JPH11167089A - 光送信器とその製造方法 - Google Patents
光送信器とその製造方法Info
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- JPH11167089A JPH11167089A JP33420697A JP33420697A JPH11167089A JP H11167089 A JPH11167089 A JP H11167089A JP 33420697 A JP33420697 A JP 33420697A JP 33420697 A JP33420697 A JP 33420697A JP H11167089 A JPH11167089 A JP H11167089A
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- diffraction grating
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電界吸収型外部変調器３に消光比が最大とな
る波長のレーザ光を安定して供給し、効率のよい光強度
変調を行う。 【解決手段】 レーザ光源11として、一方の端面が高反
射率に他方の端面が低反射率になっているファブリーペ
ロレーザ12と、そのファブリーペロレーザ12の低反射率
端面（ＡＲ面）に入射端を光学的に結合された光ファイ
バ回折格子14とを備え、ファブリーペロレーザ12の高反
射端面（ＨＲ面）と光ファイバ回折格子14の間で、光フ
ァイバ回折格子14の反射波長によって決まる一定の波長
でレーザ共振するものを使用する。レーザ光源11の発振
波長を、電界吸収型外部変調器３の消光比が最大となる
波長に設定する。
る波長のレーザ光を安定して供給し、効率のよい光強度
変調を行う。 【解決手段】 レーザ光源11として、一方の端面が高反
射率に他方の端面が低反射率になっているファブリーペ
ロレーザ12と、そのファブリーペロレーザ12の低反射率
端面（ＡＲ面）に入射端を光学的に結合された光ファイ
バ回折格子14とを備え、ファブリーペロレーザ12の高反
射端面（ＨＲ面）と光ファイバ回折格子14の間で、光フ
ァイバ回折格子14の反射波長によって決まる一定の波長
でレーザ共振するものを使用する。レーザ光源11の発振
波長を、電界吸収型外部変調器３の消光比が最大となる
波長に設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を電界吸
収型外部変調器で変調して光信号を発生する光送信器
と、その製造方法に関するものである。
収型外部変調器で変調して光信号を発生する光送信器
と、その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光幹線系の長距離光伝送では、光ファイ
バが原因となる波長分散によって光信号の波形が広が
り、受信側で受ける光信号の品質が劣化する。この波長
分散の影響を最小限に抑制する手段としては、従来から
レーザ光を電界吸収型外部変調器を用いて変調する方式
が知られている。その構成の一例を図７に示す。
バが原因となる波長分散によって光信号の波形が広が
り、受信側で受ける光信号の品質が劣化する。この波長
分散の影響を最小限に抑制する手段としては、従来から
レーザ光を電界吸収型外部変調器を用いて変調する方式
が知られている。その構成の一例を図７に示す。
【０００３】電界吸収型外部変調器３にはレーザ光源１
から一定出力の光が光ファイバ２を通して入射される。
レーザ光源１には分布帰還型レーザが使用されている。
電界吸収型外部変調器３は、電圧信号を印加すると、そ
れに応じて導波路の吸収率が変化して光を変調するもの
である。変調器３の出力端からは、電圧信号で変調され
た光信号が出射され、この光信号は光ファイバ４に入射
されて伝送系を伝送される。
から一定出力の光が光ファイバ２を通して入射される。
レーザ光源１には分布帰還型レーザが使用されている。
電界吸収型外部変調器３は、電圧信号を印加すると、そ
れに応じて導波路の吸収率が変化して光を変調するもの
である。変調器３の出力端からは、電圧信号で変調され
た光信号が出射され、この光信号は光ファイバ４に入射
されて伝送系を伝送される。
【０００４】この種の光送信器としては、図７のように
電界吸収型外部変調器３とレーザ光源１を個々の光モジ
ュールとして組み合わせたもの以外に、電界吸収型外部
変調器とレーザ光源をモノリシックに集積して１つの光
モジュールとしたものも公知である。
電界吸収型外部変調器３とレーザ光源１を個々の光モジ
ュールとして組み合わせたもの以外に、電界吸収型外部
