RU2277609C2 - Многослойные покрытия из неиспаряющегося геттера, получаемые катодным осаждением, и способ их изготовления - Google Patents

Многослойные покрытия из неиспаряющегося геттера, получаемые катодным осаждением, и способ их изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2277609C2
RU2277609C2 RU2004117768/02A RU2004117768A RU2277609C2 RU 2277609 C2 RU2277609 C2 RU 2277609C2 RU 2004117768/02 A RU2004117768/02 A RU 2004117768/02A RU 2004117768 A RU2004117768 A RU 2004117768A RU 2277609 C2 RU2277609 C2 RU 2277609C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
multilayer coating
getter
coating according
alloy
Prior art date
Application number
RU2004117768/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2004117768A (ru
Inventor
Андреа КОНТЕ (IT)
Андреа КОНТЕ
Марко МОРАЯ (IT)
Марко МОРАЯ
Original Assignee
Саес Геттерс С.П.А.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Саес Геттерс С.П.А. filed Critical Саес Геттерс С.П.А.
Publication of RU2004117768A publication Critical patent/RU2004117768A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2277609C2 publication Critical patent/RU2277609C2/ru

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/01Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/16Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C16/00Alloys based on zirconium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/02Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
    • C23C28/021Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material including at least one metal alloy layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J7/00Details not provided for in the preceding groups and common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J7/14Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • H01J7/18Means for absorbing or adsorbing gas, e.g. by gettering
    • H01J7/183Composition or manufacture of getters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/02631Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12479Porous [e.g., foamed, spongy, cracked, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12535Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
    • Y10T428/12611Oxide-containing component
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771Transition metal-base component
    • Y10T428/12806Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771Transition metal-base component
    • Y10T428/12806Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
    • Y10T428/12812Diverse refractory group metal-base components: alternative to or next to each other
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771Transition metal-base component
    • Y10T428/12806Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
    • Y10T428/12819Group VB metal-base component
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771Transition metal-base component
    • Y10T428/12861Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12875Platinum group metal-base component
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12986Adjacent functionally defined components
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12993Surface feature [e.g., rough, mirror]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

Изобретение относится к многослойным покрытиям из неиспаряющихся геттерных материалов и к способу их изготовления. Многослойное покрытие из неиспаряющихся геттерных материалов содержит по меньшей мере два слоя на подложке. Первый слой, нанесенный непосредственно на подложку, состоит из неиспаряющегося геттерного материала, имеющего площадь поверхности, эквивалентную по меньшей мере 20-кратному значению его геометрической площади. Расположенный на первом слое по меньшей мере второй слой толщиной не более 1 мкм состоит из неиспаряющегося геттерного сплава с низкой температурой активации. Нанесенные слои получены катодным осаждением. Предложен также способ изготовления вышеупомянутого многослойного покрытия. Техническим результатом изобретения является создание геттерного материала, обладающего высокими показателями поглощения при комнатной температуре. 2 н. и 16 з.п. ф-лы, 5 ил.

Description

Изобретение относится к многослойным покрытиям из неиспаряющихся геттерных материалов, получаемым катодным осаждением, и к способу их изготовления.
Основные неиспаряющиеся геттерные материалы, также известные в данной области техники как неиспаряющиеся газопоглотители или NEG-материалы (от англ. non-evaporable getter), представляют собой некоторые переходные металлы, такие как Zr, Ti, Nb, Та, V, либо их сплавы или соединения с одним или большим количеством элементов, выбираемых из Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Al, Y, La и редкоземельных элементов, например, двойные сплавы Ti-V, Zr-Al, Zr-V, Zr-Fe, и Zr-Ni, тройные сплавы Zr-V-Fe и Zr-Со-редкоземельные элементы, или многокомпонентные сплавы.
NEG-материалы способны обратимо поглощать (сорбировать) водород и необратимо поглощать такие газы, как кислород, водяной пар, оксиды углерода и, в некоторых случаях, азот. Как следствие, эти материалы используются для поддержания вакуума в тех областях применения, где это требуется, например в промежуточных пространствах с разряженной атмосферой, предназначенных для тепловой изоляции; геттерные материалы могут также использоваться для удаления вышеупомянутых веществ из инертных газов, главным образом благородных газов, например, в газонаполненных лампах, или при изготовлении сверхчистых газов, например, используемых в микроэлектронной промышленности.
Функционирование NEG-материалов основано на химической реакции металлических атомов NEG-материала с атомами вышеупомянутых газообразных веществ. При комнатной температуре вследствие этой реакции на поверхности материала образуются частицы оксида, нитрида или карбида, что, в конечном счете, приводит к созданию пассивирующего слоя, предотвращающего дальнейшее поглощение газа. Пассивирующий слой может быстро образовываться в присутствии значительных количеств газа, например, когда только что изготовленный NEG-материал впервые подвергается воздействию атмосферы, или во время определенных "грязных" этапов изготовления устройств, содержащих этот материал; кроме того, этот слой образуется, хотя и более медленно, в результате самого по себе функционирования NEG-материала, вследствие поглощения газообразных веществ, которые данный материал с течением времени удаляет из атмосферы, находящейся внутри изготовленного устройства. Чтобы обеспечить правильное функционирование NEG-материала в начале его срока службы, требуется активационная термообработка (обычно в условиях вакуума), целью которой является миграция частиц пассивирующего слоя внутрь структуры материала, в результате чего открывается металлическая поверхность, "свежая" и способная поглощать газ. Эта активация может быть полной, в результате возникает поверхность материала, по существу полностью состоящая из металлов, или активация может быть частичной, в результате чего возникает "смешанная" поверхность, состоящая из областей оксидных частиц (или им подобных) и металлических областей; таким образом, может задаваться степень активации (обычно выраженная в процентах), которая будет соответствовать доле "свободных" участков поверхности, то есть металлов в элементарном состоянии и, следовательно, способных реагировать с газами. Прохождение активации может контролироваться за счет температуры и времени процесса; например, степень активации 70% для заданного материала может быть достигнута при помощи обработки в течение получаса при 350°С или в течение 10 часов при 250°С: согласно правилу, обычно выполняющемуся при химических реакциях, влияние температуры на степень прохождения реакции гораздо больше, чем влияние времени. В общем случае, предпочтительной всегда является полная активация NEG-материала, но она может оказаться невозможной при изготовлении некоторых устройств из-за длительности процесса изготовления или из-за того, что устройство не выдержит слишком высоких температур, необходимых для этой цели: в этих случаях производители устройств, содержащих NEG-материалы, удовлетворяются частичной активацией, даже если при этом приходится смириться с более низкими газопоглотительными свойствами (например, более коротким сроком службы NEG-материала). Параметры активационной обработки различаются в соответствии с конкретным материалом и зависят от его физико-химических свойств. Для некоторых материалов полная активационная обработка требует даже очень высоких температур; например, сплав с составом Zr 84% - Al 16% в массовых процентах требует термической обработки при температуре в по меньшей мере 700°С, а предпочтительно - приблизительно 900°С (если не применяются чрезвычайно длительные периоды времени, не приемлемые в промышленном производстве); другие сплавы, например некоторые тройные сплавы Zr-V-Fe, имеют гораздо более низкие температуры активации и могут быть активированы на 100% при приблизительно 350°С за приблизительно один час. В некоторых случаях активационная обработка может периодически повторяться (процессы, называемые реактивацией) в течение срока службы устройства с тем, чтобы восстановить первоначальные газопоглотительные свойства NEG-материала. При последующем описании и в пунктах приложенной формулы изобретения под материалом с "низкой температурой активации" будет подразумеваться материал (металл, интерметаллическое соединение или сплав), который может быть активирован по меньшей мере на 90% путем обработки в течение одного часа при максимальной температуре 300°С.
NEG-материалы могут использоваться в виде дискретных компонентов, например спеченных гранул или порошков этого материала внутри соответствующих контейнеров. В некоторых областях применения по соображениям имеющегося пространства или простоты конструкции требуется использовать NEG-материалы в виде тонких слоев, имеющих в общем случае толщину в десятки или сотни микрон (мкм) и расположенных на внутренней поверхности конечного устройства: NEG-материал может быть нанесен на тонкую подложку, в общем случае металлическую, в последствии приводимую в контакт с поверхностью, но предпочтительно покрытие создается непосредственно на этой поверхности. Примеры использования тонких слоев из NEG-материала рассмотрены в патенте США №5453659, где описаны дисплеи с автоэлектронной (электростатической) эмиссией (известные в данной области техники как FED-дисплеи от англ. Field Emission Display), в которых дискретные и тонкие покрытия из NEG-материала формируют между катодами, испускающими электроны, на анодной пластине дисплея; в патенте США №6468043, где описано покрытие NEG-слоем внутренней поверхности труб, образующих камеру ускорителя частиц; и в патентах США №№5701008 и 6499354, где описано соответственно использование геттерных материалов в микромеханических устройствах и в миниатюрных детекторах инфракрасного излучения (микромеханические или микрооптоэлектронные устройства известны в данной области техники как "микромашины" или МЕМ-устройства). Во всех этих вариантах применения NEG-покрытие (после активации) работает при комнатной температуре.
Наиболее удобной технологией создания NEG-покрытия является катодное осаждение, более известное в данной области техники как ионное распыление. На использовании этой технологии, хорошо известной и широко применяемой при изготовлении тонких слоев, основана вся микроэлектронная промышленность; так как с использованием этой технологии (кроме прочих) также изготавливаются FED-дисплеи и МЕМ-устройства, то по соображениям интеграции производства эта же технология оказывается предпочтительной при изготовлении в этих устройствах слоев из NEG-материала.
Как известно, в технологическом процессе ионного распыления используется вакуумная камера, в которой можно создавать электрическое поле. Внутри камеры размещается мишень (обычно в форме короткого цилиндра) из наносимого материала, а перед ней установлена подложка, на которой должен быть сформирован тонкий слой. В камере сначала создают разрежение, а затем заполняют атмосферой из благородного газа, в обычном случае аргона, с давлением, в общем случае составляющим от приблизительно 0,1 до 1 Па. При приложении разности потенциалов в несколько тысяч вольт между держателями подложки и мишени (так что последняя находится при катодном потенциале) создается плазма из ионов Ar+; эти ионы ускоряются электрическим полем в направлении мишени и в результате соударений вызывают ее эрозию; частицы (в основном атомы или их кластеры), возникшие в результате эрозии мишени, осаждаются на подложку, таким образом образуя тонкий слой. В обычно используемой модификации этого способа на область плазмы накладывается магнитное поле, помогая удерживать саму плазму и улучшая характеристики эрозии катода и образования покрытия; эту модификацию в данной области техники называют "магнетронным распылением". Покрытие может полностью покрывать поверхность подложки с получением единого непрерывного покрытия; в ином случае, при помощи соответствующего маскирования могут быть получены покрытия только на определенных областях подложки.
Однако по различным причинам NEG-покрытия, получаемые до настоящего времени с использованием ионного распыления, не полностью удовлетворяют предъявляемым к ним требованиям в тех областях применения, где данное покрытие должно работать при комнатной температуре.
NEG-покрытия, состоящие из одного единственного металла (и, в частности, покрытия из титана, которые используются наиболее широко) могут быть легко изготовлены ионным распылением с открытой или пористой структурой, что увеличивает эффективную площадь поверхности и, следовательно, первоначальную скорость поглощения (сорбции) газа. Однако для эффективной активации (или реактивации) чистых металлов требуются сравнительно высокие температуры, в основном выше 450°С. В устройствах небольшого размера или миниатюрных устройствах, таких как FED-дисплеи или МЕМ-устройства, где NEG-материал расположен достаточно близко к функциональным или конструктивным элементам устройства, активационная обработка может повредить эти элементы. Например, в случае FED-устройств, в которых NEG-материал обычно расположен в периферийной области, нагрев до приблизительно 400°С может нарушить герметичность уплотнения между двумя образующими дисплей стеклянными деталями, которое изготовлено из стеклянной пасты с низкой температурой плавления; аналогичным образом, обработка при указанных температурах может нарушить уплотнения между двумя кремниевыми деталями, образующими МЕМ-устройства, если эти уплотнения изготовлены, например, из твердых припоев, таких как сплавы на основе серебра, либо сплавы золота-олова или золота-индия.
Некоторые неиспаряющиеся геттерные интерметаллические соединения или сплавы имеют преимущества, заключающиеся в низких температурах их активации согласно данному выше определению, например, приблизительно 300°С или ниже. Однако авторы настоящего изобретения экспериментально определили, что эти имеющие низкую температуру активации материалы при нанесении с помощью ионного распыления образуют тонкие слои, имеющие чрезвычайно плотную морфологическую структуру и, следовательно, сильно уменьшенную эффективную площадь поверхности, обычно эквивалентную нескольким геометрическим площадям покрытия. Такой показатель значительно ограничивает поглощающие свойства покрытия при комнатной температуре, в частности, его первоначальную скорость поглощения и емкость, и делает необходимыми, например, частые реактивации, что может оказаться трудно выполнимым на практике в некоторых областях применения.
Таким образом, известные NEG-покрытия, полученные ионным распылением, имеют плохие характеристики поглощения при комнатной температуре (в частности низкую скорость поглощения), либо температуры активации, несовместимые с некоторыми вариантами применения, в частности миниатюрными устройствами.
Целью настоящего изобретения является преодоление недостатков существующего уровня техники и, в частности, предложение покрытий из NEG-материала, полученных катодным осаждением, которые отличаются низкой температурой активации и большой площадью поверхности.
Эта цель достигается согласно настоящему изобретению, которое в первом своем аспекте предлагает многослойное покрытие из неиспаряющихся геттерных материалов, отличающееся тем, что оно содержит по меньшей мере один первый слой из неиспаряющегося геттерного материала, имеющего площадь поверхности, эквивалентную по меньшей мере 20-кратному значению его геометрической площади, и расположенный на упомянутом первом слое по меньшей мере второй слой толщиной не более 1 мкм из неиспаряющегося геттерного сплава с низкой температурой активации, при этом оба упомянутых слоя получены катодным осаждением и при отсутствии какого-либо воздействия на материал первого слоя реакционных газов, происходящего между нанесением этих двух слоев.
Под термином "геттерный сплав" (или NEG-сплав) в том виде, как он используется выше, в последующем описании и в пунктах приложенной формулы изобретения, также подразумеваются составы, соответствующие интерметаллическим соединениям, таким как, например, ZrV2; причина заключается в том, что при нанесении ионным распылением тонких слоев материала с составом, соответствующим интерметаллиду, трудно получить упорядоченную структуру, типичную для этих соединений, и в результате, в противоположность этому, получается почти аморфная или иная неупорядоченная структура, типичная для сплавов.
Многослойные покрытия согласно настоящему изобретению таковы, что слой, образованный NEG-сплавом с низкой температурой активации, в конечном устройстве обращен непосредственно в пространство, в котором должно поддерживаться разрежение или в котором присутствует очищаемый газ.
Авторы настоящего изобретения неожиданно обнаружили, что многослойное покрытие, полученное ионным распылением, такое как описанное выше, имеет очень большую эффективную площадь поверхности в сочетании со свойствами (в частности, температурой активации), типичными для некоторых NEG-сплавов. Другими словами, многослойные покрытия согласно данному изобретению работают не как простая сумма слоев двух (или более) компонентов, а как один единый монокомпонентный слой, свойства которого являются объединением лучших свойств различных имеющихся слоев.
Далее настоящее изобретение будет описано со ссылкой на чертежи, из которых:
- на Фиг.1 схематично изображено поперечное сечение NEG-полислоя согласно настоящему изобретению;
- на Фиг.2 и 3 схематично изображено поперечное сечение возможных альтернативных вариантов реализации настоящего изобретения;
- на Фиг.4 изображены графики, демонстрирующие газопоглотительные свойства многослойных покрытий согласно настоящему изобретению и покрытий, образованных одним единственным NEG-материалом и соответствующих известному уровню техники;
- на Фиг.5 изображены два графика, демонстрирующие газопоглотительные свойства двух покрытий согласно настоящему изобретению.
Геттерные системы, состоящие из первого материала, на который при помощи ионного распыления наносится второй материал, уже известны из публикации международной заявки WO 02/27058 А1. Однако в описанных в этой заявке системах нижележащий материал, в свою очередь, получен не при помощи ионного распыления, а представляет собой макроскопическое тело из спеченных геттерных порошков, и целью формирования при помощи ионного распыления покрытия на упомянутом макроскопическом теле является уменьшение потери частиц этого тела. В этом случае наличие покрытия, полученного ионным распылением, не изменяет характеристик поглощения или активации данной системы, так как соотношение между объемами и массами двух упомянутых компонентов таково, что присутствие напыленного покрытия незначительно для получения подобного эффекта; кроме того, перед формированием покрытия путем ионного распыления нижележащий материал подвергается воздействию атмосферы. В противоположность этому, в системах согласно настоящему изобретению все активные компоненты (то есть за исключением подложки) получены ионным распылением при выполнении непосредственно следующих друг за другом этапов технологического процесса; эта характерная особенность производства и соотношения между количествами двух материалов таковы, что присутствие NEG-сплава с низкой температурой активации существенно изменяет свойства всей системы, в частности, активационные свойства.
Фиг.1 представляет собой репродукцию микрофотоснимка поперечного сечения полислоя согласно настоящему изобретению, который получен с использованием растрового электронного микроскопа.
Первый слой 11 покрытия согласно настоящему изобретению образован на подложке 10. Она может представлять собой дополнительную подложку, прикрепляемую затем к внутренней поверхности устройства, в котором должно поддерживаться разрежение или в котором присутствует очищаемый газ. Однако предпочтительно, чтобы подложка 10 сама по себе представляла внутреннюю поверхность устройства (или ее часть), если это допускается геометрией устройства, в которое должен быть введен NEG-материал: это имеет место в случае устройств среднего или небольшого размера, которые могут быть размещены в камере ионного распыления, такие как FED-дисплеи или МЕМ-устройства. Первый слой 11 выполнен из NEG-материала, который может наноситься путем ионного распыления в форме слоя, имеющего большую площадь поверхности. Для этой цели можно использовать один из сплавов, описанных в патенте США №5961750 и содержащих цирконий, кобальт и один или большее количество элементов, выбираемых из иттрия, лантана и редкоземельных элементов, а в частности - сплав, имеющий состав Zr 80% - Со 15% - А 5% в массовых процентах (где А обозначает один или большее количество элементов из Y, La и редкоземельных элементов). Однако предпочтительно использовать металл, выбираемый из ниобия, тантала, ванадия, гафния, циркония и титана, особенно последние два металла. Толщина слоя 11 может изменяться в больших пределах и не связана строгими ограничениями. Нижний предел толщины по существу определяется возможностью получить слой, имеющий требуемую морфологию: толщины ниже 0,2 мкм не желательны, так как слои с такой толщиной имеют тенденцию к "повторению" морфологии подложки (которая может не быть грубой) и, следовательно, не гарантируют получения слоя, имеющего достаточную площадь поверхности; кроме того, так как этот слой образует основной газопоглощающий "резервуар" полислоя, его минимальная толщина также определяется количеством газа, которое, как ожидается, ему потребуется поглощать. В отличие от этого, максимальная толщина определяется, главным образом, производственными факторами и, в частности, временем, необходимым для выращивания слоя; скорость образования слоев при ионном распылении в основном является не очень высокой, и, следовательно, в общем случае предпочтительно, чтобы толщина была ниже приблизительно 50 мкм, например, приблизительно от 1 до 10 мкм, если эти толщины совместимы с требуемой емкостью поглощения.
Как упомянуто выше, слой 11 должен иметь большую площадь поверхности, определяемую его пористостью. Можно указать пористость этих слоев, получаемых катодным осаждением, как отношение эффективной площади поверхности к геометрической площади: это отношение, обозначаемое в последующем как Re, равно 1 в теоретическом случае абсолютно гладкого покрытия и увеличивается с увеличением шероховатости или неровности поверхности металлического покрытия. В целях данного изобретения Rе должно быть больше 20, а предпочтительно - больше 50.
Поверх слоя 11 при помощи ионного распыления сформирован по меньшей мере второй слой 12, выполненный из геттерного сплава с низкой температурой активации. Подходящими для настоящего изобретения геттерными сплавами являются, например, сплавы Zr-V-Fe согласно патенту США №4312669, в частности - сплав, имеющий состав Zr 70% - V 24,6% - Fe 5,4% в массовых процентах; сплавы, содержащие в качестве основных элементов цирконий и ванадий, а также небольшие количества одного или более элементов, выбираемых из железа, никеля, марганца и алюминия, описанные в патенте США №4996002; сплавы Zr-Co-A (где А - элемент, выбираемый из иттрия, лантана и редкоземельных элементов, а также их смесей), описанные в патенте США №5961750, в частности - сплав, имеющий состав Zr 70% - Со 15% - А 5% в массовых процентах, если материал слоя 11 также не выполнен из сплава типа Zr-Co-A; сплавы Zr-Ti-V, в частности - сплав, имеющий состав Zr 44% - Ti 23% - V 33% в массовых процентах, который может быть активирован (по меньшей мере частично) путем его обработки даже в течение нескольких часов при температуре 200°С; и соединение ZrV2.
Толщина этого второго слоя не превышает 1 мкм, а предпочтительно находится в диапазоне от 50 до 500 нанометров (нм); при таких толщинах этот слой сохраняет морфологические характеристики нижележащего слоя 11 и, следовательно, высокие значения Rе и высокую скорость поглощения (сорбции), в то время как при более высоких значениях толщины этот слой становится более плотным и непригодным для использования при комнатной температуре.
В одном из возможных вариантов на верхнюю поверхность слоя 12 можно наносить дополнительный слой, сплошной или прерывистый, из палладия или одного из его соединений, которым может быть оксид палладия, сплавы серебра-палладия, содержащие до 30 атомных процентов серебра, и соединения палладия и одного или более металлов, образующих геттерный материал.
На Фиг.2 изображен первый из этих возможных вариантов (сплошной слой): в этом случае слой 13 палладия делает возможным избирательное поглощение водорода; разумеется, известно, что палладий характеризуется высокой проницаемостью для водорода и, следовательно, позволяет этому газу перемещаться по направлению к нижележащему слою геттерного материала. Чтобы повысить до максимума скорость перемещения водорода к геттеру, палладиевое покрытие должно иметь малую толщину, например, в диапазоне приблизительно от 10 до 100 нм. Геттерные покрытия, становящиеся избирательными по отношению к водороду в результате формирования непрерывного слоя покрытия из палладия, известны, например, из публикации международной заявки WO 98/37958 А1, однако в случае настоящего изобретения достигается более высокая скорость поглощения, обусловленная большей площадью поверхности.
На Фиг.3 изображен второй возможный вариант с прерывистым покрытием из палладия (или его соединения). В этом случае палладий (или соединение палладия) присутствует в виде "островков" 14, 14', 14'',... на поверхности геттерного слоя 12; эти островки предпочтительно покрывают от 10% до 90% поверхности слоя 12. Такая конфигурация описана в публикации международной заявки WO 00/75950 А1 со ссылкой на геттерные материалы в виде порошков. При такой структуре получается материал, способный работать как постоянным сорбентом водорода, так и сорбентом других газов в результате соответствующей активации. Как более подробно рассмотрено в упомянутой публикации международной заявки, эти рабочие характеристики обусловлены тем, что не поглощающие другие газы островки 14, 14', 14'',... не пассивируются и, следовательно, образуют проходы для непрерывного поступления водорода в геттерный сплав, при этом зоны 15, 15',... поверхности слоя 12, не покрытые упомянутыми островками, сохраняют свой обычный режим работы в качестве геттеров.
Во втором своем аспекте настоящее изобретение относится к способу изготовления описанных выше покрытий.
Способ согласно настоящему изобретению включает в себя по меньшей мере следующие этапы:
нанесения на подложку при помощи катодного осаждения первого слоя из неиспаряющегося геттерного материала, имеющего площадь поверхности, эквивалентную по меньшей мере 20-кратному значению его геометрической площади; и
нанесения при помощи катодного осаждения на упомянутый первый слой по меньшей мере второго слоя толщиной не более 1 мкм из неиспаряющегося геттерного сплава, имеющего низкую температуру активации;
причем этот способ выполняют таким образом, что между двумя упомянутыми этапами нанесения материал первого слоя не подвергается воздействию частиц газа, способных с ним реагировать.
Данный способ состоит из двух последовательных этапов нанесения путем ионного распыления двух различных материалов. Нанесение путем ионного распыления производится согласно технологии, известной в данной области техники и описанной в общих чертах во введении, и обязательно требует, чтобы сформированный первый слой не подвергался воздействию веществ, способных с ним реагировать; в частности, должно быть предотвращено воздействие таких окислителей, как кислород или водяной пар. Подразумевается, что отличительная особенность настоящего изобретения, согласно которой сплав с низкой температурой активации "передает" это свойство нижележащему материалу, определяется тем, что последний, функционирующий согласно описанному выше, никогда не подвергается пассивации.
Как упомянуто выше, подложка, на которую наносится первый слой 11, имеющий большую площадь поверхности, может быть дополнительной деталью, как, например, подложка (в общем случае плоская) из металла, стекла или кремния, которая затем устанавливается в соответствующее положение в конечную систему. Однако предпочтительно, чтобы размер и форма устройства, предназначенного для нанесения геттерного покрытия, позволяли наносить покрытие непосредственно на внутреннюю поверхность самого этого устройства, не требуя дополнительной подложки; эта предпочтительная технология изготовления может использоваться, например, при производстве МЕМ-устройств или FED-дисплеев.
Слой 11, выполненный из ранее упомянутых материалов и имеющий высокую степень шероховатости или неупорядоченности (неоднородности) (и, следовательно, требуемые значения Re), может быть получен путем ионного распыления с использованием некоторых целесообразных приемов, известных в данной области техники. Во-первых, можно охлаждать подложку, на которую производится нанесение; в этом случае достигающие подложки атомы не будут обладать достаточной энергией, чтобы перестроиться и создать более упорядоченные структуры, в результате достигается некоторая "закалка" покрытия при его образовании. В целях поддержания низкой температуры подложки также предпочтительна работа на пониженных токах, так как при высоких значениях тока будет происходить большое число соударений ионов Ar+ с мишенью в единицу времени, что приведет к последующему обширному нагреву всей системы. И, наконец, другим возможным вариантом является работа с использованием мишени, расположенной не прямо перед подложкой, либо движения, вращения или вибрации подложки во время нанесения покрытия; все эти режимы работы увеличивают степень геометрического разупорядочения покрытия и, следовательно, способствуют созданию не очень плотных слоев. Конечно, одновременно можно использовать и другие технологические приемы упомянутых здесь типов для увеличения значения Re слоя 11.
Для создания слоя 12 можно использовать обычную технологию ионного распыления, не прибегая к вышеупомянутым специальным приемам для увеличения морфологической неупорядоченности слоя 11, что оказывается неэффективным в случае сплавов с низкой температурой активации.
Возможное покрытие из палладия (либо его сплавов или соединений) не обязательно должно быть получено путем ионного распыления, а может быть получено, например, при помощи испарения, с использованием технологии химического осаждения из паровой фазы (CVD); однако в случае металлического палладия или его сплавов по соображениям удобства предпочтительно, чтобы это покрытие также изготавливалось путем ионного распыления.
Далее настоящее изобретение будет проиллюстрировано с помощью примеров. Эти не ограничивающие объем изобретения примеры демонстрируют некоторые варианты его реализации, предназначенные для показа специалистам в этой области техники возможностей реализации изобретения на практике и иллюстрации наилучших вариантов его воплощения.
Пример 1
Этот пример относится к изготовлению двухслойного покрытия, согласно настоящему изобретению.
В качестве подложки для покрытия используется полированный диск из монокристаллического кремния диаметром 2,5 см, который очищен в ультразвуковой ванне с органическим растворителем (спиртовой раствор п-пропилбромида), с последующим промыванием в деионизированной воде. Подложка устанавливается в камеру катодного осаждения, которая может содержать до трех мишеней из различных материалов, эту камеру вакуумируют до достижения давления 3×10-6 Па, а затем заполняют аргоном под давлением 2 Па. Сначала наносят слой титана, используя следующие рабочие параметры:
плотность мощности на мишени: 3,5 Вт/см2;
расстояние мишень-подложка: 140 мм;
температура подложки: 100°С;
время нанесения покрытия: 80 минут.
Затем используется вторая мишень из сплава ZrV2, слой которого наносят на слой титана с использованием рабочих параметров предыдущего этапа, за исключением плотности мощности на мишени, которую понижают до 3 Вт/см2, и времени нанесения покрытия, которое ограничивают 10 минутами.
В конце процесса подложку с двойным покрытием извлекают из камеры катодного осаждения и анализируют в электронном микроскопе для определения средней толщины двух слоев, которая оказывается равной 3,3 мкм для слоя титана и 0,2 мкм для сплава. Эти значения толщины (как и все значения, приведенные в последующих примерах) являются средними значениями из-за нарушения плоскостности покрытий.
Такая подложка с двойным покрытием представляет собой Образец 1.
Пример 2 (Сравнительный)
Процедура согласно Примеру 1 повторяется, но при этом наносится только один слой из сплава ZrV2. Используются те же рабочие параметры, что и при нанесении сплава в Примере 1, за исключением того, что камеру сначала вакуумируют до достижения остаточного давления 7×10-6 Па, а нанесение покрытия продолжают в течение 60 минут.
Подложка с покрытием из сплава (Образец 2) извлекается из камеры и анализируется в электронном микроскопе, чтобы определить среднюю толщину покрытия, которая оказывается равной 3,5 мкм.
Пример 3 (Сравнительный)
Процедура согласно Примеру 1 повторяется, но при этом наносится только один слой из титана. Используются те же рабочие параметры, что и при нанесении титана в Примере 1, за исключением того, что нанесение покрытия продолжают в течение 90 минут.
Подложка с покрытием из титана (Образец 3) извлекается из камеры и анализируется в электронном микроскопе, чтобы определить среднюю толщину покрытия, которая оказывается равной 3,5 мкм.
Пример 4
Процедура согласно Примеру 1 повторяется с единственным отличием, заключающимся в том, что нанесение покрытия из титана длится 40 минут; полученный таким образом образец (Образец 4) имеет итоговую среднюю толщину 1,8 мкм, состоит из слоя титана толщиной 1,6 мкм и слоя из сплава ZrV2 толщиной 0,2 мкм.
Пример 5
В этом примере оцениваются газопоглотительные свойства Образцов 1, 2 и 3 при комнатной температуре.
Образцы устанавливаются по одному за один раз в кварцевый сосуд, который перед каждым тестом вакуумируют при помощи турбомолекулярного насоса до достижения остаточного давления 1×10-6 Па; чтобы способствовать дегазации стенок системы и таким образом ускорить достижение требуемого давления, при выполнении этого этапа систему нагревают до 180°С в течение приблизительно 12 часов.
После достижения требуемого остаточного давления тестируемый образец активируют радиочастотным нагревом при 300°С в течение 30 минут при помощи катушки индуктивности, установленной снаружи сосуда; температура контролируется при помощи оптического пирометра. Затем образцу дают охладиться до комнатной температуры и проводят тест на поглощение газа согласно процедурам, описанным в стандарте F798-82 Американского общества по испытанию материалов (ASTM - American Society of Testing Materials), вводя в сосуд монооксид углерода СО под давлением 4×10-4 Па и регистрируя понижение давления до уровня известной проводимости. Результат трех тестов на поглощение показан на Фиг.4, где номер каждой кривой соответствует номеру образца, указанному выше. Кривые демонстрируют скорость S поглощения (сорбции) образцов, измеренную в литрах газа, поглощаемого каждую секунду на квадратный сантиметр покрытия (л/с×см2), как функцию поглощенного количества Q газа, измеренного в литрах поглощенного газа, умноженных на давление при поглощении (в гектопаскалях, гПа) и деленных на площадь поверхности покрытия (гПа×л/см2). Максимальное значение Q для этих трех кривых дает общую емкость образцов.
Пример 6
В этом примере оцениваются газопоглотительные свойства Образцов 1 и 4 при высоких температурах.
На втором образце, изготовленном в точности так, как описано в Примере 1, и на Образце 4 проводят тесты на поглощение СО с использованием процедур, аналогичных описанным в Примере 5; в этих тестах образцы активируют путем нагрева при 430°С, а затем выполняются два теста при температуре 300°С. Результаты двух тестов графически представлены на Фиг.5 (при этом обозначения имеют то же значение, что и на Фиг.4) в виде кривой 4 для Образца 4 и кривой 5 для образца, изготовленного согласно Примеру 1.
В условиях тестов Примеров 5 и 6 измерялись различные характеристики покрытий из геттерных материалов. В тестах при комнатной температуре (Пример 5) частицы, образующиеся на поверхности геттера в результате поглощения газа, не обладают достаточной энергией для диффузии внутрь материала: прекращение поглощения, таким образом, показывает, что все металлические участки, первоначально доступные на поверхности, насыщаются, поэтому результаты этих тестов являются критерием исходного количества этих участков поверхности. В противоположность этому, в тестах при высокой температуре (Пример 6) частицы, первоначально образовавшиеся на поверхности в результате поглощения газа, могут диффундировать внутрь покрытия; следовательно, эти тесты учитывают общее количество имеющегося геттерного материала, и в них измеряется общая емкость покрытий.
С учетом этих особенностей и исходя из трех кривых, показанных на Фиг.5, можно сделать вывод, что образец согласно настоящему изобретению демонстрирует более высокие характеристики поверхностного поглощения, чем образцы покрытий только из металла или только из NEG-сплава во всем диапазоне измерений. В частности, образец согласно настоящему изобретению (кривая 1) демонстрирует во всем диапазоне измерений скорость поглощения и емкость, более чем на порядок величины превышающие значения этих показателей для покрытия только из NEG-сплава (кривая 2), а также скорость и емкость, по меньшей мере в два раза превышающие значения этих показателей для покрытия только из титана (кривая 3). Сравнение кривых, соответствующих Образцам 1 и 2, у которых открытая поверхность состоит из одного и того же материала, демонстрирует, что образец согласно настоящему изобретению отличается большей удельной поверхностью, значительно превышающей ту, которая получается при нанесении только геттерного сплава. В отличие от этого, различие результатов для кривых, соответствующих Образцам 1 и 3, может быть объяснено более низкой степенью активации титана по сравнению с геттерным сплавом, если эта активация проводится для обоих материалов при одинаковой температуре: более низкая степень активации соответствует более низкой "чистоте" поверхности, что приводит к уменьшению числа участков, доступных для поглощения газа.
Сравнение кривых 4 и 5 позволяет продемонстрировать, что в двухслойных покрытиях согласно настоящему изобретению существует эффективный перенос поглощенных частиц из верхнего слоя NEG-сплава с низкой температурой активации в нижний слой. Разумеется, два протестированных образца были изготовлены в абсолютно одинаковых условиях, и единственное их различие заключается в том, что образец, соответствующий кривой 5, содержит в два раза больше титана, чем Образец 4. Как можно заметить, две эти кривые характеризуются одинаковой первоначальной скоростью поглощения, таким образом, подтверждая, что в начале проведения теста два образца имеют по существу равные удельную площадь и степень активации (что можно было предполагать); однако Образец 4 характеризуется общей емкостью, составляющей приблизительно половину от емкости образца, соответствующего Примеру 1; такое поведение может быть объяснено только как подтверждение того факта, что покрытие из титана, расположенное под покрытием из сплава, принимает участие в поглощении при температуре тестирования.
На основе анализа приведенных выше результатов тестов можно сделать вывод о том, что многослойные покрытия согласно настоящему изобретению работают таким образом, как если бы они представляли собой покрытия из единого материала, каждая характеристика которого выше соответствующей характеристики обеих составляющих покрытие слоев, то есть температуру активации присутствующего материала, имеющего низкую температуру активации (характеристика слоя 12), и большую площадь поверхности (характеристика слоя 11), что придает покрытию высокие показатели поглощения при комнатной температуре (недостижимые в случае покрытий только из геттерных сплавов). Хотя копирование слоем 12 морфологии слоя 11 могло ожидаться, абсолютно нельзя было предположить, что в полислоях согласно настоящему изобретению материал с более низкой температурой активации может передать это свойство всему полислою.

Claims (18)

1. Многослойное покрытие из неиспаряющихся геттерных материалов, содержащее по меньшей мере два слоя на подложке, отличающееся тем, что первый слой, нанесенный непосредственно на подложку, состоит из неиспаряющегося геттерного материала, имеющего площадь поверхности, эквивалентную по меньшей мере 20-кратному значению его геометрической площади, а расположенный на первом слое по меньшей мере второй слой толщиной не более 1 мкм состоит из неиспаряющегося геттерного сплава с низкой температурой активации, при этом нанесенные слои получены катодным осаждением.
2. Многослойное покрытие по п.1, отличающееся тем, что геттерный материал первого слоя выбран из группы, содержащей цирконий, титан, ниобий, тантал, ванадий, гафний и сплав Zr-Co-A, где А обозначает иттрий, лантан, редкоземельные элементы или их смеси.
3. Многослойное покрытие по п.1, отличающееся тем, что толщина первого слоя составляет от 0,2 до 50 мкм.
4. Многослойное покрытие по п.3, отличающееся тем, что толщина первого слоя составляет от 10 до 20 мкм.
5. Многослойное покрытие по п.1, отличающееся тем, что площадь поверхности первого слоя превышает по меньшей мере в 50 раз значение его геометрической площади.
6. Многослойное покрытие по п.1, отличающееся тем, что геттерный сплав второго слоя содержит следующие компоненты, мас.%: Zr 70 - V 24,6 - Fe 5,4.
7. Многослойное покрытие по п.1, отличающееся тем, что геттерный сплав второго слоя содержит Zr, V и один или более элементов, выбранных из Fe, Ni, Mn и Al.
8. Многослойное покрытие по п.1, отличающееся тем, что геттерный сплав второго слоя содержит следующие компоненты, мас.%: Zr 80 - Со 15 - А 5, где А обозначает иттрий, лантан, редкоземельные элементы или их смеси, при этом материал первого слоя выбран отличным от сплава Zr-Co-A.
9. Многослойное покрытие по п.1, отличающееся тем, что геттерный сплав второго слоя представляет собой сплав Zr-Ti-V.
10. Многослойное покрытие по п.9, отличающееся тем, что геттерный сплав содержит следующие компоненты, мас.%: Zr 44 - Ti 23 - V 33.
11. Многослойное покрытие по п.1, отличающееся тем, что геттерный сплав второго слоя представляет собой ZrV2.
12. Многослойное покрытие по п.1, отличающееся тем, что толщина второго слоя составляет от 50 до 500 нм.
13. Многослойное покрытие по п.1, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит сплошной или прерывистый слой из палладия или его соединения, нанесенный на поверхность второго слоя, противоположную поверхности, контактирующей с первым слоем.
14. Многослойное покрытие по п.13, отличающееся тем, что соединение палладия выбрано из оксида палладия, сплавов серебро-палладий, содержащих до 30 атомных процентов серебра, и соединений палладия с одним или большим количеством металлов, образующих геттерный материал.
15. Многослойное покрытие по п.13, отличающееся тем, что упомянутый прерывистый слой из палладия или его соединения покрывает от 10% до 90% поверхности второго слоя.
16. Многослойное покрытие по любому из пп.13-15, отличающееся тем, что слой из палладия или его соединения имеет толщину, составляющую от 10 до 100 нм.
17. Способ изготовления многослойного покрытия из неиспаряющихся геттерных материалов, включающий нанесение по меньшей мере двух слоев на подложку, отличающийся тем, что на подложку наносят первый слой из неиспаряющегося геттерного материала, имеющего площадь поверхности, эквивалентную по меньшей мере 20-кратному значению его геометрической площади, затем на первый слой наносят по меньшей мере второй слой толщиной не более 1 мкм из неиспаряющегося геттерного сплава, который может быть активирован по меньшей мере на 90% путем обработки в течение одного часа при максимальной температуре 300°С, при этом эти слои получают катодным осаждением.
18. Способ по п.17, отличающийся тем, что катодное осаждение первого слоя выполняют с охлаждением подложки, на которую осуществляют нанесение, и/или с использованием низких значений тока, и/или с использованием мишени, расположенной не прямо перед подложкой, и/или с использованием движения, вращения или вибрации подложки во время нанесения.
RU2004117768/02A 2003-06-11 2004-06-10 Многослойные покрытия из неиспаряющегося геттера, получаемые катодным осаждением, и способ их изготовления RU2277609C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT001178A ITMI20031178A1 (it) 2003-06-11 2003-06-11 Depositi multistrato getter non evaporabili ottenuti per
ITMI2003A001178 2003-06-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004117768A RU2004117768A (ru) 2006-01-10
RU2277609C2 true RU2277609C2 (ru) 2006-06-10

Family

ID=30131190

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004117768/02A RU2277609C2 (ru) 2003-06-11 2004-06-10 Многослойные покрытия из неиспаряющегося геттера, получаемые катодным осаждением, и способ их изготовления

Country Status (18)

Country Link
US (3) US7413814B2 (ru)
EP (1) EP1518599B1 (ru)
JP (1) JP4065440B2 (ru)
KR (1) KR100655009B1 (ru)
CN (1) CN100381603C (ru)
AT (1) ATE422561T1 (ru)
BR (1) BRPI0401946A (ru)
CA (1) CA2467790C (ru)
DE (1) DE602004019367D1 (ru)
DK (1) DK1518599T3 (ru)
ES (1) ES2319989T3 (ru)
HK (1) HK1072784A1 (ru)
IL (1) IL162066A0 (ru)
IT (1) ITMI20031178A1 (ru)
MY (1) MY140457A (ru)
RU (1) RU2277609C2 (ru)
SG (1) SG116556A1 (ru)
TW (1) TWI293335B (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2513563C2 (ru) * 2012-08-17 2014-04-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") Спеченный неиспаряющийся геттер
RU2603414C1 (ru) * 2015-08-05 2016-11-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ") Способ получения антифреттингового покрытия
RU2669259C2 (ru) * 2016-12-09 2018-10-09 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" Устройство для получения пленок

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITMI20041443A1 (it) 2004-07-19 2004-10-19 Getters Spa Processo per la produzione di schermi al plasma con materiale getter distribuito e schermi cosi'ottenuti
US8160697B2 (en) 2005-01-25 2012-04-17 Cameron Health, Inc. Method for adapting charge initiation for an implantable cardioverter-defibrillator
EP1851050B1 (en) * 2005-02-17 2011-08-03 SAES GETTERS S.p.A. Flexible multi-layered getter
JP4327747B2 (ja) * 2005-02-21 2009-09-09 双葉電子工業株式会社 非蒸発ゲッターを備えた電子デバイス及びその電子デバイスの製造方法
ITMI20050616A1 (it) 2005-04-12 2006-10-13 Getters Spa Processo per la formazione di depositi getter miniaturizzati e depositi getrter cosi'ottenuti
GB0523838D0 (en) * 2005-11-23 2006-01-04 Oxford Instr Analytical Ltd X-Ray detector and method
EP1821328A1 (en) 2006-02-10 2007-08-22 Nanoshell Materials Research & Development GmbH Metallic dendritic gas sorbents and method for producing the same
EP2080205B1 (en) * 2006-09-15 2017-07-05 SAES GETTERS S.p.A. Electrolytic capacitor comprising a solid composite metal getter
JP2008135690A (ja) * 2006-10-30 2008-06-12 Denso Corp 半導体力学量センサおよびその製造方法
WO2008071906A1 (en) 2006-12-15 2008-06-19 Bae Systems Plc Improvements relating to thin film getter devices
JP4820783B2 (ja) * 2007-07-11 2011-11-24 昭和電工株式会社 磁気記録媒体の製造方法および製造装置
FR2922202B1 (fr) * 2007-10-15 2009-11-20 Commissariat Energie Atomique Structure comportant une couche getter et une sous-couche d'ajustement et procede de fabrication.
DE102007050289A1 (de) * 2007-10-18 2009-04-23 Heraeus Noblelight Gmbh Carbonstrahler mit Getter
EP2071188A1 (en) * 2007-12-10 2009-06-17 VARIAN S.p.A. Device for the deposition of non-evaporable getters (NEGs) and method of deposition using said device
JP5780407B2 (ja) * 2008-03-12 2015-09-16 アクタール リミテッド 薄層構造(thin−layeredstructure)
FR2933389B1 (fr) 2008-07-01 2010-10-29 Commissariat Energie Atomique Structure a base d'un materiau getter suspendu
US7910992B2 (en) 2008-07-15 2011-03-22 Maxim Integrated Products, Inc. Vertical MOSFET with through-body via for gate
DE102008060796B4 (de) 2008-11-18 2014-01-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Ausbilden einer Mikro-Oberflächenstruktur sowie zum Herstellen eines mikroelektromechanischen Bauelements, Mikro-Oberflächenstruktur sowie mikroelektromechanisches Bauelement mit einer solchen Struktur
ITMI20090410A1 (it) * 2009-03-18 2010-09-19 Getters Spa Leghe getter non evaporabili adatte particolarmente per l'assorbimento di idrogeno
CN101987396B (zh) * 2009-07-31 2014-02-19 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 锆基块体非晶合金激光焊接方法及焊接结构
JP2011204594A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Canon Inc 電界放出ディスプレイ用の非蒸発型ゲッター
JP5290238B2 (ja) 2010-05-21 2013-09-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子顕微鏡
CN102205228B (zh) * 2010-05-27 2013-05-08 福建赛特新材股份有限公司 用于维持中低真空环境的复合吸气剂及其制备方法
CN102534489A (zh) * 2010-12-30 2012-07-04 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 镀膜件及其制造方法
FR2976932A1 (fr) * 2011-06-23 2012-12-28 Commissariat Energie Atomique Structure a materiau getter protege hermetiquement lors de sa realisation
RU2474912C1 (ru) * 2011-08-23 2013-02-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) Способ получения газопоглощающей структуры
ITMI20111870A1 (it) * 2011-10-14 2013-04-15 Getters Spa Composizioni di getter non evaporabili che possono essere riattivate a bassa temperatura dopo l'esposizione a gas reattivi ad una temperatura maggiore
GB201203216D0 (en) * 2012-02-24 2012-04-11 Teer Coatings Ltd High surface area (HSA) coatings and method for forming the same
ITMI20120872A1 (it) * 2012-05-21 2013-11-22 Getters Spa Leghe getter non evaporabili particolarmente adatte per l'assorbimento di idrogeno e azoto
RU2523718C2 (ru) * 2012-11-20 2014-07-20 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" (МИЭТ) Нанокомпозитная газопоглощающая структура и способ ее получения
JP6154458B2 (ja) * 2013-02-25 2017-06-28 京セラ株式会社 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
DE102016123146A1 (de) * 2016-06-03 2017-12-07 Movatec Gmbh Vakuumgerät und Verfahren zur Beschichtung von Bauteilen
EP3555519A4 (en) * 2016-12-15 2020-08-19 Whirlpool Corporation GETTER ACTIVATION UNDER VACUUM
KR102042894B1 (ko) * 2017-08-28 2019-11-08 한양대학교 에리카산학협력단 박막 게터, 및 그 제조 방법
CN108249386B (zh) * 2018-01-23 2020-09-08 苏州大学 激活温度可控的非蒸散型薄膜吸气剂及其应用
CN108660338A (zh) * 2018-05-18 2018-10-16 南京华东电子真空材料有限公司 一种应用于真空电子元器件的锆铌铁合金及制备方法
CN108531877B (zh) * 2018-06-06 2020-01-10 中国科学院高能物理研究所 一种TiZrVHf四元吸气剂薄膜
CN109680249A (zh) * 2019-01-25 2019-04-26 苏州大学 非蒸散型薄膜吸气剂及其制备方法
CN113337800A (zh) * 2020-03-02 2021-09-03 杭州海康微影传感科技有限公司 薄膜吸气剂及其制备方法
CN113322407B (zh) * 2021-05-28 2021-12-07 西安建筑科技大学 一种氧化物强化低活化钢及其制造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3620645A (en) * 1970-05-01 1971-11-16 Getters Spa Getter device
NL7315641A (nl) 1973-11-15 1975-05-20 Philips Nv Hogedrukgasontladingslamp.
US4055686A (en) * 1976-02-20 1977-10-25 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method of forming metal hydride films
IT1110271B (it) 1979-02-05 1985-12-23 Getters Spa Lega ternaria getterante non evaporabile e metodo di suo impiego per l'assorbimento di acqua,vapore d'acqua,di altri gas
US4996002A (en) 1987-11-30 1991-02-26 Ergenics, Inc. Tough and porus getters manufactured by means of hydrogen pulverization
US4977035A (en) * 1989-03-03 1990-12-11 Ergenics, Inc. Getter strip
US4925741A (en) * 1989-06-08 1990-05-15 Composite Materials Technology, Inc. Getter wire
US5453659A (en) 1994-06-10 1995-09-26 Texas Instruments Incorporated Anode plate for flat panel display having integrated getter
TW287117B (ru) * 1994-12-02 1996-10-01 Getters Spa
US5908579A (en) * 1994-12-02 1999-06-01 Saes Getters, S.P.A. Process for producing high-porosity non-evaporable getter materials and materials thus obtained
FR2750248B1 (fr) 1996-06-19 1998-08-28 Org Europeene De Rech Dispositif de pompage par getter non evaporable et procede de mise en oeuvre de ce getter
US5688708A (en) * 1996-06-24 1997-11-18 Motorola Method of making an ultra-high vacuum field emission display
US5701008A (en) 1996-11-29 1997-12-23 He Holdings, Inc. Integrated infrared microlens and gas molecule getter grating in a vacuum package
FR2760089B1 (fr) 1997-02-26 1999-04-30 Org Europeene De Rech Agencement et procede pour ameliorer le vide dans un systeme a vide tres pousse
IT1290451B1 (it) 1997-04-03 1998-12-03 Getters Spa Leghe getter non evaporabili
JP3439629B2 (ja) * 1997-05-19 2003-08-25 象印マホービン株式会社 低温活性ゲッター及びその製造方法
US6499354B1 (en) 1998-05-04 2002-12-31 Integrated Sensing Systems (Issys), Inc. Methods for prevention, reduction, and elimination of outgassing and trapped gases in micromachined devices
US6110808A (en) * 1998-12-04 2000-08-29 Trw Inc. Hydrogen getter for integrated microelectronic assembly
JP3518855B2 (ja) * 1999-02-26 2004-04-12 キヤノン株式会社 ゲッター、ゲッターを有する気密容器および画像形成装置、ゲッターの製造方法
IT1312248B1 (it) * 1999-04-12 2002-04-09 Getters Spa Metodo per aumentare la produttivita' di processi di deposizione distrati sottili su un substrato e dispositivi getter per la
DE60013228T3 (de) 1999-06-02 2018-02-22 Saes Getters S.P.A. Sorptionsfähige verbundwerkstoffe die unabhängig sind von aktivierungsbehandlungen und verfahren zur herstellung
IT1318937B1 (it) * 2000-09-27 2003-09-19 Getters Spa Metodo per la produzione di dispositivi getter porosi con ridottaperdita di particelle e dispositivi cosi' prodotti
JP2002117839A (ja) 2000-10-12 2002-04-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非水電解液二次電池用負極の製造法
JP2003022744A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Sony Corp 非蒸発型ゲッター、表示装置およびこれらの製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2513563C2 (ru) * 2012-08-17 2014-04-20 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") Спеченный неиспаряющийся геттер
RU2603414C1 (ru) * 2015-08-05 2016-11-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ") Способ получения антифреттингового покрытия
RU2669259C2 (ru) * 2016-12-09 2018-10-09 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" Устройство для получения пленок

Also Published As

Publication number Publication date
RU2004117768A (ru) 2006-01-10
TW200502414A (en) 2005-01-16
SG116556A1 (en) 2005-11-28
ES2319989T3 (es) 2009-05-18
EP1518599A3 (en) 2005-07-13
DE602004019367D1 (de) 2009-03-26
EP1518599B1 (en) 2009-02-11
EP1518599A2 (en) 2005-03-30
US20090004502A1 (en) 2009-01-01
BRPI0401946A (pt) 2005-02-01
KR100655009B1 (ko) 2006-12-06
CA2467790A1 (en) 2004-12-11
US7413814B2 (en) 2008-08-19
JP2005000916A (ja) 2005-01-06
CN1572898A (zh) 2005-02-02
DK1518599T3 (da) 2009-05-04
ATE422561T1 (de) 2009-02-15
US7745014B2 (en) 2010-06-29
CA2467790C (en) 2011-07-19
CN100381603C (zh) 2008-04-16
IL162066A0 (en) 2005-11-20
HK1072784A1 (en) 2005-09-09
JP4065440B2 (ja) 2008-03-26
ITMI20031178A0 (it) 2003-06-11
US20070037007A1 (en) 2007-02-15
US20040253476A1 (en) 2004-12-16
TWI293335B (en) 2008-02-11
MY140457A (en) 2009-12-31
ITMI20031178A1 (it) 2004-12-12
KR20040106234A (ko) 2004-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2277609C2 (ru) Многослойные покрытия из неиспаряющегося геттера, получаемые катодным осаждением, и способ их изготовления
RU2253695C2 (ru) Пористые газопоглотительные устройства со сниженной потерей частиц и способ их изготовления
US6682817B1 (en) Composite materials capable of hydrogen sorption comprising palladium and methods for the production thereof
RU2137245C1 (ru) Дисплей с плоским экраном с автоэлектронным эмиттером, содержащий газопоглотитель, и процесс его получения
US5882727A (en) Method for forming supported thin layers of non-evaporable getter material and getter devices formed thereby
EP2115762B1 (en) Air-stable alkali or alkaline-earth metal dispensers
Manini et al. NEG pumps: Sorption mechanisms and applications
Benvenuti Molecular Surface pumping: the getter pumps
JP4555301B2 (ja) 冷陰極ランプのための一体化されたゲッターと低仕事関数を有する陰極及びその製造方法
RU2513563C2 (ru) Спеченный неиспаряющийся геттер
Swartzentruber Microstructure and work function of dispenser cathode coatings: effects on thermionic emission
RU2251173C2 (ru) Композитные материалы, обладающие способностью к сорбции водорода независимо от их активационной обработки, и способы их получения
Benvenuti Getter pumping
Yoon et al. Development of thin film getters for field emission display
Stojilovic Interaction of gases with Zr (0001) and Zircaloy-4 surfaces under ultra-high vacuum conditions
MXPA06005402A (en) Cathodewith integrated getter and low work function for cold cathode lamps

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150611