KR20050002472A - 파장 가변형 레이저 장치 - Google Patents

파장 가변형 레이저 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20050002472A
KR20050002472A KR1020030043851A KR20030043851A KR20050002472A KR 20050002472 A KR20050002472 A KR 20050002472A KR 1020030043851 A KR1020030043851 A KR 1020030043851A KR 20030043851 A KR20030043851 A KR 20030043851A KR 20050002472 A KR20050002472 A KR 20050002472A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
grating
fabry
wavelength
waveguide
laser
Prior art date
Application number
KR1020030043851A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100547897B1 (ko
Inventor
김세윤
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020030043851A priority Critical patent/KR100547897B1/ko
Priority to US10/721,711 priority patent/US7099357B2/en
Priority to CNB2003101222788A priority patent/CN1305189C/zh
Priority to EP04008774A priority patent/EP1494325B1/en
Priority to DE602004003429T priority patent/DE602004003429T2/de
Priority to JP2004190033A priority patent/JP2005026685A/ja
Publication of KR20050002472A publication Critical patent/KR20050002472A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100547897B1 publication Critical patent/KR100547897B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/124Geodesic lenses or integrated gratings
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers
    • H01S5/141External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0261Non-optical elements, e.g. laser driver components, heaters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers
    • H01S5/146External cavity lasers using a fiber as external cavity

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 파장 가변형 레이저 장치는, 반도체 기판과; 상기 반도체 기판 상의 일측에 형성되며, 복수의 세로 모드들을 갖는 페브리-페로 레이저와; 상기 반도체 기판 상의 타측에 형성되며, 도파로와 상기 도파로를 둘러싸는 클래드를 포함하고, 상기 도파로의 일부에 다중 반사 스펙트럼을 갖는 격자가 새겨진 평면 광파 회로를 포함하며, 상기 페브리-페로 레이저에서 출력된 광은 상기 도파로에 결합되고, 상기 격자는 서로 다른 파장들을 갖는 복수의 광들을 반사하며, 상기 페브리-페로 레이저는 상기 격자에서 반사된 광들 중 하나에 의해 파장 잠김된다.

Description

파장 가변형 레이저 장치{WAVELENGTH-TUNABLE LASER APPARATUS}
본 발명은 광통신용 광원에 관한 것으로서, 특히 파장 가변형 레이저 장치에관한 것이다.
파장분할다중방식(wavelength-division-multiplexed: WDM) 수동형 광 가입자망(passive optical network: PON)은 각 가입자에게 부여된 고유의 파장을 이용하여 초고속 광대역 통신 서비스를 제공한다. 파장분할다중방식 수동형 광 가입자망(WDM-PON)의 구현을 위해서는 경제적인 파장분할다중방식 광원의 개발이 필수적이다. 저가의 광원으로 제안된 파장 잠김된 페브리-페로 레이저(Wavelength-locked Fabry-Perot laser)는 저가의 페브리-페로 레이저(FP laser)에 일정 출력 이상의 광을 입력하여 입력된 광과 일치하는 파장의 광만 출력되므로 주파수 안정화를 이룰 수 있으며 동시에 인접모드억제율(Side Mode Suppression Ratio: SMSR)을 증가시켜 전송 성능을 향상 시킨다. FP 레이저에 파장 잠김 현상을 유도하기 위하여 외부 반사형 회절격자(external diffraction grating), 광섬유 브래그 격자(fiber Bragg grating), FP 필터 등이 이용된다.
도 1은 종래에 따른 외부 반사형 회절격자를 이용한 레이저 장치의 구성을 나타내는 도면이다. 상기 레이저 장치(100)는 페브리-페로 레이저(110), 고주파원(RF source, 120), 제1 및 제2 렌즈(lens, 130,135), 광결합기(coupler, 150), 회절격자(160)를 포함한다.
상기 페브리-페로 레이저(110)는 상기 고주파원(120)으로부터 입력된 전기 신호에 따라 변조된 광을 출력한다. 상기 제1 렌즈(130)는 상기 페브리-페로 레이저(110)에서 출력된 광을 제1 광섬유(141)에 결합시킨다. 상기 제1 광섬유(141)는 상기 광결합기(150)의 일단에 연결되며, 상기 광결합기(150)의 타단에는 제2 및제3 광섬유(142,143)가 연결되어 있다. 상기 광결합기(150)는 상기 제1 광섬유(141)를 통해 입력된 광을 제2 및 제3 광섬유(142,143)로 전송한다. 상기 제2 광섬유(142)에서 출력된 광은 상기 제2 렌즈(135)에 의해 시준화(collimating)되어 상기 회절 격자(160)에 입사되고, 상기 회절 격자(160)는 기설정된 파장의 광을 반사시킨다. 반사된 광은 상기 제2 렌즈(135)에 의해 상기 제2 광섬유(142)에 결합된다. 상기 광결합기(150)는 상기 제2 광섬유(142)를 통해 입력된 반사광을 상기 제1 광섬유(141)로 전송하고, 상기 제1 광섬유(141)에서 출력된 반사광은 상기 제1 렌즈(130)에 의해 상기 레이저(110)에 결합된다. 상기 레이저(110)는 상기 반사광에 의해 파장 잠김되며, 파장 잠김된 광을 출력하게 된다. 상기 파장 잠김된 광은 상기 제1 렌즈(130) 및 광결합기(150)를 거쳐서 상기 제3 광섬유(143)로 전송된다. 상기 레이저 장치(100)는 상기 회절 격자(160)의 반사 파장을 조절하여 상기 레이저(110)에서 출력되는 광의 파장을 가변할 수 있다.
그러나, 상술한 바와 같은 외부 반사형 회절격자를 이용한 레이저 장치의 경우에 회절 격자의 부피가 클 뿐만 아니라 정밀한 패키징 기술이 요구된다는 문제점이 있다. 또한, 종래에 따른 광섬유 브래그 격자를 이용한 레이저 장치의 경우에 파장 가변을 위해 부가적으로 상기 광섬유 브래그 격자에 열, 스트레인(strain) 등을 가하기 위한 장치들을 포함해야 하며, 가변 파장 영역도 수 ㎚로 제한된다는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 반도체 기판 상에 집적되는 레이저 장치를 제공함으로써 패키징을 용이하게 하고, 용이하게 파장 가변을 할 수 있는 레이저 장치를 제공함에 있다.
상기한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 파장 가변형 레이저 장치는, 반도체 기판과; 상기 반도체 기판 상의 일측에 형성되며, 복수의 세로 모드들을 갖는 페브리-페로 레이저와; 상기 반도체 기판 상의 타측에 형성되며, 도파로와 상기 도파로를 둘러싸는 클래드를 포함하고, 상기 도파로의 일부에 다중 반사 스펙트럼을 갖는 격자가 새겨진 평면 광파 회로를 포함하며, 상기 페브리-페로 레이저에서 출력된 광은 상기 도파로에 결합되고, 상기 격자는 서로 다른 파장들을 갖는 복수의 광들을 반사하며, 상기 페브리-페로 레이저는 상기 격자에서 반사된 광들 중 하나에 의해 파장 잠김된다.
