. Substrat abgeleitet wird. Es wurde gefunden, daß
j In Fig. 2a ist die erforderliche Zeit dargestellt, dieser ungewöhnlich schnelle Abkühlvorgang (vgl.
', die bei bekannten Anordnungen erforderlich ist, um F i g. 2 b) lediglich beim Einsatz von Impulszeiten
j vom amorphen in den kristallinen Zustand und vom von 100 ns oder weniger auftritt. Die Belichtung des
ι kristallinen in den amorphen Zustand überzugehen. 15 Materials über eine längere Zeit ergibt eine relativ
Aus dem Kurvenzug A kann die Mindestzeit entnom- weite radiale Ausdiffusion der Hitze in nicht belichmen
werden, während der sich das Speichermaterial tete Bereiche des Halbleitermaterials, was — unge-
j oberhalb der Glasübergangstemperatur Td befinden achtet der Ableitung eines Teils dieser Wärme über
j muß, damit ein anfänglich im amorphen Zustand das gut leitfähige Substrat — eine schnelle Abküii-
j vorliegendes Material in den kristallinen Zustand 20 lung und damit die Ausbildung sehr kleiner diskreter
j übergehen kann. Um den Kurven verlauf A zu erhal- Speicherbereiche verhindert.
j ten, ist ein relativ langer Impuls in der Größen- Aus Fig. 2b kann ersehen werden, daß bei Fo-
Ordnung von Mikrosekunden in Verbindung mit einer kussierung des Laserstrahls auf einen sehr schmalen
J relativ niedrigen Energiedichte erforderlich. Eine Bereich eine ausreichende Energiedichte zur Ver-
J Abkürzung des Impulses ist nicht möglich, da eine 25 fügung steht, um das Material in kurzer Zeit auf
Mindestzeit oberhalb der Temperatur 7"^ für das seine Schmelztemperatur aufzuheizen, wonach in-
Auskristallisicrcn erforderlich ist. Der Kurvenzug C folge der schnellen Wärmeableitung ein schneller
j zeigt die benötigte Zeit, um vom kristallinen in den Kühlvorgang und damit das »Einfrieren« des
amorphen Zustand überzugehen. Es ist zu erkennen, amorphen Zustandes auftritt. Die erforderliche Imdaß
der bei weitem bedeutendste Kurvenanteil auf 30 pulszeit ist lediglich durch die Energie beschränkt,
die Abkühlzeit entfällt, nachdem das Material auf die zur Aufheizung des Materials auf seine Schmelz-
J eine Temperatur oberhalb der Schmelztemperatur temperatur benötigt wird. Diese Energieanforderung
aufgeheizt worden ist. Um jedoch eine ausreichend kann weiter gemindert werden, indem man den Strahl
schnelle Abkühlung zur »Einfrierung« des geschmol- auf ein Material fokussiert, daß vorher auf annähernd
senen Materials in seinem amorphen Zustand zu er- 35 seine Glasübergangstemperatur Te vorgeheizt worden
halten, muß die dem Material als Funktion der Zeit ist (vgl. Fig. 2c). Unter Verwendung eines solchen
zugeführte Energie beschränkt und sehr genau kon- Vorheizvorganges wird die zum Aufheizen des Matrolliert
werden, um ein übermäßiges Aufheizen der terials von seiner Umgebungstemperatur auf die
umgebenden Materialbereiche sowie des Substrates Glasübergangstemperatur Te erforderliche Zeit einzu
verhindern, was ja unzureichende Abkühlraten zur 40 gespart. Dies ist möglich, da mit den erfindungsge-Folge
hätte. mäßen Maßnahmen ungewöhnlich schnelle Abkühl-
Im Rahmen der Erfindung wurde nun festgestellt, raten erzielbar sind, die mit einem Durchschnittsdaß
die Laser-Impulszeit bis in den ns-Bereich hinein wert von 1010°C/sec angesetzt werden können. Wie
verkürzt werden kann, wobei relativ billige Laser- jedoch aus Fig. 2d zu ersehen ist, muß dafür Sorge
anordnungen von relativ niedriger Energieabgabe ein- 45 getragen werden, daß das Material nicht zu sehr vorgesetzt
werden können. Dies wird dadurch erreicht, geheizt wird, da dann die schnelle Abschreckmögdaß
man extrem kleine Bereiche vom kristallinen in lichkeit zur »Einfrierung« des amorphen Zustandes
den amorphen Zustand umwandelt, wobei man trotz verlorengeht und man in einem solchen Fall eine Reeines
Lasers mit insgesamt niedriger Gesamtaus- kristallisierung des geschmolzenen Materials erhielte.