変調器とレーザ光源をモノリシックに集積して１つの光
モジュールとしたものも公知である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】電界吸収型外部変調器
には、図８に示すように、消光比に波長依存性がある。
消光比は光信号の振幅を決定するパラメータである。入
力電圧信号の振幅が一定の場合、消光比が大きいと光信
号の振幅は大きくなり、消光比が小さいと光信号の振幅
は小さくなる。それ故、レーザ光源は、電界吸収型外部
変調器の消光比が大きくとれるような発振波長で動作す
ることが要求される。
には、図８に示すように、消光比に波長依存性がある。
消光比は光信号の振幅を決定するパラメータである。入
力電圧信号の振幅が一定の場合、消光比が大きいと光信
号の振幅は大きくなり、消光比が小さいと光信号の振幅
は小さくなる。それ故、レーザ光源は、電界吸収型外部
変調器の消光比が大きくとれるような発振波長で動作す
ることが要求される。
【０００６】しかしながら、光源に使用されている分布
帰還型レーザは、その発振波長を、電界吸収型外部変調
器の消光比が最大になる所望の波長に設定することが困
難である。その一つの理由は、分布帰還型レーザの発振
波長は活性領域に構成された回折格子に依存するが、活
性領域に所望の波長の回折格子を作り込むことが難しい
からである。
帰還型レーザは、その発振波長を、電界吸収型外部変調
器の消光比が最大になる所望の波長に設定することが困
難である。その一つの理由は、分布帰還型レーザの発振
波長は活性領域に構成された回折格子に依存するが、活
性領域に所望の波長の回折格子を作り込むことが難しい
からである。
【０００７】もう一つの理由は発振波長が経時的に変化
するからである。分布帰還型レーザは注入電流が変化す
ると発振波長が変化する。これは電流注入によって活性
領域に熱が発生するためである。電流の注入量を増加さ
せると、発振波長は長波長側にずれる。すなわち光出力
と発振波長はトレードオフの関係にある。例えば、光出
力が一定なＡＰＣ(Automatic power control) 駆動で
は、図９に示すように劣化の進行にともないしきい値電
流が増し、スロープ効率が小さくなるので、一定の光出
力を得るために、駆動電流が初期の値より増加する。そ
の結果、発振波長が初期の値から変化してしまうのであ
る。
するからである。分布帰還型レーザは注入電流が変化す
ると発振波長が変化する。これは電流注入によって活性
領域に熱が発生するためである。電流の注入量を増加さ
せると、発振波長は長波長側にずれる。すなわち光出力
と発振波長はトレードオフの関係にある。例えば、光出
力が一定なＡＰＣ(Automatic power control) 駆動で
は、図９に示すように劣化の進行にともないしきい値電
流が増し、スロープ効率が小さくなるので、一定の光出
力を得るために、駆動電流が初期の値より増加する。そ
の結果、発振波長が初期の値から変化してしまうのであ
る。
【０００８】本発明の目的は、以上のような問題点に鑑
み、電界吸収型外部変調器の消光比を最大に保って効率
のよい光変調を行うことができる光送信器と、その製造
方法を提供することにある。
み、電界吸収型外部変調器の消光比を最大に保って効率
のよい光変調を行うことができる光送信器と、その製造
方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明は、レーザ光源の出力光を電界吸収型外部変調器
で変調して光信号を出力する光送信器において、前記レ
ーザ光源は、一方の端面が高反射率に他方の端面が低反
射率（反射率０％を含む）になっているファブリーペロ
レーザと、そのファブリーペロレーザの低反射率端面に
入射端を光学的に結合された光ファイバ回折格子とを備
え、前記ファブリーペロレーザの高反射端面と光ファイ
バ回折格子の間で、光ファイバ回折格子の反射波長によ
って決まる一定の波長でレーザ共振するものからなり、
このレーザ光源の発振波長が、前記電界吸収型外部変調
器の消光比が実質的に最大となる波長に設定されてい
る、ことを特徴とするものである。
本発明は、レーザ光源の出力光を電界吸収型外部変調器
で変調して光信号を出力する光送信器において、前記レ
ーザ光源は、一方の端面が高反射率に他方の端面が低反
射率（反射率０％を含む）になっているファブリーペロ
レーザと、そのファブリーペロレーザの低反射率端面に
入射端を光学的に結合された光ファイバ回折格子とを備
え、前記ファブリーペロレーザの高反射端面と光ファイ
バ回折格子の間で、光ファイバ回折格子の反射波長によ
って決まる一定の波長でレーザ共振するものからなり、
