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Technisches
Gebiet
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf Strukturen, Fähigkeiten
und Verfahren zum Betrieb eines Substrattransportbehälters, der
geeignet ist, um Objekte zu lagern oder zu transportieren, wie beispielsweise
Halbleiter-Wafer, Fotomasken oder Festplatten in einer sehr reinen
Umgebung.
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Technischer
Hintergrund
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Da
die Mustergrößen von
Halbleitervorrichtungen feiner werden, wird vorhergesehen, dass noch
höhere
Grade an Reinheit in der Zukunft erforderlich sein werden. Beispielsweise
wird vorhergesehen, dass die Target- bzw. Zielsteuergröße von Partikelverunreinigungen,
die Musterdefekte und Kurzschlüsse
von Leitungen verursachen, kleiner als 0,1 μm werden könnten. Weiterhin wird es, zusätzlich zu Partikelverunreinigungen,
nötig,
Gasverunreinigungen zu verringern. Durch das Adsorbieren auf den Halbleiter-Wafern
verursachen verschiedene Kohlenwasserstoffmoleküle eine Verschlechterung der dielektrischen
Durchbruchspannung von Gate-Oxidfilmen oder Dickenveränderungen
von abgelagerten Filmen, und basische Gase reagieren mit chemisch verbessertem
Photoresist, um einen Verlust der Auflösung zur Folge zu haben, und
saure Gase können eine
Korrosion von Verdrahtungen verursachen.
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Zusätzlich ist
in den letzten Jahren das Ziel einer Verringerung von Feuchtigkeit
(Nässe)
anvisiert worden. Dies kommt daher, dass feinere Muster zur Anwendung
einer Vielzahl von Materialien beim Formen von Verdrahtungen und
Filmen geführt
haben, und Feuchtigkeit in der Umgebung manchmal sich mit den oben
erwähnten
Materialien verbinden kann, um Probleme zu verursachen. Andererseits
steigt unabhängig
von dem Trend zu feineren Mustern die Größe der Halbleiter-Wafer, und
eine Automatisierung geht auch im Feld der Wafer-Verarbeitungstechnologien
voran. Die Automatisierung der Halbleiterherstellungslinie wird
durch die Tatsache begünstigt, dass
es nötig
ist, Menschen auszuschließen,
die als Verunreinigungsquelle wirken, und die Tatsache, dass der
Durchmesser der Halbleiter-Wafer zunimmt, wobei das Gewicht des
Transportbehälters
auf ungefähr
10 Kg ansteigt, sodass seine manuelle Handhabung schwierig wird.
Weiter wird es wichtig, standardisierte Bedingungen zu erfüllen, wie
beispielsweise eine gemeinsame Struktur und eine Größe der Herstellungseinrichtung
und der Transportvorrichtung, und zwar als notwendige Bedingung
in der automatisierten Herstellungslinie.
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In
der Vergangenheit ist mit steigender Schaltungsdichte und Geschwindigkeit
der Halbleiterchips Aluminium als das Material zur Verdrahtung zur
Verbindung von Elementen in dem Halbleiterchip verwendet worden.
Wenn jedoch die Breite der Drähte
geringer als 0,13 μm
wird, verursacht die herkömmliche
Aluminiumverdrahtung schwerwiegende Probleme mit Wärmeerzeugung
und Signalverzögerung,
sodass anstelle der Aluminiumverdrahtung ein Trend zur Anwendung
einer Kupferverdrahtung hin besteht, die einen niedrigeren Widerstand
als eine Aluminiumverdrahtung hat.
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Ebenfalls
ist SiO2 als Isoliermaterial für die Isolation
der Verdrahtung verwendet worden. Jedoch ist die dielektrische Konstante
von SiO2 bei ungefähr 4, und ist so hoch, dass
der Ersatz von einer Aluminiumverdrahtung durch eine Kupferverdrahtung
nur eine ungefähr
20%-ige Verbesserung der Signalverzögerung zur Folge hat, sodass
es eine Notwendigkeit bestand, eine Substanz mit niedrigerer dielektrischer
Konstanten von weniger als 3 als das Isoliermaterial zu verwenden.
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Vor
einer solchen Entwicklung ist schon eine Untersuchung einer Kupferverdrahtung
und von wenig dielektrischen Materialien zur Isolation ausgeführt worden
und als mögliches
Problem identifiziert worden, welches aus der Verarbeitung von Chips
mit einer Leitungsbreite auf dem Niveau von 0,18 μm auftritt.
Solche Materialien mit niedriger Dielektrizität basieren auf organischen
Materialien oder porösen
Materialien, sodass Probleme angetroffen werden, wie beispielsweise
die Aufnahme von Feuchtigkeit aus der Umgebung, was zur Steigerung
der dielektrischen Konstanten führt,
und daher müssen
diese Materialien anders als herkömmliche Isolationsfilme behandelt
werden und stellen eine außerordentlich schwierige
Herausforderung dar.
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Auch
verhält
sich Kupfer, welches für
die Verdrahtung verwendet wird, anders als Aluminium, welches in
der Vergangenheit verwendet worden ist, und zwar wegen seiner Tendenz,
mit Sauerstoff in der Luft zu reagieren, um Oxidfilme zu erzeugen.
Weil die Kupfermoleküle
eine höhere
chemische Aktivität
im Vergleich zu Aluminiummolekülen
haben, sodass, wenn Partikel, die Kupfer enthalten, oder Kupferdampf
selbst in den Reinraum ausgestoßen
werden, dies auch den Reinraum verunreinigt, was zu einem schweren
Abfall der Ausbeute der Halbleiterchips führt. Auch ist bekannt gewesen,
dass organische Verunreinigungen auf der Siliziumoberfläche einen Abfall
der Zuverlässigkeit
von Gate-Oxidfilmen, eine Steigerung der Inkubationszeit bei den
Niederdruck-CVD-Prozessen und eine abnormale Filmzunahme verursachen.
Auch wenn ein überlegeneres Material
in der Zukunft zur Anwendung bei der Herstellung von Isolationsfilmen
mit niedriger Dielektrizität
gefunden wird, ist es daher erkennbar, dass es nicht eingesetzt
bzw. angepasst werden kann, und zwar wegen seiner Anfälligkeit
auf Kontamination von solchen Unreinheiten, wie beispielsweise organische
Substanzen und Ionen in der Umgebung. Folglich kann durch Steuerung
der Verarbeitungsumgebung eine Gelegenheit zur Anwendung von diesen Materialien
auftreten, die in der Vergangenheit nicht verwendet werden konnten.
Wenn Ammoniak vorhanden ist, zeigt auch das Photoresist-Material,
welches auf den Halbleiter-Wafer aufgebracht ist, ein sogenanntes „T-Top-Phänomen", was sich auf ein
Phänomen
bezieht, dass der Top-Abschnitt bzw. obere Abschnitt des entwickelten
Photoresists breiter als der untere Abschnitt ist.
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Weiterhin
sei hingewiesen auf
EP 1 067
061 , die einen Substrattransportbehälter zeigt, der einen Behälterhauptkörper aufweist,
dessen unteres Ende durch einen Bodenabschnitt geschlossen ist,
und dessen oberes Ende durch ein Deckelglied geschlossen wird, um
eine geschlossene Substrathaltekammer zu bilden. In dem Hauptkörper ist
eine Unteilungswand mit einem Wafer-Halteabschnitt vorgesehen, um Zirkulationspfade
mit einem stromaufwärts gerichteten
Pfad und einem stromabwärts
gerichteten Pfad in der Substrathaltekammer vorzusehen. Ein durch
einen Motor angetriebener Ventilator ist zwi schen der Unterteilungswand
und dem Hauptkörper des
Behälters
vorgesehen, um Luftströme
zu erzeugen, die in den Zirkulationspfaden zirkulieren. Weiterhin
sind ein Filter und ein Gasentfernungsfilter stromabwärts des
Motor getriebenen Ventilators und stromaufwärts bezüglich des Substrathalteabschnittes
in dem stromaufwärts
gerichteten Pfad angeordnet.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung ist ein Substrattransportbehälter nach Anspruch 1 vorgesehen.
Weitere Ausführungsbeispiele
der Erfindung werden in den Unteransprüchen offenbart.
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Offenbarung
der Erfindung
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Diese
Erfindung ist im Hinblick auf die oben beschriebenen Hintergrundinformationen
vorgesehen und ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist, einen Substrattransportbehälter zur
Anwendung im Prozess der Herstellung von integrierten Schaltungen mit
einer Leitungsbreite von weniger 0,13 μm vorzusehen, um zu ermöglichen,
frei die Umgebungsbedingungen zu steuern, wie beispielsweise die
Konzentration von Verunreinigungen im Inneren des Behälters, und
zwar zumindest für
Partikel, saure Gase, basische Gase, organische Substanzen und Feuchtigkeit,
und zwar mit der Größe und Struktur,
die mit automatisierten Halbleiterherstellungseinrichtungen kompatibel
ist.
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Um
die oben beschriebenen Probleme zu lösen, ist ein Substrattransportbehälter vorgesehen, der
die Größe erfüllt bzw.
erreicht stellt, die von dem Standard Semiconductor Equipment and
Materials International (SEMI-Standard)
festgelegt wird, und ist mit einer Luftzirkulationsvorrichtung ausgerüstet, um die
innere Atmosphäre
des Behälters
auszutauschen, weiter mit Mitteln zur Aufnahme/Adsorption von verschiedenen
Arten von Verunreinigungen, mit einer Entfeuchtungsvorrichtung und
weiterem, um eine freie Steuerung der Innenumgebung des Behälters zu
ermöglichen.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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1 ist
Ansicht eines Substrattransportbehälters in einem ersten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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2 ist
eine Seitenansicht eines Substrattransportbehälters in dem ersten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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3 ist
eine Querschnittsansicht durch eine Ebene A-A des Substrattransportbehälters in 2;
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4 ist
eine Seitenansicht durch eine Ebene B-B des Substrattransportbehälters in 3;
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5 ist
eine Rückansicht
des Substrattransportbehälters
in dem ersten Ausführungsbeispiel;
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6 ist
eine Unteransicht des Substrattransportbehälters im ersten Ausführungsbeispiel;
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7 ist
eine Querschnittsansicht durch eine Ebene C des Substrattransportbehälters in 2;
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8 ist
eine Explosionsansicht des Befeuchters, basierend auf dem festen
Polymerelektrolytfilm;
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9 ist
eine Explosionsansicht eines weiteren Befeuchters, basierend auf
dem festen Polymerelektrolytfilm;
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10 ist
eine Ansicht eines Substrattransportbehälters in einem zweiten Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung;
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11 ist
eine Seitenansicht des Substrattransportbehälters im zweiten Ausführungsbeispiel;
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12 ist
eine Seitenansicht des Substrattransportbehälters durch eine Ebene D-D
in 10;
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13 ist
eine Querschnittsansicht des Substrattransportbehälters durch
eine Ebene E-E in 11;
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14 ist
eine Ansicht eines Substrattransportbehälters in einem dritten Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung;
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15 ist
eine Seitenansicht des Substrattransportbehälters im dritten Ausführungsbeispiel;
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16 ist
eine Seitenansicht des Substrattransportbehälters durch eine Ebene F-F
in 14;
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17 ist
eine Querschnittsansicht des Substrattransportbehälters durch
eine Ebene G-G in 15;
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18 ist
eine Seitenansicht des Substrattransportbehälters, der auf einem Ladeanschluss bzw.
Ladetor sitzt;
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19 ist
eine Seitenansicht, um eine Verfahren zum Antrieb des Substrattransportbehälters zu
veranschaulichen;
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20 ist
eine Seitenansicht, um ein weiteres Verfahren zum Antrieb des Substrattransportbehälters zu
veranschaulichen;
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21 ist
eine konzeptionelle Darstellung, um die Prinzipien der berührungsfreien
Leistungsversorgung des Substrattransportbehälters zu zeigen;
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22 ist
eine Seitenansicht, um noch ein weiteres Verfahren für die Leistungsversorgung
des Substrattransportbehälters
zu veranschaulichen;
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23A und 23B sind
Abbildungen, um einen bewegbaren Leistungsversorgungsmechanismus,
basierend auf einem Motor, einem Zahnrad und einer linearen Seitenführung zu
zeigen;
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24A und 24B sind
Abbildungen, um einen bewegbaren Leistungsversorgungsmechanismus,
basierend auf einem Motor, einer Schnecke und einem Schneckenrad
zu zeigen;
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25A und 25B sind
Abbildungen, um einen bewegbaren Leistungsversorgungsmechanismus,
basierend auf einem pneumatischen Antrieb zu zeigen;
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26 ist
eine Abbildung, um einen Luftversorgungs-/auslassmechanismus für einen
Luftzylinder zu zeigen;
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27 ist
eine Unteransicht des Transportbehälters im vierten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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28A ist eine Abbildung, um das Rückschlagventil
des Lufteinlassanschlusses im geschlossenen Zustand zu zeigen, wobei 28B das Ventil im offenen Zustand zeigt;
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29A ist eine Abbildung, um das Rückschlagventil
des Luftauslassanschlusses im geschlossenen Zustand zu zeigen, wobei 29B das Ventil im offenen Zustand zeigt;
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30 ist
eine Abbildung, um ein Beispiel eines Verdrahtungsschaltungsherstellungsprozesses für einen
Halbleiterchip unter Verwendung von Kupferdraht und einem Isolationsfilm
mit niedriger Dielektrizität
zu zeigen; und
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31A bis 31H sind
Abbildungen, um verschiedene Verfahren zur Entladung von statischer Elektrizität aus dem
Transportbehälter
zu zeigen.
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Bester Weg
zur Ausführung
der Erfindung
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Bevorzugte
Ausführungsbeispiele
werden im Folgenden mit Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen
erklärt.
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Als
erstes wird die Notwendigkeit eines Substrattransportbehälters (Pod)
erklärt,
der zur Automation in den Halbleitervorrichtungsherstellungsfabriken
kompatibel ist. Um menschliche Fehler durch Arbeiter und eine Verunreinigung
der Substrate, wie beispielsweise Halbleiter-Wafer durch organische Substanzen
und kleine Mengen von Ammoniak zu verhindern, die von den Arbeitern
erzeugt werden, ist es effektiv, die Arbeiter von dem Raum zu beabstanden
bzw. fernzuhalten, der zur Handhabung der Substrate verwendet wird.
Daher ist die Einführung
einer Prozessautomatisierung als Mittel erforderlich, um zu erreichen,
dass solche Verunreinigungen verhindert werden. Der Substrattransportbehälter zu
Anwendung in einer solchen automatisierten Einrichtung weist einen
SMIF-Pod (SMIF = Standard Mechanical Interface) und eine FOUP (FOUP
= Front Opening Unified Pod) auf, die in Verbindung mit einem Türöffner verwendet
werden, der die Vorrichtung an einer speziellen Stelle anordnet
und eine Tür
extern öffnet und
in Verbindung mit einer automatisierten Transportvorrichtung verwendet
wird. Die automatisierte Einrichtung, die in der Halbleiterherstellungseinrichtung
usw. verwendet wird, wird durch den SEMI-Standard festgelegt, und
zwar bezüglich
seiner Strukturgrö ße, Betriebsweise
und seines Testverfahrens usw... Der Zweck des SEMI-Standards ist, gemeinsame
Standards für
Halbleiterherstellungsvorrichtungen und assoziierte Einrichtungen,
elektrische Vorrichtungen und Kommunikationsvorrichtungen, Materialien
und Sicherheit zu definieren. Wenn man dies so tut, können die
Endanwender Vorrichtungen und weiteres kombinieren, die durch unterschiedliche Hersteller
hergestellt werden, und die Hersteller können die Vorrichtungen mit
einem vernünftigen
Design- bzw. Auslegungsrahmen auslegen, um übermäßige Spezifikationen zu vermeiden
und dabei zu helfen, niedrigere Kosten zu erreichen. Beispielsweise
sind für
einen FOUP-Substrattransportbehälter, der
ausgelegt ist, um Wafer mit 300 mm zu tragen, die äußere Größe der Vorrichtung,
die Aufnahme für den
Positionierungsstift, die Form des Handhabungsflansches, die Größe usw.
in dem Standard definiert. Wenn ein Produkt von der Beschreibung
des Standards abweichen sollte, kann dies Probleme verursachen,
wie beispielsweise, dass es nicht von der Transporteinrichtung transportiert
werden kann oder nicht in einem Warenlager gelagert werden kann.
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Die
Konzentrationen von Zielsubstanzen zur Reduktion in dem Substrattransportbehälter sollten beispielsweise
für Mikropartikel
von größer als
0,1 μm weniger
als 1000 Teile/m3 und vorzugsweise weniger
als 100 Teile/m3 sein; für saure Gase sollten sie weniger
als 1 μg/m3 und vorzugsweise weniger als 0,1 μg/cm3 sein; für
basische Gase sollten sie geringer als 1 μg/cm3 und
vorzugsweise 0,5 μg/cm3 sein; für
organische Substanzen mit einem Siedepunkt von mehr als 80°C sollten
sie weniger als 1 μg/cm3 und vorzugsweise weniger als 0,5 μg/cm3 sein, die absolute Feuchtigkeit sollte
geringer als 4 × 10–3 g/g sein
(relative Feuchtigkeit 20% bei 25°C)
und vorzugsweise geringer als 1 × 10–3 g/g
(relative Feuchtigkeit 5% bei 25°C).
Wenn die Feuchtigkeit verringert wird, sind die gelagerten Substrate
auch anfällig
dafür,
dass sie statisch aufgeladen werden, und dies kann Schäden an Elementen
verursachen, wie beispielsweise an FETs, Kondensatoren usw., und
daher sollten die gelagerten Substrate geerdet sein. Verfahren zum
Erden weisen die Anwendung von leitenden Wafer-Trägern oder
Halbleiter-Wafern auf, die in einem Wafer- Träger
gelagert sind, der metallische Anschlüsse zur Erdung hat, oder stellen
den Wafer-Träger
aus einem elektrisch leitenden Material her.
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Das
erste Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung bezieht sich auf einen stark hermetischen
Behälter
zur Aufnahme einer Vielzahl von Substraten darin und ist so aufgebaut,
dass eine Tür für den Wafer-Transport
an einer Seitenfläche
vorgesehen ist und zur Anwendung in einer automatisierten Einrichtung
bereit ist. Die minimalen Bedingungen, die für einen automatisierungskompatiblen
Behälter
nötig sind,
sind Folgende: (1) eine Tür,
die mit einem Mechanismus zum Öffnen
und Schließen durch
eine externe Türbetätigungsvorrichtung
versehen ist; (2) einen Behälterhauptkörper, der
mit der Tür
in Eingriff kommen kann, und um die hermetische Atmosphäre zu halten,
(3) Substrathaltemittel zum Halten der Substrate, um eine gewisse
Distanz getrennt, angeordnet im Behälterhauptkörper, (4) eine Haltevorrichtung
für einen
Roboter, um extern mit dem Behälter
in Eingriff zu kommen, der in dem oberen Abschnitt des Behälters angeordnet
ist, und (5) einen Aufnahmeabschnitt, der im unteren Teil des Behälters angeordnet
ist, um mit der Positionierungsvorrichtung der Vorrichtung in Eingriff
zu kommen. Optional sollte auch Folgendes vorgesehen sein: (6) eine
Druckdifferenzmodifikationsvorrichtung zum Angleichen der internen/externen
Druckdifferenz, (7) eine Haltevorrichtung für einen Bediener, um den Behälter zu
handhaben, (8) eine Haltevorrichtung, die an dem Behälter vorgesehen
ist, sodass ein Roboter von außen
in Eingriff kommen kann, und (9) eine Datenkommunikationsvorrichtung
bzw. Datenübertragungsvorrichtung
zum Speichern und Übermitteln von
Informationen, wie beispielsweise eine Losnummer der Substrate.
Das erste Ausführungsbeispiel
erfüllt
zumindest die Bedingungen (1) bis (5) und ist weiter mit einer Luftaufbereitungsvorrichtung
versehen, wie beispielsweise einer Partikelentfernungsvorrichtung
für das
Innere des Behälters
mit einer Entfernungsvorrichtung für gasförmige Verunreinigungen, mit
einer Entfeuchtungsvorrichtung und Betriebssteuervorrichtungen,
die eine elektrische Leistungsquelle aufweisen.
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Als
nächstes
werden die spezifischen Strukturen des ersten Ausführungsbeispiels
mit Bezug auf die 1 bis 7 erklärt. Die
wichtigsten Komponenten sind: eine Tür 1 mit einem Verriegelungsmechanismus,
die von außen
durch eine Verriegelungs-/Entriegelungsvorrichtung betreibbar ist,
einen Behälterhauptkörper 6 mit Öffnungsabschnitten 2, 3, um
zu gestatten, dass eine innere Atmosphäre des Behälterhauptkörpers mit den Luftaufbereitungsmitteln
in Verbindung steht, und zwar hergestellt als ein Einheitskörper mit
einer Haltevorrichtung 5 zum Halten der Substrate 4 mit
einer gegebenen Distanz; ein Unterseitenaufnahmeabschnitt 8 mit
einem Aufnahmeabschnitt 7 zum Anordnen des Behälters an
einer speziellen Stelle, um mit der Positionierungsvorrichtung der
Vorrichtung in Eingriff zu kommen; eine erste Luftaufbereitungsvorrichtung 9,
die an der Außenseite
des Behälterhauptkörpers 6 angeordnet
ist; eine Abdeckung 10, die die erste Luftaufbereitungsvorrichtung 9 und
die Öffnungsabschnitte 2, 3 abdeckt
und als eine Isolationswand für
die Außenumgebung
des Behälters
dient, genauso wie als ein Zirkulationspfad; eine zweite Luftaufbereitungsvorrichtung 11,
die in der Abdeckung 10 angeordnet ist; eine erste Haltevorrichtung 12,
die an der Oberseite des Behälterhauptkörpers 6 angeordnet
ist, um mit dem Roboter in Eingriff zu kommen; eine zweite Haltevorrichtung 13 zur
Anwendung durch den Bediener; eine dritte Haltevorrichtung 14 zur
Anwendung durch den Roboter; eine Substrathaltevorrichtung 15 zum
Fixieren der Position der Substrate; eine Leistungsquelle 16,
die im hinteren Abschnitt des Behälterhauptkörpers 6 angeordnet
ist, d.h. gegenüberliegend
zur Tür 1;
und eine Türstatusdetektionsvorrichtung 14,
die an der Tür 1 und/oder
dem Behälterhauptkörper 6 angeordnet
ist. Diese Schlüsselkomponenten
sind zusammengebaut, um einen Substrattransportbehälter 18 herzustellen.
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Der
Substrattransportbehälter 18 hat
die Tür 1 zur Übertragung
des Substrates auf seiner Vorderseite und ist ausgelegt, um die
Substrate 4 mit einer gegebenen Trennungsdistanz in dem
Behälterhauptkörper 6 zu
halten. Die Substrate 4 werden auf einer gegebenen Trennungsdistanz
durch einen kammförmigen
Halteabschnitt 5 gehalten, der in dem Behälterhauptkörper 6 vorgesehen
ist (siehe 3). Ebenfalls werden die Substrate 4 zur
Hinterseite des Behälterhauptkörpers 6 gedrückt und
an der Position gehalten, und zwar durch die Substratbefestigungsmittel
bzw. Substrathaltemittel 15, die durch ein Federglied bedient
werden, welches an der Tür 1 vorgesehen
ist.
