DE102017216375A1

DE102017216375A1 - Kontamninationsfalle für euv - lithographiesysteme

Info

Publication number: DE102017216375A1
Application number: DE102017216375.5A
Authority: DE
Inventors: Gennady Fedosenko; Denitsa Nikolova
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2017-09-15
Filing date: 2017-09-15
Publication date: 2017-12-14

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Kontaminationsfalle (6, 16) für die Sorption von Fremdstoffen in Anlagen, in denen eine Wasserstoffatmosphäre eingestellt und insbesondere ein Wasserstoffplasma erzeugt werden kann, insbesondere für EUV-Lithographiesysteme, mit einem Substrat, auf welchem eine Beschichtung aus einem Material zur Bildung einer Sorptionsoberfläche aufgebracht ist, welches eine Sorption der Fremdstoffe ermöglicht. Darüber hinaus betrifft die Erfindung eine entsprechende Anlage und ein Verfahren zum Betrieb einer derartigen Anlage.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
GEBIET DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Kontaminationsfalle für Anlagen, in denen eine Wasserstoffatmosphäre eingestellt und insbesondere ein Wasserstoffplasma erzeugt werden kann, vorzugsweise betrifft die Erfindung eine Kontaminationsfalle für ein EUV-Lithographiesystem. Darüber hinaus betrifft die Erfindung eine entsprechende Anlage und ein Verfahren zum Betrieb einer derartigen Anlage.
STAND DER TECHNIK
In verschiedenen Bereichen der Technik werden zu verschiedenen Zwecken Wasserstoffatmosphären oder Wasserstoffplasma eingesetzt. Beispielsweise kann Wasserstoffbei EUV-Projektionsbelichtungsanlagen für die Mikrolithographie, die mit extrem ultravioletten Licht (EUV-Licht) betrieben werden, als Spülgas oder Inertgas eingesetzt werden, sodass zumindest Teile der Projektionsbelichtungsanlage in einer Wasserstoffatmosphäre betrieben werden. Durch das hochenergetische EUV-Licht kann es mit dem vorhandenen Wasserstoff zur Ausbildung eines Wasserstoffplasmas kommen, wobei durch das Wasserstoffplasma eine Wechselwirkung mit Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage stattfinden kann. Dies kann dazu führen, dass leichtflüchtige Kontaminationen gebildet werden, die somit zu einem Ausgasen aus den betroffenen Komponenten durch die Wasserstoffatmosphäre führen. Unter anderem können dadurch Elemente, wie beispielsweise Phosphor, Schwefel, Zink oder Zinn in die Wasserstoffatmosphäre gelangen und diese kontaminieren. Derartige Kontaminationen können durch Ablagerung auf optischen Bauteilen der Projektionsbelichtungsanlage und durch Wechselwirkung mit dem hochenergetischen EUV-Licht zu Beschädigung und Beeinträchtigung der Projektionsbelichtungsanlage führen. Entsprechend ist es wünschenswert derartige Kontaminationen zu vermeiden oder es sicher aus der Wasserstoffatmosphäre der Positionsbelichtungsanlage entfernen zu können.
Hierzu ist es bekannt Gassensoren, sogenannte Residual Gas Analyzer (RGA) einzusetzen, um festzustellen, wie hoch der Kontaminationsgrad der verwendeten Wasserstoffatmosphäre ist. Obwohl damit die Kontaminationen nicht vermieden oder beseitigt werden können, kann bei Kenntnis eines hohen Kontaminationsgrades Abhilfe dadurch geschaffen werden, dass die Wasserstoffatmosphäre einer Reinigung unterzogen wird. Allerdings muss hierfür üblicherweise der Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage unterbrochen werden, was einen hohen Aufwand darstellt.
OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
AUFGABE DER ERFINDUNG
Es ist deshalb Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Projektionsbelichtungsanlage und ein Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage sowie allgemein Anlagen, die mit Wasserstoffatmosphäre betrieben werden und in denen Wasserstoffplasma auftreten können, bereitzustellen, bei denen Kontaminationen aus der Wasserstoffatmosphäre beseitigt werden können. Gleichzeitig sollen eine entsprechende Vorrichtung und ein geeignetes Verfahren ermöglichen, dass die Reinigung der Wasserstoffatmosphäre überwacht werden kann. Zudem soll die Vorrichtung einfach aufgebaut und das Verfahren soll einfach durchführbar sein.
TECHNISCHE LÖSUNG
Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Kontaminationsfalle mit den Merkmalen des Anspruchs 1 sowie eine Anlage mit den Merkmalen des Anspruchs 8 und ein Verfahren zum Betrieb einer Anlage mit den Merkmalen des Anspruchs 11. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Die Erfindung geht aus von der Erkenntnis, dass an Oberflächen aus einem bestimmten Material spezifische Stoffe sorbieren und insbesondere adsorbieren können. Einen Spezialfall der Adsorption stellt bei einer chemischen Veränderung der beteiligten Stoffe bzw. Materialien die Chemieresorption dar, bei der eine starke Bindung der adsorbierten Stoffe an die Oberfläche erreicht werden kann. Dieser Effekt der Sorption und insbesondere Adsorption beziehungsweise Chemiesorption wird gemäß der Erfindung für die Ausbildung einer Kontaminationsfalle genutzt, die für die Sorption von Fremdstoffen in Anlagen, in denen eine Wasserstoffatmosphäre eingestellt und insbesondere ein Wasserstoffplasma erzeugt werden kann, eingesetzt werden kann. Entsprechend kann eine derartige Kontaminationsfalle insbesondere für EUV-Projektionsbelichtungsanlagen für die Mikrolithographie eingesetzt werden. In gleicher Weise kann sie auch für andere EUV-Lithographiesysteme eingesetzt werden, wie beispielsweise in einem EUV-Inspektionssystem. Unter einem EUV-Lithographiesystem wird im Sinne dieser Anmeldung ein optisches System für die EUV-Lithographie verstanden, d. h. ein optisches System, welches auf dem Gebiet der EUV-Lithographie eingesetzt werden kann. Neben einer EUV-Lithographieanlage und insbesondere EUV-Projektionsbelichtungsanlage, welche zur Herstellung von Halbleiterbauelementen dient, kann es sich bei dem optischen System beispielsweise um ein Inspektionssystem zur Inspektion einer in einer EUV-Lithographieanlage verwendeten Photomaske (im Folgenden auch Retikel genannt), zur Inspektion eines zu strukturierenden Halbleitersubstrats (im Folgenden auch Wafer genannt) oder um ein Metrologiesystem handeln, welches zur Vermessung einer EUV-Lithographieanlage oder von Teilen davon, beispielsweise zur Vermessung eines Projektionssystems, eingesetzt wird.
Eine erfindungsgemäße Kontaminationsfalle weist ein Substrat auf, auf welchem eine Sorptionsoberfläche beispielsweise in Form einer Beschichtung aus einem Material mit entsprechenden Sorptionseigenschaften ausgebildet ist, wobei das Material der Sorptionsoberfläche eine Sorption und insbesondere Adsorption bzw. Chemiesorption der Fremdstoffe ermöglicht, die aus der umgebenden Atmosphäre, also der Wasserstoffatmosphäre, entfernt werden sollen.
Das Substrat kann ein beliebig geformter Körper sein und im einfachsten Fall durch eine Platte, eine Folie, ein Gitter oder ein Mikrosieb gebildet werden, wobei es Gitter oder Mikrosieb beispielsweise ermöglichen, dass durch das Gitter hindurch entsprechendes Gas fließen kann, während dieses mit der Sorptionsoberfläche, die auf dem Substrat ausgebildet ist, in Kontakt gelangen kann.
Das Substrat kann aus einem beliebigen, geeigneten Material, beispielsweise Metall, Kunststoff, Glas oder Keramik gebildet sein.