gangsenergie den belichteten Materialstellen genügend 50 Geeignete Hochtemperaturfeste Materialien, z. B.
Energie zum Schmelzen zuführen kann. Auf Grund Quarz, weisen eine ausreichende Wärmeableitfähigder
außerordentlich klein gehaltenen belichteten Be- keit auf, um im Rahmen der Erfindung mit Vorteil
reiche können zusätzlich extrem große Bitdichten er- eingesetzt werden zu können. Metallisierte Kunststoffzielt
werden. Das rasche Abkühlen wird dadurch er- filme, deren physikalische Eigenschaften durch den
reicht, daß man die Leitfähigkeit des Substrats an die 55 Vorheizschritt nicht nachteilig beeinflußt werden,
optischen Absorptionscharakteristiken des Halbleiter- können ebenfalls zur Ausbildung eines flexiblen Submaterials
anpaßt. Auf diese Weise wird eine Wärme- strats verwendet werden (vgl. Fig. 1).
diffusion in die umgebenden unbelichteten Halbleiter- Es ist festzustellen, daß die minimale erforderliche
diffusion in die umgebenden unbelichteten Halbleiter- Es ist festzustellen, daß die minimale erforderliche
materialbereiche sowie eine lokale Aufheizung des Energie davon abhängt, daß dadurch ein genügen-Substrates
vermieden, was in einer ausreichend 60 der Materialbereich vom kristallinen in den amorphen
schnellen Abkühlmöglichkeit zur Fixierung des Zustand umgewandelt wird, so daß er über den opamorphen
Zustandes resultiert. tischen Detektor 18 erkannt werden kann. Es wurde
Ein einfallender Laserstrahl nimmt exponentiell gefunden, daß dazu eine Energie ausreicht, mittels
mit der Entfernung bzw. Eindringtiefe ζ in den Spei- derer ein 1 μ breiter Bereich bis zu einer Tiefe von
cherfilm und das Substrat ab gemäß der Beziehung 65 ungefähr 100 A durch den optischen Detektor der
Anordnung nach Fig. 1 erkannt werden kann. Dazu
_ . v __ ι sind Einfallsenergiedichten in der Größenordnung
= I0 exp j ,_, I · von i/2 ηί/μ2 bej einem Wert r„ von 2Vs μ ausreichend.
9 10
F i g. 3 zeigt das Temperaturprofil für einen Bc- diesen Materialbereichen genügend Energie zugereich
aus Halbleitermaterial, der mit einem fokus- führt wird, um sie in für die Rekristallisation aussierten
Laserstrahl von ungefähr 5 ns Dauer belich- reichender Zeit auf ihre Schmelztemperatur aufzutet
ist, so daß ein 1μ breiter Bereich auf seine heizen (vgl. Fig. 2a). Der Löschvorgang kann mit
Schmelztemperatur erhitzt und dabei erfindungsge- 5 einem zweiten Laser durchgeführt werden, der gemäß
in den amorphen Zustand übergeführt wird. In nügend Energie zur Veranlassung der Rekristalli-Fig.