このレーザ光源の発振波長が、前記電界吸収型外部変調
器の消光比が実質的に最大となる波長に設定されてい
る、ことを特徴とするものである。
【００１０】上記のようなファブリーペロレーザと光フ
ァイバ回折格子で構成されるレーザ光源は、光ファイバ
回折格子の反射波長によって決まる一定の波長で発振す
る。光ファイバ回折格子の反射波長は光ファイバ回折格
子を製造するときに任意に設定可能である。したがって
上記構成のレーザ光源は、発振波長を任意に設定するこ
とが可能であり、この発振波長を電界吸収型外部変調器
の消光比が実質的に最大となる波長に設定することによ
り、電界吸収型外部変調器を消光比が最大の状態で動作
させて、効率のよい光強度変調を行うことができる。
ァイバ回折格子で構成されるレーザ光源は、光ファイバ
回折格子の反射波長によって決まる一定の波長で発振す
る。光ファイバ回折格子の反射波長は光ファイバ回折格
子を製造するときに任意に設定可能である。したがって
上記構成のレーザ光源は、発振波長を任意に設定するこ
とが可能であり、この発振波長を電界吸収型外部変調器
の消光比が実質的に最大となる波長に設定することによ
り、電界吸収型外部変調器を消光比が最大の状態で動作
させて、効率のよい光強度変調を行うことができる。
【００１１】本発明に係る光送信器は、ファブリーペロ
レーザ、光ファイバ回折格子及び電界吸収型外部変調器
がそれぞれ温度制御部材を介して、同一基板上に光軸を
一致させて固定された１つのモジュールとして構成する
ことが好ましい。またこの場合、ファブリーペロレー
ザ、光ファイバ回折格子及び電界吸収型外部変調器のい
ずれか２つ以上が、同じ温度制御部材上に固定されてい
る構成とすることもできる。
レーザ、光ファイバ回折格子及び電界吸収型外部変調器
がそれぞれ温度制御部材を介して、同一基板上に光軸を
一致させて固定された１つのモジュールとして構成する
ことが好ましい。またこの場合、ファブリーペロレー
ザ、光ファイバ回折格子及び電界吸収型外部変調器のい
ずれか２つ以上が、同じ温度制御部材上に固定されてい
る構成とすることもできる。
【００１２】また本発明に係る光送信器の製造方法は、
電界吸収型外部変調器を製作し、この電界吸収型外部変
調器の消光比が実質的に最大となる波長を求める工程、
前記波長が反射波長となる光ファイバ回折格子を製作す
る工程、前記光ファイバ回折格子の反射波長が利得帯域
内にあり、一方の端面が高反射率で他方の端面が低反射
率のファブリーペロレーザを製作する工程、前記ファブ
リーペロレーザの低反射率端面に前記光ファイバ回折格
子の入射端を光学的に結合し、ファブリーペロレーザの
高反射率端面と光ファイバ回折格子の間で、光ファイバ
回折格子の反射波長によって決まる一定の波長でレーザ
共振するレーザ光源を製作する工程、このレーザ光源の
出力端と前記電界吸収型外部変調器の入力端を光学的に
結合する工程、を含むことを特徴とするものである。
電界吸収型外部変調器を製作し、この電界吸収型外部変
調器の消光比が実質的に最大となる波長を求める工程、
前記波長が反射波長となる光ファイバ回折格子を製作す
る工程、前記光ファイバ回折格子の反射波長が利得帯域
内にあり、一方の端面が高反射率で他方の端面が低反射
率のファブリーペロレーザを製作する工程、前記ファブ
リーペロレーザの低反射率端面に前記光ファイバ回折格
子の入射端を光学的に結合し、ファブリーペロレーザの
高反射率端面と光ファイバ回折格子の間で、光ファイバ
回折格子の反射波長によって決まる一定の波長でレーザ
共振するレーザ光源を製作する工程、このレーザ光源の
出力端と前記電界吸収型外部変調器の入力端を光学的に
結合する工程、を含むことを特徴とするものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して詳細に説明する。 〔実施形態１〕図１は本発明に係る光送信器の一実施形
態を示す。図において、１１はファブリーペロレーザ１
２と、レンズ１３と、光ファイバ回折格子１４で構成さ
れるレーザ光源、１５はレンズ、３は従来と同じ電界吸
収型外部変調器、１６はレンズ、４は従来と同じ光信号
伝送用の光ファイバである。
参照して詳細に説明する。 〔実施形態１〕図１は本発明に係る光送信器の一実施形
態を示す。図において、１１はファブリーペロレーザ１
２と、レンズ１３と、光ファイバ回折格子１４で構成さ
れるレーザ光源、１５はレンズ、３は従来と同じ電界吸
収型外部変調器、１６はレンズ、４は従来と同じ光信号
伝送用の光ファイバである。
【００１４】ファブリーペロレーザ１２は、一方の端面
（図で左側の端面）が高反射率（例えば反射率９０％程
度）のＨＲ面（High reflection facet)に、他方の端面