Das Material der Sorptionsoberfläche, an der die Sorption und insbesondere Adsorption bzw. vorzugsweise Chemiesorption stattfindet, kann durch mindestens ein Übergangsmetall oder eine Legierung daraus gebildet sein, insbesondere durch mindestens ein Element aus der Gruppe, die Rhenium, Ruthenium, Nickel, Rhodium, Wolfram, Platin und Palladium umfasst. Diese Übergangsmetalle weisen insbesondere für Fremdstoffe, wie sie in EUV-Projektionsbelichtungsanlage auftreten können, in denen eine Wasserstoffatmosphäre eingestellt wird und durch die energiereiche Bestrahlung mit EUV-Licht ein Wasserstoffplasma erzeugt werden kann, eine besonders gute Sorptionsfähigkeit auf. Übliche Fremdstoffe, die entsprechend an Sorptionsoberflächen aus einem Übergangsmetall sorbiert werden können, sind Phosphor, Schwefel, Silizium, Zink oder Zinn. Besonders vorteilhaft kann Ruthenium für die Sorption von Phosphor, Zinn und Zink eingesetzt werden.
Zur Verbesserung der Sorption von Fremdstoffen kann die Sorptionsoberfläche zusätzlich Nanopartikel umfassen, die insbesondere die Chemiesorption weiter verbessern. Derartige Nanopartikel, die einen mittleren oder maximalen Partikeldurchmesser von kleiner oder gleich 1 μm und insbesondere kleiner oder gleich 500 nm aufweisen können, können insbesondere aus Kobalt, Platin, Silber und Legierungen daraus sowie Siliziumdioxid und Titanoxid gebildet sein.
Zur Überwachung der Dekontamination der Wasserstoffatmosphäre kann die Veränderung von Eigenschaften der Sorptionsoberfläche mit zunehmender Betriebszeit der Kontaminationsfalle überwacht werden. Beispielsweise kann das mechanische Schwingungsverhalten der Kontaminationsfalle bzw. des Teils der Kontaminationsfalle mit der Sorptionsoberfläche durch die Adsorption von Kontaminationen verändert werden, sodass durch die Erfassung der Veränderung des Schwingungsverhaltens bestimmt werden kann, wie stark die Sorptionsoberfläche bereits mit Kontaminationen belegt ist. Hierzu kann die Kontaminationsfalle einen Schwingungserreger sowie eine Schwingungserfassungseinrichtung erfassen. Mit dem Schwingungserreger kann die Sorptionsoberfläche und beispielsweise ein entsprechendes Substrat, auf dem die Sorptionsoberfläche ausgebildet ist, zu mechanischen Schwingungen angeregt werden, während die Schwingungserfassungseinrichtung die durch die Schwingungsanregung erzeugten Schwingungen erfasst. Durch Feststellung der Veränderung des Schwingungsverhaltens kann dann auf die Belegung der Sorptionsoberfläche mit Kontaminationen zurückgeschlossen werden. In gleicher Weise ist es auch möglich durch die Veränderung der Impedanz bei einem Wechselstromdurchfluss durch die Sorptionsoberfläche den Verlauf der Sorption bzw. Adsorption zu überwachen. Zu diesem Zweck kann die Kontaminationsfalle eine Wechselstromquelle zur Erzeugung eines Wechselstroms durch das Material der Sorptionsoberfläche und eine Impedanzmesseinrichtung zur Messung der Impedanz beim Wechselstromdurchfluss durch das Material der Sorptionsoberfläche aufweisen.
Bei einer Anlage, wie einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, mit einem umschlossenen Raum, in welchem eine Wasserstoffatmosphäre durch eine Wasserstoffversorgungseinrichtung bereitgestellt werden kann, können entsprechend ein oder mehrere Kontaminationsfallen, wie sie vorher beschrieben worden sind, so angeordnet werden, dass die Sorptionsoberfläche in Kontakt mit der Wasserstoffatmosphäre gelangen kann. Entsprechend können die Kontaminationsfallen sowohl als ein Teil des umschlossenen Raums und/oder der Wasserstoffversorgungseinrichtung als auch als eine darin angeordnete Komponente ausgebildet sein. Einfache Möglichkeiten zur Ausbildung der Sorptionsoberfläche bestehen darin, die Sorptionsoberfläche als eine Platte oder ein Gitter auszubilden.
Insbesondere kann der Teil der Kontaminationsfalle mit der Sorptionsoberfläche austauschbar in der Anlage gelagert sein, um die Sorptionsoberfläche nach einer Belegung mit Kontaminationen austauschen zu können und durch die Bereitstellung einer neuen, unbelegten Sorptionsoberfläche eine verbesserte Sorption von Fremdstoffen zu erzielen.
Vorzugsweise kann der Austausch der Sorptionsoberfläche dann vorgenommen werden, wenn die Kontaminationsfalle mit einer entsprechenden Überwachungseinrichtung, wie beispielsweise einer Schwingungsmesseinrichtung oder einer Impedanzmesseinrichtung, ausgebildet ist und die Überwachung die Überschreitung eines Grenzwerts bezüglich der Belegung der Sorptionsoberfläche mit Kontaminationen anzeigt.
KURZBESCHREIBUNG DER FIGUREN
Die beigefügten Zeichnungen zeigen in rein schematischer Weise in
1 eine Darstellung einer erfindungsgemäßen EUV-Projektionsbelichtungsanlage,
2 eine Draufsicht auf eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Kontaminationsfalle,
3 eine Schnittansicht durch ein Substrat mit einer Beschichtung einer Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Kontaminationsfalle,
4 eine Draufsicht auf einer weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Kontaminationsfalle und in
5 eine Draufsicht auf noch eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Kontaminationsfalle.
AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
Weitere Vorteile, Kennzeichen und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden bei der nachfolgenden detaillierten Beschreibung der Ausführungsbeispiele ersichtlich. Allerdings ist die Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt.
Die 1 zeigt eine schematische Darstellung einer ersten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen EUV-Projektionsbelichtungsanlage, die eine EUV-Lichtquelle 1, ein Beleuchtungssystem 2 sowie ein Projektionsobjektiv 3 umfasst. Mit dem Beleuchtungssystem 2 wird das von der Lichtquelle 1 bereitgestellte EUV-Licht zur Beleuchtung eines Retikels 4 aufbereitet, welches Strukturen enthält, die in verkleinerter Weise auf einen Wafer 5 für mikrolithographische Herstellungsprozesse abgebildet werden sollen. Das für die Abbildung des Retikels 4 auf den Wafer 5 verwendete Projektionsobjektiv 3 weist ein Gehäuse auf, in dem eine Wasserstoffatmosphäre eingestellt wird. Hierzu ist ein Wasserstoffspeicher 7 vorgesehen, von dem über eine Wasserstoffzuführung 8 Wasserstoff in das Projektionsobjektiv 3 geleitet werden kann. Überschüssiger Wasserstoff kann durch die Wasserstoffabfuhr 9 aus dem Projektionsobjektiv 3 abgeführt werden und entweder über einen Wasserstoffauslass 10 ausgegeben werden oder über den Wasserstoffkreislauf 12 über eine Wasserstoffaufbereitungsvorrichtung 11 wieder in das Gehäuse des Projektionsobjektivs 3 eingeführt werden.
Um Kontaminationen, die in der Wasserstoffatmosphäre im Projektionsobjektiv 3 enthalten sein können bzw. durch die energiereiche Bestrahlung der Komponenten des Projektionsobjektivs 3 und der Wasserstoffatmosphäre mit EUV-Strahlung entstehen können, aus der Wasserstoffatmosphäre entfernen zu können, sind bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel der 1 sowohl im Projektionsobjektiv 3 als auch in der Wasserstoffaufbereitungsvorrichtung 11 Kontaminationsfallen 6, 16 angeordnet. Mithilfe der Kontaminationsfallen 6, 16 können bestimmte Kontaminationen, wie beispielsweise durch Wasserstoffgas bzw. Wasserstoffplasma induzierte Elemente wie Phosphor, Schwefel, Silizium, Zinn, Zink oder Sauerstoff aus der Wasserstoffatmosphäre entfernt werden.
Hierzu weisen die Kontaminationsfallen 6, 16 Sorptionsoberflächen auf, über die Kontaminationen sorbiert, insbesondere adsorbiert bzw. durch Chemiesorption an der Sorptionsoberfläche zurück gehalten werden können.
Die 2 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel einer Kontaminationsfalle 6, bei welcher auf einem plattenförmigen Substrat 14 eine Sorptionsoberfläche 13 mithilfe einer Beschichtung 15 auf dem Substrat 14 ausgebildet ist. Im Querschnitt der 3 ist ein entsprechender Aufbau eines plattenförmigen Substrats 14 einer Kontaminationsfalle 6 mit einer Beschichtung 15 und der Ausbildung der Sorptionsoberfläche 13 auf der Beschichtung 15 gut zu erkennen.
Die Sorptionsoberfläche 13 kann beispielsweise durch ein Übergangsmetall, wie beispielsweise Rhenium, Ruthenium, Nickel, Rhodium, Wolfram, Platin oder Palladium bzw. durch Legierungen davon gebildet sein. Diese Übergangsmetalle eignen sich besonders gut für Wasserstoff-Chemiesorptionsvorgänge, die eine Adsorption der Kontaminationen und insbesondere der oben genannten Kontaminationen an der Sorptionsoberfläche ermöglichen.
Die in der 2 gezeigt Kontaminationsfalle 6 weist zudem einen Schwingungserreger 17 auf, mit dem das plattenförmige Substrat 14 mit der Beschichtung 15 in mechanische Schwingungen versetzt werden kann. Gleichzeitig umfasst die Kontaminationsfalle 6 eine Schwingungserfassungseinrichtung 18, mit der die durch den Schwingungserreger 17 erzeugten Schwingungen des plattenförmigen Substrats 14 mit der Beschichtung 15 erfasst werden können. Durch die Adsorption von Kontaminationen wird sich das Schwingungsverhalten des plattenförmigen Substrats 14 mit der Beschichtung 15 mit der Betriebszeit der Kontaminationsfalle 6, 16 verändern, sodass über den zeitlichen Verlauf der Verwendung der Kontaminationsfalle 6 über die Veränderung des Schwingungsverhaltens die Adsorption von Kontaminationen erfasst werden kann. Neben der in 2 rein schematisch gezeigten Überwachung des Adsorptionsverhaltens bzw. des Fortschritts der Adsorption von Kontaminationen an der Kontaminationsfalle 6 mithilfe der Überwachung des mechanischen Schwingungsverhaltens, können auch weitere Eigenschaftsveränderungen der Sorptionsoberfläche 13 in Kombination mit dem Substrat 14 für die Überwachung des Adsorptionsverlaufs eingesetzt werden, beispielsweise kann eine Veränderung der Impedanz bei einem Wechselstromdurchfluss durch die Beschichtung 15 und das Substrat 14 ebenfalls zur Überwachung des Verlaufs der Adsorption eingesetzt werden. Dies ist schematisch in der 3 gezeigt, in der eine Wechselstromquelle 23 und eine Messeinrichtung 24 zur Messung der Impedanz schematisch darstellt sind.
Neben der Verwendung eines plattenförmigen Substrats 14 mit einer entsprechenden Beschichtung 15 aus einem Material, welches für die Sorption und insbesondere Adsorption und vorzugsweise Chemiesorption der auftretenden Kontaminationen geeignet ist, können auch anders geformte Substrate oder direkt aus dem entsprechenden Material geformte Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage oder Wasserstoffversorgungseinrichtung eingesetzt werden.
Die 4 zeigt beispielsweise ein Gittersubstrat 19 als Teil einer weiteren Ausführungsform einer Kontaminationsfalle 16, wobei die Stege 20 des Gitters mit einer entsprechenden Beschichtung versehen sein können oder aus dem Material gebildet sein können, dass für die Sorption der Kontaminationen geeignet ist. Durch die Gitteröffnungen 21 kann das Gas der Wasserstoffatmosphäre mit den darin enthaltenen Kontaminationen strömen, sodass eine große Fläche für die Sorption zur Verfügung steht.
Eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Kontaminationsfalle 6 bzw. der entsprechenden Sorptionsoberfläche 13 ist in 5 gezeigt. Bei dieser Ausführungsform weist die Sorptionsoberfläche 13 zusätzlich zu dem Material, welches für die Sorption von bestimmten Kontaminationen geeignet ist, zusätzlich Nanopartikel auf, wie zum Beispiel Kobalt-, Platin-, Silber-, Siliziumdioxid- und Titandioxid-Partikel sowie vergleichbare Partikel. Durch die Nanopartikel, die einen mittleren oder maximalen Partikeldurchmesser kleiner oder gleich 1 μm, insbesondere kleiner oder gleich 500 nm besitzen, kann die Chemiesorption der Kontaminationen weiter verbessert werden.
Obwohl die vorliegende Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele detailliert beschrieben worden ist, ist für den Fachmann selbstverständlich, dass die Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt ist, sondern dass vielmehr Abwandlungen in der Weise möglich sind, dass einzelne Merkmale weggelassen oder andersartige Kombinationen von Merkmalen verwirklicht werden können, ohne dass der Schutzbereich der beigefügten Ansprüche verlassen wird. Insbesondere schließt die vorliegende Offenbarung sämtliche Kombinationen der in den verschiedenen Ausführungsbeispielen gezeigten Einzelmerkmale mit ein, sodass einzelne Merkmale, die nur in Zusammenhang mit einem Ausführungsbeispiel beschrieben sind, auch bei anderen Ausführungsbeispielen oder nicht explizit dargestellten Kombinationen von Einzelmerkmalen eingesetzt werden können.
Bezugszeichenliste

1: Lichtquelle
2: Beleuchtungssystem
3: Projektionsobjektiv
4: Retikel
5: Wafer
6: Kontaminationsfalle
7: Wasserstoffspeicher
8: Wasserstoffzuführung
9: Wasserstoffabfuhr
10: Wasserstoffauslass
11: Wasserstoffaufbereitungsvorrichtung
12: Wasserstoffkreislauf
13: Sorptionsoberfläche
14: plattenförmiges Substrat
15: Beschichtung
16: Kontaminationsfalle
17: Schwingungserreger
18: Schwingungserfassungseinrichtung
19: Gittersubstrat
20: Gitterstege
21: Gitteröffnungen
22: Nanopartikel
23: Wechselstromquelle
24: Messeinrichtung

Claims

Kontaminationsfalle für die Sorption von Fremdstoffen in Anlagen, in denen eine Wasserstoffatmosphäre eingestellt und insbesondere ein Wasserstoffplasma erzeugt werden kann, insbesondere für EUV-Lithographiesysteme, mit einem Substrat (14, 19), auf welchem eine Beschichtung (15) aus einem Material zur Bildung einer Sorptionsoberfläche (13) aufgebracht ist, welches eine Sorption der Fremdstoffe ermöglicht.
Kontaminationsfalle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat ein Gitter (19) oder eine Platte (14) ist.
Kontaminationsfalle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (14, 19) aus Glas, Keramik, Kunststoff oder Metall gefertigt ist.
Kontaminationsfalle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Material der Sorptionsoberfläche (13) durch mindestens ein Übergangsmetall oder eine Legierung daraus, insbesondere durch mindestens ein Element aus der Gruppe, die Rhenium, Ruthenium, Nickel, Rhodium, Wolfram, Platin und Palladium umfasst oder einer Legierung aus mindestens einem Element aus dieser Gruppe gebildet ist.
Kontaminationsfalle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Sorptionsoberfläche (13) Nanopartikel (22) aus mindestens einem Bestandteil der Gruppe umfasst, die Kobalt, Platin, Silber und Legierungen daraus sowie Siliziumdioxid und Titandioxid umfasst.
Kontaminationsfalle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaminationsfalle (6, 16) eine Wechselstromquelle (23) zur Erzeugung eines Wechselstroms durch das Material der Sorptionsoberfläche (13) und eine Impedanzmesseinrichtung (24) zur Messung der Impedanz beim Wechselstromfluss durch das Material der Sorptionsoberfläche (13) aufweist, sodass die Variation der Impedanz durch die Sorption von Fremdstoffen an der Sorptionsoberfläche (13) erfasst werden kann.
Kontaminationsfalle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaminationsfalle eine Einrichtung (17) zur Schwingungsanregung der Sorptionsoberfläche und eine Schwingungsmesseinrichtung (18) zur Messung der angeregten Schwingung aufweist, sodass die Variation der Schwingung durch die Sorption von Fremdstoffen an der Sorptionsoberfläche erfasst werden kann.
Anlage mit einem umschlossenen Raum und mit einer Wasserstoffversorgungseinrichtung zur Einstellung einer Wasserstoffatmosphäre in dem umschlossenen Raum, insbesondere EUV-Lithographiesystem, welche mindestens eine Kontaminationsfalle (6, 16) für die Sorption von Fremdstoffen in der Wasserstoffatmosphäre, insbesondere eine Kontaminationsfalle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, aufweist, wobei die Kontaminationsfalle eine Sorptionsoberfläche (13) aus einem Material aufweist, welches eine Sorption der Fremdstoffe ermöglicht.
Anlage nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaminationsfalle als ein Teil des umschlossenen Raums und/oder der Wasserstoffversorgungseinrichtung oder als eine darin angeordnete Komponente ausgebildet ist, insbesondere als eine Platte oder ein Gitter, sodass die Sorptionsoberfläche zur Sorption der Fremdstoffe in dem umschlossenen Raum oder der Wasserstoffversorgungseinrichtung mit der Wasserstoffatmosphäre in Kontakt gelangt.
Anlage nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Teil der Kontaminationsfalle (6, 16) mit der Sorptionsoberfläche austauschbar in der Anlage gelagert ist.
Verfahren zum Betrieb einer Anlage, in der eine Wasserstoffatmosphäre eingestellt und insbesondere ein Wasserstoffplasma erzeugt werden kann, insbesondere ein Verfahren zum Betrieb eines EUV-Lithographiesystems, vorzugsweise zum Betrieb einer Anlage nach einem der Ansprüche 8 bis 10, wobei bei dem Verfahren eine Kontaminationsfalle (6, 16) für die Sorption von Fremdstoffen in der Wasserstoffatmosphäre, insbesondere eine Kontaminationsfalle nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bereitgestellt wird, und wobei die Wasserstoffatmosphäre mit der Kontaminationsfalle in Kontakt gelangt, sodass Fremdstoffe in der Wasserstoffatmosphäre durch Sorption an der Kontaminationsfalle aus der Wasserstoffatmosphäre entfernt werden.
Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Sorption von Fremdstoffen an der Sorptionsoberfläche (13) durch Überwachung der Eigenschaften der Sorptionsoberfläche oder eines Teils der Kontaminationsfalle mit der Sorptionsoberfläche überwacht wird.
Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass nach Überschreiten eines Grenzwerts der Sorption an der Sorptionsoberfläche (13) die Sorptionsoberfläche getauscht und/oder gereinigt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Element aus der Gruppe, die Phosphor, Schwefel, Silizium, Zink, Zinn und Sauerstoff umfasst, aus der Wasserstoffatmosphäre entfernt wird.