DE60130001T2 - Poröse gettervorrichtungen mit verringertem teilchenverlust und verfahren zu deren herstellung - Google Patents
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Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung poröser Gettervorrichtungen mit verringertem Teilchenverlust und so hergestellte Vorrichtungen.
- Gettervorrichtungen können auf all den technologischen und wissenschaftlichen Gebieten verwendet werden, in welchen das Aufrechterhalten eines Vakuums erforderlich ist, beispielsweise Flachbildschirme (vom Plasma- oder Feldemissionstyp), einige Lampenarten oder Teilchenbeschleuniger für die wissenschaftliche Forschung. Ein weiteres wichtiges Gebiet der Verwendung von Gettervorrichtungen ist die Gasreinigung in Fluoreszenzlampen, aber hauptsächlich bei Prozessgasen für die Mikroelektronikindustrie. Die Erfindung ist auch besonders nützlich für die Herstellung eines bestimmten Typs einer Gettervorrichtung mit der Form und Größe des Substrats, das in einer Abscheidekammer, beispielsweise in einer Prozesskammer der Mikroelektronikindustrie, zu behandeln ist, wobei von der Vorrichtung eine kürzere Evakuierungszeit und eine bessere Reinigung der Arbeitsatmosphäre gewährleistet wird; diese Art einer Gettervorrichtung ist in der internationalen Patentanmeldung
WO 00/61832 PCT/IT00/00136 - Die aktiven Materialien, aus welchen diese Vorrichtungen gebildet werden, sind hauptsächlich Zirconium, Titan und Legierungen davon mit einem oder mehreren Elementen, die aus Übergangselementen und Aluminium ausgewählt sind. Diese Materialien haben eine starke Affinität zu gasförmigen Spezies mit niedrigem Molekulargewicht wie Sauer stoff, Wasser, Wasserstoff, Kohlenoxide und in einigen Fällen Stickstoff und werden deshalb zur Entfernung von Spuren dieser Gase aus Räumen, für welche es erforderlich ist, ein Vakuum aufrechtzuerhalten, oder aus Atmosphären bzw. Strömen von Gasen, die gegenüber diesen Materialien inert sind, hauptsächlich Edelgasen, verwendet.
- Da die Gassorption durch die Oberfläche des Gettermaterials stattfindet, ist es im Allgemeinen bevorzugt, dass diese so groß wie möglich ist. Um dieses Ergebnis zu erzielen und gleichzeitig die Größe der Vorrichtung klein zu halten, werden im Allgemeinen poröse Vorrichtungen verwendet, welche aus verfestigten Pulvern aus Gettermaterialien gebildet sind, die es erlauben, ein großes Verhältnis von exponierter Oberfläche des aktiven Materials zu geometrischer Oberfläche der Gettervorrichtung zu erhalten.
- In der Literatur sind verschiedene Verfahren zur Herstellung poröser Gettervorrichtungen beschrieben.
- In dem Patent
GB-B-2 077 487 - In der Patentanmeldung
DE-A-2 204 714 ist ein Verfahren offenbart, das ähnlich demjenigen des zuvor genannten PatentsGB-B-2 077 487 - Gettervorrichtungen mit einem Porositätsgrad, der höher als derjenige ist, der durch die zwei zuvor beschriebenen Verfahren erhalten wird, können durch ein Elektrophoreseverfahren, das beispielsweise in dem Patent
US 5 242 559 beschrieben ist, hergestellt werden. Entsprechend diesem Verfahren wird eine im Allgemeinen wässrig-alkoholische Suspension von Teilchen aus einem Gettermaterial hergestellt. In die Suspension werden zwei Elektroden getaucht, wovon eine, die aus Metall oder Graphit hergestellt ist, auch als Träger für die fertige Gettervorrichtung dient. Der Transport der Gettermaterialteilchen zu dem Träger und ihre Adhäsion daran werden durch Anlegen einer Potentialdifferenz zwischen den zwei Elektroden bewirkt. Die so erhaltene Abscheidung wird anschließend durch eine sinternde Wärmebehandlung in einem Vakuumofen, im Allgemeinen bei einer Temperatur von etwa 900 bis 1000 °C, verfestigt. - Gettervorrichtungen, bei welchen das aktive Material in Form einer Schicht auf einem planaren Träger vorliegt, können durch ein Siebdruckverfahren, wie beispielsweise in dem Patent
US 5 882 727 beschrieben, hergestellt werden. Entsprechend diesem Verfahren wird eine Paste aus Gettermaterialteilchen in einer wässrigen Lösung, die einen kleinen prozentualen Anteil einer organischen Verbindung mit einem hohen Siedepunkt enthält, die als Bindemittel fungiert, hergestellt, wobei diese Paste durch die Maschen eines geeigneten Netzes gedrückt und auf dem darunter liegenden Substrat aufgebracht wird. Die Beschichtung wird dann getrocknet und durch Sintern in einem Vakuumofen bei einer Temperatur von etwa 800 bis 1000 °C verfestigt. - Schließlich können Gettervorrichtungen mit einem besonders hohen Porositätsgrad entsprechend dem in dem Patent
US 5 908 579 beschriebenen Verfahren erhalten werden. In diesem Fall wird ein Gemisch aus Gettermaterialpulver und einer organischen Komponente, beispielsweise Ammoniumcarbamat, verwendet, die in den Wärmebehandlungen zur Verfestigung der Vorrichtung (Behandlungen, in welchen die Temperaturen 900 bis 1200 °C erreichen) verdampft, wodurch ein Netzwerk aus miteinander verbundenen Poren zurückbleibt, das den Zugang von Gasen zu der Oberfläche der innersten Gettermaterialteilchen in der Vorrichtung ermöglicht. - In
WO 00/10643 - Ein Problem, das bei Gettervorrichtungen des Standes der Technik auftritt, ist die Möglichkeit des Teilchenverlustes aufgrund dessen, dass die an der Oberfläche befindlichen Teilchen schwächer als die innersten gebunden sein können. Dabei ist das Vorhandensein freier Teilchen bei den meisten der für die Gettervorrichtungen vorgesehenen Verwendungen schädlich, da sie die elektrische Funktionalität (beispielsweise bei Flachbildschirmen) beeinträchtigen können, so können sie in den Weg einer Strahlung oder von Elementarteilchenstrahlen (Verwendung in Teil chenbeschleunigern) gelangen oder sich auf mikroelektronische Vorrichtungen, die hergestellt werden, abscheiden.
- Ein möglicher Weg zur Beseitigung dieses Problems ist die Erhöhung der Sintertemperatur, wodurch die gegenseitige Haftung der Teilchen verstärkt wird, wobei jedoch von diesem Verfahren nicht nur lediglich das gesamte Problem verkleinert wird, ohne es zu lösen, sondern es auch den Nachteil hat, dass es zu einer Verringerung der Porosität und der exponierten Fläche des aktiven Materials und demzufolge zu einer Verschlechterung der Gassorptionseigenschaften der Gettervorrichtungen führt.
- Deshalb liegt der Erfindung als Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung poröser Gettervorrichtungen mit verringertem Teilchenverlust ohne die Nachteile des Standes der Technik sowie die resultierenden Vorrichtungen bereitzustellen.
- Diese Aufgabe wird durch das erfindungsgemäße Verfahren gelöst, das darin besteht, auf der Oberfläche eines porösen Getterkörpers einen Niederschlag mit einer Dicke von wenigstens 0,5 μm aus einem Material, das mit den Bedingungen der Verwendung, die für die Gettervorrichtung vorgesehen ist, kompatibel ist, mit einem Verfahren, das aus Verdampfung, Abscheidung aus einem durch Flammenbogen erzeugten Plasma, Abscheidung aus Ionenstrahlung und kathodischer Abscheidung ausgewählt ist, zu erzeugen. Von den Erfindern ist festgestellt worden, dass, im Gegensatz dazu, was bisher a priori anzunehmen war, durch die Abscheidung eines geeigneten Materials mit geringer Dicke auf der Oberfläche eines porösen Getterkörpers dessen Gassorptionseigenschaften nicht beeinträchtigt werden und gleichzeitig das Phänomen des Teilchenverlustes beträchtlich verringert wird.
- Die Erfindung wird anschließend unter Bezugnahme auf die Figuren näher erläutert, wobei
-
1 schematisch einen Querschnitt durch einen porösen Getterkörper vor der Beschichtung entsprechend dem erfindungsgemäßen Verfahren, -
2 denselben Querschnitt durch den porösen Getterkörper von1 nach Beschichtung entsprechend dem erfindungsgemäßen Verfahren und -
3 einen Querschnitt einiger Gettermaterialkörner, die entsprechend einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens beschichtet worden sind,
zeigt. - In
1 ist ein Querschnitt durch einen Oberflächenbereich eines porösen Getterkörpers10 gezeigt. Die Gettermaterialteilchen11 sind über "Hälse"12 miteinander verbunden, in welchen während des Sinterns Mikroverschmelzungen des Materials stattgefunden haben. Die Adhäsion der Oberflächenteilchen an der übrigen Struktur kann aufgrund der schwächeren mechanischen Festigkeit dieser Hälse (wegen der niedrigen Temperatur des Sintervorgangs) oder aufgrund von deren kleiner Anzahl, insbesondere bei Teilchen13 mit einer geringen Größe, verringert sein. - In
2 ist derselbe Körper von1 mit einer Beschichtung entsprechend dem erfindungsgemäßen Verfahren gezeigt. Die äußere Oberfläche des Körpers10 ist mit einer Schicht20 bedeckt, die durch eines der weiter oben genannten Verfahren erhalten worden ist. Diese Verfahren sind gerichtet, und die Abscheidung bedeckt nur den Teil des Körpers10 , der der Quelle aus dem Material, das aufgebracht wird, exponiert ist. Somit bleiben einige Zonen21 der Oberflächengetterteilchen, die sich im "Schattenbereich" in Bezug auf die Quelle des aufzubringenden Materials befinden, frei von der Abscheidung. Der Gesamteffekt besteht darin, dass die Abscheidung20 wie ein Klebstoff für die Oberflächenteilchen wirkt, aber die großen Kanäle zwischen den Gettermaterialteilchen nicht verstopft, die es den Gasen erlauben, zu den innersten Teilchen zu gelangen, deren Oberfläche nicht durch das erfindungsgemäße Verfahren beschichtet worden ist und deshalb für die Gassorption aktiv bleibt. Das Ergebnis ist ein poröser Getterkörper22 , der auf der Oberfläche mit der Abscheidung20 bedeckt ist. - Der poröse Getterkörper, auf welchem die Abscheidung
20 zu bilden ist, kann entsprechend einem der weiter oben genannten Verfahren, das heißt durch Pulverkomprimierung, gegebenenfalls mit organischen Komponenten, die in den nachfolgenden Wärmebehandlungen verdampfen, Elektrophorese und Siebdruck hergestellt werden. - Die Gettermaterialien, die für die Herstellung des porösen Körpers verwendet werden können, sind vielfältig und umfassen im Allgemeinen Titan- und Zirconiummetalle, deren Hydride, Titan- oder Zirconiumlegierungen mit einem oder mehreren Elementen, die aus Übergangselementen und Aluminium ausgewählt sind, und Gemische aus einer oder mehreren dieser Legierungen mit Titan und/oder Zirconium oder deren Hydriden. Von den nützlichsten Materialien für die erfindungsgemäßen Zwecke sind die im Patent
US 3 203 901 beschriebenen Zr-Al-Legierungen und insbesondere die Legierung mit der prozentualen Gewichtszusammensetzung Zr 84%-Al 16 %, die von der Patentanmelderin unter dem Namen St 101 hergestellt und vertrieben wird; die Zr-V-Fe-Legierungen, die im PatentUS 4 312 669 beschrieben sind und insbesondere die Legierung mit der prozentualen Gewichtszusammensetzung Zr 70 %-V 24,6 %-Fe 5,4 %, die von der Patentanmelderin unter dem Namen St 707 hergestellt und vertrieben wird; die Zr-Co-A-Legierungen (wobei A ein Element bedeutet, das aus Yttrium, Lanthan, Seltenerdmetallen oder Gemischen davon ausgewählt ist), die in dem PatentUS 5 961 750 beschrieben sind, und insbesondere die Legierung mit der prozentualen Gewichtszusammensetzung Zr 80,8 %-Co 14,2 %-A 5 %, die von der Patentanmelderin unter dem Namen St 787 hergestellt und vertrieben wird; die Ti-V-Mn-Legierungen, die in dem PatentUS 4 457 891 offenbart sind; das Gemisch, das gewichtsmäßig 70 % Ti und 30 % Legierung St 101; das Gemisch, das 70 % Ti und 30 % Legierung St 707; das Gemisch, das 40 % Zr und 60 % Legierung St 707; das Gemisch, das 60 % Ti und 40 % Legierung St 707 und das Gemisch, das gewichtsmäßig 10 % Mo, 80 % Ti und 10 % TiH2 umfasst, die in dem PatentUS 4 428 856 beschrieben sind und von der Patentanmelderin unter dem Namen St 175 hergestellt und vertrieben werden, zu nennen. Diese Gettermaterialien werden im Allgemeinen in Form eines Pulvers mit einer Teilchengröße von unter etwa 125 μm und vorzugsweise zwischen etwa 20 und 100 μm verwendet. - Nach Herstellung des Getterkörpers entsprechend einem der weiter oben genannten Verfahren wird er durch eine ther mische Sinterbehandlung unter Vakuum oder einer inerten Atmosphäre bei einer Temperatur von im Allgemeinen 800 bis 1200 °C je nach den verwendeten Materialien verfestigt.
- Der so erhaltene Getterkörper wird einer Behandlung zum Aufbringen einer Schicht mit einer Dicke von mindestens 0,5 μm durch ein Verfahren unterworfen, das aus Aufdampfen, Abscheiden aus einem von einem Lichtbogen erzeugten Plasma, Abscheiden aus einem Ionenstrahl und Kathodenabscheiden ausgewählt ist.
- Das Aufdampfen kann durchgeführt werden, indem in derselben Kammer die zu beschichtenden Getterkörper und eine Quelle für das aufzubringende Material angeordnet werden, das (unter Inertgas oder Vakuum) durch ein bekanntes Verfahren wie direktes Erhitzen (beispielsweise, indem ein elektrischer Strom durch den Materialhalter fließen gelassen wird), indirektes Erhitzen (beispielsweise Induktionserhitzen), Elektronenbombardement oder ähnliche Mittel verdampft wird.
- Das zweite Verfahren (das besser unter der Definition Lichtbogenplasmaabscheidung bekannt ist) besteht in der Erzeugung mikroskopischer Tropfen aus dem aufzubringenden Material durch Schmelzen der Oberfläche eines festen Körpers aus diesem Material durch einen lokalisierten Lichtbogen und Beschleunigung der so gebildeten Tropfen zu dem zu beschichtenden Substrat. Dieses Verfahren ermöglicht, dass kompakte Beschichtungen schnell erhalten werden, und wird beispielsweise zum Beschichten mechanischer Werkzeuge, um deren Härteeigenschaften zu verbessern, angewendet.
- Das Verfahren zum Abscheiden aus einem Ionenstrahl, besser bekannt unter der Definition Ionenstrahlabscheiden, besteht in der Erzeugung eines Plasmas von Ionen aus dem aufzubringenden Material und der anschließenden Beschleunigung dieser Ionen zu dem zu beschichtenden Substrat durch ein elektrisches Feld.
- Für die erfindungsgemäßen Zwecke ist die Anwendung des Kathodenabscheidungsverfahrens bevorzugt. Die Kathodenabscheidung ermöglicht die Erzeugung dünner Schichten aus einem Material mit einer Dicke von im Allgemeinen bis zu etwa 10 bis 20 μm auf einem Träger, der im Allgemeinen aus einem anderen Material gebildet ist. Dieses Verfahren verfügt über eine große Anzahl von Varianten und ist auf dem Fachgebiet besser unter den Definitionen "Sputtern" (die im übrigen Text benutzt wird) oder "physikalisches Aufdampfen" bzw. dessen Akronym "PVD" bekannt. Das Sputterverfahren ist weithin bekannt und in der Industrie angewendet, insbesondere ist es fundamental für die Mikroelektronikindustrie, da es die Erzeugung dünner Schichten aus aktiven Materialien (beispielsweise Schichten aus leitfähigen Materialien) oder mit einer passiven Funktionalität (beispielsweise Isoliermaterialien) erlaubt, findet aber auch Anwendung in einer Anzahl weiterer Gebiete, beispielsweise zur Herstellung der Aluminiumschicht auf Kompaktdisks.
- Das Sputtern und seine Varianten sind äußerst bekannt und zahlreich und wird hier im Einzelnen nicht weiter erläutert. Um die Erfindung zu verstehen, reicht es aus, sich die Grundlagen des Verfahrens in Erinnerung zu rufen. Wie bekannt, wird in diesem Verfahren eine Vakuumkammer ver wendet, in welcher es möglich ist, ein elektrisches Feld zu erzeugen. In der Kammer werden ein Target aus dem aufzubringenden Material (das im Allgemeinen die Form eines kurzen Zylinders hat) und vor dem Target der Träger, auf welchem die dünne Schicht gebildet werden soll, angeordnet. Die Kammer wird zunächst evakuiert, anschließend mit einer Atmosphäre aus einem Edelgas, im Allgemeinen Argon, mit einem Druck von 10–2 bis 10–5 mbar gefüllt und durch Anlegen einer Potentialdifferenz von einigen tausend Volt zwischen der Rückseite des Trägers und dem Target (sodass sich dieses auf Kathodenpotential befindet) ein Plasma aus Elektronen und Ar+-Ionen erzeugt; diese Ionen werden von dem elektrischen Feld zu dem Target beschleunigt, wodurch dessen Auftrefferosion verursacht wird und die Spezies (im Allgemeinen Atome oder "Atomcluster"), die sich aus der Erosion des Targets ableiten, sich auf dem Träger abscheiden und so dessen dünne Schicht bilden. Durch Variieren der Verfahrensparameter werden die Eigenschaften und Bedingungen der Schichterzeugung gesteuert; so wird beispielsweise durch Erhöhung des an den Elektroden anliegenden elektrischen Stroms die innerhalb desselben Zeitraums erzeugte Dicke erhöht und die Morphologie der erhaltenen dünnen Schicht verändert, wobei die Morphologie auf eine noch effizientere Weise durch Variieren des Auftreffwinkels der Abscheidung in Bezug auf das Substrat gesteuert werden kann.
- Die Dicke der auf der Oberfläche des porösen Getters aufgebrachten Schicht muss mindestens 0,5 μm betragen, da bei niedrigeren Werten die Kohäsion der Schicht nicht ausreicht, die Gettermaterialteilchen, die schwach mit dem Rest der Vorrichtung verbunden sind, festzuhalten. Die obere Grenze der Schichtdicke ist nicht streng defi niert, beträgt aber im Allgemeinen weniger als 5 μm, da bei höheren Dickenwerten lange Verfahrenszeiten auftreten, ohne damit bestimmte Vorteile zu erhalten. Vorzugsweise beträgt die Dicke der Abscheidung 1 bis 2,5 μm.
- Das Material zur Bildung der Abscheidung kann ein beliebiges Material sein, das sich mit den Bedingungen der Verwendung der Vorrichtung für den endgültigen Zweck verträgt. Insbesondere muss das Material der Abscheidung eine geringere Gasfreisetzung haben und in der Lage sein, ohne Veränderungen den Temperaturen zu widerstehen, welchen die Gettervorrichtung in den Herstellungsstufen der Vorrichtungen, für welche sie bestimmt ist, ausgesetzt ist, wie Sintervorgänge für das Versiegeln von Flachbildschirmen oder Lampen, wobei im Fall der Vorrichtungen mit der Form und Größe der Substrate, die in einer Abscheidekammer zu behandeln sind, die in der weiter oben genannten internationalen Patentanmeldung
PCT/IT00/00136 - Vorzugsweise ist das aufzubringende Material ein Metall, das ebenfalls Gettereigenschaften besitzt, wie Vanadium, Niob, Hafnium, Tantal oder vorzugsweise Titan und Zirconium oder eine Legierung aus diesen Metallen. Beim Aufbringen eines dieser Materialien wird neben dem verringerten Teilchenverlust auch eine Verbesserung der Gassorptionseigenschaften, verglichen mit dem unbeschichteten porösen Körper, erhalten.
- Unter diesem Gesichtspunkt besonders gute Ergebnisse werden erhalten, wenn die Schicht mit einer körnigen oder säulenförmigen Morphologie aufgebracht wird. Ein Beispiel für die Oberfläche eines porösen Getterkörpers, die mit einer Abscheidung mit dieser Morphologie bedeckt ist, ist in
3 gezeigt, in welcher Oberflächen-Getterkörner11 veranschaulicht sind, die mit einer Vielzahl von Mikroabscheidungen30 beschichtet sind, die in der Lage sind, die Aufgabe eines "Klebstoffs" für die Körner in den Bereichen31 zu erfüllen, wobei aber zwischen ihnen Mikrokanäle32 vorhanden sind, durch welche der Zugang der Gase zu dem darunter befindlichen porösen Getter und auch zu der Oberfläche dieser beschichteten Getterkörner verbessert wird. Die körnige oder säulenförmige Morphologie kann durch das Sputterverfahren, indem die Abscheidungsbedingungen gesteuert werden, und insbesondere durch Arbeiten bei einem hohen Druck des Edelgases und bei einer niedrigen Temperatur des Substrates (des porösen Getters) erhalten werden, wobei der Gasdruck vorzugsweise zwischen etwa 1·10–3 und 5·10–2 mbar gehalten wird und die Substrattemperatur nahe der Raumtemperatur liegt.
Claims (19)
- Ein Verfahren zur Herstellung poröser Gettereinrichtungen (
22 ) mit verringertem Teilchenverlust, bestehend in der Erzeugung eines Niederschlags (20 ;30 ,31 ) mit einer Dicke von wenigstens 0,5 μm aus einem Material, das kompatibel ist mit der Verwendung der Gettereinrichtung, ausgewählt aus Übergangsmetallen, Seltenen Erden und Aluminium, mit einem Verfahren, ausgewählt aus Verdampfung, Abscheidung aus einem durch Flammenbogen erzeugtem Plasma, Abscheidung aus Ionenstrahlung und kathodischer Abscheidung auf der Oberfläche eines porösen Getterkörpers (10 ). - Ein Verfahren nach Anspruch 1, worin der poröse zu beschichtende Getterkörper durch ein Verfahren hergestellt ist, das ausgewählt ist aus der Kompression von Pulvern mit oder ohne organischen Bestandteilen, die während der folgenden thermischen Behandlungen, Elektrophorese und Serigraphie verdampfen.
- Ein Verfahren nach Anspruch 1, worin das Gettermaterial des porösen Körpers ausgewählt ist aus den Metallen Titan und Zirkon, deren Hydriden, Legierungen von Titan oder Zirkon mit einem oder mehreren Elementen, ausgewählt unter den Übergangsmetallen und Aluminium, und Gemischen von einer oder mehrerer dieser Legierungen mit Titan und/oder Zirkon oder deren Hydriden.
- Ein Verfahren nach Anspruch 3, worin das Gettermaterial eine Legierung mit einer Zusammensetzung in Gew.% von Zr 84 %-Al 16 % ist.
- Ein Verfahren nach Anspruch 3, worin das Gettermaterial eine Legierung mit einer Zusammensetzung in Gew.% von Zr 70 %-V 24,6 %-Fe 5,4 % ist.
- Ein Verfahren nach Anspruch 3, worin das Gettermaterial eine Legierung mit einer Zusammensetzung in Gew.% von Zr 80,8 %-Co 14,2 %-A 5 %, worin A ein Element, ausgewählt aus Yttrium, Lanthan, Seltenen Erden oder deren Gemischen, angibt.
- Ein Verfahren nach Anspruch 3, worin das Gettermaterial ein Gemisch ist, enthaltend in Gew.% 70 % Ti und 30 % einer Legierung mit einer Zusammensetzung von Zr 84 %-Al 16 %.
- Ein Verfahren nach Anspruch 3, worin das Gettermaterial ein Gemisch ist, enthaltend in Gew.% 70 % Ti und 30 % einer Legierung mit einer Zusammensetzung in Gew.% Zr 70 %-V 24,6 %-Fe 5,4 %.
- Ein Verfahren nach Anspruch 3, worin das Gettermaterial ein Gemisch ist, enthaltend in Gew.% 40 % Zr und 60 % einer Legierung mit einer Zusammensetzung in Gew.% von Zr 70-V 24,6 %-Fe 5,4 %.
- Ein Verfahren nach Anspruch 3, worin das Gettermaterial ein Gemisch ist, enthaltend in Gew.% 60 % Ti und 40 % einer Legierung mit einer Zusammensetzung in Gew.% von Zr 70 %-V 24,6 %-Fe 5,4 %.
- Ein Verfahren nach Anspruch 3, worin das Gettermaterial ein Gemisch ist, enthaltend in Gew.% 10 % Mo, 80 % Ti und 10 % TiH2.
- Ein Verfahren nach Anspruch 1, worin das Gettermaterial in Form eines Pulvers mit einer Teilchengröße kleiner als 125 μm vorliegt.
- Ein Verfahren nach Anspruch 12, worin das Gettermaterial in Form eines Pulvers einer Teilchengröße zwischen 20 und 100 μm vorliegt.
- Ein Verfahren nach Anspruch 1, worin der Niederschlag eine Dicke von weniger als 5 μm aufweist.
- Ein Verfahren nach Anspruch 14, worin der Niederschlag eine Dicke zwischen 1 und 2,5 μm aufweist.
- Ein Verfahren nach Anspruch 15, worin das abgeschiedene Material ausgewählt ist aus Vanadium, Niob, Hafnium, Tantalum, Titan und Zirkon.
- Ein Verfahren nach Anspruch 10, worin das Material durch kathodische Abscheidung abgeschieden wird und wobei eine Schicht mit einer körnigen oder säulenartigen Morphologie erzielt wird.
- Ein Verfahren nach Anspruch 17, worin die Kathodenabscheidung bei einem Edelgasdruck zwischen etwa 1 × 10–3 und 5 × 10–2 mbar durchgeführt wird und bei einer Temperatur des porösen Getterkörpers nahe der Raumtemperatur.
- Poröser Getterkörper (
22 ), gebildet aus miteinander verbunden Teilchen (11 ) des Gettermaterials, worin nur die Getterteilchen der oberen Oberfläche dieses Körpers teilweise mit einer Abscheidung (20 ;30 ,31 ) des Materials, ausgewählt aus Übergangsmetallen, Seltenen Erden und Aluminium, bedeckt sind, diese Bedeckung weist eine Dicke von wenigstens 0,5 μm auf, während die Getterteilchen, die im Inneren des Getterkörpers und nicht an der besagten Oberfläche vorliegen, frei sind von dieser Abscheidung.
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---|---|---|---|---|
US6475725B1 (en) * | 1997-06-20 | 2002-11-05 | Baxter Aktiengesellschaft | Recombinant cell clones having increased stability and methods of making and using the same |
IT1312248B1 (it) * | 1999-04-12 | 2002-04-09 | Getters Spa | Metodo per aumentare la produttivita' di processi di deposizione distrati sottili su un substrato e dispositivi getter per la |
ATE454400T1 (de) * | 2000-06-08 | 2010-01-15 | Baylor College Medicine | Auf rtvp basierende zusammensetzungen und verfahren zur behandlung von prostata-krebs |
IT1318937B1 (it) * | 2000-09-27 | 2003-09-19 | Getters Spa | Metodo per la produzione di dispositivi getter porosi con ridottaperdita di particelle e dispositivi cosi' prodotti |
WO2002089174A2 (en) * | 2001-05-01 | 2002-11-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Discharge lamp |
US20050187153A1 (en) * | 2001-06-08 | 2005-08-25 | Baylor College Of Medicine | RTVP based compositions and methods for the treatment of prostate cancer, autoimmunity and infectious disease |
JP3740479B2 (ja) * | 2002-07-23 | 2006-02-01 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置とその製造方法 |
US6911065B2 (en) * | 2002-12-26 | 2005-06-28 | Matheson Tri-Gas, Inc. | Method and system for supplying high purity fluid |
JP2004265776A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Hitachi Ltd | 有機elディスプレイ装置 |
US7135141B2 (en) * | 2003-03-31 | 2006-11-14 | Hitachi Metals, Ltd. | Method of manufacturing a sintered body |
ITMI20031178A1 (it) * | 2003-06-11 | 2004-12-12 | Getters Spa | Depositi multistrato getter non evaporabili ottenuti per |
US7871660B2 (en) * | 2003-11-14 | 2011-01-18 | Saes Getters, S.P.A. | Preparation of getter surfaces using caustic chemicals |
US7824685B2 (en) * | 2004-01-26 | 2010-11-02 | Baylor College Of Medicine | RTVP based compositions and methods for the treatment of prostate cancer |
EP1763060A1 (de) * | 2004-06-18 | 2007-03-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Bildanzeigeeinheit und herstellungsverfahren für die bildanzeigeeinheit |
KR100641301B1 (ko) * | 2004-09-15 | 2006-11-02 | 주식회사 세종소재 | 겟터 겸용 수은 보충재 |
ITMI20042271A1 (it) * | 2004-11-23 | 2005-02-23 | Getters Spa | Leghe getter non evaporabili per assorbimento di idrogeno |
WO2006113816A2 (en) * | 2005-04-20 | 2006-10-26 | Technic, Inc. | Underlayer for reducing surface oxidation of plated deposits |
EP1821328A1 (de) | 2006-02-10 | 2007-08-22 | Nanoshell Materials Research & Development GmbH | Metallisches und dendritisches Getter und sein Herstellungsverfahren |
EP2032735A4 (de) * | 2006-06-21 | 2011-12-21 | Proteus Biomedical Inc | Implantierbare medizinische geräte mit durch kathodenbogen hergestellten strukturen |
FR2903678B1 (fr) | 2006-07-13 | 2008-10-24 | Commissariat Energie Atomique | Microcomposant encapsule equipe d'au moins un getter |
US8663789B2 (en) | 2006-12-15 | 2014-03-04 | Bae Systems Plc | Thin film getter devices |
ITMI20090410A1 (it) * | 2009-03-18 | 2010-09-19 | Getters Spa | Leghe getter non evaporabili adatte particolarmente per l'assorbimento di idrogeno |
DE102009029495A1 (de) * | 2009-09-16 | 2011-03-24 | Endress + Hauser Conducta Gesellschaft für Mess- und Regeltechnik mbH + Co. KG | Messumformer für ein Multisensorsystem, insbesondere als Feldgerät für die Prozessautomatisierungstechnik und Verfahren zum Betreiben des Messumformers |
CN102534489A (zh) * | 2010-12-30 | 2012-07-04 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 镀膜件及其制造方法 |
RU2474912C1 (ru) * | 2011-08-23 | 2013-02-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) | Способ получения газопоглощающей структуры |
RU2513563C2 (ru) * | 2012-08-17 | 2014-04-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") | Спеченный неиспаряющийся геттер |
RU2523718C2 (ru) * | 2012-11-20 | 2014-07-20 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) | Нанокомпозитная газопоглощающая структура и способ ее получения |
WO2014122700A1 (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置 |
FR3003647B1 (fr) * | 2013-03-25 | 2015-12-25 | IFP Energies Nouvelles | Procede et systeme d'analyse d'un fluide gazeux comprenant au moins un gaz rare au moyen d'un substrat de getterisation |
RU2532788C1 (ru) * | 2013-06-20 | 2014-11-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Способ получения объемно-пористых структур сплавов-накопителей водорода, способных выдерживать многократные циклы гидрирования-дегидрирования без разрушения |
US9764946B2 (en) | 2013-10-24 | 2017-09-19 | Analog Devices, Inc. | MEMs device with outgassing shield |
ITMI20131921A1 (it) * | 2013-11-20 | 2015-05-21 | Getters Spa | Leghe getter non evaporabili particolarmente adatte per l'assorbimento di idrogeno e monossido di carbonio |
US10421059B2 (en) | 2014-10-24 | 2019-09-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Gas-adsorbing material and vacuum insulation material including the same |
US10801097B2 (en) * | 2015-12-23 | 2020-10-13 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Thermal spray coatings onto non-smooth surfaces |
CN106591790B (zh) * | 2016-12-28 | 2019-12-13 | 杭州大立微电子有限公司 | 靶材制备方法和吸气剂薄膜形成方法 |
EP3710648A4 (de) | 2017-11-17 | 2021-05-05 | Rockwool International A/S | Aufhängungssystem |
CN110820031A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-02-21 | 有研工程技术研究院有限公司 | 一种微型吸气剂的制备方法 |
CN111001545A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-04-14 | 烟台艾睿光电科技有限公司 | 防止吸气剂掉落颗粒的方法及吸气剂与加固涂层组件 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2491284A (en) * | 1946-12-13 | 1949-12-13 | Bell Telephone Labor Inc | Electrode for electron discharge devices and method of making the same |
DE1064646B (de) * | 1955-06-07 | 1959-09-03 | Ernesto Gabbrielli | Verfahren zum Herstellen von Gettern |
NL126633C (de) * | 1958-02-24 | 1900-01-01 | ||
IT963874B (it) * | 1972-08-10 | 1974-01-21 | Getters Spa | Dispositivo getter perfezionato contenente materiale non evapora bile |
US4428856A (en) | 1982-09-30 | 1984-01-31 | Boyarina Maya F | Non-evaporable getter |
IT1173866B (it) | 1984-03-16 | 1987-06-24 | Getters Spa | Metodo perfezionato per fabbricare dispositivi getter non evarobili porosi e dispositivi getter cosi' prodotti |
US5456740A (en) * | 1994-06-22 | 1995-10-10 | Millipore Corporation | High-efficiency metal membrane getter element and process for making |
US5908579A (en) | 1994-12-02 | 1999-06-01 | Saes Getters, S.P.A. | Process for producing high-porosity non-evaporable getter materials and materials thus obtained |
IT1283484B1 (it) | 1996-07-23 | 1998-04-21 | Getters Spa | Metodo per la produzione di strati sottili supportati di materiale getter non-evaporabile e dispositivi getter cosi' prodotti |
CN1187684A (zh) * | 1997-01-10 | 1998-07-15 | 工程吸气公司 | 具有较短激发时间的可蒸发的吸气装置 |
FR2760089B1 (fr) * | 1997-02-26 | 1999-04-30 | Org Europeene De Rech | Agencement et procede pour ameliorer le vide dans un systeme a vide tres pousse |
IT1290451B1 (it) | 1997-04-03 | 1998-12-03 | Getters Spa | Leghe getter non evaporabili |
IT1301948B1 (it) * | 1998-07-28 | 2000-07-20 | Getters Spa | Processo per la produzione di dispositivi getter evaporabili conridotta perdita di particelle |
WO2000010643A1 (en) * | 1998-08-21 | 2000-03-02 | Xrt Corp. | Cathode structure with getter material and diamond film, and methods of manufacture thereof |
JP3518855B2 (ja) * | 1999-02-26 | 2004-04-12 | キヤノン株式会社 | ゲッター、ゲッターを有する気密容器および画像形成装置、ゲッターの製造方法 |
AU5102600A (en) * | 1999-06-02 | 2000-12-28 | Saes Getters S.P.A. | Composite materials capable of hydrogen sorption independently from activating treatments and methods for the production thereof |
IT1318937B1 (it) | 2000-09-27 | 2003-09-19 | Getters Spa | Metodo per la produzione di dispositivi getter porosi con ridottaperdita di particelle e dispositivi cosi' prodotti |
-
2000
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