KR20040049316A - 가교결합된 실리콘 접착 시트, 이의 제조방법 및 이를포함하는 디바이스 - Google Patents

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Abstract

가교결합된 실리콘 접착 시트는 시트의 양면으로부터 보호 필름을 박리시키는 동안 박리 표면의 안정성을 나타낸다. 가교결합된 실리콘 접착 시트는 시트의 양면에 보호 필름을 갖는다. 각각의 보호 필름은 두께가 100㎛ 이하이다. 시트로부터의 보호 필름의 박리력은 5.0N/m 이하이다. 필름의 박리력 간의 차이는 0.2N/m 이상이다. 가교결합된 실리콘 접착 시트의 제조방법은 가교결합성 실리콘 조성물을 상이한 재료로 이루어진 2개의 보호 필름 사이에 100㎛ 이하의 두께를 갖는 층으로 되도록 위치시킨 다음 조성물을 가교결합시키는 단계를 포함한다.

Description

가교결합된 실리콘 접착 시트, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 디바이스 {Adhesive sheet of cross-linked silicone, method of manufacturing thereof and device comprising the sheet}
기술분야
본 발명은 가교결합된 실리콘 접착 시트 및 이의 제조방법, 보다 특히 박리안정성이 높은 표면을 갖는 가교결합된 실리콘 접착 시트 뿐만 아니라 이러한 유형의 시트의 효과적인 제조방법에 관한 것이다.
배경기술
일본 공개특허공보 제(평)11-12546호 및 이의 상응 특허인 미국 특허 제6,235,862호에는, 양면에 보호 필름이 부착되어 있는 실리콘 접착 시트가 기재되어 있다. 당해 시트는 반도체 칩 또는 칩 지지체를 부착시키기 위한 접착 수단으로서 사용하기 위한 것이다. 당해 접착 시트의 양면에 있는 보호 필름은 통상적으로 동일한 재료로 이루어진다.
그러나, 가교결합된 실리콘 접착 시트를 두께가 100㎛ 이하인 박층 필름으로서 제조하는 경우에는 시트의 어느 한 면으로부터 보호 필름을 박리시킨 상태가 불안정해진다.
본 발명은 시트의 양면으로부터의 보호 필름의 박리 안정성을 특징으로 하는 가교결합된 실리콘 접착 시트를 제공하는 것 뿐만 아니라 상기한 접착 시트를 효율적으로 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
발명의 요지
본 발명은 두께가 100㎛ 이하이고 양면에 보호 필름이 부착되어 있으며 시트로부터의 보호 필름의 박리력이 5.0N/m 이하이고 필름의 박리력 간의 차이가 0.2N/m 이상인 가교결합된 실리콘 접착 시트에 관한 것이다.
가교결합된 실리콘 접착 시트를 제조하기 위한 본 발명의 방법은 가교결합성 실리콘 조성물을 보호 필름 사이에 두께가 100㎛ 이하인 층으로 되도록 위치시킨 다음 조성물을 가교결합시켜 필름형 물체를 형성함을 포함한다. 당해 방법은 보호 필름이 상이한 재료들로 만들어질 수 있음을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 가교결합성 실리콘 조성물을 보호 필름 사이에 두께가 100㎛ 이하인 층으로 되도록 위치시킨 다음 조성물을 가교결합시켜 필름형 물체를 형성함으로써 가교결합된 실리콘 접착 시트를 제조하는 방법은 조성물에 부착된 보호 필름 중의 하나에서 조성물에 접하는 면을 1개의 분자내에 2개 이상의 규소 결합된 수소원자를 갖는 오가노폴리실록산으로 예비처리함을 특징으로 한다.
도면의 간단한 설명
도 1은 본 발명의 가교결합된 실리콘 접착 시트를 사용하여 제조할 수 있는 반도체 디바이스의 일례로서의 하이브리드 집적회로(IC)의 단면도이다.
명세서에 사용된 참고 번호는 다음을 의미한다.
1 반도체 칩
2 가교결합된 실리콘 접착 시트
3 반도체 칩 지지 부재
4 인터커넥트(interconnect)
5 결합 와이어
6 밀봉 수지
발명의 상세한 설명
이하 본 발명의 가교결합된 실리콘 접착 시트를 보다 상세하게 설명할 것이다. 앞서 언급한 바와 같이, 본 발명의 접착 시트는 시트의 양면에 접착제에 의해 부착된 보호 필름 사이에 있는 두께가 100㎛ 이하인 가교결합된 실리콘으로 이루어진다. 상기한 가교결합된 실리콘은 고무 또는 겔 형태의 엘라스토머를 포함할 수 있지만, 고무 형태가 바람직하다. 또한, 가교결합된 실리콘 접착 시트는 가교결합성 실리콘 조성물을 가교결합시켜 제조할 수 있다. 본 발명에 적합한 가교결합성 실리콘 조성물의 예는 하이드로실릴화 반응, 축합 반응, 유기 과산화물 또는 자외선을 사용한 라디칼 가교결합 반응에 의해 가교결합될 수 있는 것이지만 하이드로실릴화 반응에 의해 가교결합된 것이 바람직하다.
하이드로실릴화 반응에 의해 가교결합 가능한 실리콘 조성물은 적어도 하기의 성분을 포함할 수 있다 : (A) 1개의 분자내에 2개 이상의 알케닐 그룹을 갖는 오가노폴리실록산; (B) 1개의 분자내에 2개 이상의 규소 결합된 수소원자를 갖는 오가노폴리실록산; (C) 접착 촉진제; 및 (D)금속 하이드로실릴화 촉매.
성분(A)의 오가노폴리실록산은 상기한 조성물의 주성분이며 1개의 분자내에 2개 이상의 알케닐 그룹을 가짐을 특징으로 한다. 성분(A)의 분자 구조의 예로는 직쇄형, 약간의 분지를 갖는 직쇄형, 측쇄형 및 망상형 구조가 포함된다. 성분(A)에서 알케닐 그룹의 예로는 비닐, 알릴, 부테닐, 펜테닐 및 헥세닐이 포함되며, 비닐 그룹이 바람직하다. 성분(A)에서 이러한 알케닐 그룹의 결합 위치는 분자쇄 말단 및/또는 측쇄일 수 있다. 성분(A)에서 알케닐 그룹 이외에, 규소원자에 결합되는 그룹의 예로는 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹, 예를 들면, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸 등의 알킬 그룹, 페닐, 톨릴, 크실릴 및 나프틸 등의 아릴 그룹, 벤질 및 펜에틸 등의 아르알킬 그룹 및 클로로메틸, 3-클로로프로필 및 3,3,3-트리플루오로프로필 등의 할로겐화 알킬 그룹이 포함된다. 메틸 그룹 및 페닐 그룹이 바람직하다. 가교결합된 실리콘 시트의 냉각에 대한 내성을 향상시키고, 이에 따라 상기한 시트에 반도체 칩 또는 칩 지지 부재를 부착시켜 수득되는 반도체 디바이스의 신뢰도를 향상시키기 위해서는, 페닐 그룹의 함량이, 성분(A) 중의 규소원자에 결합된 유기 그룹을 기준으로 하여, 1몰% 이상, 바람직하게는 1 내지 60몰%, 보다 바람직하게는 1 내지 30몰%인 것이 권장된다. 성분(A)의 점도에 대해서는 제한이 없지만, 25℃에서 100 내지 1,000,000mPa.s인 것이 바람직하다.
