DE602004003429T2 - Laserdiode mit einem externen Gitter in einem Wellenleiter - Google Patents
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Description
- Hintergrund der Erfindung
- 1. Gebiet der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung betrifft eine Lichtquelle für die optische Kommunikation und betrifft insbesondere eine Lasereinrichtung mit einstellbarer Wellenlänge.
- 2. Beschreibung des Stands der Technik
- In einem passiven optischen Netzwerk mit Wellenlängenaufteilung bzw. Wellenlängen-Multiplex (WDM-PON) werden spezielle unterscheidbare Wellenlängen verwendet, die den entsprechenden Teilnehmern zugeordnet sind, um Kommunikationsdienste mit hoher Geschwindigkeit und großer Bandbreite anzubieten. Die Entwicklung einer ökonomischen WDM-Lichtquelle ist für das Einrichten von WDM-PON-Netzwerken wichtig. Es wurde der Fabry-Perot-Laser mit eingerasteter Wellenlänge als eine Quelle vorgeschlagen, da er preisgünstig ist, eine hohe Frequenzstabilität durch Ausgeben lediglich von Licht mit Wellenlänge, die mit dem eingespeisten Licht mit gewünschtem Leistungspegel und darüber übereinstimmt, erreichen kann und das Sendeverhalten durch Verbessern des SMSR (Seitenmodenunterdrückungsverhältnis) verbessern kann. Das SMSR repräsentiert das Verhältnis der Intensität des Lichtstrahls, der nach der Verstärkung ausgegeben wird, zu der Intensität der Lichtstrahlen, die nach dem Vorgang zum Unterdrücken ausgegeben werden, wie nachfolgend detaillierter beschrieben ist. Es werden ein externes Beugungsgitter, ein Faser-Bragg-Gitter und ein FP-Filter verwendet, um den Effekt der Wellenlängeneinrastung in dem FP-Laser zu erreichen.
- Aus H. Helmers, et al.: 45 nm Einstellbarkeit im C-Band, die mittels Laser mit externer Kavität mit einem Probenfaser-Bragg-Gitter erreicht wird, Electronics-Letters, IEE Steven H., GB, Band 38, Nr. 24, 21. November 2002, Seiten 1535 bis 1536, ist ein einstellbarer Laser mit Einzelmodenemission bekannt, wobei eine Fabry-Perot-Kavität und gerastetes Bragg-Gitter kombiniert werden.
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1 zeigt die Konfiguration einer konventionellen Lasereinrichtung unter Anwendung eines externen Beugungsgitters. Die Laservorrichtung100 umfasst einen FP-Laser110 , eine RF-Quelle120 , eine erste und eine zweite Linse130 und135 , einen optischen Koppler150 und ein Beugungsgitter160 . - Der FP-Laser
110 gibt moduliertes Licht auf der Grundlage eines elektrischen Signals aus, das von der RF-Quelle120 eingespeist wird. Die erste Linse130 koppelt das von dem FP-Laser110 ausgegebene Licht in eine erste Glasfaser141 ein. Die erste Glasfaser141 ist mit einem Ende des optischen Kopplers150 verbunden, und eine zweite und eine dritte Glasfaser142 ,143 sind mit dem anderen Ende der ersten Glasfaser verbunden. Der optische Koppler150 sendet das durch die erste Glasfaser141 eingespeiste Licht zu der zweiten und der dritten Glasfaser142 ,143 . Das von der zweiten Glasfaser142 ausgegebene Licht wird von der zweiten Linse135 so abgebildet, dass es auf das Beugungsgitter160 trifft, und das Gitter160 reflektiert Licht einer vorbestimmten Wellenlänge. Das reflektierte Licht wird über die zweite Linse135 in die zweite Glasfaser142 eingekoppelt. Der optische Koppler150 sendet das reflektierte Licht, das mittels der zweiten Glasfaser142 eingespeist wird, zu der ersten Glasfaser141 . Das reflektierte Licht wird durch die erste Glasfaser141 geleitet und wird in den Laser110 über die erste Linse130 eingekoppelt. Der Laser110 wird durch das reflektierte Licht in seiner Wellenlänge festgelegt bzw. rastet auf der Wellenlänge ein, und gibt das in der Wellenlänge festgelegte Licht aus. Mittels der ersten Linse130 und dem optischen Koppler150 wird das in der Wellenlänge festgelegte Licht in der dritten Glasfaser143 für die Ausgabe weitergeleitet. Die Lasereinrichtung190 kann die Wellenlänge des ausgegebenen Lichtes durch Steuern der Reflexionswellenlänge des Beugungsgitters160 einstellen. - Aus der
