RU2669259C2 - Устройство для получения пленок - Google Patents

Устройство для получения пленок Download PDF

Info

Publication number
RU2669259C2
RU2669259C2 RU2017129614A RU2017129614A RU2669259C2 RU 2669259 C2 RU2669259 C2 RU 2669259C2 RU 2017129614 A RU2017129614 A RU 2017129614A RU 2017129614 A RU2017129614 A RU 2017129614A RU 2669259 C2 RU2669259 C2 RU 2669259C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
spraying
substrate
target
damper
substrate holder
Prior art date
Application number
RU2017129614A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2017129614A (ru
RU2017129614A3 (ru
Inventor
Константин Геннадьевич Балымов
Original Assignee
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" filed Critical Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина"
Priority to RU2017129614A priority Critical patent/RU2669259C2/ru
Publication of RU2017129614A publication Critical patent/RU2017129614A/ru
Publication of RU2017129614A3 publication Critical patent/RU2017129614A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2669259C2 publication Critical patent/RU2669259C2/ru

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области ионно-плазменного напыления многослойных пленок, в частности к устройству для получения многослойных пленок. Устройство содержит экранированную катод-мишень и подложкодержатель, расположенный в горизонтальном магнитном поле. При распылении центр подложки перемещают вращением от центра одного отверстия с распыляемым материалом к другому посредством воздействия управляемого программой шагового двигателя, при этом конечные положения над мишенью устанавливают при совпадении с установленными датчиками положения. При этом положение (открывание или закрывание) заслонки определяют воздействием другого управляемого двигателя. Технический результат - получение идентичных многослойных пленок с различными свойствами слоев и расширение технологических возможностей. 2 ил.

Description

Устройство для получения многослойных пленок относится к области ионно-плазменного напыления тонких слоев материалов в вакууме. Такого рода материалы, например, обладающие магниторезистивным эффектом, могут применяться в магнитной записи, для создания магнитных датчиков счета меток, определения положения объекта, скорости движения объекта и других применений.
Подобные устройства можно представить, например, по типу организации расположения мишеней относительно подложки, а именно: мишени расположены на отдельных распылительных модулях, ровно как можно использовать для расположения всех мишеней один распылительный блок.
Так известно устройство для напыления в котором несколько распылительных блоков с мишенями расположены по окружности под подложкой, имеющей возможность вращаться (URL http://www.nanophys.kth.se/nanophys/facilitics/nfl/aja/manuals-pdf/PhaseIIJ_REV_1.pdf, найдено в интернете 6.09.2016, сайт производителя установок напыления: www.ajaint.com).
Здесь на каждый распылительный блок магиетронного типа с мишенью подается свое напряжение. Необходимо контролировать несколько распылительных блоков, чтобы поддерживать распылительный процесс. При переходе от одной мишени к другой закрывают и открывают соответствующую заслонку, для работы которых используют пневматику. Несмотря на такую сложность конструкции, устройство показывает хорошую работоспособность при получении многослойных пленок.
Кроме того, известно техническое решение (US 6811662, С23С 14/34, С23С 14/35, С25 В 11/00, от 22.08.2003), в котором для создания разных слоев последовательно; напыляют материал с разных мишеней в одном технологическом цикле. При этом используют для распыления устройство магнетронного типа с подачей на мишени как постоянного напряжения, так и радиочастотного переменного напряжения. Недостаток этого решения состоит в необходимости использования для напыления каждого слоя, в том числе и магнитного, отдельной мишени и отдельного магнетрона.
В другом техническом решении, являющимся наиболее близким к заявляемому, мишени с распыляемыми материалами располагают на катод-мишени большого диаметра и разделяют перегородками образующими разделенные друг от друга сектора, так что распыляемый материал соседних мишеней не попадает на подложку, расположенную над заданной мишенью (патент RU №2451769, С23С 14/34 С23С 14/54, от 22.12.2009). На катод-мишень, расположенный в горизонтальном магнитном поле, подают высокочастотное напряжение и распыляющий газ из системы контролируемого напуска. Здесь контролируют только одну величину напряжения на катоде-мишени. Управление процессом напыления проводят в ручном режиме: открытие заслонки, перемещение подложки из одного сектора в другой, закрытие заслонки или прекращение подачи напряжения на катод-мишень. Это может привести к соответствующему разбросу параметров в напыляемых многослойных пленках. Кроме того, процесс получения становится достаточно трудоемким, особенно при напылении большого количества слоев.
Поэтому необходимо провести усовершенствование описанного выше устройства для устранения вышеописанных недостатков.
Техническим результатом предлагаемого решения является возможность на базе описанного устройства ионно-плазменного напыления пленок получать идентичные по параметрам образцы, расширив имеющиеся технологические возможности и сократив трудоемкость получения их при использовании улучшенного устройства ионно-плазменного распыления.
Технический результат достигается тем, что в устройство для получения многослойных пленок, содержащее систему контролируемого напуска распыляющего газа, экранированную катод-мишень, расположенную в горизонтальном магнитном поле, подложкодержатель, экран имеющим отверстия над каждой мишенью распыляемого материала с изолированной перегородкой, позволяющей секторально разделить распыляемые материалы, введены следующие дополнения:
- при распылении центр подложки перемещают вращением от центра одного отверстия с распыляемым материалом к другому посредством воздействия блока управления вращением (БУВ), при этом конечные положения над мишенью устанавливаются при совпадении с установленными датчиками положения,
- перевод заслонки после предварительного распыления мишени (положение «закрыто») в начале процесса напыления в положение заслонки «открыто» выполняют БУВ. посредством воздействия на соответствующий двигатель с контролем датчиком положения заслонки; соответственно в конце процесса выполняют закрытие подложки от материала распыляемой мишени. Кроме того, процесс напыления можно прекратить и отключением подачи напряжения на мишень в соответствии с шагами, заложенными в программу.
Эксперименты по напылению многослойных магнитных пленок проводят с помощью устройства ионно-плазменного распыления, схематично представленного на фиг. 1, где на 1а схематично показан устройство для напыления с вводимыми дополнениями конструкции, а 1б приведен схематичный вид перегородок над мишенями и вращение заслонки.
Здесь на рисунке 1а в схеме расположения основных элементов блок управления вращением (БУВ) предназначен для автоматизации процесса напыления на ионно-плазменной установке. Под колпаком напылительной установки (1) располагают камеру распыления (2), разделенную на три сектора (фиг. 1б). В каждом секторе камеры в присутствии горизонтального магнитного поля (NS) производят распыление конкретной мишени (заданного элементного состава). Атомы распыляемых мишеней осаждают на подложке, расположенной на подложкодержателе (3). Подложкодержатель (3) фиксируют в одном из трех положений, относительно секторов, как показано на фиг. 1а. При этом подложку всегда располагают непосредственно над одной из трех мишеней. Поворот подложкодержателя в фиксированное положение (сектор) осуществляют блоком управления вращением (4) с помощью шагового двигателя (5) и датчика положения (6). Датчик положения (6) имеет подстраиваемое крепление, позволяющее предварительно вручную настраивать положение подложки относительно центра мишени. Закрытие подложки от потока осаждаемых атомов осуществляют с помощью заслонки (7), управление которой осуществляют БУВ с помощью шагового двигателя (8) и датчика положения (9). Управление шаговыми двигателями БУВ осуществляют с помощью компьютера (10) с соответствующим программным обеспечением.
Работа устройства происходит следующим образом.
На подготовительном этапе выполняют следующую последовательность операций:
- включают управляющий процессом компьютер (10);
- далее следует включить питание Блока Управления Вращением (БУВ) (4);
- затем следует запустить программное обеспечение. На экране монитора раскрывается окно программы напыления (для примера 3-х мишеней показано на фиг.2). которое включаем в себя S1, S2, S3 - обозначение секторов мишеней, элементный состав мишеней, скорость распыления каждой мишени, программу напыления слоев, время напыления. Кроме того, в окне присутствуют элементы управления процессом: кнопки типа «Старт», оповещения об окончании процесса напыления и возможность ввода данных в журнал напылений.
С помощью БУВ, программного обеспечения и датчика (6) автоматически определяют положение подложки (3) и устанавливают в заданное начальное положение (над одним из секторов напыления). Затем с помощью шагового двигателя (8) и датчика положения (9) автоматически определяют положение заслонки (7) и устанавливают в заданное начальное положение закрытых мишеней для отсчета необходимого перемещения для открытия мишеней.
После определенного времени предварительного распыления мишени, процесс получение многослойной (однослойной) пленки проходит следующим образом: в соответствующей графе программного обеспечения указывают тип мишени (элементный состав), находящейся в конкретном секторе распыления; зачем в соответствующую графу программного обеспечения вводят заранее известную скорость напыления для конкретного сектора распыления; потом составляют программу напыления слоев с помощью имеющегося программного обеспечения. В соответствие с очередностью слоев напыляемой пленочной структуры формируется список заданий для БУВ. Количество заданий определяется количеством напыляемых слоев, и включает выбор соответствующего сектора распыления (мишени) и необходимую толщину; после чего нажимают кнопка «Старт».
Программное обеспечение осуществляет поворот подложки в первый в списке сектор распыления, в соответствии с составленной программой напыления. Далее производят открытие заслонки, в результате происходит напыление на подложку. Напыление осуществляют до тех пор, пока сформируется слой нужной толщины. В случае получения многослойной пленки, по завершению формирования первого слоя нужной толщины, программное обеспечение переводит подложку в следующий в списке сектор для осаждения нового слоя. По завершении напыления многослойной (однослойной) пленки заслонку закрывают, подложка перемещается в исходное положение. Программное обеспечение процесса напыления может быть выключено. При его выключении остается возможность ручного перемещения заслонки для выполнения технологических манипуляций на катод-мишени.
Таким образом, преимуществом предлагаемого устройства является возможность получать идентичные по свойствам структуры, существенно расширив применением описанных дополнений технологические возможности существующего напылительного оборудования.

Claims (1)

  1. Устройство для получения многослойных пленок, содержащее камеру распыления, подложкодержатель, средство для создания горизонтального магнитного поля, катод-мишень с экраном, имеющим отверстия над каждой мишенью распыляемого материала, заслонку для отделения подложки от распыляемого материала, отличающееся тем, что камера распыления выполнена разделенной перегородками на сектора для разделения распыляемых материалов мишеней при распылении, при этом заслонка снабжена двигателем вращения, подложкодержатель выполнен с возможностью вращения и снабжен двигателем, а устройство снабжено датчиками фиксирования конечного положения подложкодержателя, датчиком положения заслонки и блоком управления двигателями вращения, который во время распыления, воздействуя на двигатель заслонки и двигатель подложкодержателя, перемещает центр подложки от центра одного отверстия в экране к другому, фиксируя при этом конечные положения подложки над мишенью по установленным датчикам положения, а положение заслонки, соответствующее ее открытому или закрытому положению относительно мишеней, обеспечивается с помощью блока управления двигателями вращения с использованием датчика положения заслонки.
RU2017129614A 2016-12-09 2016-12-09 Устройство для получения пленок RU2669259C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017129614A RU2669259C2 (ru) 2016-12-09 2016-12-09 Устройство для получения пленок

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017129614A RU2669259C2 (ru) 2016-12-09 2016-12-09 Устройство для получения пленок

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2017129614A RU2017129614A (ru) 2018-06-13
RU2017129614A3 RU2017129614A3 (ru) 2018-06-13
RU2669259C2 true RU2669259C2 (ru) 2018-10-09

Family

ID=62619408

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017129614A RU2669259C2 (ru) 2016-12-09 2016-12-09 Устройство для получения пленок

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2669259C2 (ru)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05251259A (ja) * 1992-03-06 1993-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜積層コンデンサの製造方法
JPH10121241A (ja) * 1996-10-17 1998-05-12 Nec Corp 真空蒸着装置
US6328856B1 (en) * 1999-08-04 2001-12-11 Seagate Technology Llc Method and apparatus for multilayer film deposition utilizing rotating multiple magnetron cathode device
RU2270881C2 (ru) * 2000-09-22 2006-02-27 Дженерал Электрик Компани Система для изготовления массива материалов с покрытиями (варианты)
RU2277609C2 (ru) * 2003-06-11 2006-06-10 Саес Геттерс С.П.А. Многослойные покрытия из неиспаряющегося геттера, получаемые катодным осаждением, и способ их изготовления
US20090294280A1 (en) * 2007-01-09 2009-12-03 Ulvac, Inc. Multilayer Film Forming Method and Multilayer Film Forming Apparatus
RU2451769C2 (ru) * 2009-12-22 2012-05-27 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н.Ельцина" Способ, устройство для получения многослойных пленок и многослойная структура, полученная с их использованием
JP5251259B2 (ja) * 2008-05-27 2013-07-31 マツダ株式会社 バックドア構造

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05251259A (ja) * 1992-03-06 1993-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜積層コンデンサの製造方法
JPH10121241A (ja) * 1996-10-17 1998-05-12 Nec Corp 真空蒸着装置
US6328856B1 (en) * 1999-08-04 2001-12-11 Seagate Technology Llc Method and apparatus for multilayer film deposition utilizing rotating multiple magnetron cathode device
RU2270881C2 (ru) * 2000-09-22 2006-02-27 Дженерал Электрик Компани Система для изготовления массива материалов с покрытиями (варианты)
RU2277609C2 (ru) * 2003-06-11 2006-06-10 Саес Геттерс С.П.А. Многослойные покрытия из неиспаряющегося геттера, получаемые катодным осаждением, и способ их изготовления
US20090294280A1 (en) * 2007-01-09 2009-12-03 Ulvac, Inc. Multilayer Film Forming Method and Multilayer Film Forming Apparatus
JP5251259B2 (ja) * 2008-05-27 2013-07-31 マツダ株式会社 バックドア構造
RU2451769C2 (ru) * 2009-12-22 2012-05-27 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н.Ельцина" Способ, устройство для получения многослойных пленок и многослойная структура, полученная с их использованием

Also Published As

Publication number Publication date
RU2017129614A (ru) 2018-06-13
RU2017129614A3 (ru) 2018-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20020176097A1 (en) Apparatus and method for thin film deposition onto substrates
CN105887020A (zh) 多蒸发源镀膜装置及其镀膜方法
TW201042067A (en) Sputtering apparatus, double rotary shutter unit, and sputtering method
JP2012512321A5 (ru)
US10363537B2 (en) Deposition tool for combinatorial thin film material libraries
US20130101749A1 (en) Method and Apparatus for Enhanced Film Uniformity
TWI500792B (zh) Control apparatus and a film forming method of a sputtering apparatus, a sputtering apparatus
RU2669259C2 (ru) Устройство для получения пленок
CN204369977U (zh) 一种磁控溅射真空电子束蒸镀系统
CN108315704A (zh) 一种磁控溅射光学镀膜设备及镀膜方法
US20160247667A1 (en) Sputtering apparatus
CN211771528U (zh) 制备高通量薄膜的磁控溅射装置
CN204369970U (zh) 一种可磁控溅射真空蒸镀系统
CN209619442U (zh) 双离子束共溅射纳米膜设备
US20140174907A1 (en) High Deposition Rate Chamber with Co-Sputtering Capabilities
CN106939409A (zh) 一种多离子源溅射生产薄膜的装置及方法
CN206887217U (zh) 传输结构及物理气相沉积设备
US20130146451A1 (en) Magnetic Confinement and Directionally Driven Ionized Sputtered Films For Combinatorial Processing
JP4418179B2 (ja) 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
JP2003073823A (ja) スパッタ方法及びスパッタ装置
CN111004999B (zh) 制备高通量薄膜的磁控溅射装置及其制备高通量薄膜的制备方法
CN108103446A (zh) 一种基于pvd的表面梯度薄膜制备装置
JP2005008956A5 (ja) 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
EP2868768A1 (en) Shutter system
JPS63290261A (ja) 膜形成装置のシヤツタ機構