JP2007266532A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レーザ光の出射端面111を有するファブリペロレーザ11と、ファブリペロレーザ11からのレーザ光を少なくとも集光するコリメートレンズ12と、コリメートレンズ12により集光されたレーザ光の焦点を少なくとも調整する調整レンズ14と、調整レンズ14を支持すると共に、反射面131を有し、反射面131とファブリペロレーザ11の出射端面111との間で共振器長Lexを発生させる支持台13と、ファブリペロレーザ11からのレーザ光のうち、支持台13により発生させた共振器長Lexに基づいて選択されるレーザ光を変調する外部変調器16と、を含む。
【選択図】図1A
Description
このような状況下において、従来、半導体レーザをペルチェ冷却素子上に搭載し、この素子に電流を常に流して温度が一定になるように制御している。具体的には、従来の光送信器は、ファブリペロレーザ、光ファイバ回折格子および電界吸収型外部変調器を含んで構成されている。そして、ファブリペロレーザの高反射率端面と光ファイバ回折格子との間でレーザ共振器が構成され、そのレーザ共振器が、光ファイバ回折格子の反射波長によって決まる一定の波長でレーザ共振するレーザ光源を有する。さらに、ファブリペロレーザの温度は、ペルチェクーラにより一定に保たれている(例えば、特許文献1)。
そこで、本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、ペルチェ素子を用いることなく、温度変化に対して発振波長が変動しない半導体レーダ装置を提供することである。
ファブリペロレーザの出射端面と支持台の反射面との間で発生される共振器長の長さが比較的短いので、温度による波長変化を受けにくい半導体レーザ装置を提供することができる。
図1Aおよび図1Bにおいて、半導体レーザ装置100は、ファブリペロレーザ(以下「FPレーザ」という)11と外部変調器(単に変調器ともいう)16とが集積されて形成されている。外部変調器16は、例えば、電界吸収型光変調器である。そして、FPレーザ11と外部変調器16との間には、FPレーザ11側からz軸方向に、コリメートレンズ(集光レンズ)12、レンズ支持台(単に「支持台」ともいう)13、ビーム調整レンズ14およびコリメートレンズ15が、それぞれ設けられている。
FPレーザ11およびコリメートレンズ12は、シリコン基板20上に設けられ、コリメートレンズ15は、シリコン基板21上に設けられている。また、外部変調器16は、シリコン基板22上に設けられている。そして、これらのシリコン基板20、21、22が、固定台30上に固定されている。固定台30は、窒化アルミニウム(AlN)あるいは銅タングステン(CuW)で形成されることが望ましい。このような材料を用いることにより、熱伝導率が高く、かつ熱膨張係数が半導体に近くなるからである。以下、上記半導体レーザ装置100の構成を詳述する。
コリメートレンズ12は、その中心がFBレーザ11の光活性層の位置になるように配置される。この配置は、コリメートレンズ12とシリコン基板20との位置決め(xy面)により、あらかじめ設定されている。具体的には、シリコン基板20には、V溝が形成されており、そのV溝の形状が、コリメートレンズ12の中心をFBレーザ11の光活性層の位置に配置させるように形成されている。これにより、コリメートレンズ12をシリコン基板20のV溝に置くと、コリメートレンズ12の中心が、FBレーザ11の光活性層の位置になるように配置されることになる。
図2の中段は、上記レーザ共振器の発振波長を示したものである。ここでは、上記レーザ共振器のレーザの発振波長をλ、上記レーザ共振器の総光学長をLex、反射係数をnとすると、モード間隔Δλは、−λ2/2nLexで表される。
図2の下段は、FBレーザ11と上記レーザ共振器とにより構成された複合共振型レーザの発振波長を示したものである。複合共振型レーザは、FPレーザ11の発振波長に最も近い単一モードの波長になる。これにより、外部変調器16には、図2の下段で示された単一モードのレーザ光が入射されることとなる。
以上から、ペルチェ素子を用いることなく、温度変化に対して発振波長が変動しない半導体レーザ100を得ることができる。
半導体レーザ100は、FPレーザ11の出射端面111とレンズ支持台13の端面131との間で発生される共振器長Lex(外部共振器長)の長さが比較的短いので、温度による波長変化を受けにくい。
12 コリメートレンズ
13 レンズ支持台
14 ビーム調整レンズ
15 コリメートレンズ
16 外部変調器
111 出射端面
131 端面
Claims (4)
- レーザ光の出射端面を有するファブリペロレーザと、
前記ファブリペロレーザからのレーザ光を少なくとも集光する集光レンズと、
前記集光レンズにより集光されたレーザ光の焦点を少なくとも調整する調整レンズと、
前記調整レンズを支持すると共に、反射面を有し、前記反射面と前記ファブリペロレーザの前記出射端面との間で共振器長を発生させる支持台と、
前記ファブリペロレーザからのレーザ光のうち、前記支持台により発生させた共振器長に基づいて選択されるレーザ光を変調する変調器と、
を含む半導体レーザ装置。 - 前記支持台の反射面は、前記ファブリペロレーザ側の端面に有することを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 前記支持台の反射面は、反射率が90%以上の高反射面であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体レーザ装置。
- 前記変調器は、前記ファブリペロレーザの外部に形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項3に記載の半導体レーザ装置。
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WO2010041475A1 (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-15 | 日本電信電話株式会社 | 光半導体モジュール及びその組立方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09211274A (ja) * | 1996-02-01 | 1997-08-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザダイオードモジュールの製造方法 |
JPH11167089A (ja) * | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光送信器とその製造方法 |
JP2004253782A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-09-09 | Sun Tec Kk | 外部共振器型レーザモジュール |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09211274A (ja) * | 1996-02-01 | 1997-08-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザダイオードモジュールの製造方法 |
JPH11167089A (ja) * | 1997-12-04 | 1999-06-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光送信器とその製造方法 |
JP2004253782A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-09-09 | Sun Tec Kk | 外部共振器型レーザモジュール |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010041475A1 (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-15 | 日本電信電話株式会社 | 光半導体モジュール及びその組立方法 |
JPWO2010041475A1 (ja) * | 2008-10-09 | 2012-03-08 | 日本電信電話株式会社 | 光半導体モジュール及びその組立方法 |
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