US 6,320,888 sind ein frequenzstabilisierter Laser und ein Verfahren zur Herstellung desselben bekannt, wobei der frequenzstabilisierte Laser eine integrierte externe Kavität benutzt, wobei eine Halbleiterlaserdiode und ein optischer Wellenleiter, der auf einem einzelnen Substrat vorgesehen ist, enthalten sind, und wobei ein optisch induziertes Gitter, das in dem optischen Wellenleiter ausgebildet ist, eine Modenänderung auf Grund einer Temperaturänderung unterdrückt, um damit die Schwingungsfrequenz des Lasers zu stabilisieren, und wobei Material mit einem Temperaturkoeffizienten im Hinblick auf den Brechungsindex, der ein umgekehrtes Vorzeichen im Vergleich zu dem Temperaturkoeffizienten für den Brechungsindex der Halbleiterlaserdiode aufweist, zwischen der Laserdiode und dem Gitter vorgesehen ist. - Jedoch erfordert die Laservorrichtung unter Anwendung des externen Beugungsgitters eine präzise Verfahrenstechnologie beim Einbringen in ein Gehäuse und ferner ist das Beugungsgitter voluminös. Ferner sind für das Zuführen von Wärme und Erzeugen mechanischer Verformung bei dem Faser-Bragg-Gitter für die Wellenlängenanpassung zusätzliche Einrichtungen erforderlich, und des weiteren ist der einstellbare Wellenlängenbereich auf einige Nanometer begrenzt.
- Überblick über die Erfindung
- Die vorliegende Erfindung wurde im Hinblick auf das obige Problem erdacht und stellt eine Lasereinrichtung, die in einem Halbleitersubstrat integriert ist, gemäß dem Anspruch 1 bereit, wobei die Lasereinrichtung gemäß dem Verfahren nach Anspruch 8 hergestellt wird, wodurch sowohl das Einbringen in ein Gehäuse als auch die Wellenlängeneinstellung bzw. Wellenlängendurchstimmung, die gemäß dem Anspruch 15 stattfindet, verbessert ist.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung können die zuvor genannten und weitere Aspekte erreicht werden, indem eine wellenlängendurchstimmbare Laservorrichtung mit einem Halbleitersubstrat bereitgestellt wird; ein Fabry-Perot-Laser ist auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet, wobei der Laser mehrere longitudinale Moden aufweist; ferner ist eine plane oder eben Lichtleiter- bzw. Lichtwellenschaltung auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet. Die Schaltung umfasst einen Wellenleiter, der auf dem Substrat angeordnet ist, so dass von dem Laser ausgegebenes Licht in den Wellenleiter eingekoppelt wird. Die Schaltung umfasst ferner eine Hülle, die den Wellenleiter umgibt, wobei ein Gitter in einen Bereich des Wellenleiters eingearbeitet ist. Das Gitter reflektiert Lichtstrahlen mit unterschiedlichen Wellenlängen und der Fabry-Perot-Laser ist durch einen der reflektierten Lichtstrahlen in seiner Wellenlänge festgelegt bzw. Wellenlängen-synchronisiert.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
- Die obigen und weitere Aspekte, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung gehen deutlicher aus der folgenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen hervor, in denen:
-
1 eine Konfiguration einer konventionellen Laservorrichtung unter Anwendung eines externen Beugungsgitters zeigt; -
2 den Aufbau einer wellenlängeneinstellbaren Laservorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; -
3 ein Verfahren zur Herstellung eines gerasterten Bragg-Gitters zeigt; -
4 das Reflektionsspektrum des gerasterten Bragg-Gitters zeigt; -
5a bis5c die Wellenlängeneinrastung bzw. Festlegung oder Synchronisierung des Fabry-Perot-Laser aus2 zeigen; und -
6a bis6c ein Wellenlängeneinstellverfahren für den in2 gezeigten Fabry-Perot-Laser zeigen. - Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
- Es werden nun bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit Bezug zu den begleitenden Zeichnungen beschrieben, wobei die detaillierte Beschreibung bekannter Funktionen und Strukturen, die hierin enthalten sind, zur besseren Darstellung weggelassen werden.