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Auf
beiden seitlichen Oberflächen
des Behälterhauptkörpers 6 ist
eine Abdeckung 10 angeordnet, um als eine Isolationswand
zu dienen, um von der Außenumgebung
des Behälters
zu isolieren und die Luftaufbereitungsmittel sind in dem Raum angeordnet,
der zwischen dem Behälterhauptkörper 6 und der
Abdeckung 10 angeordnet ist. Der Behälterhauptkörper 6 ist mit Öffnungsabschnitten 2 und 3 versehen,
die mit dem Raum innerhalb der Abdeckung 10 durch die Öffnungsabschnitte 2 und 3 in Verbindung
sind, und um die Luft zu zirkulieren, die von den Luftaufbereitungsmitteln
klimatisiert wird, und zwar durch den Raum in dem Behälterhauptkörper 6.
In dem Raum, der innerhalb der Abdeckung 10 erzeugt wird,
ist Folgendes vorgesehen: die Luftaufbereitungsmittel, die aus einem
Motorventilator 19, einem chemischen Filter 20 zur
Verringerung des Niveaus der gasförmigen Verunreinigungen und
einem Filter 21 bestehen, um das Niveau der Mikropartikel zu
verringern. Auch sind Entfeuchtungsmittel 11, die einen
festen Polymerelektrolytfilm aufweisen, vorgesehen, um die Feuchtigkeit
des Behälterinnenraums zu
steuern. Luft, die durch solche Luftaufbereitungsmittel bzw. Klimatisierungsmittel
gereinigt wird, wird zum Lagerabschnitt für die Substrate 4 geliefert.
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In
den Substrattransportbehälter 18 sind Luftaufbereitungsmechanismen
von relativ schwerem Gewicht symmetrisch in der Abdeckung 10 mit Bezug
zu den seitlichen Abschnitten des Behälterhauptkörpers 6, links und
rechts, angeordnet, und die Leistungsquelle 16 und die
Tür 1 sind
grob symmetrisch mit Bezug zu den vorderen und hinteren Abschnitten
des Behälterhauptkörpers 6 angeordnet. Daher
ist es möglich,
den oben beschriebenen Luftaufbereitungsmechanismus vorzusehen,
obwohl die Größe kompakt
ist, um die Spezifikation des SEMI-Standards zu erfüllen. Und
weil diese Komponenten, die relativ schwer sind, symmetrisch mit
Bezug zu den linken/rechten und vorderen/hinteren Abschnitten des
Behälters
angeordnet sind, fällt
der Schwerpunkt mit der Mitte des Substrattransportbehälters zusammen,
so dass wenn der Behälter
durch die Haltemittel 12 aufgehängt bzw. getragen wird, die an
der Oberseite des Behälterhauptkörpers 6 vorgesehen
sind, der Schwerpunkt des Behälters
mit den Haltemitteln 12 zusammenfällt, sodass der Behälter in
stabiler Weise behandelt werden kann. Auch ist die Abdeckung 10 mit
Haltemitteln 13 für
die manuelle Handhabung versehen (siehe 7), um die
manuelle Handhabung des Behälters
zu erleichtern.
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Die
Leistungsquelle 16 ist in zwei Arten aufgeteilt, und zwar
abhängig
von dem Betriebszustand. Die erste Art ist mindestens mit einer
zweiten bzw. sekundären
Batterie und einer Platine zur Steuerung des Betriebs der elektrischen
Treiberteile und einem Leistungsversorgungsanschluss für externe
Leistungsversorgung versehen. Die Leistungsquelle verwendet die
sekundäre
Batterie, wenn eine externe Leistungsversorgung nicht möglich ist.
Die Bedingungen für
die elektrischen Treiberteile werden durch die interne Steuerplatine
gegeben, um die Betriebsparameter zu bestimmen, wie beispielsweise
Betriebsmuster und die Drehzahl der Luftzirkulationsvorrichtung.
Die zweite Art ist mit mindestens einem externen Leistungsversorgungsanschluss
versehen. Dieser wird verwendet, um die elektrischen Treiberteile, wie
beispielsweise den Motorventilator nur anzutreiben, wenn die externe
Leistungsversorgung möglich ist.
Daher kann die Steuerplatine auch an dem Behälter oder der externen Leistungsversorgungsvorrichtung
angeordnet sein. Es ist zulässig,
die Informationsübermittlungsvorrichtung
in der Nachbarschaft des Leistungsversorgungsanschlusses anzuordnen, falls
nötig.
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Die
Luftaufbereitungsmittel sind in zwei Arten aufgeteilt. Die ersten
Luftaufbereitungsmittel sind eine Partikelverunreinigungsentfernungsvorrichtung,
eine Gasverunreinigungsentfernungsvorrichtung, eine Haltevorrichtung
zur Befestigung der Verunreinigungsentfernungsvorrichtungen und
eine Luftzirkulationsvorrichtung. Die zweiten Luftaufbereitungsmittel
sind eine Entfeuchtungsvorrichtung. Die erste Luftaufbereitungsvorrichtung
ist an einer Seitenfläche
des Gehäuses 6 oder
am Inneren der Abdeckung 10 angebracht. Die zweite Luftaufbereitungsvorrichtung
ist in diesem Beispiel an der Abdeckung 10 angebracht.
Die Lage für
die zweite Luftaufbereitungsvorrichtung ist nicht auf die Abdeckung 10 eingeschränkt, so Abdeckung 10 eingeschränkt, so dass
irgendeine Lage, einschließlich
des Gehäuses oder
der Tür,
akzeptabel ist. Obwohl dies nicht in den Abbildungen gezeigt ist,
kann auch eine dritte Luftaufbereitungsvorrichtung in der stromabwärts gelegenen
Stelle der Luftzirkulationsvorrichtung vorgesehen sein, falls nötig. Diese
dritte Luftaufbereitungsvorrichtung besteht aus einer Partikelentfernungsvorrichtung
oder einer Gasverunreinigungsentfernungsvorrichtung oder aus beiden
diesen Vorrichtungen und aus einer Haltevorrichtung zur Befestigung
der Entfernungsvorrichtungen. Es ist wünschenswert, dass die ersten,
zweiten und dritten Luftaufbereitungsvorrichtungen symmetrisch auf
der linken und rechten Seite angeordnet sind, sie können jedoch
auf einer Seite angeordnet sein. Beispielsweise ist ein Verfahren
zum Betrieb eines Systems mit einer Vielzahl von ersten, zweiten
und dritten Luftaufbereitungsvorrichtungen, die Luftzirkulationsvorrichtung und/oder
die Entfeuchtungsvorrichtung auf einer Seite zu betreiben und den
Betrieb der Luftzirkulationsvorrichtung und/oder der Entfeuchtungsvorrichtung auf
der gegenüberliegenden
Seite anzuhalten. Wenn man dies so tut, ist es möglich, die Konzentrationen der
Partikel, der Gasverunreinigungen und die Feuchtigkeit in dem Behälter einzustellen.
Dies ermöglicht
auch, den Betrieb eines batteriegetriebenen Systems zu verlängern.
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Als
nächstes
wird der Fluss des Gases in dem Behälter erklärt. Das Gas, welches von der
Luftzirkulationsvorrichtung (Ventilatormotor) 19 zirkuliert wird,
läuft durch
die Gasverunreinigungsentfernungsvorrichtung 20, die Partikelentfernungsvorrichtung 21,
einen ersten Flusspfad 22 und fließt in das Innere des Hauptkörpers 6 durch
den Öffnungsabschnitt 3, der
am Hauptkörper 6 vorgesehen
ist. Reines Gas, welches, in das Innere des Hauptkörpers eintritt, fließt zur mittleren
Region der Substrate 4 und zum Öffnungsabschnitt 2,
der nahe der Tür 1 vorgesehen ist.
Dann wird es in der Entfeuchtungsvorrichtung (zweite Luftaufbereitungsvorrichtung) 11 entfeuchtet, die
nahe dem zweiten Flusspfad 23 angeordnet ist, und kehrt
zurück
zur Luftzirkulationsvorrichtung 19, um den Zirkulationskreislauf
zu vollenden. Es ist zulässig,
eine poröse
Platte oder ein netzartiges Glied auf der stromabwärts liegenden
Seite des Partikel entfernungsfilters vorzusehen, und zwar zum Zwecke
des Ausgleichs der Strömungsgeschwindigkeit und
zum Schutz der Filtermaterialien.
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In
diesem Flusskreislauf wird, auch wenn die Tür 1 geöffnet ist,
um die Substrate 4 in den Behälter hinein bzw. aus diesem
heraus transportieren zu lassen, ein Luftfluss zur Tür 1 (Öffnungsabschnitt 2)
in der Nachbarschaft der Tür 1 durch
die Luftaufbereitungsvorrichtung 9 gebildet, so dass die
Substrate 4 nicht einfach verunreinigt werden. Der Betrieb
der Luftzirkulationsvorrichtung 19 kann dadurch gesteuert
werden, dass detektiert wird, ob die Tür geschlossen ist, und zwar
durch einen optischen, magnetischen oder mechanischen Detektor 17,
um zu ermöglichen,
nur zu arbeiten, wenn die Tür
geschlossen ist. Wenn der Ventilatormotor betrieben wird, wenn die
Tür offen
ist, kann die Servicelebensdauer des chemischen Filters durch das
Einleiten einer externen Atmosphäre
in den Behälter
verkürzt
werden, die verschiedene Verunreinigungen enthält. Ein weiteres Ziel ist,
eine Verunreinigung der Innenfläche des
Behälters
durch die äußere Atmosphäre zu verhindern.
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Detektionsvorrichtungen
weisen mechanische Schalter, Näherungsschalter
und photoelektrische Sensoren auf. Mechanische Schalter sind die üblichsten
Mittel zur Detektion und weisen Bauarten mit Knopf, Drehbauarten,
Schiebebauarten, Joystick-Bauarten, Drehmomentbauarten und Miniaturmodelle
auf, die auf dem Markt verfügbar
sind. Näherungsschalter
detektieren ein sich näherndes
Objekt durch eine Magnetfeld oder ein elektrisches Feld. Dies sind
berührungsfreie
Detektoren, und sie sind effektiv, wenn das detektierte Objekt metallisch
oder nicht metallisch ist. Photoelektrische Sensoren weisen Streureflektionsbauarten,
Spiegelreflektionsbauarten und Transmissionsbauarten auf. Bei der
Streureflektionsbauart basiert der Betrieb auf Licht, welches aus
dem Emissionsabschnitt herausläuft,
ein Objekt beleuchtet und gestreut/reflektiert wird, und ein Teil
des reflektierten Lichts kehrt zum Empfängerabschnitt zurück. Bei
der Spiegelreflektionsbauart wird Licht, welches aus dem Emissionsabschnitt
ausgesandt wird, vom Spiegel reflektiert, um zum Empfängerabschnitt
zurückzukehren
und arbeitet, wenn ein Objekt das Licht abschirmt. Bei der Transmissionsbauart
sind der Emissionsabschnitt und der Empfängerabschnitt an unterschiedlichen
Stellen angeordnet, und ein Objekt wird detektiert, wenn es den Lichtpfad
zwischen den Emissions- und Empfängerabschnitten
abschirmt. In dem obigen Ausführungsbeispiel
kann irgendeines von diesen Verfahren verwendet werden, und zwar
durch Berücksichtigung der
Größe, Form,
des Preises und der Zuverlässigkeit
von jedem Verfahren. Die Türstatusdetektionsvorrichtung 17 kann
weggelassen werden.
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Als
nächstes
werden verschiedene Verunreinigungsentfernungsvorrichtungen erklärt.
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Es
ist üblich,
einen Luftfilter zur Entfernung von Partikeln aus der Luft zu verwenden.
Gemäß den JIS-Standards
sind die Filter grob in die folgenden vier Bauarten eingeteilt,
und zwar abhängig
von der anvisierten Partikelgröße und dem
Aufnahmewirkungsgrad und den anderen Anforderungen.
- (1) Grobpartikelfilter: hauptsächlich verwendet, um Partikel
zu entfernen, die größer als
5 μm sind.
- (2) Filter mit mittlerer Leistung: hauptsächlich verwendet, um Partikel
von weniger als 5 μm
Größe mit mittlerem
Wirkungsgrad für
die Aufnahme von Partikeln zu entfernen.