（図で右側の端面）が低反射率（例えば反射率ほぼ０
％）のＡＲ面(Anti-reflectionfacet) に形成されてい
る。光ファイバ回折格子１４は光ファイバ内にブラッグ
回折格子を作り込んだもので、その入射端はレンズ１３
を介してファブリーペロレーザ１２のＡＲ面と光学的に
結合している。これによりファブリーペロレーザ１２の
ＨＲ面と光ファイバ回折格子１４との間でレーザ共振器
が構成され、このレーザ共振器は光ファイバ回折格子１
４の反射波長によって決まる一定の波長で発振するレー
ザ光源１１を構成する。レーザ光源１１の発振波長（す
なわち光ファイバ回折格子１４の反射波長）は、電界吸
収型外部変調器３の消光比が実質的に最大となる波長に
設定されている。
（図で左側の端面）が高反射率（例えば反射率９０％程
度）のＨＲ面（High reflection facet)に、他方の端面
（図で右側の端面）が低反射率（例えば反射率ほぼ０
％）のＡＲ面(Anti-reflectionfacet) に形成されてい
る。光ファイバ回折格子１４は光ファイバ内にブラッグ
回折格子を作り込んだもので、その入射端はレンズ１３
を介してファブリーペロレーザ１２のＡＲ面と光学的に
結合している。これによりファブリーペロレーザ１２の
ＨＲ面と光ファイバ回折格子１４との間でレーザ共振器
が構成され、このレーザ共振器は光ファイバ回折格子１
４の反射波長によって決まる一定の波長で発振するレー
ザ光源１１を構成する。レーザ光源１１の発振波長（す
なわち光ファイバ回折格子１４の反射波長）は、電界吸
収型外部変調器３の消光比が実質的に最大となる波長に
設定されている。
【００１５】光ファイバ回折格子１４の出射端にはレン
ズ１５を介して電界吸収型外部変調器３の導波路が光学
的に結合されている。光ファイバ回折格子１４の出射端
から放射された光は、レンズ１５で集光されて電界吸収
型外部変調器３に入射される。集光された単一モードの
レーザ光が、電界吸収型外部変調器３の導波路に効率よ
く入射するようにするため、導波路の端面にはＡＲコー
ティングが施されている。電界吸収型外部変調器３で
は、電圧信号が入力され、その信号に応答して導波路の
吸収率が変化する。変調器３に入射される単一モードの
レーザ光の波長は、消光比が最大となる波長になってい
るため、変調器３は消光比が最大の状態で動作し、効率
のよい光強度変調を行うことができる。電界吸収型外部
変調器３で変調された光信号はレンズ１６を介して光フ
ァイバ４に入射され、伝送系を伝送される。
ズ１５を介して電界吸収型外部変調器３の導波路が光学
的に結合されている。光ファイバ回折格子１４の出射端
から放射された光は、レンズ１５で集光されて電界吸収
型外部変調器３に入射される。集光された単一モードの
レーザ光が、電界吸収型外部変調器３の導波路に効率よ
く入射するようにするため、導波路の端面にはＡＲコー
ティングが施されている。電界吸収型外部変調器３で
は、電圧信号が入力され、その信号に応答して導波路の
吸収率が変化する。変調器３に入射される単一モードの
レーザ光の波長は、消光比が最大となる波長になってい
るため、変調器３は消光比が最大の状態で動作し、効率
のよい光強度変調を行うことができる。電界吸収型外部
変調器３で変調された光信号はレンズ１６を介して光フ
ァイバ４に入射され、伝送系を伝送される。
【００１６】以上のような構成の光送信器は次のように
して製造することができる。まず電界吸収型外部変調器
を製作する。次にその電界吸収型外部変調器の波長と消
光比の関係を測定し、その結果から消光比が最大となる
波長を求める。次にこの消光比が最大となる波長が反射
波長となる光ファイバ回折格子を製作し、その端面にＡ
Ｒコーティングを施す。次に、上記光ファイバ回折格子
の反射波長（消光比が最大となる波長）が利得帯域内に
あるファブリーペロレーザを製作する。ファブリーペロ
レーザのＡＲ面は反射率がほぼ０％となるようにＡＲコ
ーティングを施す。ＨＲ面の反射率は通常のファブリー
ペロレーザの端面の反射率と同程度、例えば９０％程度
とする。
して製造することができる。まず電界吸収型外部変調器
を製作する。次にその電界吸収型外部変調器の波長と消
光比の関係を測定し、その結果から消光比が最大となる
波長を求める。次にこの消光比が最大となる波長が反射
波長となる光ファイバ回折格子を製作し、その端面にＡ
Ｒコーティングを施す。次に、上記光ファイバ回折格子
の反射波長（消光比が最大となる波長）が利得帯域内に
あるファブリーペロレーザを製作する。ファブリーペロ
レーザのＡＲ面は反射率がほぼ０％となるようにＡＲコ
ーティングを施す。ＨＲ面の反射率は通常のファブリー