-
2 zeigt als ein nicht beschränkendes Beispiel den Aufbau einer wellenlängeneinstellbaren Laservorrichtung200 gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Laservorrichtung200 umfasst ein Halbleitersubstrat210 , einen Fabry-Perot-Laser220 und eine ebene Lichtleiterschaltung oder Lichtwellenschaltung (PLC)240 . - Der FP-Laser
220 ist auf dem Halbleitersubstrat210 an einem Seitenbereich davon ausgebildet, und eine Kontaktfläche230 für das externe Zuführen eines RF-Signals zu dem FP-Laser220 ist auf dem Substrat in der Nähe des FP-Lasers ausgebildet. Die Kontaktfläche230 und der FP-Laser220 werden mittels eines Drahtes235 miteinander kontaktiert. Der FP-Laser220 besitzt mehrere longitudinale Moden, die in Abständen einer vorbestimmten Wellenlänge, die um eine longitudinale Mode mit einem Maximalwert gruppiert sind, gemäß den Verstärkungseigenschaften des Materials des Lasers angeordnet sind. - Die ebene Lichtleiterschaltung
240 ist auf dem Halbleitersubstrat210 an deren Seite ausgebildet und enthält einen Wellenleiter260 und eine Umhüllung bzw. Ummantelung250 , die den Wellenleiter260 umgibt, wobei ein Gitter265 in einem Bereich des Wellenleiters260 eingearbeitet ist. In der gezeigten Ausführungsform besitzt das Substrat210 in Längsrichtung zwei Enden, wobei der Laser220 an einem Ende und die Schaltung240 an dem anderen Ende angeordnet sind. Vorzugsweise ist keine optische Komponente zwischen dem Laser220 und dem Wellenleiter260 vorgesehen, die auf dem Substrat210 in einer Ausrichtung mit direktem Lichtaustausch zueinander angeordnet sind. Das Gitter265 reflektiert mehrere Lichtstrahlen mit unterschiedlichen Wellenlängen und kann ein gerastetes Bragg-Gitter oder ein Moirè-Gitter enthalten. Zunächst wird ein Herstellungsverfahren beschrieben, wenn das Gitter265 ein gerastetes Bragg-Gitter ist. -
3 zeigt ein Verfahren zur Herstellung des gerasterten Bragg-Gitters, und4 zeigt das Reflektionsspektrum des gerasterten Bragg-Gitters. In3 sind ein Halbleitersubstrat310 , eine ebene Lichtleiterschaltung300 mit einer unteren Quelle320 , ein Wellenleiter330 und eine obere Hülle340 , die der Reihe nach auf dem Substrat310 angeordnet sind, eine Phasenmaske350 , die über der ebene Lichtleiterschaltung300 angeordnet ist, und eine Amplitudenmaske360 , die über der Phasenmaske350 angeordnet ist, gezeigt. Wenn ultraviolettes Licht auf die Amplitudenmaske360 eingestrahlt wird, fällt ultraviolettes Licht, das durch die Schlitze in