- (3) HEPA-Filter: ein Luftfilter mit einem Partikelaufnahmewirkungsgrad
von mehr als 99,7% für Partikel
von 0,3 μm
Größe und mit
einem Druckabfall von weniger als 245 Pa bei der Standardflussrate.
- (4) ULPA-Filter: ein Luftfilter mit einem Partikelaufnahmewirkungsgrad
von mehr als 99,9995% für
Partikel mit einer Größe 0,1 μm und mit
einem Druckabfall von weniger als 245 Pa bei der Standardflussrate.
-
Die
Partikelentfernungsvorrichtung 21, die aus einem HEPA-Filter
oder dem ULPA-Filter gemacht ist, sollte verwendet werden. Der ULPA-Filter ist
im Allgemeinen so aufgebaut, dass das gefaltete Filterglied mit
Abstandshaltern versehen ist, um Flussdurchlässe sicherzustellen. Der Druckabfall durch
den ULPA-Filter variiert abhängig
von der Flusswiderstand der Filtermembran und der Art und Weise
der Faltung der Membran und der Gleichförmigkeit der Durchlässe. Wenn
die Struktur so ist, dass der Öffnungsbereich
des Filters klein ist, sollte die Länge des Flussdurchlasses vergrößert werden, und
es ist vorzuziehen, Filter mit einem niedrigen Druckabfall zu verwenden,
und zwar durch Einpacken von mehr Filtermedium. Filtermedien sind
kommerziell in verschiedenen Materialien verfügbar, wie beispielsweise Glasfaserharze
und fluoridbasierte Harze, und irgendein solches Filtermedium kann
verwendet werden, es ist jedoch vorzuziehen, fluoridbasierte Harze
zu verwenden, die eine überlegene
chemische Beständigkeit,
niedrige Gasemission und niedrigen Flusswiderstand bieten. Wenn
der Öffnungsbereich
groß gemacht
werden kann, ist es vorzuziehen, die Tiefe des Flusses zu verringern,
um die Anwendung des begrenzten verfügbaren Raums zu maximieren.
-
Ein
Rahmen, der aus Aluminium oder rostfreiem Stahl (SUS) oder aus einem
Polymer gemacht ist, ist mit einem gefalteten HEPA- oder ULPA-Filter gefüllt. Das
gefaltete Filterglied hat Unterteilungen, die Bänder genannt werden, an den
Spitzen des Filtermediums. Die Bänder
dienen dazu, eine konstante Trennung der Faltungen aufrecht zu erhalten,
um den Durchlass von Luft durch das Filterglied sicherzustellen.
Das gefaltete Filtermedium ist an dem äußeren Rahmen befestigt. Anstelle
der Bänder
kann das Filterglied eingeprägt
sein, um die Flussdurchlässe
sicherzustellen, oder das Band kann weggelassen werden. Wenn der äußere Rahmen
aus einem Polymer gemacht ist, kann auch die Befestigung durch Zusammenschmelzen
anstatt durch Verwendung eines Klebemittels hergestellt werden.
Anstelle der Bänder
können
wellenförmige
Trennvorrichtungen verwendet werden. Wenn der Flusswiderstand niedrig
ist, kann auch das Filterglied in einer Ebene ohne irgendwelche
Faltungen verwendet werden.
-
Filtermedien
zur Partikelfilterung weisen PTFE, Glassfasern, nicht gewebte Tücher und
wiederverwendete Produkte auf. Die Struktur des Filters kann gefaltete
Strukturen (Pleats, Mini-Pleats), Membranen (Flächenelemente), gewellte und
hohle Fasermembranen aufweisen.
-
Die
Partikelfilter werden als eine zusammengebaute Einheit verwendet,
und zwar indem das Filtermedium von einem äußeren Rahmen umgeben wird.
Um zu verhindern, dass die eingefangenen Partikel vom Filter gelöst werden,
ist es nötig,
zwischen den Filtergliedern und dem äußeren Rahmen abzudichten. Ein
allgemeines Verfahren zur Abdichtung ist, ein Klebemittel zu verwenden.
Es ist auch möglich,
durch Druck das Filtermedium an den äußeren Rahmen zu binden. Das
Klebemittel weist urethanbasierte oder epoxydbasierte Harze auf,
und wenn der äußere Rahmen
aus einem Polymer-Material gemacht ist, können weiterhin die Filterglieder
an den Rahmen angeschmolzen werden.
-
Die
Gasverunreinigungsentfernungsvorrichtung 20 kann abhängig von
der Zielsubstanz ausgewählt
werden. Basische Gase können
effizient durch Anwendung von stark sauren oder schwach sauren nicht
gewebten Kationenaustauschgeweben oder -fasern oder stark sauren
oder schwach sauren Kationenaustauschkügelchen entfernt werden. Sie
können
auch durch Anwendung von Aktivkohle bzw. Filterkohle oder Keramiken
entfernt werden, die mit einer sauren Chemikalie beschichtet sind.
Saure Gase, Bor und Phosphor können
effizient durch Anwendung von stark basischen oder schwach basischen
nicht gewebten Anionenaustauschgeweben oder -fasern oder stark basischen
oder schwach basischen Kationenaustauschkügelchen entfernt werden. Sie
können
auch entfernt werden durch Anwendung von Aktivkohle bzw. Filterkohle
oder Keramiken, die mit einer basischen Chemikalie beschichtet sind.
Organische Substanzen können
durch Aktivkohle, aktivierte Kohlefasern, Zeolit, durch ein Molekularsieb,
durch Kieselgel und poröse
Keramiken entfernt werden. Ozon kann durch Anwendung eines Trägermediums entfernt
werden, welches aus Mangandioxid gemacht ist, und zwar in Form von
Körnern
oder einem Flächenelement
oder durch Anbringung an einem Träger, oder durch Aktivkohle,
die mit Mangandioxid beschichtet ist. Auch können ionisierte Metalle in Dampfform,
beispielsweise Kupfersulfid, durch nicht gewebte Ionenaustauschgewebe
oder Ionenaustauschkügelchen
entfernt werden. Die Struktur des adsorbierenden Materials kann
ausgewählt
werden, um zur zulässigen
Größe des Filters,
der Form und des Druckabfalls zu passen.
-
Nicht
gewebte Ionenaustauschgewebe und -stoffe können beispielsweise erhalten
werden durch Einleitung von Ionenaustauschradikalen durch eine radioaktive
Verpflanzungspolymerisationsreaktion. D.h., viele aktivierte Stellen
werden auf einem Anfangsmaterial erzeugt, welches aus organischen
Makromolekülen
besteht, wie beispielsweise aus Polyethylen-, Polypropylen- oder
natürlichen
Polymerfasern oder Gewebe, wie beispielsweise Wolle, oder Baumwolle,
und zwar durch Behandlung mit Strahlungen, wie beispielsweise Elektronenstrahlen
oder Gammastrahlung. Diese aktivierten Stellen sind sehr reaktiv
und werden Radikale genannt, und es ist möglich, Eigenschaften auf das
Monomer durch die Radikale aufzuprägen, die anders sind als jene
des Grundmaterials.
-
Weil
diese Technik auf der Anbringung von Monomeren auf dem Basismaterial
basiert, wird die Reaktion Aufpfropfungs- bzw. Verpflanzungspolymerisation
genannt. Durch das Anwenden einer radioaktiven Verpflanzungspolymerisation,
um nicht gewebtes Polyethylen-Gewebe mit Monomeren zu verbinden,
beispielsweise mit Styren-Natriumsulfat, mit Acrylsäure, mit
Acrylamin, mit Ionenaustauschradikalen, wie beispielsweise einer
Sulfon-Gruppe, einer Carboxyl-Gruppe und Aminogruppenmolekülen ist
es möglich,
einen nicht gewebten Ionenaustauschkörper mit einer beträchtlich
höheren
Ionenaustauschgeschwindigkeit als Ionenaustauschkügelchen
oder sogenannte Ionenaustauschharze zu erhalten. Nach dem Binden
der Monomere, die Ionenaustauschradikale aufweisen können, wie
beispielsweise Styren, Chloromethyl-Styren, Gycidyl-Methacrylat, Acrylonitril
und Acrolein auf dem Basismaterial durch radioaktive Verpflanzungspolymerisation
aufzubringen bzw. einzubringen, können Ionenaustauschradikale
eingeführt
werden, um einen Ionenaustauschkörper
in der gleichen Form zu erhalten, wie das Basismaterial.
-
Die
Filterstruktur kann aus einem einzigen Material oder aus einer Vielzahl
von Materialien gemacht sein. Wenn eine Vielzahl von Materialien
zu verwenden ist, können
beispielsweise Aktivkohlepartikel und nicht gewebtes Ionenaustauschgewebe
verwendet werden. In einem solchen Fall wird nicht geweb tes Ionenaustauschgewebe
verwendet, um die Partikel oder eine Pulverform aus Aktivkohle zu
halten. Nicht gewebtes Ionenaustauschgewebe kann zu einer Flächenelementform
oder zu einer gefalteten Form gemacht werden. Sie können an
einem Trägerkörper angebracht
werden, der aus Urethan, einem Schaumkörper, aus Plastik, aus Polymer-
oder Metallmaterial gemacht ist. Beispielsweise sind dies Aktivkohlepartikel
auf einem Urethan-Träger
und ein Ionenaustauschharz an einem Urethan-Träger, oder Aktivkohlepartikel
auf einem Urethan-Träger
und eine Urethan-Träger,
der mit Aktivkohlepartikeln imprägniert
ist.
-
Weiterhin
kann die Form des chemischen Filters eine Plattenart, eine Bauart
mit gerolltem Kern, eine W-Bauart, eine zylindrische Bauart, eine
Platten-Finnen-Bauart,
eine Bypass-Bauart und eine dreidimensionale Skelettbauart aufweisen.
-
Als
nächstes
werden das Entfeuchtungsmittel und der Entfeuchter 11 erklärt. In diesem
Ausführungsbeispiel
wird eine Entfeuchtungseinheit, basierend auf einem festen elektrolytischen
Film verwendet. Bei diesem Verfahren werden Wassermoleküle an dem
Entfeuchterseitenraum in Wasserstoff und Sauerstoff unter Verwendung
eines Katalysators zersetzt, und Wasserstoff wird durch einen festen
Polymerelektrolytfilm entfernt, der mit einer Spannung zur äußeren Seite
des Entfeuchterraums versehen ist, d.h., Wasserstoff wird zur Feuchtigkeitsauslassseite ausgelassen.
-
Ein
Beispiel einer Entfeuchtungseinheit basierend auf einem festen Elektrolytfilm
ist in 8 gezeigt. Wichtige Komponenten, die für den Entfeuchter
basierend auf einem festen Polymerelektrolytfilm erforderlich sind,
sind eine Flanschelektrode 31, ein fester Polymerelektrolytfilm 32 und
eine katalytische Schicht 33. Die Entfeuchtungseinheit
weist einen festen Flansch 34 auf, um die Flanschelektrode 31 festzulegen,
und ein Packungsglied 35 zusätzlich zu den oben beschriebenen
Komponenten. Ein Merkmal dieser Entfeuchtungseinheit ist, dass die katalytische
Schicht 33 und der feste Elektrolytfilm 32 getrennt
sind und individuell geformt werden. Ein weiteres Beispiel der Entfeuch tungseinheit
basierend auf dem festen Elektrolytfilm ist in 9 gezeigt.
Das Merkmal dieser Entfeuchtungseinheit ist, dass der feste Elektrolytfilm 32,
die poröse
Elektrode 36 und die katalytische Schicht 33 in
einer einzigen Einheit montiert sind. Ein Beispiel eines speziellen
Produktes ist zu finden bei ROSAHL, hergestellt von Ryosai Tèchnica
Co. LTD.
-
Die
Form der Entfeuchtungseinheit kann quadratisch, rechteckig, kreisförmig, oval
oder polygonförmig
und in anderen Formen sein, es ist jedoch vorzuziehen, sie so zu
konstruieren, dass ein Verhältnis
der Fläche
der Flanschelektrode SF relativ zu der festen
Elektrolytfilmfläche
SSPE klein sein sollte. Insbesondere ist
das Verhältnis
SF/SSPE größer als
0,1 und geringer als 0,5 oder insbesondere vorzugsweise größer als
0,01 und geringer als 0,3. Wenn das Verhältnis der Entfeuchtungsfläche, die
das zu bearbeitende Gas berührt,
zur Flanschelektrode genauso ist, ist eine ovale Form einer kreisförmigen Form
vorzuziehen, und eine rechteckige Form ist einer quadratischen Form
vorzuziehen, und insbesondere ist es vorzuziehen, dies so auszulegen,
dass die kurze Achse und die lange Achse oder der kurze Umfang und
der lange Umfang in einem Bereich von nicht weniger als 10% und
nicht mehr als 90% miteinander in Beziehung stehen. Der feste Polymerelektrolytfilm sollt
vorzugsweise Protonen durchlassen, kann jedoch von Nafion-117 (registriertes
Markenzeichen), hergestellt von DuPont Co., bedient bzw. gebildet werden,
welches eine nominelle Filmdicke von 170 μm hat. Es ist auch möglich, beispielsweise
Nafion-115 oder XUS-13.204.10 zu verwenden, welches beispielsweise
von Dow Chemical Co. hergestellt wird. Es ist vorzuziehen, Platin
oder Platinschwarz als Katalysator zu verwenden, und zwar wegen
seiner Fähigkeit
und Haltbarkeit, jedoch kann Platin auf einem Kohlenstoffträger oder
einem anderen Metallkatalysator der Platingruppe verwendet werden.
Es ist vorzuziehen, Aluminium, Titan oder rostfreien Stahl für den Stromanschluss
vorzusehen, der nötig ist,
um eine gleichförmige
Spannung an der porösen Elektrode
anzulegen. Um Material zu packen, ist PTFE vorzuziehen, und zwar
wegen seiner niedrigen Emission von organischer Substanz. Weil der
Befestigungsflansch das Prozessgas direkt berührt, sodass es vorzuziehen
ist, zu vermeiden, Metalle zu verwenden, die anfällig für Korrosion durch das Pro zessgas
sind, sodass Polymermaterialien vorzuziehen sind, wenn es jedoch
keine Gefahr gibt, dass die Entfeuchtungseinheit korrosiven Gasen
ausgesetzt wird, können
Aluminium, Titan oder rostfreier Stahl verwendet werden. Es ist
auch vorzuziehen, einen Schutz mit einem Öffnungsabschnitt vorzusehen,
um zu vermeiden, den festen Elektrolytfilm zu berühren, wobei
dieser den Katalysator und die poröse Elektrode aufweist, und
zwar direkt von außen.
-
Ein
weiteres Verfahren zur Entfernung der Feuchtigkeit, die in der Luft
enthalten ist, ist, Verfahren eines Entfeuchtungsmittels zu verwenden,
welches in erster Linie Kieselgel, Zeolit (welches synthetisches
Zeolit mit einschließt),
Calciumcarbonat, Calciumchlorid oder Magnesiumchlorid enthält. Wenn man
ein Entfeuchtungsmittel verwendet, ist es vorzuziehen, ein Mittel
zu verwenden, wie beispielsweise Kieselgel, welches nach einer regenerativen
Aufheizung wieder verwendet werden kann und in Kartuschenform zum
einfachen Ersatz verfügbar
ist, der automatisch ausgeführt
werden kann. Ein weiteres Verfahren, welches in Betracht gezogen
werden kann, ist, den Behälter
zu kühlen
oder eine gekühlte Stange
in den Behälter
für eine
gegebene Zeit einzuführen,
um die gefrorene Feuchtigkeit zur Entfernung zu sammeln.
-
Bei
irgendwelchen solchen Verfahren wird die Entfeuchtung in kurzer
Zeit ermöglicht
durch Zirkulation der Atmosphäre
in dem Behälter.
In dem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung kann irgendein Entfeuchtungsverfahren
verwendet werden, solange die Vorrichtungen zur Entfeuchtung in
dem Behälter
eingebaut werden können.
Es ist auch möglich,
die Zeit zum Erreichen einer niedrigen Feuchtigkeit in dem Behälter zu
reduzieren, indem man hochreinen Stickstoff oder inertes Gas oder
getrocknete Luft vom Versorgungs/Auslassanschluss einleitet, der
in dem Hauptkörper
vorgesehen ist, oder von der Tür,
um die innere Atmosphäre
zu ersetzen, und zwar zusammen mit der Verwendung der Entfeuchtungsverfahren.
-
Es
ist auch zulässig,
sowohl einen Entfeuchter der elektrischen Bauart als auch ein Feuchtigkeit aufnehmendes
Material (Aktivkohle, ein Ionenaus tauschmittel, Kieselgel usw.)
zu verwenden. Dies ist dafür
vorgesehen, das Feuchtigkeit aufnehmende Material in einem aktiven
Anfangszustand zu halten, was die schnellste Absorptionsgeschwindigkeit
zeigt, und zwar zu jedem Zeitpunkt, in dem man das absorbierende
Material zu jedem Zeitpunkt in dem trockenen Zustand durch Verwendung
des elektrischen Entfeuchters hält.
Weiterhin erreicht die Anwendung eines Behälters mit Mitteln, um durch
Kraft ein inertes Gas darin zu zirkulieren (Gasspülung), eine
niedrige Feuchtigkeit in der kürzest
möglichen
Zeit. Ob die Mittel zur Erzeugung eines Gasflusses ein Ventilator oder
eine Gasspülung
sind, ist es auf jeden Fall vorzuziehen, das Gas zumindest einmal
oder mehrmals zu zirkulieren, und insbesondere ist es vorzuziehen, es
mehr als drei Mal während
der Dauer zwischen der Lagerung des Wafers und der Entfernung des Wafers
zu zirkulieren, sodass die Anzahl der Zirkulationen gemäß der Umgebung
eingestellt werden kann, die für
die gelagerten Substrate erforderlich ist, oder bezüglich des
Grades der Verunreinigung, der in der äußeren Umgebung vor und nach
dem gegenwärtigen
Prozess im Verhältnis
zum Grad der Reinheit vorhanden ist. Wenn es keine Einschränkung der Leistung
gibt, die vom Ventilator verbraucht wird, ist es besonders vorzuziehen,
dass das Gas konstant zirkuliert wird. Hier sei bemerkt, dass „die Umgebung, die
für die
gelagerten Substrate erforderlich ist" sich auf die Erzeugung einer Umgebung
in dem Behälter während des Übergangs
zwischen den Prozessen bezieht, so dass alle oder irgendwelche speziellen Arten
von Verunreinigungen in dem Behälter,
welche die Ausbeute verringern können,
wie beispielsweise Partikelstoffe, Ionen, Dotierungsmittel, gasförmige Verunreinigungen,
die organische Substanzen mit einschließen, und Feuchtigkeit, unter
dem Zielsteuerniveau gehalten werden.
-
Wenn
das Ziel ist, eine niedrige Feuchtigkeit aufrechtzuerhalten, ist
es hier besser, ein Material für den
Behälter
zu verwenden, welches einen niedrigen Feuchtigkeitsaufnahmefaktor
hat. Dies kommt daher, dass in einer typischen Umgebung von 25°C und 50%
relativer Feuchtigkeit (RH = Relative Humidity), die im Allgemeinen
für Reinräume geeignet
ist, falls das Innere des Behälters
nur bezüglich
der Feuchtigkeit verringert wird, (1) Feuchtigkeit, die in den Polymer-Materialien
enthalten ist, die den Behälter
bilden, zu der Seite mit nied rigerer Feuchtigkeit aufgrund des Feuchtigkeitsgradienten
wandert, (2) die in der Umgebung außerhalb des Behälters enthaltene Feuchtigkeit
zum Inneren des Behälters
aufgrund des Feuchtigkeitsgradienten zwischen dem Inneren des Behälters und
der äußeren Umgebung
wandert, und (3) Luft in der äußeren Umgebung
in das Innere des Behälters
durch die Verbindungen des Behälters leckt.
Diese drei Gründe
bewirken, dass die Feuchtigkeit zum Inneren des Behälters wandert,
welches auf einer niedrigeren Temperatur gehalten wird. Wenn der
Behälter
stark hermetisch ist, ist von den drei oben erwähnten Gründen jener Faktor, der am meisten
den Anstieg der Feuchtigkeit im Inneren des Behälters beeinflusst, die oben
erwähnte
(1) Feuchtigkeit, die in den Polymer-Materialien enthalten ist,
die den Behälter
bilden, die zu der Seite mit niedriger Feuchtigkeit wandert.
-
Die
Messung des Wasserabsorptionsfaktors von Polymer-Materialien wird
gemäß dem ASTM-D570-Standard
(ASTM = American Society for Testing and Materials) festgelegt und
wird in der Literatur oder in dem Katalog des Herstellers des Polymers
usw. wiedergegeben. Polycarbonat (PC) wird oft verwendet, um Substrattransportbehälter herzustellen,
jedoch ist der Wasserabsorptions- bzw. Wasseraufnahmefaktor von
Polycarbonat 0,2–0,3%,
sodass der Behälterhauptkörper und
die Tür,
die 3 kg wiegen, 6–9
g Feuchtigkeit enthalten würden.
Durch Verwendung eines Materials mit einem Wasserabsorptionsfaktor
von zumindest weniger als 0,1% ist es möglich, die Menge der Feuchtigkeit
zu verringern, die in den Behälter
wandern kann, und dies trägt
zur Verbesserung der Leistung des Entfeuchters bei. Polymer-Materialien mit einem
Wasseraufnahmefaktor von weniger als 0,1% weisen Folgendes auf:
PE (Polyethylen) < 0,01%;
PP (Polypropylen) 0,03%; PBT (Polybutylenterefthalat) 0,06–0,08%;
PPS (Polyphenylensulfid) 0,02%; PTFE (Polytetrafluorethylen) < 0,01%; PC/Carbon
(Polycarbonat mit 20% zugegebenem Kohlenstoff bzw. Kohlefasern)
0,1%; und PBT/Carbon (Polybutylenterefthalat mit 20% hinzugefügtem Kohlenstoff
bzw. Kohlefasern) 0,05%. Von diesen Substanzen ist zur Konstruktion
des Substrattransportbehälters
vorzuziehen PPS (Polyphenylensulfid) oder PBF (Polybutylenterefthalat)
oder die oben erwähnten
Materialien mit Carbon- bzw. Kohlefaserzugabe zu verwen den, die
Charakteristiken von chemischer Beständigkeit, besseren Hochtemperatureigenschaften
und niedriger Formschrumpfung zeigen. Das Material kann ein Legierungsmaterial
sein, welches durch das Mischen von unterschiedlichen Materialien
erzeugt wird, solange das Material die oben erwähnten Eigenschaften erfüllen kann.
-
Weil
Wafer anfällig
dafür sind,
dass sie statisch aufgeladen werden, wenn die× Feuchtigkeit niedrig ist,
ist es auch vorzuziehen, dass ein elektrischer Leiter mit zugegebenem
Carbon bzw. Kohlefasern verwendet wird, um den Behälter zu
bilden, zumindest den Wafer-Tragabschnitt, der die Wafer berührt, den
Erdungsteil, der den Behälter
erdet, und den Verbindungsteil zum Wafer-Tragteil. Die Polymer-Materialien sind
im Allgemeinen, wie folgt, klassifiziert: jene mit einem Oberflächenwiderstand
von 1 × 103 – 1 × 108 Ω sind
als statische Ladung leitende Materialien eingeteilt; jene mit 1 × 105 – 1 × 1012 Ω sind
als statische Ladung ableitende Materialien eingeteilt; und jene
mit Werten von mehr als 1 × 1012 Ω sind
als isolierende Materialien eingeteilt. Auch sind jene Materialien
mit einem Volumenwiderstand von 1 × 102 – 1 × 105 Ωcm
als statische Ladung leitende Materialien eingeteilt; jene mit 1 × 104 – 1 × 1011 Ωcm sind
als statische Ladung ableitendes Material eingeteilt; und jene mit
Werten von mehr als 1 × 1011 Ωcm sind
als isolierendes Material eingeteilt. In dem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung ist vorzuziehen, dass der Oberflächenwiderstand
weniger als 1 × 1010 Ω ist;
und der Volumenwiderstand ist weniger als 1 × 109 Ωcm oder
mehr, wobei vorzugsweise der Oberflächenwiderstand geringer als
1 × 108 Ω ist; und
der Volumenwiderstand geringer als 1 × 107 Ωcm ist.
Weil das nicht gewebte Ionenaustauschgewebe und die Aktivkohle,
die für
das Gasverunreinigungsaufnahmemedium verwendet wird adsorbierte Feuchtigkeit
direkt nach ihrer Herstellung enthalten, ist es auch vorzuziehen,
sie vor dem Gebrauch zu trocknen.
-
Wie
oben beschrieben, verschiebt sich der Schwerpunkt des Behälters zur
Filterseite, wenn verschiedene Filter und eine Leistungsquelle 16 in
dem Behälter
eingebaut sind. Wenn versucht wird, den Behälter in dem OHT-System zu transportieren,
beispielsweise durch Greifen der Roboterhaltevorrichtung 12,
während
der Schwerpunkt zu einer Seite verschoben ist, besteht die Gefahr,
den Aufzug bzw. die Hebevorrichtung und andere Teile in dem OHT-System zu beschädigen. Um
ein solches Problem zu vermeiden, ist es wünschenswert, das Gewicht des
Filters und der Leistungsquelle 16 zu verringern. Weiterhin
kann man ein Gegenwicht nahe der Substrattransporttür 1 und/oder
nahe dem Öffnungsabschnitt
des Gehäuses 6 anordnen.
Ein weiteres Verfahren ist, das Gewicht der Tür 1 durch Verwendung
von Metall zur Herstellung des Verriegelungsmechanismus zu steigern,
der in der Tür 1 aufgenommen
ist, um den Schwerpunkt einzustellen. Durch Einsatz von solchen
Maßnahmen
ist es vorzuziehen, den Schwerpunkt in horizontaler Richtung einzustellen,
um ihn in 90% eines Kreises mit dem Radius des Substrats anzuordnen,
oder insbesondere innerhalb 70% eines Kreises des Radius des Substrats.
An einer Seitenfläche
des Leistungsquellenabschnitts ist ein Anschluss zum Liefern von
elektrischer Leistung vorgesehen. Es ist nötig, dass die Leistungsquelle
mit mindestens der Fähigkeit
zur Ladung der zweiten bzw. sekundären Batterie versehen ist.
Vorzugsweise wird die Leistungsversorgung der Luftzirkulationsvorrichtung
und der Entfeuchtungsvorrichtung zur gleichen Zeit mit der Anwendung
einer getrennten Schaltung ausgeführt. Im Allgemeinen fällt die
Speicherkapazität
der sekundären
Batterie allmählich
ab, wenn sie wiederholt Ladungs- und Entladungszyklen unterworfen
ist. Es ist möglich,
die Kapazitätsverschlechterung
der Batterie zu verzögern,
wenn der Behälter
mit einer externen Leistungsquelle verbunden ist, und zwar durch
Betätigung
der elektrischen Antriebsteile ohne die Batterie zu entladen. Entsprechend
ermöglicht
dies, die Frequenz der Batterieentladung zu verringern. Andrerseits
ist ein anderes Betriebsverfahren, die Batterie nicht vorzusehen,
sodass das System nur betrieben wird, wenn es mit der externen Leistungsquelle
verbunden ist. Wenn man dies so tut, wird die Notwendigkeit der
zweiten Batterie und der Betriebsplatine eliminiert, was zu einer
Verringerung der Produktkosten führt.
Die Lage des Anschlusses für
die externe Leistungsversorgung ist nicht auf jene eingeschränkt, die
in dem Beispiel gezeigt ist, sondern kann an irgendeiner geeigneten
Stelle angeordnet sein.
-
Verschiedene
Betriebsvorgänge
können
für die
Luftzirkulationsvorrichtung in Betracht gezogen werden, und zwar
abhängig
von der Art und Weise der Verwendung des Behälters. Im Allgemeinen kann das
System kontinuierlich betrieben werden, oder die Luft kann einmal
oder mehrmals alle zehn Minuten im Anfangsstadium des Betriebs zirkuliert
werden, oder einmal oder mehrmals und weniger als zehn Mal jede Minute.
Wenn man dies so tut, werden Verunreinigungen, die in den Behälter gebracht
werden, aktiv entfernt. Nachdem das System für eine gewisse Zeit betrieben
worden ist, kann die Flussgeschwindigkeit verringert werden oder
das System kann intermittierend betrieben werden, um eine Verunreinigung
der Substrate W zu verhindern, die in dem Behälter gelagert sind, die durch
die Bestandteile des Behälters
erzeugt wird. Wenn man dies so tut, ist eine Verringerung des Leistungsverbrauchs
möglich,
was eine geringere Frequenz der erneuten Aufladung der zweiten Batterie
zur Folge hat.
-
Ein
zweites Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung ist in den 10–13 gezeigt. Der
Unterschied zwischen diesem Ausführungsbeispiel
und dem ersten Ausführungsbeispiel
ist, dass eine zweite Handhabungsvorrichtung 13 zur manuellen
Handhabung des Behälters
unabhängig
vorgesehen wird (siehe 10 und 11). Andere
Merkmale, wie beispielsweise die Luftaufbereitungsvorrichtung und
Flusspfade, sind im Grunde genommen die Gleichen wie jene im ersten
Ausführungsbeispiel.
-
Als
nächstes
ist ein drittes Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung in den 14 bis 17 gezeigt.
Der hauptsächliche
Unterschied zum ersten Ausführungsbeispiel
ist, dass die Haltevorrichtung 5 zum Halten der Substrate 4 um
eine gegebene Distanz auseinander, und der Hauptkörper 6 als
unabhängige
Teile vorgesehen sind, und dass die Partikelentfernungsvorrichtung 21,
die Gasverunreinigungsentfernungsvorrichtung 20 und die
Luftzirkulationsvorrichtung 19 unabhängig vorgesehen sind (siehe 17).
Durch Anordnung der Komponenten, wie hier beschrieben, ist es möglich, eine
kompakte Struktur zu erhalten, die mit einem Klimatisierungs- bzw.
Luftaufbereitungsmechanismus versehen sein kann.
-
Als
nächstes
werden Verfahren zur Leistungsversorgung des Behälters, der in den ersten bis dritten
Ausführungsbeispielen
gezeigt ist, mit Bezug auf die 18 bis 22 erklärt. Die
Substrate werden in den Behälter
und aus diesem heraus zur Verarbeitungsvorrichtung durch einen extra
dafür vorgesehenen
Ladeanschluss transportiert. 18 zeigt einen
Substrattransportbehälter 18,
der auf dem Ladeanschluss 51 sitzt. 18 zeigt
auch eine Umhüllung 57,
die einen Transportroboter 52, einen Türöffner 53, einen ULPA-Filter 54,
einen Gasverunreinigungsfilter 55 und ein Gebläse 56 aufnimmt.
Der Substrattransportbehälter 18 wird
durch einen Positionierungsstift 59 positioniert, der auf
einer bewegbaren Plattform 58 vorgesehen ist. Dann wird
der Substrattransportbehälter
am Platz durch eine Klemmvorrichtung festgelegt, die an der bewegbaren
Plattform 58 vorgesehen ist, und schreitet zusammen mit der
bewegbaren Plattform in Richtung des Türöffners 53 voran, sodass
die Tür
geöffnet
werden kann (18 zeigt einen solchen Zustand).
Eine Ladevorrichtung 60 ist an dem Ladeanschluss angeordnet.
-
19 ist
eine vergrößerte Ansicht
der Nachbarschaft des Leistungsversorgungsanschlussabschnitts (Leistungsversorgungsabschnitts) 61. Wenn
der Substrattransportbehälter 18 an
einer speziellen Position an dem Ladeanschluss 51 sitzt,
wird der Leistungsversorgungsanschluss 63 durch die Antriebsvorrichtung 64 an
dem Leistungsversorgungsabschnitt 63, der an der bewegbaren
Plattform 58 angeordnet ist, bewegt, um den Leistungsaufnahmeabschnitt 62 zu
berühren,
wodurch die zu liefernde Leistung eingeschaltet wird. Es ist vorzuziehen,
Bestimmungsmittel vorzusehen, um zu bestimmen, ob der Substrattransportbehälter 18 eine
Aufladung benötigt oder
nicht. Entsprechend ist es durch Zurückziehen des Leistungsversorgungsanschlusses,
wenn dieser nicht verwendet wird, um Leistung zu liefern, und durch
Ausfahren des Anschlusses nur dann, wenn er für die Leistungsversorgung benötigt wird,
einen Schaden an dem Leistungsversorgungsanschluss 63 zu
verhindern. Eine weitere Sicherheitsmaßnahme kann unternommen werden,
um die Aufladung durch den Leistungsversorgungsanschluss 63 gemäß den Bestimmungsmitteln
zu steuern. Jedoch kann, abhängig
von der Lage des Ladean schlusses bezüglich des Substrattransportbehälters der
Leistungsversorgungsanschluss des Behälters in dem unteren Abschnitt
angeordnet sein, und nicht an der Seitenfläche, wie in den 19, 20 gezeigt.
Wenn der Leistungsversorgungsanschluss in dem unteren Abschnitt
gelegen ist, kann weiter der Leistungsversorgungsanschluss im ausgefahrenen
Zustand gelassen werden, ohne den Anschluss zurückzuziehen. Es ist vorzuziehen,
dass der Leistungsversorgungsanschluss zumindest durch eine Feder
auf die Vorrichtungsseite oder die Substrattransportseite drückt, oder
dass der Metallanschluss selbst eine Federwirkung haben kann.
-
Ein
weiteres Verfahren zur Leistungsversorgung ist in 20 gezeigt.
Der Unterschied zwischen diesem Verfahren und dem in 19 gezeigten
Verfahren ist, dass die Leistungsversorgung durch ein berührungsfreies
Verfahren ausgeführt
wird. Das Prinzip des Verfahrens ist in 21 gezeigt.
Wenn ein Magnetfeld um einen Leiter (Spule) variiert, wird eine
Spannung erzeugt, und der Strom fließt. Dies ist das Prinzip der
elektromagnetischen Induktion. Eine Primärspule 72 ist auf
die Primärspulenseite 71 gewickelt
und Wechselstrom fließt
darin. Weil die Richtung des Flusses des Wechselstroms sich periodisch verändert, wird
ein Strom in der Sekundärspule 74 erzeugt.
Weil der Strom im Prinzip durch Veränderungen des Magnetfeldes
erzeugt wird, können
die Primärspule 71 und
die Sekundärspule 73 berührungsfrei
gemacht werden. Dieses Verfahren ist als bewährtes Verfahren zur Aufladung
von elektrischen Rasierern, elektrischen Zahnbürsten und elektrischen Fahrzeugen
verwendet worden. Das Merkmal der Leistungsversorgung mit elektromagnetischer
Induktion ist, das keine Abnutzung der Anschlüsse auftritt, weil kein Kontakt
auftritt, dass keine Erzeugung von Funken auftritt, dass keine Gefahr
eines elektrischen Schlages besteht, und dass keine Gefahr eines
Kurzschlusses besteht, wenn diese in nasser Umgebung verwendet wird.
Auch kann eine Verunreinigung des Reinraumes durch Staub verhindert werden,
der aufgrund von Funkenbildung usw. erzeugt wird.
-
22 zeigt
ein weiteres Verfahren zur Aufladung. Obwohl dieses Verfahren berührungsfrei
ist und ähnlich
dem ist, welches in 20 gezeigt ist, ist der Leistungsaufnahmeanschluss 62 am
unteren Abschnitt des Behälters 18 vorgesehen.
Es sei hier bemerkt, dass die Lage der Leistungsversorgungs- und Leistungsaufnahmeanschlüsse oder
ihre Struktur nicht auf jene eingeschränkt ist, die oben gezeigt ist. Während beispielsweise
der Substrattransportbehälter
auf dem automatisierten Transportfahrzeug angeordnet ist und davon
zwischen den Verarbeitungsvorrichtungen transportiert wird, wird
die Luft in dem Substrattransportbehälter durch die Leistung zirkuliert,
die von der Batterie oder von einer externen Leistungsquelle in
dem automatisierten Transportfahrzeug geliefert wird, und zwar durch
Betrieb des Ventilatormotors. Wenn der Substrattransportbehälter auf
einer Verarbeitungsvorrichtung angeordnet ist und in einem Wartezustand
ist, kann Leistung auch von der Batterie oder von einer externen
Leistungsquelle in der Verarbeitungsvorrichtung geliefert werden.
Solche Leistungsversorgungsanordnungen sind auf den Fall der Auflandung
ebenfalls anwendbar. Auch weist eine solche Leistungsversorgungsvorrichtung
nicht nur Ladevorrichtungen zum Aufladen auf, sondern kann auch
einen Ladeanschluss mit einer Leistungsversorgungsfähigkeit,
ein temporäres Lager,
eine Halbleiter-Herstellungsvorrichtung, eine automatisierte Transportvorrichtung,
eine manuelle Transportvorrichtung und eine Leistungstestvorrichtung
aufweisen.
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Als
nächstes
wird ein bewegbarer Leistungsversorgungsmechanismus insbesondere
mit Bezug auf die 23A, 23B bis 26 erklärt.
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Die 23A, 23B beziehen
sich auf bewegbare bzw. transportable Leistungsversorgungsmechnismen,
basierend auf einem Motor und auf Zahnrädern und einer direkt angetriebenen
Führungsschiene. 23A zeigt einen Zustand des Zurückziehens
der Anschlüsse,
und 23B zeigt einen Zustand des
Ausfahrens der Anschlüsse,
um die Leistung zu liefern. Ein Substrattransportbehälter 18 ist über dem
Leistungsversorgungsanschlussabschnitt 61 angeordnet und
der Leistungsaufnahmeanschluss 62 und der Leistungsversorgungsanschluss 63 sind
einander gegenüberliegend
angeordnet. Während
des in 23A gezeigten Zustandes des
Zurückziehens
des Anschlusses ist der Leistungsversorgungsanschluss 63 in
dem Leistungsversorgungsan schlussabschnitt 61 aufgenommen, wenn
jedoch der Motor 75 aktiviert ist, bewegt sich die Gleitführung 77b auf
der bewegbaren Seite entlang der Gleitführung 77a der festen
Seite durch das Zahnrad 76, und der Leistungsversorgungsanschluss 63 berührt den
Leistungsaufnahmeanschluss 62 (siehe 23B). Wenn man dies so tut, wird Leistung zum
Substrattransportbehälter 18 geliefert
und wenn die Leistungsversorgung vollendet ist, wird der Leistungsversorgungsanschluss 63 in den
Leistungsversorgungsanschlussabschnitt 61 durch die Wirkung
des sich drehenden Motors 75 zurückgezogen, sodass der Anschluss
nicht von der Oberfläche
vorstehen würde.
Die Steuerplatine 78 wird verwendet, um eine Steuerung
für den
Leistungsversorgungsbetrieb vorzusehen und den Betriebszustand anzuzeigen.
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Die 24A, 24B zeigen
einen direkt angetriebenen Leistungsversorgungsmechanismus basierend
auf einem Motor, einer Schnecke und einem Schneckenrad. 24A zeigt einen Zustand mit zurückgezogenem
Anschluss und 24B zeigt einen Zustand mit
ausgefahrenem Anschluss zur Lieferung der Leistung. Wie in 24A gezeigt, ist der Leistungsversorgungsanschluss 63 in
dem Anschlussabschnitt 61 aufgenommen. Wenn der Motor 75 betrieben
wird, dreht sich die Schnecke 79a, was eine Drehung des
Schneckenrades 79b zur Folge hat. Das Schneckenrad 79b hat
einen Anschlag 79c, und die Drehung des Schneckenrades 79b bewirkt, dass
der Anschlag 79c die bewegbare Plattform 80a entlang
der bewegbaren Führung 80b bewegt,
und dass der Leistungsversorgungsanschluss 63 den Leistungsaufnahmeanschluss 62 berührt (siehe 24B). In diesem Zustand wird die Rückstellfeder 80c so
ausgefahren, dass, wenn die Leistungsversorgung vollendet ist, der
Anschluss aufgrund seiner Federwirkung in seine ursprüngliche
Position zurückgebracht
wird, wie in 24A gezeigt.
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Die 25A, 25B zeigen
einen bewegbaren Leistungsversorgungsmechanismus basierend auf einem
pneumatischen Antrieb. Der Leistungsversorgungsanschlussabschnitt 61 ist
mit einem Luftzylinder 81 und mit Luftversorgungs- und Luftauslassrohren 82a, 82b versehen
und der Leistungsversorgungsanschluss 63 ist vertikal bewegbar. 25A zeigt den Zustand mit zurückgezo genem Anschluss, und 25B zeigt den Leistungsversorgungszustand. Wie
in 26 gezeigt, ist der Betrieb des Luftzylinders 81 so,
dass dadurch, dass man einen Luftdruck in der Zylinderkammer 81 durch
das Elektromagnetventil 82a und das Nadelventil 83a liefert,
der Kolben 81p seitlich, nach links oder nach rechts in
der Abbildung, bewegt wird, was eine Bewegung des Leistungsversorgungsanschlusses 63 zur Folge
hat, der an der Stange 81d befestigt ist. Zu diesem Zeitpunkt
wird die Luft in der Zylinderkammer 81b durch das Nadelventil 83b und
das Elektromagnetventil 82b ausgestoßen. Wenn Luft in die Zylinderkammer 81b durch
das Elektromagnetventil 82b und das Nadelventil 83b eingeleitet
wird, bewegt sich dagegen der Kolben 81p seitlich nach
rechts in der Abbildung, was eine Bewegung des Leistungsversorgungsanschlusses 63 nach
rechts zur Folge hat. Gemäß diesem
Verfahren wäre
eine Zylindersteuereinheit 83 nötig.
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Bei
jedem dieser Verfahren ist es vom Standpunkt der Verhinderns einer
Schädigung
des Anschlusses und der Verringerung einer Erzeugung von Staub,
verursacht durch Gleiten oder durch die Kontakte, besser, die durchschnittliche
Geschwindigkeit der Bewegung des Leistungsversorgungsanschlusses
auf der Vorrichtungsseite in einem Bereich zwischen 0,1 und 5 cm/s
einzustellen. Daher kann bei jedem dieser Verfahren ein sicherer
Betrieb sichergestellt werden, weil der Leistungsversorgungsanschluss
in den Leistungsversorgungsanschlussabschnitt (Gehäuse) 61 zurückgezogen
werden kann, außer
während
des Leistungsversorgungszustands. Hier ist vorzuziehen, dass die
Oberfläche
des Leistungsversorgungsanschlusses mit Gold plattiert, mit Gold
plattiert auf einer Nickelabdeckung oder mit Rhodium plattiert ist,
um eine metallische Verunreinigung des Reinraums zu verhindern.
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Wenn
die Leistungsversorgung von einer externen Leistungsquelle ausgeführt wird,
ist es weiter vorzuziehen, die Leistungsversorgung zu beginnen, nachdem
bestätigt
wurde, dass der Substrattransportbehälter vorhanden ist und Leistung
geliefert werden muss, oder dass der externe Leistungsquellenverbinder
und der Leistungsaufnahmeanschluss miteinander verbunden sind. Dies
kommt daher, dass, weil die Vorrichtung in dem Reinraum verwendet wird,
falls Funken zwischen den elektrischen Anschlüssen erzeugt werden, metallische
Mikropartikel erzeugt werden und den Reinraum verunreinigen.
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27 zeigt
eine Unteransicht des Substrattransportbehälters in dem vierten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung. Die grundlegende Struktur des Substrattransportbehälters ist
die Gleiche wie jene des Substrattransportbehälters in dem ersten Ausführungsbeispiel,
welches in den 1 bis 7 gezeigt
ist. Dieser Substrattransportbehälter
ist mit einem Einlassanschluss 90a und einem Auslassanschluss 90b an
der Unterseite versehen, um zu ermöglichen, dass ein inertes Gas
in dem Behälter
zirkuliert. D.h., der Einlassanschluss 90a und der Auslassanschluss 90b sind
beispielsweise mit einem Spülanschluss
verbunden, um zu ermöglichen, den
Behälter
unter Verwendung eines inerten Gases (beispielsweise Stickstoffgas)
oder getrockneter Luft mit Gas zu spülen. Rückschlagventile sind im Einlassanschluss
bzw. im Auslassanschluss 90a, 90b vorgesehen,
sodass das Gas nur in einer Richtung fließen darf und nicht zurückströmt. Weiterhin
können, abhängig von
einer Spezifikation, Rückschlagventile nicht
im Einlassanschluss und im Auslassanschluss vorgesehen sein, der
mit einem Partikelentfernungsfilter versehen ist, oder mit einer
Kombination eines Partikelentfernungsfilters und eines Gasverunreinigungsentfernungsfilters.
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28A zeigt den geschlossenen Zustand des Rückschlagventils 95 durch
die Federwirkung der Feder 97, die in dem Einlassanschluss 90a vorgesehen
ist, sodass Gas nicht von der äußeren Seite 92 zur
inneren Seite 91 des Behälters fließt. 28B zeigt
den offenen Zustand des Rückschlagventils 95, und
in diesem Fall ist der Druck auf die Außenseite 92 des Behälters höher als
in der Innenseite 91 des Behälters, und das Rückschlagventil 95 wird
gegen die Federkraft der Feder 97 geöffnet, sodass das Gas in Richtung
des Pfeils in der Abbildung fließt. Dieser Gasstrom wird zur
Innenseite 91 des Behälters
durch den Partikelentfernungsfilter 94 geliefert.
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29A zeigt den geschlossenen Zustand des Rückschlagventils
des Auslassanschlusses 90b, und 29B zeigt
den offenen Zustand des Rück schlagventils.
In dem Luftauslassanschluss 90b ist das Rückschlagventil 95 gegen
die Kraft der Feder 97 geöffnet, wenn der Druck in der
Innenseite 91 des Behälters
größer als
eine Summe des Drucks auf der Außenseite 92 des Behälters und
der Federkraft der Feder 97 wird, was das Öffnen des
Rückschlagventils 95 zur
Folge hat, um zu bewirken, dass das Gas von der Innenseite 91 zur
Außenseite 92 des
Behälters
fließt,
wie durch den Pfeil in der Abbildung gezeigt. Wenn der Druck in
der Innenseite des Behälters
niedriger als die Federkraft der Feder 97 ist, wird das
Rückschlagventil 95 durch
den O-Ring 96 abgedichtet,
der im Aufnahmeabschnitt der Behälterisolationswand 93 vorgesehen
ist, um den Rückstrom
von Gas von der Außenseite
zur Innenseite zu verhindern. Hier sind in diesem Beispiel ein Einlassanschluss
und ein Auslassanschluss vorgesehen, es können jedoch mehr als zwei Anschlüsse vorgesehen
sein. Sie können
auch in anderen Oberflächen als
in der Unterseite vorgesehen sein.
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Wenn
das Innere eines stark hermetischen Behälters durch ein trockenes Gas
ersetzt wird, d.h. durch getrocknete Luft oder ein inertes Gas mit
keinem Feuchtigkeitsgehalt, fällt
direkt nach dem Ersetzungsvorgang die Feuchtigkeit grob auf einen
Grenzfeuchtigkeitswert von ungefähr
0% ab. Wenn jedoch der Behälter
in diesem Zustand gelassen wird, in den die Versorgung von trockenem
Gas angehalten wird, diffundiert die Feuchtigkeitskomponente, die
in den Wänden
der Polymer-Materialien gehalten wird, in das Innere des Behälters aufgrund
eines Feuchtigkeitsgradienten. Daher steigt die Feuchtigkeit im
Inneren des Behälters,
der mit trockenem Gas gefüllt bzw.
ersetzt worden ist, mit dem Verlauf der Zeit. In einem Beispiel
war im Fall eines Behälters,
der aus einem herkömmlichen
kommerziellen PC (Polycarbonat) gemacht wurde, die Feuchtigkeit
bei 0% direkt nach einem Ersatz durch ein trockenes Gas, und stieg
auf ein Niveau mehr als 30% nach mehreren Stunden. Durch Verwendung
von Polyphenylensulfid (PPS) mit einem Feuchtigkeitsaufnahmefaktor
von 0,02% wurde der Effekt der Unterdrückung des Anstiegs der Feuchtigkeit
bestätigt,
sodass die relative Feuchtigkeit von 0%, die direkt nach dem Ersatz durch
das trockene Gas bemerkt wurde, nur auf ungefähr 12% anstieg, und zwar auch
nach mehreren Stunden, wodurch bestätigt wurde, dass effektiv eine extreme
Zunahme der Feuchtigkeit verhindert wird. Es ist offensichtlich,
dass ein solcher Behälter
verhindern würde,
dass die Feuchtigkeit im Inneren des Behälters während des Transportvorgangs
ansteigt. Weiterhin ist bekannt, dass eine Zunahme eines natürlichen
Oxidfilms durch Lagerung an einer dunklen Stelle unterdrückt wird.
Aus diesem Grund ist es vorzuziehen, dass das Material zur Herstellung
des Behälterhauptkörpers ein
abdeckendes Material und nicht ein transparentes Material sein sollte.
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Auch
ist das Innere des Behälters
gewöhnlicher
Weise mit Luft gefüllt,
jedoch kann unter Verwendung eines inerten Gases mit einer gesteuerten Sauerstoffmenge,
die Oxidation von Kupfer verhindert werden. Das Sauerstoffniveau
in einem solchen Fall sollte geringer als 10000 ppm oder vorzugsweise geringer
als 1000 ppm sein.
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Als
nächstes
wird ein Verfahren dargestellt, welches zur Verwendung des gegenwärtigen Substrattransportbehälters geeignet
ist.
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30 zeigt
ein Beispiel eines Verdrahtungsbildungsprozesses eines Halbleiterchips
basierend auf Kupferverdrahtung und einem Isolationsfilm mit niedriger
Dielektrizität.
Wie in 30 gezeigt, wird eine CVD-Vorrichtung
(CVD = Chemical Vapour Deposition) oder eine Beschichtungsvorrichtung
verwendet, um den Isolationsfilm 102 abzulagern, der einen
organischen Film oder eine porösen
Film aufweist, und zwar auf der leitenden Verdrahtungsschicht des
Halbleitersubstrats 101 mit Vorrichtungselementen, die
darauf hergestellt wurden (Schritt A). Als nächstes wird nach dem Formen
des Plug- bzw. Steckfilms und anderen Filmen, falls nötig, ein
Photoresist-Material 103 unter Verwendung einer Beschichtungsvorrichtung
aufgebracht, dann wird das beschichtete Substrat getrocknet (Schritt
B). Als nächstes
wird nach dem Belichten des beschichteten Substrats unter Verwendung
des Schrittmotors (Schritt C) der Resist-Film entwickelt, um ein
Resist-Muster 104 auf dem isolierenden Film 102 zu
formen (Schritt D). Als nächstes
werden Kontaktlöcher und
Verdrahtungsnuten 105 auf dem Isolationsfilm 102 durch Ätzen geformt
(Schritt E) und nach der Entfernung des Resist-Films 103 wird
eine Barrierenschicht die TaN usw. aufweist darauf gebildet, und oben
auf dieser Schicht wird eine× Kupferkeimschicht 106 gebildet,
um eine Leistungseingangsschicht für die elektrolytische Plattierung
zu dienen (Schritt F).
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Dann
werden durch Aufbringen einer Kupferschicht 107 auf der
Oberfläche
des Halbleitersubstrats 61 Kontaktlöcher und Nuten des Vorrichtungssubstrats
mit Kupfer gefüllt,
wenn die Kupferschicht 67 oben auf der Isolierschicht 102 geformt
wird (Schritt G). Dann wird das Vorrichtungssubstrat vergütet (Schritt
H) und unter Verwendung von chemischen und mechanischen Poliervorgängen (CMP) wird
ein Teil der Kupferschicht von der Oberseite der Isolierschicht
entfernt, um grob die Oberflächen
der Kupferschicht 107 auf ein Niveau zu bringen, wobei die
Kontaktlöcher
und die Verdrahtungsnuten mit der Oberfläche der Isolierschicht gefüllt werden
(Schritt I). Dieser Vorgang wird so viele Male wiederholt, wie es
die Anzahl der Schichten der Verdrahtung erfordert, um eine mehrlagige
Verdrahtungsstruktur zu erzeugen, die aus 6–8 Schichten besteht.
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Wenn
die Isolierschicht mit niedriger dielektrischer Konstante Luft ausgesetzt
ist, sollte die absolute Feuchtigkeit in der Luft geringer als 4 × 10–3 g/g sein
(20% relative Feuchtigkeit bei 25°C)
oder insbesondere vorzugsweise geringer als 1 × 10–3 g/g
(5% relative Feuchtigkeit bei 25°C).
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Wenn
die Kupferschicht Luft ausgesetzt ist, sollte die absolute Feuchtigkeit
in der Luft geringer als 4 × 10–3 g/g
sein (20% relative Feuchtigkeit bei 25°C) oder vorzugsweise geringer
als 1 × 10–3 g/g sein
(5% relative Feuchtigkeit bei 25°C).
Weiterhin sollte die Konzentration der organischen Substanzen mit
einem Siedepunkt von mehr als 80°C
geringer als 1 μg/m3 sein, und vorzugsweise geringer als 5 μg/m3. Die Konzentration von Sauerstoff sollte
geringer als 10000 ppm sein, oder sollte insbesondere vorzugsweise
geringer als 1000 ppm sein.
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Wenn
der Resist-Film Luft ausgesetzt ist, sollte die Konzentration von
zumindest den basischen Gasen geringer als 1 μg/m3 und
vorzugsweise geringer als 0,5 μg/m3 sein.
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Wenn
die Feuchtigkeit niedrig ist, wird auch leicht statische Elektrizität erzeugt,
und solche statischen Ladungen bewirken, dass Elemente, wie beispielsweise
FETs und Kondensatoren anfällig
für Zerstörungen werden,
sodass es wünschenswert
ist, die Halbleiter-Wafer zu erden. Verfahren zur Erdung weisen
die Anwendung eines leitenden Wafer-Trägers oder die Anwendung eines
Metallanschlusses an dem Wafer-Träger auf, um die einzelnen Wafer
zu erden, oder der Wafer-Träger
selbst kann aus einem elektrisch leitenden Material gemacht werden.
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Um
die Wafer-Identifikation, den Verlauf und den Status für jede Charge
zu managen, kann weiterhin jeder Substrattransportbehälter mit
einem Speicherchip versehen sein, und zwar zum Zweck des Managements
der Prozessdaten.
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Als
nächstes
werden verschiedene Verfahren zum Entladen der statischen Elektrizität von den Wafern,
die in dem Substrattransportbehälter
gelagert sind, erklärt
werden. Wie in 31A gezeigt, wird die Entladung
der statischen Elektrizität
von den Wafern in dem Behälter
(Pod) ausgeführt
durch Erden des Halteabschnitts 504, der die Wafer in dem Behälter trägt. Wenn
der Halteabschnitt 504 als eine Einheit mit dem Behälterhauptkörper des
Substrattransportbehälters
gemacht ist, sollte der gesamte Hauptkörper 501 einschließlich dem
Halteabschnitt 504 aus einem elektrisch leitenden Material
gemacht sein. Wenn der Halteabschnitt 504 und der Behälterhauptkörper 501 getrennt
hergestellt sind, wie in 31B gezeigt,
werden auch der Halteabschnitt 504 und der Behälterhauptkörper 501 einzeln
aus elektrisch leitenden Materialien gemacht und es sollte eine
Struktur aufgebaut sein, sodass diese Komponenten elektrisch verbunden
sind, und zwar unter Verwendung eines elektrisch leitenden Materials 523.
Wie in 31C gezeigt, kann weiter nur
der untere Abschnitt 501a des Behälterhauptkörpers 501 aus einem
elektrisch leitenden Material gemacht sein. Wie in 31D gezeigt, kann auch nur der Abschnitt 501d des
Substrattransportbehälters,
der in Kontakt mit dem Halteabschnitt 504 ist, aus einem elektrisch
leitenden Material gemacht sein.
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Andere
Verfahren zur Entladung von statischer Elektrizität von dem
Substrattransportbehälter weisen
ein Verfahren auf, wie in 31E gezeigt, wobei
die Festlegungsvorrichtung 515 zum Drücken auf die Substrate und
um zu verhindern, dass sich die Substrate verschieben, und die Tür 502 aus
einem elektrisch leitenden Material gemacht sind, um die Elektrizität durch
die Tür
zum Boden bzw. zur Erdung einer Vorrichtung zu entladen, wo der
Behälter
angeordnet ist. Wie in 31F gezeigt,
kann nur die Festlegungsvorrichtung 515 aus einem elektrisch
leitenden Material gemacht sein, sodass ein Erdungsanschluss 524 mit
der Befestigungsvorrichtung 515 zur Erdung verbunden ist,
wodurch der untere Abschnitt des Behälters zu einer externen Erdung
geerdet ist.
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Noch
ein weiteres Verfahren zur Erdung weist ein Verfahren auf, wie in 31G gezeigt, um durch den Roboterhandhabungsflansch 512 zu
erden, der für
das OHT-Transportsystem verwendet wird. Der Halteabschnitt 504 und
der Flansch 512, der von dem Roboter behandelt wird und
von dem OHT gehalten wird, sind als eine Einheit gemacht, wobei
ein elektrisch leitendes Material verwendet wurde, und die Ladung
auf den Wafern wird durch den Halteabschnitt 504 und den
Flansch 512 des Behälters
zum Erdungsteil des OHT geerdet. Wie in 31H gezeigt,
können
auch der Flansch 512 und der Halteabschnitt 504 als
getrennte Glieder hergestellt sein, und die Erdung wird durch eine
elektrische Verbindung durch einen Teil 501c des Behälters 501 vorgesehen,
der aus einem elektrisch leitenden Material gemacht ist. Weiterhin
kann nur ein Teil 501c des Behälterhauptkörpers, der den Halteabschnitt berührt, aus
einem elektrisch leitenden Material gemacht sein.
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Wie
oben erklärt,
sieht diese Erfindung einen Substrattransportbehälter und ein Verfahren für seinen
Betrieb vor, die zur Anwendung in automatisierten Halbleiter-Herstellungsfabriken
für die
Produktion von integrierten Schaltun gen usw. geeignet sind. Daher
können
der Transport und die Lagerung der Halbleitersubstrate effizient
ausgeführt
werden. Auch sieht die vorliegende Erfindung einen Substrattransportbehälter vor,
der geeignet ist, um Objekte, wie beispielsweise nicht nur Halbleiter-Wafer,
sondern auch Photomasken oder Festplatten, in einer sehr reinen
Umgebung zu lagern oder zu transportieren.
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Industrielle
Anwendbarkeit
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf Strukturen, Möglichkeiten
und Verfahren zum Betrieb eines Substrattransportbehälters, der
zum Lagern oder Transportieren von Objekten, wie beispielsweise
von Halbleiter-Wafern, Photomasken oder Festplatten, in einer sehr
reinen Umgebung geeignet ist.