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TECHNISCHES GEBIET
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Die
vorliegende Erfindung betrifft im wesentlichen eine Vorrichtung
und ein Verfahren zur Generierung positiver und negativer Ladungen
in einem Gas; des weiteren betrifft sie ein Verfahren zur Neutralisierung
eines elektrifizierten Objekts und eine Struktur zur Neutralisierung
von Elektrizität
sowie unterschiedliche Vorrichtungen und Strukturen, die diese benützen, wie
beispielsweise eine Transfervorrichtung, einen Nassarbeitsplatz
einen Reinraum und Ähnliches.
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STAND DER TECHNIK
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In
einem Verfahren zur Herstellung beispielsweise einer LSI und eines
Flüssigkristalls
werden die Elektrifizierung eines Silicium-Wafers und eines Flüssigkristallsubstrats
zu einem großen
Problem, und die Schaffung einer Elektrifizierungspräventionstechnologie
ist dringend geboten. Vor diesem Hintergrund wurde diese Vorrichtung
zur Bildung von Gasmolekül-Ionen
oder Elektronen entwickelt, mit der die elektrische Ladung eines
elektrifizierten Objekts neutralisiert wird. Durch die Verwendung
dieser Vorrichtung ist es möglich, die
Oberflächenladung
nicht nur eines Silicium-Wafers und eines Flüssigkristallsubstrats in kurzer
Zeit zu neutralisieren, sondern darüber hinaus aller Objekte, die
in positiver oder negativer Polarität elektrifiziert sind, und Schäden infolge
statischer Elektrizität
zu verhindern. Im folgenden wird als Beispiel eine Erklärung einer
aktuellen Situation einer Elektrifizierung eines Wafers und dadurch
bedingter Probleme gegeben. Zunächst
werden die Probleme in der aktuellen Elektrifizierungspräventionstechnologie
erörtert,
und die Umstände,
die zur gegenwärtigen
Situation geführt
haben, werden erklärt.
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Elektrifizierung eines
Wafers
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Ein
Wafer wird normalerweise mit Fluorethylenharz oder Quarz mit isolierender
Eigenschaft behandelt, was an der Notwendigkeit, eine Kontaminierung
durch Verunreinigungen zu verhindern und der Notwendigkeit einer
chemischen Resistenz liegt. Deshalb ist ein Wafer geeignet, auf
sehr hohem Potenzial elektrifiziert zu werden. Als Beispiel für eine tatsächliche
Messung wird das Ergebnis einer Potenzialmessung eines elektrifizierten
Wafers im Photolithographieprozess in einer Tabelle der 16 dargestellt.
Wie in den Ergebnissen zu sehen ist, stellt sich heraus, dass ein
Wafer im kV-Niveau elektrifiziert ist.
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Probleme infolge der Elektrifizierung
von Wafers
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Die
Wafer-Elektrifizierung führt
zu schwerwiegenden Problemen im Herstellungsprozess. Die größten davon
sind die Adhäsion
schwebender Partikel durch elektrostatische Kräfte, die Zerstörung einer
Vorrichtung durch die Entladung statischer Elektrizität und eine
Gefahr in der Elektronenspur, die problematisch in der Elektronenstrahlexposition
oder Ähnlichem
ist. Im folgenden wird eine einfache Erklärung dieser Risiken gegeben.
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Adhäsion von Partikeln durch elektrostatische
Kräfte
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Fünf Faktoren
sind an der Adhäsion
schwebender Partikel an einem Wafer beteiligt: Schwerkraft, Trägheit, elektrostatische
Kraft, Brown'sche
Diffusion und thermische Migrationskraft, und das Ausmaß der Beeinflussung ändert sich
mit der Partikelgröße. Die
letzteren drei Faktoren dominieren bei Partikeln mit einer Größe von 0,1 μm oder weniger,
und hier ist wiederum der Einfluss elektrostatischer Kraft extrem
groß.
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1 zeigt
ein tatsächlich
gemessenes Ergebnis eines Verhältnisses
zwischen einem Waferpotential und einer Adhäsionsrate schwebender Partikel.
Die Partikelgröße ist in
diesem Fall 0,5 μm
oder mehr. Es ist offensichtlich, dass die Partikeladhäsionsrate
unter dem Einfluss elektrostatischer Kraft zunimmt.
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Als
nächstes
wird in 2 ein theoretisches Berechnungsergebnis
dargestellt, um den Einfluss der elektrostatischen Kraft in einem
Fall zu untersuchen, in dem die Partikelgrößen weiter reduziert werden.
Die Partikelgrößen betragen
in der vergleichenden Berechnung 2 μm, 0,5 μm und 0,1 μm, und das Waferpotential ist
1.000 V. In dieser Berechnung werden nur die Schwerkraft und die
elektrostatische Kraft als Adhäsionskräfte betrachtet,
und ein schwebender Bereich von Adhäsionspartikeln wird berechnet.
Der Adhäsionsbereich
von 2-μm-Partikeln
ist sehr eng, und beinahe keine Partikel haften am Wafer.
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Allerdings
nimmt mit einer Verringerung in der Partikelgröße auf 0,5 μm oder 0,1 μm der Bereich der Adhäsion am
Wafer rasch zu. Wenn die Partikelgröße der geladenen Partikel abnimmt,
ist der Einfluss elektrostatischer Kraft in der Adhäsion stark
erhöht.
In einer Umgebung, wo die Partikelgröße – wie oben festgestellt – für ein Kontrollobjekt
in einem Reinraum immer kleiner geworden ist, wird nicht nur die
Prävention
der Generierung von Partikeln, sondern auch Gegenmaßnahmen
zur Minimierung statischer Elektrizität sehr wichtig für die Minimierung
der Adhäsion.
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Zerstörung von Geräten infolge
Elektrifizierung
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Mit
der Verdünnung
der Isolierschichten und der Miniaturisierung von Schaltkreisen
wird die Zerstörung
eines Geräts
infolge Elektrifizierung zu einem zunehmend schwerwiegenden Problem.
Die Zerstörung
eines Geräts
ist von einer Spannung und einer Stromstärke abhängig, und bei der Prävention
derselben muss nicht nur die Reduzierung des Potentials geladener
Elektrizität,
sondern auch die Reduzierung elektrostatischer Energie berücksichtigt
werden.
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Die
Spannung verursacht bei der Zerstörung eines Geräts hauptsächlich einen
Isolierungsausfall von hauptsächlich
Oxidisolierschichten oder Ähnlichen.
In diesem Fall gilt, je dünner
eine Oxidschicht, desto niedriger naturgemäß die Zerstörungsspannung. Im allgemeinen
liegt der Widerstand gegen einen Isolierungsausfall der Oxidschicht
bei etwa 10 MV/cm.
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Zum
anderen verursacht der Strom hauptsächlich eine Zunahme von Trennungsproblemen.
Dies wird durch Schmelzen eines Stromkreises durch Joule-Wärme verursacht. Die Zerstörung eines
Geräts
durch Wafer-Elektrifizierung wird signifikanter Weise bei einem
tiefen Elektrifizierungspotential verursacht, öfter als das Problem der Adhäsion schwebender
Partikel infolge elektrostatischer Kraft. Wie die Verhinderung einer
Elektrifizierung bei der Bearbeitung von Wafern in einem Gerät, wird
die Verhinderung einer Elektrifizierung beim Wafer-Transfer sehr
wichtig.
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Konventionelle Technologie
zur Prävention
der Wafer-Elektrifizierung
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Als
konventionelle Wafer-Elektrifizierungs-Präventionstechnologie stehen
folgende Methoden zur Verfügung.
- i) Generierung von Ionen im Koronaentladungsverfahren,
wobei die elektrische Ladung eines elektrifizierten Wafers neutralisiert
wird.
- ii) Die Ladung eines Wafers wird neutralisiert durch die Bearbeitung
des Wafers mit einem geerdeten leitenden Material (Metall oder leitendes
Harz).
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Diese
Neutralisierungsmethoden haben allerdings einige Nachteile, und
sofern die Nachteile nicht ausgebessert werden, können diese
Methoden zukünftig
nicht als Maßnahmen
zur Neutralisierung eines elektrifizierten Wafers verwendet werden.
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Zunächst sind
hauptsächlich
vier Nachteile des Koronaentladungsverfahrens i) zu nennen.
- 1) Generierung kleiner Partikel von einer Entladungselektrode.
- 2) Generierung von Restpotential infolge einer Vorspannung der
Ionenpolarität.
- 3) Generierung induktiver Spannung infolge einer Hochspannungs-Entladungselektrode.
- 4) Generierung von Ozon.
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1)
bringt die Stauberzeugung eines Elektrodenmaterials per se infolge
Verschleißes
eines distalen Endes der Entladungselektrode mit sich, verursacht
durch eine Zerstäubungsoperation
von Elektronen und Ionen im Entladungsvorgang und Ähnliches,
und Stauberzeugung einer Substanz, die durch die Verfestigung von Verunreinigungen
in der Luft im Zuge des Entladungsvorgangs mittels einer chemischen
Reaktion oder Ähnlichem
gebildet wurde, welche an der Oberfläche der Elektrode hafteten
und sich dort anhäuften.
Die erstere Stauberzeugung wurde gelöst durch Schutz der Entladungselektrode
mit einem Quarzglas, das in den letzten Jahren entwickelt wurde.
Das letztere Problem hat jedoch noch keine Lösung erfahren.
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2)
wird verursacht, wenn die Polarität der auf die Entladungselektrode
angelegten Spannung abwechselnd in positive und negative Richtung
wechselt. Wenn die Polarität
der Entladungselektrode positiv ist, werden einem Objekt positive
Ionen zur Beseitigung der Elektrizität zugeführt, wohingegen bei negativer
Entladungselektrode negative Ionen oder Elektronen zugeführt werden.
Auch nach Beseitigung der Elektrizität entsteht Restpotential, da
elektrische Ladungen mit einer derart vorgespannten Polarität zugeführt werden.
Je näher
ein Ionengenerator sich am Objekt zur Entfernung von Elektrizität befindet,
desto höher
die Restelektrizität. zur
Milderung dieses Problems sollten diese deshalb voneinander beabstandet
sein, und die Ionen sollten mit einem Gasstrom transferiert werden.
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In
jüngster
Zeit wurde ein Verfahren entwickelt, welches das Restpotential durch
Anlegen eines Gleichstrompotentials in der Nähe einer Ionengenerierungseinheit
abschwächt.
Allerdings kann diese Methode nicht angewendet werden, da in der
Nähe eines
Objekts zur Beseitigung von Elektrizität eine induktive Spannung (vgl.
unten) zu einem Problem wird. Der Zwischenraum ist ein Hauptgrund
für die
Herabsetzung der Neutralisierungsrate. Im Prinzip kann das Koronaentladungsverfahren
das Problem nicht vollständig
lösen.
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3)
Die Generierung der Induktionsspannung wird ein Problem, wenn die
Entladungselektrode sich in der Nähe des Objekts zur Beseitigung
der Elektrizität
befindet. Zur Vermeidung der Gefahr sollten die Entladungseinheit
und das Objekt zur Beseitigung der Elektrizität voneinander beabstandet sein.
Wie beim Restpotential von 2) ist die Neutralisierungsrate mit zunehmendem
Zwischenraum verzögert.
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4)
Bei der Generierung von Ozon sind Sauerstoffatomradikale, die durch
zerfallende Sauerstoffmoleküle
entstanden sind, die Hauptquelle für die Bildung von Ozon. Ein
solches Zerfallsphänomen
wird durch den Impakt mit Niedrigenergie-Elektronen von 10 eV oder
weniger oder durch Lichtquantabsorption beschleunigt. Im Koronaentladungsverfahren
wird dieses Phänomen
im Koronabereich beobachtet, und als Ergebnis wird Ozon erzeugt.
Obwohl die Ozonkonzentration von der Struktur der Entladungselektrode,
der angelegten Spannung und der Luftstrommenge abhängig ist,
erreicht sie in einem beinahe stagnierenden Raum maximal mehrere
zig ppm. Da Ozon eine sehr hohe Oxidationsfähigkeit besitzt, beschleunigt
es nicht nur die Bildung einer natürlichen Oxidschicht auf der
Oberfläche
eines Wafers, sondern beschleunigt zudem den Abbau des umgebenden
makromolekularen Materials.
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Als
nächstes
ist es durch ii) möglich,
die Elektrifizierung eines Wafers vollständig zu verhindern. Es besteht
allerdings eine große
Gefahr eines ernsthaften Problems der Kontaminierung durch entstehende
Verunreinigungen. Verunreinigungen nicht nur in Metallen, sondern
auch in Fluorethylenharz und Ähnlichem
zur Herstellung von Konduktivität
kontaminieren einen Wafer durch Berührungsabrasion mit dem Wafer,
die ein Hauptgrund für
die Verschlechterung elektrischer Merkmale wird. Dieses Problem
ist schwerwiegender als die statische Elektrizität. Und der aktuelle Stand ist,
dass ein Wafer mit einem Harz mit isolierenden Eigenschaften behandelt
wird, um das Problem zu vermeiden.
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In
Dokument
JP 03155623 (veröffentlicht
03/07/91) wird eine Struktur zur Neutralisierung der Elektrizität eines
elektrifizierten Objekts offenbart, in dem eine Xenonlampe oder
Quecksilberlampe verwendet wird, um die Erzeugung von Ozon zu unterdrücken.
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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur gleichzeitigen
Generierung positiver und negativer Ladungen, die geeignet sind,
die Ladung eines elektrifizierten Objekts in jeder Atmosphäre in kurzer
Zeit zu neutralisieren, und betrifft zudem ein Verfahren und eine
Struktur zur Neutralisierung der Elektrizität des elektrifizierten Objekts,
die geeignet sind, die Generierung statischer Elektrizität vollständig zu
vermeiden, ohne Begleitung durch alle erwähnten Nachteile, und unterschiedliche
Vorrichtungen, die sich derselben bedienen.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
eine grafische Darstellung eines Verhältnisses zwischen Waferpotential
und Partikel-Adhäsion;
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2 ist
eine grafische Darstellung der Abhängigkeit der Adhäsion der
Partikel durch elektrostatische Kraft von der Partikelgröße;
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3 ist
eine Seitenansicht eines Beispiels eines Röntgenapparats, wie er in der
vorliegenden Erfindung zur Anwendung kommt;
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4 ist
eine konzeptuelle Ansicht einer Vorrichtung, wie sie für ein Neutralisierungsexperiment
verwendet wird;
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5 ist
eine grafische Darstellung der Abhängigkeit der Ladungsbeseitigungsfunktion
von einer Targetspannung;
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6 ist
eine grafische Darstellung der Abhängigkeit der Ladungsbeseitigungsfunktion
von einer Targetstromstärke;
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7 ist
eine grafische Darstellung der Abhängigkeit der Ladungsbeseitigungsfunktion
von einem atmosphärischen
Druck;
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8 ist
eine perspektivische Ansicht eines Reinraums gemäß einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung;
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9 ist
eine perspektivische Ansicht eines Nassarbeitsbereichs mit Bezug
auf das Beispiel;
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10 ist
eine Konzeptansicht eines Transfersystems von Wafers und Flüssigkristallsubstraten
mit Bezug auf das Beispiel;
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11 ist
eine perspektivische Ansicht des Nassarbeitsbereichs mit Bezug auf
das Beispiel;
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12 ist
eine perspektivische Ansicht einer Trockenschleuder mit Bezug auf
das Beispiel;
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13 ist
eine perspektivische Ansicht eines geschlossenen Transfersystems
und der Innenseite eines Produktionsgeräts mit Bezug auf das Beispiel;
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14 ist
eine Konzeptansicht eines Wohnraums, ein Beispiel darstellend;
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15 ist
eine Konzeptansicht einer Pflanzenkultivierungskammer, ein Beispiel
darstellend.
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16 zeigt
eine Tabelle, in der die Ergebnisse der Messung eines Wafer-Elektrifizierungspotentials im
Photolithographieprozess dargestellt sind;
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17 ist
eine Konzeptansicht, in der eine Methode zur Beseitigung der Elektrizität beim Transfer
von Glassubstraten dargestellt ist;
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18 ist
eine grafische Darstellung, in der eine Änderung eines Oberflächenpotentials
eines Glassubstrats dargestellt ist;
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19 ist
ein Konzeptdiagramm, in dem eine Methode zur Beseitigung der Elektrizität beim Aufziehen eines
Glassubstrats dargestellt ist; und
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20 ist
eine grafische Darstellung, in der eine Änderung im Oberflächenpotential
eines Glassubstrats dargestellt ist.
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OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
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Die
Erfindung ist in Anspruch 1 definiert, wobei die nachstehenden Stickstoffbezugnahmen
nicht Teil der Erfindung sind.
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Es
ist vorzuziehen, einen Röntgenapparat
zu verwenden, wie er beispielsweise in 3 als Röntgenapparat
zur Generierung einer elektromagnetischen Welle in einem Weichröntgenstrahlbereich
dargestellt ist. Es ist demnach vorzuziehen, einen Apparat zu verwenden
(beispielsweise Ungeprüfte
Japanische Patentveröffentlichung
Nr. 2297850/1990), der ein Target 35 verwendet, das mit
einer dünnen
Targetschicht aus einem Material zur Abstrahlung eines Röntgenstrahls
durch Aufnahme von Elektronen auf einer Röntgenstrahlsendebasis 34 gebildet
ist, und wobei Gitterelektroden 32 zwischen einer Elektronenquelle
(Filament 31) und dem Target 35 vorgesehen sind.
Dieser Röntgenapparat 30 ist
ein sogenannter Sendertyp, bei dem Röntgenstrahlen 37 von
der Seite gegenüber
der Elektronenquelle abgestrahlt werden, weil die Targetschicht 33 dünn ist. Er
hat deshalb Vorteile, insofern als seine Verkleinerung möglich ist,
und entsprechend kann er an einer beliebigen Stelle angeordnet werden.
Außerdem
kann, da die Gitterelektroden 32 zwischen der Elektronenquelle und
dem Target 35 vorgesehen sind, die Steuerung der Targetstromstärke vorgenommen
werden.
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Die
elektromagnetische Welle in einem Weichröntgenstrahlbereich kann auf
einfache Weise durch Abstrahlen eines Elektronenstrahls mit einer
bestimmten Energie auf eine spezifische Substanz gewonnen werden
(z. B. W: Wolfram).
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Bezüglich der
Wellenlänge
des generierten Röntgenstrahls – obwohl
von dem mit Elektronen bestrahlten Target abhängig – wird vorzugsweise ein Weichröntgenstrahl
in einem Wellenlängenbereich
von 1 Å bis einige
Hundert Å verwendet.
Insbesondere vorzuziehen ist ein Weichröntgenstrahl von 1 Å bis mehrere
zig Å.
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Als
elektromagnetische Welle in einem Weichröntgenstrahlbereich ist es insbesondere
vorteilhaft, eine elektromagnetische Welle zu verwenden, die durch
die Beschleunigung eines Elektronenstrahls auf 4 kV oder mehr durch
Einstellung der Targetspannung (Beschleunigungsspannung) auf 4 kV
oder mehr und Aufprallen auf ein Target generiert wird. Des weiteren
wird vorzugsweise eine elektromagnetische Welle verwendet, die durch
Einstellung des Targetstroms auf 60 μA oder mehr generiert wird.
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Die
Luft muss nicht strömen.
Beispielsweise ist es im Fall der Neutralisierung der Elektrizität eines elektrifizierten
Objekts eines der charakteristischen Merkmale der vorliegenden Erfindung,
dass eine ausreichende Neutralisierungsoperation eines elektrifizierten
Objekts auch ohne strömende
Luft erfolgen kann.
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Naturgemäß ist es
im Falle der Abstrahlung einer elektromagnetischen Welle im Röntgenbereich
von einem Röntgenapparat
an einer vom elektrifizierten Objekt entfernten Stelle vorzuziehen,
dass die Luft gegen das elektrifizierte Objekt strömen gelassen
wird. Des weiteren kann im Falle einer reinen Stickstoffgasatmosphäre mit einer
Verunreinigungskonzentration von einigen ppb oder weniger ein besonders
signifikanter Effekt erzielt werden.
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Der
Druck der atmosphärischen
Luft sollte des weiteren vorzugsweise 1.000 Torr bis 1 Torr sein,
insbesondere 1.000 Torr bis 20 Torr.
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Die
Luftionengenerierungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung
ist vorzugsweise anwendbar beispielsweise auf einen Fall, in dem
die Neutralisierung eines elektrifizierten Objekts beabsichtigt
ist. Sie ist des weiteren anwendbar auf einen Fall mit anderen Intentionen
als die Neutralisierung. Wenn es um die Neutralisierung geht, ist
die Vorrichtung vorzugsweise anwendbar auf beispielsweise einen
Reinraum, Wafer, Flüssigkristallsubstrate
und Ähnliches,
eine Transfervorrichtung, eine Nassverarbeitungsvorrichtung, ein
Ionenimplantationsgerät,
eine Plasmavorrichtung, ein Ionenätzgerät, ein Elektronenstrahlgerät, eine
Filmherstellungsvorrichtung und Geräte und Vorrichtungen zur Bearbeitung
anderer elektrifizierter Objekte und Ähnlichem. Anderseits ist diese
Vorrichtung auf Lebens- und Wohnräume anwendbar, wie Gebäude, Fahrzeuge (beispielsweise
ein Automobil, ein Flugzeug, eine Straßenbahn usw.) und ähnliche,
oder auf eine Pflanzenkultivierungskammer oder ähnliche mit unterschiedlichen
Zwecken.
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Überdies
haben die Erfinder entdeckt, dass es zweckmäßig ist, die Konzentrationen
der entstandenen Ionenpaare auf 104 bis
108 Ionenpaare/cm3·Sek einzustellen,
und insbesondere auf 105 bis 108 Ionenpaare/cm3·Sek.
Sie haben zudem entdeckt, dass die Lebensdauer von Ionen in einer
solchen Konzentration 10 bis 1.000 Sekunden beträgt. Wenn demnach Ionen mit
einer Ionenkonzentration von 103 bis 104 Ionenpaare/cm3·Sek gebildet
werden und die Distanz L zwischen der Position eines strömenden Gases,
das mit der elektromagnetischen Welle in einem Weichröntgenstrahlbereich
bestrahlt wird, und einem elektrifizierten Objekt durch die folgende
Gleichung bestimmt ist, kann die Neutralisierung der Elektrizität eines
elektrifizierten Objekts ausreichend durchgeführt werden.
L/v < 10 to 1.000
L:
Distanz von einer Bestrahlungsposition und einem elektrifizierten
Objekt (m);
v: Geschwindigkeit der strömenden Luft (m/Sek).
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Des
weiteren kann die vorliegende Erfindung naturgemäß und beispielsweise angewendet
werden auf eine Transfervorrichtung, ein Ionenimplantationsgerät, ein Plasmareaktionsgerät, ein Ionenätzgerät, eine
Elektronenstrahlvorrichtung, eine Filmherstellungsvorrichtung und
andere Vorrichtungen und Geräte,
welche die Neutralisierung eines elektrifizierten Objekts wie oben
beschrieben verlangen.
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FUNKTION
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In
der vorliegenden Erfindung werden positive Ionen und negative Ionen
oder Elektronen gebildet, indem die Ionisierung von Luftmolekülen und
Atomen durch Abstrahlung einer elektromagnetischen Welle in einem
Weichröntgenbereich
genützt
wird.
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Mit
Hilfe dieses Ionisierungsverfahrens können alle Probleme der oben
erwähnten
Koronaentladungsionisierungsmethode oder einer Ultraviolettstrahlungs-Ionisierungsmethode
gelöst
werden.
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Im
Koronaentladungsverfahren wird an einem Endabschnitt einer Entladungselektrode
durch den Zerstäubungsvorgang
der Entladung Staub verursacht, während in der vorliegenden Erfindung
positive und negative Ladungen ohne Staubentstehung generiert werden
können.
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Des
weiteren werden im Koronaentladungsverfahren positive und negative
Raumpotentiale generiert, da positive und negative Ladungen in Übereinstimmung
mit an die Entladungselektrode angelegten Polaritäten an die
Umgebung abgegeben werden. Daraus folgt die Generierung eines Restpotentials
in einem Objekt zur Beseitigung der Elektrizität (elektrifiziertes Objekt).
Zur Absenkung des Restpotentials musste der Ionenerzeuger zur Beseitigung
der Elektrizität
vom Objekt beabstandet werden. Im Unterschied dazu werden in der
vorliegenden Erfindung rund um das Objekt zur Beseitigung der Elektrizität immer
positive und negative Ladungen mit der selben Zahl gebildet, und
deshalb ist nach Entfernung der Elektrizität das Raumpotential nicht vorgespannt
und es wird an einem Objekt zur Beseitigung der Elektrizität kein Restpotential
gebildet. Dementsprechend kann der Röntgenapparat nahe am Objekt
zur Beseitigung der Elektrizität
bis zu jeder gewünschten
Aufstellung angebracht sein, wodurch eine hohe Elektrizitätsbeseitigungsleistung
erzielbar ist.
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Obwohl
des weiteren an die Innenseite des Röntgenapparats eine Hochspannung
angelegt ist, dringt das elektrische Feld nicht an die Außenseite,
da die Innenseite durch einen Mantel elektrostatisch abgeschirmt ist
Deshalb wird von der Entladungselektrode keine Induktionsspannung
ausgelöst,
was sich im Koronaentladungsverfahren als Problem erweist. Demnach
besteht kein Problem, den Röntgenapparat
nahe am Objekt zur Beseitigung der Elektrizität bis hin zu einem gewünschten
Aufstellungsort anzubringen.
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Ein
Merkmal der vorliegenden Erfindung ist die Ionisierung von Luft
ohne Begleitung durch Ozon. Es ist demnach möglich, die Probleme des herkömmlichen
Verfahrens, wie etwa die Oxidation eines Halbleiter-Wafers oder
den Abbau von makromolekularem Material, zu lösen.
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In
bezug auf die Generierung von Ozon ist die Energie eines Lichtquants
bis 4 KeV, was sehr hoch ist, und deshalb können Gasmoleküle und Atome
wirksam ionisiert werden. Daraus folgt, dass die Zahl neutraler Sauerstoffatomradikale,
von denen angenommen wird, dass sie am meisten zur Bildung von Ozon
beitragen, reduziert, und die Generierung von Ozon wird unterdrückt.
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Luftmoleküle und Atome
werden durch die Absorption der elektromagnetischen Welle in einem
Weichröntgenbereich
direkt ionisiert. Die Ionisierungsenergie der Luftmoleküle und Atome
beträgt
mindestens etwa 10 bis ungefähr
20 eV, das heißt
eines in mehreren zig bis mehreren Hundert Teilen einer Lichtquantenergie in
einem Weichröntgenbereich.
Demnach kann die Ionisierung eines Moleküls mit einer Mehrzahl von Atomen und
die Ionisierung eines zwei- oder mehrwertigen Moleküls durch
einen Lichtquant ausgeführt
werden.
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Durch
Abstrahlen einer Weichröntgenstrahlung
in die Luftatmosphäre
rund um ein elektrifiziertes Objekt werden Ionen und Elektronen
hoher Konzentrationen gebildet, wodurch die Neutralisierung der
Ladung des elektrifizierten Objekts durchgeführt werden kann. Des weiteren
kann die Ionisierung der Luft in der Nähe des elektrifizierten Objekts
durchgeführt
werden, was sich von der Neutralisierung der Elektrizität im Koronaentladungs-Ionisierungsverfahren
unterscheidet, und deshalb können
die gebildeten Ionen und Elektronen wirksam zur Neutralisierung
eingesetzt werden, woraus sich eine erhebliche Verstärkung der
Elektrizitätsbeseitigungsfunktion
ergibt. Im Vergleich mit einem Fall, in dem eine ionisierte Luft
durch Röhren
oder Ähnliches übertragen
wird, wird die Elektrizitätsbeseitigungsfunktion
um den Faktor 100 bis 1.000 verstärkt.
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BESTE AUSFÜHRUNGSART
DER VORLIEGENDEN ERFINDUNG
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Es
folgt eine Erklärung
von Ausführungsbeispielen
der vorliegenden Erfindung. Die Erfindung ist aber nicht auf die
folgenden Ausführungsbeispiele
beschränkt,
und alle Änderungen
an der Konzeption, den numerischen Werten usw., die von einschlägigen Fachpersonen
leicht vorgenommen werden können,
sind naturgemäß in den
Geltungsbereich der vorliegenden Erfindung einbezogen.
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Ausführungsbeispiel 1
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Es
folgt eine Erklärung
eines Experiments zur Neutralisierung der Elektrizität eines
elektrifizierten Wafers gemäß der vorliegenden
Erfindung mit Darstellung der ermittelten Daten.
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Die
für das
Experiment verwendete Vorrichtung ist in 4 dargestellt.
Eine Einfallöffnung 42 ist
an einer Seitenwand einer SUS-Kammer 41 (Rostfreistahl)
vorgesehen, so dass ein Weichröntgenstrahl
von außen
in die Kammer gestrahlt werden kann. Die Einfallöffnung 42 ist zudem
mit einem Einlass 43 mit einem Durchmesser 50 mm und einer
Länge I2 versehen. Die Länge I2 des
Einlasses 43 ist so dimensioniert, dass ein elektrifiziertes
Objekt (Wafer) 44 von einer Endöffnung des Einlasses 43 nicht
gesehen werden kann (das heißt,
der Wafer kann von der Endöffnung
aus nicht gesehen werden), wodurch der Direkteinfall des Röntgenstrahls auf
den Wafer 44 verhindert werden kann. Des weiteren ist der
Einlass 43 in diesem Beispiel mit einer Doppelzylinderstruktur
ausgestattet, und ein Außenzylinder 45 ist
verschiebbar. Wenn sich demnach ein Abstand von I1 zwischen
dem Wafer 44 und der Einfallöffnung 42 durch eine Änderung
der Größe des Wafers 44 und Ähnliches ändert, kann
der Wafer 44 nach wie vor von der Endöffnung des Einlasses nicht
gesehen werden, indem die Länge
I2 des Einlasses 43 durch Verschieben
des Außenzylinders 45 frei
geändert
wird.
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Zudem
ist an der Endöffnung
des Einlasses 43 ein Filter 46 angebracht, um
das Innere der Kammer 41 von der Außenseite zu trennen. Von einem
Gaseinlass 47 an einem Ende (in der Zeichnung rechts) der Kammer 41 wird
Luft eingeführt.
Des weiteren ist in diesem Beispiel ein Dreiwegventil 48a an
einem Gaseinlass 47 vorgesehen, womit eine Regelung des
eingeführten
Gases erreicht werden kann. Das andere Ende (links in der Zeichnung)
der Kammer 41 ist mit einem Gasauslass 49 versehen.
Auch der Gasauslass 49 ist mit einem Dreiwegventil 48b ausgestattet,
von dem ein Zweig mit einem Ozonmesser 50 verbunden ist.
Die Ozon-Konzentration
wird vom Ozonmesser 50 an der Auslassseite überwacht.
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Zur
Durchführung
eines Evaluierungsexperiments ist in der Nähe des Wafers 44 eine
Elektrode 51 vorgesehen, über die durch eine Gleichstromquelle
ein bestimmtes Anfangspotential an den Wafer 44 angelegt werden
kann. Des weiteren ist an den Wafer 44 ein Oberflächenpotentiometer
angeschlossen. Die Elektrizitätsbeseitigungsfunktion
wurde durch Überwachung
einer Dämpfungsdauer
des Oberflächenpotentials
des Wafers 44 durch das Oberflächenpotentiometer evaluiert.
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Die
Spezifikation eines in diesem Experiment verwendeten Röntgenapparats 52 war
wie folgt:
Targetmaterial: W
Targetspannung: 2–9,7 kV
Targetstrom:
0–180 μA
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Das
Experiment wurde mit Hilfe der in 4 dargestellten
Vorrichtung im Hinblick auf folgende Aspekte durchgeführt.
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1) Abhängigkeit der Elektrizitätsbeseitigungsleistung
von Targetspannung und Targetstrom
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Zuerst
wurde die Targetspannungsabhängigkeit
unter folgenden experimentellen Bedingungen geprüft:
Elektrostatische Kapazität des Wafers:
10 pF
Atmosphärisches
Gas: Luft, reiner Stickstoff (Stickstoff mit einer Verunreinigungskonzentration
von einigen ppb oder weniger).
Targetspannung: 4–9,7 kV
Targetstrom:
120 μA konstant
I1: 11 cm
I2:
9 cm
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Das
Wafer-Anfangspotential wurde auf ±3 kV festgelegt, ein unter
den oben genannten Bedingungen generierter Weichröntgenstrahl
wurde auf das atmosphärische
Gas gestrahlt, und die Dauer, bis das Waferpotential ±0,3 kV
erreichte, wurde gemessen.
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Die
Ergebnisse sind in 5 dargestellt.
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Als
nächstes
wurde unter folgenden experimentellen Bedingungen die Abhängigkeit
vom Targetstrom untersucht:
Elektrostatische Kapazität des Wafers:
10 pF
Atmosphärisches
Gas: Luft, reiner Stickstoff (Stickstoff mit einer Verunreinigungskonzentration
von einigen ppb oder weniger).
Targetspannung: 8 kV
Targetstrom:
Variierend in einem Bereich von 30 bis 180 μA.
I1:
11 cm
l2: 9 cm
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Die
Elektrizitätsbeseitigungsfunktion
wurde des weiteren evaluiert, indem das Wafer-Anfangspotential auf ±3 kV gesetzt
wurde, indem der unter den genannten Bedingungen generierte Weichröntgenstrahl
auf das atmosphärische
Gas gestrahlt und die Dauer gemessen wurde, bis das Waferpotential ±0,3 kV
erreichte.
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Die
Ergebnisse sind in 6 dargestellt.
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Wie
in 5 und 6 dargestellt, stellt sich heraus,
dass die Dauer für
die Elektrizitätsbeseitigung am
elektrifizierten Objekt erheblich von der Targetspannung und dem
Targetstrom abhängig
ist. Insbesondere erstere Abhängigkeit
ist extrem hoch. Wenn die Targetspannung nicht größer als
4 kV ist, liegt beinahe keine Elektrizitätsbeseitigungsfunktion vor,
und die Ionisierungsrate des Gases ist sehr niedrig. In diesem Fall,
wenn die Targetspannung nicht geringer als 6 bis 7 kV ist, kann
die Elektrizitätsbeseitigung
am elektrifizierten Objekt in einem extrem kurzen Zeitraum durchgeführt werden.
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Obwohl
die Stromabhängigkeit
im Vergleich zur Spannungsabhängigkeit
gering ist, ist es empfehlenswert, den Targetstrom auf 60 μA oder mehr
festzulegen, um die Neutralisierung in kurzer Zeit durchführen zu können.
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Übrigens
ist sowohl in 5 wie in 6 die Elektrizitätsbeseitigungstendenz
unterschiedlich zwischen Luft und reinem Stickstoff (Stickstoff
hat eine Verunreinigungskonzentration von mehreren ppb oder weniger).
In der Luft bleibt die Elektrizitätsbeseitigungsfunktion bezüglich positiver
und negativer Ladungen die selbe; in reinem Stickstoff ist die Elektrizitätsbeseitigungsfunktion
der positiven Ladung jedoch höher.
Der Unterschied beruht auf einem Unterschied einer Existenzrate
einer negativen Ionenquelle. Das heißt, in der Luft werden vergleichsweise
stabile negative Ionen gebildet, indem Sauerstoff, CO2,
NOX, SOX und Ähnliche
mit Elektronen kombiniert werden, die von Gasmolekülen ionisiert
wurden. Was demnach die elektrifizierte Ladung neutralisiert, sind
positive und negative Ionen mit annähernd äquivalenter Mobilität.
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Anderseits
gibt es in reinem Stickstoff beinahe keine derartige negative Ionenquelle
(ppb gleich oder weniger), und deshalb tragen viele der von Gasmolekülen ionisierten
Elektronen direkt zur Neutralisierung einer positiven Ladung ohne
Bildung negativer Ionen bei. Die Mobilität der Elektronen in einem elektrischen
Feld ist um einige Größenordnungen
größer als
diejenige der Ionen. Dementsprechend können die gebildeten Elektronen
das elektrifizierte Objekt in sehr kurzer Zeit erreichen, und deren
Verschwinden mittels Neutralisierung durch Wiederverbindung mit
positiven Ionen und Diffusion wird beschränkt, was zur Neutralisierung
des elektrifizierten Objekts beiträgt. Daraus folgt eine Steigerung
der Elektrizitätsbeseitigungsrate
der positiven Ladung.
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2) Abhängigkeit der Elektrizitätsbeseitigungsleistung
vom Material eines Bestrahlungsfensters
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Der
Weichröntgenstrahl
wird leicht von Substanzen absorbiert, was ihn vom Hartröntgenstrahl
unterscheidet. Beim Entfernen von Elektrizität in einer bestimmten Atmosphäre ist es
deshalb möglich,
dass die Elektrizitätsbeseitigungsfunktion
abgeschwächt
wird, wenn der Weichröntgenstrahl
durch ein Filterfenster abgestrahlt wird.
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Dies
wurde bestätigt
mit der Durchführung
eines Experiments unter folgenden Bedingungen. Die Elektrizitätsbeseitigungsfunktion
wurde verglichen zwischen einem Fall mit keinem Filter, einem Fall
mit einer Polyimidschicht mit hoher Durchlässigkeit, der relativ stabil
in bezug auf Strahlung ist, und einem Fall eines synthetisierten
Quarzes mit einer Dicke von 2 mm.
Elektrostatische Kapazität des Wafers:
10 pF.
Atmosphärisches
Gas: Luft
Waferpotential: ±300 V → ±30 V
Targetspannung:
8 kV
Targetstrom: 120 μA
I1: 11 cm
I2:
9 cm
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Endöffnung des Einlasses
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- i) kein Filter
- ii) Polyimidschicht mit 0,12 mm installiert.
- iii) Synthetischer Quarz mit 2 mm installiert.
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Die
Messergebnisse sind wie folgt.
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(Die
Einheit ist Sek/10 pF, die Zahl in Klammern ist die Quote der Elektrizitätsbeseitigungszeit,
die bei keinem Filter 1 ist).
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Die
Elektrizitätsbeseitigungsfunktion
ist im Falle des Filters aus einer Polyimidschicht mit 82% derjenigen
ohne Filter vergleichsweise gut. Im Vergleich dazu ist im Fall des
Fensters aus synthetischem Quarz der Elektrizitätsbeseitigungseffekt völlig verloren,
und es stellte sich heraus, dass der Weichröntgenstrahl zu beinahe 100%
absorbiert war.
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Dieses
Ergebnis legt die Verwendung eines Filters aus Material wie Polyimid
nahe, das vergleichsweise transparent in bezug auf Strahlung ist,
wenn der Weichröntgenstrahl
durch den Filter in einer solchen spezifischen Atmosphäre abgestrahlt
wird, beispielsweise in einem geschlossenen System, in dem das atmosphärische Gas
sich in einem luftdichten Zustand befindet.
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3) Abhängigkeit der Elektrizitätsbeseitigungsfunktion
vom Druck eines atmosphärischen
Gases
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Als
nächstes
wurde die Abhängigkeit
der Elektrizitätsbeseitigungsfunktion
vom atmosphärischen Druck
untersucht. Die experimentellen Bedingungen waren wie folgt:
Elektrostatische
Kapazität
des Wafers: 10 pF.
Atmosphärisches
Gas: Luft
Targetspannung: 8 kV
Targetstrom: 120 μA
I1: 11 cm
I2:
9 cm
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Des
weiteren wurde die Elektrizitätsbeseitigungsfunktion
durch Abstrahlen des unter den genannten Bedingungen generierten
Weichröntgenstrahls
auf das atmosphärische
Gas evaluiert, wobei das Ausgangs-Wafer-Potential ±300 V
war, und durch Messen der Zeit, bis das Waferpotential ±30 V erreichte.
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Die
Ergebnisse sind in 7 dargestellt.
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Die
Elektrizitätsbeseitigungsfunktion ändert sich
eindeutig in Abhängigkeit
vom atmosphärischen Druck.
Die Funktion verbessert sich schrittweise bis zu 100 Torr, wobei
die Elektrizitätsbeseitigung
maximal annähernd
zweimal so schnell durchgeführt
werden kann. Danach ist sie aber immer mehr verzögert, bei annähernd 20
Torr ist sie etwa gleich wie unter atmosphärischem Druck, und bei 1 Torr
ist sie um das 10-fache verzögert.
Aus diesem Ergebnis lässt
sich feststellen, dass die Elektrizitätsbeseitigung unter reduziertem Druck
bis zu etwa 1 Torr möglich
ist, danach ist aber die Elektrizitätsbeseitigungszeit stark verlängert, was
nicht so wirksam ist.
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4) Ozonkonzentration der
Elektrizitätsbeseitigungsatmosphäre
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Ein
Experiment wurde betreffend Ozongenerierung durchgeführt, die
bei der Elektrizitätsbeseitigung in
der Luft oftmals problematisch ist.
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Die
experimentellen Bedingungen sind wie folgt:
Atmosphärisches
Gas: Luft
Targetspannung: 9,7 kV
Targetstrom: 120 μA
I2: 9 cm
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Das
Ausmaß der
Ozongenerierung wurde mit dem Ozonmesser 50 in 4 gemessen.
Wie in 4 dargestellt, wurde die Ozonkonzentration mit
dem Ozonmesser 50 durch Einsaugen des Gases in die Kammer 41 im
Ausmaß von
2 l/Min gemessen. Die Messung wurde 30 Minuten nach dem Abstrahlen
einer elektromagnetischen Welle im Röntgenbereich durchgeführt.
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Das
Ergebnis ist unten dargestellt. Die Konzentration des Hintergrunds
(BG) und die Ozonmenge im Fall von Ultraviolettstrahlung (UV-Strahlung)
werden zu Vergleichszwecken ebenfalls angezeigt.
AUSFÜHRUNGSBEISPIEL:
8–10 ppb
B.
G.: 8–10
ppb
UV-Strahlung: 20 ppm (nach 30 Minuten)
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Als
Ergebnis der Messung war keine Zunahme der Ozonkonzentration zu
verzeichnen, auch beim Abstrahlen des Weichröntgenstrahls, wodurch die generierte
Konzentration auf ppb-Niveau oder weniger bestätigt wurde.
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Im
Unterschied dazu wurde bei einer zu Vergleichszwecken durchgeführten Ultraviolettstrahlung
die Ozonkonzentration auf bis zu 20 ppm (etwa 2.000 Mal der B. G.-Wert)
angehoben.
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Wie
oben festgestellt, ist die Neutralisierungsfunktion der statischen
Elektrizität
mittels Weichröntgenstrahls
ausgezeichnet. Es ist möglich,
Ionenpaare mit hoher Konzentration zu bilden, ohne dass damit eine Generierung
von Ozon einhergeht, und als Ergebnis kann die Ladung eines elektrifizierten
Objekts in kurzer Zeit neutralisiert werden. Außerdem sind Abschirmungsmaßnahmen,
bei denen die Strahlen nicht auf einen menschlichen Körper abgegeben
werden, sehr einfach, zumal die Dämpfung derselben sehr schnell
erfolgt.
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Es
ist im Sinne einer höheren
Konzentration eines Strahlenbündels
aus einer Weichröntgenlampe
und der Bildung eines annähernd
parallelen Strahls wirksam, auf der Strahlungsvorrichtung eine Abschirmplatte anzubringen
(vorzugsweise eine Abschirmplatte, die zu einer vollkommenen Reflexion
eines Röntgenstrahls fähig ist).
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Ausführungsbeispiel 2
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In 8 ist
ein Ausführungsbeispiel
dargestellt, in dem ein Röntgenapparat 81 in
einem Reinraum 80 installiert ist.
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In
diesem Ausführungsbeispiel
ist der Röntgenapparat 81 an
einer Decke 82 befestigt, so dass ein Weichröntgentstrahl
annähernd
parallel zur Deckenfläche
des Reinraums 80 abgestrahlt wird. Der Weichröntgenstrahl
wird annähernd
parallel zur Deckenfläche
abgestrahlt, um zu verhindern, dass ein menschlicher Körper oder
Wafers (oder Flüssigkristallsubstrate) 85 mit
dem Röntgenstrahl
bestrahlt werden.
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Des
weiteren ist ein Filter 83 an der Decke 82 zur
Staubentfernung installiert, und eine sogenannte Abwärtsströmungsluft
A wird generiert, die von der Decke 82 auf einen Boden 84 strömt. Des
weiteren wird der vom Röntgenapparat 81 abgegebene
Röntgenstrahl
auf den stromaufwärtigen
Abschnitt des Luftstroms abgegeben, und deshalb werden die von der
Röntgenstrahlung
gebildeten Ionen und Elektronen vom Luftstrom zum Wafer 85 an
der stromabwärtigen
Seite übertragen
und neutralisieren die Elektrizität des Wafers 85.
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In
diesem Ausführungsbeispiel
ist der Röntgenapparat 81 an
der Decke 82 befestigt. Allerdings ist die Befestigung
nicht auf die Decke 82 beschränkt, soweit sich der befestigte
Apparat an einer Stelle befindet, an der die Strahlung auf einen
menschlichen Körper
oder den Wafer 85 im Reinraum 80 vermieden wird.
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Ausführungsbeispiel 3
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In 9 ist
ein Beispiel dargestellt, in dem ein Röntgenapparat 91 an
einem Nassarbeitsplatz 90 installiert ist.
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In 10 ist
wiederum ein Beispiel dargestellt, bei dem ein Röntgenapparat 102 an
einer offenen Transfervorrichtung von Wafers oder Flüssigkristallsubstraten 101 installiert
ist. In einer Transfervorrichtung 103, wie in 10 dargestellt,
befindet sich der Röntgenapparat 102 so
nahe wie möglich
am Wafer 101, und eine Abschirmplatte 104 ist
installiert, um die Röntgenstrahlen
abzuschirmen und die Befeuerung eines menschlichen Körpers zu
verhindern.
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Ausführungsbeispiel 4
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In 11 ist
ein Beispiel einer Anwendung zur Elektrizitätsentfernung in einem Nassarbeitsschritt
dargestellt, und 12 zeigt ein Beispiel einer
Anwendung auf die Elektrizitätsentfernung
beim Trocknen durch eine Trockenschleuder.
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In 13 ist
ein Beispiel dargestellt, in dem die Erfindung in auf ein geschlossenes
Transfersystem angewendet wird. In diesem Beispiel werden Stickstoffgas
(Stickstoffgas mit Verunreinigungskonzentrationen von einigen ppb
oder weniger für
die Verhinderung der Oberflächenoxidation
eines Wafers) oder Luft mit der Feuchtigkeitskonzentration einiger
ppb von der unteren Seite der Transferkammer ausgespritzt, wodurch
es zur Ausführung
eines schwebenden Wafer-Transfers kommt. Die Röntgenapparate sind, in Relation
zur Transferrichtung, an der Seitenfläche vorgesehen. Die Transferkammer
kann des weiteren aus einem Material gebildet sein, welches hinsichtlich
des Weichröntgens
transparent ist, beispielsweise aus Polyimid, und der Weichröntgenstrahl
kann durch Polyimid in die Luft in der Transferkammer abgestrahlt
werden.
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Um
die Oberflächenoxidation
von Wafers zu verhindern, wurde des weiteren ein Versuch durchgeführt, bei
dem die Transferkammer aus Rostfreistahl konstruiert ist, der eine
durch Wärmeoxidation
gebildete Passivschicht auf seiner Oberfläche aufweist, und Stickstoffgas
mit einer Verunreinigungskonzentration von einigen ppb oder weniger
wird als Transfergas benützt.
Wenn ein Rostfreistahl verwendet wird, der an seiner Oberfläche mit
einer Passivschicht gebildet ist, dessen Cr/Fe (Atomverhältnis) 1
oder mehr ist, ist dies insofern zweckmäßiger, als die Abgabe von Feuchtigkeit,
von der Oberfläche
verhindert werden kann.
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Ausführungsbeispiel 5
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In 14 ist
ein Wohnraum in einem Gebäude
dargestellt.
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In
diesem Ausführungsbeispiel
ist an der Decke des Wohnraums ein Luftzufuhrrohr installiert, und
Luft, die von außen
durch dieses Luftzufuhrrohr gesendet wird, wird durch einen Versorgungseinlass
des Luftzufuhrrohrs in das Innere des Wohnraums eingeführt.
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Des
weitern ist im Luftzufuhrrohr ein Röntgenapparat installiert, und
am Luftzufuhrrohr ist eine Öffnung vorgesehen,
durch die der Weichröntgenstrahl
vom Röntgenapparat
auf Luft abgestrahlt wird, welche im Luftzufuhrrohr strömt. Das
Luftzufuhrrohr kann auch aus einem Material konstruiert sein, welches
transparent in bezug auf den Weichröntgenstrahl ist, wie etwa aus
Polyimid, ohne dass die Öffnung
vorgesehen ist.
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Wenn
der Weichröntgenstrahl
abgestrahlt wird, werden positive Ionen und negative Ionen und/oder Elektronen
in der Luft gebildet, und die positiven Ionen und negativen Ionen
und/oder Elektronen werden auf dem Luftstrom ins Innere des Wohnraums übertragen.
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Ein
Wohnraum von etwa 5 Tsubo (1 Tsubo ist etwa 3,3 m2)
wurde hergestellt, und der Röntgenapparat wurde
in der in 14 dargestellten Konstruktion
installiert. Es wurde ein Test bezüglich einem Fall (Ausführungsbeispiel)
durchgeführt,
bei dem ein Weichröntgenstrahl
abgestrahlt wurde, und einem Fall (Vergleichsbeispiel), bei dem
keine Strahlung stattfand.
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Die
Anzahl der Teilnehmer war 20, und die Evaluierung erfolgte nach
Gefühl.
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Die
Anzahl der Personen, die zu Protokoll gaben, das Innere des Raums
sei bei Bestrahlung mit dem Röntgenstrahl
frischer als ohne Röntgen-Bestrahlung,
war 15. Die Anzahl der Personen, die zu Protokoll gaben, sie hätten keinen
Unterschied zwischen Bestrahlung und Nicht-Bestrahlung bemerkt,
betrug 5.
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Auf
einem Tisch in 14 wurde ein Geigerzähler aufgestellt
und das Ausmaß der
Befeuerung mit Röntgenstrahlen
gemessen. Die Zählungen
für Röntgen-Bestrahlung und Nicht-Röntgenbestrahlung
blieben auch in diesen Fällen
dieselben.
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Ausführungsbeispiel 6
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In 15 ist
ein Pflanzenkultivierungsraum (Blumen, Gemüse und Ähnliches) dargestellt.
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Die
Strahlung des Weichröntgenstrahls
wurde in der Konstruktion der 15 eine
Woche lang Tag und Nacht durchgeführt. Als nach einer Woche die
Farbe von Blumenblättern
beobachtet wurde, zeigte sich eine grüne Farbe, die frischer war
als in den Fällen
ohne Bestrahlung mit dem Weichröntgenstrahl.
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Die
Installation des Röntgenapparats
kann naturgemäß auch so
wie in 14 dargestellt ausgeführt werden.
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Ausführungsbeispiel 7
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In
diesem Ausführungsbeispiel
wurde die Elektrifizierung, welche beim Transfer und der Reinigung von
Glassubstraten in einer Flüssigkristallproduktionsvorrichtung
ausgelöst
wurde, mit Hilfe der erfindungsgemäßen und einer konventionellen
Elektrizitätsbeseitigungsvorrichtung
beseitigt, und die Ergebnisse wurden verglichen.
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In 17 ist
ein Verhalten der Elektrizitätsbeseitigung
dargestellt, die in einem Transfersystem von Glassubstraten durchgeführt wurde.
Das Glassubstrat wurde in einem Träger auf der rechten Seite untergebracht,
und nachdem er auf einer kreisförmigen
Unterlage positioniert wurde, mittels eines Gummirings von der linken
Seite übertragen.
In diesem Beispiel wurde die Elektrizitätsbeseitigung an der Positioniereinheit durchgeführt, und
die Elektrizitätsbeseitigungsmerkmale
wurden bei einem Bestrahlungswinkel gegen das Substrat wie in 17 dargestellt
gemessen. Die Messung wurde unter denselben Bedingungen auch mit
einem Gebläse-Ionisierer
unter Verwendung des Koronaladungsverfahrens als konventionelle
Elektrizitätsbeseitigungsvorrichtung
durchgeführt.
Die Ergebnisse sind in 18 dargestellt.
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In 18 bezeichnet
die x-Achse das Elektrifizierungspotential, und die y-Achse die
Dauer. Die gepunktete Linie beschreibt die Merkmale der Elektrzitätsbeseitigung
durch den Weichröntgenstrahl,
und die fette Linie durch den Ionisierer. Das Elektrifizierungspotential
ohne Elektrizitätsbeseitigung
zeigt einen Wert, der immer über –3,3 kV
liegt, dem Grenzwert des Oberflächenpotentiometers.
Im Falle der Entfernung der Elektrizität durch den Weichröntgenstrahl
dieses Ausführungsbeispiels
lag das Spitzenpotential nach Beginn der Elektrizitätsbeseitigung
bei maximal –0,4
kV, und die Elektrizitätsbeseitigungsdauer
bis 0 V betrug nur etwa 2 Sekunden. Es stellte sich des weiteren
heraus, dass die Änderung
der Elektrizitätsbeseitigungsfunktion
durch den Bestrahlungswinkel überhaupt
nicht erkannt wurde. Anderseits ist bei Verwendung des konventionellen Ionisierers
die Elektrizitätsbeseitigungsfunktion
in hohem Maße
vom Bestrahlungswinkel abhängig,
und die Elektrizitätsbeseitigungsfunktion
war jener im Ausführungsbeispiel
der Erfindung deutlich unterlegen. Es gab beispielsweise einen Fall,
bei dem das Spitzenpotential –3
kV erreichte, und die Zeitdauer mindestens 5 Sekunden oder mehr.
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Als
nächstes
ist in 19 das Verhalten der Elektrizitätsbeseitigung
beim Reinigen des Glassubstrats dargestellt. Wenn das Substrat nach Überlaufreinigung
durch ultrareines Wasser aus einem Tank hochgezogen wurde, erreichte
das Potential des Substrats –3,3
kV oder mehr. 20 zeigt ein Ergebnis der Messung der
Elektrizitätsbeseitigungsmerkmale
in dem Fall, in dem die Elektrzitätsbeseitigung gleichzeitig
mit dem Hochziehen durchgeführt
wurde. Es stellte sich heraus, dass durch die Abstrahlung des Weichröntgenstrahls das
maximale Elektrifizierungspotential auf 0,1 kV oder weniger beschränkt wurde;
die Dauer, bis 0 V erreicht waren, betrug etwa 1 Sekunde, und die
Elektrifizierung konnte wirksam verhindert werden.
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Bei
Verwendung des Ionisierers wurden demgegenüber maximal 1,7 kV erreicht,
und die Elektrizitätsbeseitigungsdauer
betrug 4 bis 5 Sekunden.
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Wie
oben festgestellt, kann die elektrifizierte Ladung auch beim Glassubstrat
in kurzer Zeit vollständig beseitigt
werden, und auch die Elektrifizierung lässt sich von der vorliegenden
Erfindung verhindern.
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INDUSTRIELLE ANWENDBARKEIT
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Es
ist durch Verwendung der erfindungsgemäßen Ionengenerierungsvorrichtung
und der Weichröntgenbestrahlung
möglich,
positive und negative Ionen zu schaffen, ohne dass dies von Staubbildung
begleitet wird.
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Bei
der Neutralisierung der Elektrizität eines elektrifizierten Objekts
ist es des weiteren möglich,
die Ladung des elektrifizierten Objekts in kurzer Zeit unter jeder
Atmosphäre
zu neutralisieren, und die Generierung statischer Elektrizität kann durch
die Anwendung dieser Vorrichtung auf einen elektrifizierten Abschnitt vollständig verhindert
werden.
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Dies
läuft auf
die Verhinderung der Entstehung von Defekten durch statische Elektrizität und die
Verhinderung von Zuverlässigkeitseinbußen eines
Produkts bei der Herstellung von Halbleitern oder Flüssigkristallen
hinaus, wodurch der Ertrag eines Produkts erhöht wird. Während bisher aufgrund dieses
Problems der statischen Elektrizität insbesondere Probleme bei
der Anwendung eines Waferträgers
aus reinem Fluorethylenharz bestanden, wurden diese Bedenken durch
die Anwendung dieser Elektrizitätsbeseitigungsmethode vollständig eliminiert.