ペロレーザの端面の反射率と同程度、例えば９０％程度
とする。
【００１７】以上のようにして製作したファブリーペロ
レーザ１２と光ファイバ回折格子１４をレンズ１３を介
して光軸が一致するように結合する（図１参照）。これ
によりファブリーペロレーザ１２のＨＲ面と光ファイバ
回折格子１４の間でレーザ共振器が構成される。このレ
ーザ共振器は、レーザ共振器固有の複数の縦モードのう
ち光ファイバ回折格子の反射波長に最も近い縦モードで
発振する。それ故、縦モードの波長は、光ファイバ回折
格子の反射波長付近になっているが、レーザ共振器長を
変えることで調整できる。これを具体的に行うには、光
ファイバ回折格子の位置を光軸方向に移動させればよ
い。これにより光ファイバ回折格子の反射波長での単一
発振モードが得られる。
レーザ１２と光ファイバ回折格子１４をレンズ１３を介
して光軸が一致するように結合する（図１参照）。これ
によりファブリーペロレーザ１２のＨＲ面と光ファイバ
回折格子１４の間でレーザ共振器が構成される。このレ
ーザ共振器は、レーザ共振器固有の複数の縦モードのう
ち光ファイバ回折格子の反射波長に最も近い縦モードで
発振する。それ故、縦モードの波長は、光ファイバ回折
格子の反射波長付近になっているが、レーザ共振器長を
変えることで調整できる。これを具体的に行うには、光
ファイバ回折格子の位置を光軸方向に移動させればよ
い。これにより光ファイバ回折格子の反射波長での単一
発振モードが得られる。
【００１８】その後、図１に示すように光ファイバ回折
格子１４の出射端にレンズ１５を介して電界吸収型外部
変調器３を結合し、さらに電界吸収型外部変調器３の出
射端にレンズ１６を介して光ファイバ４を結合すれば、
光送信器が完成する。
格子１４の出射端にレンズ１５を介して電界吸収型外部
変調器３を結合し、さらに電界吸収型外部変調器３の出
射端にレンズ１６を介して光ファイバ４を結合すれば、
光送信器が完成する。
【００１９】〔実施形態２〕図２は本発明に係る光送信
器の他の実施形態を示す。この実施形態が前述の実施形
態１と異なる点は、電界吸収型外部変調器３から出力さ
れた光信号をコリメートレンズ１７を介して光アイソレ
ータ１８に入射し、光アイソレータ１８を通過した光信
号をレンズ１９を介して光ファイバ４に入射するように
したことである。光アイソレータ１８を設置したのは、
伝送系からの戻り光が電界吸収型外部変調器３及びレー
ザ光源１１に入射して光信号の品質が劣化するのを防止
するためである。
器の他の実施形態を示す。この実施形態が前述の実施形
態１と異なる点は、電界吸収型外部変調器３から出力さ
れた光信号をコリメートレンズ１７を介して光アイソレ
ータ１８に入射し、光アイソレータ１８を通過した光信
号をレンズ１９を介して光ファイバ４に入射するように
したことである。光アイソレータ１８を設置したのは、
伝送系からの戻り光が電界吸収型外部変調器３及びレー
ザ光源１１に入射して光信号の品質が劣化するのを防止
するためである。
【００２０】上記以外の構成は実施形態１と同じである
ので、同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
また図２の形態の光送信器を製造する場合には、レーザ
光源１１と電界吸収型外部変調器３を結合した後に、電
界吸収型外部変調器３の出射端にコリメートレンズ１７
を介して光アイソレータ１８を結合し、光アイソレータ
１８の出射端にレンズ１９を介して光ファイバ４を結合
する工程が必要となる。
ので、同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
また図２の形態の光送信器を製造する場合には、レーザ
光源１１と電界吸収型外部変調器３を結合した後に、電
界吸収型外部変調器３の出射端にコリメートレンズ１７
を介して光アイソレータ１８を結合し、光アイソレータ
１８の出射端にレンズ１９を介して光ファイバ４を結合
する工程が必要となる。
【００２１】〔実施形態３〕図３は本発明に係る光送信
器のさらに他の実施形態を示す。この実施形態は図２の
形態な光送信器を１個のモジュールとして構成したもの
である。図３において図２の各部に相当するする部分に
は図２と同一符号を付してある。ファブリーペロレーザ
１２、光ファイバ回折格子１４および電界吸収型外部変
調器３はそれぞれ、温度制御のため、サーミスタ付きの
ペルチエクーラー２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ上に搭載され
ている。これらのペルチエクーラー２１Ａ〜２１Ｃは、
ヒートシンクを備えた基板２２上に固定されている。