4 ist ein Temperaturprofil über die Dicke des sation liefert. Zum Löschen werden die Drehspiegel
belichteten Halbleitermaterials dargestellt, indem in 22 und 30 in ihre «-Position gebracht. Die Ausgangseiner
Tiefe von etwa 100 A unterhalb der Oberfläche leistung des Lasers 20 wird so eingestellt, daß sich
die Schmelztemperatur erreicht und damit die Um- io die in Fig. 2a ersichtliche Kurve beim Dauerbetrieb
Wandlung in den amorphen Zustand bewirkt wird. des Lasers einstellt, womit eine ganze Spur des Spei-Auf
Grund der sehr kleinen Schmelzbereiche sowie chermaterials gelöscht werden kann. Betreibt man
des Vorheizschrittes wird zum Schmelzen nur eine den Laser in einer zum Schreibvorgang entsprcchengeringe
Gesamtenergie benötigt, so daß mit einem den gepulsten Weise, kann das Speichermaterial selekrelativ
niederenergetischen Laser 10 mit extrem kur- 15 tiv gelöscht werden. Es ist festzustellen, daß auf
zen über die Zelle 12 gesteuerten Impulsen gearbeitet Grund der beim Löschen vorgenommenen Umwerden
kann. Diskrete Speicherstellen werden er- Wandlung der amorphen Bereiche in kristalline Behalten,
wenn man das Speichermaterial 2 über den reiche längere Impulse als im Vergleich zum Schreib-Antrieb
6 bis zu Geschwindigkeiten von 105 cm/sec Vorgang erforderlich sind. Um selektiv zu löschen,
bewegt, wobei die Linse 22 den Laserstrahl auf 20 muß daher die Antriebsgeschwindigkeit herabgesetzt
1 bis 2 μ breite Belichtungsstellen fokussiert. Wenn werden. Bei einem Einsatz dieses Speichersystems
man den Laserstrahl alle 5 ns pulst, werden Belich- zu Archivspeicherzwecken ist diese Bedingung jetungsbereiche
mit einem Durchmesser von 2 μ und doch kaum störend. Will man eine vollständige
Mitte'abständen von 5 μ erhalten. Das Einschreiben Löschung des Speichermediums oder eine Löschung
der Speicherinformation über die gesamte Breite des 25 großer Bereiche vornehmen, kann die Heizvorrich-Halbleitermaterials
kann durch eine Richtungsab- tung 36 benutzt werden, mittels derer genügend hohe
lenkung des Laserstrahls erzielt werden. Temperaturen zur Umwandlung der amorphen Be-
^ ¥ reiche in ihren kristallinen Ausgangszustand er-
Der Lesevorgang zidbar sind
Die Information kann zu Fehlererkennungszwecken 30 . .
oder zur Auswertung in einen Rechner ausgelesen Besondere Beispiele
werden, indem man den Unterschied zwischen den Es wurden Musterstücke von Speichermaterialien Bereichen amorphen Zustandes gegenüber dem kri- sowohl durch Sputtern als auch Aufdampfen hergestallinen Untergrund abfühlt. Wie bereits erwähnt stellt, wobei die Substrate sowohl auf Raumtemwurde, können Speicherbereiche mit einem Durch- 35 peratur als auf der Temperatur von flüssigem Stickmesser von 2 μ mit einer Tiefenerstreckung von stoff gehalten wurden. Im Falle des Sputterns be-100 A und Mittelabständen von 5 μ leicht ausge- stand das Ausgangsmaterial aus einer pulvrigen lesen werden. Da zwischen dem kristallinen und dem Mischung der drei Elemente Te, Ge und As in entamorphen Zustand ein großer Unterschied hinsieht- sprechendem Mischungsverhältnis, um Schichten der lieh der Reflexion bzw. Absorption besteht, wird das 40 Zusammensetzung Te80Ge15As5 zu bilden. Die Speichermuster über einen optischen Detektor ausge- Schichtzusammensetzung wurde nach dem Niederlesen, der ein Signal zur Veranlassung z. B. eines schlag mit einer Elektronenstrahlprüfung bestimmt. Rechnerausdruckes oder einer Anzeige abgibt. Der Die aufgedampften Muster wurden aus entsprechen-Laser 20 sendet einen Strahl aus, der von den Spie- den kleinen Mengen eines