성분(B)의 오가노폴리실록산은 가교결합제이며, 분자당 2개 이상의 규소원자 결합된 수소원자를 갖는 오가노폴리실록산이다. 성분(B)의 분자 구조의 예로는 직쇄형, 약간의 분지를 갖는 직쇄형, 측쇄형 및 망상형이 포함된다. 성분(B)에서 수소원자가 규소원자에 결합하는 위치는 분자쇄 말단 및/또는 측쇄일 수 있다. 성분(B)에서 수소원자 이외에, 규소원자에 결합되는 그룹의 예로는 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹, 예를 들면, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸 등의 알킬 그룹, 페닐, 톨릴, 크실릴 및 나프틸 등의 아릴 그룹, 벤질 및 펜에틸 등의 아르알킬 그룹 및 클로로메틸, 3-클로로프로필 및 3,3,3-트리플루오로프로필 등의 할로겐화 알킬 그룹이 포함된다. 메틸 그룹 및 페닐 그룹이 특히 바람직하다. 성분(B)의 점도에 대해서는 제한이 없지만, 25℃에서 1 내지 100,000mPa.s인 것이 바람직하다.
조성물에 사용하기 위해 필요한 성분(B)의 양에 대한 특별한 제한은 없지만, 당해 성분을 상기한 조성물의 가교결합을 위해 충분한 양으로 함유시키는 것이 권장된다. 보다 구체적으로, 성분(A) 중의 알케닐 그룹 1몰당 규소결합된 수소원자가 0.5 내지 10몰, 바람직하게는 1 내지 3몰로 되도록 하는 양으로 사용해야 한다. 이는 성분(B)가 권장 범위보다 적은 양으로 사용되면 가교결합이 불충분해지고, 사용되는 성분(B)의 양이 권장 상한치를 초과하면 수득되는 가교결합된 접착 시트의 내열성이 저하되기 때문이다.
성분(C)는 조성물의 접착성을 증가시키는 제제이며, 상기한 조성물의 가교결합된 실리콘 생성물에 특히 우수한 접착성을 부여하기 위해 사용된다. 분자당 하나 이상의 규소 결합된 알콕시 그룹을 갖는 유기 규소 화합물이 화합물(C)로서 사용하기에 바람직하다. 상기한 알콕시 그룹으로서 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 부톡시 및 메톡시에톡시 그룹을 예시할 수 있으며, 이중에서 가장 바람직한 것은 메톡시 그룹이다. 다음은 상기한 유기 규소 화합물에서 규소원자에 결합되는 알콕시 그룹 이외의 그룹의 예이다: 수소원자; 치환되거나 치환되지 않은 1가 탄화수소 그룹, 예를 들면, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 헥실, 헵틸 등의 알킬 그룹; 비닐, 알릴, 부테닐, 펜테닐, 헥세닐 등의 알케닐 그룹; 페닐, 톨릴, 크실릴, 나프틸 등의 아릴 그룹; 벤질, 펜에틸 등의 아르알킬 그룹; 클로로메틸, 3-클로로프로필, 3,3,3-트리플루오로프로필 등의 할로겐화 알킬 그룹; 3-글리시드옥시프로필, 4-글리시드옥시부틸 그룹 등의 글리시드옥시알킬 그룹; 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸, 3-(3,4-에폭시사이클로헥실)프로필 등의 에폭시사이클로헥실알킬 그룹; 에폭시 그룹을 함유하는 1가 유기 그룹, 예를 들면, 4-옥시라닐부틸, 8-옥시라닐옥틸 등의 옥시라닐알킬 그룹; 아크릴 그룹을 함유하는 1가 유기 그룹, 예를 들면, 3-메타크릴옥시프로필 그룹 등. 상기한 유기 규소 화합물이 1개의 분자내에 하나 이상의 알케닐 그룹 또는 규소 결합된 수소원자를 함유하는 것이 권장된다. 또한, 상기한 조성물을 가교결합시켜 제조되는 접착 실리콘 시트에 대한 각종 재료의 기판의 접착성을 향상시킨다는 측면에서, 상기한 유기 규소 화합물이 1개의 분자 내에 하나 이상의 에폭시 그룹을 갖는 1가 유기 그룹을 함유하는 것이 권장된다. 이러한 유기 규소 화합물로는 실란, 실록산 및 실라트란을 예시할 수 있다. 상기한 실록산화합물은 직쇄형, 약간의 분지를 갖는 직쇄형, 측쇄형, 사이클릭형 및 망상형 구조를 가질 수 있다. 직쇄형, 측쇄형 및 망상형 구조가 바람직하다. 다음은 상기한 유기 규소 화합물의 구체적인 예이다: 3-글리시드옥시프로필 트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필 트리메톡시실란 등의 실란 화합물; 1개의 분자내에 규소 결합된 알케닐 그룹, 규소 결합된 수소원자 또는 규소 결합된 알콕시 그룹 중의 하나 이상을 갖는 실록산 화합물; 하나 이상의 규소 결합된 알콕시 그룹을 갖는 실란 또는 실록산 화합물과 1개의 분자내에 규소 결합된 하이드록시 그룹 또는 규소 결합된 알케닐 그룹 중의 하나 이상을 갖는 실록산 화합물과의 혼합물; 화학식의 실록산 화합물(여기서, a, b 및 c는 양수이다); 화학식의 실록산 화합물; 화학식의 실라트란 화합물 또는 화학식의 실라트란 화합물.
본 발명의 조성물에 사용하기게 적합한 성분(C)의 양에 관한 특별한 제한은 없지만, 상기한 조성물을 가교결합시켜 제조되는 가교결합된 실리콘 접착 시트에 양호한 접착성을 제공하기게 충분해야 한다. 보다 구체적으로, 성분(A) 100중량부에 대해 0.01 내지 20중량부, 바람직하게는 0.1 내지 10중량부의 양으로 성분(C)를 사용하는 것이 권장된다. 이는 상기한 양이 권장 하한치보다 적으며 접착 시트의 접착성이 감소되고, 상기한 양이 권장 상한치를 초과하면 가교결합된 실리콘 접착 시트의 접착성이 감소되는 것과 함께 기계적 특성이 변하기 때문이다.
