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Technisches Gebiet:
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Siebdruckverfahren, in
dem eine Paste, wie z.B. Lötpaste,
auf ein Werkstück
gedruckt wird.
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Stand der Technik:
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Als
Lötverfahren
für elektronische
Bauteile sind Verfahren mit Lothügeln
oder einer Vorabbeschichtung mit Lötmittel bekannt. In diesem
Verfahren wird auf eine Elektrode des Werkstücks, wie z.B. eines elektronischen
Bauteils oder des Trägermaterials
ein Lothügel,
d.h. eine hervorstehende Elektrode aus Lötmittel zum Löten, oder
eine Beschichtung aus Lötmittel
gebildet. Als Verfahren zur Lieferung des Lötmittels sind Siebdruckverfahren
in diesem Prozess weit verbreitet. In diesem Verfahren wird Lötpaste auf
die Oberseite des Werkstücks
durch ein Musterloch, das auf einer Schablonenplatte vorgesehen
ist, gedruckt.
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In
der letzten Zeit werden die elektronischen Bauteile immer kleiner
und der Abstand der auf dem Erzeugnis gebildeten Elektroden wird
ebenfalls immer kleiner und viele Elektroden sind mit einer hohen Dichte
angeordnet. Eine Schablonenmaske, die verwendet wird, um Erhebungen
auf diesen Elektroden zu bilden, hat eine viel kleinere Schablonendicke
als hekömmliche
Schablonenplatten, die zum Drucken von Lötmittel auf eine gedruckte
Leiterplatte verwendet werden. Wenn jedoch das herkömmliche
Siebdruckverfahren unverändert
für den
Siebdruck mit dünnen
Schablonenplatten für
Erzeugnisse verwendet wird, bei denen die Elektroden eine hohe Dichte haben,
treten die folgenden Probleme auf.
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Um
eine gute Druckqualität
des Siebdrucks zu gewährleisten,
ist ein sicheres Füllen
der Musterlöcher
mit Lötpaste
und ein gutes Trennvermögen der
Lötpaste
von den Musterlöchern
erforderlich, wobei die Form erhalten bleiben soll, wenn die Schablonenplatte
von dem Erzeugnis nach dem Auffüllvorgang
getrennt wird. In dem Maße,
in dem die Elektroden immer dichter angeordnet werden und die Schablone
immer dünner
gemacht wird, nehmen die Probleme beim Drucken zu. Insbesondere
ist es sehr schwierig, ein gleichförmiges und gutes Plattentrennvermögen über die
gesamte Oberfläche
des Erzeugnisses sicher zu stellen.
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Aus
der US-Patentschrift 5,623,872 ist ein Verfahren zum Drucken von
Lötpaste
auf eine gedruckte Leiterplatte bekannt, in dem die Leiterplatte von
der Schablonenplatte unter Verwendung von ruckartigen Bewegungen,
die aus einer Folge von Geschwindigkeitspulsen bestehen, getrennt
wird. Die Geschwindigkeitspulse können entweder von gleicher
Amplitude sein oder aus einem ersten Puls mit einer hohen Amplitude
bestehen, der von Pulsen mit allmählich zunehmender Geschwindigkeitsamplitude gefolgt
wird.
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Offenbarung der Erfindung:
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Es
ist daher ein Ziel der Erfindung, ein Siebdruckverfahren anzugeben,
das ein gutes Plattentrennvermögen
sicherstellt.
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Dies
wird durch die Merkmale des unabhängigen Anspruchs erreicht.
Bevorzugte Ausführungsformen
sind Gegenstand der abhängigen
Ansprüche.
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In Übereinstimmung
mit der Erfindung wird zu Beginn des Plattentrennungsvorgangs, bei
dem das Erzeugnis in der Richtung bewegt wird, in der sich das Erzeugnis
von der Schablonenplatte trennt, die Bewegungsgeschwindigkeit bis
zu einer oberen Grenzgeschwindigkeit beschleunigt und danach bis zu
einer unteren Grenzgeschwindigkeit, wie in den vorliegenden Ansprüchen beschrieben,
abgebremst, wobei die Viskosität
der Paste in dem Musterloch zu Beginn des Plattentrennungsvorgangs
herabgesetzt wird und ein gutes Plattentrennvermögen über den gesamten Bereich des
Trägermaterials
sichergestellt werden kann.