festen Materials hergestellt, geln 22, 24 und 26 reflektiert, über die Linse 28 45 Die Schichtdicken betrugen nominell 600 A; die fokussiert, durch das transparente Substrat sowie Ebenheit der Schichten wurde in weißem Licht bei das Speichermaterial hindurchgeführt wird und lOOOfacher Vergrößerung durch Reflexions- und schließlich über den Spiegel 30 in den optischen Transmissionsverfahren geprüft. Als Substrate wur-Impulsdetektor 18 geleitet wird. Dabei sind die Spie- den einige zig μ dicke Schichten aus glasartigem gel 22 und 30 in der b-Position. Das Ausgangssignal 50 Quarz und reinkristallinem Saphir verwendet. Soll des optischen Detektors 18 kann z. B. als Reaktion jedoch der Speicher die Form eines Bandes aufweidarauf ausgelegt sein, daß auf Grund verminderter sen, sollten geeignete biegsame Substrate, z. B. Absorption in den amorphen Bereichen ein erhöhter dünne Schichten von Quarz oder Aluminium auf Lichteinfall festgestellt wird. Als Alternative kann Mylar, d. h. einer Kunststoff-Folie benutzt werden, ebenfalls benutzt werden, daß ein Lichtstrahl vom 55 Zur Untersuchung der Speicherschichten im durch-Speichermaterial reflektiert wird und die vermin- scheinenden Licht mit einem Elektronenmikroskop derte Energie in dem Speicherbereich die Abgabe wurden einige Speicherüberzüge auf NaCl-Substrate eines Signals durch den optischen Detektor ein- niedergeschlagen und die Filme von diesen Substraten leitet. Die letztere Möglichkeit wird besonders dann abgelöst. Um die auf diese Art niedergeschlagenen anzuwenden sein, wenn lichtundurchlässige Sub- 60 amorphen Schichten zum Schreiben vorzubereiten, strate verwendet werden. wurden kleine Stücke der Proben abgetrennt und auf TW τ ncrhvnrnano e'ne transParente Heizstufe montiert. Wenn man uer Losenvorgang diese Proben in Luft au{ Temperaturen im Bereich
oder zur Auswertung in einen Rechner ausgelesen Besondere Beispiele
werden, indem man den Unterschied zwischen den Es wurden Musterstücke von Speichermaterialien Bereichen amorphen Zustandes gegenüber dem kri- sowohl durch Sputtern als auch Aufdampfen hergestallinen Untergrund abfühlt. Wie bereits erwähnt stellt, wobei die Substrate sowohl auf Raumtemwurde, können Speicherbereiche mit einem Durch- 35 peratur als auf der Temperatur von flüssigem Stickmesser von 2 μ mit einer Tiefenerstreckung von stoff gehalten wurden. Im Falle des Sputterns be-100 A und Mittelabständen von 5 μ leicht ausge- stand das Ausgangsmaterial aus einer pulvrigen lesen werden. Da zwischen dem kristallinen und dem Mischung der drei Elemente Te, Ge und As in entamorphen Zustand ein großer Unterschied hinsieht- sprechendem Mischungsverhältnis, um Schichten der lieh der Reflexion bzw. Absorption besteht, wird das 40 Zusammensetzung Te80Ge15As5 zu bilden. Die Speichermuster über einen optischen Detektor ausge- Schichtzusammensetzung wurde nach dem Niederlesen, der ein Signal zur Veranlassung z. B. eines schlag mit einer Elektronenstrahlprüfung bestimmt. Rechnerausdruckes oder einer Anzeige abgibt. Der Die aufgedampften Muster wurden aus entsprechen-Laser 20 sendet einen Strahl aus, der von den Spie- den kleinen Mengen eines festen Materials hergestellt, geln 22, 24 und 26 reflektiert, über die Linse 28 45 Die Schichtdicken betrugen nominell 600 A; die fokussiert, durch das transparente Substrat sowie Ebenheit der Schichten wurde in weißem Licht bei das Speichermaterial hindurchgeführt wird und lOOOfacher Vergrößerung durch Reflexions- und schließlich über den Spiegel 30 in den optischen Transmissionsverfahren geprüft. Als Substrate wur-Impulsdetektor 18 geleitet wird. Dabei sind die Spie- den einige zig μ dicke Schichten aus glasartigem gel 22 und 30 in der b-Position. Das Ausgangssignal 50 Quarz und reinkristallinem Saphir verwendet. Soll des optischen Detektors 18 kann z. B. als Reaktion jedoch der Speicher die Form eines Bandes aufweidarauf ausgelegt sein, daß auf Grund verminderter sen, sollten geeignete biegsame Substrate, z. B. Absorption in den amorphen Bereichen ein erhöhter dünne Schichten von Quarz oder Aluminium auf Lichteinfall festgestellt wird. Als Alternative kann Mylar, d. h. einer Kunststoff-Folie benutzt werden, ebenfalls benutzt werden, daß ein Lichtstrahl vom 55 Zur Untersuchung der Speicherschichten im durch-Speichermaterial reflektiert wird und die vermin- scheinenden Licht mit einem Elektronenmikroskop derte Energie in dem Speicherbereich die Abgabe wurden einige Speicherüberzüge auf NaCl-Substrate eines Signals durch den optischen Detektor ein- niedergeschlagen und die Filme von diesen Substraten leitet. Die letztere Möglichkeit wird besonders dann abgelöst. Um die auf diese Art niedergeschlagenen anzuwenden sein, wenn lichtundurchlässige Sub- 60 amorphen Schichten zum Schreiben vorzubereiten, strate verwendet werden. wurden kleine Stücke der Proben abgetrennt und auf TW τ ncrhvnrnano e'ne transParente Heizstufe montiert. Wenn man uer Losenvorgang diese Proben in Luft au{ Temperaturen im Bereich
Zum Löschen der aufgezeichneten Information von 75 bis 90° C brachte, wurde eine beträchtliche
können verschiedene Wege beschriften werden. Das 65 Kristallisation erzielt, die man anschließend gleich
Löschen wird dadurch erreicht, daß die amorphen mittels des Elektronenmikroskops feststellen konnte.
Informationsbereiche wieder in ihren kristallinen Diese Phasenänderung konnte an Ort und Stelle
Ausgangszustand rückverwandelt werden, indem durch Beobachtung der Änderung in der. optischen
Reflexions- und/oder Übertragungseigenschaften betrachtet werden.
Für den im Millisekunden-Bereich stattfindenden Lesevorgang wurde der Ausgang eines chromatischen
Lasers, der über einen gepulsten Stickstoff-Laser angeregt wurde, verwendet. Da die optischen Eigenschaften
solcher chromatischer Laser variiert werden können, können damit die optischen Eigenschaften
in einem weiten Bereich untersucht werden. Es sind jedoch auch weniger aufwendige Laser mit
fixierten optischen Eigenschaften, wie z. B. GaAS-Laser in gleichem Maße einsatzfähig. Als Pulslängen
wurden Impulse von 2 bis 5 ns mit einer Wellenlänge um etwa 580OA und einer optischen Leistung
von einigen kW benutzt. Der Ausgang des chromatischen Lasers wurde abgeschwächt und in ein Mikroskop
fokussiert, um die Probe sowohl in durchscheinendem als auch im reflektierenden Licht betrachten
zu können.
Zur Messung der Reflektivitätsänderungen zwischen geschriebenen und ungeschriebenen Speicherbereichen
wurden relativ große (12 μ im Durchmesser aufweisende) Speicherbereiche erzeugt, und zwar
mit einem chromatischen Laser (unter Verwendung eines 20fach vergrößernden Mikroskopobjektivs),
woraufhin diese Bereiche mit schmalen Bereichen verglichen wurden, die mit Impulsen niedriger Intensität
bei etwa 6471 A (Kryptonlicht unter Verwendung der Pockelszelle und eines 45fach vergrößernden
Mikroskopobjektivs) erzeugt wurden. Zur Erzielung eines absoluten Wertes für die Reflektivität
wurden diese Amplituden mit solchen verglichen, die von der Vorderseite eines Aluminiumspiegels mit
einer Reflektivität von ungefähr 90% bei 6500A erhalten wurden.
An diesen Proben wurden nach zwei und nach acht Wochen Messungen vorgenommen, um das
Ausmaß von Charakteristikvcrschicbungen festzustellen. Die Ergebnisse sind in der folgenden Tabelle
I niedergelegt. Die Probe A wurde dabei in völliger Dunkelheit gehalten, die Probe B bei normaler Raumbeleuchtung
(im Labor mit etwa 50% Beleuchtung über die Zeit) und C wurde in direktem Sonnenlicht
aufbewahrt, wobei im letzteren Fall eine nicht näher bekannte Temperatursteigerung anzunehmen
ist.
Probe Ein- Unbeschriebene
geschriebene Unterlage Bereiche
(1Vo Reflexion) ("Ό Reflexion)
A | 36 | 59 |
B | 40 | 63 |
C | 36 | 60,5 |
A | 43 | 61,5 |
B | 43 | 61,5 |
C | 44 | 61,5 |
A | 41 | 58 |
B | 41 | 58 |
C | 41 | 58 |
Aus dieser Tabelle I ist ersichtlich, daß nur eine sehr geringe Verschiebung der optischen Werte erfolgte,
so daß das Material als geeignet für permanente Speichermedien anzusehen ist.
Der strukturelle Zustand des Speichermaterials wurde im durchscheinenden Licht mittels eines Elektronenmikroskops
und mittels Elektronenbeugung untersucht. Für eine Elektronenmikroskopierung geeignete
Chalkogenid-Muster wurden auf NaCl-Substratc aufgedampft. Diese Proben wurden anschließend
mit einem Laser bestrahlt (Einschreiben) und im Anschluß daran durch thermische Kristallisation
wieder gelöscht. Die Gruppe von Musterstücken stammt aus beschriebenen und thermisch bzw.
optisch (Laserstrahl) gelöschten und wiederbeschriebenen Probestücken. Nach den Schreib- und Löschschritten
wurden die Proben von dem NaCl-Substrat getrennt, indem letzteres in Wasser aufgelöst
wurde. Die Chalkogenid-Proben wurden daran anschließend unter einem Elektronenmiskroskop untersucht.
Es wurde festgestellt, daß das unbeschriebene Grundmaterial (nach einem thermischen Zyklus) ein
Zweiphasensystem darstellte, das nahezu aus reinen Te-Kristallen der Größe von etwa 250 bis 500A
und einer amorphen Ge-Te-Phase bestand. Nach einer Bestrahlung mittels des chromatischen Lasers
im ns-Bereich zum Einschreiben waren die meisten Kristallite verschwunden, und das Material wies ein
für amorphe Materialien charakteristisches Beugungsmuster auf. Der thermische Löschvorgang erzeugte
eine Kristallisation des Tellurs, wobei sich eine der anfänglichen Materialstruktur ähnliche Kristallstruktur
einstellte. Eine dazu gleiche Kristallstruktur wurde auch durch optische Löschung erhalten.
Die an den Laser zu stellenden Anforderungen zur Ausbildung von Schmelzbereichen in u-Größe
wurden durch die Lösung der inhomogenen thermischen Diffusionsgleichung
oc dT-=KTV2 + A(x,y,z,i)
dt
erhalten, wobei K, η und c die thermische Leitfähigkeit,
die Massendichte und die Wärmekapazität bedeuten und diese Werte alle als temperaturunabhängig
angenommen sind. Der Ausdruck A (x, y, z, t) beschreibt die Wärmequelle (entsprechend dem
Laserpuls) in Einheiten von Leistung/Volumen als Funktion des Ortes und der Zeit. T und t bedeuten
die Temperatur bzw. Zeit. Das einfallende Laserlicht nimmt exponentiell mit der Entfernung bzw. Eindringtiefe
ζ in den Film und das Substrat ab, und zwar gemäß der Beziehung
55
55
/ = I0 exp
2 V
a) = unmiltelbar anschließendes Lesen;
b) = Lesen nach zwei Wochen;
c) = Lesen nach acht Wochen.
Dabei ist /„ die maximale Lichtintensität pro
Flächeneinheit, r der Abstand vom Strahlmittelpunkt zu einem beliebigen Punkt auf der Oberfläche und
r„ die Gaußsche Abweichung. Es wurde ein Reflexionskoeffizient
von 0,65 an der Grenzfläche Luft/Chalkogenid angenommen, sowie eine optische
Absorptionskonstante von « = 5,0 · IO5Cm"1. Der
Reflexionskoeffizient stimmt mit den Werten von Tabelle I für 6471 A überein, während der Absorptionskoeffizient
ein nähpriinosu/picor rim-.-v.c-M...:...-
vert des Koeffizienten f'ir reines Tellur im amorphen
ind kristallinen Zustand ist. Die erhaltenen Lösungen
galten für 600 A dicke Schichten auf glasartigen Duarzsubstraten, die' sich anfänglich auf Raumtemperatur
befanden. Der Eingangsimpuls war 1 W stark, seine Dauer betrug 5 ns. Die (benutzten) Werte
von weiteren Parametern sind in der folgenden Tabelle II angegeben.
K Cc
(W/cm ° K) (J/g ° K) (gern')
15
Te8OGei5AV
Schicht 6,15-10-3 2,9· 10"' 5,7
Quarzsubstrat 1,02 · 10 - *- 1,35 3,0
175° C beträgt. Die Kurven zeigen an, daß eine Ein-,
,ncvrai etwa 0,8 W oder eine Energie-S4
S ?-njV ausreichend ist, um Γ. zu er-
? ichen was' mit relativ niederenergetischen Lasern
reicnen, wa. Rerechnuneen wurde die Schmelz-
ÄS lS£Ä «ο daß zu diesen Löwarme
nicni » erfolgen muß. Da die Schmelzwärme
Sc Volumendnheft für Tellur ungefähr dopwarme
pro ν Anheben einer Volumen-
Tralur erforderliche Wärme, sind die Abkuhl-SÄ
geschmolzene Bereiche etwa dreimal langer al die füT ungeschmolzene Bereiche bei einer Temais
aie im s Kurven kann weiterhin
Ken Äiß die Aufheizung nahezu adiabatih
erfolgt mit einer vernachlässigbaren radialen DifLon §ie Diffusionslänge in 5 ns betragt unge-Sh
400 A) und daß nur ein geringer Wanneverlust fahr 4UU AJIU Weiterhin ist zu ersehen,
Im Rahmen der Erfindung ist es von Wichtigkeit, daß die thermische Leitfähigkeit und die Wärmekapazität
des Substrats so gewählt werden, daß das Substrat die überschüssige Wärme ableiten kann und
damit eine Ausdiffusion der Wärme in die Halbleitermaterialschicht
verhindert. Ob demnach ein Substratmaterial für den Einsatz im Rahmen der Erfindung
geeignet ist, hängt somit von den physikalischen Eigenschaften des Halbleitermaterials ab, die die
Temperaturausbreitung festlegen.
Alle diese Lösungen hängen linear von der Leistung ab, da die thermischen und optischen Parameter
als von der Temperatur unabhängig angenommen wurden. In F i g. 5 ist der zeitliche Temperaturverlauf
des Halbleitermaterials in einer Tiefe von 100 A unterhalb der Oberfläche dargestellt, wobei
als Parameter der Abstand ;■ vom Mittelpunkt des Laserstrahls von 1 W Eingangsleistung berücksichtigt
ist. Die Spitzentemperatur in der Strahl mitte liegt etwas oberhalb der Schmelztemperatur Tm, die etwa
r = 0) erreicht, während im Abstand 3
des Laserimpulses eine schnelle Abkühlung einsetzt
Sei die Oberflächentemperatur innerhalb 5 ns auf
etwa die Hälfte des maximalen Temperaturwertes
Sl was einer durchschnittlichen Abkuhlrate bis
zu ' O-oJ/sec entspricht. Eine vergleichende
Darstellung der Temperaturverläufe in Abhang.gkeit
von der Eindringtiefe ist in Fig. 6 fur die Fosi
Zn τ = 0 dargestellt. Aus dieser Darstellung werden
d°e Auswirkungen der endgültigen optischen Absorp-UonVkons
ante deutlich, wenn man berücksichtigt, daß die Speicherschicht in einer Dicke von etwi
500A nur noch auf die Hälfte des Wertes in eine,
Tiefe von lOOA ansteigt. Nach etwa 25 ns erreich
dkϊ Sperrschicht eine einheitliche Temperatur übe:
die Tiefenerstreckung.
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
Claims (9)
1. Verfahren zur schnellen optischen Informationsspeicherung
unter Verwendung einer auf S einem Substrat angeordneten dünnen kristallinen
Schicht aus einem Chalkogenid-Halbleitermaterial, das im kristallinen wie im amorphen Zustand
befindliche selektive Bereiche stabil aufrechtzuerhalten gestattet, bei dem die im kri- *°
stallinen bzw. amorphen Zustand auftretenden optischen, vorzugsweise Reflexions- bzw. Absorptionseigenschaften
zur Informationsspeicherung ausgenutzt werden, indem zum Einschreiben der Speicherinformation mittels eines Laserstrahles
selektive Bereiche der Halbleiterschicht bis zur Schmelztemperatur des Halbleiters erhitzt und
dann so schnell abgekühlt werden, daß eine selektive Umwandlung in amorphe Bereiche erzwungen
wird, und bei dem aus den unterschiedlichen »° Reflexions- bzw. Absorptionseigenschaften der
amorphen bzw. kristallinen Bereiche bei erneuter Bestrahlung der Speicherinhalt ermittelt werden
kainn, dadurch gekennzeichnet, daß die kristalline Halbleiterschicht auf einem dem- »5
gegenüber besser wärmeleitfähigen Substrat ausgebildet wird und die selektive Bestrahlung zum
Einschreiben der Speicherinformation mittels eines extrem fokussierten Laserstrahles mit Bestrahlungszeiten
im ns-Bereicli erfolgt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß als Substrat eine transparente Quarzschicht verwendet wird, deren Wärmeleitfähigkeit
größer ist als die der darauf angeordneten Halbleiterschicht, so daß bei einer durch
den Laserstrahl erzeugten Überschußvärme diese statt in der Halbleiterschicht seitlich abzufließen,
über das Substrat abgeleitet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Substrat einkristalliner 4"
Saphir verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß als Substrat eine flexible mit Quarz oder einer dünnen Metallschicht, z. B. aus
Aluminium, beschichtete Kunststoff-Folie, z. B. Mylar, verwendet wird.
5. Verfahren mindestens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht
zum Einschreiben der Speicherinformation vor der Beaufschlagung mit dem Laserstrahl auf eine
Temperatur von etwas unterhalb Tg, d. h. die unterhalb der Schmelztemperatur liegende Glastemperatur,
bei der normalerweise die Kristallisation einsetzt, vorgeheizt wird.
6. Verfahren mindestens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die selektiven Speicherbereiche
Durchmesser von < 5 μ aufweisen.
7. Verfahren mindestens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Laserbestrahlungszeit
< 100 ns beträgt.
8. Verfahren mindestens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichtdicke Z des
Speichermaterials so gewählt wird, daß αΖ>1
ist, wobei α die optische Absorptionskonstante des Speichermaterials darstellt.
9. Verfahren mindestens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die mit der Speicherinformation
beschriebene Halbleiterschicht zum > WHdbieiter-
ΐϊΑΐ Durchführung des Verfaiens
n?ch rinem der vorhergehenden An-
£ gekennzeichnet durch ein Speichern*-
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |