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Diese
Erfindung bezieht sich auf Systeme und Verfahren zum Lesen oder
Erfassen von Speicherzellen in Speicherzellenarrays.
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Im
Allgemeinen umfasst ein Speichersystem eine Mehrzahl von Speicherelementen,
die in einem Array von Zellen angeordnet sind, auf die individuell zugegriffen
werden kann. Viele unterschiedliche Speichersysteme sind für unterschiedliche
Anwendungen verfügbar.
Flüchtige
Speicher zum Beispiel (z. B. dynamische Direktzugriffsspeicher),
die eine kontinuierliche Leistungsquelle erfordern, um Inhalte derselben
zu halten, liefern eine hohe Speicherungskapazität und vielseitige Programmierungsoptionen für mikroprozessorbasierte
Anwendungen. Nichtflüchtige
Speicher (z. B. Nur-Lese-Speicher
und programmierbare Logikarrays), die keine kontinuierliche Leistungsquelle
erfordern, um Inhalte derselben zu halten, liefern eine vergleichsweise
niedrigere Speicherungskapazität
und eingeschränkte
Programmierungsoptionen.
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Nichtflüchtige Speicher
speichern Informationen typischerweise in einer von zwei Weisen.
Insbesondere kann ein nichtflüchtiger
Speicher eine Ladung speichern oder kann eine eindeutige physikalische
Struktur speichern. Ein ladungsspeichernder nichtflüchtiger
Speicher verwendet einen vergleichsweise geringen elektrischen Strom,
um eine Ladung an einer Speicherelementstelle zu speichern. Ein Strukturänderungsspeicher
andererseits verwendet typischerweise einen großen elektrischen Strom, um die
physikalische Struktur eines Speicherelements (z. B. eine Sicherung
bzw. Fuse oder ein Chalcogenid-Speicherelement) zu ändern. Sowohl
bei den ladungsspeichernden als auch bei den strukturändernden
nichtflüchtigen
Speichern liefert ein Zugriffsbauteil (z. B. ein Zugriffstransistor
oder eine Zugriffsdiode) typischerweise einen individuellen Zugriff auf
ein zugeordnetes Speicherelement. Während einer Leseoperation sind
alle der Zugriffsbauteile in dem Speicherarray ausgeschaltet, mit
Ausnahme des Zugriffsbauteils, das der bestimmten Speicherzelle
zugeordnet ist, die gelesen werden soll. In dem Falle eines diodenbasierten
Speichersystems kann der kumulative Sperrvorspannungsstrom der Dioden,
den nicht erfassten Speicherelementen entsprechend, das Signal-zu-Rausch-Verhältnis der
erfassten Antwort auf das Signal, das an die Speicherzelle, die
gelesen wird, angelegt wird, erheblich reduzieren, was es schwierig
macht, den Speicherzustand der Zelle genau zu bestimmen.
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Der
Artikel IEEE Transactions an Computers, C-35, Februar 1986, Nr.
2, New York, USA, D. Rich: „A
Survey of Multivalued Memories",
S. 99–106,
offenbart ein Speicherzellenablesungsschema, in dem Speicherzellen
adressiert werden, ein Eingangssignal auf die adressierten Speicherzellen über einen
Bereich von Werten angelegt wird und die Zustände der Speicherzellen basierend
auf dem Vorhandensein eines Stromflusses in einer Bitleitung gelesen
werden. Die Offenbarung dieses Dokuments entspricht allgemein den
Präambeln
der unabhängigen
Ansprüche.
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Die
vorliegende Erfindung zeichnet sich durch ein neuartiges Speicherzellenleseschema (Systeme
und Verfahren) aus, das es ermöglicht, dass
der Zustand einer Speicherzelle mit einer größeren Genauigkeit bestimmt
wird.
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Gemäß einem
ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum
Lesen einer Speicherzelle in einem Speicherzellenarray geschaffen,
das folgende Schritte aufweist: Adressieren einer Speicherzelle;
Anlegen eines Eingangssignals über
einen Bereich von Werten an die adressierte Speicherzelle; und Lesen
des Zustands der Speicherzelle basierend auf einer Diskontinuität bei einer erfassten
elektrischen Antwort auf die angelegten Eingangssignal-Werte, dadurch gekennzeichnet, dass
die Speicherzelle durch ein Anlegen einer Erfassungsspannung (Vsense,
Row; Vsense, Column) über
ein resistives Netzwerk, das eine Erfassungsdiode umfasst, adressiert
wird und die Existenz der Diskontinuität durch das Vorspannen der
Diode in Abhängigkeit
von dem Zustand der Speicherzelle bestimmt wird.
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Gemäß einem
zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein System zum Lesen
einer Speicherzelle in einem Speicherzellearray geschaffen, das
folgende Merkmale aufweist: eine Steuerschaltung, die konfiguriert
ist, um eine Speicherzelle zu adressieren, ein Eingangssignal über einen
Bereich von Werten an die Speicherzelle anzulegen und den Zustand
der Speicherzelle basierend auf einer Diskontinuität bei einer
erfassten elektrischen Antwort auf die angelegten Eingangssignalwerte
zu lesen, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuerschaltung konfiguriert
ist, um die Speicherzelle durch ein Anlegen einer Erfassungsspannung
(Vsense, Row; Vsense, Column) über
ein resistives Netzwerk, das eine Erfassungsdiode umfasst, zu adressieren,
wobei die Existenz der Diskontinuität durch das Vorspannen der
Diode in Abhängigkeit
von dem Zustand der Speicherzelle bestimmt ist.
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Ausführungsbeispiele
der Erfindung können eines
oder mehrere der folgenden Merkmale umfassen.
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Der
Zustand der Speicherzelle wird bevorzugt basierend auf einer Diskontinuität in der
bei der erfassten elektrischen Antwort über einen Bereich von angelegten
Eingangssignalwerten, die einen Betriebsspannungswert umfassen,
gelesen (z. B. innerhalb eines oder mehrerer Diodenabfälle des
Betriebsspannungswertes).
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Der
Zustand der Speicherzelle kann basierend auf einer Diskontinuität bei einer
Richtung der erfassten elektrischen Antwort gelesen werden. Der Zustand
der Speicherzelle kann auch basierend auf einer Diskontinuität bei einem
Anstieg der erfassten elektrischen Antwort gelesen werden. Der Zustand der
Speicherzelle kann basierend auf dem Vorhandensein oder dem Fehlen
einer Diskontinuität
bei einer elektrischen Antwort auf das angelegte Eingangssignal
gelesen werden.
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Der
Zustand der Speicherzelle kann mehrere Male in einer Leseperiode
gelesen werden. Auf die mehrfachen Speicherzellenablesungen kann
ein Rauschunempfindlichkeitsprozess angewendet werden. Bei einem
Ausführungsbeispiel
weist der Rauschunempfindlichkeitsprozess einen Integrieren-und-Entladen-Prozess
bzw. einen Integrate-and-Dump-Prozess auf. Bei einigen Ausführungsbeispielen
wird eine elektrische Antwort auf ein angelegtes Zeilensignal erfasst
und eine elektrische Antwort auf ein angelegtes Spaltensignal erfasst.
Ein Gleichtaktunterdrückung-Rauschunempfindlichkeitsprozess
kann auf die erfassten elektrischen Antworten auf die angelegten
Zeilen- und Spaltensignale angewendet werden.
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Unter
den Vorteilen der Erfindung sind die folgenden.
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Die
Erfindung schafft einen Speicherzellenablesungsansatz, der ohne
weiteres auf diodenbasierte Speichersysteme angewendet werden kann. Im
Allgemeinen ist die Erfindung gegenüber einem Rauschen vergleichsweise
unempfindlich. Zum Beispiel ist die Erfindung vergleichsweise unempfindlich gegenüber einem
Rauschen, das durch Sperrvorspannung-Leckströme bewirkt wird, die für diodenbasierte
Speichersysteme charakteristisch sind. Die Erfindung kann auch konfiguriert
sein, um ein Digitalerfassungssignal zu liefern, das ohne weiteres
durch eine Digitalverarbeitungsausrüstung verarbeitet werden kann.
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Andere
Merkmale und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung
einschließlich
der Zeichnungen und der Ansprüche
ersichtlich.
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1 ist
ein Schaltungsdiagramm eines Abschnitts eines Speicherzellenarrays.
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2 ist
ein Schaltungsdiagramm einer Speicherzelle, die zwischen eine Zeilenleitung
und eine Spaltenleitung des Speicherzellenarrays von 1 gekoppelt
ist.
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3A ist
ein schematischer Graph einer erfassten elektrischen Antwort auf
ein Zeilenleitungssignal, das an die Speicherzelle von 2 angelegt wird,
wenn die Speicherzelle nicht durchgebrannt ist.
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3B ist
ein schematischer Graph einer erfassten elektrischen Antwort auf
ein Zeilenleitungssignal, das an die Speicherzelle von 2 angelegt wird,
wenn die Speicherzelle durchgebrannt ist.
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4A ist
ein schematischer Graph einer erfassten elektrischen Antwort auf
ein Spaltenleitungssignal, das an die Speicherzelle von 2 angelegt wird,
wenn die Speicherzelle nicht durchgebrannt ist.
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4B ist
ein schematischer Graph einer erfassten elektrischen Antwort auf
ein Spaltenleitungssignal, das an die Speicherzelle von 2 angelegt wird,
wenn die Speicherzelle durchgebrannt ist.
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5 ist
eine Auftragung eines Verfahrens zum Lesen der Speicherzelle von 2.
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6 ist
ein Schaltungsdiagramm einer Speicherzelle, die zwischen eine Zeilenleitung
und eine Spaltenleitung eines alternativen Speicherzellenarrays
gekoppelt ist.
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In
der folgenden Beschreibung werden gleiche Bezugszeichen verwendet,
um gleiche Elemente zu identifizieren. Ferner sollen die Zeichnungen Hauptmerkmale
von beispielhaften Ausführungsbeispielen
in einer schematischen Weise darstellen. Die Zeichnungen sollen
nicht jedes Merkmal von tatsächlichen
Ausführungsbeispielen
oder relative Abmessungen der gezeigten Elemente veranschaulichen und
sind nicht maßstabsgetreu
gezeichnet.
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Unter
Bezugszeichen auf 1 umfasst ein Speicherzellenarray 10 bei
einem Ausführungsbeispiel
eine Mehrzahl von Speicherzellen 12, die in mehreren Zeilen
und mehreren Spalten angeordnet sind. Jede Speicherzelle 12 umfasst
ein Speicherelement 14 und eine Zugriffsdiode 16,
die zwischen eine jeweilige Zeilenleitung 18, 20, 22, 24 und
eine jeweilige Spaltenleitung 26, 28, 30, 32 in
Reihe gekoppelt sind. Bei einigen Ausführungsbeispielen können das Speicherelement 14 und
die Zugriffsdiode 16 ähnliche
Materialstrukturen aufweisen. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist das Speicherelement 14 ein Strukturänderungsbauteil
(z. B. eine Sicherung bzw. Fuse). Im Allgemeinen kann das Speicherelement 14 irgendein
Strukturänderungsbauteil
umfassen, das eine Diskontinuität
bei der elektrischen Antwort erzeugt, die an einer Zeilenleitung
oder einer Spaltenleitung oder beiden erfasst wird, wenn das Bauteil
in einem Speicherzustand ist, und keine ähnliche Elektrische-Antwort-Diskontinuität, wenn
das Bauteil in einem anderen Speicherzustand ist. Wie es in 1 gezeigt
ist, ist die Kathode einer jeden Zugriffsdiode mit einer Spaltenleitung 26–32 gekoppelt,
und die Anode einer jeden Zugriffsdiode ist mit einem jeweiligen Speicherelement
gekoppelt. Jedes Speicherelement ist wiederum zwischen eine jeweilige
Zugriffsdiode und eine Zeilenleitung 18–24 gekoppelt. Somit
wird die Spannung über
einer Speicherzelle durch die Spannungen bestimmt, die an die Zeilenleitung
und die Spaltenleitung angelegt werden, zwischen die die Speicherzelle
gekoppelt ist. Bei anderen Ausführungsbeispielen
können
die Positionen von Zugriffsdioden und die Speicherelemente umgekehrt
sein. Eine Steuerschaltung 34 ist konfiguriert, um Programminformationen
zu einer oder mehreren Speicherzellen 12 in dem Speicherzellenarray 10 zu adressieren
(oder auszuwählen)
und Informationen aus denselben zu lesen.
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Im
Betrieb kann die Steuerschaltung 34 das Speicherzellenarray 10 durch
ein Anlegen eines Stroms durch eine oder mehrere ausgewählte Speicherzellen 12,
der ausreichend ist, um die Sicherungen bzw. Fusen in den ausgewählten Zellen
durchzubrennen, wodurch die Stromwege durch die ausgewählten Zellen
gebrochen werden, programmieren. Somit kann bei dem vorliegenden
Ausführungsbeispiel
eine Speicherzelle in einem von zwei Zuständen sein: durchgebrannt oder
nicht durchgebrannt. Um die Inhalte (oder den Zustand) einer Speicherzelle 12 zu
lesen, legt die Steuerschaltung 34, wie es unten detailliert
erklärt
ist, eine Erfassungsspannung an die entsprechende Zeilenleitung
oder die entsprechende Spaltenleitung oder beide an und erfasst
die elektrische Antwort auf die angelegte Erfassungsspannung. Wenn
bei der erfassten elektrischen Antwort eine Diskontinuität erfasst
wird, ist bestimmt, dass das Speicherelement durchgebrannt ist;
andernfalls ist bestimmt, dass das Speicherelement intakt ist.
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Sich
auf 2, 3A und 3B beziehend,
legt die Steuerschaltung 34 bei einem Ausführungsbeispiel
durch einen Erfassungswiderstand 36 und eine Erfassungsdiode 38 eine
Erfassungsspannung (VSense, Row) an die Zeilenleitung 18 an.
Die Erfassungsspannung wird über
einen Bereich von Werten (±Δ) über und
unter der positiven Betriebsspannung (+VRail) angelegt. Bei einem
Ausführungsbeispiel
deckt die Erfassungsspannung einen Bereich von Werten bevorzugt
in der Größenordnung von
einem oder mehreren Diodenabfällen
der positiven Betriebsspannung ab. Bei einem Ausführungsbeispiel
deckt die angelegte Erfassungsspannung einen Bereich von Werten
innerhalb 1 Volt der positiven Betriebsspannung ab (d. h. Δ = 1 Volt).
Die Steuerschaltung 34 erfasst die Antwort der Speicherzelle 12 z.
B. durch ein Überwachen
des Stroms, der durch den Erfassungswiderstand 36 fließt. Wenn
das Speicherelement 14 nicht durchgebrannt ist, ist die Erfassungsdiode 38 in
Sperrrichtung vorgespannt, wenn die angelegte Erfassungsspannung
einen Wert nahe der positiven Betriebsspannung aufweist (siehe 3A).
Als ein Ergebnis entspricht der Strom (ISense, Row), der durch den
Erfassungswiderstand 36 fließt, dem Sperrvorspannung-Erfassungsdiode 38-Strom,
der negativ ist und eine vergleichsweise geringe Variation bei einem
Anstieg (ΔI/ΔV) für angelegte
Erfassungsspannungen nahe der positiven Betriebsspannung aufweist.
Wenn das Speicherelement 14 durchgebrannt ist, ist die
Erfassungsdiode 38 jedoch in Vorwärtsrichtung vorgespannt, wenn
die Größe der angelegten
Erfassungsspannung kleiner als ein Diodenabfall unter der positiven
Betriebsspannung (+VTH) ist (siehe 3B). In
diesem Speicherzustand ist die Erfassungsdiode 38 in Sperrrichtung
vorgespannt, wenn die Größe der angelegten Erfassungsspannung
größer als
ein Diodenabfall unter der Größe der positiven
Betriebsspannung (+VTH) ist. Als ein Ergebnis ist der Strom (ISense, Row),
der durch den Erfassungswiderstand 36 fließt, durch
eine Diskontinuität
bei einer Richtung (von positiv zu negativ) und einem Anstieg (ΔI/ΔV ändert sich
von einem vergleichsweise großen
Wert zu einem vergleichsweise kleinen Wert) gekennzeichnet, wenn
sich die angelegte Erfassungsspannung von einer Größe unter
+VTH zu einer Größe über +VTH ändert. In
einigen Fällen
kann die Diskontinuität
bei einer Richtung durch die Akkumulation von Sperrvorspannungsströmen in anderen
nicht-ausgewählten Speicherelementen
maskiert sein. In derartigen Fällen
kann der Zustand des Speicherelements durch ein Erfassen des Vorhandenseins
oder des Fehlens einer Diskontinuität bei dem Gesamterfassungsstrom bestimmt
werden.
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Wie
es in 2, 4A und 4B gezeigt ist,
kann die Steuerschaltung 34 eine Erfassungsspannung (VSense,
Column) an die Spaltenleitung 30 durch einen Erfassungswiderstand 40 und
eine Erfassungsdiode 42 anlegen. Die Erfassungsspannung
wird über
einen Bereich von Werten (±Δ) über und
unter der negativen Betriebsspannung (–VRail) angelegt. Bei einem
Ausführungsbeispiel
deckt die Erfassungsspannung einen Bereich von Werten bevorzugt
in der Größenordnung
von einem oder mehreren Diodenabfällen der negativen Betriebsspannung
ab. Bei einem Ausführungsbeispiel
deckt die angelegte Erfassungsspannung einen Bereich von Werten
innerhalb 1 Volt der negativen Betriebsspannung ab (d. h. Δ = 1 Volt).
Die Steuerschaltung 34 erfasst die Antwort der Speicherzelle 12 durch
ein Überwachen
des Stroms, der durch den Erfassungswiderstand 40 fließt. Wenn
das Speicherelement 14 nicht durchgebrannt ist, ist die
Erfassungsdiode 42 in Sperrrichtung vorgespannt, wenn die
angelegte Erfassungsspannung einen Wert nahe der positiven Betriebsspannung
aufweist (siehe 4A). Als ein Ergebnis entspricht
der Strom (ISense,Column), der durch den
Erfassungswiderstand 40 fließt, dem Sperrvorspannung-Erfassungsdiode 42-Strom,
der negativ ist und eine vergleichsweise geringe Variation bei einem Anstieg
(ΔI/ΔV) für angelegte
Erfassungsspannungen nahe der negativen Betriebsspannung aufweist. Wenn
das Speicherelement 14 jedoch durchgebrannt ist, ist die
Erfassungsdiode 42 in Vorwärtsrichtung vorgespannt, wenn
die Größe der angelegten Erfassungsspannung
kleiner als ein Diodenabfall unter der negativen Betriebsspannung
(–VTH) ist (siehe 4B). In
diesem Speicherzustand ist die Erfassungsdiode 42 umgekehrt
vorgespannt, wenn die Größe der angelegten
Erfassungsspannung größer als
ein Diodenabfall. unter der Größe der negativen Betriebsspannung
(–VTH) ist. Als ein Ergebnis ist der Strom (ISense,Column), der durch den Erfassungswiderstand 40 fließt, durch
eine Diskontinuität
bei einer Richtung (von negativ zu positiv) und einen Anstieg (ΔI/ΔV ändert sich
von einem vergleichsweise großen
Wert zu einem vergleichsweise kleinen Wert) gekennzeichnet, wenn
sich die angelegte Erfassungsspannungen von einer Größe unter –VTH zu einer Größe über –VTH ändert. Wie
es oben in Verbindung mit der Erfassungsdiode 38 erklärt ist,
kann die Diskontinuität
bei einer Richtung in einigen Fällen
durch die Akkumulation von Sperrvorspannungsströmen in anderen nicht-ausgewählten Speicherelementen maskiert
sein. In derartigen Fällen
kann der Zustand des Speicherelements durch ein Erfassen des Vorhandenseins
oder des Fehlens einer Anstiegsdiskontinuität bei dem Gesamterfassungsstrom
bestimmt werden.
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Sich
auf 5 beziehend kann die Speicherzelle 12 bei
einem Ausführungsbeispiel
durch die Steuerschaltung 34 wie folgt gelesen werden.
Die Steuerschaltung 34 legt an die Speicherzelle 12 ein Eingangssignal über einen
Bereich von Werten an (Schritt 50). Das Eingangssignal
kann an die Zeilenleitung 18 oder die Spaltenleitung 30 oder
beide angelegt werden. Die Steuerschaltung 34 erfasst die elektrische
Antwort über
den Bereich von angelegten Eingangssignalwerten (Schritt 52).
Die elektrische Antwort wird an der Leitung (oder den Leitungen)
erfasst, durch die das Eingangssignal (oder die Signale) an die
Speicherzelle 12 angelegt wurden. Wenn die Leseperiode
nicht abgelaufen ist (Schritt 54), wird die Speicherzelle 12 erneut
gelesen (Schritte 50, 52). Nachdem die Leseperiode
abgelaufen ist (Schritt 54), wird auf die Speicherzellenablesungen
eine Rauschunempfindlichkeitsverarbeitung angewendet (Schritt 56).
Die Rauschunempfindlichkeitsverarbeitung kann eine oder mehrere
herkömmliche
Signalverarbeitungstechniken umfassen, einschließlich von Digital- und Analogverarbeitungstechniken
(z. B. einer Integrieren-und-Entladen bzw. Integrate-and-Dump).
Wenn elektrische Antworten aus sowohl der Zeilenleitung 18 als
auch der Spaltenleitung 30 erfasst werden, kann die Speicherzellenablesungsgenauigkeit
der Steuerschaltung 34 durch eine herkömmliche Gleichtaktunterdrückungskombination der
erfassten elektrischen Antworten verbessert werden.
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Unter
Bezugnahme auf 6 kann bei einem Ausführungsbeispiel
der oben beschriebene Speicherzellenablesungsansatz in Verbindung
mit einem nur einmal beschreibbaren Speicherzellenarray verwendet
werden, das aus einer Mehrzahl von Speicherzellen 60 gebildet
ist. Jede Speicherzelle 60 umfasst zusätzlich zu dem Speicherelement 14 und
der Zugriffsdiode 16 eine oder mehrere Zeilenadressleitungen 62 und
eine oder mehrere Spaltenadressleitungen 64. Bei diesem Ausführungsbeispiel
wird die Speicherzelle 60 lediglich ausgewählt, wenn
die an die Zeilenadressleitungen 62 angelegten Spannungen
hoch sind (+VRail) und die an die Spaltenadressleitungen 64 angelegten
Spannungen niedrig sind (–VRail) (d. h. keine der Zeilen- oder Spaltenadressdioden
leitet). Der Zustand einer ausgewählten Speicherzelle 60 kann
durch ein Anlegen einer Erfassungsspannung an die entsprechende
Zeilenleitung oder die entsprechende Spaltenleitung oder beide und
ein Erfassen der elektrischen Antwort auf die angelegte Erfassungsspannung
gelesen werden, wie es oben beschrieben ist. Wenn eine Diskontinuität bei der
erfassten elektrischen Antwort erfasst wird, ist insbesondere bestimmt,
dass das Speicherelement durchgebrannt ist; andernfalls ist bestimmt,
dass das Speicherelement intakt ist. Die oben beschriebenen Rauschunempfindlichkeitsverarbeitungstechniken können auch
auf die erfassten elektrischen Antworten angewendet werden, um die
Speicherzellenablesungsgenauigkeit der Steuerschaltung 34 zu
verbessern.
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Bei
jedem der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele kann die Steuerschaltung 34 konfiguriert
sein, um ein Digitalausgangssignal zu erzeugen, das einen Speicherzellenzustand
basierend auf dem Vorhandensein oder dem Fehlen einer erfassten
Diskontinuität
bei einer elektrischen Antwort auf ein Erfassungssignal, das an
die Speicherzelle angelegt wird, die gelesen wird, angibt. Die Digitalausgangssignale
aus der Steuerschaltung 34 können ohne weiteres durch eine
nachfolgende Signalverarbeitungsausrüstung verarbeitet werden.
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Die
hierin beschriebenen Systeme und Verfahren sind nicht auf irgendeine
bestimmte Hardware- oder Softwarekonfiguration beschränkt, sondern
dieselben können
vielmehr in irgendeiner Rechen- oder Verarbeitungsumgebung implementiert sein.
Der Speicherzellenablesungsprozess und der Rauschunempfindlichkeitsprozess
sind bevorzugt in einer prozeduralen oder objektorientierten Programmiersprache
auf einer hohen Ebene implementiert; jedoch können die Programme in einer
Assembler- oder Maschinensprache implementiert sein, falls dies erwünscht ist.
In jedem Fall kann die Programmiersprache eine kompilierte oder
eine interpretierte Sprache sein.
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Andere
Ausführungsbeispiele
sind innerhalb des Schutzbereichs der Ansprüche. Zum Beispiel können die
oben beschriebenen Speicherzellenablesungsausführungsbeispiele mit irgendeinem
herkömmlichen
diodenbasierten Speicher verwendet werden, der ein Strukturänderungselement
umfasst, das eine Diskontinuität
bei der erfassten elektrischen Antwort erzeugt, wenn das Strukturänderungselement
in einem Speicherzustand ist, und keine ähnliche Diskontinuität, wenn
das Strukturänderungselement
in einem anderen Speicherzustand ist.