도 1은 종래에 따른 외부 반사형 회절격자를 이용한 레이저 장치의 구성을 나타내는 도면,
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 파장 가변형 레이저 장치의 구성을 나타내는 도면,
도 3은 샘플링된 격자를 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면,
도 4는 상기 격자의 반사 스펙트럼을 나타내는 도면,
도 5는 도 2에 도시된 페브리-페로 레이저의 파장 잠김 현상을 설명하기 위한 도면,
도 6은 도 2에 도시된 페브리-페로 레이저의 파장 가변 방법을 설명하기 위한 도면.
이하에서는 첨부도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능이나 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 모호하지 않게 하기 위하여 생략한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 파장 가변형 레이저 장치의 구성을 나타내는 도면이다. 상기 레이저 장치(200)는 반도체 기판(semiconductor substrate, 210)과, 페브리-페로 레이저(220)와, 평면 광파 회로(planar lightwave circuit: PLC, 240)를 포함한다.
상기 페브리-페로 레이저(220)는 상기 반도체 기판(210) 상의 일측에 형성되며, 상기 페브리-페로 레이저(220)에 외부로부터의 고주파 신호를 인가하기 위한 본딩 패드(bonding pad, 230)가 이와 인접하게 상기 기판(210) 상에 형성된다. 상기 본딩 패드(230)와 상기 페브리-페로 레이저(220)는 와이어(235) 본딩된다. 상기 페브리-페로 레이저(220)는 제작 물질의 이득 특성에 따라 피크치를 갖는 하나의 세로 모드(longitudinal mode)를 중심으로 일정한 파장 간격으로 위치하는 복수의 세로 모드들을 갖는다.
상기 평면 광파 회로(240)는 상기 반도체 기판(210) 상의 타측에 형성되며, 도파로(260)와 상기 도파로(260)를 둘러싸는 클래드(250)를 포함하고, 상기 도파로(260)의 일부에 격자(265)가 새겨져 있다. 상기 격자(265)는 서로 다른 파장들을 갖는 복수의 광들을 반사시키며, 상기 격자(265)는 샘플링된 격자(sampled Bragg grating)이거나 다중 중첩 격자(moire grating)일 수 있다. 먼저, 상기 격자(265)가 샘플링된 격자인 경우의 제작 방법은 하기하는 바와 같다.
도 3은 샘플링된 격자를 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면이고, 도 4는 상기 샘플링된 격자의 반사 스펙트럼을 나타내는 도면이다. 도 3에는, 반도체 기판(310)과, 상기 반도체 기판(310) 상에 차례로 적층된 하부 클래드(320), 도파로(330), 상부 클래드(340)를 포함하는 평면 광파 회로(300)와, 상기 평면 광파 회로(300)의 위에 정렬된 위상 마스크(phase mask, 350)와, 상기 위상 마스크(350)의 위에 정렬된 진폭 마스크(amplitude mask, 360)가 도시되어 있다. 상기 진폭 마스크(360)에 자외선을 조사하면, 상기 진폭 마스크(360)의 슬릿(slit)들을 통과한 자외선이 상기 위상 마스크(350)에 입사된다. 상기 위상 마스크(350)는 입사된 광을 회절시키고, 이러한 회절광의 간섭 무늬가 상기 도파로(330)에 형성된다. 상기 도파로(330)는 자외선 민감성을 가지고 있어서, 상기 간섭 무늬와 일치하는 샘플링된 격자(335)가 상기 도파로(330) 상에 형성된다. 상기 격자(335)는 상기 진폭 마스크(360)에 의해 주기적으로 진폭 변조되는데, 이러한 경우에(또는 위상이 주기적으로 변조되는 경우에) 하기 <수학식 1>과 같은 파장 간격을 갖는 다중 반사 스펙트럼이 도 4와 같이 나타나게 된다.
상기 <수학식 1>에서, Δλ는 상기 다중 반사 스펙트럼의 파장 간격, λB는 상기 격자(335)의 중심 파장, neff는 유효 굴절률, P는 상기 격자(335)의 변조 주기를 나타낸다.
상기 격자(335)의 반사 파장별 반사율은 격자 진폭의 푸리에(Fourier) 변환으로 나타나기 때문에, 전체적으로 sinc 함수의 모양을 갖게 되고 각 반사광의 대역폭은 전체 격자(335)의 길이에 의해 좌우된다.