성분(D)는 하이드로실릴화 반응을 기초로 한 조성물의 경화를 촉진시키는 금속 촉매이다. 성분(D)는, 예를 들면, 백금 촉매, 로듐 촉매 및 팔라듐 촉매일 수 있다. 보다 양호한 가교결합 반응 속도를 제공하기 위해서는 백금 촉매를 사용하는 것이 권장된다. 백금 촉매로는 백금 미세분말, 백금 블랙, 실리카 미세분말 상에 지지된 백금, 활성탄 상에 지지된 백금, 염화백금산, 염화백금산의 알콜 용액, 백금의 올레핀 착물 및 백금의 알케닐실록산 착물을 들 수 있다.
성분(D)의 사용량에 관한 특별한 제한은 없지만, 해당 조성물의 경화를 촉진시키기에 충분한 양으로 첨가하는 것이 권장된다. 금속 촉매를 성분(D)로서 사용하는 경우, 촉매를, 당해 조성물의 중량을 기준으로 하여, 바람직하게는 0.01 내지 1,000중량ppm, 특히 바람직하게는 0.1 내지 500중량ppm의 금속을 당해 조성물에 제공하도록 가한다. 성분(D)의 첨가가 제시한 범위보다 적으면 가교결합 속도가 감소한다. 상기한 범위보다 많이 첨가하더라도 경화 속도에는 별다른 영향이 없지만, 예를 들면, 변색과 같은 문제가 야기된다.
가교결합 속도를 조절하기 위해, 본 발명의 조성물을 3-메틸-1-부틴-3-올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올 및 페닐부틴올, 3-메틸-3-펜텐-1-인 및 3,5-디메틸-3-헥센-1-인과 같은 엔-인 화합물 및 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라헥세닐사이클로테트라실록산 및 벤조트리아졸과 같은 하이드로실릴화 반응 억제제와 배합할 수 있다. 상기한 억제제를 사용할 수 있는 양에 관한 특별한 제한은 없지만, 이들 억제제를 성분(A) 100중량부당 0.00001 내지 5중량부의 양으로 첨가하는 것이 권장된다.
해당 경화성 실리콘 조성물에 임의로 첨가할 수 있는 기타의 성분으로는 침강 실리카, 습식법 실리카, 발연 실리카, 소성 실리카, 산화티탄, 알루미나, 유리, 석영, 알루미노실리케이트, 산화철, 산화아연, 탄산칼슘, 카본 블랙, 탄화규소, 질화규소, 질화붕소 등의 무기 충전제, 오가노할로실란, 오가노알콕시실란 또는 오가노실라잔과 같은 유기 규소 화합물로 처리한 상기 무기 충전제, 실리콘 수지, 에폭시 수지 및 플루오로 수지와 같은 유기 수지 미세분말, 은 및 구리와 같은 전기전도성 금속의 미립자 충전제, 및 염료, 안료, 난연제 및 용매를 들 수 있다.
본 발명의 가교결합된 실리콘 접착 수지는 당해 시트의 양면에 부착된 보호 필름을 갖는다. 이러한 보호 필름은 시트의 접착 표면이 먼지에 의해 오염되지 않도록 방지하며 접착 시트를 사용하기 전에 접착 시트로부터 벗겨내야 한다. 본 발명의 가교결합된 실리콘 접착 시트의 양면으로부터 보호 필름을 박리시키는 힘은5.0N/m 이하이어야 한다. 가교결합된 실리콘 접착 시트로부터 보호 필름을 박리시키는 데 필요한 힘이 5.0N/m를 초과하면 보호 필름이 찢어질 가능성이 있다. 또한, 접착 시트의 양면에서의 박리력 간의 차이가 0.2N/m 이상, 바람직하게는 0.5N/m 이상일 필요가 있다. 상기한 차이가 제시한 한계치보다 낮으면 전체 박리 표면에 걸쳐 박리 안정성을 제공하기가 곤란하다.
보호 필름은 폴리에테르설폰 수지(PES), 아세틸 셀룰로즈 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에테르 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리아미드 수지 등의 유기 수지로부터 제조할 수 있으며, 다른 유기 수지로부터 제조한 필름의 표면에 상기한 수지를 피복시켜 제조하거나 상기한 수지와 다른 유기 수지를 적층시켜 제조할 수 있다. 상기한 아세틸 셀룰로즈 수지로는 디아세틸 셀룰로즈 수지 및 트리아세틸 셀룰로즈 수지(TAC)를 들 수 있다. 시트 양면에서의 박리력의 차이는 시트의 양면에 부착된 보호 필름을 상이한 재료로 제조함으로써 증가시킬 수 있다. 보호 필름의 조합으로는, 예를 들면, PES 필름과 아세틸 셀룰로즈 수지 필름과의 조합, PES 필름과 표면에 아세틸 셀룰로즈 수지층을 갖는 다른 유기 수지 필름과의 조합, 표면에 PES 층을 갖는 다른 유기 수지 필름과 아세틸 셀룰로즈 수지 필름과의 조합 및 표면에 PES 층을 갖는 다른 유기 수지와 표면에 아세틸 셀룰로즈 수지층을 갖는 다른 유기 수지와의 조합일 수 있다. PES 필름과 아세틸 셀룰로즈 수지 필름과의 조합, PES 필름과 표면에 아세틸 셀룰로즈 수지층을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름과의 조합 또는 표면에 PES 층을 갖는 PET 필름과 표면에 아세틸 셀룰로즈 수지층을 갖는 PET 필름과의 조합을 사용하는 것이 권장된다. 한편, 시트의 양면에서의 박리력의 차이는 상기 조성물이 도포되어 있는 보호 필름 중의 하나의 표면을 1개의 분자내에 2개 이상의 규소 결합된 수소원자를 갖는 오가노폴리실록산으로 예비처리함으로써 증가시킬 수도 있다. 보호 필름을 예비처리하는데 사용되는, 1개의 분자내에 2개 이상의 규소 결합된 수소원자를 갖는 오가노폴리실록산은 성분(B)의 오가노폴리실록산과 동일할 수 있다. 보호 필름 중의 하나가 분자당 2개 이상의 규소 결합된 수소원자를 갖는 오가노폴리실록산으로 예비처리된 표면을 갖는 경우, 보호 필름은 동일하거나 상이한 재료로부터 제조할 수 있다. 어떠한 보호 필름도 분자당 2개 이상의 규소 결합된 수소원자를 갖는 오가노폴리실록산으로 예비처리된 표면을 갖지 않는 경우, 보호 필름은 상이한 재료로부터 제조한다.
본 발명의 가교결합된 실리콘 접착 시트의 제조방법은 상이한 재료로부터 제조된 2개의 보호 필름 사이에 가교결합성 실리콘 조성물을, 조성물의 층 두께가 100㎛를 초과하지 않도록 샌드위칭시킨 다음 조성물을 가교결합시켜 가교결합된 실리콘 접착 시트를 형성함을 포함한다.
본 발명의 방법에 사용하기에 적합한 가교결합된 실리콘 조성물의 예는 다음과 같다: 하이드로실릴화 반응을 통해 가교결합 가능한 실리콘 조성물, 축합 반응을 통해 가교결합 가능한 실리콘 조성물, 유기 과산화물을 사용한 라디칼 반응을 통해 가교결합 가능한 실리콘 조성물 및 고에너지 방사선의 작용하에서 가교결합 가능한 실리콘 조성물. 가장 바람직한 것은 하이드로실릴화 반응을 통해 가교결합 가능한 실리콘 조성물이다. 상기한 하이드로실릴화 반응에서 가교결합 가능한 실리콘 조성물이 적어도 다음의 성분을 포함하는 것이 권장된다 : (A) 1개의 분자내에 2개 이상의 알케닐 그룹을 갖는 오가노폴리실록산, (B) 분자당 2개 이상의 규소 결합된 수소원자를 갖는 오가노폴리실록산, (C) 접착 촉진제 및 (D) 금속 하이드로실릴화 촉매. 본 발명에 사용되는, 하이드로실릴화 반응을 통해 가교결합 가능한 실리콘 조성물은 앞서 언급한 것들 중의 하나이다.
본 발명의 방법에 사용하기에 적합한 보호 필름은 폴리에테르설폰 수지(PES), 아세틸 셀룰로즈 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에테르 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리아미드 수지 등의 유기 수지로부터 제조할 수 있으며, 다른 유기 수지로부터 제조한 필름의 표면에 상기한 수지를 피복시켜 제조하거나 상기한 수지와 다른 유기 수지를 적층시켜 제조할 수 있다. 상기한 아세틸 셀룰로즈 수지로는 디아세틸 셀룰로즈 수지 및 트리아세틸 셀룰로즈 수지(TAC)를 들 수 있다. 본 발명의 방법에서는, 가교결합성 실리콘 조성물을 상이한 재료로부터 이루어질 수 있는 2개의 보호 필름 사이에 샌드위칭시킨다. 시트의 반대면에 사용하기 위한 보호 필름의 조합에 관한 특별한 제한은 없지만, 보호 필름의 조합이, 예를 들면, PES 필름과 아세틸 셀룰로즈 수지 필름과의 조합, PES 필름과 표면에 아세틸 셀룰로즈 수지층을 갖는 다른 유기 수지 필름과의 조합, 표면에 PES 층을 갖는 다른 유기 수지 필름과 아세틸 셀룰로즈 수지 필름과의 조합 및 표면에 PES 층을 갖는 다른 유기 수지와 표면에 아세틸 셀룰로즈 수지층을 갖는 다른 유기 수지와의 조합일 수 있다. PES 필름과 아세틸 셀룰로즈 수지 필름과의 조합, PES 필름과 표면에 아세틸 셀룰로즈 수지층을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름과의 조합 또는 표면에 PES 층을 갖는 PET 필름과 표면에 아세틸 셀룰로즈 수지층을 갖는 PET 필름과의 조합을 사용하는 것이 권장된다.
본 발명의 방법에서, 가교결합성 실리콘 조성물을 2개의 보호 필름 사이에 샌드위칭시켜 필름형 제품을 형성한 다음 상기한 조성물을 가교결합시켜 가교결합된 실리콘 접착 수지를 형성한다. 가교결합은 실온, 200℃ 이하, 바람직하게는 120℃ 이하에서 유지시키거나 전자빔을 조사함으로써 수행할 수 있다.
본 발명의 또 다른 방법에 따르면, 가교결합성 실리콘 조성물을 조성물의 층 두께가 100㎛ 이하로 되도록 2개의 보호 필름 사이에 샌드위칭시켜 필름형 제품을 형성하고 상기한 조성물을 가교결합시켜 가교결합된 실리콘 접착 시트를 형성한다. 이 경우, 조성물의 한 면에 부착된 보호 필름의 표면을 분자당 2개 이상의 규소 결합된 수소원자를 갖는 오가노폴리실록산으로 예비처리한다.
본 발명의 방법에 적합한 가교결합성 실리콘 조성물은 하이드로실릴화 반응, 축합 반응, 유기 과산화물 또는 자외선을 사용한 라디칼 가교결합 반응에 의해 가교결합될 수 있는 것이지만 하이드로실릴화 반응에 의해 가교결합된 것이 바람직하다. 하이드로실릴화 반응에 의해 가교결합 가능한 실리콘 조성물은 적어도 하기의 성분을 포함하는 것이 바람직하다 : (A) 1개의 분자내에 2개 이상의 알케닐 그룹을 갖는 오가노폴리실록산; (B) 1개의 분자내에 2개 이상의 규소 결합된 수소원자를 갖는 오가노폴리실록산; (C) 접착 촉진제; 및 (D)금속 하이드로실릴화 촉매. 앞서 언급한 이유로 인해, 하이드로실릴화 반응에 의해 가교결합 가능한 실리콘 조성물을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 방법에 적합한 보호 필름으로는 폴리에테르설폰 수지(PES), 아세틸 셀룰로즈 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에테르 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리아미드 수지 등의 유기 수지를 들 수 있으며, 다른 유기 수지로부터 제조한 필름의 표면에 상기한 수지를 피복시켜 제조하거나 상기한 수지와 다른 유기 수지를 적층시켜 제조할 수 있다. 상기한 아세틸 셀룰로즈 수지로는 디아세틸 셀룰로즈 수지 및 트리아세틸 셀룰로즈 수지(TAC)를 들 수 있다. 본 발명의 방법에서, 그 사이에 가교결합성 실리콘 조성물이 샌드위칭되어 있는 보호 필름은 동일한 재료 뿐만 아니라 상이한 재료로부터도 만들어질 수 있다. 조성물에 부착된 보호 필름 중의 어느 하나의 조성물 면을 1개의 분자내에 2개 이상의 규소 결합된 수소원자를 갖는 오가노폴리실록산으로 예비처리하는 것이 필요하다. 이러한 오가노폴리실록산은 상기한 성분(B)와 동일한 것일 수 있다. 1개의 분자내에 2개 이상의 규소 결합된 수소원자를 갖는 상기한 오가노폴리실록산을 단순 스프레딩에 이은 열처리에 의해 보호 필름의 표면에 도포할 수 있다.
따라서, 본 발명의 방법은 2개의 필름 사이에 가교결합성 실리콘 조성물을 위치시켜 필름형 제품을 형성한 다음 상기한 조성물을 가교결합시켜 가교결합된 실리콘 접착 수지를 제조함으로써 수행한다. 가교결합성 실리콘 조성물의 가교결합은 조성물을 실온, 200℃ 이하, 바람직하게는 120℃ 이하에서 유지시키거나 전자빔을 조사함으로써 수행할 수 있다.
본 발명의 가교결합된 실리콘 접착 시트는 반도체 칩을 칩 지지체에 부착시키는 데 사용된다. 가교결합된 실리콘 접착 시트가 우라늄 또는 토륨을 미량으로,예를 들면, 총량이 1ppb 이하로 되도록 함유하는 것이 권장된다. 가교결합된 실리콘 접착 시트는 나트륨, 칼륨 등의 알칼리 금속의 이온을 소량으로, 특히 1ppm 이하의 양으로 함유할 수 있다.
이하, 상기한 가교결합된 실리콘 접착 시트를 사용하여 반도체 디바이스를 제조하는 방법을 보다 상세하게 설명할 것이다. 사용 가능한 반도체 디바이스로는 다이오드, 트랜지스터, 사이리스터(thyristor), 일체식 집적회로, 하이브리드 집적회로, 대형 집적회로 및 초대형 집적회로를 예시할 수 있다. 본 발명에 따르는 반도체 디바이스의 예가 도 1에 도시되어 있으며, 이는 하이브리드 집적회로의 단면도이다. 도 1에 도시된 반도체 디바이스에서, 반도체 칩(1)은 가교결합된 실리콘 접착 시트(2)를 사용하여 반도체 칩 지지체(3)에 결합된다. 반도체 칩(1) 및 외부 리드에 접속되어 있는 인터커넥트(4)는 결합 와이어(5)에 의해 반도체 칩(1)에 전기접속된다. 반도체 칩(1)은 다이오드, 트랜지스터, 사이리스터, 일체식 집적회로 또는 하이브리드 집적회로의 메모리 유니트 또는 하이브리드 집적회로에서의 반도체 칩을 포함할 수 있다. 반도체 칩 지지체(3)는 세라믹, 유리, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 페놀성 수지, 베이클라이트 수지, 멜라민 수지, 유리 섬유 강화된 에폭시 수지 및 유리 섬유 강화된 BT 수지로부터 제조될 수 있다. 인터커넥트(4)는 금, 구리, 알루미늄, 은-팔라듐, 산화인듐주석(ITO) 등으로 이루어질 수 있다. 결합 와이어(5)는 금, 구리 또는 알루미늄으로 이루어질 수 있다. 반도체 소자(1)는 또한 실란트 수지(6)로 밀봉된다. 실란트 수지(6)를 구성하는 수지로는 에폭시 수지, 페놀성 수지 및 폴리페닐렌 설파이드 수지를 예시할 수 있다. 반도체 칩(1)이외에, 다른 전자 부재, 예를 들면, 레지스터, 캐퍼시터, 코일 등을 회로 기판(3) 위에 설치할 수 있다.
가교결합된 실리콘 접착 시트를 통해 반도체 칩을 상기한 칩 지지체에 부착시키는 방법은 실리콘 접착 시트를 반도체 칩(1)에 부착시킨 다음 상기한 시트를 통해 반도체 칩(1)을 반도체 칩 지지체(3)에 부착시키거나, 실리콘으로 이루어진 접착 시트를 반도체 칩 지지체(3)에 부착시킨 다음 접착 시트를 통해 반도체 칩(1)을 반도체 칩 지지체(3)에 부착시킴으로써 수행할 수 있다. 가교결합된 실리콘 접착 수지를 반도체 칩 및 칩 지지체에 부착시킬 수 있는 온도에 관한 특별한 제한은 없지만,이를 50 내지 200℃, 바람직하게는 100 내지 150℃의 온도에서 수행하는 것이 권장된다. 통상적으로, 가교결합된 실리콘 접착 시트(2)를 반도체 칩(1) 및 칩 지지체(3)에 접속시키는 데 있어서, 2단계에서 가열을 수행한다. 보다 구체적으로는, 1 내지 2초 동안 압력을 적용하고 가열하여 예비 부착시킨 후, 최종 접속을 위해 150 내지 170℃의 오븐에서 후경화를 수행한다.
경화 후, 반도체 칩(1)과 인터커넥트(4)를 결합 와이어(5)에 의해 전기접속시킨다. 통상적으로, 이는 초음파 용접에 의해 수행한다. 필요에 따라, 이후에 반도체 칩(1)을 수지 실란트(6)로 밀봉시킬 수 있다. 반도체 칩을 비교적 저온에서 실리콘 접착 수지를 사용하여 칩 지지체에 부착시킬 수 있기 때문에, 열의 작용하에 반도체 칩이 손상될 위험이 없다. 이는 반도체 디바이스의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
실시예
이하, 본 발명의 가교결합된 실리콘 접착 시트 및 당해 접착 시트의 제조방법을 실용 실시예를 참조로 하여 보다 상세하게 설명할 것이다. 실시예에 보고된 점도값은 25℃에서 측정한 것이다. 다음의 방법을 사용하여, 신뢰도를 평가하고 가교결합된 실리콘 접착 시트로부터 보호 필름을 박리시키는 데 필요한 힘을 측정한다.
가교결합된 실리콘 접착 시트로부터 보호 필름을 박리시키기 위한 힘
양면에 보호 필름이 부착되어 있는 가교결합된 실리콘 접착 시트를 1cm ×15cm 스트립으로 되도록 절단하여 시험 표본을 제조한다. 시험 표본의 한 면(이하, A면이라고 함)에 부착된 보호 필름을 100mm/분의 속도로 180°의 각도에서 표본 표면으로부터 잡아 당긴다. 이러한 작용 동안 나타난 응력의 평균값을 측정한다. 이러한 평균값을 가교결합된 실리콘 접착 시트로부터의 보호 필름의 박리력이라고 한다. 표본의 다른 면(이하, B면이라고 함)으로부터의 보호 필름의 박리력을 동일한 방법으로 측정한다.
반도체 디바이스의 제조 및 초기 접착성 평가
가교결합된 실리콘 접착 시트를 도 1에 도시된 반도체 디바이스를 제조하는 데 사용한다. 보다 구체적으로는, 반도체 칩(1cm ×1cm)과, 폴리이미드로 이루어진 반도체 칩 지지체(3cm ×3cm)를 가교결합된 실리콘 접착 시트(1cm ×1cm)를 통해 상호접속시킨 다음 1MPa의 힘의 적용에 의해 나타난 압력하에서 유니트를 190℃에서 2시간 동안 가열한다. 압력을 해체하고 수득한 유니트를 170℃ 오븐 속에 1시간 동안 둔다. 이어서, 유니트를 오븐으로부터 꺼내어, 폴리이미드로 이루어진 반도체 칩 지지체와 가교결합된 실리콘 접착 시트를 육안으로 관찰한다. 잘 부착되어 있는 부재로부터 시험 조각을 형성한 후, 반도체 칩(1)과 인터커넥트(4)의 상부에 위치한 결합 패드를 초음파 용접으로 고정시킨 와이어(5)에 의해 전기접속시킨다.
반도체 디바이스의 불량률 평가
반도체 디바이스를 소켓(socket)에 삽입하고 디바이스 단자 사이에 전류를 통과시켜 시험한다. 전류 시험에서, 전류를 통과시키지 못하는 반도체 디바이스의 비율(%)을 불량률로서 간주한다.
실용 실시예 1
로쓰 혼합기에 다음의 성분들을 채운다 : 양쪽 분자 말단이 디메틸비닐실록시 그룹(비닐 그룹 함량 0.23중량%)으로 캡팅되어 있고 증기압이 200℃에서 10mmHg를 초과하는 저분자량 실록산 0.01중량%를 함유하는 2,200mPa.s 점도의 디메틸폴리실록산 31중량부, 양쪽 분자 말단이 디메틸비닐실록시 그룹(비닐 그룹 함량 0.23중량%)으로 캡팅된 2,000mPa.s 점도의 디메틸폴리실록산 65중량%와 (CH2=CH)(CH3)2SiO1/2단위, (CH3)3SiO1/2단위 및 SiO4/2단위(비닐 그룹 함량2.5중량%)로 이루어진 오가노폴리실록산 수지 35중량%로 이루어진 7,000mPa.s 점도의 오가노폴리실록산 혼합물 56중량부 및 BET 비표면적이 200㎡/g인 발연 실리카 13중량부. 실온에서 1시간 동안 혼합한 후, 혼합물을 170℃에서 감압하에 2시간 동안 혼합한다. 이에 따라, 혼합물을 실온으로 냉각시킨 후, 페이스트형 반투명 시리콘 고무 기재가 수득된다.
수득한 기재 100중량부를 양쪽 분자 말단이 트리메틸실록시 그룹으로 캡핑되고 평균 분자식이로 나타내어지는 5mPa.s 점도의 디메틸실록산-메틸하이드로겐실록산 공중합체(규소 결합된 수소원자 함량 0.73중량%) 6중량부(성분(A)에서 비닐 그룹 1몰에 대해 당해 성분의 규소 결합된 수소원자 1.8몰이 사용되도록 함), 화학식의 평균 단위로 나타내어지는 오가노폴리실록산(비닐 그룹 함량 16중량%) 1중량부, 화학식로 나타내어지는 실라트란 유도체 0.5중량부 및 백금과 1,3-디비닐테트라메틸 디실록산과의 착물(착물 중의 백금 금속의 농도 5ppm)과 진공에서 균일하게 혼합한다. 이에 따라, 하이드로실릴화 반응을 통해 가교결합 가능한 70,000mPa.s 점도의 실리콘 고무 조성물이 제조된다. 수득된 조성물에서의 우라늄 및 토륨의 총 함량은 0.1ppb를 초과하지 않았고, 나트륨, 칼륨 등의 알칼리 금속의 이온의 총 함량은 0.1ppm을 초과하지 않았다.
수득한 실리콘 조성물을 50㎛ 두께의 표면-비처리된 PES 필름과 트리트먼트제 No.1, 양쪽 분자 말단이 트리메틸실록시 그룹으로 캡팅된 30mPa.s 점도의 메틸하이드로겐폴리실록산(규소 결합된 수소원자 함량 1.6중량%)으로 예비처리한 표면을 갖는 50㎛ 두께의 PES 필름 사이에 샌드위칭시킨다. 수득한 샌드위치를 스테인레스-강 사이에 조절 가능한 극간을 갖는 2롤 장치 사이에서 실리콘 조성물의 두께가 30㎛로 되도록 압연시킨다. 열풍을 순환시키면서, 압연시킨 샌드위치를 80℃ 오븐에서 30분 동안 가열한 후, 양면에 PES 필름을 갖는 실리콘 고무 접착 시트가 생성된다.
먼저, 표면을 트리트먼트제 No.1으로 피복시킨 PES 필름을 수득한 실리콘 고무 접착 시트로부터 안정하게 박리시킨다. 보호 필름 둘 다를 박리시키는 데 필요한 힘을 측정한 바, 표면을 트리트먼트제 No.1로 처리한 PES 필름은 1.9N/m의 박리력으로 박리시킬 수 있는 반면에, 비처리한 PES 필름은 2.3N/m의 박리력으로 박리시킬 수 있는 것으로 나타났다.
상기한 실리콘 고무 접착 시트를 사용하여 반도체 칩과 칩 지지체 부재를 상호접속시킴으로써 반도체 디바이스를 제조한다. 반도체 칩 및 칩 지지체 부재에 대한 실리콘 고무 접착 시트의 접착성을 평가하고, 반도체 디바이스의 불량률을 측정한다. 결과가 표 1에 제시되어 있다.
실용 실시예 2
실용 실시예 1에서 제조한, 하이드로실릴화 반응을 통해 가교결합 가능한 실리콘 고무 조성물을 50㎛ 두께의 표면-비처리된 PES 필름과 트리트먼트제 No.2, 양쪽 분자 말단이 디메틸하이드로겐실록시 그룹으로 캡팅된 10mPa.s 점도의 디메틸폴리실록산(규소 결합된 수소원자 함량 0.16중량%)으로 예비처리한 표면을 갖는 50㎛ 두께의 PES 필름 사이에 샌드위칭시킨다. 수득한 샌드위치를 스테인레스-강 사이에 조절 가능한 극간을 갖는 2롤 장치 사이에서 실리콘 조성물의 두께가 30㎛로 되도록 압연시킨다. 열풍을 순환시키면서, 압연시킨 샌드위치를 80℃ 오븐에서 30분 동안 가열한 후, 양면에 PES 필름을 갖는 실리콘 고무 접착 시트가 생성된다.
먼저, 표면을 트리트먼트제 No.2로 처리하지 않은 PES 필름을 수득한 실리콘 고무 접착 시트로부터 안정하게 박리시킨다. 보호 필름 둘 다를 박리시키는 데 필요한 힘을 측정한 바, 표면을 트리트먼트제 No.2로 처리한 PES 필름은 2.8N/m의 박리력으로 박리시킬 수 있는 반면에, 비처리한 PES 필름은 2.3N/m의 박리력으로 박리시킬 수 있는 것으로 나타났다.
상기한 실리콘 고무 접착 시트를 사용하여 반도체 칩과 칩 지지체 부재를 상호접속시킴으로써 반도체 디바이스를 제조한다. 반도체 칩 및 칩 지지체 부재에 대한 실리콘 고무 접착 시트의 접착성을 평가하고, 반도체 디바이스의 불량률을 측정한다. 결과가 표 1에 제시되어 있다.
실용 실시예 3
실용 실시예 1에서 제조한, 하이드로실릴화 반응을 통해 가교결합 가능한 실리콘 고무 조성물을 50㎛ 두께의 표면-비처리된 PES 필름과 50㎛ 두께의 표면-비처리된 TAC 필름 사이에 샌드위칭시킨다. 수득한 샌드위치를 스테인레스-강 사이에 조절 가능한 극간을 갖는 2롤 장치 사이에서 실리콘 조성물의 두께가 30㎛로 되도록 압연시킨다. 열풍을 순환시키면서, 압연시킨 샌드위치를 80℃ 오븐에서 30분 동안 가열한 후, 한 면에는 PES 필름이 부착되고 다른 한 면에는 TAC 필름이 부착되어 있는 실리콘 고무 접착 시트가 생성된다.
먼저, TAC 필름을 수득한 실리콘 고무 접착 시트로부터 안정하게 박리시킨다. 보호 필름 둘 다를 박리시키는 데 필요한 힘을 측정한 바, 표면-비처리된 TAC 필름은 0.7N/m의 박리력으로 박리시킬 수 있는 반면에, 표면-비처리한 PES 필름은 2.3N/m의 박리력으로 박리시킬 수 있는 것으로 나타났다.
상기한 실리콘 고무 접착 시트를 사용하여 반도체 칩과 칩 지지체 부재를 상호접속시킴으로써 반도체 디바이스를 제조한다. 반도체 칩 및 칩 지지체 부재에 대한 실리콘 고무 접착 시트의 접착성을 평가하고, 반도체 디바이스의 불량률을 측정한다. 결과가 표 1에 제시되어 있다.
실용 실시예 4
실용 실시예 1에서 제조한, 하이드로실릴화 반응을 통해 가교결합 가능한 실리콘 고무 조성물을 50㎛ 두께의 표면-비처리된 PES 필름과 조성물의 표면에 부착된 1㎛ 두께의 TAC 필름을 갖는 50㎛ 두께의 PES 필름 사이에 샌드위칭시킨다. 수득한 샌드위치를 스테인레스-강 사이에 조절 가능한 극간을 갖는 2롤 장치 사이에서 실리콘 조성물의 두께가 30㎛로 되도록 압연시킨다. 열풍을 순환시키면서, 압연시킨 샌드위치를 80℃ 오븐에서 30분 동안 가열한 후, 한 면에는 PES 필름이 부착되고 다른 한 면에는 TAC-PET 필름이 부착되어 있는 실리콘 고무 접착 시트가 생성된다.
먼저, TAC-PET 필름을 수득한 실리콘 고무 접착 시트로부터 안정하게 박리시킨다. 보호 필름 둘 다를 박리시키는 데 필요한 힘을 측정한 바, TAC-PET 필름은 0.7N/m의 박리력으로 박리시킬 수 있는 반면에, 표면-비처리한 PES 필름은 2.3N/m의 박리력으로 박리시킬 수 있는 것으로 나타났다.
상기한 실리콘 고무 접착 시트를 사용하여 반도체 칩과 칩 지지체 부재를 상호접속시킴으로써 반도체 디바이스를 제조한다. 반도체 칩 및 칩 지지체 부재에 대한 실리콘 고무 접착 시트의 접착성을 평가하고, 반도체 디바이스의 불량률을 측정한다. 결과가 표 1에 제시되어 있다.
실용 실시예 5
실용 실시예 1에서 제조한, 하이드로실릴화 반응을 통해 가교결합 가능한 실리콘 고무 조성물을 표면에 2㎛ 두께의 PES층을 갖는 50㎛ 두께의 PES 필름과 조성물의 표면에 부착되는 표면에 1㎛ 두께의 TAC층을 갖는 50㎛ 두께의 PES 필름 사이에 샌드위칭시킨다. 수득한 샌드위치를 스테인레스-강 사이에 조절 가능한 극간을갖는 2롤 장치 사이에서 실리콘 조성물의 두께가 30㎛로 되도록 압연시킨다. 열풍을 순환시키면서, 압연시킨 샌드위치를 80℃ 오븐에서 30분 동안 가열한 후, 한 면에는 PES-PET 필름이 부착되고 다른 한 면에는 TAC-PET 필름이 부착되어 있는 실리콘 고무 접착 시트가 생성된다.
먼저, TAC-PET 필름을 수득한 실리콘 고무 접착 시트로부터 안정하게 박리시킨다. 보호 필름 둘 다를 박리시키는 데 필요한 힘을 측정한 바, TAC-PET 필름은 0.7N/m의 박리력으로 박리시킬 수 있는 반면에, 표면-비처리한 PES-PET 필름은 2.3N/m의 박리력으로 박리시킬 수 있는 것으로 나타났다.
상기한 실리콘 고무 접착 시트를 사용하여 반도체 칩과 칩 지지체 부재를 상호접속시킴으로써 반도체 디바이스를 제조한다. 반도체 칩 및 칩 지지체 부재에 대한 실리콘 고무 접착 시트의 접착성을 평가하고, 반도체 디바이스의 불량률을 측정한다. 결과가 표 1에 제시되어 있다.
비교 실시예 1
실용 실시예 1에서 제조한, 하이드로실릴화 반응을 통해 가교결합 가능한 실리콘 고무 조성물을 50㎛ 두께의 표면-비처리된 PES 필름과 또 다른 50㎛ 두께의 표면-비처리된 PES 필름 사이에 샌드위칭시킨다. 수득한 샌드위치를 스테인레스-강 사이에 조절 가능한 극간을 갖는 2롤 장치 사이에서 실리콘 조성물의 두께가 30㎛로 되도록 압연시킨다. 열풍을 순환시키면서, 압연시킨 샌드위치를 80℃ 오븐에서 30분 동안 가열한 후, PES 필름이 양면에 부착되어 있는 실리콘 고무 접착 시트가 생성된다.
PES 필름을 수득한 실리콘 고무 접착 시트의 한 면으로부터 박리시킨 경우, 박리 표면이 불안정하고 시트의 반대면에서 PES 필름의 부분 박리가 관찰되었다. 비처리된 보호 필름 둘 다를 박리시키는 데 필요한 힘을 측정한 바, 2.3N/m의 박리력을 나타내었다.
비교 실시예 2
실용 실시예 1에서 제조한, 하이드로실릴화 반응을 통해 가교결합 가능한 실리콘 고무 조성물을 50㎛ 두께의 표면-비처리된 PET 필름과 또 다른 50㎛ 두께의 표면-비처리된 PET 필름 사이에 샌드위칭시킨다. 수득한 샌드위치를 스테인레스-강 사이에 조절 가능한 극간을 갖는 2롤 장치 사이에서 실리콘 조성물의 두께가 30㎛로 되도록 압연시킨다. 열풍을 순환시키면서, 압연시킨 샌드위치를 80℃ 오븐에서 30분 동안 가열한 후, PES 필름이 양면에 부착되어 있는 실리콘 고무 접착 시트가 생성된다.
PET 필름을 수득한 실리콘 고무 접착 시트의 한 면으로부터 박리시킨 경우, 박리 표면이 불안정하고 시트의 반대면에서 PET 필름의 부분 박리가 관찰되었다. 비처리된 보호 필름 둘 다를 박리시키는 데 필요한 힘을 측정한 바, 10N/m의 박리력을 나타내었으며, 박리하기가 매우 어려웠고 필름의 박리능이 낮았다.
실용실시예 1 실용실시예 2 실용실시예 3 실용실시예 4 실용실시예 5 비교실시예 1 비교실시예 2
A면보호 필름 PES 필름 PES 필름 PES 필름 PES 필름 표면에 PES층을 갖는PET 필름 PES 필름 PET 필름
B면보호 그룹 제제 No.1으로 처리한 PES 필름 제제 No.2로 처리한 PES 필름 TAC 필름 표면에 TAC층을 갖는 PET 필름 표면에 TAC층을 갖는 PET 필름 PES 필름 PET 필름
제1 박리면 B A B B B A A
박리 표면의 안정성 안정 불안정
A면에서의 박리력(N/m) 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 2.3 10
B면에서의 박리력(N/m) 1.9 2.8 0.7 0.7 0.7 2.3 10
접착성 양호 양호 양호 양호 양호 - -
불량률 0/30 0/30 0/30 0/30 0/30 - -
산업상 이용가능성
본 발명의 가교결합된 실리콘 접착 수지의 양면으로부터 보호 필름을 박리시키는데 있어서, 양쪽 박리 표면은 안정성을 나타낸다. 또한, 상기한 가교결합된 실리콘 접착 시트는 가교결합된 실리콘 접착 시트를 제조하기 위한 본 발명의 방법에 의해 효율적으로 제조될 수 있다. 따라서, 본 발명의 가교결합된 실리콘 접착 시트는 반도체 칩을 칩 지지체에 부착시키는 데 사용된다.

Claims (10)

  1. 두께가 100㎛ 이하인 가교결합된 실리콘(A),
    가교결합된 실리콘의 한 면 위에 존재하는 제1 보호 필름(B) 및
    가교결합된 실리콘의 반대면 위에 존재하는 제2 보호 필름(C)을 포함하고,
    접착 시트로부터의 성분(B)의 박리력이 5.0N/m 이하이고,
    접착 시트로부터의 성분(C)의 박리력이 5.0N/m 이하이며,
    성분(B)와 성분(C)의 박리력 간의 차이가 0.2N/m 이상임을 특징으로 하는 접착 시트.
  2. 제1항에 있어서, 성분(A)가 하이드로실릴화 반응에 의해 가교결합 가능한 실리콘 조성물, 축합 반응에 의해 가교결합 가능한 실리콘 조성물, 유기 과산화물을 사용한 라디칼 가교결합 반응에 의해 가교결합 가능한 실리콘 조성물 및 자외선을 사용하여 가교결합 가능한 실리콘 조성물로부터 선택된 실리콘 조성물의 가교결합 생성물을 포함함을 특징으로 하는 접착 시트.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 성분(A)가 하이드로실릴화 반응에 의해 가교결합 가능한 실리콘 조성물의 가교결합 생성물을 포함함을 특징으로 하는 접착 시트.
  4. 제3항에 있어서, 하이드로실릴화 반응에 의해 가교결합 가능한 실리콘 조성물이, 분자당 2개 이상의 알케닐 그룹을 갖는 오가노폴리실록산(A), 분자당 2개 이상의 규소 결합된 수소원자를 갖는 오가노폴리실록산(B), 접착 촉진제(C) 및 금속 하이드로실릴화 촉매(D)를 포함함을 특징으로 하는 접착 시트.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 성분(B)와 성분(C)가 상이한 재료로 이루어짐을 특징으로 하는 접착 시트.
  6. 가교결합성 실리콘 조성물(A)을 제1 보호 필름(B)과 제2 보호 필름(C) 사이에 두께가 100㎛ 이하인 층으로 되도록 위치시켜 필름형 물체를 형성하는 단계(1) 및
    성분(A)를 가교결합시키는 단계(2)를 포함함을 특징으로 하는, 제5항에 따르는 접착 시트의 제조방법.
  7. 제1 보호 필름(B) 또는 제2 보호 필름(C)을 분자당 2개 이상의 규소 결합된 수소원자를 갖는 오가노폴리실록산으로 예비처리하는 단계(1),
    가교결합성 실리콘 조성물(A)을, 성분(B) 또는 성분(C)의 표면에서 성분(A)가 오가노폴리실록산과 접촉하도록, 성분(B)와 성분(C) 사이에 두께가 100㎛ 이하인 층으로 되도록 위치시켜 필름형 물체를 형성하는 단계(2) 및
    성분(A)를 가교결합시키는 단계(3)를 포함하고,
    단계(3)의 생성물로부터의 성분(B)의 박리력이 5.0N/m 이하이고,
    단계(3)의 생성물로부터의 성분(C)의 박리력이 5.0N/m 이하이며,
    성분(B)와 성분(C)의 박리력 간의 차이가 0.2N/m 이상임을 특징으로 하는, 접착 시트의 제조방법.
  8. 제7항의 방법에 의해 제조된 접착 시트.
  9. 반도체 칩(a), 반도체 칩 지지체(b) 및 제1항 또는 제2항에 따르는 접착 시트(c)를 포함하고, 반도체 칩과 반도체 칩 지지체가 접착 시트에 의해 함께 결합되어 있음을 특징으로 하는 디바이스.
  10. 제9항에 있어서, 다이오드, 트랜지스터, 사이리스터, 일체식 집적회로, 하이브리드 집적회로, 대형 집적회로 또는 초대형 집적회로를 포함하는 디바이스.
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