der Amplitudenmaske360 läuft, auf die Phasenmaske350 . Die Phasenmaske350 beugt das eintreffende Licht und ein Interferenzmuster des gebeugten Lichtes wird auf dem Wellenleiter330 gebildet. Der Wellenleiter330 besitzt eine Ultraviolettempfindlichkeit, so dass ein gerastetes bzw. gemustertes Gitter335 , das mit dem Interferenzmuster übereinstimmt, auf dem Wellenleiter330 gebildet wird. Das Gitter335 wird durch die Amplitudenmaske360 periodisch amplitudenmoduliert. In diesem Falle, oder wenn das Gitter periodisch phasenmoduliert wird, wird ein Mehrfachreflektionsspektrum mit einem Wellenlängenintervall Δλ erhalten, wie dies durch die folgende Gleichung 1 ausgedrückt und in4 gezeigt ist. - In Gleichung 1 bezeichnet „Δλ" das Wellenlängenintervall des Spektrums mit mehrfacher Reflektion, „λB" bezeichnet die mittlere Wellenlänge des Gitters
335 , „neff" bezeichnet einen effektiven Brechungsindex und „P" bezeichnet die Modulationsperiode des Gitters335 . - Das Reflektionsverhältnis in Bezug auf die Reflektionswellenlänge des Gitters
335 ist durch eine Fourier-Transformation der Gitteramplitude repräsentiert, so dass das Reflektionsverhältnis die Form einer Sinusfunktion als Ganzes besitzt und die Bandbreite des gesamten reflektierten Lichts hängt von der Länge des gesamten Gitters335 ab. - Es wird nunn ein Verfahren zur Herstellung des Gitters
365 , wie es in2 gezeigt ist, beschrieben, wenn das Gitter ein Moirè-Gitter ist. In diesem Verfahren werden Gitter mit unterschiedlichen Perioden überlappend vorgesehen, beispielsweise so, dass ein erstes Gitter auf einen Wellenleiter unter Anwendung eines ersten Beugungsgitters mit einer ersten Periode gebildet wird, und ein zweites Gitter auf dem Wellenleiter unter Anwendung eines zweiten Beugungsgitters mit einer zweiten Periode hergestellt wird, so dass das zweite Gitter das erste Gitter überlappt. Da in diesem Falle die mittleren Wellenlängen der Gitter, die auf dem Wellenleiter herzustellen sind, jeweils von einer Phasenmaske abhängen, die bei der Herstellung jedes Gitters verwendet wird, können die Phasenmaskenperioden eingestellt werden, um ein Intervall zwischen den Reflektionswellenlängen zu steuern. - Da mehrere Gitter auf dem Wellenleiter an der gleichen Position gebildet werden, wird vorteilhafterweise durch das vorhergehende Fertigungsverfahren für Moirè-Gitter eine Integration ohne eine Zunahme der Größe erreicht, obwohl mehrere Reflektionswellenlängen vorgesehen sind.
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5a bis5c zeigen den Effekt der Wellenlängeneinrastung bzw. Synchronisierung des Fabry-Perot-Lasers220 , der in2 gezeigt ist.5a zeigt ein Moden-Spektrum des FP-Laser220 , bevor dieser in seiner Wellenlänge einrastet. Der Laser220 besitzt mehrere longitudinale Moden, die an entsprechenden Intervallen einer vorbestimmten Wellenlänge, die um eine longitudinale Mode mit einem Maximalwert herum gruppiert sind, gemäß den Verstärkungseigenschaften des Materials des Lasers angeordnet sind.5b zeigt ein Spektrum von Licht einer speziellen Wellenlänge, das in den Laser220 eingespeist wird.5c zeigt ein optisches Spektrum des FP-Lasers220 , wenn dieser in die Wellenlänge eingerastet ist. In diesem Falle werden Wellenlänge, die nicht mit der Wellenlänge des eingespeisten Lichts übereinstimmen, unterdrückt, und es wird lediglich Licht der übereinstimmenden Wellenlänge verstärkt und ausgegeben. Wie zuvor angemerkt ist, wird die Intensität des Lichtstrahls, der nach dem Verstärken ausgegeben wird, im Verhältnis zu den Intensitäten der Lichtstrahlen, die nach dem Unterdrücken ausgegeben werden, als ein „SMSR" (Seitenmodenunterdrückungsverhältnis) bezeichnet. Eine Zunahme des SMSR verringert eine Leistungsbeeinträchtigung beim Senden, die auf Grund einer chromatischen Dispersion in einer Glasfaser und eines Modenpartitionsrauschens, was in dem Laser220 auftritt, hervorgerufen wird. Es ist möglich, in ökonomischer Weise eine Datenübertragung über langen Strecken bei hohen Raten durchzuführen, indem der in der Wellenlänge eingerastete FP-Laser220 direkt moduliert wird. -
6a bis6c zeigen ein Verfahren zum Einstellen der Wellenlänge des FP-Lasers220 , der in2 gezeigt ist.6a zeigt die Verschiebung der longitudinalen Moden des FP-Lasers220 in Bezug auf eine Änderung seiner Betriebstemperatur. In dieser Zeichnung repräsentiert die durchgezogene Linie die longitudinalen Moden während einer Anfangstemperatur, die gepunktete Linie repräsentiert die longitudinalen Moden nach einer Temperaturänderung, wobei die longitudinalen Moden in einer spezifizierten Wellenlänge x angeordnet sind.6b zeigt das Spektrum der reflektierten Lichtstrahlen, die in den Laser220 eingespeist werden, wobei die reflektierten Lichtstrahlen mit unterschiedlichen Wellenlängen in Intervallen einer speziellen Wellenlänge x' angeordnet sind.6c zeigt die Änderung des optischen Spektrums des in der Wellenlänge eingerasterten FP-Lasers220 in Bezug auf eine Änderung der Betriebstemperatur. In dieser Zeichnung repräsentiert die durchgezogene Linie ein optisches Spektrum vor der Temperaturänderung, und die gepunktete Linie repräsentiert das optische Spektrum nach der Temperaturänderung. Wenn in diesem Falle die Differenz zwischen dem Modenintervall x des Lasers220 und dem Wellenlängenintervall x', der durch das Gitter265 reflektierten Lichtstrahlen ungefähr mehreren GHz entspricht, ist es möglich, eine Einzelmodenschwingung auszuführen, da lediglich eine einzelne überlappte Wellenlänge vorhanden sind, selbst wenn mehrere Lichtstrahlen von dem Gitter265 reflektiert werden. Wenn die Betriebstemperatur des Lasers220 geändert wird, tritt eine Phasenänderung in dem Laser220 ein, um die longitudinalen Moden zu verschieben. Gleichzeitig mit der Verschiebung der Moden die Überlappung mit einer Wellenlänge, die sich von der zuerst überlappten Wellenlänge unterscheidet, bewirkt, um damit die Schwingungswellenlänge zu ändern. Auf diese Weise kann ein in der Wellenlänge einstellbarer Laser reali siert werden. Wenn ferner das Gitter265 so hergestellt ist, dass das Wellenlängenintervall von Lichtstrahlen, die von dem Gitter265 reflektiert werden, 100 GHz, 200 GHz, etc. entspricht, wie dies durch die WDM-Übertragung vorgegeben ist, ist es möglich, eine Kanalumschaltung auszuführen, während die Wellenlängeneinstellung ausgeführt wird. Um die Betriebstemperatur des FP-Lasers220 zu steuern, kann die wellenlängeneinstellbare Laservorrichtung200 auf die obere Fläche eines thermoelektrischen Kühlelements TEC aufgebracht werden, das als ein Temperatursteuerelement dient. - Obwohl die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zu Anschauungszwecken offenbart sind, erkennt der Fachmann, dass diverse Modifizierungen, Hinzufügungen und Ersetzungen möglich sind, ohne damit von dem Schutzbereich der Erfindung, wie sie durch die angefügten Patentansprüche angegeben ist, abzuweichen.
Claims (15)
- Wellenlängen-durchstimmbare Laservorrichtung (
200 ), die umfasst: ein Halbleitersubstrat (310 ); einen Fabry-Perot-Laser (220 ), der auf dem Halbleitersubstrat (210 ) ausgebildet ist, wobei der Laser (220 ) eine Vielzahl von Longitudinalmoden hat; und eine plane Lichtwellenschaltung (240 ), die auf dem Halbleitersubstrat (210 ) ausgebildet ist, wobei die Schaltung (240 ) einen Wellenleiter (260 ) enthält, der auf dem Substrat (210 ) so angeordnet ist, dass von dem Laser (220 ) ausgegebenes Licht zu dem Wellenleiter (260 ) gekoppelt wird, die Schaltung (240 ) des Weiteren eine Ummantelung (250 ) enthält, die den Wellenleiter (260 ) umgibt, ein Gitter (265 ) in einen Teil des Wellenleiters (260 ) geschnitten ist, das Gitter (265 ) eine Vielzahl von Lichtstrahlen unterschiedlicher Wellenlängen reflektiert und der Fabry-Perot-Laser (220 ) durch einen der mehreren reflektierten Lichtstrahlen wellenlängen-synchronisiert wird, und dadurch gekennzeichnet, dass zum Wellenlängen-Durchstimmen durch Wellenlängen-Synchronisieren auf einen anderen der reflektierten Lichtstrahlen die Betriebstemperatur des Fabry-Perot-Lasers (220 ) durch ein Temperatursteuerelement, insbesondere einen thermoelektrischen Kühler, gesteuert werden kann, wobei das Intervall zwischen Longitudinalmoden des Fabry-Perot-Lasers und das Intervall der reflektierten Lichtstrahlen verschieden sind. - Laservorrichtung (
200 ) nach Anspruch 1, wobei das Substrat (210 ) in Längsrichtung zwei Enden hat, der Laser (220 ) an einem der Enden angeordnet ist und die Schaltung (240 ) an dem anderen Ende angeordnet ist. - Laservorrichtung (
200 ) nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Laser (220 ) auf dem Substrat (210 ) in direkter Lichtverbindungs-Ausrichtung auf den Wellenleiter (260 ) ohne dazwischen befindliche optische Einrichtungen angeordnet ist. - Laservorrichtung (
200 ) nach Anspruch 1, 2 oder 3, die des Weiteren ein Bondinsel (230 ) umfasst, die auf dem Substrat (210 ) ausgebildet ist, um ein HF-Signal an den Laser (220 ) von außen anzulegen. - Laservorrichtung (
200 ) nach Anspruch 4, wobei die Bondinsel (230 ) und der Laser (220 ) über einen Draht (235 ) durch Drahtbonden miteinander verbunden sind. - Laservorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Gitter ein abgetastetes Gitter ist, das unter gemeinsamer Verwendung sowohl einer Phasenmaske (
350 ) als auch einer Amplitudenmaske (300 ) hergestellt wird. - Laservorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Gitter ein Moiré-Gitter ist, das durch Überlappen von Gittern unterschiedlicher Perioden ausgebildet wird.
- Verfahren zum Herstellen einer wellenlängen-durchstimmbaren Laservorrichtung (
200 ), das die folgenden Schritte umfasst: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (210 ) auf einem Temperatursteuerelement, insbesondere einem thermoelektrischen Kühler; Ausbilden eines Fabry-Perot-Lasers (220 ) mit einer Vielzahl von Longitudinalmoden auf dem Substrat (210 ); und Ausbilden einer planen Lichtwellenschaltung (240 ) auf dem Substrat (210 ), die einen Wellenleiter (260 ) enthält, der so auf dem Substrat (210 ) angeordnet ist, dass von dem Laser (220 ) ausgegebenes Licht zu dem Wellenleiter (260 ) gekoppelt wird, wobei die Schaltung (240 ) des Weiteren eine Ummantelung (250 ) enthält, die den Wellenleiter (260 ) umgibt, ein Gitter (265 ) in einen Teil des Wellenleiters (260 ) geschnitten ist, das Gitter (265 ) eine Vielzahl von Lichtstrahlen unter schiedlicher Wellenlängen reflektiert, der Fabry-Perot-Laser (220 ) durch einen der mehreren reflektierten Lichtstrahlen wellenlängen-synchronisiert wird, und wobei zum Wellenlängen-Durchstimmen durch Wellenlängen-Synchronisierung auf einen anderen der reflektierten Lichtstrahlen die Betriebstemperatur des Fabry-Perot-Lasers (220 ) gesteuert werden kann, wobei das Intervall zwischen Longitudinalmoden des Fabry-Perot-Lasers und das Intervall der reflektierten Lichtstrahlen verschieden sind. - Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Substrat in Längsrichtung zwei Enden hat, der Laser an einem der Enden angeordnet ist und die Schaltung an dem anderen Ende angeordnet ist.
- Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, wobei die Ausbildungsschritte so durchgeführt werden, dass der Laser (
220 ) auf dem Substrat (210 ) in direkter Lichtverbindungs-Ausrichtung auf den Wellenleiter (260 ) ohne dazwischen befindliche optische Einrichtungen angeordnet wird. - Verfahren nach Anspruch 8, 9 oder 10, das des Weiteren den Schritt des Ausbildens einer Bondinsel (
230 ) auf dem Substrat (210 ) zum Anlegen eines HF-Signals an den Laser (220 ) von außen umfasst. - Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, das des Weiteren den Schritt des Verwendens eines Drahtes (
235 ) umfasst, um die Bondinsel (230 ) und den Laser (220 ) durch Drahtbonden miteinander zu verbinden. - Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 12, wobei der Schritt des Ausbildens der Schaltung des Weiteren den Schritt des gemeinsamen Verwendens sowohl einer Phasenmaske (
350 ) als auch einer Amplitudenmaske (360 ) beim Ausbilden des Gitters (265 ) als ein abgetastetes Gitter umfasst. - Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 12, wobei der Schritt des Ausbildens der Schaltung des Weiteren den Schritt des Überlappens von Gittern unterschiedlicher Perioden zum Ausbilden des Gitters (
265 ) als ein Moiré-Gitter umfasst. - Wellenlängen-Durchstimmungsverfahren, bei dem eine wellenlängen-durchstimmbare Laservorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7 verwendet wird, wobei es die folgenden Schritte umfasst: Betreiben des Fabry-Perot-Lasers (
220 ) mit einer ersten Wellenlänge, die einer Reflexionswellenlänge des Gitters entspricht, Ändern der Betriebstemperatur des Fabry-Perot-Lasers (220 ), um so die Longitudinalmoden des Lasers (220 ) zu verschieben, Reflektieren von Lichtstrahlen der Wellenlängen, die den verschobenen Longitudinalmoden entsprechen, durch das Gitter (265 ), und Synchronisieren einer von der ersten Wellenlänge verschiedenen Wellenlänge aufgrund einer Überlappungserscheinung bei einer Wellenlänge, die sich von der ersten Wellenlänge unterscheidet.
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US20060002443A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Gennady Farber | Multimode external cavity semiconductor lasers |
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US7260126B2 (en) * | 2004-12-06 | 2007-08-21 | The Hong Kong Polytechnic University | Optical pulses emitter |
DE102005019848B4 (de) * | 2005-04-28 | 2009-10-15 | Lumics Gmbh | Stabilisierung der Emissions-Wellenlänge einer Breitstreifen-Laserdiode |
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KR100697606B1 (ko) * | 2005-10-05 | 2007-03-22 | 주식회사 두산 | 곡면의 반사 거울면을 포함하는 광 도파로 및 그 제조 방법 |
US20070182960A1 (en) * | 2006-01-20 | 2007-08-09 | Vijaysekhar Jayaraman | Compact laser spectrometer |
CN100409055C (zh) * | 2006-09-08 | 2008-08-06 | 北京工业大学 | 一种应用光纤耦合的半导体激光器的外腔相干锁相方法 |
US20100158441A1 (en) * | 2007-08-07 | 2010-06-24 | Mickelson Alan R | System And Method For High Speed Dye Doped Polymer Devices |
US8744263B2 (en) * | 2008-12-02 | 2014-06-03 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | WDM-PON system, ONT, OLT and method for initialization of tunable laser |
KR20100072534A (ko) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | 한국전자통신연구원 | 반도체 레이저 장치 |
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CN102349204A (zh) * | 2011-08-16 | 2012-02-08 | 华为技术有限公司 | 可调激光器、光模块和无源光网络系统 |
CN103219649A (zh) * | 2012-06-25 | 2013-07-24 | 四川马尔斯科技有限责任公司 | 直接高速调制外腔式波长可调谐激光器 |
CN103311802A (zh) * | 2013-05-31 | 2013-09-18 | 华为技术有限公司 | 波长可调的激光输出方法和可调激光装置 |
US9184564B2 (en) * | 2013-06-07 | 2015-11-10 | Ngk Insulators, Ltd. | External resonator type light emitting system |
WO2015079939A1 (ja) | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 日本碍子株式会社 | 外部共振器型発光装置 |
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KR20150137780A (ko) * | 2014-05-30 | 2015-12-09 | 주식회사 포벨 | 꺽어진 광도파로를 가지는 외부 공진기형 레이저 |
US9356419B1 (en) * | 2015-04-09 | 2016-05-31 | International Business Machines Corporation | Temperature insensitive external cavity lasers on silicon |
JP6895903B2 (ja) * | 2016-02-12 | 2021-06-30 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザ素子、回折格子構造、および回折格子 |
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GB9409033D0 (en) * | 1994-05-06 | 1994-06-29 | Univ Southampton | Optical fibre laser |
US5870417A (en) * | 1996-12-20 | 1999-02-09 | Sdl, Inc. | Thermal compensators for waveguide DBR laser sources |
JPH10242591A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多波長レーザ |
US6327289B1 (en) * | 1997-09-02 | 2001-12-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Wavelength-variable semiconductor laser, optical integrated device utilizing the same, and production method thereof |
JP3337403B2 (ja) * | 1997-09-19 | 2002-10-21 | 日本電信電話株式会社 | 周波数安定化レーザ |
JPH11167089A (ja) * | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光送信器とその製造方法 |
GB2346965B (en) * | 1999-02-18 | 2002-01-16 | Oxford Fiber Optic Tools Ltd | Fibre optic grating sensor |
US6246511B1 (en) * | 1999-08-12 | 2001-06-12 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. | Apparatus and method to compensate for optical fiber amplifier gain variation |
AU2001237387A1 (en) * | 2000-05-24 | 2001-12-03 | Italtel S.P.A. | External cavity laser |
EP1197738A1 (de) * | 2000-10-18 | 2002-04-17 | Abb Research Ltd. | Anisotroper Faserlaser-Sensor mit verteilter Rückkopplung |
JP2002134833A (ja) | 2000-10-23 | 2002-05-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 温度無依存型レーザ |
KR100420950B1 (ko) * | 2001-12-12 | 2004-03-02 | 한국전자통신연구원 | 파장 가변 레이저 광원 |
US6920159B2 (en) * | 2002-11-29 | 2005-07-19 | Optitune Plc | Tunable optical source |
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