다음으로, 도 2에 도시된 격자(265)가 다중 중첩 격자인 경우의 제작 방법은 하기하는 바와 같다. 이 방법은 서로 다른 주기들을 갖는 격자들을 중첩되게 형성하는 방법으로서, 예를 들어, 제1 주기를 갖는 제1 회절 격자를 이용하여 도파로에 제1 격자를 형성하고, 제2 주기를 갖는 제2 회절 격자를 이용하여 상기 제1 격자와중첩되도록 상기 도파로에 제2 격자를 형성하는 방식이다. 이 때, 형성되는 격자의 중심 파장들은 각각의 격자 형성에 사용되는 위상 마스크에 의해 좌우되므로, 위상마스크들의 주기들을 가지고 반사 파장들의 간격을 조절할 수 있다.
상술한 바와 같은 격자 제작 방법들은 도파로의 동일 위치에 복수의 격자들을 형성함으로써, 반사 파장이 복수개가 되더라도 크기의 증가없이 집적화를 이룰 수 있다는 이점이 있다.
도 5는 도 2에 도시된 페브리-페로 레이저(220)의 파장 잠김 현상을 설명하기 위한 도면이다. 도 5의 (a)는 파장 잠김되기 이전의 시점에서 상기 페브리-페로 레이저(220)의 모드 스펙트럼을 나타낸다. 상기 레이저(220)는 제작 물질의 이득 특성에 따라 피크치를 갖는 하나의 세로 모드를 중심으로 일정한 파장 간격으로 위치하는 복수의 세로 모드들을 갖는다. 도 5의 (b)는 상기 레이저(220)에 입력되는 특정 파장의 광에 대한 스펙트럼을 나타낸다. 도 5의 (c)는 파장 잠김된 상기 페브리-페로 레이저(220)의 광 스펙트럼을 나타낸다. 이러한 경우에 상기 입력광의 파장과 일치하지 않는 파장들은 억제되고, 일치하는 파장의 광만이 증폭되어 출력된다. 증폭되어 출력된 광과 억제되어 출력된 광들과의 세기 차이를 인접모드 억제률이라 하며, 인접모드 억제률이 증가할수록 상기 레이저(220)에서 발생하는 모드 분할 잡음 및 광섬유의 색분산 효과(dispersion effect)에 따른 전송 성능 저하가 감소하게 된다. 상기 파장 잠김된 페브리-페로 레이저(220)를 직접 변조함으로써, 경제적으로 고속의 데이터를 장거리 전송할 수 있다.
도 6은 도 2에 도시된 페브리-페로 레이저(220)의 파장 가변 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 도 6의 (d)는 동작 온도 변화에 따른 상기 페브리-페로 레이저(220)의 세로 모드 이동을 나타낸다. 실선은 온도 변화 이전의 세로 모드를 나타내고, 점선은 온도 변화 후의 세로 모드를 나타낸다. 이 때, 세로 모드들은 일정한 파장 간격(x)으로 배치되어 있다. 도 6의 (e)는 상기 레이저(220)에 입력되는 반사광의 스펙트럼을 나타낸다. 이 때, 서로 다른 파장을 갖는 반사광들은 일정한 파장 간격(x')으로 배치되어 있다. 도 6의 (f)는 동작 온도 변화에 따른 상기 파장 잠김된 상기 페브리-페로 레이저(220)의 광 스펙트럼 변화를 나타낸다. 실선은 온도 변화 이전의 광 스펙트럼을 나타내고, 점선은 온도 변화 후의 광 스펙트럼을 나타낸다. 이 때, 상기 레이저(220)의 모드 간격(x)과 격자(265)에 의해 반사되는 광들의 파장 간격(x')이 수 GHz 정도 차이가 나게 되면, 상기 격자(265)에서 복수의 광들이 반사되더라도 중복되는 파장은 하나만 존재하게 되어 단일 모드 발진이 가능하다. 그리고, 상기 레이저(220)의 동작 온도를 변화시키면, 상기 레이저(220) 내에 위상 변화가 발생하게 되어 세로 모드가 이동하게 된다. 모드의 이동이 발생하게 되면, 처음에 중복되던 파장이 아닌 다른 파장과 중복되는 현상이 발생하게 되어 발진 파장이 변화하게 되고 이러한 방식으로 파장 가변 레이저를 구현할 수 있다. 더 나아가서, 상기 격자(265)에 의해 반사되는 광들의 파장 간격을 WDM 전송에서 규정되는 100 GHz, 200 GHz 등으로 제작하게 되면 파장 가변이 이루어지는 동시에 채널 스위칭이 가능하게 된다. 상기 페브리-페로 레이저(220)의 동작 온도를 조절하기 위해, 상기 파장 가변형 레이저 장치(200)는 온도 제어용 소자인 열전냉각 소자(thermoelectric cooler: TEC)의 상면에 탑재될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 파장 가변형 레이저 장치는 저가의 페브리-페로 레이저를 사용하더라도 전송 특성이 개선된 레이저 장치를 제공할 수 있다는 이점이 있다. 또한, 본 발명에 따른 파장 가변형 레이저 장치는 평면 광파 회로 상에 새겨진 샘플링된 격자나 다중 중첩 격자를 사용하기 때문에 소자의 크기를 늘리지 않으면서도, 파장 가변 레이저 장치를 구성할 수 있다는 이점이 있다. 더욱이, 격자에서 반사되는 광들의 파장 간격을 조절함으로써 채널 스위칭이 가능한 파장 가변형 레이저 장치를 구성할 수 있는 이점이 있다.

Claims (3)

  1. 파장 가변형 레이저 장치에 있어서,
    반도체 기판과;
    상기 반도체 기판 상의 일측에 형성되며, 복수의 세로 모드들을 갖는 페브리-페로 레이저와;
    상기 반도체 기판 상의 타측에 형성되며, 도파로와 상기 도파로를 둘러싸는 클래드를 포함하고, 상기 도파로의 일부에 다중 반사 스펙트럼을 갖는 격자가 새겨진 평면 광파 회로를 포함하며,
    상기 페브리-페로 레이저에서 출력된 광은 상기 도파로에 결합되고, 상기 격자는 서로 다른 파장들을 갖는 복수의 광들을 반사하며, 상기 페브리-페로 레이저는 상기 격자에서 반사된 광들 중 하나에 의해 파장 잠김됨을 특징으로 하는 파장 가변형 레이저 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 격자는 위상 마스크와 진폭 마스크를 함께 사용하여 제작되는 샘플링된 격자임을 특징으로 하는 파장 가변형 레이저 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 격자는 서로 다른 주기들을 갖는 격자들을 중첩되게 형성한 다중 중첩 격자임을 특징으로 하는 파장 가변형 레이저 장치.
KR1020030043851A 2003-06-30 2003-06-30 파장 가변형 레이저 장치 KR100547897B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030043851A KR100547897B1 (ko) 2003-06-30 2003-06-30 파장 가변형 레이저 장치
US10/721,711 US7099357B2 (en) 2003-06-30 2003-11-25 Wavelength-tunable laser apparatus
CNB2003101222788A CN1305189C (zh) 2003-06-30 2003-12-18 波长可调的激光装置
EP04008774A EP1494325B1 (en) 2003-06-30 2004-04-13 Laserdiode with an external grating in a waveguide
DE602004003429T DE602004003429T2 (de) 2003-06-30 2004-04-13 Laserdiode mit einem externen Gitter in einem Wellenleiter
JP2004190033A JP2005026685A (ja) 2003-06-30 2004-06-28 波長可変形レーザ装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030043851A KR100547897B1 (ko) 2003-06-30 2003-06-30 파장 가변형 레이저 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050002472A true KR20050002472A (ko) 2005-01-07
KR100547897B1 KR100547897B1 (ko) 2006-01-31

