DE567264C - Verfahren zur Entfernung von Kupferoxyd von der Oberflaeche der mit Kupferoxydul belegten Gegenstaende, wie Gleichrichter - Google Patents

Verfahren zur Entfernung von Kupferoxyd von der Oberflaeche der mit Kupferoxydul belegten Gegenstaende, wie Gleichrichter

Info

Publication number
DE567264C
DE567264C DEH114427D DEH0114427D DE567264C DE 567264 C DE567264 C DE 567264C DE H114427 D DEH114427 D DE H114427D DE H0114427 D DEH0114427 D DE H0114427D DE 567264 C DE567264 C DE 567264C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
copper oxide
copper
rectifiers
oxide
electrolysis
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEH114427D
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hanovia Chemical and Manufacturing Co
Original Assignee
Hanovia Chemical and Manufacturing Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hanovia Chemical and Manufacturing Co filed Critical Hanovia Chemical and Manufacturing Co
Priority to DEH114427D priority Critical patent/DE567264C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE567264C publication Critical patent/DE567264C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/16—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide
    • H01L21/161—Preparation of the foundation plate, preliminary treatment oxidation of the foundation plate, reduction treatment
    • H01L21/165—Reduction of the copper oxide, treatment of the oxide layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F1/00—Electrolytic cleaning, degreasing, pickling or descaling
    • C25F1/02—Pickling; Descaling
    • C25F1/04—Pickling; Descaling in solution

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • Electrolytic Production Of Metals (AREA)

Description

Es gibt bereits Verfahren zum Entfernen von Kupferoxyd von der Oberfläche der mit Kupferoxydul belegten Gegenstände, z. B. Gleichrichter, unter Verwendung der Elektrolyse, bei welcher das Kupferoxyd elektrolytisch in das Kupfermetall zurückverwandelt wird, so daß dieses letztere die darunter befindliche Schicht von Kupferoxydul überdeckt. Demgegenüber bezweckt die Erfindung die Herstellung von Gleichrichtern, bei welchen die Kupferoxydulschicht dauernd bloßgelegt ist. Zur Erreichung dieses Zweckes wird die Elektrolyse derart geleitet, daß bei Anwendung des Gleichstromes das Kupferoxyd zunächst in Schlammkupfer verwandelt und dieses dann durch an sich bekannte Stromumkehrung abgelöst wird, oder daß bei Anwendung des Wechselstromes das Kupferoxyd lediglich gelockert und in abwaschbaren Zustand übergeführt wird.
Die Erfindung gründet sich auf die Beobachtung., daß das auf Reinkupferflächen oder auf der Oberfläche des roten Kupferoxyduls gebildete schwarze Kupferoxyd eine feine kristallinische Struktur besitzt und vollkommen für Flüssigkeiten oder Gase durchlässig ist, während das rote kristallinische Kupferoxydul sehr hart ist und verhältnismäßig langsam von Flüssigkeiten oder Gasen angegriffen wird.
Der für das vorliegende Verfahren erforderliche Elektrolyt kann verdünnte Schwefelsäure oder irgendeine andere starke Säure, wie Perchlorsäure, sein, welche Kupferoxyd leicht angreift. Der Elektrolyt kann außerdem Kupfersalze enthalten. Die mit dem Kupferoxyd bedeckte Kupferplatte wird als Badelektrode in diesem Elektrolyt benutzt, während als andere Elektrode ein Stück reines Kupfer oder irgendein anderer ehe-'misch indifferenter stromleitender Stoff benutzt wird. Wenn Gleichstrom in irgendeiner Richtung durch den Elektrolyt hindurchgeschickt wird, so tritt in bekannter Weise eine Reduktion des Kupferoxydes ein. Zum +5 Unterchied von den anderen Verfahren wird aber die Elektrolyse so geleitet, daß das reduzierte " Kupfermetall nicht in kompakter, festhaftender Schicht an der Oxydulschicht zurückbleibt, sondern in eine Gestalt übergeführt wird, die sich leicht ablösen läßt.
Wenn die mit Kupferoxyd mit darunter befindlicher Oxydulschicht belegte Kupferplatte zur Kathode und ein Graphit- oder Kupferblock zur Anode des elektrolytischen Bades unter Anwendung von Gleichstrom gemacht werden, so wird erfindungsgemäß ein Niederschlag von metallischem Schlammkupfer gebildet, der die Stelle des reduzierten Kupferoxydes auf der Oberfläche einnimmt, während das Kupferoxydul nicht angegriffen wird. Der Elektrolyt besteht dabei aus 4%iger- Schwefelsäure. Die Stromdichte beträgt 4,5 bis i,o Amp. für 1 qdm und die
Spannung 2,2 bis 2,5 Volt. Die Reduktion erfolgt nach dem Schema CuO -\~ H2 = Cu -|- H2 Q. Das so gebildete Schlammkupfer kann dann leicht entfernt werden, indem man die Richtung des elektrolytischen Stromflusses in bekannter Weise umkehrt. Das Schlammkupfer löst sich dabei von der Platte vollkommen ab und geht in Lösung, während die nicht angegriffene Kupferoxydulschicht an der Platte zurückbleibt. Die für die Behandlung erforderliche Zeit hängt von der Dichte der Kupferoxydschicht sowie von ihrer Dicke ab, die sich gewöhnlich 0,1 mm mehr oder weniger nähert. Die Reduktion nimmt dabei etwa ι Minute in Anspruch.
Wechselstrom aber ist ein mehr empfehlenswertes Hilfsmittel, da durch seine Verwendung das Kupferoxyd, ohne daß vorher eine vollständige Reduktion zu metallischem Kup-
ao fer stattzufinden braucht, so weit gelockert wird, daß es durch einfaches Abwaschen von der Platte entfernt werden kann. Zu diesem Zweck wird die Elektrolyse in ähnlicher Weise wie bei Gleichstrom geleitet, wobei die Temperatur annähernd bei 20° C oder etwas höher gehalten wird. Nach einigen Minuten wird die Kupferoxydschicht in ein lockeres Gemenge Von Kupferoxyd und Kupfer übergeführt, welches von der Platte mit Wasser abgewaschen werden kann.

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Verfahren zur Entfernung von Kupferoxyd von der Oberfläche der mit Kupferoxydul belegten Gegenstände zwecks dauernder Bloßlegung der Oxydulschicht unter Verwendung der Elektrolyse, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrolyse derart geleitet wird, daß bei Anwendung des Gleichstromes das Kupferoxyd zunächst in Schlammkupfer verwandelt und dieses dann durch an sich bekannte Stromumkehrung abgelöst wird, oder daß bei Anwendung des Wechselstromes das Kupferox}'d lediglich gelockert und in abwaschbaren Zustand übergeführt wird.
DEH114427D 1927-12-17 1927-12-18 Verfahren zur Entfernung von Kupferoxyd von der Oberflaeche der mit Kupferoxydul belegten Gegenstaende, wie Gleichrichter Expired DE567264C (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEH114427D DE567264C (de) 1927-12-17 1927-12-18 Verfahren zur Entfernung von Kupferoxyd von der Oberflaeche der mit Kupferoxydul belegten Gegenstaende, wie Gleichrichter

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEH0114427 1927-12-17
DEH114427D DE567264C (de) 1927-12-17 1927-12-18 Verfahren zur Entfernung von Kupferoxyd von der Oberflaeche der mit Kupferoxydul belegten Gegenstaende, wie Gleichrichter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE567264C true DE567264C (de) 1932-12-30

Family

ID=25980881

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEH114427D Expired DE567264C (de) 1927-12-17 1927-12-18 Verfahren zur Entfernung von Kupferoxyd von der Oberflaeche der mit Kupferoxydul belegten Gegenstaende, wie Gleichrichter

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE567264C (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2327764A1 (de) Verfahren zur elektrokoernung von aluminium
DE1796220B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Elektrode zur Verwendung bei elektrolytischen Verfahren
DE2157511B2 (de) Verfahren zum erneuten Aufbringen von Überzügen aufgebrauchte, dimensionsstabile Elektroden
DE1909757C3 (de) Verfahren zur Reinigung von Anoden für elektrolytische Prozesse, die aus einer Unterlage eines filmbildenden Metalls und einem Überzug aus Edelmetalloxiden oder Edelmetalloxide enthaltenden Mischoxiden bestehen
DE567264C (de) Verfahren zur Entfernung von Kupferoxyd von der Oberflaeche der mit Kupferoxydul belegten Gegenstaende, wie Gleichrichter
DE741753C (de) Verfahren zur elektrolytischen Faerbung von Gegenstaenden aus Aluminium mit oxydischer Oberflaechenschicht
DE460810C (de) Flachdruckplatten, bestehend aus einer Metallgrundplatte mit einer metallischen Unter- und einer metallischen Oberschicht, die stellenweise zur Bildung von Druckflaechen und amalgamierten, nicht druckenden Flaechen weggeaetzt ist
DE2008335A1 (de) Verfahren zum Entfernen von leitenden Schichten auf formbeständigen Elektroden
DE2607512A1 (de) Verfahren zur herstellung eines metallpulvers
DE347219C (de) Verfahren zum elektrolytischen Reinigen von Gegenstaenden aus Eisen oder Eisenlegierungen
DE382226C (de) Verfahren zum Niederschlagen von Metallen auf einer Kathode
AT240674B (de) Verfahren zum elektrolytischen Beizen von niedriglegierten und Kohlenstoffstählen
DE2105816A1 (de) Verfahren zur Entfernung von Eisenverunreinigungen aus Nitrisierungssalzbädern
DE2232903A1 (de) Titanelektroden fuer die kupferraffination
DE2060066B2 (de) Verfahren zur Herstellung von Magnesiumhydroxid und Chlorgas durch Elektrolyse von wäßrigen Elektrolyten, die in der Hauptmenge Magnesiumchlorid sowie Alkalichlorid gelöst enthalten
DE476344C (de) Verfahren zur Herstellung von Akkumulatorenplatten
DE682517C (de) Verfahren zum AEtzen der Elektroden von Elektrolytkondensatoren
DE752421C (de) Verfahren zur Aufarbeitung von Abfaellen aus Eisen, die mit Kupfer oder Kupferlegierungen plattiert sind
DE323066C (de) Verfahren zur Reinigung der Oberflaeche von Gegenstaenden aus Eisen oder Stahl auf elektrolytischem Wege
DE676676C (de) Verfahren zur elektrolytischen Scheidung von Edelmetallegierungen
DE2025211A1 (en) Selective anodic recovery of silver - from scrap by electro - -deposition from aq soln
DE531672C (de) Verfahren zur Gewinnung reiner Hydroxyde der Schwermetalle
AT219564B (de) Anode, insbesondere für die Alkalichlorelektrolyse, bestehend aus einem Kern unedlen Metalles, der mit einer Deckschicht aus einem Edelmetall überzogen ist
AT324064B (de) Verfahren zum elektrolytischen beizen von aluminium
AT140562B (de) Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Nickel.