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Kurze Beschreibung der
Zeichnungen:
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1 ist
eine teilweise Schnittzeichnung einer Siebdruckvorrichtung gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung;
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2 ist
eine teilweise Schnittzeichnung der Siebdruckvorrichtung gemäß einer
Ausführungsform der
Erfindung;
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3A bis 3E sind
Abbildungen zur Erläuterung
eines Siebdruckvorgangs in der Siebdruckvorrichtung gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung;
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4A bis 4C sind
Diagramme und Abbildungen zur Erläuterung eines Plattentrennungsvorgangs
in dem Siebdruckvorgang gemäß einer Ausführungsform
der Erfindung;
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5A bis 5C sind
Diagramme, die Plattentrennungsvorgangsmuster in dem Siebdruckvorgang
gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung zeigen;
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6 ist
ein Diagramm, das ein Plattentrennungsvorgangsmuster in dem Siebdruckvorgang
gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung zeigt;
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7A bis 7E sind
Diagramme, die Plattentrennungsvorgangsmuster in dem Siebdruckvorgang
gemäß einer
Ausführungsform
der Erqfindung zeigen;
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Beste Art und Weise zur
Ausführung
der Efindung:
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Als
nächstes
wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen eine Ausführungsform
der Erfindung beschrieben. 1 und 2 sind
teilweise Schnittzeichnungen einer Siebdruckvorrichtung in einer Ausführungsform
der Erfindung, 3A bis 3E sind
Abbildungen, die einen Siebdruckvorgang in der Siebdruckvorrichtung
in einer Ausführungsform
der Erfindung zeigen, 4A bis 4C sind
ein Diagramm und Abbildungen, die einen Plattentrennungsvorgang
in dem Siebdruckvorgang in einer Ausführungsform der Erfindung zeigen,
und 5A bis 5C, 6,
und 7A bis 7E sind
Diagramme, die Plattentrennungsmuster in dem Siebdruckvorgang in
einer Ausführungsform
der Erfindung zeigen.
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Zunächst wird
unter Bezugnahme auf 1 und 2 der Aufbau
der Siebdruckvorrichtung beschrieben. In 1 umfasst
eine Substratpositionierungseinheit 1 einen Y-Achsentisch 2,
in einen X-Achsentisch 3, einen Q-Achsentisch 4 und
einen Z-Achsentisch 5,
die übereinander
gelagert sind. Auf dem Z-Achsentisch 5 ist eine Substrataufnahmeeinheit
(6) angeordnet, die die Unterseite eines Substrats 7 aufnimmt,
das das zu bedruckende Werkstück ist,
und hält
das Substrat 7. Das Substrat 7 auf der Substrataufnahmeeinheit 6 ist
durch die Klemme 8 festgeklemmt.
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Wie
in 2 gezeigt, enthält der Q-Achsentisch 4 eine
Drehplatte 4a, die sich durch einen Schaft 16 um
eine vertikale Achse dreht, und der Schaft 16 wird über einen
Riemen 17 durch einen Q-Motor 15 angetrieben,
so dass sich die Drehplatte 4a um eine vertikale Achse
dreht. Der Z-Achsentisch 5 enthält eine Auf- und Ab-Platte 5a,
die durch einen Gleitschaft 18 geführt wird, um sich auf und ab
zu bewegen, und eine vertikale Vorschubschraube 21 ist
in eine Schraubenmutter 22 eingepasst, die auf der Auf- und
Ab-Platte 5a befestigt
ist. Die Vorschubschraube 21 wird durch einen Schneckenantrieb 20 über einen Z-Motor 19 angetrieben
und der Antrieb des Z-Motors 19 bewegt die Auf- und Abplatte 5a auf
und ab, wodurch sich das Substrat 7 auf der Substrataufnahmeeinheit 6 auf
und ab bewegt.
