DE60221547T2 - Klebefolie aus vernetztem silikon, verfahren zur herstellung derselben sowie die folie enthaltende vorrichtung - Google Patents

Klebefolie aus vernetztem silikon, verfahren zur herstellung derselben sowie die folie enthaltende vorrichtung Download PDF

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Yoshito Ichihara-shi Ushio
Katsuyuki Chiyoda-ku NAKAYAMA
Toyohiko Ichihara-shi FUJISAWA
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Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft Klebefolien aus vernetztem Silicon und ein Verfahren zur Herstellung solcher Folien, insbesondere betrifft sie Klebefolien aus vernetztem Silicon mit Oberflächen mit hoher Stabilität für das Abziehen sowie ein effektives Verfahren zur Herstellung von Folien des zuvor genannten Typs.
  • Stand der Technik
  • Die Europäische Patentanmeldung EP-A-1101810 , die offengelegte Veröffentlichung der japanischen Patentanmeldung H11-12546 und deren korrespondierendes U.S. Patent 6,235,862 offenbaren Klebefolien aus Silicon mit schützenden Filmen, die an beiden Seiten der Folien haften. Die zuvor genannte Folie ist zur Verwendung als ein Klebemittel zur Befestigung von Halbleiterchips oder Chiphaltern vorgesehen. Die schützenden Filme auf beiden Seiten der zuvor genannten Klebefolie werden normalerweise aus dem gleichen Material hergestellt.
  • Die deutsche Patentanmeldung DE-C-4319023 offenbart die Verwendung von Trennlagen mit unterschiedlichen Kräften für das Abziehen.
  • Jedoch werden, wenn eine Klebefolie aus vernetztem Silicon als ein dünner Film mit einer Dicke von 100 Mikrometern (μm) oder weniger hergestellt wird, die Bedingungen des Abziehens des schützenden Films von einer der beiden Seiten der Folie instabil.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Klebefolie aus einem vernetzten Silicon zur Verfügung zu stellen, die durch Stabilität beim Abziehen von schützenden Filmen von beiden Seiten der Folie gekennzeichnet ist, sowie ein effektives Verfahren zur Herstellung der zuvor genannten Klebefolie zur Verfügung zu stellen.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft eine Klebefolie, gekennzeichnet durch:
    (i) ein vernetztes Silicon mit einer Dicke von 100 μm oder weniger, (ii) einen ersten schützenden Film auf der einen Seite des vernetzten Silicons, enthaltend ein Polyethersulfonharz oder einen Polyethylenterephthalatfilm mit einer Polyethersulfonharzschicht auf der Oberfläche, und (iii) einen zweiten schützenden Film auf der gegenüberliegenden Seite des vernetzten Silicons, enthaltend ein Triacetylcelluloseharz oder einen Polyethylenterephthalatfilm mit einer Triacetylcelluloseharzschicht auf der Oberfläche, wobei eine Kraft für das Abziehen des ersten Filmes (ii) von der Klebefolie gleich oder unterhalb von 5,0 N/m ist, wobei eine Kraft für das Abziehen des zweiten Filmes (iii) von der Klebefolie gleich oder unterhalb von 5,0 N/m ist, und wobei der Unterschied zwischen den Kräften für das Abziehen des ersten Filmes (ii) und des zweiten Filmes (iii) gleich 0,2 N/m ist oder diesen Wert übersteigt.
  • Ein Verfahren der vorliegenden Erfindung zur Herstellung einer Klebefolie aus einem vernetzten Silicon umfasst das Bilden eines folienähnlichen Körpers durch das Einbringen einer (iv) vernetzbaren Siliconzusammensetzung in eine Schicht mit einer Dicke von 100 μm oder weniger zwischen (ii) dem ersten schützenden Film und (iii) dem zweiten schützenden Film und das Vernetzen der Komponente (iv). Das Verfahren ist durch die Herstellung der schützenden Filme aus verschiedenen Materialien gekennzeichnet.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen:
  • 1 ist eine Querschnittsansicht eines integrierten Hybridschaltkreises (IC, „integrated circuit") als ein Beispiel einer Halbleitervorrichtung, die unter Verwendung der Klebefolie aus vernetztem Silicon der Erfindung hergestellt werden kann.
  • Die in der Beschreibung verwendeten Bezugszahlen sind:
    • 1
    Halbleiterchip
    2
    Klebefolie aus vernetztem Silicon
    3
    Halbleiterchip-Halteelement
    4
    Zwischenverbindungen
    5
    Anschlußdrähte
    6
    Dichtungsharz
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Eine Klebefolie aus vernetztem Silicon der vorliegenden Erfindung wird nun in mehr Detail beschrieben werden. Wie es oben erwähnt wird, wird eine Klebefolie der vorliegenden Erfindung aus einem vernetzten Silicon mit einer Dicke von 100 μm oder weniger zwischen schützenden Filmen, die an beide Seiten der Folie geklebt sind, hergestellt. Das zuvor erwähnte vernetzte Silicon kann ein Elastomer in der Form eines Kautschuks oder Gels enthalten, die Form als Kautschuk ist aber bevorzugt. Zudem kann die Klebefolie aus vernetztem Silicon durch das Vernetzen einer vernetzbaren Siliconzusammensetzung hergestellt werden. Beispiele der vernetzbaren Siliconzusammensetzung, die für die Erfindung geeignet ist, sind solche, die durch eine Hydrosilylierungsreaktion, eine Kondensationsreaktion, eine radikalische Vernetzungsreaktion unter Verwendung eines organischen Peroxids oder unter Verwendung ultravioletter Strahlen vernetzt werden können, wobei aber diejenige, die durch eine Hydrosilylierungsreaktion vernetzt wird, bevorzugt ist.
  • Eine Siliconzusammensetzung, die durch eine Hydrosilylierungsreaktion vernetzbar ist, kann wenigstens die folgenden Komponenten enthalten: (A) ein Organopolysiloxan mit wenigstens zwei Alkenylgruppen pro Molekül, (B) ein Organopolysiloxan mit wenigstens zwei siliciumgebundenen Wasserstoffatomen pro Molekül, (C) einen Klebebeschleuniger und (D) einen Metallhydrosilylierungskatalysator.
