DE68922085D1 - Halbleiteranordung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordung. - Google Patents

Halbleiteranordung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordung.

Info

Publication number
DE68922085D1
DE68922085D1 DE68922085T DE68922085T DE68922085D1 DE 68922085 D1 DE68922085 D1 DE 68922085D1 DE 68922085 T DE68922085 T DE 68922085T DE 68922085 T DE68922085 T DE 68922085T DE 68922085 D1 DE68922085 D1 DE 68922085D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor device
manufacturing
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE68922085T
Other languages
English (en)
Other versions
DE68922085T2 (de
Inventor
Ivo Johannes Mecht Raaijmakers
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Electronics NV filed Critical Philips Electronics NV
Application granted granted Critical
Publication of DE68922085D1 publication Critical patent/DE68922085D1/de
Publication of DE68922085T2 publication Critical patent/DE68922085T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204Conductive materials
    • H01L23/53209Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
    • H01L23/53214Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being aluminium
    • H01L23/53223Additional layers associated with aluminium layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
DE68922085T 1989-01-04 1989-12-21 Halbleiteranordung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordung. Expired - Fee Related DE68922085T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8900010A NL8900010A (nl) 1989-01-04 1989-01-04 Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE68922085D1 true DE68922085D1 (de) 1995-05-11
DE68922085T2 DE68922085T2 (de) 1995-11-02

Family

ID=19853902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE68922085T Expired - Fee Related DE68922085T2 (de) 1989-01-04 1989-12-21 Halbleiteranordung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordung.

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5040049A (de)
EP (1) EP0377245B1 (de)
JP (1) JPH02222575A (de)
CN (1) CN1024066C (de)
DE (1) DE68922085T2 (de)
NL (1) NL8900010A (de)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2688446B2 (ja) * 1990-03-26 1997-12-10 株式会社日立製作所 多層配線基板およびその製造方法
DE69125210T2 (de) * 1990-05-31 1997-08-07 Canon Kk Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer Verdrahtungsstruktur hoher Dichte
EP0499433B1 (de) * 1991-02-12 1998-04-15 Matsushita Electronics Corporation Halbleiter-Vorrichtung mit Verdrahtung der verbesserten Zuverlässigkeit und Verfahren zu ihner Herstellung
EP0525517A1 (de) * 1991-08-02 1993-02-03 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Auffüllung mindestens eines Kontaktloches in einer isolierenden Schicht
JP2710221B2 (ja) * 1995-01-25 1998-02-10 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
JPH10125865A (ja) * 1996-10-15 1998-05-15 Fujitsu Ltd 半導体装置、半導体記憶装置、およびその製造方法
US6143655A (en) 1998-02-25 2000-11-07 Micron Technology, Inc. Methods and structures for silver interconnections in integrated circuits
US6121126A (en) * 1998-02-25 2000-09-19 Micron Technologies, Inc. Methods and structures for metal interconnections in integrated circuits
US6492694B2 (en) 1998-02-27 2002-12-10 Micron Technology, Inc. Highly conductive composite polysilicon gate for CMOS integrated circuits
US6815303B2 (en) * 1998-04-29 2004-11-09 Micron Technology, Inc. Bipolar transistors with low-resistance emitter contacts
US6894915B2 (en) * 2002-11-15 2005-05-17 Micron Technology, Inc. Method to prevent bit line capacitive coupling
US20090014869A1 (en) * 2004-10-29 2009-01-15 Vrtis Joan K Semiconductor device package with bump overlying a polymer layer

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4107726A (en) * 1977-01-03 1978-08-15 Raytheon Company Multilayer interconnected structure for semiconductor integrated circuit
JPS592352A (ja) * 1982-06-28 1984-01-07 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4871617A (en) * 1984-04-02 1989-10-03 General Electric Company Ohmic contacts and interconnects to silicon and method of making same
US4566026A (en) * 1984-04-25 1986-01-21 Honeywell Inc. Integrated circuit bimetal layer
US4796081A (en) * 1986-05-02 1989-01-03 Advanced Micro Devices, Inc. Low resistance metal contact for silicon devices
JPH0779136B2 (ja) * 1986-06-06 1995-08-23 株式会社日立製作所 半導体装置
JPS63160328A (ja) * 1986-12-24 1988-07-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
US4824803A (en) * 1987-06-22 1989-04-25 Standard Microsystems Corporation Multilayer metallization method for integrated circuits
JP2776826B2 (ja) * 1988-04-15 1998-07-16 株式会社日立製作所 半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0377245A1 (de) 1990-07-11
US5040049A (en) 1991-08-13
JPH02222575A (ja) 1990-09-05
EP0377245B1 (de) 1995-04-05
DE68922085T2 (de) 1995-11-02
CN1024066C (zh) 1994-03-16
NL8900010A (nl) 1990-08-01
CN1044014A (zh) 1990-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69022087D1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung.
DE68917995D1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung.
DE68919549D1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung.
DE69004842D1 (de) Strahlungemittierende Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen einer derartigen Halbleiteranordnung.
DE69030229D1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE69033736D1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE68911621D1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Einrichtung.
DE69133316D1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE69031184D1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterbauelement-Packung
DE69131586D1 (de) Strahlungsemittierende Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen einer derartigen Halbleiteranordnung
DE69031543D1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE68917046D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum automatischen Abfasen einer Halbleiterplatte.
DE3884903D1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Abschneiden einer Halbleiterscheibe.
KR900012368A (ko) 반도체 장치의 제조 방법
DE3750325D1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements.
DE68920094D1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung.
DE69132934D1 (de) Strahlungsemittierende Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE69028964D1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE3784605D1 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung und halbleitervorrichtung.
DE69017332D1 (de) Verfahren zum Herstellen einer eine Mesa enthaltenden Halbleiteranordnung.
DE68906034D1 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung.
DE69226887D1 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen einer derartigen Halbleiteranordnung
DE68918149D1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung.
DE68922085D1 (de) Halbleiteranordung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordung.
DE3877282D1 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiter-vorrichtung.

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee