DE60007925T2 - Siliconklebefilm und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Siliconklebefilm und Verfahren zu dessen Herstellung Download PDF

Info

Publication number
DE60007925T2
DE60007925T2 DE2000607925 DE60007925T DE60007925T2 DE 60007925 T2 DE60007925 T2 DE 60007925T2 DE 2000607925 DE2000607925 DE 2000607925 DE 60007925 T DE60007925 T DE 60007925T DE 60007925 T2 DE60007925 T2 DE 60007925T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
groups
group
silicone adhesive
silicone
adhesive film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE2000607925
Other languages
English (en)
Other versions
DE60007925D1 (de
Inventor
Minoru Ichihara-shi Isshiki
Kimio Ichihara-shi Yamakawa
Yoshito Ichihara-shi Ushio
Ryoto Ichihara-shi Shima
Katsutoshi Ichihara-shi Mine
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DuPont Toray Specialty Materials KK
Original Assignee
Dow Corning Toray Silicone Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Corning Toray Silicone Co Ltd filed Critical Dow Corning Toray Silicone Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of DE60007925D1 publication Critical patent/DE60007925D1/de
Publication of DE60007925T2 publication Critical patent/DE60007925T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/54—Silicon-containing compounds
    • C08K5/549—Silicon-containing compounds containing silicon in a ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2666/00—Composition of polymers characterized by a further compound in the blend, being organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials, non-macromolecular organic substances, inorganic substances or characterized by their function in the composition
    • C08L2666/28—Non-macromolecular organic substances
    • C08L2666/44—Silicon-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2483/00—Presence of polysiloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H01L2224/29191—The principal constituent being an elastomer, e.g. silicones, isoprene, neoprene
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01016—Sulfur [S]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/14—Layer or component removable to expose adhesive
    • Y10T428/1471—Protective layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/14—Layer or component removable to expose adhesive
    • Y10T428/1476—Release layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/23—Sheet including cover or casing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Siliconklebefolie und auf ein Verfahren zur Herstellung und spezieller bezieht sie sich auf eine Siliconklebefolie, mit welcher ein Halbleiterchip und eine Chipbefestigungskomponente in einem kurzen Zeitraum bei einer relativ niedrigen Temperatur verbunden werden können, und auf ein Verfahren zur effektiven Herstellung dieser Folie.
  • Die Verwendung einer Siliconklebefolie, die aus einem vernetzten Produkt einer vernetzbaren Siliconzusammensetzung besteht, um einen Halbleiterchip an eine Befestigungskomponente für diesen Chip zu binden, ist in offengelegter japanischer Patentanmeldung H11-12546 vorgeschlagen worden. Ein Problem mit einer Siliconklebefolie wie dieser ist jedoch, dass, wenn der Halbleiterchip an die Chipbefestigungskomponente mit dieser Folie gebunden wird, die Haftung unangemessen sein wird, wenn die Komponenten nicht für einen ausgedehnten Zeitraum bei einer relativ hohen Temperatur erhitzt werden, und dies trägt die Gefahr der Beschädigung des Halbleiterchips in sich.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Siliconklebefolie, mit welcher ein Halbleiterchip und eine Chipbefestigungskomponente in einem kurzen Zeitraum bei einer relativ niedrigen Temperatur verbunden werden können, und ein Verfahren zur effizienten Herstellung dieser Folie bereitzustellen.
  • Eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Siliconklebefolie, die verwendet wird, um einen Halbleiterchip mit einer Chipbefestigungskomponente zu verbinden, wobei der Klebstoff das vernetzte Produkt einer vernetzbaren Siliconzusammensetzung, die ein Silatranderivat enthält, enthält. Eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Er findung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Siliconklebefolie zur Verbindung eines Halbleiterchips mit einer Chipbefestigungskomponente und ist dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eines der Trägermaterialien eine größere Dielektrizitätskonstante als die des vernetzten Produktes aufweist, wenn eine vernetzbare Siliconzusammensetzung, die ein Silatranderivat enthält, einer Vernetzungsreaktion zwischen Trägermaterialien, die nicht an das vernetzte Produkt der Zusammensetzung kleben, unterworfen wird.
  • 1 ist ein Querschnitt eines Beispiels eines Halbleiterbauelements (Hybrid-IC), auf welches die Siliconklebefolie der vorliegenden Erfindung aufgebracht worden ist, und
  • 2 ist ein Querschnitt eines Beispiels eines Halbleiterbauelements (LSI-Kreis), auf welches die Siliconklebefolie der vorliegenden Erfindung aufgebracht worden ist.
  • Schlüssel:
    • 1
    Halbleiterchip
    2
    Siliconklebefolie
    3
    Chipbefestigungskomponente (Leiterplatte, die aus glasfaserverstärktem Epoxyharz hergestellt ist)
    4
    Stromkreisverdrahtung
    5
    Verbindungsdraht
    6
    Siegelharz
    7
    Chipbefestigungskomponente (Leiterplatte, die aus Polyimidharz hergestellt ist)
    8
    erhöhter Kontaktierungsfleck
    9
    Versiegelungsmittel/Füllstoff
  • Eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Siliconklebefolie, die verwendet wird, um einen Halbleiterchip mit einer Chipbefestigungskomponente zu verbinden, wobei der Klebstoff das vernetzte Produkt einer vernetzbaren Siliconzusammensetzung, die ein Silatranderivat enthält, enthält. Eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zu Herstellung einer Siliconklebefolie zur Verbindung eines Halbleiterchips mit einer Chipbefestigungskomponente und ist dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eines der Trägermaterialien eine größere Dielektrizitätskonstante aufweist als die des vernetzten Produkts, wenn eine vernetzbare Siliconzusammensetzung, die ein Silatranderivat enthält, einer Vernetzungsreaktion zwischen Trägermaterialien, die nicht an dem vernetzten Produkt der Zusammensetzung kleben, unterworfen wird.
  • Zuerst wird die Siliconklebefolie der vorliegenden Erfindung detailliert beschrieben werden. Die Siliconklebefolie der vorliegen Erfindung wird verwendet, um einen Halbleiterchip mit einer Chipbefestigungskomponente zu verbinden und ist dadurch gekennzeichnet, dass mindestens die Seiten, die den Halbleiterchip und die Chipbefestigungskomponente berühren, aus dem vernetzten Produkt einer vernetzbaren Siliconzusammensetzung gebildet werden, die ein Silatranderivat enthält, und ist ferner dadurch gekennzeichnet, dass die Seiten, die den Halbleiterchip und die Chipbefestigungskomponente berühren, aus dem vernetzten Produkt einer vernetzbaren Siliconzusammensetzung gebildet werden, die ein Silatranderivat enthält, und dass das Innere aus einem Siliconkautschukteil gebildet werden kann. "Vernetztes Produkt", wie hierin verwendet, bedeutet, dass die vernetzbare Siliconzusammensetzung eine Vernetzungsreaktion erfahren hat und in die Form eines Gels oder Kautschuks überführt worden ist, aber es gibt keine speziellen Beschränkungen in Bezug auf den Grad dieser Vernetzung. Die Siliconklebefolie der vorliegenden Erfindung kann einfach aus dem vernetzten Produkt dieser vernetzbaren Siliconzusammensetzung gebildet werden oder es können einfach die Seiten, die den Halbleiter chip und die Chipbefestigungskomponente berühren, aus diesem vernetzten Produkt gebildet werden und das Innere kann aus einem Siliconkautschukteil gebildet werden. Bei der letzteren Siliconklebefolie umfassen Beispiele für das Siliconkautschukteil in der Innenseite eine Siliconkautschukfolie und Siliconkautschukteilchen. Die Form dieser Siliconklebefolien ist nicht beschränkt, aber aus praktischen Gründen sollte deren Dicke zwischen 1 und 5.000 μm sein und ein Bereich von 10 bis 1.000 μm ist besonders günstig.
