KR20030038765A - 입자 손실이 작은 다공성 게터 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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사에스 게터스 에스.페.아.
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Abstract

다공성 게터 본체의 표면을 형성하는 입자들의 손실을 작게하는 방법으로서, 증발, 아아크 발생 플라즈마로부터의 증착, 이온화 비임으로부터의 증착 및, 음극 증착 중에서 선택된 증착 기술을 이용하여, 금속 또는 금속 합금의 얇은 층(20)을 상기 표면상에 생성하는 것을 포함한다.

Description

입자 손실이 작은 다공성 게터 장치 및 그 제조 방법{POROUS GETTER DEVICES WITH REDUCED PARTICLE LOSS AND METHOD FOR THEIR MANUFACTURE}
게터 장치는, 예를 들어 (플라즈마의 또는 전계 방출형의) 평판 디스플레이, 소정 종류의 램프 또는 과학 탐구용 입자 가속기와 같이, 진공을 유지할 필요가 있는 다양한 기술적 및 과학적 용도에 사용될 수 있다. 게터 장치의 또 다른 중요한 이용 분야는 형광등내에서의 가스 정화, 그러나 주로 마이크로 전자공학 산업계용 공정 가스 경우의 가스 정화이다. 본 발명 역시 특정 타입의 게터 장치의 제조에 적합한데, 상기 게터 장치는 예를 들어 마이크로 전자공학 산업계의 처리 챔버내와 같은 증착 챔버내에서 처리될 기판의 크기 및 형상을 가지며, 상기 게터 장치는 짧은 배기(evacuation) 시간 및 작업 분위기의 보다 양호한 청정상태를 보장하며: 이러한 종류의 게터 장치는 본 출원인의 국제특허 출원 제 PCT/IT00/00136 호에 기재되어 있다.
이러한 장치를 형성하는 활성 물질은 주로 지르코늄과 티타늄 및, 전이 원소 및 알루미늄 중에서 선택된 하나 이상의 원소와의 합금이다. 이러한 물질들은 산소, 물, 수소, 이산화탄소, 몇몇 경우의 질소와 같은 저 분자량 기체 종에 대해 강한 친화력을 가지며, 그에 따라 진공 유지가 요구되는 공간으로부터, 또는 상기 물질들에 대해 비활성인 주로 불활성 가스의 분위기나 가스 유동으로부터, 상기 가스들의 트레이스(trace)를 제거하는데 사용된다.
게터 물질의 표면을 통해 가스 흡착이 발생되기 때문에, 상기 표면이 가능한 한 넓을 수록 대체적으로 바람직하다. 이러한 결과를 얻기 위해, 그리고 동시에 장치 크기를 작게 유지하기 위해, 게터 장치의 기하학적 표면에 대한 활성 물질의 노출 표면의 높은 비율을 얻을 수 있게 하는 게터 물질의 굳어진(consolidation) 분말들로 형성된 다공성 장치가 대체적으로 이용된다.
다공성 게터 장치를 제조하기 위한 여러 가지 방법이 문헌적으로 공개되어 있다.
특허 GB-B-2,007,487 에는 특히 티타늄 또는 지르코늄의 게터 금속 분말의 게터 합금과의 혼합물로 형성된 다공성 게터 장치의 제조에 관해 기재되어 있으며; 상기 혼합물은 예비압축되고 약 800 내지 1100 ℃ 온도의 진공 오븐내에서 소결(燒結)된다. 분말의 과다 압축 및 그에 따른 가스 흡착 특성의 감소를 피하기 위해, 소결 온도가 금속의 소결 온도 보다 높은 게터 합금이 반소결(antisintering) 작용으로서 첨가된다.
특허 출원 DE-A-2,204,714 에는, 그라파이트 분말을 반소결제로서 사용한다는 차이를 제외하고, 상기 인용 특허 GB-B-2,007,487의 공정과 유사한 공정이 개시되어 있다.
상기 두개의 종래 기술에 의해 얻을 수 있는 것 보다 큰 다공률(porosity)을 가지는 게터 장치는 예를 들어 특허 US 5,242,559에 기재된 전기영동 (electrophoretic) 기술에 의해 제조될 수 있다. 이러한 기술에 따라, 일반적으로 하이드로알콜릭(hydroalcoholic)인, 게터 물질 입자들의 현탁물질이 준비된다. 현탁물질내로 두개의 전극이 삽입되는데, 금속 또는 그라파이트로 제조된 두개 중 하나는 또한 최종 게터 장치의 지지부로서 작용한다. 게터 물질 입자의 지지부를 향한 이송 및 그 접착은 두개의 전극들 사이에 전위차를 인가함으로써 유발된다. 그렇게 얻어진 부착은 일반적으로 온도가 900 내지 1000 ℃인 진공 오븐내에서의 소결 열처리에 의해 굳어진다.
활성 물질이 평평한 지지부상의 층 형상으로 존재하는 게터 장치는, 예를 들어 특허 US 5,882,727 에 기재된 바와 같이, 스크린-인쇄 기술에 의해 제조될 수 있다. 이러한 기술에 따라, 게터 물질 입자의 페이스트(paste)는 결합제로서 작용하는 높은 끓는 점의 유기 화합물의 작은 백분율을 포함하는 수성 용액내에 준비되며; 이러한 페이스트는 적절한 네트(net)의 메시(mesh)를 통과하고, 하부 기판상에 부착된다. 부착 후에, 건조되고 그리고 약 800 내지 1000 ℃ 온도의 진공 오븐내에서 소결됨으로써 견고히 굳어진다.
마지막으로, 특히 높은 다공률의 게터 장치는 특허 US 5,908,579 에 기재된 기술에 따라 얻어질 수 있다. 이 경우, 게터 물질 및 카르밤산암모늄(ammonium carbamate)과 같은 유기물 성분의 분말 혼합물이 사용되며, 상기 유기물 성분은 장치의 굳어짐 열처리(약 900 내지 1200 ℃의 온도) 중에 증발되어, 장치내의 게터물질의 최내측 입자들의 표면까지 가스가 접근할 수 있도록 허용하는 상호연결된 공극들의 네트(net)를 남긴다.
공지된 기술에 따른 게터 장치가 갖는 문제점은, 내부분의 내측 입자들 보다 표면 입자들이 보다 약하다는 사실에 기인한, 입자 손실 가능성이다. 자유 입자들의 존재는 게터 장치의 전술한 대부분의 용도에서 해로우며, 이것은 그 입자들이 전기적 기능성(예를 들어, 평판 디스플레이 경우)을 방해하고, 복사 또는 원소 입자 비임(특별한 가속기에서의 용도)의 경로 중간에 위치될 수 있으며, 또는 제조되는 마이크로전자공학 장치들에 부착될 수 있기 때문이다.
이러한 문제를 피할 수 있는 방법은 소결 온도를 높여, 입자들간의 상호 접착을 촉진하는 것이다; 그러나, 이러한 방법은 그 문제를 해결하는 것이 아니라 감소시키는 것일 뿐만 아니라, 활성 물질의 노출 영역 및 다공률을 감소시키는 결점을 가지며, 결과적으로 게터 장치의 가스 흡착 특성을 감소시키게 된다.
본 발명은 입자 손실이 작은 다공성 게터(getter) 장치 제조 방법 및 그렇게 제조된 장치에 관한 것이다.
도 1 은 본 발명의 방법에 따라 덮기전에 다공성 게터 본체의 단면을 개략적으로 도시한 단면도.
도 2 는 본 발명의 방법에 따라 덮은 후에 도 1 의 다공성 게터 본체의 단면을 도시한 단면도.
도 3 은 본 발명 방법의 바람직한 실시예에 따라 덮여진 게터 물질의 몇몇 그레인(grain)들의 단면을 도시한 단면도.
본 발명의 목적은 공지된 기술의 단점 없이 입자 손실이 감소된 다공성 게터 장치를 제조하는 방법을 제공하는 것이고, 그에 따른 장치를 제공하는 것이다.
이러한 목적은 본 발명에 따른 방법에 의해 달성될 수 있으며, 그 방법은 증발, 아아크(arc) 발생 플라즈마로부터의 증착(deposition), 이온화 비임으로부터의 증착 및, 음극 증착 중에서 선택된 기술을 이용하여, 게터 장치에 대한 전술한 사용 조건에 양립할 수 있는 물질을 다공성 게터 본체의 표면상에 0.5㎛ 이상의 두께로 증착하는 것을 포함한다.
본 발명의 발명자들은, 종래에 믿어졌던 것과는 대조적으로, 다공성 게터 본체의 표면상에 적절한 물질을 얇은 두께로 증착하는 것은 가스 흡착 성질에 손상을 가하지 않으며, 동시에 입자 손실 현상을 상당히 감소시킨다는 것을 발견하였다.
이하에서는 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 설명한다.
도 1 은 다공성 게터 본체(10)의 표면 부분의 단면을 도시한다. 게터 물질(11)의 입자들은 "네크(neck)"(12)를 통해 서로 연결되며, 소결중에 물질의 미세융합(microfusion)이 일어난다. 특히, 작은 크기의 입자(13)의 경우에, 네크들의 감소된 개수 또는 상기 네크들의 불충분한 기계적 저항(소결 공정의 낮은 온도에 기인함) 때문에, 상기 네크들의 표면 입자들이 나머지 구조에 부착되는 것이 감소된다.
도 2 는 본 발명에 따라 덮은 도 1 과 동일한 본체를 도시한다. 본체(10)의 상부 표면은 인용된 기술들 중 하나에 의해 얻어지는 층(20)으로 덮여있다. 이러한 기술들은 지향적이며, 부착물은 부착되는 물질의 공급원을 향해 노출된 본체(10)의 부분만을 덮는다. 부착될 물질의 공급원에 대해 "미치지않는 지역(shadow area)"내에 있는 게터 입자들의 표면의 일부 영역(21)은 부착이 없이 남아 있는다. 전체 효과는 부착물(20)이 표면 입자들의 접착제로서 작용하나 그 부착물은 게터 물질 입자들 사이의 큰 채널을 막지 않는다는 것이며, 상기 채널은 가스가 최내측 입자들을 향해 가로질러 갈 수 있게 허용하고, 상기 채널의 표면은 본 발명에 따른 방법으로 덮여지지 않으며 그에 따라 가스 흡착에 대해 활성상태로 유지된다. 결과적으로, 다공성 게터 본체(22)는 부착물(20)에 의해 피상적으로 덮인다.
부착물(20)이 형성될 다공성 게터 본체는 전술한 기술들 중 어느 하나 즉, 이어지는 열처리중에 증발되는 유기 성분을 가지거나 또는 가지지 않는 분말 압축, 전기영동 및 스크린-인쇄에 따라 생성된다.
다공성 본체의 제조에 사용될 수 있는 게터 물질은 여러가지가 있으며, 일반적으로 티타늄과 지르코늄 금속, 그 수소화물, 전이 원소 및 알루미늄 중에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 티타늄 또는 지르코늄 합금, 및 티타늄 및/또는 지르코늄 또는 그 수소화물을 가지는 합금들 중 하나 이상의 혼합물을 포함한다. 본 발명의 목적에 적합한 가장 유용한 물질들은 특허 US 3,203,901 에 기재된 Zr-Al 합금, 및 St 101 이라는 명칭으로 본 출원인이 제조 및 판매하는 Zr 84중량%-Al 16중량% 의 합금; 특허 US 4,312,669 에 기재된 Zr-V-Fe 합금, 및 특히 St 707 이라는 명칭으로 본 출원인이 제조 및 판매하는 Zr 70중량%-V 24.6중량%-Fe 5.4중량%합금; 특허 US 5,961,750 에 기재된 Zr-Co-A(A 는 이트륨, 란탈륨, 희토 산화물 또는 그 혼합물 중에서 선택된 원소를 나타낸다), 및 특히 St 787 이라는 명칭으로 본 출원인이 제조 및 판매하는 Zr 80.8중량%-Co 14.2중량%-A 5중량% 합금; 특허 US 4,457,891 에 기재된 Ti-V-Mn 합금; 70중량%의 Ti 및 30중량%의 St 101 를 포함하는 혼합물; 70중량%의 Ti 및 30중량%의 St 707 를 포함하는 혼합물; 40중량%의 Zr 및 60중량%의 St 707 를 포함하는 혼합물; 60중량%의 Ti 및 40중량%의 St 707 를 포함하는 혼합물; 및 특허 US 4,428,856 에 기재되고 본 출원인이 St 175 라는 명칭으로 제조 및 판매하는 10중량%의 Mo, 80중량%의 Ti, 및 10중량%의 TiH2를 포함하는 혼합물을 포함한다. 일반적으로, 이러한 게터 물질은 약 125㎛ 이하, 바람직하게는 약 20 내지 100㎛의 입자 크기의 분말 형태로 이용된다.
인용된 기술들 중 하나에 따른 게터 본체의 제조 후에, 상기 게터 본체는 사용되는 물질에 따라 800 내지 1200℃의 온도의 진공 또는 불활성 분위기내에서의 가열 소결 처리에 의해 굳어진다.
그렇게 얻어진 게터 본체는 증발, 아아크 발생 플라즈마로부터의 증착, 이온화 비임으로부터의 증착 및, 음극 증착 중에서 선택된 기술을 이용하여, 적어도 0.5㎛ 두께의 층으로 증착 처리된다.
증발은 덮여질 게터 표본과 증착될 물질 공급원을 하나의 챔버에 위치시킴으로써 실시될 수 있으며, 상기 물질 공급원은 직접 가열(예를 들어, 물질 홀더내로 전류를 통과시키는 것), 간접 가열(예를 들어, 유도 가열), 전자 충돌(electronicbombardment) 또는 유사한 수단과 같은 공지된 기술에 의해 증발(불활성 가스 또는 진공하에서)될 것이다.
두번째 기술(한정 아아크 플라즈마 증착(definition arc plasma deposition)으로 보다 잘 알려져 있다)은 국부화된 아아크로 물질의 고체 본체의 표면을 용융시킴으로써 증착될 상기 물질의 미세 액적(drop)을 생성하는 단계를 포함하며; 그렇게 형성된 액적은 덮여질 기판을 향해 가속된다. 그러한 기술은 컴팩트(compact)한 덮개를 신속하게 얻을 수 있게하며, 예를 들어 경도를 증대시키기 위해 기계적인 공구를 덮는데 사용될 수 있다.
한정 이온 비임 증착으로 보다 잘 알려져 있는 이온 비임으로부터의 증착 기술은 증착될 물질의 이온 플라즈마를 생성하는 단계와, 전기장을 이용하여 덮여질 기판을 향해 상기 이온들을 가속하는 단계를 포함한다.
본 발명의 목적을 위해, 음극 증착 기술을 사용하는 것이 바람직하다. 음극 증착 기술은 상이한 물질로 형성된 지지부상에 물질을 약 10-20㎛ 두께의 얇은 층으로 생성할 수 있게 허용한다. 그 기술은 수 많은 변형예를 가지며, 업계에서는 "스퍼터링"(이하에서는 스퍼터링으로 언급된다) 또는 "물리적 증착" 또는 그 두문자어로서 "PVD"로 더 잘 알려져 있다. 스퍼터링 기술은 업계에 널리 알려져 있고 사용되고 있으며, 특히 활성 물질의 얇은 층(예를 들어, 전도 물질 층) 또는 수동 기능성을 가지는 얇은 층(예를 들어, 절연부)의 제조를 허용할 수 있기 때문에 마이크로 전자공학 분야의 기초가되는 한편, 예를 들어 컴팩트 디스크의 알루미늄 층의 제조와 같은 수많은 다른 분야에서도 사용된다.
스퍼터링 및 그 변형예들은 매우 잘 알려져 있고 그 수도 많기 때문에, 상세하게 설명하지 않는다. 본 발명을 이해하기 위해, 상기 기술의 기본을 상기하기만 하면 충분하다. 잘 알려진 바와 같이, 이러한 기술에서는 전기장을 내부에 발생할 수 있는 진공 챔버를 이용한다. 챔버내에는 증착될 물질의 타겟(일반적으로 짧은 원통 형상이다)이 위치되고, 타겟의 전방에는 얇은 층이 형성되는 지지부가 위치된다. 상기 챔버는 먼저 배기되고 이어서 일반적으로 아르곤인 희가스(noble gas) 분위기로 10-2-10-5mbar 까지 채워지며; 지지부의 후방부와 타켓의 후방부 사이에 수천 볼트의 전위차를 가함으로써(이 때 타겟이 음극 전위가 되게 한다) Ar+이온 및 전자의 플라즈마가 생성되며; 이러한 이온들은 전기장에 의해 타켓을 향해 가속되고 그에 따라 충격 침식을 일으키며; 지지부상의 타켓 증착물의 침식으로부터의 종(species)(일반적으로 원자들 또는 원자들의 "덩어리")이 얇은 층을 형성한다. 공정 변수를 변경함으로써, 필름 제조 조건 및 특성들이 제어되며; 예를 들어, 전극에 인가되는 전력을 증대시킴으로써, 동일한 시간내에 생성되는 두께가 증대되고 그리고 얻어지는 얇은 층의 형태가 변경되며; 그 형태는 기판에 대한 증착 입사각도를 변경시킴으로써 보다 효과적으로 제어될 수 있다.
다공성 게터 물질의 표면상에 증착된 층의 두께는 적어도 0.5㎛이어야 하는데, 이는 층의 낮은 결합력은 장치의 나머지 부분에 거의 부착되지 않은 게터 물질의 입자를 유지하는데 충분치 않기 때문이다. 증착 두께의 상한은 엄밀하게 규정되지는 않으나, 일반적으로 5㎛ 보다 작으며, 이는 그 보다 크면 특별한 이점 없이공정 시간만 길어지기 때문이다. 바람직하게, 증착 두께는 1 내지 2.5㎛ 사이이다.
증착물을 형성하기 위한 물질은 최종 용도에서의 장치 사용 조건과 양립할 수 있는 어떠한 물질도 가능하다. 특히, 증착 물질은 가스 방출 정도가 작아야 하고 그리고 평판 디스플레이나 램프를 밀봉하기 위한 플릿팅(fritting) 작업과 같이 반드시 거쳐야할 장치의 제조 단계 중에 격게되는 온도에도 변화없이 견딜 수 있어야 하며; 상기 인용된 국제특허출원 PCT/IT00/00136 에 기재된 바와 같이 증착 챔버내에서 처리될 기판의 형상 및 크기를 가지는 장치의 경우에, 다공성 게터 본체상에 증착된 물질은 게터 물질의 활성화 온도에서의 가열, 그리고 적어도 벽의 가스제거를 위해 챔버에 가해지는 약 500℃ 의 온도를 견질 수 있어야 한다. 일반적으로, 증착된 물질은 전이 금속들, 희토 산화물 및 알루미늄 중에서 선택될 수 있다. 한번에 하나 이상의 금속을 증착할 수도 있으며(소위 합동-증발 또는 소위 "합동-스퍼터링"과 같은 기술에 의해), 그에 따라 인용된 금속들의 합금 또는 혼합물을 얻을 수도 있다.
바람직하게, 증착되는 물질은 바나듐, 니오븀, 하프늄, 탄탈륨, 또는 바람직하게 티타늄 및 지르코늄, 또는 상기 금속들의 합금과 같은 게터 특성을 갖는 금속이다. 이러한 물질들 중 하나의 증착의 경우에, 감소된 입자 손실 외에도, 덮여지지 않은 다공성 본체에 비해 증대된 가스 흡착 특성이 얻어진다.
만약 층이 과립 또는 주상(columnar) 형태로 증착된다면, 이러한 관점으로부터 특히 양호한 결과가 얻어진다. 상기 형태를 갖는 증착물로 덮여진 다공성 게터본체의 표면의 일 예가 도 3 에 도시되어 있으며, 그 도면에는 영역(31)에서 그레인에 대한 접착 기능을 수행할 수 있는 다수의 미세증착물(30)에 의해 덮여진 표면 게터 그레인(11)이 도시되어 있으며, 이 때 하부의 다공성 게터로 그리고 덮여진 게터 그레인의 표면으로 가스가 접근할 수 있는 접근성을 개선하는 미세채널(32)이 존재한다. 과립 또는 주상 형태는 증착 조건을 제어함으로써 특히, 고압 희가스 및 낮은 온도의 기판(다공성 게터)에서 작업함으로써 스퍼터링 기술을 통해 얻어질 수 있으며; 바람직하게 가스 압력은 약 1 ×10-3내지 5 ×10-2mbar에서 유지되고, 기판의 온도는 상온에 가깝다.

Claims (20)

  1. 입자 손실이 작은 다공성 게터 장치(22) 제조 방법으로서, 증발, 아아크 발생 플라즈마로부터의 증착, 이온화 비임으로부터의 증착 및, 음극 증착 중에서 선택된 기술을 이용하여, 상기 게터 장치의 사용 조건과 양립할 수 있는 물질로 이루어진 0.5㎛ 이상 두께의 증착물(20; 30, 31)을 다공성 게터 본체(10)의 표면상에 생성하는 단계를 포함하는 다공성 게터 장치 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 덮여질 다공성 게터 본체는 이어지는 열처리중에 증발되는 유기 성분을 가지거나 또는 가지지 않는 분말의 압축, 전기영동 및 스크린-인쇄 중에서 선택된 공정에 의해 제조되는 다공성 게터 장치 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 다공성 본체의 게터 물질은 티타늄과 지르코늄 금속, 그 수소화물, 전이 원소 및 알루미늄 중에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 티타늄 또는 지르코늄 합금, 및 티타늄 및/또는 지르코늄 또는 그 수소화물을 가지는 이러한 합금들 중 하나 이상의 혼합물 중에서 선택되는 다공성 게터 장치 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 게터 물질은 Zr 84중량%-Al 16중량% 조성의 합금인 다공성 게터 장치 제조 방법.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 게터 물질은 Zr 70중량%-V 24.6중량%-Fe 5.4중량% 조성의 합금인 다공성 게터 장치 제조 방법.
  6. 제 3 항에 있어서, 상기 게터 물질은 Zr 80.8중량%-Co 14.2중량%-A 5중량% 조성의 합금이며, 상기 A 는 이트륨, 란탈륨, 희토 산화물 또는 그 혼합물 중에서 선택된 원소를 나타내는 다공성 게터 장치 제조 방법.
  7. 제 3 항에 있어서, 상기 게터 물질은 Ti 70중량% 및, 조성이 Zr 84중량%-Al 16 중량%인 합금 30중량%의 조성을 가지는 혼합물인 다공성 게터 장치 제조 방법.
  8. 제 3 항에 있어서, 상기 게터 물질은 Ti 70중량% 및, 조성이 Zr 70중량%-V 24.6중량%-Fe 5.4중량%인 합금 30중량%의 조성을 가지는 혼합물인 다공성 게터 장치 제조 방법.
  9. 제 3 항에 있어서, 상기 게터 물질은 Zr 40중량% 및, 조성이 Zr 70중량%-V 24.6-Fe 5.4중량%인 합금 60중량%의 조성을 가지는 혼합물인 다공성 게터 장치 제조 방법.
  10. 제 3 항에 있어서, 상기 게터 물질은 Ti 60중량% 및, 조성이 Zr 70중량%-V24.6-Fe 5.4중량%인 합금 40중량%의 조성을 가지는 혼합물인 다공성 게터 장치 제조 방법.
  11. 제 3 항에 있어서, 상기 게터 물질은 10중량%의 Mo, 80중량%의 Ti, 및 10중량%의 TiH2로 이루어진 혼합물인 다공성 게터 장치 제조 방법.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 게터 물질은 125㎛ 보다 작은 입자 크기의 분말 형태인 다공성 게터 장치 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 게터 물질은 약 20 내지 100㎛ 의 입자 크기의 분말 형태인 다공성 게터 장치 제조 방법.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 증착물은 5㎛ 이하의 두께를 가지는 다공성 게터 장치 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 증착물은 1 내지 2.5㎛의 두께를 가지는 다공성 게터 장치 제조 방법.
  16. 제 1 항에 있어서, 상기 증착되는 물질은 전이 금속, 희토 산화물 및 알루미늄 중에서 선택되는 다공성 게터 장치 제조 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 증착되는 물질은 바나듐, 니오븀, 하프늄, 탄탈륨, 티타늄 및 지르코늄 중에서 선택되는 다공성 게터 장치 제조 방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 물질은 과립 또는 주상 형태의 층을 얻는 음극 증착에 의해 증착되는 다공성 게터 장치 제조 방법.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 음극 증착은 약 1 ×10-3내지 5 ×10-2mbar 의 희가스 압력에서 그리고, 상온에 가까운 다공성 게터 본체의 온도에서 실시되는 다공성 게터 장치 제조 방법.
  20. 서로 연결된 게터 물질 입자들로 형성된 다공성 게터 본체(22)로서, 상기 게터 본체의 상부면에서의 게터 입자들은 전이 금속, 희토류 산화물 및 알루미늄 중에서 선택된 물질의 증착물(20; 30, 31)로 부분적으로 덮여있으며, 상기 증착물의 두께는 0.5㎛ 이상인 다공성 게터 본체.
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