DE602004010580D1 - Magnetische Speicherzelle und magnetische Speicheranordnung mit einer derartigen Zelle - Google Patents

Magnetische Speicherzelle und magnetische Speicheranordnung mit einer derartigen Zelle

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2889348B1 (fr) * 2005-07-27 2008-09-12 Commissariat Energie Atomique Dispositif magnetoresistif
JP5072012B2 (ja) * 2005-11-14 2012-11-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
KR100890641B1 (ko) * 2007-05-01 2009-03-27 삼성전자주식회사 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 장치
US7782660B2 (en) * 2008-03-20 2010-08-24 International Business Machines Corporation Magnetically de-coupling magnetic memory cells and bit/word lines for reducing bit selection errors
JP2010219104A (ja) * 2009-03-13 2010-09-30 Nec Corp 磁気メモリ素子、磁気メモリ、及びその製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6072718A (en) * 1998-02-10 2000-06-06 International Business Machines Corporation Magnetic memory devices having multiple magnetic tunnel junctions therein
EP1107329B1 (de) 1999-12-10 2011-07-06 Sharp Kabushiki Kaisha Magnetische Tunnelübergangsanordnung, magnetische Speicheranordnung, magnetische Speicherzelle und Zugriffsverfahren
JP3868699B2 (ja) * 2000-03-17 2007-01-17 株式会社東芝 磁気メモリ装置
JP3913971B2 (ja) 1999-12-16 2007-05-09 株式会社東芝 磁気メモリ装置
US6473336B2 (en) * 1999-12-16 2002-10-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic memory device
JP2001273759A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Sharp Corp 磁気メモリセルと磁気メモリ装置
JP3575683B2 (ja) * 2000-10-05 2004-10-13 松下電器産業株式会社 多素子型磁気抵抗素子
US6236590B1 (en) * 2000-07-21 2001-05-22 Hewlett-Packard Company Optimal write conductors layout for improved performance in MRAM
JP4309075B2 (ja) * 2000-07-27 2009-08-05 株式会社東芝 磁気記憶装置
JP2002170374A (ja) * 2000-11-28 2002-06-14 Canon Inc 強磁性体不揮発性記憶素子およびその情報再生方法ならびにそれを用いたメモリチップおよび携帯型情報処理装置
JP2002230965A (ja) * 2001-01-24 2002-08-16 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 不揮発性メモリ装置
JP2002353415A (ja) * 2001-05-23 2002-12-06 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 記憶素子、メモリセル及び記憶回路ブロック
JP2003198001A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Tdk Corp 磁気抵抗効果素子及びこれを用いたメモリ
US6778421B2 (en) * 2002-03-14 2004-08-17 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Memory device array having a pair of magnetic bits sharing a common conductor line
JP4182728B2 (ja) * 2002-11-15 2008-11-19 ソニー株式会社 磁気記憶素子の記録方法、磁気記憶装置
JP2005044847A (ja) 2003-07-23 2005-02-17 Tdk Corp 磁気抵抗効果素子、磁気記憶セルおよび磁気メモリデバイスならびにそれらの製造方法

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