  • Die vorliegende Siliconklebefolie ist dadurch gekennzeichnet, dass mindestens die Seiten, die den Halbleiterchip und die Chipbefestigungskomponente berühren, aus dem vernetzten Produkt einer vernetzbaren Siliconzusammensetzung, die ein Silatranderivat enthält, gebildet werden, und es ist bevorzugt, dass dieses Silatranderivat eine Verbindung ist, die durch die folgende allgemeine Formel beschrieben wird:
  • Figure 00040001
  • In der obigen Formel ist jedes R1 unabhängig voneinander ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einem Wasserstoffatom und einer Alkylgruppe. Beispiele für die Alkylgruppen von R1 umfassen Methyl, Ethyl, Propyl, Butyl, Pentyl, Isopropyl, Isobutyl, Cyclopentyl und Cyclohexyl. Ein Wasserstoffatom oder eine Methylgruppe ist besonders günstig als R1. Jedes R2 in der obigen Formel ist unabhängig voneinander ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einem Wasserstoffatom, Alkylgruppen und alkoxysilylhaltigen organischen Gruppen, beschrieben durch die Formel -R4-Si(OR5)xR6 (3–x). Mindestens eine der R2-Gruppen ist eine dieser alkoxy silylhaltigen organischen Gruppen. Beispiele für die Alkylgruppe, die durch R2 dargestellt wird, sind die gleichen, die für R1 angegeben sind. Wenn R2 eine alkoxysilylhaltige organische Gruppe ist, ist R4 in der obigen Formel eine divalente organische Gruppe, Beispiele dafür umfassen Methylen, Ethylen, Methylmethylen, Propylen, Methylethylen, Butylen, Hexylen, 1-Methylpentylen, 1,4-Dimethylbutylen und andere solche Alkylengruppen und eine Alkylenoxyalkylengruppe, wie etwa Methylenoxypropylen und Methylenoxybutylen. Ethylen, Propylen, Butylen, Methylenoxypropylen und Methylenoxypentylen sind bevorzugt. R5 in der obigen Formel ist eine C1-bis C10-Alkylgruppe, Beispiele dafür sind die gleichen wie für R1 angegeben, wobei Methyl oder Ethyl bevorzugt sind. R6 in der obigen Formel ist eine substituierte oder unsubstituierte monovalente Kohlenwasserstoffgruppe, Beispiele dafür umfassen Methyl, Ethyl, Propyl, Butyl, Pentyl, Isopropyl, Isobutyl, Cyclopentyl, Cyclohexyl und andere Alkylgruppen; Arylgruppen, wie etwa Phenyl, Tolyl, Xylyl und Naphthyl; Alkenylgruppen, wie etwa Vinyl, Allyl, Butenyl, Pentenyl und Hexenyl; Aralkylgruppen, wie etwa Benzyl und Phenethyl, und halogenierte Alkylgruppen wie etwa Chlormethyl, 3-Chlorpropyl, 3,3,3-Trifluorpropyl und Nonafluorbutylethyl. Die Methylgruppe ist bevorzugt. Tiefgestellter Index x in der obigen Formel ist 1, 2 oder 3 und vorzugsweise 3. Die folgenden sind Beispiele für die alkoxysilylhaltigen organischen Gruppen, die durch R2 dargestellt werden. -(CH2)2Si(OCH3)3 -(CH2)2Si(OCH3)2CH3 -(CH2)3Si(OC2H5)3 -(CH2)3Si(OC2H5)(CH3)2 -CH2O(CH2)3Si(OCH3)3 -CH2O(CH2)3Si(OC2H5)3 -CH2O(CH2)3Si(OCH3)2CH3 -CH2O(CH2)3Si(OC2H5)2CH3 -CH2OCH2Si(OCH3)3 -CH2OCH2Si(OCH3)(CH3)2
  • R3 in der obigen Formel ist ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus substituierten und unsubstituierten monovalenten Kohlenwasserstoffgruppen, C1- bis C10-Alkoxygruppen, Glycidoxyalkylgruppen, Oxiranylalkylgruppen und Acyloxyalkylgruppen. Beispiele für die Alkoxygruppen, die durch R3 dargestellt werden, umfassen Methoxy, Ethoxy und Propoxy; Beispiele für die Glycidoxyalkylgruppen, die durch R3 dargestellt werden, umfassen 3-Glycidoxypropyl; Beispiele für die Oxiranylalkylgruppen, die durch R3 dargestellt werden, umfassen 4-Oxiranylbutyl und 8-Oxiranyloctyl und Beispiele für die Acyloxyalkylgruppe, die durch R3 dargestellt wird, umfassen Acetoxypropyl und 3-Methylacryloxypropyl. Es ist besonders günstig, wenn R3 eine Alkenylgruppe oder eine Alkoxygruppe ist und eine Alkenylgruppe ist bevorzugt.
  • Figure 00060001
  • Figure 00070001
  • Figure 00080001
  • Figure 00090001
  • Figure 00100001
  • Figure 00110001
  • Figure 00120001
  • Figure 00130001
  • Figure 00140001
  • Die folgenden sind zwei Beispiele für ein Verfahren zur Herstellung dieses Silatranderivats:
    • (1) Eine epoxyhaltige Trialkoxysilanverbindung, beschrieben durch Formel:
      Figure 00150001
      worin jedes R1 unabhängig voneinander ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einem Wasserstoff und einer Alkylgruppe, R4 eine divalente organische Gruppe ist und R7 eine C1- bis C10-Alkylgruppe ist, wird mit Ammoniak oder einer Aminverbindung, beschrieben durch Formel: NHy(CR1 2CR1 2OH)(3–y) worin jedes R1 unabhängig voneinander ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einem Wasserstoffatom und einer Alkylgruppe und y gleich 1 oder 2 ist, umgesetzt.
    • (2) Eine epoxyhaltige Alkoxysilanverbindung, beschrieben durch Formel:
      Figure 00150002
      worin jedes R1 unabhängig voneinander ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einem Wasserstoffatom und einer Alkylgruppe; R4 eine divalente organische Gruppe ist; R6 eine substituierte oder unsubstituierte monovalente Kohlenwasserstoffgruppe ist; R7 eine C1- bis C10-Alkylgruppe ist und x gleich 1, 2 oder 3 ist, und eine Alkoxysilanverbindung, beschrieben durch Formel: R8Si(OR9)3, worin jedes R8 unabhängig voneinander ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus substituierten und unsubstituierten monovalenten Kohlenwasserstoffgruppen, C1- bis C10-Alkoxygruppen, Acyloxyalkylgruppen und Aminoalkylgruppen und R9 eine C1- bis C10-Alkylgruppe ist, werden mit Ammoniak oder einer Aminverbindung, beschrieben durch Formel: NHy(CR1 2CR1 2OH)(3–y), worin jedes R1 unabhängig voneinander ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einem Wasserstoffatom und einer Alkylgruppe und y gleich 1 oder 2 ist, umgesetzt.
  • Es wird geglaubt, dass bei diesen Methoden das Ammoniak oder die Aminverbindung eine Ringspaltungsreaktion der Epoxygruppe mit sich bringt und eine Silatranstruktur durch eine Cyclisierungsreaktion gebildet wird, die durch eine Alkoxygruppenaustauschreaktion zwischen den Hydroxylgruppen, die durch diese Ringspaltungsreaktion erzeugt werden, oder den Hydroxylgruppen in der Aminverbindung und den siliciumatomgebundenen Alkoxygruppen in dem Alkoxysilan hervorgebracht wird.
  • Bei dem ersten Herstellungsverfahren umfassen Beispiele für die epoxyhaltige Trialkoxysilanverbindung 4-Oxiranylbutyltrimthoxysilan, 8-Oxiranyloctyltrimethoxysilan, 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilan, 3-Glycidoxypropyltriethoxysilan, Glycidoxymethyltrimethoxysilan und Glycidoxymethyltriethoxysilan. Beispiele für die Aminverbindung umfassen 2-Hydroxyethylamin, 2,2'-Dihydroxyethylamin und 2-Hydroxy-2-methyl-ethylamin.
  • Bei dem ersten Herstellungsverfahren gibt es keine Beschränkungen in Bezug auf die Menge, in welcher die epoxyhaltige Trialkoxysilanverbindung in Bezug auf das Ammoniak zugesetzt wird, aber um Nebenprodukte zu mini mieren und ein Silatranderivat in einer besseren Ausbeute zu erhalten, sollte, falls die Reaktion unter Bedingungen durchgeführt wird, in welchen das Ammoniak nicht durch Verdampfung verloren geht, dann diese epoxyhaltige Trialkoxysilanverbindung in einer Menge von 3 bis 30 mol und vorzugsweise von 4 bis 20 mol pro mol Ammoniak verwendet werden. Es gibt keine Beschränkungen in Bezug auf die Menge, in welcher die epoxyhaltige Trialkoxysilanverbindung in Bezug auf die Aminverbindung in dem Herstellungsverfahren zugesetzt wird, aber um Nebenprodukte zu minimieren und ein Silatranderivat in einer besseren Ausbeute zu erhalten, sollte, falls y in der Aminverbindung gleich 1 ist, dann diese epoxyhaltige Trialkoxysilanverbindung in einer Menge von 1,5 bis 10 mol und vorzugsweise von 2 bis 5 mol Aminverbindung verwendet werden, aber, wenn y in der Aminverbindung gleich 2 ist, dann sollte die epoxyhaltige Trialkoxysilanverbindung in einer Menge von 2,5 bis 20 mol und vorzugsweise von 3 bis 10 mol verwendet werden.