Family

ID=33432448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030043851A KR100547897B1 (ko) 2003-06-30 2003-06-30 파장 가변형 레이저 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7099357B2 (ko)
EP (1) EP1494325B1 (ko)
JP (1) JP2005026685A (ko)
KR (1) KR100547897B1 (ko)
CN (1) CN1305189C (ko)
DE (1) DE602004003429T2 (ko)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7822082B2 (en) * 2004-01-27 2010-10-26 Hrl Laboratories, Llc Wavelength reconfigurable laser transmitter tuned via the resonance passbands of a tunable microresonator
KR100626656B1 (ko) * 2005-05-04 2006-09-25 한국전자통신연구원 파장 분할 다중 방식의 수동형 광 가입자 망의 기지국 측광 송신기 및 그의 제작 방법
WO2006000221A2 (en) * 2004-06-24 2006-01-05 Koheras A/S A system comprising a low phase noise waveguide laser, a method of its manufacturing and its use
US20060002443A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Gennady Farber Multimode external cavity semiconductor lasers
US7565084B1 (en) 2004-09-15 2009-07-21 Wach Michael L Robustly stabilizing laser systems
US7260126B2 (en) * 2004-12-06 2007-08-21 The Hong Kong Polytechnic University Optical pulses emitter
DE102005019848B4 (de) * 2005-04-28 2009-10-15 Lumics Gmbh Stabilisierung der Emissions-Wellenlänge einer Breitstreifen-Laserdiode
TWI274477B (en) * 2005-09-27 2007-02-21 Ind Tech Res Inst Optical-fiber wavelength generator, array structure and laser semiconductor device
KR100697606B1 (ko) * 2005-10-05 2007-03-22 주식회사 두산 곡면의 반사 거울면을 포함하는 광 도파로 및 그 제조 방법
US20070182960A1 (en) * 2006-01-20 2007-08-09 Vijaysekhar Jayaraman Compact laser spectrometer
CN100409055C (zh) * 2006-09-08 2008-08-06 北京工业大学 一种应用光纤耦合的半导体激光器的外腔相干锁相方法
US20100158441A1 (en) * 2007-08-07 2010-06-24 Mickelson Alan R System And Method For High Speed Dye Doped Polymer Devices
WO2010064119A1 (en) * 2008-12-02 2010-06-10 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Wdm-pon system, ont, olt and method for initialization of tunable laser
KR20100072534A (ko) * 2008-12-22 2010-07-01 한국전자통신연구원 반도체 레이저 장치
JP2013502785A (ja) 2009-08-19 2013-01-24 テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) 改良された光ネットワーク
WO2012119391A1 (zh) * 2011-08-16 2012-09-13 华为技术有限公司 可调激光器、光模块和无源光网络系统
CN103219649A (zh) * 2012-06-25 2013-07-24 四川马尔斯科技有限责任公司 直接高速调制外腔式波长可调谐激光器
CN103311802A (zh) * 2013-05-31 2013-09-18 华为技术有限公司 波长可调的激光输出方法和可调激光装置
US9184564B2 (en) 2013-06-07 2015-11-10 Ngk Insulators, Ltd. External resonator type light emitting system
US9331454B2 (en) 2013-11-27 2016-05-03 Ngk Insulators, Ltd. External resonator type light emitting system
CN105765802B (zh) 2013-11-27 2020-01-07 日本碍子株式会社 外部谐振器型发光装置
KR20150137780A (ko) * 2014-05-30 2015-12-09 주식회사 포벨 꺽어진 광도파로를 가지는 외부 공진기형 레이저
US9356419B1 (en) * 2015-04-09 2016-05-31 International Business Machines Corporation Temperature insensitive external cavity lasers on silicon
JP6895903B2 (ja) * 2016-02-12 2021-06-30 古河電気工業株式会社 半導体レーザ素子、回折格子構造、および回折格子
CN108075354A (zh) * 2016-11-14 2018-05-25 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 窄线宽激光器
CN108173116B (zh) * 2018-02-07 2020-01-03 山东大学 一种宽带可调谐Moire光栅激光器及其工作方法
CN114640022A (zh) * 2020-12-16 2022-06-17 上海禾赛科技有限公司 谐振腔、激光器和激光雷达

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01208886A (ja) * 1988-02-16 1989-08-22 Nec Corp 半導体レーザ装置
US5208819A (en) 1992-01-23 1993-05-04 General Instrument Corporation Optical source with frequency locked to an in-fiber grating resonantor
KR0174775B1 (ko) * 1994-03-28 1999-04-01 스기야마 가즈히꼬 파장변환 도파로형 레이저 장치
GB9409033D0 (en) * 1994-05-06 1994-06-29 Univ Southampton Optical fibre laser
US5870417A (en) * 1996-12-20 1999-02-09 Sdl, Inc. Thermal compensators for waveguide DBR laser sources
JPH10242591A (ja) * 1997-03-03 1998-09-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 多波長レーザ
US6327289B1 (en) * 1997-09-02 2001-12-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Wavelength-variable semiconductor laser, optical integrated device utilizing the same, and production method thereof
JP3337403B2 (ja) * 1997-09-19 2002-10-21 日本電信電話株式会社 周波数安定化レーザ
JPH11167089A (ja) * 1997-12-04 1999-06-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 光送信器とその製造方法
GB2346965B (en) * 1999-02-18 2002-01-16 Oxford Fiber Optic Tools Ltd Fibre optic grating sensor
US6246511B1 (en) * 1999-08-12 2001-06-12 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Apparatus and method to compensate for optical fiber amplifier gain variation
EP1285480B1 (en) * 2000-05-24 2005-04-27 STMicroelectronics S.r.l. External cavity laser
EP1197738A1 (de) * 2000-10-18 2002-04-17 Abb Research Ltd. Anisotroper Faserlaser-Sensor mit verteilter Rückkopplung
JP2002134833A (ja) 2000-10-23 2002-05-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 温度無依存型レーザ
KR100420950B1 (ko) * 2001-12-12 2004-03-02 한국전자통신연구원 파장 가변 레이저 광원
US6920159B2 (en) * 2002-11-29 2005-07-19 Optitune Plc Tunable optical source

Also Published As

Publication number Publication date
CN1578023A (zh) 2005-02-09
JP2005026685A (ja) 2005-01-27
US7099357B2 (en) 2006-08-29
DE602004003429D1 (de) 2007-01-11
EP1494325B1 (en) 2006-11-29
US20040264514A1 (en) 2004-12-30
DE602004003429T2 (de) 2007-03-29
KR100547897B1 (ko) 2006-01-31
EP1494325A1 (en) 2005-01-05
CN1305189C (zh) 2007-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100547897B1 (ko) 파장 가변형 레이저 장치
US7962045B2 (en) Optical transmitter having a widely tunable directly modulated laser and periodic optical spectrum reshaping element
EP0930679B1 (en) Wavelength selectable laser source for wavelength division multiplexed applications
US6910780B2 (en) Laser and laser signal combiner
KR101004228B1 (ko) 외부 캐비티 튜너블 레이저용의 집적형 모니터링 및 피드백설계
US6959028B2 (en) External cavity, widely tunable lasers and methods of tuning the same
US6822980B2 (en) Tunable semiconductor laser with integrated wideband reflector
US20090154505A1 (en) Wavelength tunable laser diode using double coupled ring resonator
US9570886B2 (en) Tunable laser and method of tuning a laser
EP3029783B1 (en) Multi-channel tunable laser
JP2018085475A (ja) 多波長レーザ装置及び波長多重通信システム
KR20120070836A (ko) 다파장 광 발생 장치
KR100420950B1 (ko) 파장 가변 레이저 광원
US8363685B2 (en) Wavelength tunable external cavity laser beam generating device
US20170310083A1 (en) Tunable laser and method for tuning a lasing mode
KR20130104541A (ko) 파장가변 레이저 모듈
WO2020105168A1 (ja) 波長多重通信システム及び波長多重通信システムの調整方法
JP2009088192A (ja) 半導体レーザ
KR20050038546A (ko) 광파장 정렬 기능을 가지는 wdm-pon 시스템
JP2009088411A (ja) 半導体レーザ素子
KR20160047171A (ko) 외부 공진형 직접 변조 파장가변 레이저 모듈
KR20070003520A (ko) 광증폭기, 빔 조종기 및 오목 회절 격자가 집적된 파장가변 광원 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121228

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131230

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee