DE505812C - Verfahren zur Herstellung eines Metallueberzuges auf der Oxydschicht eines Metalloxydgleichrichters - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Metallueberzuges auf der Oxydschicht eines Metalloxydgleichrichters

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DE505812C
DE505812C DES89331D DES0089331D DE505812C DE 505812 C DE505812 C DE 505812C DE S89331 D DES89331 D DE S89331D DE S0089331 D DES0089331 D DE S0089331D DE 505812 C DE505812 C DE 505812C
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DES89331D
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Felix Baron Von Kleist
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Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
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Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/16Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide
    • H01L21/161Preparation of the foundation plate, preliminary treatment oxidation of the foundation plate, reduction treatment
    • H01L21/167Application of a non-genetic conductive layer

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Description

  • Verfahren zur Herstellung eines Metallüberzuges auf der Oxydschicht eines Metalloxydgleichrichters Bei Metalloxydgleichrichtern wird die Stromabnahme von der z. B. auf einer ebenen Platte erzeugten Oxydschicht dadurch erleichtert, daß man die Oxydschicht mit einem Metallüberzug versieht, der beispielsweise durch Aufspritzen von Zinn, Zink oder Blei hergestellt werden kann. Die zum Aufspritzen verwendeten Metalle haben verhältnismäßig hohen spezifischen Widerstand, was den Wirkungsgrad eines mit einem derartigen Metallüberzuge versehenen Gleichrichters unter Umständen ungünstig beeinflußt. Dieser Nachteil läßt sich gemäß der Erfindung dadurch vermeiden, daß die Oxydschicht mit einer Metallplatte von hoher elektrischer Leitfähigkeit bedeckt wird, die in der Weise siebartig durchlöchert ist, daß die verbleibenden Metallstücke nur schmale Flächen bilden, und daß diese Metallplatte durch Aufspritzen von Spritzmetall in elektrisch gut leitende Verbindung mit der Oxydschicht gebracht wird.
  • Besteht beispielsweise das Grundmetall des Gleichrichters aus Kupfer und die den Sitz der Gleichrichterwirkung bildende Schicht aus Kupferoxydul, so erzielt man einen Gleichrichter mit sehr gutem Wirkungsgrad, wenn man auf die Kupferoxydulschicht zunächst ein Kupferdrahtgeflecht auflegt und dieses durch Aufspritzen von Zinn etwa nach dem Schoopschen Metallspritzverfahren völlig in einen Überzug aus Zinn einbettet. Das im geschmolzenen Zustande auf die Oxydulschicht auftreffende Spritzmetall hat die Eigenschaft, einen zugleich mechanisch gut haftenden und elektrisch gut leitenden Metallüberzug herzustellen. Infolge der Einbettung des Kupferdrahtgeflechtes besitzt dieser Metallüberzug einen verhältnismäßig sehr niedrigen spezifischen Widerstand, wodurch der Wirkungsgrad des Gleichrichters erheblich verbessert wird.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE: I. Verfahren zur Herstellung eines Metallüberzuges auf der Oxydschicht eines Metalloxydgleichrichters, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst die Oxydschicht mit einer Metallplatte von hoher elektrischer Leitfähigkeit bedeckt wird, die in der Weise siebartig durchlöchert ist, daß die verbleibenden Metallstücke nur schmale Flächen bilden, und daß darauf die durchlöcherte Metallplatte durch Aufspritzen von Spritzmetall (z. B. Zinn) in elektrisch gut leitende Verbindung mit der Oxydschicht gebracht wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch z, dadurch gekennzeichnet, daß die durchlöcherte Metallplatte aus einem Kupferdrahtgeflecht besteht.
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