  • Ein Organopolysiloxan der Komponente (A) ist eine Hauptkomponente der zuvor genannten Zusammensetzung und ist dadurch gekennzeichnet, dass sie wenigstens zwei Alkenylgruppen in einem Molekül aufweist. Beispiele der Mole külstrukturen der Komponente (A) umfassen lineare, lineare mit einigen Verzweigungen, verzweigte und netzartige Strukturen. Beispiele der Alkenylgruppen in der Komponente (A) umfassen Vinyl, Allyl, Butenyl, Pentenyl und Hexenyl, wobei die Vinylgruppe bevorzugt ist. Die Bindungspositionen dieser Alkenylgruppen in der Komponente (A) können an den Enden der Molekülkette und/oder seitenständig sein. Beispiele der siliciumatomgebundenen Gruppen, die nicht die Alkenylgruppen in der Komponente (A) sind, umfassen substituierte und nicht substituierte einbindige Kohlenwasserstoffgruppen wie Methyl, Ethyl, Propyl, Butyl, Pentyl, Hexyl, Heptyl und andere Alkylgruppen; Arylgruppen wie Phenyl, Tolyl, Xylyl und Naphthyl; Aralkylgruppen wie Benzyl und Phenethyl; sowie halogenierte Alkylgruppen wie Chlormethyl, 3-Chlorpropyl und 3,3,3-Trifluorpropyl. Die Methylgruppen und Phenylgruppen sind bevorzugt. Um die Beständigkeit der vernetzten Siliconfolie gegenüber Kälte zu verbessern und so die Zuverlässigkeit einer Halbleitervorrichtung zu verbessern, die durch das Befestigen eines Halbleiterchips oder eines Chiphalteelements an die zuvor erwähnte Folie erhalten wird, wird empfohlen, dass für die Phenylgruppe der Gehalt wenigstens 1 Mol-% beträgt, wobei ein Bereich von 1 bis 60 Mol-% bevorzugt ist und ein Bereich von 1 bis 30 Mol-% mehr bevorzugt ist, und zwar in Bezug auf die organischen Gruppen, die an Siliciumatome in der Komponente (A) gebunden sind. Es gibt keine Beschränkungen in Bezug auf die Viskosität der Komponente (A), es ist aber ein Bereich von 100 bis 1.000.000 Millipascalsekunden (mPa·s) bei 25 °C bevorzugt.
  • Ein Organopolysiloxan der Komponente (B) ist ein Vernetzungsmittel und ist ein Organopolysiloxan mit wenigstens zwei an Siliciumatomen gebundenen Wasserstoffatomen pro Molekül. Beispiele der Molekülstruktur der Komponente (B) umfassen lineare, lineare mit einigen Verzweigungen, verzweigte und netzartige Strukturen. Die Bindungspositionen der Wasserstoffatome an das Siliciumatom in der Komponente (B) können an den Enden der Molekülkette und/oder seitenständig sein. Beispiele von siliciumatomgebundenen Gruppen in der Komponente (B), die nicht Wasserstoffatome sind, umfassen substituierte und nicht substituierte einbindige Kohlenwasserstoffgruppen wie Methyl, Ethyl, Propyl, Butyl, Pentyl, Hexyl, Heptyl und andere Alkylgruppen; Arylgruppen wie Phenyl, Tolyl, Xylyl und Naphthyl; Aralkylgruppen wie Benzyl und Phenethyl sowie halogenierte Alkylgruppen wie Chlormethyl, 3-Chlorpropyl und 3,3,3-Trifluorpropyl. Die Methyl gruppe und die Phenylgruppe sind besonders bevorzugt. Es gibt keine Beschränkungen in Bezug auf die Viskosität der Komponente (B), es ist aber ein Bereich von 1 bis 1.000.000 mPa·s bei 25 °C bevorzugt.
  • Obwohl es keine besonderen Beschränkungen bezüglich der Menge der Komponente (B) gibt, die zur Verwendung in der Zusammensetzung erforderlich ist, wird empfohlen, dass diese Komponente in einer Menge enthalten ist, die zur Vernetzung der oben genannten Zusammensetzung ausreicht. Genauer gesagt, sollte sie in einer Menge von 0,5 bis 10 Mol, vorzugsweise zwischen 1 und 3 Mol der siliciumgebundenen Wasserstoffatome pro Mol der Alkenylgruppen in der Komponente (A) verwendet werden. Dies ist so, weil die Vernetzung dazu tendieren wird, unzureichend zu sein, wenn die Komponente (B) in einer Menge von weniger als dem empfohlenen Bereich verwendet wird, wenn aber die Menge der verwendeten Komponente (B) den empfohlenen oberen Grenzwert überschreitet, dann wird die Wärmebeständigkeit der erhaltenen vernetzten Klebefolie dazu tendieren, geringer zu sein.
  • Die Komponente (C) ist ein Mittel, das die Klebkraft der Zusammensetzung verstärkt, und sie wird verwendet, um eine besonders gute Haftung auf das vernetzte Siliconprodukt der oben genannten Zusammensetzung zu vermitteln. Eine organische Siliciumverbindung mit wenigstens einer siliciumgebundenen Alkoxygruppe pro Molekül ist zur Verwendung als Verbindung (C) bevorzugt. Die zuvor genannte Alkoxygruppe kann durch eine Methoxy-, Ethoxy-, Propoxy-, Butoxy- und Methoxyethoxygruppe dargestellt werden, wobei von diesen eine Methoxygruppe am meisten bevorzugt ist. Die folgenden sind Beispiele von Gruppen, die nicht die Alkoxygruppen sind, die an Siliciumatome in den zuvor genannten organischen Siliciumverbindungen gebunden sind: Wasserstoffatome; substituierte und nicht substituierte einbindige Kohlenwasserstoffgruppen wie Methyl, Ethyl, Propyl, Butyl, Pentyl, Hexyl, Heptyl und andere Alkylgruppen; Vinyl, Allyl, Butenyl, Pentenyl, Hexenyl und andere Alkenylgruppen; Phenyl, Tolyl, Xylyl, Naphtyl und andere Arylgruppen; Benzyl, Phenethyl und andere Aralkylgruppen; Chlormethyl, 3-Chlorpropyl und 3,3,3-Trifluorpropyl und andere halogenierte Alkylgruppen; 3-Glycidoxypropyl, 4-Glycidoxybutylgruppen und andere Glycidoxyalkylgruppen; 2-(3,4-Epoxycyclohexyl)ethyl; 3-(3,4-Epoxycyclohexyl)propyl und andere Epoxy cyclohexylalkylgruppen; einbindige organische Gruppen, die Epoxygruppen enthalten, wie 4-Oxyranylbutyl, 8-Oxyranyloctyl und andere Oxyranylalkylgruppen; einbindige organische Gruppen, die Acrylgruppen enthalten, wie 3-Methacryloxypropylgruppen oder Ähnliche. Es wird empfohlen, dass die zuvor genannten organischen Siliciumverbindungen in einem Molekül wenigstens eine Alkenylgruppe oder ein siliciumgebundenes Wasserstoffatom enthalten. Zudem wird vom Standpunkt der verbesserten Haftung von Substraten aus verschiedenen Materialien an die durch Vernetzung der zuvor genannten Zusammensetzung hergestellten Siliconklebefolien empfohlen, dass die zuvor genannte organische Siliciumverbindung in einem Molekül eine einbindige organische Gruppe mit wenigstens einer Epoxygruppe enthält. Solche organischen Siliciumverbindungen können durch Silane, Siloxane und Silatrane dargestellt werden. Die zuvor genannten Siloxanverbindungen können eine lineare, lineare mit einigen Verzweigungen, verzweigte, zyklische oder netzartige Struktur aufweisen. Die linearen, verzweigten und netzartigen Strukturen sind bevorzugt. Das Folgende sind spezifische Beispiele der zuvor genannten organischen Siliciumverbindungen: 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilan, 2-(3,4-Epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilan, 3-Methacryloxypropyltrimethoxysilan oder eine ähnliche Silanverbindung; eine Siloxanverbindung mit wenigstens einer der folgenden Gruppen in einem Molekül: eine siliciumgebundene Alkenylgruppe, ein siliciumgebundenes Wasserstoffatom oder eine siliciumgebundene Alkoxygruppe; eine Mischung aus einer Silan- oder einer Siloxanverbindung mit wenigstens einer siliciumgebundenen Alkoxygruppe mit einer Siloxanverbindung mit wenigstens einer der folgenden Gruppen in einem Molekül: einer siliciumgebundenen Hydroxygruppe oder einer siliciumgebundenen Alkenylgruppe; eine Siloxanverbindung, die durch die folgende allgemeine Formel ausgedrückt wird:
    Figure 00060001
    worin a, b und c positive Zahlen sind;
    eine Siloxanverbindung, ausgedrückt durch die folgende allgemeine Formel:
    Figure 00070001
    eine Silatranverbindung, ausgedrückt durch die folgende allgemeine Formel:
    Figure 00070002
    oder eine Silatranverbindung, ausgedrückt durch die folgende allgemeine Formel:
    Figure 00070003
  • Obwohl es keine besonderen Beschränkungen in Bezug auf die Menge der Komponente (C) gibt, die zur Verwendung in der Zusammensetzung der Erfindung geeignet ist, sollte diese ausreichend sein, um eine gute Haftung an die Klebefolie aus vernetztem Silicon zur Verfügung zu stellen, die durch das Vernetzen der zuvor genannten Zusammensetzung hergestellt wird. Genauer gesagt wird empfohlen, die Komponente (C) in einer Menge von 0,01 bis 20, vorzugsweise 0,1 bis 10 Gewichtsanteilen für alle 100 Gewichtsanteile der Komponente (A) zu verwenden. Dies ist so, weil wenn die zuvor genannte Menge unterhalb dem unteren empfohlenen Grenzwert liegt, die Klebfolie eine Tendenz haben wird, sich in ihrer Klebkraft zu verringern, und wenn die zuvor genannte Menge den oberen empfohlenen Grenzwert überschreitet, dann wird die Klebefolie aus vernetztem Silicon zusammen mit der Verringerung der Klebkraft eine Tendenz zur Variation in den mechanischen Eigenschaften aufweisen.
  • Die Komponente (D) ist ein Metallkatalysator, der die auf einer Hydrosilylierungsreaktion basierende Härtung der Zusammensetzung beschleunigt. Die Komponente (D) kann z. B. Platinkatalysatoren, Rhodiumkatalysatoren und Palladiumkatalysatoren sein. Um bessere Reaktionsgeschwindigkeiten der Vernetzung zur Verfügung zu stellen, wird empfohlen, Platinkatalysatoren zu verwenden. Die Platinkatalysatoren können beispielhaft durch Platinmikropulver, Platinruß, auf Siliciumdioxidmikropulver gestütztes Platin, auf Aktivkohle gestütztes Platin, Chlorplatinsäure, Alkohollösungen von Chlorplatinsäre, Olefinkomplexe von Platin und Alkenylsiloxankomplexe von Platin dargestellt werden.
  • Obwohl es keine besonderen Beschränkungen in Bezug auf die Menge gibt, in der die Komponente (D) verwendet werden sollte, wird empfohlen, diese in einer ausreichenden Menge hinzu zu geben, um die Härtung der jeweiligen Zusammensetzung zu beschleunigen. Wenn ein Metallkatalysator als die Komponente (D) verwendet wird, dann wird der Katalysator so hinzu gegeben, um die jeweilige Zusammensetzung mit vorzugsweise 0,01 bis 1.000 Gewichts-ppm Metall auf der Grundlage des Gewichts der Zusammensetzung, und besonders bevorzugt 0,1 bis 500 Gewichts-ppm Metall auf der Grundlage des Gewichts der Zusammensetzung auszustatten. Die Geschwindigkeit der Vernetzung verringert sich wesentlich, wenn die Zugabe der Komponente (D) unter den genannten Bereich fällt. Zugaben oberhalb des genannten Bereiches haben wenig Einfluss auf die Härtungsgeschwindigkeit, bewirken aber Probleme wie z. B. eine Verfärbung.
  • Zur Anpassung der Geschwindigkeit der Vernetzung kann die Zusammensetzung der Erfindung mit einem Inhibitor der Hydrosilylierungsreaktion kombiniert werden, wie 3-Methyl-1-butin-3-ol, 3,5-Dimethyl-1-hexin-3-ol und Phenylbutinol; En-in-Verbindungen wie 3-Methyl-3-penten-1-in und 3,5-Dimethyl-3-hexen-1-in; und auch 1,3,4,7-Tetramethyl-1,3,5,7-tetravinylcyclotetrasiloxan, 1,3,5,7-Tetramethyl-1,3,5,7-tetrahexenylcyclotetrasiloxan und Benzotriazol. Obwohl es keine besonderen Beschränkungen für die Mengen gibt, in denen die oben genannten Inhibitoren verwendet werden können, wird empfohlen, diese Inhibitoren in dem Bereich von 0,00001 bis 5 Gewichtsanteilen pro 100 Gewichtsanteile der Komponente (A) hinzu zu geben.
  • Andere Komponenten, die auf einer optionalen Basis zu der jeweiligen härtbaren Siliconzusammensetzung hinzu gegeben werden können, werden beispielhaft durch anorganische Füllstoffe wie gefälltes Siliciumdioxid, nass verarbeitetes Siliciumdioxid, pyrogenes Siliciumdioxid, kalziniertes Siliciumdioxid, Titanoxid, Aluminiumoxid, Glas, Quarz, Aluminosilikate, Eisenoxid, Zinkoxid, Calciumcarbonat, Ruß, Siliciumcarbid, Siliciumnitrid, Bornitrid und so weiter; diese anorganischen Füllstoffe nach der Behandlung mit einer Organosiliciumverbindung wie ein Organohalosilan, Organoalkoxysilan oder Organosilazan; organische Harzmikropulver wie solche aus Siliconharzen, Epoxyharzen und Fluorharzen; teilchenförmige Füllstoffe aus elektrisch leitenden Metallen wie Silber und Kupfer; sowie auch Farbstoffe, Pigmente, flammenhemmende Mittel und Lösungsmittel dargestellt.
  • Die Klebefolie aus vernetztem Silicon der vorliegenden Erfindung hat an beiden Seiten der Folie anhaftende schützende Filme. Solche schützenden Filme schützen die Haftoberflächen der Folie vor Verunreinigung durch Dreck und müssen vor der Verwendung der Klebefolie von der Klebefolie abgezogen werden. Es ist erforderlich, dass eine Kraft für das Abziehen der schützenden Filme von beiden Seiten der Klebefolie aus vernetztem Silicon der vorliegenden Erfindung gleich oder unterhalb von 5,0 N/m ist. Wenn eine Kraft, die zum Abziehen eines schützenden Films von der Klebefolie aus vernetztem Silicon erforderlich ist, 5,0 N/m überschreitet, dann besteht die Möglichkeit, dass der schützende Film zerrissen wird. Ein anderes Erfordernis ist, dass der Unterschied zwischen den Kräften für das Abziehen auf beiden Seiten der Haftfolie gleich 0,2 N/m ist oder übersteigt, vorzugsweise gleich 0,5 N/m ist oder übersteigt. Wenn der zuvor genannte Unterschied unter dem gezeigten Grenzwert liegt, dann wäre es schwierig, eine Stabilität für das Abziehen über die gesamte Abziehoberfläche zur Verfügung zu stellen.
  • Der erste schützende Film enthält ein Polyethersulfonharz oder einen Polyethylenterephthalatfilm mit einer Polyethersulfonharzschicht auf der Oberfläche. Der zweite schützende Film enthält einen Triacetylcelluloseharz oder einen Polyethylenterephthalatfilm mit einer Triacetylcelluloseharzschicht auf der Oberfläche.
  • Die schützenden Filme können durch das Beschichten der zuvor genannten Harze auf eine Oberfläche von Filmen hergestellt werden, die aus den anderen organischen Harzen hergestellt werden, oder sie können durch das Laminieren der zuvor genannten Harze und der anderen organischen Harze hergestellt werden. Das zuvor genannte Acetylcelluloseharz kann beispielhaft durch Diacetylcelluloseharz und Triacetylcelluloseharz (TAC) dargestellt werden.
  • Ein Verfahren zur Herstellung einer Klebefolie aus vernetztem Silicon der Erfindung umfasst ein Verfahren zur Herstellung der zuvor genannten Klebefolie, gekennzeichnet durch: (1) das Bilden eines folienähnlichen Körpers durch Einbringen einer (iv) vernetzbaren Siliconzusammensetzung in eine Schicht mit einer Dicke von 100 μm oder weniger zwischen (ii) dem ersten schützenden Film und (iii) dem zweiten schützenden Film und (2) das Vernetzen der Komponente (iv).
  • Beispiele von vernetzten Siliconzusammensetzungen, die in dem Verfahren der Erfindung nützlich sind, sind die folgenden: Eine Siliconzusammensetzung, die durch eine Hydrosilylierungsreaktion vernetzbar ist, eine Siliconzusammensetzung, die durch eine Kondensationsreaktion vernetzbar ist, eine Siliconzusammensetzung, die durch eine radikalische Reaktion unter Verwendung eines organischen Peroxids vernetzbar ist, sowie eine Siliconzusammensetzung, die unter der Wirkung hoch energetischer Strahlung vernetzbar ist. Die am meisten bevorzugte ist eine Siliconzusammensetzung, die durch eine Hydrosilylierungsreaktion vernetzbar ist. Es wird empfohlen, dass die zuvor genannte Siliconzusammensetzung, die in einer Hydrosilylierungsreaktion vernetzbar ist, wenigstens die folgenden Komponenten enthält: (A) ein Organopolysiloxan mit wenigstens zwei Alkenylgruppen pro Molekül, (B) ein Organopolysiloxan mit wenigstens zwei siliciumgebundenen Wasserstoffatomen pro Molekül, (C) einen Klebebeschleuniger und (D) einen Metallhydrosilylierungskatalysator. Die Siliconzusammensetzung, die durch eine Hydrosilylierungsreaktion vernetzbar ist und in der vorliegenden Erfindung verwendet wird, ist die zuvor beschriebene.
  • In dem Verfahren der Erfindung wird ein folienähnliches Produkt durch die sandwichartige Positionierung einer vernetzbaren Siliconzusammensetzung zwischen zwei schützende Filme gebildet, und dann wird eine Klebefolie aus vernetztem Silicon durch das Vernetzen der zuvor genannten Zusammensetzung gebildet. Die Vernetzung kann durch Lagern bei Raumtemperatur, bei 200 °C oder weniger, vorzugsweise bei 120 °C oder weniger oder durch das Bestrahlen mit einem Elektronenstrahl durchgeführt werden.
  • Die Klebefolie aus vernetztem Silicon der Erfindung wird verwendet, um einen Halbleiterchip an einen Chiphalter zu befestigen. Es wird empfohlen, dass die Klebefolie aus vernetztem Silicon eine Kleinstmenge an Uran oder Thorium, z. B. in einer Menge von nicht mehr als 1 ppb, enthält. Die Klebefolie aus vernetztem Silicon kann eine kleine Menge an Ionen von Natrium, Kalium oder eines ähnlichen Alkalimetalls enthalten, insbesondere in einer Menge von nicht mehr als 1 ppm.
  • Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung der zuvor genannten Klebefolie aus vernetztem Silicon wird nun in mehr Detail beschrieben werden. Anwendbare Halbleitervorrichtungen können beispielhaft durch Dioden, Transistoren, Thyristoren, monolithische integrierte Schaltkreise, integrierte Hybridschaltkreise, groß skalierte integrierte Schaltkreise und sehr klein skalierte integrierte Schaltkreise dargestellt werden. Ein Beispiel einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung wird in 1 gezeigt, die ein Querschnitt eines integrierten Hybridschaltkreises ist. In der Halbleitervorrichtung, die in 1 gezeigt wird, ist ein Halbleiterchip 1 an einen Halbleiterchiphalter 3 unter Verwendung einer Klebefolie aus vernetztem Silicon 2 gebunden. Der Halbleiterchip 1 und die Zwischenverbindungen 4, die mit den äußeren Führungen verbunden sind, sind elektrisch mit dem Halbleiterchip 1 durch Anschlußdrähte 5 verbunden. Der Halbleiterchip 1 kann eine Memory-Einheit aus einer Diode, einem Transistor, einem Thyristor, einem monolithischen integrierten Schaltkreis oder einen integrierten Hybridschaltkreis oder einen Halbleiterchip in einem integrierten Hybridschaltkreis umfassen. Der Halbleiterchiphalter 3 kann aus einem keramischen Stoff, Glas, Epoxyharz, Polyimidharz, phenolischen Harz, Bakelitharz, Melaminharz, mit Glasfaser verstärktem Epoxyharz und mit Glasfaser verstärktem BT-Harz hergestellt werden. Die Zwischenverbindungen 4 können aus Gold, Kupfer, Aluminium, Silber-Palladium, Indium-Zinnoxid und so weiter hergestellt werden. Die Anschlußdrähte 5 können aus Gold, Kupfer oder Alumini um hergestellt werden. Das Halbleiterelement 1 ist auch mit einem Dichtungsharz 6 abgedichtet. Das Harz, das das Dichtungsharz 6 ausmacht, kann beispielhaft durch Epoxyharz, phenolisches Harz und Polyphenylensulfidharz dargestellt werden. Zusätzlich zu dem Halbleiterchip 1 können andere elektronische Bauteile, z. B. Widerstände, Kapazitoren, Spulen, etc., auf dem Schaltkreissubstrat 3 aufgesetzt sein.
  • Das Verfahren zur Befestigung des Halbleiterchips an den zuvor genannten Chiphalter über eine Klebefolie aus vernetztem Silicon kann durch erst das Fixieren der Siliconklebefolie an den Halbleiterchip 1 und dann das Fixieren des Halbleiterchips 1 an den Halbleiterchiphalter 3 durch die zuvor genannte Folie durchgeführt werden, oder durch zuerst das Fixieren der aus Silicon hergestellten Folie an den Halbleiterchiphalter 3 und dann das Fixieren des Halbleiterchips 1 an den Halbleiterchiphalter 3 durch die Klebefolie durchgeführt werden. Obwohl es keine besonderen Beschränkungen in Bezug auf die Temperatur gibt, bei der die Klebefolie aus vernetztem Silicon an den Halbleiterchip und den Chiphalter geklebt werden kann, wird empfohlen, dies bei einer Temperatur zwischen 50 °C und 200 °C, vorzugsweise zwischen 100 °C und 150 °C durchzuführen. Normalerweise wird bei der Verbindung der Klebefolie aus vernetztem Silicon 2 an den Halbleiterchip 1 und den Chiphalter 3 das Erwärmen in zwei Schritten durchgeführt. Genauer gesagt wird nach dem vorläufigen Befestigen unter Erwärmen und Anlegen eines Drucks für 1 bis 2 Sekunden eine Nachhärtung in einem Ofen bei 150 °C bis 170 °C zur endgültigen Verbindung durchgeführt.
  • Nach dem Härten werden der Halbleiterchip 1 und die Zwischenverbindungen 4 elektrisch durch die Anschlußdrähte 5 verbunden. Normalerweise wird dies durch Ultraschallschweißen durchgeführt. Falls es erforderlich ist, kann der Halbleiterchip 1 mit einem Harzdichtungsmittel 6 abgedichtet werden. Da ein Halbleiterchip an den Chiphalter unter Verwendung der Siliconklebefolie bei einer relativ niedrigen Temperatur gebunden werden kann, wird es keine Gefahr der Beschädigung des Halbleiterchips durch die Wirkung der Hitze geben. Dies wiederum macht es möglich, die Zuverlässigkeit der Halbleitervorrichtung zu verbessern.
  • BEISPIELE
  • Die Klebefolie aus vernetztem Silicon der Erfindung und das Verfahren zur Herstellung dieser Klebefolie werden nun im Detail unter Bezugnahme auf praktische Beispiele beschrieben werden. Die in den Beispielen berichteten Viskositätswerte wurden bei 25 °C gemessen. Die folgenden Verfahren wurden verwendet, um die Zuverlässigkeit zu untersuchen und die Kraft zu messen, die zum Abziehen eines schützenden Films von der Klebefolie aus vernetztem Silicon erforderlich ist.
  • Kraft für das Abziehen eines schützenden Films von einer Klebefolie aus vernetztem Silicon
  • Testkörper wurden durch das Schneiden einer Klebefolie aus vernetztem Silicon mit an beiden Seiten der Folie haftenden schützenden Filmen in Streifen von 1 cm × 15 cm hergestellt. Ein schützender Film, der an einer Seite der Testkörper haftete (hiernach als Seite A bezeichnet), wurde von der Körperoberfläche in einem Winkel von 180 ° in einer Geschwindigkeit von 100 Millimetern pro Minute (mm/Min.) abgezogen. Es wurde ein Mittelwert der während dieser Aktion entwickelten Belastung gemessen. Dieser Mittelwert wurde als eine Kraft für das Abziehen des schützenden Films von der Klebefolie aus vernetztem Silicon angenommen. Die Kraft für das Abziehen des schützenden Films von der anderen Seite der Testkörper (hiernach als Seite B bezeichnet) wurde in der gleichen Weise bestimmt.
  • Herstellung einer Halbleitervorrichtung und Auswertung der anfänglichen Klebkraft
  • Eine Klebefolie aus vernetztem Silicon wurde zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung verwendet, die in 1 gezeigt wird. Genauer gesagt wurden ein Halbleiterchip (1 cm × 1 cm) und ein Halbleiterchiphalter (3 cm × 3 cm), der aus Polyimid hergestellt wurde, durch die Klebefolie aus vernetztem Silicon (1 cm × 1 cm) miteinander verbunden und dann wurde die Einheit unter einem Druck, der sich durch das Anlegen einer Kraft von 1 Megapascal (mPa) entwickelte, für 2 Sekunden bei 190 °C erwärmt. Der Druck wurde abgesetzt und die erhaltene Einheit wurde in einen Ofen mit 170 °C für 1 Stunde platziert. Die Einheit wurde dann aus dem Ofen entfernt und der aus Polyimid hergestellte Halbleiterchiphalter und die Klebefolie aus vernetztem Silicon wurden durch Sichten begutachtet. Nachdem das Teststück aus gut haftenden Komponenten gebildet worden war, wurden die Bindungsauflager, die oben an dem Halbleiterchip 1 lokalisiert sind, und die Zwischenverbindungen 4 elektrisch durch die Drähte 5 miteinander verbunden, die durch Ultraschallschweißen fixiert wurden.
  • Auswertung der Ausschusshäufigkeit von Halbleitervorrichtungen
  • Die Halbleitervorrichtung wurde in einen Sockel eingeführt und wurde durch das Durchführen eines elektrischen Stroms zwischen den Vorrichtungsenden getestet. In dem Stromtest wurde der Prozentanteil der Halbleitervorrichtungen, die versagten, den Strom weiter zu leiten, als Ausschusshäufigkeit angesehen.
  • Vergleichendes Beispiel 1
  • Ein Ross-Mischer wurde mit den folgenden Komponenten gefüllt: 31 Gewichtsanteilen eines Dimethylpolysiloxans mit einer Viskosität von 2.200 Millipascalsekunden (mPa·s), bei dem beide Molekülenden mit Dimethylvinylsiloxygruppen verkappt waren (mit einem Gehalt der Vinylgruppen von 0,23 Gew.-%) und enthaltend 0,01 Gew.-% eines niedermolekulargewichtigen Siloxans mit einem Dampfdruck von mehr als 10 mm Quecksilber (mm Hg) bei 200 °C; 56 Gewichtsanteilen einer Organopolysiloxanmischung mit einer Viskosität von 7.000 mPa·s, bestehend aus 65 Gew.-% eines Dimethylpolysiloxans mit einer Viskosität von 2.000 mPa·s, bei dem beide Molekülenden mit Dimethylvinylsiloxygruppen verkappt waren (mit einem Gehalt der Vinylgruppen von 0,23 Gew.-%), und 35 Gew.-% eines Organopolysiloxanharzes, bestehend aus (CH2=CH)(CH3)2SiO1/2-Einheiten, (CH3)3SiO1/2-Einheiten und SiO4/2-Einheiten (mit einem Gehalt der Vinylgruppen von 2,5 Gew.-%); und 13 Gewichtsanteilen pyrogenem Siliciumdioxid mit einer spezifischen BET-Oberfläche von 200 m2/g. Nach dem Mischen für 1 Stunde bei Raumtemperatur wurde die Mischung für weitere 2 Stunden bei 170 °C unter reduziertem Druck gemischt. Als ein Ergebnis wurde nach dem Kühlen der Mischung auf Raumtemperatur eine pastenartige halbdurchsichtige Silicongummibasis erhalten.
  • 100 Gewichtsanteile der erhaltenen Basis wurden einheitlich im Vakuum mit 6 Gewichtsanteilen eines Dimethylsiloxan-Methylhydrogensiloxan-Copolymers mit einer Viskosität von 5 mPa·s, bei dem beide Molekülenden mit Trimethylsiloxygruppen verkappt waren (mit einem Gehalt von siliciumgebundenen Wasserstoffatomen von 0,73 Gew.-%), und ausgedrückt durch die folgende mittlere Molekülformel:
    Figure 00150001
    so dass 1,8 Mol der siliciumgebundenen Wasserstoffatome dieser Komponente für 1 Mol der Vinylgruppen in der Komponente (A) verwendet wurden,
    1 Gewichtsanteil eines Organopolysiloxans (mit einem Gehalt an Vinylgruppen von 16 Gew.-%), ausgedrückt durch die folgende mittlere Einheitsformel:
    Figure 00150002
    0,5 Gewichtsanteilen eines Silatranderivats, ausgedrückt durch die folgende Formel:
    Figure 00150003
    und einem Komplex aus Platin mit 1,3-Divinyltetramethyldisiloxan (mit einer Konzentration des Platinmetalls in dem Komplex von 5 ppm) vermischt. Als ein Ergebnis wurde eine Siliconkautschukzusammensetzung mit einer Viskosität von 70.000 mPa·s hergestellt, die durch eine Hydrosilylierungsreaktion vernetzbar ist. Der Gesamtgehalt an Uran und Thorium in der erhaltenen Zusammensetzung überschritt 0,1 ppm nicht und der Gesamtgehalt der Natrium-, Kalium- oder anderen Alkalimetallionen überschritt 0,1 ppm nicht.
  • Die erhaltene Siliconzusammensetzung wurde als Sandwich zwischen einen 50 μm dicken nicht oberflächenbehandelten PES-Film und einen 50 μm dicken PES-Film, dessen Oberfläche mit Behandlungsmittel Nr. 1, einem Methylhydrogenpolysiloxan mit einer Viskosität von 30 mPa·s, bei dem beide Molekülenden mit Trimethylsiloxygruppen verkappt waren (einem Gehalt der siliciumgebundenen Wasserstoffatome von 1,6 Gew.-%) vorbehandelt wurde, positioniert. Das erhaltene Sandwich wurde zwischen einer Zweiwalzenvorrichtung mit einem einstellbaren Abstand zwischen den Edelstahlwalzen so gewalzt, dass die Dicke der Siliconzusammensetzung 30 μm betrug. Eine Klebefolie aus Silicongummi mit PES-Filmen auf beiden Seiten wurde nach dem Erwärmen des gewalzten Sandwiches für 30 Minuten in einem Ofen bei 80 °C unter Zirkulation der heißen Luft hergestellt.
  • Zuerst wurde der PES-Film, bei dem die Oberfläche mit dem Behandlungsmittel Nr. 1 beschichtet worden war, stabil von der erhaltenen Klebefolie aus Siliconkautschuk abgezogen. Die Messung der zum Abziehen beider Schutzfilme erforderlichen Kräfte zeigte, dass der PES-Film mit der mit Behandlungsmittel Nr. 1 behandelten Oberfläche mit einer Kraft für das Abziehen von 1,9 N/m abgezogen werden konnte, wohingegen der nicht behandelte PES-Film mit der Kraft für das Abziehen von 2,3 N/m abgezogen werden konnte.
  • Es wurde eine Halbleitervorrichtung durch das Verbinden eines Halbleiterchips und eines Chiphalteelements mittels der zuvor genannten Klebefolie aus Siliconkautschuk hergestellt. Es wurde die Klebkraft der Klebefolie aus Siliconkautschuk an den Halbleiterchip und an das Chiphalteelement ausgewertet, und es wurde die Ausschusshäufigkeit der Halbleitervorrichtungen bestimmt. Die Ergebnisse werden in Tabelle 1 gezeigt.
  • Vergleichsbeispiel 2
  • Die Siliconkautschukzusammensetzung, die durch eine Hydrosilylierungsreaktion vernetzbar ist und in Vergleichsbeispiel 1 hergestellt wurde, wurde als Sandwich zwischen einen 50 μm dicken nicht oberflächenbehandelten PES-Film und einen 50 μm dicken PES-Film, dessen Oberfläche mit Behandlungsmittel Nr. 2, einem Dimethylpolysiloxan mit einer Viskosität von 10 mPa·s, bei dem beide Molekülenden mit Dimethylhydrogensiloxygruppen verkappt waren (einem Gehalt an siliciumgebundenen Wasserstoffatomen von 0,16 Gew.-%) behandelt wurde, positioniert. Das erhaltene Sandwich wurde zwischen einer Zweiwalzenvorrichtung mit einem einstellbaren Abstand zwischen den Edelstahlwalzen gewalzt, so dass die Dicke der Siliconzusammensetzung 30 μm betrug. Es wurde eine Klebefolie aus Siliconkautschuk mit PES-Filmen auf beiden Oberflächen nach dem Erwärmen des gewalzten Sandwiches für 30 Minuten in einem Ofen bei 80 °C unter Zirkulieren heißer Luft hergestellt.
  • Als erstes wurde der PES-Film, bei dem die Oberfläche nicht mit Behandlungsmittel Nr. 2 behandelt worden war, stabil von der erhaltenen Klebefolie aus Siliconkautschuk abgezogen. Die Messung der zum Abziehen von beiden schützenden Filmen erforderlichen Kräfte zeigte, dass der PES-Film mit der mit Behandlungsmittel Nr. 2 behandelten Oberfläche mit der Kraft für das Abziehen von 2,8 N/m abgezogen werden konnte, wohingegen der nicht behandelte PES-Film mit der Kraft für das Abziehen von 2,3 N/m abgezogen werden konnte.
  • Es wurde eine Halbleitervorrichtung durch das Verbinden eines Halbleiterchips und eines Chiphalteelements mittels der zuvor genannten Klebefolie aus Siliconkautschuk hergestellt. Es wurde die Klebkraft der Klebefolie aus Siliconkautschuk an den Halbleiterchip und an das Chiphalteelement ausgewertet, und es wurde die Ausschusshäufigkeit der Halbleitervorrichtungen bestimmt. Die Ergebnisse werden in Tabelle 1 gezeigt.
  • Praktisches Beispiel 3
  • Die Siliconkautschukzusammensetzung, die durch eine Hydrosilylierungsreaktion vernetzbar ist und in Vergleichsbeispiel 1 hergestellt wurde, wurde als Sandwich zwischen einen 50 μm dicken nicht oberflächenbehandelten PES-Film und einen 50 μm dicken nicht oberflächenbehandelten TAC-Film positioniert. Das erhaltene Sandwich wurde zwischen einer Zweiwalzenvorrichtung mit einem einstellbaren Abstand zwischen den Edelstahlwalzen so gewalzt, dass die Dicke der Siliconzusammensetzung 30 μm betrug. Es wurde eine Klebefolie aus Siliconkautschuk mit einem PES-Film an eine Seite haftend und einem TAC-Film an die andere Seite haftend nach dem Erwärmen des gewalzten Sandwiches für 30 Minuten in einem Ofen bei 80 °C unter Zirkulieren heißer Luft hergestellt.
  • Als erstes wurde der TAC-Film stabil von der erhaltenen Klebefolie aus Siliconkautschuk abgezogen. Die Messung der zum Abziehen von beiden schützenden Filmen erforderlichen Kräfte zeigte, dass der nicht oberflächenbehandelte TAC-Film mit der Kraft für das Abziehen von 0,7 N/m abgezogen werden konnte, wohingegen der nicht oberflächenbehandelte PES-Film mit der Kraft für das Abziehen von 2,3 N/m abgezogen werden konnte.
  • Es wurde eine Halbleitervorrichtung durch das Verbinden eines Halbleiterchips und eines Chiphalteelements mittels der zuvor genannten Klebefolie aus Siliconkautschuk hergestellt. Es wurde die Klebkraft der Klebefolie aus Siliconkautschuk an den Halbleiterchip und an das Chiphalteelement ausgewertet, und es wurde die Ausschusshäufigkeit der Halbleitervorrichtungen bestimmt. Die Ergebnisse werden in Tabelle 1 gezeigt.
  • Praktisches Beispiel 4
  • Die Siliconkautschukzusammensetzung, die durch eine Hydrosilylierungsreaktion vernetzbar ist und in Vergleichsbeispiel 1 hergestellt wurde, wurde als Sandwich zwischen einen 50 μm dicken nicht oberflächenbehandelten PES-Film und einen 50 μm dicken PET-Film mit einer 1 μm dicken TAC-Film, der an der Oberfläche der Zusammensetzung haftet, positioniert. Das erhaltene Sandwich wurde zwischen einer Zweiwalzenvorrichtung mit einem einstellbaren Abstand zwischen den Edelstahlwalzen gewalzt, so dass die Dicke der Siliconzusammensetzung 30 μm betrug. Es wurde eine Klebefolie aus Siliconkautschuk mit einem PES-Film an eine Seite haftend und einem TAC-PET-Film an die andere Seite haftend nach dem Erwärmen des gewalzten Sandwiches für 30 Minuten in einem Ofen bei 80 °C unter Zirkulieren heißer Luft hergestellt.
  • Als erstes wurde der TAC-PET-Film stabil von der erhaltenen Klebefolie aus Siliconkautschuk abgezogen. Die Messung der zum Abziehen von beiden schützenden Filmen erforderlichen Kräfte zeigte, dass der TAC-PET-Film mit der Kraft für das Abziehen von 0,7 N/m abgezogen werden konnte, wohingegen der nicht Oberflächen behandelte PES-Film mit der Kraft für das Abziehen von 2,3 N/m abgezogen werden konnte.
  • Es wurde eine Halbleitervorrichtung durch das Verbinden eines Halbleiterchips und eines Chiphalteelements mittels der zuvor genannten Klebefolie aus Siliconkautschuk hergestellt. Es wurde die Klebkraft der Klebefolie aus Siliconkautschuk an den Halbleiterchip und an das Chiphalteelement ausgewertet, und es wurde die Ausschusshäufigkeit der Halbleitervorrichtungen bestimmt. Die Ergebnisse werden in Tabelle 1 gezeigt.
  • Praktisches Beispiel 5
  • Die Siliconkautschukzusammensetzung, die durch eine Hydrosilylierungsreaktion vernetzbar ist und in Vergleichsbeispiel 1 hergestellt wurde, wurde als Sandwich zwischen einen 50 μm dicken PET-Film mit einer 2 μm dicken PES-Schicht auf der Oberfläche und einen 50 μm dicken PET-Film mit einer 1 μm dicken TAC-Schicht auf der Oberfläche, die an die Oberfläche der Zusammensetzung haftet, positioniert. Das erhaltene Sandwich wurde zwischen einer Zweiwalzenvorrichtung mit einem einstellbaren Abstand zwischen den Edelstahlwalzen so gewalzt, dass die Dicke der Siliconzusammensetzung 30 μm betrug. Es wurde eine Klebefolie aus Siliconkautschuk mit einem PES-PET-Film an eine Seite haftend und einem TAC-PET-Film an die andere Seite haftend nach dem Erwärmen des gewalzten Sandwiches für 30 Minuten in einem Ofen bei 80 °C unter Zirkulieren heißer Luft hergestellt.
  • Als erstes wurde der TAC-PET-Film stabil von der erhaltenen Klebefolie aus Siliconkautschuk abgezogen. Die Messung der zum Abziehen von beiden schützenden Filmen erforderlichen Kräfte zeigte, dass der TAC-PET-Film mit der Kraft für das Abziehen von 0,7 N/m abgezogen werden konnte, wohingegen der nicht oberflächenbehandelte PES-PET-Film mit der Kraft für das Abziehen von 2,3 N/m abgezogen werden konnte.
  • Es wurde eine Halbleitervorrichtung durch das Verbinden eines Halbleiterchips und eines Chiphalteelements mittels der zuvor genannten Klebefolie aus Siliconkautschuk hergestellt. Es wurde die Klebkraft der Klebefolie aus Siliconkautschuk an den Halbleiterchip und an das Chiphalteelement ausgewertet und es wurde die Ausschusshäufigkeit der Halbleitervorrichtungen bestimmt. Die Ergebnisse werden in Tabelle 1 gezeigt.
  • Vergleichsbeispiel 3
  • Die Siliconkautschukzusammensetzung, die durch eine Hydrosilylierungsreaktion vernetzbar ist und in Vergleichsbeispiel 1 hergestellt wurde, wurde als Sandwich zwischen einen 50 μm dicken nicht oberflächenbehandelten PES-Film und einen anderen 50 μm dicken nicht oberflächenbehandelten PES-Film positioniert. Das erhaltene Sandwich wurde zwischen einer Zweiwalzenvorrichtung mit einem einstellbaren Abstand zwischen den Edelstahlwalzen gewalzt, so dass die Dicke der Siliconzusammensetzung 30 μm betrug. Es wurde eine Klebefolie aus Siliconkautschuk mit einem PES-Film an beide Seiten der Folie haftend nach dem Erwärmen des gewalzten Sandwiches für 30 Minuten in einem Ofen bei 80 °C unter Zirkulieren heißer Luft hergestellt.
  • Als der PES-Film von der einen Seite der erhaltenen Klebefolie aus Siliconkautschuk abgezogen wurde, war die Abziehfläche instabil und es wurde ein teilweises Abziehen des PES-Films auf der gegenüberliegenden Seite der Folie beobachtet. Die Messung der zum Abziehen von beiden nicht behandelten schützenden Filmen erforderlichen Kräfte zeigte die Kraft für das Abziehen von 2,3 N/m.
  • Vergleichsbeispiel 4
  • Die Siliconkautschukzusammensetzung, die durch eine Hydrosilylierungsreaktion vernetzbar ist und in Vergleichsbeispiel 1 hergestellt wurde, wurde als Sandwich zwischen einen 50 μm dicken nicht oberflächenbehandelten PET-Film und einen anderen nicht oberflächenbehandelten 50 μm dicken PET-Film positioniert. Das erhaltene Sandwich wurde zwischen einer Zweiwalzenvorrichtung mit einem einstellbaren Abstand zwischen den Edelstahlwalzen gewalzt, so dass die Dicke der Siliconzusammensetzung 30 μm betrug. Es wurde eine Klebefolie aus Siliconkautschuk mit einem PET-Film an beide Seiten der Folie haftend nach dem Erwärmen des gewalzten Sandwiches für 30 Minuten in einem Ofen bei 80 °C unter Zirkulieren heißer Luft hergestellt.
  • Als der PET-Film von der einen Seite der erhaltenen Klebefolie aus Siliconkautschuk abgezogen wurde, war die Abziehfläche instabil und es wurde ein teilweises Abziehen des PET-Films auf der gegenüberliegenden Seite der Folie beobachtet. Die Messung der zum Abziehen von beiden nicht behandelten schützenden Filmen erforderlichen Kräfte zeigte die Kraft für das Abziehen von 10 N/m, das Abziehen war extrem schwierig und die Filme hatten ein schlechte Abziehfähigkeit. Tabelle 1
    Vergl. Bsp. 1 Vergl. Bsp. 2 Pr. Bsp. 3 Pr. Bsp. 4 Pr. Bsp. 5 Vergl. Bsp. 3 Vergl. Bsp. 4
    Seite A schützender Film PES-Film PES-Film PES-Film PES-Film PET-Film mit einer PES-Schicht auf der Oberfläche PES-Film PET-Film
    Seite B schützender Film PES-Film, behandelt mit Mittel Nr. 1 PES-Film, behandelt mit Mittel Nr. 2 TAC-Film PET-Film mit TAC-Schicht auf der Oberfläche PET-Film mit TAC-Schicht auf der Oberfläche PES-Film PET-Film
    Zuerst abgezogene Seite B A B B B A A
    Stabilität der Abziehfläche stabil instabil
    Abziehkraft auf Seite A (N/m) 2,3 2,3 2,3 2,3 2,3 2,3 10
    Abziehkraft auf Seite B (N/m) 1,9 2,8 0,7 0,7 0,7 2,3 10
    Klebkraft gut gut gut gut gut – –
    Ausschussrate 0/30 0/30 0/30 0/30 0/30 – –
  • Gewerbliche Anwendbarkeit
  • Beim Abziehen der schützenden Filme von beiden Seiten der Klebefolie aus vernetztem Silicon der Erfindung zeigen beide Abziehflächen Stabilität. Zudem kann die zuvor genannte Klebefolie aus vernetztem Silicon effizient durch das Verfahren der vorliegenden Erfindung zur Herstellung von Klebefolien aus vernetztem Silicon hergestellt werden. Daher wird die Klebefolie aus vernetztem Silicon der Erfindung zur Befestigung eines Halbleiterchips an einen Chiphalter verwendet.

Claims (5)

  1. Eine Klebefolie, gekennzeichnet durch: (i) ein vernetztes Silicon mit einer Dicke von 100 μm oder weniger, (ii) einen ersten schützenden Film auf der einen Seite des vernetzten Silicons, enthaltend ein Polyethersulfonharz oder einen Polyethylenterephthalatfilm mit einer Polyethersulfonharzschicht auf der Oberfläche, und (iii) einen zweiten schützenden Film auf der gegenüberliegenden Seite des vernetzten Silicons, enthaltend ein Triacetylcelluloseharz oder einen Polyethylenterephthalatfilm mit einer Triacetylcelluloseharzschicht auf der Oberfläche, wobei eine Kraft für das Abziehen des ersten Filmes (ii) von der Klebefolie gleich oder unterhalb von 5,0 N/m ist, wobei eine Kraft für das Abziehen des zweiten Filmes (iii) von der Klebefolie gleich oder unterhalb von 5,0 N/m ist, und wobei der Unterschied zwischen den Kräftten für das Abziehen des ersten Filmes (ii) und des zweiten Filmes (iii) gleich 0,2 N/m ist oder diesen Wert übersteigt.
  2. Die Klebefolie gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Komponente (i) ein Produkt des Vernetzens einer Siliconzusammensetzung, ausgewählt aus Siliconzusammensetzungen, die durch eine Hydrosilylierungsreaktion vernetzbar sind, Siliconzusammensetzungen, die durch eine Kondensationssreaktion vernetzbar sind, Siliconzusammensetzungen, die durch eine radikalische Vernetzungsreaktion unter Verwendung eines organischen Peroxids vernetzbar sind, oder Siliconzusammensetzungen, die unter Verwendung von ultravioletter Strahlung vernetzbar sind, umfasst.
  3. Die Klebefolie gemäß Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Komponente (i) ein Produkt des Vernetzens einer Siliconzusammensetzung, die durch eine Hydrosilylierungsreaktion vernetzbar ist, umfasst.
  4. Die Klebefolie gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Siliconzusammensetzung, die durch eine Hydrosilylierungsreaktion vernetzbar ist, enthält: (A) ein Organopolysiloxan mit wenigstens zwei Alkenylgruppen pro Molekül, (B) ein Organopolysiloxan mit wenigstens zwei siliciumgebundenen Wasserstoffatomen pro Molekül, (C) einen Klebebeschleuniger und (D) einen Metallhydrosilylierungskatalysator.
  5. Ein Verfahren zur Herstellung einer Klebefolie gemäß Anspruch 1, gekennzeichnet durch: (1) Bilden eines folienähnlichen Körpers durch Einbringen einer (iv) vernetzbaren Siliconzusammensetzung in eine Schicht mit einer Dicke von 100 μm oder weniger zwischen (ii) dem ersten schützenden Film und (iii) dem zweiten schützenden Film und (2) Vernetzen der Komponente (iv).
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