  • Bei dem zweiten Herstellungsverfahren umfassen Beispiele für die epoxyhaltige Alkoxysilanverbindung 4-Oxiranylbutyltrimethoxysilan, 4-Oxiranylbutylmethyldimethoxysilan, 8-Oxiranyloctyltrimethoxysilan, 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilan, 3-Glycidoxypropyltriethoxysilan, 3-Glycidoxypropylmethyldimethoxysilan, 3-Glycidoxypropylmethyldiethoxysilan, Glycidoxymethyltrimethoxysilan, Glycidoxymethylmethyldimethoxysilan und Glycidoxymethyltriethoxysilan. Beispiele für Aminverbindungen sind die gleichen wie die Verbindungen, die oben aufgeführt sind. Beispiele für Alkoxysilanverbindungen umfassen Tetramethoxysilan, Tetraethoxysilan, Methyltrimethoxysilan, Methyltriethoxysilan, Vinyltrimethoxysilan, Vinyltriethoxysilan, Phenyltrimethoxysilan und 3-Methacryloxypropylmethoxysilan.
  • Bei dem zweiten Herstellungsverfahren gibt es keine Beschränkungen in Bezug auf die Menge, in welcher die epoxyhaltige Alkoxysilanverbindung in Bezug auf das Ammoniak zugesetzt wird, aber um Nebenprodukte zu mini mieren und ein Silatranderivat in. einer besseren Ausbeute zu erhalten, sollte, falls die Reaktion unter Bedingungen durchgeführt wird, in welchen das Ammoniak nicht durch Verdampfung verloren geht, dann diese epoxyhaltige Alkoxysilanverbindung in einer Menge von 2 bis 20 mol und vorzugsweise von 3 bis 15 mol pro mol Ammoniak verwendet werden. Die Menge, in welcher die Alkoxysilanverbindung zugesetzt wird, sollte 0,5 bis 50 mol und vorzugsweise 1 bis 20 mol pro mol Ammoniak betragen . Es gibt keine Beschränkungen in Bezug auf die Menge, in welcher die epoxyhaltige Alkoxysilanverbindung in Bezug auf die Aminverbindung in dem zweiten Herstellungsverfahren zugesetzt wird, aber um Nebenprodukte zu minimieren und ein Silatranderivat in einer besseren Ausbeute zu erhalten, sollte, falls y in der Aminverbindung gleich 1 ist, dann diese epoxyhaltige Alkoxysilanverbindung in einer Menge von 0,5 bis 10 mol und vorzugsweise von 0,8 bis 5 mol pro mol Aminverbindung verwendet werden, aber, falls y in der Aminverbindung gleich 2 ist, dann sollte die epoxyhaltige Alkoxysilanverbindung in einer Menge von 1,5 bis 20 mol und vorzugsweise von 1,8 bis 10 mol verwendet werden. Die Menge, in welcher die Alkoxysilanverbindung zugegeben wird, sollte 0,5 bis 50 mol und vorzugsweise 1 bis 20 mol pro mol Aminverbindung betragen.
  • Bei Verfahren wie diesen zur Herstellung eines Silatranderivats wird die Reaktion entweder bei Normaltemperatur oder unter Erwärmen fortschreiten, aber Erhitzen bei 100 C oder weniger ist vorzuziehen, so dass die Reaktion nicht so lange brauchen wird. Die Verwendung eines organischen Lösungsmittels ist in den obigen Herstellungsverfahren optional und Beispiele für organische Lösungsmittel, die verwendet werden können, umfassen Hexan, Heptan, Octan und andere aliphatische Kohlenwasserstoffe; Toluol, Xylol und andere aromatische Kohlenwasserstoffe; Methanol, Ethanol, Isopropanol und andere Alkohole; Aceton, Methylisobutylketon und andere Ketone; Diethylether, Tetrahydrofuran und andere Ether; Ethylacetat, Isoamylacetat und andere Ester und Dimethylformamid, Dimethylacetamid und andere Amidverbindungen. Insbesondere wird die Verwendung von Methanol, Ethanol oder einem anderen solchen Alkohol die Reaktionszeit verkürzen und wird erlauben, dass das Ziel-Silatranderivat in einer höheren Ausbeute erhalten wird. Wenn ein Alkohol in den obigen Herstellungsverfahren zugesetzt wird, ist es, um eine Alkoxyaustauschreaktion mit den siliciumatomgebundenen Alkoxygruppen während dieser Reaktion hervorzubringen, vorzuziehen, dass dieser Alkohol einer mit der gleichen Anzahl von Kohlenstoffatomen wie die siliciumatomgebundenen Alkoxygruppen in der epoxyhaltigen Trialkoxysilanverbindung oder in der epoxyhaltigen Alkoxysilanverbindung und der Alkoxysilanverbindung ist. Ebenso kann, wenn ein Alkohol in den obigen Herstellungsverfahren zugesetzt wird, die Reaktion beträchtlich verkürzt werden, indem sie bei der Rückflusstemperatur dieses Alkohols durchgeführt wird, und dies erhöht auch die Ausbeute des resultierenden Silatranderivats.
  • Es gibt keine Beschränkungen in Bezug auf die Menge, in welcher das Silatranderivat in der vernetzbaren Siliconzusammensetzung enthalten ist, aber es ist vorzuziehen, dass die Menge 0,01 bis 20 Gewichtsteile pro 100 Gewichtsteile Siliconpolymer, das der Hauptbestandteil in der vernetzbaren Siliconzusammensetzung ist, beträgt, wobei ein Bereich von 0,1 bis 10 Gewichtsteilen besonders günstig ist. Dies ist darin begründet, dass das Haftvermögen des vernetzten Produkts dazu neigt, niedriger zu sein, wenn die Menge, in welcher dieses Silatranderivat enthalten ist, unter der Untergrenze des obigen Bereichs liegt, wohingegen Überschreiten der Obergrenze des Bereichs das Haftvermögen nicht weiter erhöhen wird und tatsächlich dazu führt, die Stabilität der Siliconklebefolie zu erniedrigen.
  • Beispiele für die vernetzbare Siliconzusammensetzung, die dieses Silatranderivat enthält, umfasst eine, die durch eine Hydrosilylierungsreaktion vernetzt wird, eine, die durch eine Kondensationsreaktion vernetzt wird, eine, die durch ein organisches Peroxid vernetzt wird, und eine, die durch ultraviolette Strahlen vernetzt wird, aber eine, die durch eine Hydrosilylierungsreaktion vernetzt wird, ist bevorzugt. Diese durch eine Hydrosilylierungsreaktion vernetzbare Siliconzusammensetzung besteht z. B. aus (A) einem Organopolysiloxan mit mindestens zwei Alkenylgruppen, die an Siliciumatome gebunden sind, pro Molekül, (B) einem Organopolysiloxan mit mindestens zwei Wasserstoffatomen, die an Siliciumatome gebunden sind, pro Molekül, (C) einem Silatranderivat und (D) einem Hydrosilylierungsreaktionskatalysator.
  • Komponente A ist der Hauptbestandteil der obigen durch Hydrosilylierungsreaktion vernetzbaren Zusammensetzung und ist ein Organopolysiloxan mit mindestens zwei Alkenylgruppen, die an Siliciumatome gebunden sind, pro Molekül. Beispiele für die Molekularstruktur von Komponente A umfassen linear, linear mit einigen Verzweigungen, verzweigt und harzartig. Beispiele für die siliciumatomgebundenen Alkenylgruppen in Komponente A umfassen Vinyl, Allyl, Butenyl, Pentenyl und Hexenyl, wobei die Vinylgruppe besonders günstig ist. Die Bindungspositionen dieser Alkenylgruppen in Komponente A können an den Molekülkettenenden, seitenständig oder sowohl als auch sein. Beispiele für siliciumatomgebundene Gruppen, die nicht Alkenylgruppen sind, in Komponente A umfassen substituierte und unsubstituierte monovalente Kohlenwasserstoffgruppen, wie etwa die Methyl-, Ethyl-, Propyl-, Butyl-, Pentyl-, Hexyl-, Heptyl- und andere Alkylgruppen; Arylgruppen, wie etwa Phenyl, Tolyl, Xylyl und Napthyl; Aralkylgruppen, wie etwa Benzyl und Phenethyl, und halogenierte Alkylgruppen, wie etwa Chlormethyl, 3-Chlorpropyl und 3,3,3-Trifluorpropyl. Die Methylgruppe und Phenylgruppe sind besonders günstig. Es ist auch vorzuziehen, dass der Phenylgruppengehalt mindestens 1 Mol-% beträgt, wobei ein Bereich von 1 bis 60 Mol-% besonders gut ist und ein Bereich von 1 bis 30 Mol-% sogar noch besser ist, in Bezug auf die organischen Gruppen, die an Siliciumatome in Komponente A gebunden sind. Das Vorhandensein der Phenylgruppe verleiht der resultierenden Siliconklebefolie überlegene Kältebeständigkeit und ein Halbleiterbauelement, das unter Verwendung dieser Siliconklebefolie hergestellt ist, wird bessere Zuverlässigkeit haben. Es gibt keine Beschränkungen in Bezug auf die Viskosität von Komponente A, aber ein Bereich von 10 bis 1.000.000 mPa·s bei 25 C ist vorzuziehen.
  • Komponente B der durch Hydrosilylierungsreaktion vernetzbaren Siliconzusammensetzung ist ein Vernetzungsmittel und ist ein Organopolysiloxan mit mindestens zwei Wasserstoffatomen, die an Siliciumatome gebunden sind, pro Molekül. Beispiele für die Molekularstruktur von Komponente B umfassen linear, linear mit einigen Verzweigungen, verzweigt und harzartig. Die Bindungspositionen dieser Wasserstoffatome in Komponente B können an den Molekülkettenenden, seitenständig oder sowohl als auch sein. Beispiele für siliciumatomgebundene Gruppen, die keine Wasserstoffatome sind, in Komponente B umfassen substituierte und unsubstituierte monovalente Kohlenwasserstoffgruppen, wie etwa Methyl, Ethyl, Propyl, Butyl, Pentyl, Hexyl, Heptyl und andere Alkylgruppen; Arylgruppen, wie etwa Phenyl, Tolyl, Xylyl und Naphthyl; Aralkylgruppen, wie etwa Benzyl und Phenethyl, und halogenierte Alkylgruppen, wie etwa Chlormethyl, 3-Chlorpropyl und 3,3,3-Trifluorpropyl. Die Methylgruppe und Phenylgruppe sind besonders günstig. Es gibt keine Beschränkungen in Bezug auf die Viskosität von Komponente B, aber ein Bereich von 1 bis 100.000 mPa·s bei 25 C ist vorzuziehen.
  • Komponente B sollte in einer Menge enthalten sein, die groß genug ist, um die obige durch Hydrosilylierungsreaktion vernetzbare Zusammensetzung zu härten, was eine Menge ist, so dass zwischen 0,5 und 10 mol siliciumatomgebundene Wasserstoffatome pro mol siliciumgebundenen Alkenylgruppen in der Zusammensetzung vorliegen. Ein Bereich von 1 bis 5 mol ist besonders günstig. Dies ist darin begründet, dass es dazu führt, dass Härtung unangemessen ist, wenn die Molzahl von siliciumatomgebundenen Wasserstoffatomen in der Zusammensetzung pro mol siliciumatomgebundenen Alkenylgruppen unter der Untergrenze des obigen Bereichs ist, aber es, wenn die Molzahl über diesem Bereich ist, dazu führt, dass die Wärmebeständigkeit des vernetzten Produkts niedriger ist.
  • Komponente C wird verwendet, um das Haftvermögen der vernetzten Zusammensetzung zu erhöhen und Beispiele dafür sind die gleichen Silatranderivate, die oben diskutiert sind. Komponente C sollte in einer Menge enthalten sein, die groß genug ist, um dem vernetzten Produkt der obigen Zusammensetzung besonders gutes Haftvermögen zu verleihen. Zum Beispiel sollte diese Menge zwischen 0,01 und 20 Gewichtsteilen pro 100 Gewichtsteile Komponente A liegen und ein Bereich von 0,1 bis 10 Gewichtsteilen ist besonders günstig. Dies ist darin begründet, dass es dazu führt, dass das Haftvermögen des vernetzten Produkts abnimmt, wenn Komponenten C in einer Menge unterhalb der Untergrenze des obigen Bereichs enthalten ist, aber es keine weitere Zunahme in dem Haftvermögen geben wird, wenn die Obergrenze des obigen Bereichs überschritten wird, und tatsächlich wird es eine Tendenz geben, dass die Stabilität der Siliconklebefolie abnimmt.
  • Komponente D ist ein Katalysator, der verwendet wird, um Vernetzung der durch Hydrosilylierungsreaktion vernetzbaren Zusammensetzung durch eine Hydrosilylierungsreaktion zu fördern. Beispiele umfassen Katalysatoren auf Platinbasis, Katalysatoren auf Rhodiumbasis, Katalysatoren auf Palladiumbasis und andere bekannte Hydrosilylierungsreaktionskatalysatoren. Insbesondere sind Platinmikroteilchen, Platinmohr, Platin, das auf Siliciumdioxidmikroteilchen getragen ist, Platin, das auf Aktivkohle getragen ist, Chloroplatinsäure, eine alkoholische Lösung von Chloroplatinsäure, ein Olefinkomplex von Platin, ein Alkenylsiloxankomplex von Platin, ein Carbonylkomplex von Platin und andere solche Katalysatoren auf Platinbasis vorzuziehen, da die Reaktionsgeschwindigkeit besser werden wird.
  • Komponente D ist in einer Menge enthalten, die groß genug ist, um die Vernetzung der obigen durch Hydrosilylierungsreaktion vernetzbaren Zusammensetzung zu fördern. Wenn ein Platinkatalysator verwendet wird, sollte das Platinmetall, das der Zusammensetzung durch den Katalysator bereitgestellt wird, zwischen 0,01 und 1.000 ppm (Gewichtseinheiten) betragen und ein Bereich von 0,1 bis 500 ppm ist besonders günstig. Dies ist darin begründet, dass die Vernetzung viel langsamer wird, wenn die Menge, in welcher Komponente D in der Zusammensetzung enthalten ist, unter der Untergrenze des obigen Bereiches liegt, aber Überschreiten der Obergrenze des obigen Bereiches die Vernetzungsgeschwindigkeit nicht mehr weiter erhöhen wird und Probleme, wie etwa Verfärbung des vernetzten Produktes, erzeugen kann.
  • Es ist vorzuziehen, dass die obige Zusammensetzung einen Hydrosilylierungsreaktionsinhibitor enthält, um die Hydrosilylierungsreaktionsgeschwindigkeit einzustellen. Beispiele für diesen Hydrosilylierungsreaktionsinhibitor umfassen 3-Methyl-1-butin-3-ol, 3,5-Dimethyl-1-hexin-3-ol, Phenylbutinol und andere Alkinalkohole; 3-Methyl-1-penten-1-in, 3,5-Dimethyl-3-hexen-1-in und andere En-in-Verbindungen; 1,3,5,7-Tetramethyl-1,3,5,7-tetravinylcyclotetrasiloxan, 1,3,5,7-Tetramethyl-1,3,5,7-tetrahexenylcyclotetrasiloxan und Benzotriazol. Die Menge, in welcher dieser Hydrosilylierungsreaktionsinhibitor enthalten ist, wird mit den Bedingungen variieren, unter welchen die obige Zusammensetzung vernetzt wird, aber aus praktischen Gründen ist ein Bereich von 0,00001 bis 5 Gewichtsteilen pro 100 Gewichtsteile Komponente A vorzuziehen.
  • Wie benötigt können auch andere Komponenten zu der oben erwähnten Zusammensetzung gegeben werden, Beispiele hierfür umfassen Fällungskieselsäure, nasstechnisch hergestelltes Siliciumdioxid, pyrogene Kieselsäure, calciniertes Siliciumdioxid, Titanoxid, Aluminiumoxid, Glas, Quarz, Aluminokieselsäure, Eisenoxid, Zinkoxid, Calciumcarbonat, Ruß, Siliciumcarbid, Siliciumnitrid, Bornitrid und andere solche anorganische Füllstof fe, ebenso wie anorganische Füllstoffe, die erhalten werden, indem die obigen Füllstoffe mit einem Organohalogensilan, Organoalkoxysilan, Organosilazan oder anderen solchen Organosiliciumverbindungen behandelt werden; Siliconharz, Epoxyharz, Fluorharz und andere solche organische Harzmikropulver; Silber, Kupfer und andere solche leitfähigen Metallpulver und andere Füllstoffe, ebenso wie Farbstoffe, Pigmente, Flammverzögerungsmittel und Lösungsmittel.
  • Das Verfahren der vorliegenden Erfindung zur Herstellung einer Siliconklebefolie wird nun im Detail beschrieben werden. Das Herstellungsverfahren der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Siliconklebefolie zur Verbindung eines Halbleiterchips mit einer Chipbefestigungskomponente, indem eine vernetzbare Siliconzusammensetzung, die ein Silatranderivat enthält, einer Vernetzungsreaktion zwischen Trägermaterialien, die nicht an das vernetzte Produkt der Zusammensetzung kleben, unterworfen wird, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eines der Trägermaterialien eine größere Dielektrizitätskonstante als die des vernetzten Produktes hat. Beispiele für Trägermaterialien, die nicht an das vernetzte Produkt dieser vernetzbaren Siliconzusammensetzung kleben und die eine größere Dielektrizitätskonstante als die des vernetzten Produkts haben, umfassen Metalle, Metalle, Metalloxide und andere solche anorganische Trägermaterialien und Trägermaterialien, die aus Polyimidharzen, Polyesterharzen, Polyetherharzen, Polyethersulfonharzen, Epoxyharzen, Phenolharzen, Polyamidharzen und anderen organischen Harzen bestehen. Es ist besonders günstig, wenn die Seiten dieser Trägermaterialien, die die vernetzbare Siliconzusammensetzung berühren, Sauerstoffatome und/oder Schwefelatome aufweisen. Die Sauerstoffatome sind vorzugsweise Atome, die Gruppen ausmachen, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Carbonylgruppen, Alkoxygruppen, Estergruppen und Ethergruppen. Die Schwefelatome sind vorzugsweise Atome, die Gruppen ausmachen, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Sulfongruppen und Thioethergruppen. Es ist vorzuziehen, dass die Trägermaterialien, die nicht an das vernetzte Produkt dieser vernetzbaren Siliconzusammensetzung kleben, aus einem organischen Harz bestehen. Diese Trägermaterialien können aus diesen organischen Harzen alleine bestehen, oder sie können Verbundmaterialien sein, die diese organischen Harze auf nur der Oberfläche oder im Inneren aufweisen. Ein Beispiel für diese Verbundträgermaterialien ist eines, in welchem die Oberfläche eines der obigen organischen Harze mit einem Fluorharz oder anderem organischen Harz bedeckt ist. Es gibt keine Beschränkungen in Bezug auf die Form dieser Trägermaterialien, aber Beispiele umfassen Materialien in Form eines Blocks, einer Folie oder eines Films. Die Verwendung eines filmförmigen Trägermaterials ist besonders günstig, da es als ein Schutzmaterial für die Klebefolie auf Siliconbasis verwendet werden kann und dieses Schutzmaterial kann abgezogen werden, wenn die Klebefolie auf Siliconbasis auf den Halbleiterchip und die Chipbefestigungskomponente aufzubringen ist. Anstelle dieses Schutzmaterials kann ein anderes filmförmiges Schutzmaterial aufgebracht werden. Es gibt keine speziellen Beschränkungen in Bezug auf die Dielektrizitätskonstante des Schutzmaterials in diesem Fall, aber ein Fluorharz, Polyethylenharz, Polypropylenharz oder ein anderer solcher organischer Harzfilm können z. B. verwendet werden.
  • Es gibt keine speziellen Beschränkungen in Bezug auf die vernetzbare Siliconzusammensetzung, die in dem Herstellungsverfahren der vorliegenden Erfindung verwendet wird, so lange sie ein Silatranderivat enthält, aber Beispiele umfassen eine, die durch eine Hydrosilylierungsreaktion vernetzt wird, eine, die durch eine Kondensationsreaktion vernetzt wird, eine, die durch ein organisches Peroxid vernetzt wird und eine, die durch ultraviolette Strahlen vernetzt wird, aber eine, die durch eine Hydrosilylierungsreaktion vernetzt wird, ist vorzuziehen. Beispiele für diese durch Hydrosilylierungsreaktion vernetzbare Siliconzusammensetzung sind die oben aufgeführten Zusammensetzungen und Beispiele für dieses Silatranderivat sind die aufgeführten Verbindungen.
  • Beispiele für Verfahren zur Vernetzung bei der vorliegenden Herstellung umfassen ein Verfahren, in welchem eine vernetzbare Siliconzusammensetzung vernetzt wird, während sie sandwichartig zwischen den oben erwähnten nichtklebrigen Trägermaterialien angeordnet ist, ein Verfahren, in dem beide Seiten eines Trägers, wie etwa einer Siliconkautschukfolie oder einer organischen Harzfolie, mit der vernetzbaren Siliconzusammensetzung beschichtet werden und die Beschichtungen dann vernetzt werden, während sie sandwichartig zwischen den nichtklebrigen Trägermaterialien angeordnet sind, und ein Verfahren, in welchem eine vernetzbare Siliconzusammensetzung, die Siliconkautschukteilchen, organische Harzteilchen oder anorganische Teilchen oder einen anderen solchen Füllstoff enthält, vernetzt wird, während sie sandwichartig zwischen den nichtklebrigen Trägermaterialien angeordnet ist.
  • Es ist vorzuziehen, die vernetzbare Siliconzusammensetzung zu vernetzen, nachdem ihre Dicke mit einer Doppelwalze, einer Presse oder ähnlichem eingestellt wurde, während die vernetzbare Siliconzusammensetzung sandwichartig zwischen den Trägermaterialien angeordnet ist. Um die vernetzbare Siliconzusammensetzung zu vernetzen, kann sie z. B. bei Raumtemperatur stehen gelassen werden oder bei 200°C oder weniger erhitzt werden.
  • Die Siliconklebefolie, die in dieser Art und Weise hergestellt wurde, wird verwendet, um einen Halbleiterchip mit einer Chipbefestigungskomponente zu verbinden. Eine gesamte Seite oder ein Teil einer Seite eines Halbleiterchips, wie etwa eines Halbleiterchips in einem Hybrid-IC, oder einer Diode, eines Transistors, eines Thyristors, eines monolithischen ICs oder eines anderen solchen Bauelements, kann mit einer Chipbefestigungskomponente verbunden werden. Das Verfahren zur Verwendung dieser Siliconklebefolie, um einen Halbleiterchip mit einer Chipbefestigungskomponente zu verbinden, wird nun im Detail beschrieben werden. 1 ist ein Querschnitt eines Hybrid-ICs und 2 ist ein Querschnitt eines LSI-Chips, welches Beispiele für Halbleiterbauelemente sind, auf welche die vorliegende Siliconklebefolie aufgebracht werden kann. Das Halbleiterbauelement, das in 1 illustriert ist, weist einen Halbleiterchip 1 auf, der mit Halbleiterchipbefestigungskomponente 3 (in 1 eine Leiterplatte, die aus glasfaserverstärktem Epoxyharz hergestellt ist) durch Siliconklebefolie 2 verbunden ist und Halbleiterchip 1 ist elektrisch durch Verbindungsdraht 5 mit Stromkreisverdrahtung 4, die an eine externe Leitung angeschlossen ist, verbunden. Halbleiterchipbefestigungskomponente 3 kann aus einer Keramik, Glas, Epoxyharz, Polyimidharz, Phenolharz, Bakelitharz, Melaminharz, glasfaserverstärktem Epoxyharz oder ähnlichem gebildet sein. Stromkreisverdrahtung 4 kann aus Gold, Kupfer, Aluminium, Silber-Palladium, Indiumzinnoxid (ITO) oder ähnlichen gebildet sein. Verbindungsdraht 5 kann aus Gold, Kupfer oder Aluminium gebildet sein. Halbleiterelement 1 ist durch Siegelharz 6 versiegelt. Beispiele des Harzes, der Siegelharz 6 bildet, umfassen Epoxyharze, Phenolharze und Polyphenylensulfidharze. Zusätzlich zu Halbleiterchip 1 können auch elektronische Teile, wie etwa Widerstände, Kondensatoren und Spulen, auf Halbleiterchipbefestigungskomponente 3 montiert werden.
  • Das Halbleiterbauelement 3, das in 2 illustriert ist, weist Halbleiterchip 1, der mit Chipbefestigungskomponente 7 (in 2 eine Leiterplatte, die aus Polyimidharz hergestellt ist) mit Siliconklebefolie 2 verbunden ist auf und Halbleiterchip 1 ist elektrisch durch einen erhöhten Kontaktierungsfleck 8 mit Stromkreisverdrahtung 4 auf Halbleiterchipbefestigungskomponente 7 verbunden. Halbleiterchipbefestigungskomponente 7 kann aus einem Polyimidharz, einer Keramik, glasfaserverstärktem Epoxyharz oder ähnlichem gebildet sein. Erhöhter Kontaktierungsfleck 8 kann aus Gold, Aluminium, Lötmetall oder ähnlichem gebildet sein. Der Bereich um erhöhten Kontaktierungsfleck 8 zwischen Haltleiterchip 1 und Halbleiterchipbefestigungskomponente 7 kann versiegelt werden und mit einem Versiegelungsmittel/Füllstoff 9 gefüllt werden. Beispiele für Versiegelungsmittel/Füllstoff 9 umfassen ein flüssiges härtbares Silicon harz und ein flüssiges härtbares Epoxyharz. Falls notwendig, kann Halbleiterchip 1 mit Siegelharz 6 versiegelt werden.
  • Das folgende ist ein Beispiel für ein Verfahren zur Verbindung eines Halbleiterchips mit einer Chipbefestigungskomponente mit der oben erwähnten Siliconklebefolie. Bei dem Halbleiterbauelement, das in 1 gezeigt ist, wird entweder eine Siliconklebefolie an Halbleiterchip 1 geklebt und der Halbleiterchip 1 dann an Halbleiterchipbefestigungskomponente 3 mit dieser Folie geklebt oder eine Siliconklebefolie wird über Halbleiterchipbefestigungskomponente 3 geklebt und Halbleiterchip 1 wird dann an Halbleiterchipbefestigungskomponente 3 mit dieser Folie geklebt und dieses Produkt wird bei Raumtemperatur stehen gelassen oder bei 200°C oder darunter erhitzt. Es ist hier vorzuziehen, die Folie an die zu verbindenden Komponenten zu pressen, um Haftung sicherzustellen. Danach wird Halbleiterchip 1 elektrisch mit Stromkreisverdrahtung 4 durch Verbindungsdraht 5 verbunden. Halbleiterchip 1 wird dann mit Siegelharz 6 versiegelt, falls notwendig. Bei dem Halbleiterbauelement, das in 2 gezeigt ist, wird entweder die Siliconklebefolie auf Halbleiterchip 1 geklebt und Halbleiterchip 1 wird dann an Halbleiterchipbefestigungskomponente 7 mit dieser Folie geklebt oder die Siliconklebefolie wird an Halbleiterchipbefestigungskomponente 7 geklebt und Halbleiterchip 1 wird dann an Halbleiterchipbefestigungskomponente 7 mit dieser Folie geklebt und dieses Produkt lässt man bei Raumtemperatur stehen oder erhitzt es bei 200°C oder darunter. Es ist hier vorzuziehen, die Folie auf die zu verbindenden Komponenten zu pressen, um Haftung sicherzustellen. Danach wird Halbleiterchip 1 elektrisch mit Stromkreisverdrahtung 4 durch erhöhten Kontaktierungsfleck 8 verbunden. Der Bereich um erhöhten Kontaktierungsfleck 8 wird dann versiegelt und mit Versiegelungsmittel/Füllstoff 9 gefüllt. Halbleiterchip 1 wird ferner mit Siegelharz 6 versiegelt, falls benötigt. Da die vorliegende Siliconklebefolie erlaubt, dass ein Halbleiterchip mit einer Chipbefestigungskomponente bei relativ niedriger Temperatur verbunden wird, wird der Halbleiter chip nicht durch Hitze beschädigt und die Zuverlässigkeit des resultierenden Halbleiterbauelements ist höher.
  • Arbeitsbeispiele
  • Die vorliegende Siliconklebefolie und ein Verfahren zu ihrer Herstellung werden anhand von Arbeitsbeispielen beschrieben werden. Die Viskosität, die in den Arbeitsbeispielen angegeben ist, wurde bei 25°C gemessen und die Dielektrizitätskonstante des vernetzten Produkts der vernetzbaren Siliconzusammensetzung wurde bei 25°C und 1 MHz gemessen. Das Haftvermögen der Siliconklebefolie wurde wie folgt bewertet. Ein Siliciumwafer (3 × 3 cm) und eine Epoxyharzfolie (3 × 3 cm) wurden mit einer Siliconklebefolie (1 × 1 cm) dazwischen verklebt, wonach eine Kraft von 5 kgf/cm2 auf diese Anordnung ausgeübt wurde, während sie 10 min bei 100°C erhitzt wurde, was einen verbundenen Testkörper erzeugte. Der Siliciumwafer und die Epoxyharzfolie des verbundenen Testkörpers, der so erhalten wurde, wurden getestet, indem sie in gegensätzliche Richtungen gezogen wurden, der Anteil (%) der Testkörperoberfläche, der Kohäsivbruch erfuhr, wurde bestimmt und dies wurde als ein Index von Haftvermögen verwendet. Ein verbundener Testkörper, der in der gleichen Art und Weise wie oben hergestellt wurde, mit der Ausnahme, dass die Erhitzung 30 min bei 150°C erfolgte, wurde genauso auf Haftvermögen bewertet.
  • Bezugsbeispiel 1. 12,2 g (0,2 mol) 2-Hydroxyethylamin, 88,9 g (0,6 mol) Vinyltrimethoxysilan, 94,5 g (0,4 mol) 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilan und 32,0 g Methanol wurden in einen 500-ml-Vierhalskolben gegeben, der mit einem Rühren, einem Thermometer und einem Rückf1usskühler ausgestattet war. Dieses System wurde erhitzt und 8 h bei der Rückflusstemperatur von Methanol gerührt. Die gesamte Menge der Reaktionsmischung wurde in einen Kolben überführt und die niedrigsiedende Komponente wurde durch Rotationsverdampfung abdestilliert, was 132 g einer schwachgelben transluzenten Flüssigkeit ergab. Diese transluzente Flüssigkeit wurde einer 29Si-NMR-Analyse (kernmagnetische Resonanz) und 13C-NMR-Analyse unterworfen, was bestätigte, dass ein Silatranderivat, das durch die folgende Formel beschrieben wird, in einer Menge von mindestens 90 Gew.-% enthalten war.
  • Figure 00300001
  • Bezugsbeispiel 2. 148,2 g (1,0 mol) Vinyltrimethoxysilan, 141,8 g (0,6 mol) 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilan und 64,0 g Methanol wurden in einen 500-ml-Vierhalskolben gegeben, der mit einem Rühren, einem Thermometer und einem Rückflusskühler ausgestattet war. Dieses System wurde erhitzt und bei der Rückflusstemperatur von Methanol gerührt. Das System wurde dann unter Rückfluss 24 h erhitzt, während Ammoniakgas jede Stunde 2 min lang mit einer Geschwindigkeit von 50 ml/min eingesprüht wurde. Die Gesamtmenge der Reaktionsmischung wurde in einen Kolben überführt und die niedrigsiedende Komponente wurde durch Rotationsverdampfung abdestilliert, was 152,1 g einer schwachgelben transluzenten Flüssigkeit ergab. Diese transluzente Flüssigkeit wurde 29Si-NMR-Analyse und 13C-NMR-Analyse unterworfen, was bestätigte, dass ein Silatranderivat, das durch die folgende Formel beschrieben wird, in einer Menge von mindestens 90 Gew.-% enthalten war.
  • Figure 00310001
  • Bezugsbeispiel 3. 12,2 g (0,2 mol) 2-Hydroxyethylamin, 125,0 g (0,2 mol) Tetraethoxysilan, 111,4 g (0,4 mol) 3-Glycidoxypropyltriethoxysilan und 30 g Ethanol wurden in einen 500-ml-Vierhalskolben gegeben, der mit einem Rühren, einem Thermometer und einem Rückflusskühler ausgestattet war. Dieses System wurde erhitzt und 15 h bei der Rückflusstemperatur von Ethanol gerührt. Die Gesamtmenge der Reaktionsmischung wurde in einen Kolben überführt und die niedrigsiedende Komponente wurde durch Rotationsverdampfung abdestilliert, was 134,5 g einer schwachgelben transluzenten Flüssigkeit ergab. Diese transluzente Flüssigkeit wurde 29Si-NMR-Analyse und 13C-NMR-Analyse unterworfen, was bestätigte, dass ein Silatranderivat, das durch die folgende Formel beschrieben wird, in einer Menge von mindestens 90 Gew.-% enthalten war.
  • Figure 00330001
  • Arbeitsbeispiel 1. 72 Gewichtsteile eines dimethylvinylsiloxyendverkappten Dimethylpolysiloxans (Vinylgruppengehalt = 0,08 Gew.-%) mit einer Viskosität von 40.000 mPa·s, 15 Gewichtsteile eines dimethylvinylsiloxyendverkappten Dimethylsiloxan-Methylvinylsiloxan-Copolymers (Vinylgruppengehalt = 0,84 Gew.-%) mit einer Viskosität von 6.000 mPa·s, 3 Gewichtsteile Hexamethyldisilazan und partikuläre pyrogene Kieselsäure mit einer spezifischen BET-Oberfläche von 200 m2/g wurden 1 h in einem Ross-Mischer gemischt, wonach sie für weitere 2 h bei 170°C unter reduziertem Druck vermischt wurden. Das System wurde dann auf Raumtemperatur abgekühlt, um einen halbtransparenten pastenförmigen Siliconkautschukgrundbestandteil herzustellen.
  • Dann wurden 3 Gewichtsteile eines trimethylsiloxyendverkappten Dimethylsiloxan-Methylwasserstoffsiloxan-Copolymers (Gehalt an siliciumatomgebundenen Wasserstoffatomen = 0,7 Gew.-%) mit einer Viskosität von 5 mPa·s, 1,0 Gew.-Teil des Silatranderivats, das in Bezugsbeispiel 1 hergestellt wurde, ein 1,3-Divinyl-1,1,3,3,-tetramethyldisiloxan-Complex von Platin (bei dieser Zusammensetzung in einer Menge, so dass 5 ppm Platinmetall in diesem Komplex als Gewichtseinheiten vorhanden sein würden) und 0,01 Gewichtsteile 3-Phenyl-1-butin-3-ol einheitlich in 100 Gewichtsteile des oben erwähnten Siliconkautschukgrundbestandteils eingemischt, um eine durch Hydrosilylierungsreaktion vernetzbare Siliconzusammensetzung mit einer Viskosität von 70.000 mPa·s herzustellen.
  • Diese vernetzbare Siliconzusammensetzung wurde sandwichartig zwischen Polyethersulfonharzfolien (Dicke: 100 μm, Dielektrizitätskonstante: 3,5) mit Schwefelatomen (die Schwefelatome in den Sulfongruppen), die chemisch an ihre Oberfläche gebunden sind, angeordnet und dieses Produkt wurde einer Vernetzungsreaktion ausgesetzt, indem es 30 min in einem Heißluftofen bei 80°C in einem Zustand, in welchem die Dicke der vernetzbaren Siliconkautschukzusammensetzung durch Hindurchführen durch eine Edelstahldoppelwalze auf 200 μm reduziert worden war, erhitzt und da bei wurde eine Siliconklebefolie hergestellt. Diese Siliconklebefolie war leicht von den Polyethersulfonharzfolien abzuziehen und hatte eine gleichmäßige Dicke von etwa 200 μm und eine Dielektrizitätskonstante von 2,8. Tabelle 1 zeigt das Haftvermögen dieser Siliconklebefolie.
  • Arbeitsbeispiel 2. Eine Siliconklebefolie wurde in der gleichen Art und Weise wie in Arbeitsbeispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, dass das Silatranderivat, das in Bezugsbeispiel 2 hergestellt wurde, in der gleichen Menge anstelle des Silatranderivats, das in Bezugsbeispiel 1 hergestellt wurde, zugegeben wurde. Die erhaltene Siliconklebefolie war leicht von den Polyethersulfonharzfolien abzuziehen und hatte eine gleichmäßige Dicke von etwa 200 um und eine Dielektrizitätskonstante von 2,8. Tabelle 1 zeigt das Haftvermögen dieser Siliconklebefolie.
  • Arbeitsbeispiel 3. Eine Siliconklebefolie wurde in der gleichen Art und Weise wie in Arbeitsbeispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, dass das Silatranderivat, das in Bezugsbeispiel 3 hergestellt wurde, in der gleichen Menge anstelle des Silatranderivates, das in Bezugsbeispiel 1 hergestellt wurde, zugegeben wurde. Die erhaltene Siliconklebefolie war leicht von den Polyethersulfonharzfolien abzuziehen und hatte eine gleichmäßige Dicke von etwa 200 μm und eine Dielektrizitätskonstante von 2,8. Tabelle 1 zeigt das Haftvermögen dieser Siliconklebefolie.
  • Vergleichsbeispiel 1. Eine Siliconklebefolie wurde in der gleichen Art und Weise wie in Arbeitsbeispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, dass das Silatranderivat, das in Bezugsbeispiel 1 hergestellt wurde, nicht zugegeben wurde. Die so erhaltene Siliconklebefolie war leicht von den Polyethersulfonharzfolien abzuziehen und hatte eine gleichmäßige Dicke von etwa 200 μm und eine Dielektrizitätskonstante von 2,8. Tabelle 1 zeigt das Haftvermögen dieser Siliconklebefolie.
  • Vergleichsbeispiel 2. Eine Siliconklebefolie wurde in der gleichen Art und Weise wie in Arbeitsbeispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, dass eine 1 : 1-Mischung (Gewichtsverhältnis) von 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilan und einem dimethylhyroxyendverkappten Methylvinylpolysiloxan (Vinylgruppengehalt = 31 Gew.-%) mit einer Viskosität von 40 mPa·s in der gleichen Menge anstelle des Silatranderivats, das in Bezugsbeispiel 1 hergestellt wurde, zugegeben wurde. Die so erhaltene Siliconklebefolie war leicht von den Polyethersulfonharzfolien abzuziehen und hatte eine gleichmäßige Dicke von etwa 200 μm und eine Dielektrizitätskonstante von 2,8. Tabelle 1 zeigt das Haftvermögen dieser Siliconklebefolie.
  • Vergleichsbeispiel 3. Eine Siliconklebefolie wurde in der gleichen Art und Weise wie in Arbeitsbeispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, dass ein Organosiloxan (Vinylgruppengehalt = 16 Gew.-%) mit einer Viskosität von 20 mPa·s, das durch die folgende mittlere Einheitsformel beschrieben wird, in der gleichen Menge anstelle des Silatranderivats, das in Bezugsbeispiel 1 hergestellt wurde, zugegeben wurde. Die so erhaltene Siliconklebefolie war leicht von den Polyethersulfonharzfolien abzuziehen und hatte eine gleichmäßige Dicke von etwa 200 μm und eine Dielektrizitätskonstante von 2,8. Tabelle 1 zeigt das Haftvermögen dieser Siliconklebefolie.
  • Figure 00360001
  • Tabelle 1
    Figure 00360002

Claims (14)

  1. Siliconklebefolie zur Verbindung eines Halbleiterchips mit einer Chipbefestigungskomponente, enthaltend ein vernetztes Produkt einer vernetzbaren Siliconzusammensetzung, die ein Silatranderivat enthält.
  2. Siliconklebefolie wie in Anspruch 1 beansprucht, wobei ihre Außenseiten aus dem vernetzten Produkt einer vernetzbaren Siliconzusammensetzung, die ein Silatranderivat enthält, gebildet werden und ihr Inneres aus einer Siliconkautschukzusammensetzung, die nicht das Silatranderivat enthält, gebildet wird.
  3. Siliconklebefolie wie in Anspruch 1 oder 2 beansprucht, wobei das Silatranderivat eine Verbindung ist, beschrieben durch Formel:
    Figure 00370001
    worin jedes R1 unabhängig voneinander ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einem Wasserstoffatom und einer Alkylgruppe; jedes R2 unabhängig voneinander ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einem Wasserstoffatom, Alkylgruppen und alkoxysilylhaltigen organischen Gruppen, beschrieben durch Formel -R4-Si(OR5)xR6 (3–x), worin R4 eine divalente organische Gruppe ist, R5 eine C1-C10-Alkylgruppe ist, R6 eine substituierte oder unsubstituierte monovalente Kohlenwasserstoffgruppe ist und x gleich 1, 2 oder 3 ist, wobei mindestens eine der R2-Gruppen eine alkoxysilylhaltige organische Gruppe ist und R3 ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus substituierten und unsubstituierten monovalenten Kohlenwasserstoffgruppen, C1-C10-Alkoxygruppen, Glycidoxyalkylgruppen, Oxiranylalkylgruppen und Acyloxyalkylgruppen.
  4. Siliconklebefolie wie in Anspruch 3 beansprucht, wobei R3 eine Alkenylgruppe oder eine Alkoxygruppe ist.
  5. Siliconklebefolie wie in einem der Ansprüche 1 bis 4 beansprucht, wobei das Silatranderivat in einer Menge von 0,01 bis 20 Gewichtsteilen pro 100 Gewichtsteilen Polyorganosiloxan, das den Hauptbestandteil der vernetzbaren Siliconzusammensetzung ausmacht, enthalten ist.
  6. Siliconklebefolie wie in einem der Ansprüche 1 bis 5 beansprucht, wobei die vernetzbare Siliconzusammensetzung durch eine Hydrosilylierungsreaktion vernetzt wird.
  7. Verfahren zur Herstellung einer Siliconklebefolie zur Verbindung eines Halbleiterchips mit einer Chipbefestigungskomponente, umfassend Bewirken der Vernetzung einer vernetzbaren Siliconzusammensetzung, die ein Silatranderivat enthält, zwischen Trägermaterialien, die nicht an dem vernetzten Produkt der Zusammensetzung kleben, wobei mindestens eines der Trägermaterialien eine größere Dielektrizitätskonstante als die des vernetzten Produkts aufweist.
  8. Verfahren zur Herstellung einer Siliconklebefolie wie in Anspruch 7 beansprucht, worin das Silatranderivat eine Verbindung ist, beschrieben durch Formel:
    Figure 00390001
    worin jedes R1 unabhängig voneinander ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einem Wasserstoffatom und einer Alkylgruppe; jedes R2 unabhängig voneinander ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einem Wasserstoffatom, Alkylgruppen und alkoxysilylhaltigen organischen Gruppen, beschrieben durch Formel -R4-Si(OR5)xR6 (3–x), worin R4 eine divalente organische Gruppe ist, R5 eine C1-C10-Alkylgruppe ist, R6 eine substituierte oder unsubstituierte monovalente Kohlenwasserstoffgruppe ist und x gleich 1, 2 oder 3 ist, wobei mindestens eine der R2-Gruppen eine alkoxysilylhaltige organische Gruppe ist und R3 ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus substituierten und unsubstituierten monovalenten Kohlenwasserstoffgruppen, C1-C10-Alkoxygruppen, Glycidoxyalkylgruppen, Oxiranylalkylgruppen und Acyloxyalkylgruppen.
  9. Verfahren zur Herstellung einer Siliconklebefolie wie in Anspruch 8 beansprucht, worin R3 eine Alkenylgruppe oder eine Alkoxygruppe ist.
  10. Verfahren zur Herstellung einer Siliconklebefolie wie in einem der Ansprüche 7 bis 9 beansprucht, worin das Silatranderivat in einer Menge von 0,01 bis 20 Gewichtsteilen pro 100 Gewichtsteilen Organopolysiloxan, das den Hauptbestandteil der vernetzbaren Siliconzusammensetzung ausmacht, enthalten ist.
  11. Verfahren zur Herstellung einer Siliconklebefolie wie in einem der Ansprüche 7 bis 10 beansprucht, worin die vernetzbare Siliconzusammensetzung durch eine Hydrosilylierungsreaktion vernetzt wird.
  12. Verfahren zur Herstellung einer Siliconklebefolie wie in einem der Ansprüche 7 bis 11 beansprucht, worin mindestens eines der Trägermaterialien auf der Seite, die die vernetzbare Siliconzusammensetzung berührt, Atome, ausgewählt aus Sauerstoff und Schwefel, enthält.
  13. Verfahren zur Herstellung einer Siliconklebefolie wie in Anspruch 12 beansprucht, worin die Sauerstoffatome Substituenten von Gruppen sind, ausgewählt aus Carbonylgruppen, Alkoxygruppen, Estergruppen und Ethergruppen.
  14. Verfahren zur Herstellung einer Siliconklebefolie wie in Anspruch 12 beansprucht, worin die Schwefelatome Substituenten von Gruppen sind, ausgewählt aus Sulfongruppen und Thioethergruppen.
DE2000607925 1999-07-09 2000-07-07 Siliconklebefilm und Verfahren zu dessen Herstellung Expired - Lifetime DE60007925T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19530199A JP2001019933A (ja) 1999-07-09 1999-07-09 シリコーン系接着性シート、およびその製造方法
JP19530199 1999-07-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60007925D1 DE60007925D1 (de) 2004-03-04
DE60007925T2 true DE60007925T2 (de) 2004-10-28

Family

ID=16338888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2000607925 Expired - Lifetime DE60007925T2 (de) 1999-07-09 2000-07-07 Siliconklebefilm und Verfahren zu dessen Herstellung

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6379792B1 (de)
EP (1) EP1067161B1 (de)
JP (1) JP2001019933A (de)
KR (1) KR100655626B1 (de)
DE (1) DE60007925T2 (de)
TW (1) TWI267542B (de)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6551676B1 (en) * 1998-09-04 2003-04-22 Dow Corning Toray Silicone Company, Ltd. Silicone-based adhesive sheet method for manufacturing same and semiconductor device
JP4755330B2 (ja) * 2000-09-26 2011-08-24 東レ・ダウコーニング株式会社 オルガノポリシロキサン、およびその製造方法
TWI250190B (en) * 2001-10-03 2006-03-01 Dow Corning Toray Silicone Adhesive sheet of cross-linked silicone, method of manufacturing thereof, and device
JP2004043814A (ja) * 2002-07-15 2004-02-12 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd シリコーン系接着性シート、半導体チップと該チップ取付部の接着方法、および半導体装置
US20060251907A1 (en) * 2003-09-01 2006-11-09 Kiyoshi Shimizu Surface protection film and method for producing the same
US7232957B2 (en) * 2003-09-25 2007-06-19 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device and method of manufacturing the same
US8173519B2 (en) * 2006-03-03 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8222116B2 (en) * 2006-03-03 2012-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP4697243B2 (ja) * 2008-02-22 2011-06-08 セイコーエプソン株式会社 接合体および接合方法
US8222145B2 (en) * 2009-09-24 2012-07-17 Dupont Air Products Nanomaterials, Llc Method and composition for chemical mechanical planarization of a metal-containing substrate
JP6024638B2 (ja) * 2013-10-10 2016-11-16 信越化学工業株式会社 シリコーン粘着剤組成物、密着向上剤の製造方法及び粘着性物品
DE102014219095A1 (de) * 2014-09-22 2016-03-24 Nissan Chemical Industries, Ltd. Wafer-Träger-Anordnung
KR101726925B1 (ko) * 2014-11-19 2017-04-14 삼성에스디아이 주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 사용하여 밀봉된 반도체 소자
KR102554183B1 (ko) 2016-07-29 2023-07-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법, 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기
TWI753868B (zh) 2016-08-05 2022-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 剝離方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
TWI730017B (zh) 2016-08-09 2021-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的製造方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
CN109564851A (zh) 2016-08-31 2019-04-02 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
US10923350B2 (en) 2016-08-31 2021-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US10369664B2 (en) 2016-09-23 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
JPWO2020203307A1 (de) 2019-03-29 2020-10-08
JPWO2020203306A1 (de) 2019-03-29 2020-10-08
CN112194995A (zh) * 2020-09-15 2021-01-08 苏州桐力光电股份有限公司 一种低介电常数oca光学材料及制备方法
KR20240046792A (ko) 2021-08-31 2024-04-09 다우 도레이 캄파니 리미티드 경화성 실리콘 조성물, 그의 경화물 및 그의 제조방법
CN117881748A (zh) 2021-08-31 2024-04-12 陶氏东丽株式会社 固化性有机硅组合物、其固化物及其制造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3420473B2 (ja) * 1997-04-30 2003-06-23 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 シリコーン系接着性シート、その製造方法、および半導体装置
EP0908462B1 (de) * 1997-10-13 2003-07-16 Dow Corning Toray Silicone Company, Ltd. Silatranderivate und diese enthaltende härtbare Silikonzusammensetzungen
US5945555A (en) * 1997-11-28 1999-08-31 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Silatrane derivative, method for manufacturing same, adhesion promoter, and curable silicone composition

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001019933A (ja) 2001-01-23
EP1067161A1 (de) 2001-01-10
EP1067161B1 (de) 2004-01-28
TWI267542B (en) 2006-12-01
KR20010049739A (ko) 2001-06-15
DE60007925D1 (de) 2004-03-04
US6379792B1 (en) 2002-04-30
KR100655626B1 (ko) 2006-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60007925T2 (de) Siliconklebefilm und Verfahren zu dessen Herstellung
KR101275046B1 (ko) 핫 멜트형 실리콘 접착제
US6235862B1 (en) Adhesive silicone sheet, method for the preparation thereof and semiconductor devices
DE69824363T2 (de) Härtbare Siliconzusammensetzung und elektronische Bauteile
EP0757080B1 (de) Härtbare Organosiloxanzusammensetzungen und Halbleiterbauelemente
DE69724049T2 (de) Härtbare Silikonzusammensetzungen und ein Verfahren zur Herstellung von elektrischen Teilen
JP3950493B2 (ja) 導電性シリコーンゴム組成物、半導体装置の製造方法およびその半導体装置
KR101909353B1 (ko) 대형 다이 반도체 패키지를 위한 전도성 다이 부착 필름 및 그의 제조를 위해 유용한 조성물
DE60310222T2 (de) Halbleiterkapselung und verfahren zu ihrer herstellung
KR20000011449A (ko) 마이크로전자장치용다이부착접착제
DE60221547T2 (de) Klebefolie aus vernetztem silikon, verfahren zur herstellung derselben sowie die folie enthaltende vorrichtung
TW201930518A (zh) 聚矽氧系接著片、含有其之積層體、半導體裝置之製造方法
EP1067163B1 (de) Klebstoff und Halbleiterbauelemente
KR100490186B1 (ko) 전기전도성실리콘조성물,이를사용하는반도체장치의제조방법및반도체장치
DE102021120040A1 (de) Wärmeaushärtende silikonzusammensetzung
EP0827993B1 (de) Elektrische Komponente und Verfahren zur Herstellung
JP3691587B2 (ja) 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
DE60306156T2 (de) Wärmeleitende härtbare flüssige polymerzusammensetzung und mit dieser zusammensetzung hergestellter halbleiter

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition