KR100655009B1 - 음극 증착에 의해 얻어지는 비-증발성 게터 다층 증착물및 그 제조 방법 - Google Patents

음극 증착에 의해 얻어지는 비-증발성 게터 다층 증착물및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에서, 넓은 특정 표면을 갖는 비-증발성 게터 물질로 이루어진 층(11) 상부에, 낮은 활성화 온도를 갖는 다른 비-증발성 게터 합금으로 이루어진 층(12)이 형성된 게터 다층들이 개시되고, 상기 두 층들은 음극 증착에 의해 얻어진다. 본 발명의 증착물들은 단일 물질로 이루어진 증착물들보다 더 향상된 가스 흡착 특성들과 활성화 온도를 나타낸다. 또한, 본 발명에서 이러한 증착물들을 제조하는 방법이 개시된다.
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Description

음극 증착에 의해 얻어지는 비-증발성 게터 다층 증착물 및 그 제조 방법{NON-EVAPORABLE GETTER MULTILAYER DEPOSITS OBTAINED BY CATHODIC DEPOSITION AND PROCESS FOR THEIR MANUFACTURING}
도 1은 본 발명의 NEG 다층의 횡단면을 개념적으로 도시한다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 가능한 선택적인 실시예들의 횡단면을 개념적으로 도시한다.
도 4는 본 발명의 다층 증착물들과 공지된 단일 NEG 물질에 의해 형성되는 증착물들의 가스 흡착 특성들을 나타내는 그래프들이다.
도 5는 본 발명의 2개의 증착물들의 가스 흡착 특성들을 나타내는 그래프들이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10: 지지체 11: 제 1 층
12: 제 2 층 13: 연속적인 층
14, 14', 14'': 비연속적인 층 15, 15': 표면적
본 발명은 음극 증착에 의해 얻어지는 비-증발성 게터 다층 증착물 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
NEG 물질들로도 공지된 주요 비-증발성 게터 물질들은, Zr, Ti, Nb, Ta, V, 또는 합금들 또는 이들의 화합물들 및/또는 예를 들어, 이원 합금들 Ti-V, Zr-Al, Zr-V, Zr-Fe, 및 Zr-Ni, 삼원 합금들 Zr-V-Fe 및 Zr-Co-희토류들, 또는 다원 합금들과 같이, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Al, Y, La 및 희토류(Rare Earth)들 중에 선택되는 하나 이상의 원소를 갖는 몇몇 전이 금속들이다.
NEG 물질들은 수소를 가역적으로 흡착하고, 산소, 물, 이산화 탄소 및 몇몇 경우들에서 질소와 같은 기체들을 비가역적으로 흡착할 수 있다. 따라서, 이러한 물질들은 예를 들어, 열 절연을 위한 진공 인터스페이스들과 같이, 이들을 필요로 하는 어플리케이션들에서 진공상태를 유지하기 위해 사용되고, 게터 물질들은 또한 예를 들어, 가스-충진 램프들에 있거나 마이크로전자 산업에 사용되는 것들처럼 기체-충진 램프들 또는 초고순도 기체들의 제조를 위한 불활성 가스들, 주요 희 가스(rare gas)들로부터 전술한 종(species)을 제거하는데 사용될 수 있다.
NEG 물질들의 기능은 NEG 금속 원자들과 전술한 기체 종간의 화학적 반응을 기초로 한다. 실온에서, 이러한 반응 산화물, 질화물 또는 탄화물 종이 물질 표면상에 형성되고, 그 결과로, 추가적인 가스 흡착(gas sorbing)을 방지하는 패시베이션 층이 점진적으로 형성된다. 패시베이션 층은, 예를 들어, 새롭게 형성된 NEG 물질의 분위기에 처음 노출되거나, NEG 물질이 함유되는 장치들의 특정 "불순물이 섞인(dirty)" 제조 단계들 동안에, 많은 양의 기체가 있을 때 급속히 형성될 수 있다. 더욱이, 이러한 층은 NEG 기능의 결과로서 더 천천히 형성되지만, 기체 종의 흡착 결과, 시간이 경과함에 따라 상기 물질이 최종 장치의 내부의 상기 분위기로부터 제거된다. 오퍼레이팅 주기 시작시 NEG가 정확하게 기능하도록 하기 위해, 열 활성 처리(통상 진공상태에서)가 필요하고, 그 목적은 물질 구조 내부로 패시베이션 층 종을 이동시켜서, 기체 흡착을 위해 금속 표면을 "신선한(fresh)" 활성 상태로 노출시킬 수 있다. 이러한 활성화가 완료되어, 필수적으로 금속들, 또는 부분적인 금속들로 전체적으로 이루어진 물질 표면을 얻을 수 있고, 이에 따라 활성화도(일반적으로 %로 표현됨)가 정의될 수 있으며, 작은 "프리" 표면적들, 즉 원소 상태의 금속들에 해당하므로 기체들과의 반응을 위해 이용가능하다. 활성화 촉진(증진)은 처리 온도 및 시간을 통해 제어될 수 있고, 예를 들어, 350℃에서 30분 동안 또는 250℃에서 10시간동안 처리함으로써 주어진 물질의 70%의 활성화도에 도달할 수 있으며, 화학 반응들에서 일반적으로 유효한 규칙에 따라, 반응 촉진도에서 온도 효과는 시간보다 훨씬 더 크다. 일반적으로, NEG를 완전히 활성화시키기는 것은 항상 바람직하지만, 이는 제조 시간으로 인해 또는 상기 장치가 상기 목적에 필요한 고온을 견딜 수 없기 때문에, 특정 장치들의 제조에서 불가능할 수 있다. 이러한 경우들에 있어서, NEG 물질을 함유하는 장치들의 제조자들은 비록 더 낮은 가스 흡착(sorbing) 특성들(예를 들어, 더 짧은 NEG 오퍼레이팅 주기)을 받아들여야 하지만, 부분적인 활성화에 만족한다. 활성화 처리의 조건들은 물질과 물질의 물리적-화학적 특징들에 따라 다르다. 몇몇 물질들에 대하여, 완전한 활성화 처리에는 초고온이 요구되고, 예를 들어, 84 중량%의 Zr-16 중량% Al 혼합된 합금은 적어도 700℃의 열처리, 바람직하게는 약 900℃의 열처리를 필요로 한다(매우 긴 시간이 허용되지 않는다면, 산업적인 제조에서 허용될 수 없음). 몇몇 삼원 합금들 Zr-V-Fe와 같은 다른 합금들은 훨씬 더 낮은 활성화 온도를 가질 수 있고, 약 1시간동안 약 350℃에서 100%로 활성화될 수 있다. 몇몇 경우들에서, 활성화 처리는 초기 NEG 가스 흡착 특성들을 되찾기 위해, 장치의 작동 주기 동안 주기적으로 반복(소위 재활성화 처리들)될 수 있다. 이하의 상세한 설명과 청구범위에서, "낮은 활성화 온도" 물질은, 300℃의 최대 온도에서 1시간의 처리에 의해 적어도 90% 활성화될 수 있는 물질(금속, 금속간 화합물 또는 합금)을 의미하는 것으로 정의한다.
NEG 물질들은 개별적인 장치들의 형태, 예를 들어 적절한 컨테이너들 내부에서 물질의 소결된 정제(pill)들 또는 파우더들의 형태로 사용될 수 있다. 몇몇 어플리케이션들에서, 이용가능한 공간상의 이유로 또는 구성의 간소화를 위해, 최종 장치의 내면상에 배치되는, 일반적으로 수십 또는 수백 마이크론(㎛)의 두께를 갖는 얇은 층들의 형태로 NEG 물질들을 사용하는 것이 요구된다. NEG 물질은 일반적으로 금속성인 얇은 지지체상에 증착되어, 순차적으로 표면과 접촉될 수 있지만, 증착물은 그 상부에 직접 형성되는 것이 바람직하다. NEG 물질의 얇은 층들의 사용 예들은 디스플레이의 양극판상에서 캐소드들을 방출하는 전자들 사이에 NEG 물질의 개별적인 얇은 증착물들이 형성되는 필드 방출 디스플레이를 기술하고 있는 미국 특허 제5,453,659호에 개시되어 있다. 미국 특허 제6,468,043호는 입자 가속기의 챔버를 형성하는 파이프들의 내면의 NEG 층으로 코팅하는 것을 기술하고 있고, 미국 특허 제5,701,008호 및 제6,499,354호는 각각 마이크로기계적 장치들과 소형 IR 방사 검출기들(마이크로기계 또는 마이크로광전자 장치들은 "마이크로머신" 또는 MEM으로 공지되어 있음)에서 게터 물질들의 사용을 기술하고 있다. 이러한 모든 어플리케이션들에서, NEG 증착물(활성화 이후)은 실온에서 작용한다.
NEG 증착물 형성을 위한 다른 종래 기술은 스퍼터링으로서 더 잘 알려진 음극 증착(cathodic deposition)이다. 박막 제조를 위해 공지되고 널리 사용되는 이러한 기술은, 이러한 기술을 이용함으로써 FED 및 MEM들이 제조될 수도 있고 집적 제조상의 이유들로 이러한 장치들에서 NEG 물질층들을 제조하기 위해 동일한 기술이 바람직할 수도 있기 때문에, 전체 마이크로광전자 산업에 기초가 된다.
공지된 바와 같이, 스퍼터링 기술에서, 전기장을 형성할 수 있는 진공 챔버가 사용된다. 챔버 내부에는 증착되는 물질의 타겟(일반적으로 짧은 실린더 형태임)이 배치되고, 타겟 앞에는 그 상부에 박막이 형성되는 지지체가 배치된다. 상기 챔버는 우선 진공화된 후, 일반적으로 약 0.1 내지 1 Pa의 압력에서, 일반적으로 아르곤인 새로운 가스 분위기로 다시 충진된다. 지지체와 타겟의 스탠드들 간에 수천 볼트의 전위차를 인가함으로써(나중에 음극 전위에 있음), Ar+ 이온들의 플라즈마가 생성된다. 이러한 이온들은 전기장에 의해 타겟으로 가속되고 충돌을 통해 침식을 초래할 수 있으며, 이에 따라 지지체상의 타겟 침식 증착으로부터 유도되는 종(일반적으로 원자들 또는 원자들 클러스터들)로 박막을 형성할 수 있다. 통상적으로 사용되는 방법의 변형으로서, 자기장이 플라즈마 영역에 인가되어, 플라즈마 자체를 제한하는 것을 돕고 캐소드 침식 및 증착물 형성의 특성들을 개선시키며, 이러한 변형을 "마그네트론 스퍼터링"이라 한다. 상기 증착물은 단일한 연속적인 증착물을 얻을 수 있도록 전체적으로 지지체 표면을 커버할 수 있으며, 적절한 마스크들을 통해 특정 지지체 영역들상에서만 증착물들이 이루어질 수 있다.
그러나, 다양한 이유들로, 지금까지 스퍼터링에 의해 달성되는 NEG 증착물들은 증착물이 실온에서 작용해야 하는 어플리케이션들에서 사용하기에는 완전히 만족스럽지 못하다.
단일 금속(및 특히 가장 통상적으로 사용되는 티타늄)으로 이루어진 NEG 증착물은 개방 또는 다공성 형태로 스퍼터링에 의해 용이하게 제조될 수 있고, 이는 유효 표면적을 증가시켜서 초기 가스 수착율(sorption rate)을 증가시킨다. 그러나, 효과적인 활성화(또는 재활성화)를 위해, 순 금속들은 일반적으로 450℃보다 더 높은 비교적 고온을 필요로 한다. NEG 물질이 거의 장치의 기능적 또는 구조적인 부분들인, FED들 또는 MEM들과 같은 작은 크기 또는 소형의 장치들에서, 활성화 처리는 이러한 부분들을 손상시킬 수 있다. 예를 들어, NEG가 일반적으로 주변 영역에 배치되는 FED들의 경우에, 약 400℃의 가열은 낮은-용융 유리 페이스트(paste)로 이루어진 디스플레이를 형성하는 2개의 유리 부분들간에 실링의 밀착성을 손상시킬 수 있다. 유사하게, 상기한 온도에서의 열처리들은 예를 들어, 은-기질의 합금들, 또는 금-주석 또는 금-인듐 합금들과 같은 땜납 합금(brazing alloy)들로 이루어진 MEM들을 형성하는 2개의 실리콘 부분들간의 실링들을 손상시킬 수 있다.
특정 NEG 금속간(intermetallic) 화합물들 또는 합금들은 상기 주어진 정의에 따라, 예를 들어, 약 300℃ 이하의 낮은 활성화 온도를 갖는 장점이 있다. 그러나, 본 발명의 발명자들은 낮은 활성화 온도를 갖는 이러한 물질들이 스퍼터링에 의해 증착될 때 매우 조밀한(치밀)한 형태의 기하학적 구조를 갖는 박막들을 형성함으로써, 결과적으로 증착물의 기하학적 면적의 단지, 몇 배에 해당하는, 매우 감소된 유효 표면적만을 형성한다는 것을 실험적으로 발견했다. 이러한 특성은 실온에서의 증착물 흡착(sorbing) 특성들, 특히 초기 수착율(sorption rate)과 그 수착량을 상당히 제한하고, 예를 들어 몇몇 적용예들에서 거의 수행될 수 없어서, 빈번한 재활성화 처리들을 필요로 하게 된다.
따라서, 스퍼터링에 의해 얻어지는 공지된 NEG 증착물들은 실온에서, 또는 특히 소형화된 몇몇 적용예에서는 활성화 온도에서 나쁜 흡착 특성들을 가진다.
본 발명의 목적은 상기한 종래기술의 단점들을 극복하는 것으로서, 특히 낮은 활성화 온도 및 큰 표면적을 특징으로 하는 음극 증착에 의해 얻어지는 NEG 물질 증착물들을 제공하는 것이다.
이러한 목적은 본 발명에 따라 달성되며, 비-증발성 게터 물질들로 이루어진 다층 증착물에 관련된 일 실시예로서, 본 발명은, 적어도 20배의 기하학적 면적과 동일한 표면적을 갖는 비-증발성 게터 물질의 적어도 하나의 제 1 층, 및 상기 제 1 층 상부에, 낮은 활성화 온도를 갖는 1㎛ 이하의 비-증발성 게터 합금의 두께를 갖는 적어도 제 2 층을 포함하며, 상기 두 층들은 상기 2개의 층들의 증착 사이에 발생하는 반응성 가스들에 상기 제 1 층을 노출시키지 않고 음극 증착에 의해 얻어지는 것을 특징으로 한다.
상술된 "게터 합금"(또는 NEG 합금)이라는 용어는 이하의 상세한 설명 및 청구범위에서, 예를 들어 ZrV2와 같이, 금속간 화합물들에 상응하는 혼합물들을 의미하는 것이며, 그 이유는 금속간 화합물들에 상응하는 혼합물의 얇은 물질층들을 스퍼터링에 의해 증착함으로써, 통상적인 정규 구조의 화합물들은 거의 얻을 수 없지만, 반대로 거의 비결정성 또는 통상적인 비정규 구조의 합금들은 얻을 수 있기 때문이다.
본 발명의 다층 증착물들은 낮은 활성화 온도의 NEG 합금에 의해 형성되는 층이 진공상태가 유지되는 공간 또는 정화된 가스가 존재하는 공간의 최종 어플리케이션에 직접 인접하도록 이루어진다.
본 발명의 발명자들은 놀랍게도 기술된 바와 같은 스퍼터링에 의해 얻어지는 다층 증착물이 특정 NEG 합금들의 통상적인 특성들(특히 활성화 온도)을 조합시킨 매우 큰 유효 표면적을 갖는다는 것을 발견했다. 즉, 본 발명의 다층 증착물들은 2개(또는 그 이상)의 컴포넌트 층들의 단순한 부가로서 작용하는 것이 아니라, 서로 다른 층들의 최선의 특성들이 부가된 특성들을 갖는 하나의 단일한 모노컴포넌트 층으로서 작용한다.
본 발명은 도면들을 참조로 이하에서 상세히 기술된다.
제 1 물질과 그 상부에 스퍼터링에 의해 증착되는 제 2 물질로 이루어진 게터 시스템들은 국제공보 WO 02/27058 A1호에 이미 개시되어 있다. 그러나, 이러한 어플리케이션의 시스템들에서, 하부 물질은 스퍼터링에 의해 교번으로 얻어질 수 없지만, 상기 하부 물질은 소결된 게터 파우더들의 거시적(macroscopic) 몸체로 이루어지고, 상기 거시적 몸체상에 스퍼터링에 의해 증착물을 형성하는 목적은 입자들의 손실을 감소시키는 것이다. 이러한 경우, 스퍼터링에 의해 얻어지는 증착물은, 2개의 컴포넌트들의 부피 및 질량 비율이 스퍼터링되는 증착물로 인한 효과를 무시할 수 있을 정도이기 때문에, 시스템의 흡착 또는 활성화 특성들을 변경하지 못한다. 더욱이, 하부 물질은 스퍼터링에 의해 증착물이 형성되기 이전에 대기에 노출된다. 대조적으로, 본 발명의 시스템들에서, 모든 활성 컴포넌트들(즉, 지지체를 제외한)은 즉각적으로 순차적인 처리 단계들에서 스퍼터링에 의해 얻어지고, 낮은 활성화 NEG 합금의 존재로 인해 전체 시스템의 특성들, 특히 활성화 특성들을 순차적으로 변경하도록, 2개의 물질들의 양 비율과 제조 특성이 이루어진다.
도 1은 스캐닝 전자 현미경에 의해 얻어진 본 발명의 다층의 횡단면이 도시된 현미경 사진의 재생이다.
본 발명의 증착물의 제 1 층(11)은 지지체(10)상에 형성된다. 이것은 진공이 유지되거나 정화된 가스가 존재하는 장치의 내면에 제공되는 부가적인 지지체일 수 있다. 그러나, 바람직하게는 지지체(10)는 NEG가 삽입되는 장치의 기하학적 구조로 형성될 때 내부의 장치 표면 자체(또는 그 일부)이고, FED 또는 MEM들과 같이, 스퍼터링 챔버로 삽입될 수 있는 중간 또는 소형 크기의 장치이다. 제 1 층(11)은 큰 표면적을 갖는 층의 형태로 스퍼터링에 의해 증착될 수 있는 NEG 물질로 이루어진다. 이러한 목적을 위해, 지르코늄, 코발트, 및 이트륨, 란탄 및 희토류들에서 선택되는 하나 이상의 원소들을 포함하고, 특히 80중량%의 Zr - 15중량%의 Co - 5중량%의 A(여기서, A는 Y, La 및 희토류들 중에서 하나 이상을 나타냄)의 조성비를 갖는 합금을 포함하는 미국특허 제5,961,750호에 기술된 합금들 중 하나를 사용할 수 있다. 그러나, 니오븀(niobium), 탄탈, 바나듐, 하프늄, 지르코늄, 및 티타늄 중에서 선택되는 금속, 특히 마지막 2개의 금속들을 이용하는 것이 바람직하다. 제 1 층(11)의 두께는 엄격한 제한들로 한정되지 않는 넓은 범위일 수 있다. 하부의 두께 제한은 원하는 형태를 갖는 층을 얻기 위해 필수적으로 결정된다: 0.2㎛보다 더 작은 두께들은 바람직하지 않는데, 그 이유는 상기한 두께들을 갖는 층들은 지지체 형태(거칠지 않을 수 있음)로 "반복(repeat)"되는 경향이 있어서, 결과적으로 충분한 표면적을 갖는 층을 얻는 것을 보장할 수 없기 때문이다. 더욱이, 이러한 층은 다층의 주요 가스 흡착 "저장체(reservoir)"를 형성하기 때문에, 흡착될 필요가 있는 가스 양에 의해 그 최소 두께도 결정된다. 대신, 최대 두께는 주로 제조 요소들에 의해, 특히 층 성장을 위해 필요한 시간에 의해 결정된다. 스퍼터링에 의한 층들의 형성 속도는 일반적으로 매우 높지 않기 때문에, 약 50㎛보다 더 낮은 값들의 두께, 예를 들어 이러한 두께들이 요구되는 수착량(sorption capacity)과 호환될 수 있다면, 약 1 내지 10㎛의 두께를 유지하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 제 1 층(11)은 다공성(porosity)에 의해 결정되는 큰 표면적을 가져야 한다. 유효 표면적과 기하학적 면적 사이의 비율로서 음극 증착에 의해 얻어지는 이러한 층들의 다공성을 나타낼 수 있다: 이하에서 Re로 나타낸 이러한 비율은 완전하게 매끄러운(smooth) 증착물에서 이론적으로 1이고, 금속성 증착물 표면의 거칠기(roughness) 또는 비규칙성(irregularity)이 증가됨에 따라 증가된다. 본 발명의 목적을 위하여, Re는 20보다 더 커야하고, 바람직하게는 50보다 더 커야한다.
제 1 층(11) 상부에는, 낮은 활성화 온도의 게터 합금으로 이루어진 적어도 제 2 층(12)이 스퍼터링에 의해 형성된다. 본 발명에 적합한 게터 합금들로는, 예를 들어, 미국특허 제4,312,669호의 Zr-V-Fe 합금들, 특히 70중량%의 Zr - 24.6중량%의 V - 5.4중량%의 Fe의 조성비를 갖는 합금; 미국특허 제4,996,002호에 개시된 철, 니켈, 마그네슘 및 알루미늄 중에서 선택되는 더 소량의 하나 이상의 원소들과 지르코늄, 및 바나듐을 주로 포함하는 합금들; 미국특허 제5,961,750호에 개시된 Zr-Co-A 합금들(여기서, A는 이트륨, 란탄 및 희토류, 및 이들의 혼합물들 중에서 선택되는 원소), 특히 제 1 층(11)의 물질이 Zr-Co-A 형태의 합금으로 이루어지지 않을 때 70중량%의 Zr - 15중량%의 Co - 5중량%의 A의 조성비를 갖는 합금; Zr-Ti-V 합금들, 특히 200℃에서 몇시간 동안의 열처리에 의해 (적어도 부분적으로) 활성화될 수 있는, 44중량%의 Zr - 23중량%의 Ti - 33중량%의 V의 조성비를 갖는 합금; 및 ZrV2 화합물이 있다.
이러한 제 2 층의 두께는 1㎛ 이하, 바람직하게는 50 내지 500㎚ 범위이며, 이러한 두께에 의해 상기 층은 하부 층(11)의 형태 특성들을 유지하여, 결과적으로 높은 Re 값들과 높은 수착율을 가질 수 있는 반면, 두께가 더 커질수록 상기 층은 더욱 조밀한해져서 실온의 어플리케이션에 적합할 수 없다.
선택적으로, 산화 팔라듐, 30 원자%까지의 은을 포함하는 은-팔라듐 합금들, 및 게터 물질을 형성하는 팔라듐과 하나 이상의 금속들간의 화합물들일 수 있는, 팔라듐 또는 그 화합물의 연속적 또는 비연속적인 추가 층을 제 2 층(12)의 상면상에 증착할 수 있다.
도 2는 이러한 가능성들 중 하나(연속적인 층)를 도시한다. 이 경우, 팔라듐 층(13)은 수소가 선택적으로 수착(sorption)될 수 있도록 한다: 팔라듐이 높은 수소 투과성을 가진다는 것이 공지되어 있으므로, 결과적으로 하부의 게터 물질층으로 가스가 전이될 수 있다. 게터로의 수소 전이 비율을 최대화하기 위해, 팔라듐 증착물은 예를 들어, 10 내지 100㎚ 범위의 낮은 두께를 가져야 한다. 연속적인 팔라듐 증착물로 코팅됨으로써 수소 선택성이 이루어지는 게터 증착물들은 예를 들어, 국제공보 WO 98/37958 A1호에 공지되어 있지만, 본 발명의 경우에, 더 큰 표면적으로 인해, 더 높은 수착율을 얻을 수 있다.
도 3은 팔라듐(또는 그 화합물)으로 이루어진 비연속적인 증착물의 경우를 도시한다. 이 경우, 팔라듐(또는 팔라듐 화합물)은 게터 층(12) 표면상에 "섬(island)"의 형태(14, 14', 14'',...)로 존재하고, 이러한 섬들은 바람직하게 상기 층(12) 표면의 10 내지 90%를 커버한다. 이러한 구성은 파우더 형태의 게터 물질들을 참조로 하는 국제공보 WO 00/75950 A1호에 기술되어 있다. 이러한 구조에서, 적절한 활성화의 결과로 일정한 수소 흡착제(sorber) 및 다른 가스들의 흡착제로서 작용함으로써 물질을 얻을 수 있다. 전술한 국제공보에서 더욱 상세하게 개시된 것처럼, 이러한 작용 특성들은, 다른 가스들을 흡착하지 않는 섬들(14, 14', 14'',...)이 패시베이팅되지 않고, 결과적으로 게터 합금으로 들어가는 연속적인 수소를 위한 통로들을 형성하는 반면에, 상기 섬들에 의해 커버되지 않는 제 2 층(12) 표면의 영역들(15, 15',...)은 게터들로서 통상의 작용을 유지한다는 사실 때문이다.
제 2 실시예로서, 본 발명은 지금까지 기술된 증착물들을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 방법은, 그 기하학적 면적의 적어도 20배에 해당하는 표면적을 갖는 비-증발성 게터 물질의 제 1 층을 지지체상에 음극 증착에 의해 증착하는 단계; 및 낮은 활성화 온도를 갖는 비-증발성 게터 합금으로 이루어지며, 1㎛ 이하의 두께를 갖는 적어도 제 2 층을 상기 제 1 층 상부에 음극 증착에 의해 증착하는 단계를 포함하고, 상기 2개의 증착 단계들에서, 상기 제 1 층의 물질이 이와 반응할 수 있는 가스 종(gas species)에 노출되지 않는 방식으로 작용한다.
상기 방법은 2개의 다른 물질들의 스퍼터링에 의해 2개의 순차적인 증착 단계들로 이루어진다. 스퍼터링에 의한 증착은 종래에 공지되고 도입부의 일반적인 개요에서 기술된 방법에 따라 이루어지고, 상기 형성되는 제 1 층은 이와 반응할 수 있는 종(species)에 노출되지 않는 것이 요구된다. 특히, 산소 또는 물과 같은 산화제 종으로의 노출을 피해야 한다. 낮은 활성화 온도의 합금이 그 활성화 온도를 하부 물질로 "전이"하는 본 발명의 특징은 이후에 기술되는 작용으로 인해 결코 패시베이션되지 않는다는 사실을 기반으로 한다.
상술한 바와 같이, 큰 표면적을 갖는 제 1 층(11)이 증착되는 지지체는 예를 들어, (일반적으로 평평한) 금속, 유리 또는 실리콘의 지지체와 같이, 이후에 최종 시스템의 적정 위치에 배치되는 부가적인 부분일 수 있다. 그러나, 바람직하게는, 게터 증착물을 위한 장치의 크기 및 형상이 이를 허용할 때, 부가적인 지지체를 필요로 하지 않고, 장치 자체의 내면상에 직접 증착이 이루어질 수 있다. 이러한 바람직한 제조 방법은 예를 들어 MEM들과 FED들의 제조에 사용될 수 있다.
이전에 언급된 물질들로 이루어지고 높은 거칠기 및 비규칙성(및 이에 따라 요구되는 Re 값들)을 갖는 제 1 층(11)은 종래에 공지된 몇몇 수단들에 따라 스퍼터링에 의해 얻어질 수 있다. 우선, 그 상부에서 증착이 일어나는 지지체를 냉각시킬 수 있고, 이러한 방법에서 지지체에 도달하는 원자들은 더욱 일정한 구조물을 재배치하고 형성하기에 충분한 이용가능한 에너지를 갖지 않으므로, 형성시 증착물의 일종의 "급냉(quenching)"을 이룰 수 있다. Ar+ 이온들과 타겟간에 높은 전류에서 시간 단위당 높은 횟수의 충돌이 발생하고, 이에 따라 시스템에 열이 분산되기 때문에, 낮은 지지체 온도를 유지하기 위하여 감소된 전류로 작용시키는 것이 바람직할 수 있다. 마지막으로, 지지체의 앞에 직접 배치되지 않는 타겟으로 작용시키거나, 증착시 지지체를 이동, 회전 또는 진동시킬 수도 있다. 이러한 모든 작용(operating) 모드들은 증착물의 기하학적 무질서(disorder)를 증가시켜서, 결과적으로 그다지 조밀한하지 않은 층들의 형성을 촉진시킨다. 물론, 제 1 층(11)의 Re 값을 증가시키기 위해 여기서 전술한 형태 이외의 더 많은 방법들이 동시에 사용될 수 있다.
제 2 층(12)을 형성하기 위해, 스퍼터링 기술은, 낮은 활성화 온도 합금들의 경우에 효과적이지 못한 것으로 입증된, 제 1 층(11)의 형태상의 비규칙성을 증가시키기 위한 전술한 특정 수단들에 의존함이 없이, 통상의 방법들에 따라 사용될 수 있다.
팔라듐(또는 그 합금들 또는 화합물들)의 가능한 증착물은 스퍼터링에 의해서만 필수적으로 얻어지는 것이 아니며, 예를 들어 화학적 기상 증착 기술을 이용한 증착에 의해 얻어질 수도 있다. 그러나, 금속성 팔라듐 또는 그 합금들의 경우, 이러한 증착물을 스퍼터링에 의해 얻는 것이 편의상 바람직할 수 있다.
본 발명은 이하의 실시예들을 통해 추가로 설명될 것이다. 본 발명은 이러한 실시예들에 한정되지 않으며, 이러한 실시예들은 본 발명을 실시하는 방법과 본 발명을 실시함에 있어 고려되는 최선의 방법을 당업자에게 설명하기 위한 목적으로 몇몇 실시예들을 나타낸다.
실시예 1
본 실시예는 본 발명에 따른 이중-적층된 증착물의 마련에 관한 것이다.
증착을 위한 지지체로서, 2.5㎝의 직경을 갖는 연마된 단결정 실리콘 디스크가 사용되며, 이는 초음파 베스에서 유기 용매(n-propylbromide의 알코올 용액)로 세정되고 순차적으로 탈이온수로 린싱(rinsing)된다. 상기 지지체는 서로 다른 물질들의 3개의 타겟들을 포함할 수 있는 음극 증착 챔버에 배치되고, 상기 증착 챔 버는 3×10-6Pa의 압력에 도달할 때까지 진공상태가 되고 순차적으로 2Pa의 압력에서 아르곤으로 재충진된다. 이하의 동작 파라미터들로 티타늄 층이 먼저 증착된다:
- 타겟상의 전력 밀도: 3.5 W/cm2;
- 타겟-지지체 거리: 140mm;
- 지지체 온도: 100℃;
- 증착 시간: 80분.
순차적으로, ZrV2 합금의 제 2 타겟이 사용되며, 타겟상의 전력 밀도가 3 W/cm2로 감소되고 증착 시간이 10분으로 제한되는 것을 제외하고, 이전 단계와 동일한 동작 파라미터들을 이용하여, 티타늄 층상에 층이 층착된다.
마지막으로, 이중 증착물을 갖는 지지체가 상기 증착 챔버로부터 제거되고, 상기 두 층들의 평균 두께를 측정하기 위해 전자 현미경에서 분석되어, 3.3㎛의 티타늄, 및 0.2㎛의 합금을 얻는다. 이러한 두께 값들(모든 두께들이 이하의 실시예들에서 제시됨)은 결함있는 증착물들의 평탄성으로 인한 평균 값들이다.
이중 증착물을 갖는 이러한 지지체는 샘플 1이다.
실시예 2(비교예임)
실시예 1의 방법이 반복되지만, 단지 하나의 ZrV2 합금 층만이 증착된다. 7×10-6Pa의 잔류 압력에 도달할 때까지 챔버가 초기에 진공상태가 되고 증착이 60분 동안 지속된다는 것을 제외하고, 실시예 1의 합금 증착에 적용된 동일한 동작 파라미터들이 사용된다.
샘플 2인 합금 증착물을 갖는 지지체는 챔버로부터 추출되고, 증착물의 평균 두께를 측정하기 위해 전자 현미경으로 분석되며, 그 평균 두께는 3.5㎛이다.
실시예 3(비교예임)
실시예 1의 방법이 반복되지만, 단지 하나의 티타늄 층만이 증착된다. 90분동안 증착이 지속된다는 것을 제외하고, 실시예 1의 티타늄 증착에 적용된 동일한 동작 파라미터들이 사용된다.
샘플 3인 티타늄 증착물을 갖는 지지체는 챔버로부터 추출되고, 상기 증착물의 평균 두께를 측정하기 위해 전자 현미경으로 분석되며, 그 평균 두께는 3.5㎛이다.
실시예 4
실시예 1의 방법이 반복되며, 그 차이점은, 티타늄 증착이 40분간 지속되며, 얻어지는 샘플(샘플 4)이 1.6㎛의 두께를 가진 티타늄 층과 0.2㎛의 두께를 갖는 ZrV2 합금 층으로 이루어진, 1.8㎛의 전체 평균 두께를 갖는다는 것이다.
실시예 5
본 실시예에서, 샘플 1, 2, 및 3의 실온에서의 가스 흡착(gas sorbing) 특성들이 평가된다.
상기 샘플들은 석영 벌브에 한번에 하나씩 장착되고, 각각의 테스트 이전에 1×10-6Pa의 잔류 압력에 도달할 때까지 터보분자(turbomolecular) 펌프를 통해 진공상태가 된다. 시스템 벽들의 탈기체화를 촉진시키기 위해, 이러한 단계동안 시스템은 약 12시간 동안 180℃로 가열된다.
요구되는 잔류 압력에 도달하면, 테스트의 샘플 대상은 30분동안 300℃에서, 벌브 외부에 배치된 유도 코일을 통한 무선주파수에 의해 활성화되고, 상기 온도는 광 온도계로 모니터링된다. 그 후, 상기 샘플은 실온으로 냉각되고, 가스 흡착 테스트는, 4×10-6Pa의 압력에서 벌브 탄소 모노옥사이드, CO로 삽입되고 공지된 다운스트림 컨덕턴스를 감소시키는 압력을 기록하는, 표준 ASTM F798-82에 기술된 방법들에 따라 수행된다. 3개의 흡착 테스트들의 결과는 도 4에 도시되고, 각 곡선의 개수는 상술한 샘플의 개수와 일치한다. 곡선들은 흡착 압력(헥토파스칼, hPa) 곱하기 증착 표면으로 나누어지고(hPa×1/cm2), 흡착되는 가스의 리터들로 측정되는 흡착된 가스량 Q의 함수로서, 증착물의 제곱 ㎝ 단위로 매초(1/s×cm2) 흡수되는 가스의 리터로 측정되는 샘플 수착율(sorption rate) S를 나타낸다. 3개 곡선들의 최대 Q 값으로 전체 샘플들의 수용량이 측정된다.
실시예 6
본 실시예에서, 샘플 1 및 4의 고온에서의 가스 흡착 특성들이 평가된다.
실시예 1에 기술된 것처럼 정확히 마련된 제 2 샘플, 및 샘플 4 상에서, CO 흡착 테스트들이 실시예 5에 기술된 방법들과 유사한 방법으로 수행된다. 이러한 테스트들에서, 상기 샘플들은 430℃에서 열처리됨으로써 활성화되고, 2개의 테스트들은 300℃에서 수행된다. 상기 2개의 테스트 결과들은 도 5에서 샘플 4의 곡선(4)과 실시예 1에 따라 마련된 샘플의 곡선(5)으로서, 그래프로 도시된다(심벌들은 도 4와 동일한 의미를 가짐).
샘플 5 및 6의 테스트 조건에서, 게터 물질들의 증착물들의 다양한 특성들이 측정된다. 실온의 테스트들(실시예 5)에서, 가스 흡착의 결과로서 게터 표면상에 형성되는 종은 물질의 내부로 확산시키기에 충분한 에너지를 갖지 않는다. 따라서, 흡착량의 소멸은 초기에 표면상에 이용가능한 모든 금속성 지점(site)들이 포화상태로되는 것을 나타내므로, 이러한 테스트들의 결과들은 이러한 표면 지점들의 초기 개수의 측정값이다. 대조적으로, 고온의 테스트들(실시예 6)에서 가스 흡착의 결과로서 표면상에 초기에 형성되는 종은 증착물의 내부로 확산될 수 있으므로, 이러한 테스트들은 이용가능한 게터 물질의 전체 양을 포함하고, 증착물들의 전체 수용량을 측정한다.
이러한 특성들을 고려하여, 도 4에서 그래프로 도시된 3개의 곡선들로부터, 본 발명의 샘플이 전체 측정 범위에서 금속 또는 NEG 합금만의 증착물들보다 향상된 표면 흡착 특성들을 나타냄을 고찰할 수 있다. 특히, 본 발명의 샘플(곡선 1)은 전체 측정 범위에서 NEG 합금만의 증착물(곡선 2)보다 1차수 이상의 양만큼 더 큰 수착율(sorption rate)과 수용량(capacity)을 나타내고, 티타늄만이 증착된 증착물(곡선 3)에 비해 적어도 2배의 수착율과 수용량을 나타낸다. 노출된 표면이 동일한 물질로 이루어진 샘플 1 및 2와 관련된 곡선들과의 비교를 통해, 본 발명의 샘플이 게터 합금만을 증착하여 얻을 수 있는 것보다 훨씬 더 큰 특정 표면을 갖는 특징을 나타냄을 알 수 있다. 대신, 샘플 1 및 3에 관련된 곡선들간의 결과의 차이는, 활성화가 동일한 온도에서 두개의 물질들에 대해 발생할 때, 게터 합금에 비해 티타늄에서 더 낮은 활성화도를 나타낼 수 있음을 보여준다. 더 낮은 활성화도는 더 낮은 표면 "청결도(cleanness)"를 의미하므로, 가스 흡착에 이용가능한 지점들의 개수가 감소된다.
곡선 4 및 5의 비교를 통해, 본 발명의 이중-적층된 증착물들에서, 낮은 활성화 온도의 NEG 합금의 상부층으로부터 하부층으로, 흡착되는 종의 효과적인 전이가 있음을 알 수 있다. 상기 2개의 테스트되는 샘플들은 정확히 동일한 조건들에서 제조되고, 유일한 차이점은 곡선 5의 샘플이 샘플 4보다 2배만큼의 티타늄을 포함한다는 것이다. 주지할 수 있는 바와 같이, 2개의 곡선들은 동일한 초기 수착율을 가지므로, 테스트 시작시에 2개의 샘플들이 특정 영역 및 활성화도에서 필수적으로 동일하다(예상할 수 있는 것처럼). 그러나, 샘플 4는 실시예 1의 샘플의 수용량의 약 절반인 전체 수용량을 나타낸다. 이러한 성질은 합금 증착물 하부의 티타늄 증착물이 테스트 온도에서 흡착에 관여하는 사실의 징후로서 설명될 수 있다.
테스트 결과들로서 보고된 상기한 분석으로부터, 본 발명의 다층 증착물들이 마치 단일 물질의 증착물인 것처럼 작용하고, 각 증착물의 특성은 두 개의 컴포넌트 층들의 해당 특성, 즉 더 낮은 활성화 온도(제 2 층(12)의 특성)와 큰 표면적(제 1 층(11)의 특성)을 갖는 존재 물질의 활성화 온도 특성보다 더 향상된 것이며, 상기 증착물은 실온에서 높은 흡착력을 갖는다(게터 합금들만의 증착물들로 얻을 수 없음). 제 2 층(12)에 의한 제 1 층(11) 형태의 반복(replication)은 예상할 수 있지만, 본 발명의 다층들에서 더 낮은 활성화 온도의 물질이 이러한 특성을 전체 다층으로 전달할 수 있다는 것은 절대 예상할 수 없던 것이다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 음극 증착에 의해 얻어지는 비-증발성 게터 다층 증착물 및 그 제조 방법에 의하면, 특히 음극 증착에 의해 얻어지는 낮은 활성화 온도 및 큰 표면적을 갖는 NEG 물질 증착물들을 제공할 수 있는 효과가 있다.

Claims (18)

  1. 낮은 활성화 온도와 큰 표면적을 갖는 비-증발성 게터 물질들의 다층 증착물로서,
    지지체(10)상에 2 개 이상의 층들을 포함하고,
    상기 2 개 이상의 층들은,
    상기 지지체 상부에 직접 증착되고, 기하학적 면적의 20배 이상에 해당하는 표면적(Re > 20)을 갖는 비-증발성 게터 물질로 이루어지는 제 1 층(11), 및
    상기 제 1 층 상부에, 300 ℃ 이하의 활성화 온도를 갖는 비-증발성 게터 합금으로 이루어고 1㎛ 이하의 두께를 갖는, 적어도 제 2 층(12)을 포함하며,
    상기 층들 중의 어느 하나는 상기 제 1 층과 제 2 층의 증착에서 발생하는 반응성 가스들에 상기 제 1 층의 물질이 노출됨이 없이 음극 증착에 의해 얻어지는 다층 증착물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 층의 게터 물질은, 지르코늄, 티타늄, 니오븀, 탄탈, 바나듐, 하프늄, 및 Zr-Co-A 합금 중에서 선택되며, 상기 A는 이트륨, 란탄, 희토류들 또는 이들의 혼합물들인 것을 특징으로 하는 다층 증착물.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 층의 게터 합금은 70 중량%의 Zr - 24.6 중량%의 V - 5.4 중량%의 Fe의 조성비를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 증착물.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 층의 게터 합금은 Zr; V; 그리고 Fe, Ni, Mn과 Al 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 원소들을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 증착물.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 층의 게터 합금은, 80중량%의 Zr - 15중량%의 CO - 5중량%의 A의 조성비를 가지며, 여기서 A는 이트륨, 란탄, 희토류들 또는 이들의 혼합물들을 나타내고, 상기 제 1 층의 물질은 Zr-CO-A 합금과 다른 것을 특징으로 하는 다층 증착물.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 층의 게터 합금은 Zr-Ti-V 합금인 것을 특징으로 하는 다층 증착물.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 합금은 44중량%의 Zr - 23중량%의 Ti - 33중량%의 V의 조성비를 갖는 것을 특징으로 하는 다층 증착물.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 층의 게터 합금은 ZrV2인 것을 특징으로 하는 다층 증착물.
  12. 삭제
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 층(11)과 접촉되는 표면에 대향되는 상기 제 2 층(12)의 표면상에 증착되며, 팔라듐 또는 그 화합물로 이루어진, 연속적인 층(13) 또는 비연속적인 층(14, 14', 14'',...)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 증착물.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 제 1 항에 따른 다층 증착물을 제조하는 방법으로서,
    기하학적 면적의 20배 이상에 해당하는 표면적을 갖는 비-증발성 게터 물질로 이루어진 제 1 층(11)을 지지체(10)상에 음극 증착에 의해 증착하는 단계; 및
    300℃ 미만의 활성화 온도를 갖는 비-증발성 게터 합금으로 이루어지며, 1㎛ 이하의 두께를 갖는, 적어도 제 2 층(12)을 상기 제 1 층 상부에 음극 증착에 의해 증착하는 단계를 포함하며,
    상기 2개의 증착 단계들에서, 상기 제 1 층의 물질이 이와 반응할 수 있는 가스 종에 노출되지 않는 방식으로 작용하는, 다층 증착물 제조 방법.
  18. 삭제
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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITMI20041443A1 (it) 2004-07-19 2004-10-19 Getters Spa Processo per la produzione di schermi al plasma con materiale getter distribuito e schermi cosi'ottenuti
US8160697B2 (en) 2005-01-25 2012-04-17 Cameron Health, Inc. Method for adapting charge initiation for an implantable cardioverter-defibrillator
WO2006089068A2 (en) * 2005-02-17 2006-08-24 Saes Getters S.P.A. Flexible multi-layered getter
JP4327747B2 (ja) * 2005-02-21 2009-09-09 双葉電子工業株式会社 非蒸発ゲッターを備えた電子デバイス及びその電子デバイスの製造方法
ITMI20050616A1 (it) 2005-04-12 2006-10-13 Getters Spa Processo per la formazione di depositi getter miniaturizzati e depositi getrter cosi'ottenuti
GB0523838D0 (en) * 2005-11-23 2006-01-04 Oxford Instr Analytical Ltd X-Ray detector and method
EP1821328A1 (en) 2006-02-10 2007-08-22 Nanoshell Materials Research & Development GmbH Metallic dendritic gas sorbents and method for producing the same
WO2008033560A2 (en) * 2006-09-15 2008-03-20 Saes Getters S.P.A. Metal getter systems
JP2008135690A (ja) * 2006-10-30 2008-06-12 Denso Corp 半導体力学量センサおよびその製造方法
JP2009522104A (ja) * 2006-12-15 2009-06-11 ビ−エイイ− システムズ パブリック リミテッド カンパニ− 薄膜ゲッタ装置に関する改善
JP4820783B2 (ja) * 2007-07-11 2011-11-24 昭和電工株式会社 磁気記録媒体の製造方法および製造装置
FR2922202B1 (fr) * 2007-10-15 2009-11-20 Commissariat Energie Atomique Structure comportant une couche getter et une sous-couche d'ajustement et procede de fabrication.
DE102007050289A1 (de) * 2007-10-18 2009-04-23 Heraeus Noblelight Gmbh Carbonstrahler mit Getter
EP2071188A1 (en) * 2007-12-10 2009-06-17 VARIAN S.p.A. Device for the deposition of non-evaporable getters (NEGs) and method of deposition using said device
US9200359B2 (en) * 2008-03-12 2015-12-01 Acktar Ltd. Thin-layered structure
FR2933389B1 (fr) 2008-07-01 2010-10-29 Commissariat Energie Atomique Structure a base d'un materiau getter suspendu
US7910992B2 (en) 2008-07-15 2011-03-22 Maxim Integrated Products, Inc. Vertical MOSFET with through-body via for gate
DE102008060796B4 (de) * 2008-11-18 2014-01-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Ausbilden einer Mikro-Oberflächenstruktur sowie zum Herstellen eines mikroelektromechanischen Bauelements, Mikro-Oberflächenstruktur sowie mikroelektromechanisches Bauelement mit einer solchen Struktur
ITMI20090410A1 (it) * 2009-03-18 2010-09-19 Getters Spa Leghe getter non evaporabili adatte particolarmente per l'assorbimento di idrogeno
CN101987396B (zh) * 2009-07-31 2014-02-19 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 锆基块体非晶合金激光焊接方法及焊接结构
JP2011204594A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Canon Inc 電界放出ディスプレイ用の非蒸発型ゲッター
JP5290238B2 (ja) 2010-05-21 2013-09-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子顕微鏡
CN102205228B (zh) * 2010-05-27 2013-05-08 福建赛特新材股份有限公司 用于维持中低真空环境的复合吸气剂及其制备方法
CN102534489A (zh) * 2010-12-30 2012-07-04 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 镀膜件及其制造方法
FR2976932A1 (fr) * 2011-06-23 2012-12-28 Commissariat Energie Atomique Structure a materiau getter protege hermetiquement lors de sa realisation
RU2474912C1 (ru) * 2011-08-23 2013-02-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) Способ получения газопоглощающей структуры
ITMI20111870A1 (it) * 2011-10-14 2013-04-15 Getters Spa Composizioni di getter non evaporabili che possono essere riattivate a bassa temperatura dopo l'esposizione a gas reattivi ad una temperatura maggiore
GB201203216D0 (en) * 2012-02-24 2012-04-11 Teer Coatings Ltd High surface area (HSA) coatings and method for forming the same
ITMI20120872A1 (it) * 2012-05-21 2013-11-22 Getters Spa Leghe getter non evaporabili particolarmente adatte per l'assorbimento di idrogeno e azoto
RU2513563C2 (ru) * 2012-08-17 2014-04-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") Спеченный неиспаряющийся геттер
RU2523718C2 (ru) * 2012-11-20 2014-07-20 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) Нанокомпозитная газопоглощающая структура и способ ее получения
WO2014129666A1 (ja) * 2013-02-25 2014-08-28 京セラ株式会社 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
RU2603414C1 (ru) * 2015-08-05 2016-11-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ") Способ получения антифреттингового покрытия
DE102016123146A1 (de) * 2016-06-03 2017-12-07 Movatec Gmbh Vakuumgerät und Verfahren zur Beschichtung von Bauteilen
RU2669259C2 (ru) * 2016-12-09 2018-10-09 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" Устройство для получения пленок
WO2018112291A1 (en) 2016-12-15 2018-06-21 Whirlpool Corporation Getter activation under vacuum
KR102042894B1 (ko) * 2017-08-28 2019-11-08 한양대학교 에리카산학협력단 박막 게터, 및 그 제조 방법
CN108249386B (zh) * 2018-01-23 2020-09-08 苏州大学 激活温度可控的非蒸散型薄膜吸气剂及其应用
CN108660338A (zh) * 2018-05-18 2018-10-16 南京华东电子真空材料有限公司 一种应用于真空电子元器件的锆铌铁合金及制备方法
CN108531877B (zh) * 2018-06-06 2020-01-10 中国科学院高能物理研究所 一种TiZrVHf四元吸气剂薄膜
CN109680249A (zh) * 2019-01-25 2019-04-26 苏州大学 非蒸散型薄膜吸气剂及其制备方法
CN113337800A (zh) * 2020-03-02 2021-09-03 杭州海康微影传感科技有限公司 薄膜吸气剂及其制备方法
CN113322407B (zh) * 2021-05-28 2021-12-07 西安建筑科技大学 一种氧化物强化低活化钢及其制造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6110808A (en) * 1998-12-04 2000-08-29 Trw Inc. Hydrogen getter for integrated microelectronic assembly
US6554970B1 (en) * 1997-02-26 2003-04-29 Organisation Europeenne Pour La Recherche Nucleaire Arrangement and method for improving vacuum in a very high vacuum system
KR20040013091A (ko) * 2001-07-06 2004-02-11 소니 가부시끼 가이샤 비증발형 게터, 표시장치 및 이들의 제조방법

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3620645A (en) * 1970-05-01 1971-11-16 Getters Spa Getter device
NL7315641A (nl) 1973-11-15 1975-05-20 Philips Nv Hogedrukgasontladingslamp.
US4055686A (en) * 1976-02-20 1977-10-25 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method of forming metal hydride films
IT1110271B (it) * 1979-02-05 1985-12-23 Getters Spa Lega ternaria getterante non evaporabile e metodo di suo impiego per l'assorbimento di acqua,vapore d'acqua,di altri gas
US4996002A (en) * 1987-11-30 1991-02-26 Ergenics, Inc. Tough and porus getters manufactured by means of hydrogen pulverization
US4977035A (en) * 1989-03-03 1990-12-11 Ergenics, Inc. Getter strip
US4925741A (en) * 1989-06-08 1990-05-15 Composite Materials Technology, Inc. Getter wire
US5453659A (en) * 1994-06-10 1995-09-26 Texas Instruments Incorporated Anode plate for flat panel display having integrated getter
TW287117B (ko) * 1994-12-02 1996-10-01 Getters Spa
US5908579A (en) * 1994-12-02 1999-06-01 Saes Getters, S.P.A. Process for producing high-porosity non-evaporable getter materials and materials thus obtained
FR2750248B1 (fr) * 1996-06-19 1998-08-28 Org Europeene De Rech Dispositif de pompage par getter non evaporable et procede de mise en oeuvre de ce getter
US5688708A (en) * 1996-06-24 1997-11-18 Motorola Method of making an ultra-high vacuum field emission display
US5701008A (en) * 1996-11-29 1997-12-23 He Holdings, Inc. Integrated infrared microlens and gas molecule getter grating in a vacuum package
IT1290451B1 (it) * 1997-04-03 1998-12-03 Getters Spa Leghe getter non evaporabili
JP3439629B2 (ja) * 1997-05-19 2003-08-25 象印マホービン株式会社 低温活性ゲッター及びその製造方法
US6499354B1 (en) * 1998-05-04 2002-12-31 Integrated Sensing Systems (Issys), Inc. Methods for prevention, reduction, and elimination of outgassing and trapped gases in micromachined devices
JP3518855B2 (ja) * 1999-02-26 2004-04-12 キヤノン株式会社 ゲッター、ゲッターを有する気密容器および画像形成装置、ゲッターの製造方法
IT1312248B1 (it) * 1999-04-12 2002-04-09 Getters Spa Metodo per aumentare la produttivita' di processi di deposizione distrati sottili su un substrato e dispositivi getter per la
AU5102600A (en) 1999-06-02 2000-12-28 Saes Getters S.P.A. Composite materials capable of hydrogen sorption independently from activating treatments and methods for the production thereof
IT1318937B1 (it) 2000-09-27 2003-09-19 Getters Spa Metodo per la produzione di dispositivi getter porosi con ridottaperdita di particelle e dispositivi cosi' prodotti
JP2002117839A (ja) 2000-10-12 2002-04-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非水電解液二次電池用負極の製造法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6554970B1 (en) * 1997-02-26 2003-04-29 Organisation Europeenne Pour La Recherche Nucleaire Arrangement and method for improving vacuum in a very high vacuum system
US6110808A (en) * 1998-12-04 2000-08-29 Trw Inc. Hydrogen getter for integrated microelectronic assembly
KR20040013091A (ko) * 2001-07-06 2004-02-11 소니 가부시끼 가이샤 비증발형 게터, 표시장치 및 이들의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
CA2467790C (en) 2011-07-19
CN100381603C (zh) 2008-04-16
JP4065440B2 (ja) 2008-03-26
BRPI0401946A (pt) 2005-02-01
US20090004502A1 (en) 2009-01-01
HK1072784A1 (en) 2005-09-09
CN1572898A (zh) 2005-02-02
EP1518599B1 (en) 2009-02-11
JP2005000916A (ja) 2005-01-06
RU2277609C2 (ru) 2006-06-10
US20040253476A1 (en) 2004-12-16
EP1518599A3 (en) 2005-07-13
DE602004019367D1 (de) 2009-03-26
EP1518599A2 (en) 2005-03-30
MY140457A (en) 2009-12-31
ES2319989T3 (es) 2009-05-18
SG116556A1 (en) 2005-11-28
DK1518599T3 (da) 2009-05-04
US7745014B2 (en) 2010-06-29
RU2004117768A (ru) 2006-01-10
US7413814B2 (en) 2008-08-19
KR20040106234A (ko) 2004-12-17
CA2467790A1 (en) 2004-12-11
ITMI20031178A0 (it) 2003-06-11
ITMI20031178A1 (it) 2004-12-12
ATE422561T1 (de) 2009-02-15
TWI293335B (en) 2008-02-11
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