器のさらに他の実施形態を示す。この実施形態は図２の
形態な光送信器を１個のモジュールとして構成したもの
である。図３において図２の各部に相当するする部分に
は図２と同一符号を付してある。ファブリーペロレーザ
１２、光ファイバ回折格子１４および電界吸収型外部変
調器３はそれぞれ、温度制御のため、サーミスタ付きの
ペルチエクーラー２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ上に搭載され
ている。これらのペルチエクーラー２１Ａ〜２１Ｃは、
ヒートシンクを備えた基板２２上に固定されている。
【００２２】ファブリーペロレーザ素子１２は発熱があ
るので、ペルチエクーラー２１Ａで熱を吸収して温度を
一定に保つ。また光ファイバ回折格子１４は反射波長が
０．０１ｎｍ／℃程度の温度依存性をもつので、ペルチ
エクーラー２１Ｂにより温度制御して反射波長を安定さ
せる。さらに電界吸収型外部変調器３は消光比が図１０
のような温度依存性をもつので、ペルチエクーラー２１
Ｃにより温度制御して消光比を安定させる。
るので、ペルチエクーラー２１Ａで熱を吸収して温度を
一定に保つ。また光ファイバ回折格子１４は反射波長が
０．０１ｎｍ／℃程度の温度依存性をもつので、ペルチ
エクーラー２１Ｂにより温度制御して反射波長を安定さ
せる。さらに電界吸収型外部変調器３は消光比が図１０
のような温度依存性をもつので、ペルチエクーラー２１
Ｃにより温度制御して消光比を安定させる。
【００２３】ファブリーペロレーザ素子１２と光ファイ
バ回折格子１４は、その間に設置されたレンズ１３によ
り結合され、レーザ光源１１を構成する。光ファイバ回
折格子１４の反射波長を電界吸収型外部変調器３の消光
比が最大となる波長に設定することは実施形態１と同じ
である。また光ファイバ回折格子１４と電界吸収型外部
変調器３の間にはレンズ５が設置される。さらに基板２
２上には、コリメートレンズ１７、光アイソレータ１
８、レンズ１９、光ファイバ４のフェルール２０が光軸
を一致させた状態で固定される。この場合の光ファイバ
４は光送信器モジュールのピグテールである。
バ回折格子１４は、その間に設置されたレンズ１３によ
り結合され、レーザ光源１１を構成する。光ファイバ回
折格子１４の反射波長を電界吸収型外部変調器３の消光
比が最大となる波長に設定することは実施形態１と同じ
である。また光ファイバ回折格子１４と電界吸収型外部
変調器３の間にはレンズ５が設置される。さらに基板２
２上には、コリメートレンズ１７、光アイソレータ１
８、レンズ１９、光ファイバ４のフェルール２０が光軸
を一致させた状態で固定される。この場合の光ファイバ
４は光送信器モジュールのピグテールである。
【００２４】このように本発明の光送信器は１つのモジ
ュールとして構成することにより、簡便に使用できる。
なお、図３の実施形態では光アイソレータ１８を組み込
んだ例を示したが、光アイソレータ１８およびコリメー
トレンズ１７を使用せずに、電界吸収型外部変調器３か
ら出力される光信号を集光レンズを介して光ファイバ４
に入射する構成とすることも可能である。
ュールとして構成することにより、簡便に使用できる。
なお、図３の実施形態では光アイソレータ１８を組み込
んだ例を示したが、光アイソレータ１８およびコリメー
トレンズ１７を使用せずに、電界吸収型外部変調器３か
ら出力される光信号を集光レンズを介して光ファイバ４
に入射する構成とすることも可能である。
【００２５】〔実施形態４〕図４は本発明に係る光送信
器のさらに他の実施形態を示す。この実施形態が図３の
実施形態３と異なる点は、ファブリーペロレーザ素子１
２と光ファイバ回折格子１４が同じペルチエクーラー２
１Ａに搭載され、電界吸収型外部変調器３が別のペルチ
エクーラー２１Ｂに搭載されていることである。それ以
外は実施形態３と同じであるので、同一部分には同一符
号を付してある。
器のさらに他の実施形態を示す。この実施形態が図３の
実施形態３と異なる点は、ファブリーペロレーザ素子１
２と光ファイバ回折格子１４が同じペルチエクーラー２
１Ａに搭載され、電界吸収型外部変調器３が別のペルチ
エクーラー２１Ｂに搭載されていることである。それ以
外は実施形態３と同じであるので、同一部分には同一符
号を付してある。
【００２６】〔実施形態５〕図５は本発明に係る光送信
器のさらに他の実施形態を示す。この実施形態が図３の
実施形態３と異なる点は、ファブリーペロレーザ素子１
２と光ファイバ回折格子１４と電界吸収型外部変調器３
が同じペルチエクーラー２１に搭載されていることであ
る。それ以外は実施形態３と同じであるので、同一部分
には同一符号を付してある。
器のさらに他の実施形態を示す。この実施形態が図３の
実施形態３と異なる点は、ファブリーペロレーザ素子１
２と光ファイバ回折格子１４と電界吸収型外部変調器３
が同じペルチエクーラー２１に搭載されていることであ
る。それ以外は実施形態３と同じであるので、同一部分
には同一符号を付してある。
【００２７】〔その他の実施形態〕以上の各実施形態で
は、光ファイバ（光ファイバ回折格子を含む）と光デバ
イスを光結合させるのにレンズを用いたが、光ファイバ
の端面をレンズ化してレンズを省略することも可能であ
る。この場合は、光ファイバの端面に形成されたレンズ
にＡＲコーティングを施すことにより反射戻り光に起因
する損失または特性劣化を抑制することが好ましい。
は、光ファイバ（光ファイバ回折格子を含む）と光デバ
イスを光結合させるのにレンズを用いたが、光ファイバ
の端面をレンズ化してレンズを省略することも可能であ
る。この場合は、光ファイバの端面に形成されたレンズ
にＡＲコーティングを施すことにより反射戻り光に起因
する損失または特性劣化を抑制することが好ましい。
【００２８】また図６に示すように、ファブリーペロレ
ーザ素子１２と光ファイバ回折格子１４を図１の実施形
態と反対に配置しても、同様な光送信器を得ることが可
能である。この場合は、光ファイバ回折格子１４の反射
率が９０％程度、ファブリーペロレーザ素子１２の光フ
ァイバ回折格子１４側の面（ＡＲ面）の反射率がほぼ０
％、その反対側の面（ＨＲ面）の反射率が２０〜３０％
程度になるようにするとよい。
ーザ素子１２と光ファイバ回折格子１４を図１の実施形
態と反対に配置しても、同様な光送信器を得ることが可
能である。この場合は、光ファイバ回折格子１４の反射
率が９０％程度、ファブリーペロレーザ素子１２の光フ
ァイバ回折格子１４側の面（ＡＲ面）の反射率がほぼ０
％、その反対側の面（ＨＲ面）の反射率が２０〜３０％
程度になるようにするとよい。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
界吸収型外部変調器に消光比が実質的に最大となる波長
のレーザ光を安定して供給することができるので、効率
のよい光強度変調を行うことができる。
界吸収型外部変調器に消光比が実質的に最大となる波長
のレーザ光を安定して供給することができるので、効率
のよい光強度変調を行うことができる。
【図１】 本発明に係る光送信器の一実施形態を示す平
面図。
面図。
【図２】 本発明に係る光送信器の他の実施形態を示す
平面図。
平面図。
【図３】 本発明に係る光送信器のさらに他の実施形態
を示す平面図。
を示す平面図。
【図４】 本発明に係る光送信器のさらに他の実施形態
を示す平面図。
を示す平面図。
【図５】 本発明に係る光送信器のさらに他の実施形態
を示す平面図。
を示す平面図。
【図６】 本発明に係る光送信器のさらに他の実施形態
を示す平面図。
を示す平面図。
【図７】 従来の光送信器の一例を示す説明図。
【図８】 電界吸収型外部変調器の波長と消光比の関係
を示すグラフ。
を示すグラフ。
【図９】 分布帰還型レーザの駆動電流が経時的に増加
することを示すグラフ。
することを示すグラフ。
【図１０】 電界吸収型外部変調器の温度と消光比の関
係を示すグラフ。
係を示すグラフ。
３：電界吸収型外部変調器 ４：光ファイバ １１：レーザ光源 １２：ファブリーペロレーザ １３：レンズ １４：光ファイバ回折格子 １５：レンズ １６：レンズ １７：コリメートレンズ １８：光アイソレータ １９：レンズ ２０：フェルール ２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ：ペルチエクーラー ２２：基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久世 祐輔 神奈川県横浜市鶴見区江ケ崎町４番１号 東京電力株式会社システム研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】レーザ光源の出力光を電界吸収型外部変調
器で変調して光信号を出力する光送信器において、 前記レーザ光源は、一方の端面が高反射率に他方の端面
が低反射率になっているファブリーペロレーザと、その
ファブリーペロレーザの低反射率端面に入射端を光学的
に結合された光ファイバ回折格子とを備え、前記ファブ
リーペロレーザの高反射端面と光ファイバ回折格子の間
で、光ファイバ回折格子の反射波長によって決まる一定
の波長でレーザ共振するものからなり、 このレーザ光源の発振波長が、前記電界吸収型外部変調
器の消光比が実質的に最大となる波長に設定されてい
る、 ことを特徴とする光送信器。 - 【請求項２】ファブリーペロレーザ、光ファイバ回折格
子及び電界吸収型外部変調器がそれぞれ温度制御部材を
介して、同一基板上に光軸を一致させて固定されている
ことを特徴とする請求項１記載の光送信器。 - 【請求項３】ファブリーペロレーザ、光ファイバ回折格
子及び電界吸収型外部変調器のいずれか２つ以上が、同
じ温度制御部材上に固定されていることを特徴とする請
求項２記載の光送信器。 - 【請求項４】電界吸収型外部変調器を製作し、この電界
吸収型外部変調器の消光比が実質的に最大となる波長を
求める工程、 前記波長が反射波長となる光ファイバ回折格子を製作す
る工程、 前記光ファイバ回折格子の反射波長が利得帯域内にあ
り、一方の端面が高反射率で他方の端面が低反射率のフ
ァブリーペロレーザを製作する工程、 前記ファブリーペロレーザの低反射率端面に前記光ファ
イバ回折格子の入射端を光学的に結合し、ファブリーペ
ロレーザの高反射率端面と光ファイバ回折格子の間で、
光ファイバ回折格子の反射波長によって決まる一定の波
長でレーザ共振するレーザ光源を製作する工程、 このレーザ光源の出力端と前記電界吸収型外部変調器の
入力端を光学的に結合する工程、 を含むことを特徴とする光送信器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33420697A JPH11167089A (ja) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | 光送信器とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33420697A JPH11167089A (ja) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | 光送信器とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11167089A true JPH11167089A (ja) | 1999-06-22 |
Family
ID=18274738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33420697A Pending JPH11167089A (ja) | 1997-12-04 | 1997-12-04 | 光送信器とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11167089A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100547897B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2006-01-31 | 삼성전자주식회사 | 파장 가변형 레이저 장치 |
| JP2007266532A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| US20100272391A1 (en) * | 2009-04-23 | 2010-10-28 | Fujitsu Limited | Chromatic dispersion compensator |
| KR101053354B1 (ko) | 2008-10-21 | 2011-08-01 | 김정수 | 외부 공진기를 이용한 파장 변환형 반도체 레이저 |
-
1997
- 1997-12-04 JP JP33420697A patent/JPH11167089A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100547897B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2006-01-31 | 삼성전자주식회사 | 파장 가변형 레이저 장치 |
| JP2007266532A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| KR101053354B1 (ko) | 2008-10-21 | 2011-08-01 | 김정수 | 외부 공진기를 이용한 파장 변환형 반도체 레이저 |
| US20100272391A1 (en) * | 2009-04-23 | 2010-10-28 | Fujitsu Limited | Chromatic dispersion compensator |
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