JPS595097A - 光記録方式 - Google Patents
光記録方式Info
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- JPS595097A JPS595097A JP57115214A JP11521482A JPS595097A JP S595097 A JPS595097 A JP S595097A JP 57115214 A JP57115214 A JP 57115214A JP 11521482 A JP11521482 A JP 11521482A JP S595097 A JPS595097 A JP S595097A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
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- G11B7/2585—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on aluminium
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光記録方式に関する。
従来、元ディスク等では、基板の上の記録層に収束した
レーザービームを照射し、記録層中に吸収された光エネ
ルギーから変換された熱エネルギーによって、記録層を
溶融・蒸発させる或いは溶融・凝集させて幾何学的形状
変化（ピット）を形成して情報を沓き込む。このように
して形成されたピットに低パワーのレーザービームｔ−
照射１．、反射光量等の変化によりピットの有無を検出
して情報を読み出す。このような記録装置の小型化、低
価格化のためには書き込み用レーザーとして半導体レー
ザーを使用することが強く望まれている。
レーザービームを照射し、記録層中に吸収された光エネ
ルギーから変換された熱エネルギーによって、記録層を
溶融・蒸発させる或いは溶融・凝集させて幾何学的形状
変化（ピット）を形成して情報を沓き込む。このように
して形成されたピットに低パワーのレーザービームｔ−
照射１．、反射光量等の変化によりピットの有無を検出
して情報を読み出す。このような記録装置の小型化、低
価格化のためには書き込み用レーザーとして半導体レー
ザーを使用することが強く望まれている。
したがって、出力の小さい半導体レーザーを用いても充
分高速で曹き込める高感度な記録媒体及び記録方式を必
賛とするが、未だ望ましい媒体及び方式は開発されてい
ない。媒体感度は媒体を支持する基板の熱特性に太きく
依存するので、できるだけ熱伝導度の小さな基板が使用
されている。それでも基板に流出する熱量は大きく、こ
のことが媒体感度を低めている主な原因となっている。
分高速で曹き込める高感度な記録媒体及び記録方式を必
賛とするが、未だ望ましい媒体及び方式は開発されてい
ない。媒体感度は媒体を支持する基板の熱特性に太きく
依存するので、できるだけ熱伝導度の小さな基板が使用
されている。それでも基板に流出する熱量は大きく、こ
のことが媒体感度を低めている主な原因となっている。
本発明の目的は、高感度の光記録を可能とする光記録方
式を提供するところＫある。
式を提供するところＫある。
本発明は、収束したレーザービームを照射して記録層に
幾何学的形状変化（ピット）を形成することにより記録
を行なう光記録方式において、基板の上にｔ＊層された
層の中の第一の層と、該第−の層の直上にあシかつ該記
録層の下にある第二のノーの間に気泡があシ、該気泡の
上の部分の該記録層にビットを形成して記録を行危うこ
とを特徴とするものである。
幾何学的形状変化（ピット）を形成することにより記録
を行なう光記録方式において、基板の上にｔ＊層された
層の中の第一の層と、該第−の層の直上にあシかつ該記
録層の下にある第二のノーの間に気泡があシ、該気泡の
上の部分の該記録層にビットを形成して記録を行危うこ
とを特徴とするものである。
以下、本発明の光記録方式について実施例を用いて駅１
明する。第１図は本発明の一実施例における光Ｈ己録媒
体の断面図である。まず、ポリメチルメタクリレート（
ＰＭＭＡ）基板１の上に反射層２としてアルミニウム（
Ａｌ）膜を３０八ｍ１透過ノ＠３としてｉ％分子）模を
２０ Ｏｒａｍ、支持層４としてチタン（ＴＩ）膜を１
０ｎｍ順次積層し、しかる彼、波［５１４ｎｍのアルゴ
ンガスレーザービーム（図示せず）を収束照射し、支持
層４を局部的に加熱することにより、支持層４を透過層
３よシ剥離させ、最大ギャップ長が約’ｌ ＯＱ ｎｍ
の気泡５を形成した。次に、支持層４の上全面に記録層
６と【２てデルル（’Ｉ’ｅ）膜を２０ｎｍ被着した。
明する。第１図は本発明の一実施例における光Ｈ己録媒
体の断面図である。まず、ポリメチルメタクリレート（
ＰＭＭＡ）基板１の上に反射層２としてアルミニウム（
Ａｌ）膜を３０八ｍ１透過ノ＠３としてｉ％分子）模を
２０ Ｏｒａｍ、支持層４としてチタン（ＴＩ）膜を１
０ｎｍ順次積層し、しかる彼、波［５１４ｎｍのアルゴ
ンガスレーザービーム（図示せず）を収束照射し、支持
層４を局部的に加熱することにより、支持層４を透過層
３よシ剥離させ、最大ギャップ長が約’ｌ ＯＱ ｎｍ
の気泡５を形成した。次に、支持層４の上全面に記録層
６と【２てデルル（’Ｉ’ｅ）膜を２０ｎｍ被着した。
このよう々配録癖体の気泡５の上の部分に波長８３０
ｎｍの半導体レーザービーム７を収束照射して第２図の
ようにピッ）２０を形成した。このときに必要であった
レーザーパワーは、ＰＭＭＡ基板の上に１０ ｎｍ厚の
Ｔｉ膜、２０ｎｍ厚のＴｅ膜を順次積層した記録媒体に
ビットを形成するに必要であったレーザーパワーの半分
以下であった。このように記録が高感度化された主な原
因は、ビットを形成すべき記録層の下の支持層の下が気
泡であることにより、記録層及び支持層からの熱の流出
が阻止されたためである。波長８３゜７”ｔｍの低パワ
ーの半導体レーザービームを照射して読み出しを行なっ
たところ、ビット形成にょシ反射率は４５％から２１％
に変化し、充分な幌調度が得られた。また、気泡の上の
Ｔｅ膜の反射率は４５％であるのに比べ、気泡のない部
分のＴｅッキングを行なうことができた。
ｎｍの半導体レーザービーム７を収束照射して第２図の
ようにピッ）２０を形成した。このときに必要であった
レーザーパワーは、ＰＭＭＡ基板の上に１０ ｎｍ厚の
Ｔｉ膜、２０ｎｍ厚のＴｅ膜を順次積層した記録媒体に
ビットを形成するに必要であったレーザーパワーの半分
以下であった。このように記録が高感度化された主な原
因は、ビットを形成すべき記録層の下の支持層の下が気
泡であることにより、記録層及び支持層からの熱の流出
が阻止されたためである。波長８３゜７”ｔｍの低パワ
ーの半導体レーザービームを照射して読み出しを行なっ
たところ、ビット形成にょシ反射率は４５％から２１％
に変化し、充分な幌調度が得られた。また、気泡の上の
Ｔｅ膜の反射率は４５％であるのに比べ、気泡のない部
分のＴｅッキングを行なうことができた。
なお、本実施例では記録層としてＩｌｌ ｅ膜を用いた
が、他の低融点金属及び有機染料尋の他のビット形成材
召を用いてもよいことはいうまでもない。
が、他の低融点金属及び有機染料尋の他のビット形成材
召を用いてもよいことはいうまでもない。
また、気泡形成のための層構造として、ここではＴｉ膜
／高分子ｆｌｕ／Ａ！膜を用いたが、他の気泡形成層構
造を用いてもよいこともいうまでもない。
／高分子ｆｌｕ／Ａ！膜を用いたが、他の気泡形成層構
造を用いてもよいこともいうまでもない。
以」二述べたように、本発明によれば高感度の光記録を
可能とする光記録方式が得られる。
可能とする光記録方式が得られる。
第１図は本発明の一実施例における記録媒体を示す断面
図でありｓｍ２図はこの記録媒体に記録した彼の状態を
示す断面図である。 図において、１は基板、２は反射層、３は透過層、４は
支持層、５は気泡、６は記録層、７はレーザニビーム、
２０はビットを表わす。 ５− 療１劃 を２頂
図でありｓｍ２図はこの記録媒体に記録した彼の状態を
示す断面図である。 図において、１は基板、２は反射層、３は透過層、４は
支持層、５は気泡、６は記録層、７はレーザニビーム、
２０はビットを表わす。 ５− 療１劃 を２頂
Claims (1)
- 収束したレーザービームを照射して記録層に幾何学的形
状変化（ピット）を形成することによシ記録を行なう光
記録方式において、基板の上に積層された層の中の第一
の層と、該第−の層の直上にあ）かつ該記録層の下にあ
る第二の層の間に気泡があシ、該気泡の上の部分の該記
録層にピットを形成して記録を行なうことを特徴とする
光記録方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57115214A JPS595097A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 光記録方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57115214A JPS595097A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 光記録方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS595097A true JPS595097A (ja) | 1984-01-11 |
| JPH0420793B2 JPH0420793B2 (ja) | 1992-04-06 |
Family
ID=14657184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57115214A Granted JPS595097A (ja) | 1982-07-02 | 1982-07-02 | 光記録方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS595097A (ja) |
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| JPS61132381A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-19 | Tdk Corp | 光カ−ド |
| JPS63257623A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 熱収縮チユ−ブおよびその製造方法 |
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-
1982
- 1982-07-02 JP JP57115214A patent/JPS595097A/ja active Granted
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| US6908728B2 (en) | 2002-04-15 | 2005-06-21 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser marking on photosensitive material and photosensitive material including the marking |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0420793B2 (ja) | 1992-04-06 |
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