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Der
Z-Motor 19 wird über
eine Z-Achsen-Antriebseinheit 23 angetrieben und die Z-Achsen-Antriebseinheit 23 wird
durch einen Steuerabschnitt 24 gesteuert. In einem Plattentrennungsmusterspeicher 25 ist
ein Plattentrennungsvorgangsmuster gespeichert, welches später beschrieben
wird. In einem Siebdruckvorgang steuert der Steuerabschnitt 24 die Z-Achsenantriebseinheit 23 auf
Basis des Plattentrennungsvorgangsmusters, wodurch der Plattentrennungsvorgang
der Trennung des Substrats 7 von einer Schablonenplatte 12 mit
dem vorbestimmten Vorgangsmuster durchgeführt werden kann.
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Über der
Substratpositionierungseinrichtung 1 ist ein Siebdruckabschnitt 10 vorgesehen.
Der Siebdruckabschnitt 10 enthält eine Schablonenplatte 12,
die durch einen rahmenförmigen
Halter 11 gehalten wird. Auf der Schablonenplatte 12 ist
eine Rakeleinheit 13 vorgesehen, die in Y-Richtung durch
einen Rakelbewegungstisch (nicht eingezeichnet) bewegt werden kann.
Wie in 1 gezeigt, enthält die Rakeleinheit 13 ein
Paar von Rakeln 14, die über einen Zylinder 15 auf
und ab bewegt werden. Wenn das Substrat 7 mit der Unterseite
der Schablonenplatte 12 in Kontakt gebracht wurde, wird
der Zylinder 15 angetrieben, wodurch der Rakel 14 abgesenkt
wird und sein unteres Ende mit der Oberseite der Schablonenplatte 12 in
Kontakt kommt.
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Als
nächstes
wird unter Bezugnahme auf die 3A bis 3E der
Siebdruckvorgang beschrieben. In dem hier auszuführenden Siebdruck wird Lötpaste auf
das Substrat 7 gedruckt, um Lothügel auf dem Substrat 7 zu
bilden. Außerdem
wird eine dünne Schablonenmaske 12 verwendet,
in der die Musterlöcher 12a mit
hoher Dichte ausgebildet sind. Das Drucken mit dieser Art von Schablonenplatte
ist sehr schwierig und insbeson dere bei dem Plattentrennungsvorgang
nach dem Rakelvorgang ist es schwierig, die Platten gleichmäßig über den
gesamten Bereich des Substrats zu trennen.
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Obwohl
nämlich
die Haftkraft groß ist
bei der Plattentrennung, da die Musterlöcher mit hoher Dichte vorgesehen
sind, und da die Schablonenplatte selbst dünn und leicht zu biegen ist,
kann die Schablonenplatte beim Trennen der Platten leicht nach unten
gezogen werden, wenn das Substrat nach unten bewegt wird. Demzufolge
wird ein Zeitunterschied beim Trennen der Platten zwischen dem Randbereich
des Substrats und seinem mittleren Bereich erzeugt, so dass es schwierig
ist, die Parameter für eine
gleichförmige
Plattentrennung einzustellen. Der in der Ausführungsform gezeigte Siebdruck
wird auf einen derartigen, hochgradig schwierigen Siebdruck zur
Bildung der Lothügel
angewendet, und die Sicherheit eines guten und gleichförmigen Plattentrennvermögens wird
durch das folgende Verfahren realisiert.
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Wie
in 3A gezeigt, wird das Substrat 7 auf der
Substrataufnahmeeinheit 6 zwischen die Klemmen 8' gelegt und
von ihnen festgehalten und der Z-Achsentisch 5 wird angetrieben,
um die Substrataufnahmeeinheit 6 anzuheben. Dadurch hebt
sich das Substrat 7 und wird mit der Unterseite der Schablonenplatte 12 in
Kontakt gebracht (Schablonenauflegeschritt). Dabei wird die Oberseite
des Substrats 7 um einen vorbestimmten Betrag H weiter
angehoben, um von unten von der normalen Höhenposition der Unterseite
der Schablonenplatte 12 zu drücken, so dass der Kontakt zwischen
dem Substrat 7 und der Schablonenplatte 12 in
einem Zustand unter Druck von unten ist.
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Wie
als nächstes
in 3B gezeigt wird, wird der Rakel 14 mit
der Schablonenplatte 12 in Kontakt gebracht, und der Rakel 14 wird
horizontal bewegt, wobei die Lötpaste 9 auf
der Schablonenplatte 12 aufgebracht wird. Durch diesen
Rakelvorgang wird, wie in 3C gezeigt
wird, die Lötpaste 9 in
jedes der Musterlöcher 12a gefüllt (Rakelschritt).
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Als
nächstes
wird der Plattentrennungsvorgang ausgeführt. Der Z-Achsentisch 5 wird
angetrieben, um die Substrataufnahmeeinheit 6 abzusenken und
das Substrat 7 wird von der Unterseite der Schablonenplatte 12 getrennt,
wobei die in die Musterlöcher 12 gefüllte Fluidpaste 9 auf
dem Substrat 7 kleben bleibt. Dabei wird, wie in 3D gezeigt,
die Trennung des Substrats 7 von der Schablonenplatte 12 vom
Randbereich des Substrats 7 aus gestartet. Wenn die Trennung
des Randbereichs gestartet wurde, wird der mittlere Bereich des
Substrats 7 eng an der Schablonenplatte kleben gelassen.
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Danach
wird die Substrataufnahmeeinheit 6 weiter abgesenkt, wodurch,
wie in 3E gezeigt, sich die Schablonenplatte 12 von
der Oberseite des Substrats 7 im ganzen Bereich des Substrats 7 trennt,
und die Plattentrennung schrittweise ausgeführt wird (Plattentrennungsschritt).
Damit ist der Siebdruckvorgang des Druckens der Lötpaste 9 auf die
Oberseite des Substrats 7 beendet.
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Unter
Bezugnahme auf die 4A bis 4C wird
als nächstes
ein Vorgangsmuster des Plattentrennungsvorgangs in dem obigen Siebdruckvorgang
beschrieben. 4A zeigt ein Geschwindigkeitsmuster
des Z-Motors 19 in diesem Plattentrennungsvorgang. Dabei
wird der Plattentrennungsvorgang durch eine Beziehung zwischen dem
absteigenden Weg S, der den Abstiegsbetrag angibt, wenn die Substrataufnahmeeinheit 6 abgesenkt
wird, und der Abstiegsgeschwindigkeit V bestimmt.
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Das
Plattentrennungsvorgangsmuster hat eine Form, in der eine Bewegungsgeschwindigkeit (Abstiegsgeschwindigkeit
V), bei der das Substrat 7 in der absteigenden Richtung
bewegt wird (in der Richtung, in der das Substrat 7 von
der Schablonenplatte 12 getrennt wird), gemäß eines
gleichmäßigen Musters
wiederholt erhöht
und verringert wird. Wie in 4A gezeigt,
wird nämlich,
während
das Substrat 7 allmählich
in der Reihenfolge der Wege S1, S2, S3 und S4 vom Start des Abstiegs
an abgesenkt wird, ein Beschleunigungs- und Entschleunigungsmuster, bei
dem die Abstiegsgeschwindigkeit V auf jeweils eine obere Grenzgeschwindigkeit
Vu1, Vu2, Vu3 und Vu4 beschleunigt wird und danach auf eine untere Grenzgeschwindigkeit
(Geschwindigkeit Null) abgebremst wird, mehrfach wiederholt.
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Ein
Weg S1 entspricht einem anfänglichen Weg
S(I) zu Beginn des Plattentrennungsvorgangs und die Gesamtheit der
Wege S2, S3 und S4 entsprechen einem nachfolgenden Weg S(P)7, der
sich durch Subtraktion des anfänglichen
Weges S(I) von dem gesamten Abstiegsweg S(T) ergibt. Dabei entspricht
der gesamte Abstiegsweg S(T) dem Weg, der erforderlich ist, um die
in die Musterlöcher 12a gefüllte Lötpaste 9 vollständig von
den Musterlöchern 12a im
Plattentrennungsvorgang zu trennen. Das Substrat 7 wird
nämlich
durch den gesamten Abstiegsweg S(T) abgesenkt, wobei der Plattentrennungsvorgang abgeschlossen
wird und danach wird das Substrat 7 schnell auf eine Höhe für den Substrattransport
abgesenkt.
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Dabei
ist die obere Grenzgeschwindigkeit Vu1 in der ersten Beschleunigung
und Entschleunigung größer eingestellt,
als die obere Grenzgeschwindigkeit Vu2, Vu3, Vu4 in den nachfolgenden Beschleunigungen
und Entschleunigungen. In diesem Platten trennungsvorgangsmuster
ist nämlich
die anfängliche
obere Grenzgeschwindigkeit (Vu1), die die obere Grenzgeschwindigkeit
zu Beginn des Plattentrennungsvorgangs darstellt, größer eingestellt, als
die nachfolgenden oberen Grenzgeschwindigkeiten (Vu2, Vu3, und Vu4),
die die oberen Grenzgeschwindigkeiten von der Mitte des Plattentrennungsvorgangs
an darstellen. Die nachfolgenden oberen Grenzgeschwindigkeiten Vu2,
Vu3 und Vu4 zeigen ein Muster (vgl. die durch eine gestrichelte
Linie in der Abbildung dargestellte Kurve), in der der Betrag der
Abbremsung mit der Zunahme des absteigenden Weges kleiner wird und
sie sind so eingestellt, dass der Reihe nach eine sanftere Beschleunigung
ausgeführt
wird. Mit anderen Worten, die Beschleunigungs- und Entschleunigungsmuster
sind in diesen Plattentrennungsvorgang so eingestellt, dass die
nachfolgenden oberen Grenzgeschwindigkeiten allmählich kleiner werden.
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4B und 4C zeigen
die relative Bewegung zwischen dem Substrat 7 und der Schablonenplatte 12 und
eine Bewegung der Lötpaste 9 in dem
Musterloch 12a jeweils in dem ersten Weg S(I) und dem nachfolgenden
Weg S(P). Im anfänglichen Weg
S(I), der in 4B dargestellt ist, wirkt eine hohe
Beschleunigung aufgrund der Beschleunigung und Entschleunigung der
großen
oberen Grenzgeschwindigkeit Vu1. Daher wirken stoßartige
Scherkräfte
auf die Kontaktfläche
zwischen der inneren Oberseite des Musterlochs 12a und
der eingefüllten Lötpaste 9,
wodurch die Viskosität
der Lötpaste 9 in der
Nähe der
Kontaktfläche
stark abnimmt.
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Da
bei diesem anfänglichen
Weg S(I) der Kontakt zwischen dem Substrat 7 und der Schablonenplatte 12 von
unten während
des Rakelns unter Druck steht, bewegt sich die Schablonenplatte 12 annähernd in Übereinstimmung
mit dem Abstieg des Substrats 7 und die Oberseite des Substrats 7 hat noch
nicht begonnen, sich von der Unterseite der Schablonenplatte 12 zu
trennen. Daher wird die Absenkung der Viskosität der Lötpaste 9 im gesamten Bereich
des Substrats 7 erreicht. Zu Beginn des Plattentrennungsvorgangs,
bei dem Substrat 7 durch den anfänglichen Weg (S) abgesenkt
wird, ist es möglich, das
Plattentrennvermögen
gleichförmig
zu verbessern, wenn sich die Lötpaste 9 von
dem Musterloch 12a über
den gesamten Druckbereich des Substrats 7 hinweg trennt.
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In
dem nachfolgenden Weg S(P), bei dem das Substrat 7 sich über den
Betrag h zum Andrücken
von unten, wie in 3A gezeigt, absenkt, beginnt
außerdem
das Substrat 7 sich von der Schablonenplatte 12 wie
in 4B gezeigt, zu trennen. Da sich das Substrat 7 dabei
absenkt, während
es die Beschleunigung und Abbremsung wiederholt, wir ken die stoßartigen
Scherkräfte
wiederholt auf die Kontaktfläche
zwischen der inneren Oberfläche
des Musterlochs 12a und der eingefüllten Lötpaste 9, wodurch
die Abnahme der Viskosität
der Lötpaste 9 in der
Nähe der
Kontaktfläche
auch in den nachfolgenden Wegen S(P) anhält. Selbst wenn die Erfindung auf
ein Substrat mit hoher Druckdichte angewendet wird, kann der Plattentrennungsvorgang
ohne Nachteile realisiert werden, so dass ein gutes Druckergebnis
erzielt werden kann.
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5A bis 5C und 6 zeigt
andere Beispiele des Plattentrennungsmusters. 4A bis 5C zeigen
drei Musterbeispiele, die sich in der Kombination der oberen Grenzgeschwindigkeiten des
Beschleunigungs- und Entschleunigungsmusters in den aufeinanderfolgenden
Wegen S(P) unterscheiden. 5A zeigt
ein Beispiel, in dem mehrere Beschleunigungs- und Entschleunigungsmuster
(vgl. die durch eine gestrichelte Linie dargestellte gerade Linie
in der Abbildung) so eingestellt sind, dass die nachfolgenden oberen
Grenzgeschwindigkeiten Vu2, Vu3 und Vu4 linear mit der Zunahme des
Abstiegswegs abnehmen. 5B zeigt ein Beispiel, in dem mehrere
Beschleunigungs- und
Entschleunigungsmuster (vgl. die durch eine gestrichelte Linie in
der Abbildung dargestellte Kurve) so eingestellt sind, dass der
Betrag der Abbremsung der nachfolgenden oberen Grenzgeschwindigkeiten
Vu2, Vu3 und Vu4 mit der Zunahme des Abstiegswegs zunehmen. Außerdem kann
in dem nachfolgenden Weg S(P), wie in 5C gezeigt,
das Substrat 7 mit konstanter Geschwindigkeit V2 abgesenkt
werden, die kleiner ist als die anfängliche obere Grenzgeschwindigkeit
Vu1.
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6 zeigt
ein Beispiel, in dem mehrere Beschleunigungs- und Entschleunigungsmuster
so eingestellt sind, dass die Beschleunigung und Abbremsung mit
der gleichen anfänglichen
oberen Grenzgeschwindigkeit Vu1 für eine kurze Zeit in dem anfänglichen
Weg S(I) wiederholt werden und danach die nachfolgenden oberen Grenzgeschwindigkeiten
Vu2, Vu3 und Vu4 allmählich
abnehmen. In diesem Beispiel wirkt eine hohe Beschleunigung wiederholt
auf die Lötpaste 9 in
dem Musterloch 12a zu Beginn des Plattentrennungsvorgangs.
Daher kann die Viskosität
der Lötpaste 9 in
der Kontaktfläche
mit dem Musterloch 12a stark herabgesetzt werden, so dass
sich das Plattentrennungsvermögen
stark verbessert.
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In
den 4A bis 6 gezeigten Beschleunigungs-
und Entschleunigungsmustern ist die untere Grenzgeschwindigkeit
auf Null gesetzt und der Abstiegsvorgang wird vorübergehend
gestoppt. Es ist jedoch nicht immer nötig, die untere Grenzgeschwindigkeit
auf Null zu setzen. Solange nämlich
die Beschleunigungs- und Entschleunigungsbedin gungen so eingestellt
sind, dass der Lötpaste 9 in
dem Musterloch 12a durch die plötzliche Beschleunigung und
Abbremsung, die durch die Beschleunigung der Abstiegsgeschwindigkeit
bis zu einer oberen Grenzgeschwindigkeit nach der Abbremsung der
Abstiegsgeschwindigkeit erzeugt wird, ein Stoß gegeben wird, kann die untere
Grenzgeschwindigkeit auf jeden Wert gesetzt werden.
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Wie
oben beschrieben, wird in dem in der Ausführungsform gezeigten Siebdruckverfahren
die Beschleunigung und Abbremsung bei der hohen oberen Grenzgeschwindigkeit
zu Beginn des Plattentrennungsvorgangs ausgeführt, wodurch die stoßartige
Beschleunigung auf die Lötpaste 9 in
dem Musterloch 12a ausgeübt wird, so dass sich die Viskosität der Lötpaste 9 absenkt.
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Selbst
im Fall einer dünnen
Schablonenplatte mit einer hohen Dichte von Musterlöchern, wie
sie zum Drucken von Lötpaste
zur Bildung von Lothügeln verwendet
wird, tritt das Problem des herkömmlichen Siebdrucks
nicht auf, bei dem durch die Zeitverzögerung beim teilweisen Ablösen des
Substrats von der Schablonenplatte eine Ungleichmäßigkeit
der Plattentrennung verursacht wird, so dass es möglich ist, die
gleichförmige
Qualität
des Drucks sicherzustellen.
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In
den in 4A bis 6 dargestellten
Beschleunigungs- und Entschleunigungsmustern wird in dem Abbremsvorgang
nachdem die Bewegungsgeschwindigkeit zu Beginn des Plattentrennungsvorgangs
auf die obere Grenzgeschwindigkeit angehoben wurde, die Beschleunigung
und Abbremsung wiederholt. In einer Ausführungsform, die nicht mit den
vorliegenden Ansprüchen übereinstimmt,
kann dieser Abbremsvorgang mit den in 7A bis 7E gezeigten
Mustern ausgeführt
werden. Wie nämlich
in den 7A, 7B, 7C, 7D und 7E gezeigt
wird, wird in dem Abbremsvorgang, nachdem die Bewegungsgeschwindigkeit
auf die obere Grenzgeschwindigkeit zu Beginn des Plattentrennungsvorgangs
erhöht
wurde, die Abbremsung kontinuierlich ohne Wiederholung der Beschleunigung
und Entschleunigung durchgeführt.
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Hier
entsprechen die in 7A, 7B, 7C, 7D und 7E gezeigten
Muster jeweils den Beschleunigungs- und Entschleunigungsmustern,
die in 4A, 5A, 5B, 5C und 6 gezeigt
sind, und sie sind Muster, in denen die Bewegungsgeschwindigkeit
gemäß einer
einhüllenden
Kurve (vgl. die gestrichelten Linien in 4, 5A und 5B),
die die aufeinanderfolgenden oberen Grenzgeschwindigkeiten verbindet,
kontinuierlich abgebremst wird. In derartigen Beschleunigungs- und
Entschleunigungsmustern wird die stoßartige Beschleunigung auf
die Lötpaste
in dem Musterloch 12a zu Beginn des Plattentrennungsvorgangs angewendet,
so dass die Viskosität
der Lötpaste 9 herabgesetzt
wird.
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Zu
Beginn des Plattentrennungsvorgangs, bei dem das Werkstück in der
Richtung bewegt wird, in der sich das Werkstück von der Schablonenplatte trennt,
wird in Übereinstimmung
mit dieser Erfindung die Bewegungsgeschwindigkeit auf eine obere Grenzgeschwindigkeit
beschleunigt und danach auf eine untere Grenzgeschwindigkeit abgebremst,
wodurch die Viskosität
der Paste in dem Musterloch zu Beginn des Plattentrennungsvorgangs
herabgesetzt wird und ein gutes Plattentrennungsvermögen über den
gesamten Bereich des Substrats sichergestellt werden kann. Außerdem wird
die obere Grenzgeschwindigkeit zu Beginn des Plattentrennungsvorgangs,
bei dem das Beschleunigungs- und Entschleunigungsmuster, bei dem
die Bewegungsgeschwindigkeit mit der das Werkstück in der Richtung bewegt wird,
in der das Werkstück
sich von der Schablonenplatte trennt, und danach auf die untere Grenzgeschwindigkeit
abgebremst wird, mehrfach wiederholt wird, größer eingestellt, als die nachfolgenden
oberen Grenzgeschwindigkeiten von der Mitte des Plattentrennungsvorgangs
an, wodurch ein besseres Plattentrennungsvermögen sichergestellt werden kann.